JP2805659B2 - ブレミッシュ補正装置 - Google Patents
ブレミッシュ補正装置Info
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 17
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 8
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/68—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to defects
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 A 産業上の利用分野 本発明は、固体撮像素子の温度を温度検出手段により
検出し、この温度検出手段による温度検出出力に基づい
て温度補正を施したブレミッシュ補正信号をブレミッシ
ュ補正信号発生手段により発生し、このブレミッシュ補
正信号発生手段から供給されるブレミッシュ補正信号を
信号加算手段により上記固体撮像素子の撮像出力信号に
加算することによって、上記撮像出力信号にブレミッシ
ュ補正を施すブレミッシュ補正装置に関する。
検出し、この温度検出手段による温度検出出力に基づい
て温度補正を施したブレミッシュ補正信号をブレミッシ
ュ補正信号発生手段により発生し、このブレミッシュ補
正信号発生手段から供給されるブレミッシュ補正信号を
信号加算手段により上記固体撮像素子の撮像出力信号に
加算することによって、上記撮像出力信号にブレミッシ
ュ補正を施すブレミッシュ補正装置に関する。
B 従来の技術 一般に、半導体により形成した電荷結合素子(CCD:Ch
arge Coupled Device)等による固体撮像素子では、半
導体の局部的な結晶欠陥等により光が入射していない状
態で特異なレベルの信号を出力する欠陥画素を生じ、こ
の欠陥画素からの撮像出力に起因する画質劣化があるこ
とが知られている。上記固体撮像素子における欠陥画素
としては、例えば、その撮像出力によるモニタ画面上の
画像に黒点として現れる黒傷欠陥画素や白点として現れ
る白傷欠陥画素が知られている。上記欠陥画素からは、
入射光量に応じた撮像出力に欠陥レベルに応じたオフセ
ット電圧が加算されて出力される。
arge Coupled Device)等による固体撮像素子では、半
導体の局部的な結晶欠陥等により光が入射していない状
態で特異なレベルの信号を出力する欠陥画素を生じ、こ
の欠陥画素からの撮像出力に起因する画質劣化があるこ
とが知られている。上記固体撮像素子における欠陥画素
としては、例えば、その撮像出力によるモニタ画面上の
画像に黒点として現れる黒傷欠陥画素や白点として現れ
る白傷欠陥画素が知られている。上記欠陥画素からは、
入射光量に応じた撮像出力に欠陥レベルに応じたオフセ
ット電圧が加算されて出力される。
この種の画素の欠陥のうち温度依存性のある欠陥は、
ブレミッシュと呼ばれており、ブレミッシュ補正装置に
より、固体撮像素子の温度を検出して、その温度検出出
力に基づいて温度補正を施したブレミッシュ補正信号を
上記固体際像素子の撮像出力信号に加算することによっ
て、補正される。
ブレミッシュと呼ばれており、ブレミッシュ補正装置に
より、固体撮像素子の温度を検出して、その温度検出出
力に基づいて温度補正を施したブレミッシュ補正信号を
上記固体際像素子の撮像出力信号に加算することによっ
て、補正される。
C 発明が解決しようとする課題 ところで、温度依存性のある固体撮像素子のブレミッ
シュ成分は常温では比較的に信号レベルが低いので、常
温でブレミッシュ補正装置のレベル調整を行ったので
は、十分に調整精度を高くすることができず、補正誤差
による画質劣化を避けることができない。
シュ成分は常温では比較的に信号レベルが低いので、常
温でブレミッシュ補正装置のレベル調整を行ったので
は、十分に調整精度を高くすることができず、補正誤差
による画質劣化を避けることができない。
また、ブレミッシュ補正装置のレベル調整を高い精度
で行うためには、例えば固体撮像素子を高温状態にして
ブレミッシュ成分の信号レベルを上昇させればよいので
あるが、高温状態を維持する大規模な恒温槽の設備が必
要となり、また、高温が加えられることによって、固体
撮像素子の寿命が短くなってしまうという問題点があ
る。
で行うためには、例えば固体撮像素子を高温状態にして
ブレミッシュ成分の信号レベルを上昇させればよいので
あるが、高温状態を維持する大規模な恒温槽の設備が必
要となり、また、高温が加えられることによって、固体
撮像素子の寿命が短くなってしまうという問題点があ
る。
そこで、本発明は、上述の如き実情に鑑み、固体撮像
素子の温度を温度検出手段により検出し、この温度検出
手段による温度検出出力に基づいて温度補正を施したブ
レミッシュ補正信号をブレミッシュ補正信号発生手段に
より発生し、このブレミッシュ補正信号発生手段から供
給されるブレミッシュ補正信号を信号加算手段による上
記固体撮像素子の撮像出力信号に加算することによっ
て、上記撮像出力信号にブレミッシュ補正を施すブレミ
ッシュ補正装置において、補正誤差による画質劣化を少
なくすることを目的とし、常温でブレミッシュ補正信号
の信号レベルを高精度に調整できるようにしたブレミッ
シュ補正装置を提供するものである。
素子の温度を温度検出手段により検出し、この温度検出
手段による温度検出出力に基づいて温度補正を施したブ
レミッシュ補正信号をブレミッシュ補正信号発生手段に
より発生し、このブレミッシュ補正信号発生手段から供
給されるブレミッシュ補正信号を信号加算手段による上
記固体撮像素子の撮像出力信号に加算することによっ
て、上記撮像出力信号にブレミッシュ補正を施すブレミ
ッシュ補正装置において、補正誤差による画質劣化を少
なくすることを目的とし、常温でブレミッシュ補正信号
の信号レベルを高精度に調整できるようにしたブレミッ
シュ補正装置を提供するものである。
D 課題を解決するための手段 本発明に係るブレミッシュ補正装置は、固体撮像素子
の温度を温度検出手段手段により検出し、この温度検出
手段による温度検出出力に基づいて温度補正を施したブ
レミッシュ補正信号をブレミッシュ補正信号発生手段に
より発生し、このブレミッシュ補正信号発生手段から供
給されるブレミッシュ補正信号を信号加算手段により上
記固体撮像素子の撮影出力信号に加算することによっ
て、上記撮像出力信号にブレミッシュ補正を施すブレミ
ッシュ補正装置において、上記固体撮像素子を通常の電
荷蓄積時間のN倍の電荷蓄積時間で動作させる駆動手段
と、上記固体撮像素子の電荷蓄積時間を通常のN倍とす
ることによる該固体撮像素子の出力レベルの上昇分を当
該固体撮像素子の温度特性による上記出力レベルの上昇
分に対応させた温度上昇分に対応するオフセットを上記
温度検出手段による温度検出出力に与えるオフセット付
加手段を設け、上記固体撮像素子を通常の電荷蓄積時間
のN倍の電荷蓄積時間で動作させた状態で、上記ブレミ
ッシュ補正信号発生手段が発生するブレミッシュ補正信
号の信号レベルを適正レベルに調整するようにしたこと
を特徴とするものである。
の温度を温度検出手段手段により検出し、この温度検出
手段による温度検出出力に基づいて温度補正を施したブ
レミッシュ補正信号をブレミッシュ補正信号発生手段に
より発生し、このブレミッシュ補正信号発生手段から供
給されるブレミッシュ補正信号を信号加算手段により上
記固体撮像素子の撮影出力信号に加算することによっ
て、上記撮像出力信号にブレミッシュ補正を施すブレミ
ッシュ補正装置において、上記固体撮像素子を通常の電
荷蓄積時間のN倍の電荷蓄積時間で動作させる駆動手段
と、上記固体撮像素子の電荷蓄積時間を通常のN倍とす
ることによる該固体撮像素子の出力レベルの上昇分を当
該固体撮像素子の温度特性による上記出力レベルの上昇
分に対応させた温度上昇分に対応するオフセットを上記
温度検出手段による温度検出出力に与えるオフセット付
加手段を設け、上記固体撮像素子を通常の電荷蓄積時間
のN倍の電荷蓄積時間で動作させた状態で、上記ブレミ
ッシュ補正信号発生手段が発生するブレミッシュ補正信
号の信号レベルを適正レベルに調整するようにしたこと
を特徴とするものである。
E 作用 本発明に係るブレミッシュ補正装置では、固体撮像素
子を通常の電荷蓄積時間のN倍の電荷蓄積時間で動作さ
せることによる該固体撮像素子の出力レベルの上昇分を
当該固体撮像素子の温度特性による上記出力レベルの上
昇分に対応させた温度上昇分に対応するオフセットを温
度検出手段による温度検出出力に与えた状態で、ブレミ
ッシュ補正信号発生手段が発生するブレミッシュ補正信
号の信号レベルを調整する。
子を通常の電荷蓄積時間のN倍の電荷蓄積時間で動作さ
せることによる該固体撮像素子の出力レベルの上昇分を
当該固体撮像素子の温度特性による上記出力レベルの上
昇分に対応させた温度上昇分に対応するオフセットを温
度検出手段による温度検出出力に与えた状態で、ブレミ
ッシュ補正信号発生手段が発生するブレミッシュ補正信
号の信号レベルを調整する。
F 実施例 以下、本発明に係るブレミッシュ補正装置の一実施例
について、図面に従い詳細に説明する。
について、図面に従い詳細に説明する。
本発明に係るブレミッシュ補正装置は、例えば第1図
に示すように構成される。
に示すように構成される。
この第1図に示すブレミッシュ補正装置は、CCDイメ
ージセンサ(1)の温度を温度センサ(2)により検出
し、この温度センサ(2)による温度検出出力に基づい
て温度補正を施したブレミッシュ補正信号をブレミッシ
ュ補正信号発生器(3)により発生し、このブレミッシ
ュ補正信号発生器(3)から供給されるブレミッシュ補
正信号を上記CCDイメージセンサ(1)からプロセスア
ンプ(4)を介して出力される撮像出力信号CCDOUTに信
号加算器(5)により加算することによって、上記撮像
出力信号CCDOUTにブレミッシュ補正を施すようにしたブ
レミッシュ補正装置に本発明を適用したものである。
ージセンサ(1)の温度を温度センサ(2)により検出
し、この温度センサ(2)による温度検出出力に基づい
て温度補正を施したブレミッシュ補正信号をブレミッシ
ュ補正信号発生器(3)により発生し、このブレミッシ
ュ補正信号発生器(3)から供給されるブレミッシュ補
正信号を上記CCDイメージセンサ(1)からプロセスア
ンプ(4)を介して出力される撮像出力信号CCDOUTに信
号加算器(5)により加算することによって、上記撮像
出力信号CCDOUTにブレミッシュ補正を施すようにしたブ
レミッシュ補正装置に本発明を適用したものである。
このブレミッシュ補正装置において、上記CCDイメー
ジセンサ(1)を駆動するCCD駆動回路(6)は、同期
信号発生器(7)が発生する垂直同期信号fVと、この垂
直同期信号fVを分周器(8)により1/N分周された1/N分
周垂直同期信号1/N・fVとが切り換えスイッチ(9)を
介して選択的に供給されるようになっている。
ジセンサ(1)を駆動するCCD駆動回路(6)は、同期
信号発生器(7)が発生する垂直同期信号fVと、この垂
直同期信号fVを分周器(8)により1/N分周された1/N分
周垂直同期信号1/N・fVとが切り換えスイッチ(9)を
介して選択的に供給されるようになっている。
そして、上記同期信号発生器(7)からの垂直同期信
号fVが上記切り換えスイッチ(9)により選択されてい
るのが通常動作モード状態であって、この通常動作モー
ド状態では、第2図に破線で示すように、上記CCD駆動
回路(6)が、上記垂直同期信号fVに同期して1垂直期
間1V毎に上記CCDイメージセンサ(1)の蓄積電荷を読
み出すセンサゲートパルスSG1により、上記CCDイメージ
センサ(1)を1垂直期間1Vに相当する通常の電荷蓄積
時間で駆動する。
号fVが上記切り換えスイッチ(9)により選択されてい
るのが通常動作モード状態であって、この通常動作モー
ド状態では、第2図に破線で示すように、上記CCD駆動
回路(6)が、上記垂直同期信号fVに同期して1垂直期
間1V毎に上記CCDイメージセンサ(1)の蓄積電荷を読
み出すセンサゲートパルスSG1により、上記CCDイメージ
センサ(1)を1垂直期間1Vに相当する通常の電荷蓄積
時間で駆動する。
また、上記分周器(8)からの1/N分周垂直同期信号1
/N・fVが上記切り換えスイッチ(9)により選択されて
いるのが調整動作モード状態であって、この調整動作モ
ード状態では、第2図に実線で示すように、上記CCD駆
動回路(6)が、上記1/N分周垂直同期信号1/N・fVに同
期してN垂直期間NV毎に上記CCDイメージセンサ(1)
の垂直電荷を読み出すセンサゲートパルスSG2により、
上記CCDイメージセンサ(1)を通常の電荷蓄積時間1V
のN倍の電荷蓄積時間NVで駆動する。
/N・fVが上記切り換えスイッチ(9)により選択されて
いるのが調整動作モード状態であって、この調整動作モ
ード状態では、第2図に実線で示すように、上記CCD駆
動回路(6)が、上記1/N分周垂直同期信号1/N・fVに同
期してN垂直期間NV毎に上記CCDイメージセンサ(1)
の垂直電荷を読み出すセンサゲートパルスSG2により、
上記CCDイメージセンサ(1)を通常の電荷蓄積時間1V
のN倍の電荷蓄積時間NVで駆動する。
ここで、上記調整動作モード状態では、上記CCDイメ
ージセンサ(1)を通常の電荷蓄積時間1のN倍の電荷
蓄積時間NVで駆動する上記調整動作モード状態では、上
記通常動作モードにおける蓄積電荷量のN倍の蓄積電荷
量となる。
ージセンサ(1)を通常の電荷蓄積時間1のN倍の電荷
蓄積時間NVで駆動する上記調整動作モード状態では、上
記通常動作モードにおける蓄積電荷量のN倍の蓄積電荷
量となる。
また、このプレミッシュ補正装置において、上記温度
センサ(2)は、上記CCD駆動回路(6)に接続されて
いる切り換えスイッチ(9)と連動して切り換え操作さ
れる切り換えスイッチ(10)を介して、一端が接地点と
オフセット電源(11)とに選択的に接続されるようにな
っている。
センサ(2)は、上記CCD駆動回路(6)に接続されて
いる切り換えスイッチ(9)と連動して切り換え操作さ
れる切り換えスイッチ(10)を介して、一端が接地点と
オフセット電源(11)とに選択的に接続されるようにな
っている。
そして、上記切り換えスイッチ(9)が上記垂直同期
信号fVを選択している通常動作モード状態では、上記温
度センサ(2)の一端が上記切り換えスイッチ(11)を
介して接地され、また、上記切り換えスイッチ(6)が
上記1/N分周垂直同期信号1/N・fVを選択している調整動
作モード状態では、上記温度センサ(2)の一端が上記
切り換えスイッチ(10)を介して上記オフセット電源
(11)に接続される。
信号fVを選択している通常動作モード状態では、上記温
度センサ(2)の一端が上記切り換えスイッチ(11)を
介して接地され、また、上記切り換えスイッチ(6)が
上記1/N分周垂直同期信号1/N・fVを選択している調整動
作モード状態では、上記温度センサ(2)の一端が上記
切り換えスイッチ(10)を介して上記オフセット電源
(11)に接続される。
ここで、上記CCDイメージセンサ(1)を通常の電荷
蓄積時間のN倍の電荷蓄積時間で駆動することにより、
上記通常動作モードにおける蓄積電荷量のN倍の蓄積電
荷量となって、上記CCDイメージセンサ(1)の出力レ
ベルがN倍に上昇する。上記オフセット電源(11)は、
この出力レベルの上昇分Nを当該CCDイメージセンサ
(1)の温度特性による上記出力レベルの上昇分に対応
させた温度上昇分ΔTに対応するオフセット電圧を上記
温度センサ(2)よる温度検出出力に与える。
蓄積時間のN倍の電荷蓄積時間で駆動することにより、
上記通常動作モードにおける蓄積電荷量のN倍の蓄積電
荷量となって、上記CCDイメージセンサ(1)の出力レ
ベルがN倍に上昇する。上記オフセット電源(11)は、
この出力レベルの上昇分Nを当該CCDイメージセンサ
(1)の温度特性による上記出力レベルの上昇分に対応
させた温度上昇分ΔTに対応するオフセット電圧を上記
温度センサ(2)よる温度検出出力に与える。
ここで、上記CCDイメージセンサ(1)の温度の特性
の一般式をKΔTとすると、 N=KΔT が成立し、 となる。
の一般式をKΔTとすると、 N=KΔT が成立し、 となる。
そして、例えば所謂白傷欠陥の温度特性を1.8倍/10と
し、VNを温度TNでの白傷欠陥レベル、VOを温度TOでの白
傷欠陥レベルとすると、 であるから、TN−TOの温度差ΔTは、 となり、上記調整動作モードにおけるNを例えば4とす
ると で23.6℃の温度上昇分に相当することになる。
し、VNを温度TNでの白傷欠陥レベル、VOを温度TOでの白
傷欠陥レベルとすると、 であるから、TN−TOの温度差ΔTは、 となり、上記調整動作モードにおけるNを例えば4とす
ると で23.6℃の温度上昇分に相当することになる。
そこで、上記温度センサ(2)の温度特性を例えば10
mV/℃とすると、上記オフセット電源(11)は、上記調
整動作モードにおいて、上記23.6℃の温度上昇分に相当
する0.236Vのオフセット電圧を上記温度センサ(2)に
与えるようにする。
mV/℃とすると、上記オフセット電源(11)は、上記調
整動作モードにおいて、上記23.6℃の温度上昇分に相当
する0.236Vのオフセット電圧を上記温度センサ(2)に
与えるようにする。
上記調整動作モードでは、上記温度センサ(2)に0.
236Vのオフセット電圧を与えるとともに、上記N=4と
して通常の電荷蓄積時間の4倍の電荷蓄積時間で上記CC
Dイメージセンサ(1)を駆動する状態で、上記ブレミ
ッシュ補正信号発生器(3)が発生するブレミッシュ補
正信号の信号レベルを適正レベルに調整することによ
り、上記CCDイメージセンサ(1)の温度を23.6℃上昇
させたのと等価な状態で上記ブレミッシュ補正信号発生
器(3)のレベル調整を高い精度で行うことができる。
236Vのオフセット電圧を与えるとともに、上記N=4と
して通常の電荷蓄積時間の4倍の電荷蓄積時間で上記CC
Dイメージセンサ(1)を駆動する状態で、上記ブレミ
ッシュ補正信号発生器(3)が発生するブレミッシュ補
正信号の信号レベルを適正レベルに調整することによ
り、上記CCDイメージセンサ(1)の温度を23.6℃上昇
させたのと等価な状態で上記ブレミッシュ補正信号発生
器(3)のレベル調整を高い精度で行うことができる。
そして、通常動作モードでは、このようにして調整動
作モードで高精度にレベル調整された上記ブレミッシュ
補正信号発生器(3)のブレミッシュ補正信号を上記CC
Dイメージセンサ(1)の撮像出力信号CCDOUTに加算合
成することにより、補正誤差の少ない適正なブレミッシ
ュ補正を施すことができる。
作モードで高精度にレベル調整された上記ブレミッシュ
補正信号発生器(3)のブレミッシュ補正信号を上記CC
Dイメージセンサ(1)の撮像出力信号CCDOUTに加算合
成することにより、補正誤差の少ない適正なブレミッシ
ュ補正を施すことができる。
G 発明の効果 以上のように、本発明に係るブレミッシュ補正装置で
は、固体撮像素子を通常の電荷蓄積時間のN倍の電荷蓄
積時間で動作させることによる該固体撮像素子の出力レ
ベルの上昇分を当該固体撮像素子の温度特性による上記
出力レベルの上昇分に対応させた温度上昇分に対応する
オフセットを温度検出手段による温度検出出力に与えた
状態で、ブレミッシュ補正信号発生手段が発生するブレ
ミッシュ補正信号の信号レベルを調整するので、恒温槽
などの大規模な設備を必要とすることなく、常温でブレ
ミッシュ補正信号の信号レベルを高精度に調整できる。
は、固体撮像素子を通常の電荷蓄積時間のN倍の電荷蓄
積時間で動作させることによる該固体撮像素子の出力レ
ベルの上昇分を当該固体撮像素子の温度特性による上記
出力レベルの上昇分に対応させた温度上昇分に対応する
オフセットを温度検出手段による温度検出出力に与えた
状態で、ブレミッシュ補正信号発生手段が発生するブレ
ミッシュ補正信号の信号レベルを調整するので、恒温槽
などの大規模な設備を必要とすることなく、常温でブレ
ミッシュ補正信号の信号レベルを高精度に調整できる。
従って、本発明によれば、補正誤差による画質劣化の
少ない適正なブレミッシュ補正を施すことのできるブレ
ミッシュ補正装置を提供することができる。
少ない適正なブレミッシュ補正を施すことのできるブレ
ミッシュ補正装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明に係るブレミッシュ補正装置の構成例を
示すブロック図であり、第2図はこのブレミッシュ補正
装置の動作を示すタイミングチャートであり、第3図は
上記ブレミッシュ補正装置で補正するCCDイメージセン
サの温度特性を示す特性線図である。 (1)……CCDイメージセンサ (2)……温度センサ (3)……ブレミッシュ信号発生器 (5)……信号加算器 (6)……CCD駆動回路 (7)……同期信号発生器 (8)……分周器 (9),(10)……切り換えスイッチ (11)……オフセット電源
示すブロック図であり、第2図はこのブレミッシュ補正
装置の動作を示すタイミングチャートであり、第3図は
上記ブレミッシュ補正装置で補正するCCDイメージセン
サの温度特性を示す特性線図である。 (1)……CCDイメージセンサ (2)……温度センサ (3)……ブレミッシュ信号発生器 (5)……信号加算器 (6)……CCD駆動回路 (7)……同期信号発生器 (8)……分周器 (9),(10)……切り換えスイッチ (11)……オフセット電源
Claims (1)
- 【請求項1】固体撮像素子の温度を温度検出手段により
検出し、この温度検出手段による温度検出出力に基づい
て温度補正を施したブレミッシュ補正信号をブレミッシ
ュ補正信号発生手段により発生し、このブレミッシュ補
正信号発生手段から供給されるブレミッシュ補正信号を
信号加算手段により上記固体撮像素子の撮像出力信号に
加算することによって、上記撮像出力信号にブレミッシ
ュ補正を施すブレミッシュ補正装置において、 上記固体撮像素子を通常の電荷蓄積時間のN倍の電荷蓄
積時間で動作させる駆動手段と、 上記固体撮像素子の電荷蓄積時間を通常のN倍とするこ
とによる該固体撮像素子の出力レベルの上昇分を当該固
体撮像素子の温度特性による上記出力レベルの上昇分に
対応させた温度上昇分に対応するオフセットを上記温度
検出手段による温度検出出力に与えるオフセット付加手
段を設け、 上記固体撮像素子を通常の電荷蓄積時間のN倍の電荷蓄
積時間で動作させた状態で、上記ブレミッシュ補正信号
発生手段が発生するブレミッシュ補正信号の信号レベル
を適正レベルに調整するようにしたことを特徴とするブ
レミッシュ補正装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2234595A JP2805659B2 (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | ブレミッシュ補正装置 |
US07/753,416 US5159457A (en) | 1990-09-06 | 1991-08-30 | High accuracy blemish compensator for defective pixels of a ccd |
EP91308041A EP0474454B1 (en) | 1990-09-06 | 1991-09-02 | Blemish compensators for charge coupled devices |
DE69114958T DE69114958T2 (de) | 1990-09-06 | 1991-09-02 | Kompensation von Flecken, die auf ladungsgekoppelten Anordnungen erscheinen. |
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