JP2000184291A - 固体電子撮像素子の制御装置および方法 - Google Patents

固体電子撮像素子の制御装置および方法

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JP2000184291A
JP2000184291A JP10362012A JP36201298A JP2000184291A JP 2000184291 A JP2000184291 A JP 2000184291A JP 10362012 A JP10362012 A JP 10362012A JP 36201298 A JP36201298 A JP 36201298A JP 2000184291 A JP2000184291 A JP 2000184291A
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clamp
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pulse
clamp pulse
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Yoshiaki Ishimaru
善章 石丸
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Fuji Photo Film Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 CCD1から出力される映像信号について行
われる水平クランプにおけるクランプ・レベルの変動を
抑える。 【構成】 CCD1の撮像領域2のうち高速で掃き出す
領域A1のフォトダイオードに蓄積された信号電荷を掃
き出すときには,そのほかの領域A2のフォトダイオー
ドに蓄積された信号電荷を出力するときに画素クランプ
回路4に用いられる基準クランプ・パルスP0の幅より
も広い幅をもつ高速掃き出し用クランプ・パルスP1を
用いる。画素クランプ回路4において,確実に画素クラ
ンプが行われるので,水平クランプ回路6の水平クラン
プにおいてクランプ・レベルが変動することを未然に防
止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【技術分野】この発明は,多数の光電変換素子を含み,
被写体を撮像することにより被写体像を表す映像信号を
出力する固体電子撮像素子の制御装置および方法に関す
る。
【0002】
【発明の背景】CCDなどの固体電子撮像素子において
は,固体電子撮像素子から出力さる映像信号を1水平ラ
インごとに黒レベルにクランプしている。このクランプ
処理により固体電子撮像素子から出力される映像信号に
よって表される画像の明るさが画像全体で一様となる。
【0003】ところで,固体電子撮像素子から出力され
る映像信号を用いて焦点調整,露出調整などが行われる
場合には,固体電子撮像素子から出力される映像信号の
すべてを用いずに,固体電子撮像素子の撮像領域の一部
の領域から出力された映像信号を用いることがある。焦
点調整,露出調整に用いる映像信号以外の映像信号につ
いては,不要なものとして固体電子撮像素子から迅速に
出力される(信号電荷の高速掃き出し)。
【0004】信号電荷の高速掃き出しが行われる場合で
も映像信号は,1水平ラインごとに黒レベルにクランプ
されるが,高速掃き出しなので,クランプ・レベルが変
化することがある。クランプ・レベルの変化により,映
像信号によって表される画像の一部の明るさが変動し,
正確な焦点調整,露出調整などが行われないことがあ
る。
【0005】
【発明の開示】この発明は,信号電荷の高速掃き出しが
行われる場合であっても1水平ラインごとに行われるク
ランプ・レベルの変動を抑えることを目的とする。
【0006】この発明による固体電子撮像素子の制御装
置は,1つ1つが画素に対応する光電変換素子が多数含
まれており,被写体を撮像し,被写体像を表す映像信号
を出力する撮像部,および与えられるクランプ・パルス
に応じて,上記撮像部から出力される映像信号のレベル
が基準レベルとなるように1画素ごとに上記映像信号を
クランプする画素クランプ回路を備えた固体電子撮像素
子において,撮像部から出力される映像信号のうち,高
速掃き出しすべき領域から得られる映像信号を上記画素
クランプ回路でクランプするときに,高速掃き出しすべ
き領域以外の領域から得られる映像信号について行われ
る上記画素クランプ回路におけるクランプ処理に用いら
れる基準クランプ・パルスの幅よりも広く,かつ上記基
準クランプ・パルス幅の2倍の幅以下の高速掃き出し用
クランプ・パルスを上記画素クランプ回路に与えるクラ
ンプ制御手段を備えていることを特徴とする。
【0007】この発明は,上記固体電子撮像素子の制御
装置に適した方法も提供している。すなわち,1つ1つ
が画素に対応する光電変換素子が多数含まれている撮像
部において被写体を撮像し,被写体像を表す映像信号を
得,与えられるクランプ・パルスに応じて,上記撮像部
から出力される映像信号のレベルが基準レベルとなるよ
うに1画素ごとに上記映像信号を画素クランプ回路を用
いてクランプする固体電子撮像素子の制御装置におい
て,上記撮像部から出力される映像信号のうち,高速掃
き出しすべき領域から得られる映像信号を上記画素クラ
ンプ回路でクランプするときに,高速掃き出しすべき領
域以外の領域から得られる映像信号について行われる上
記画素クランプ回路におけるクランプ処理に用いられる
基準クランプ・パルスの幅よりも広く,かつ上記基準ク
ランプ・パルス幅の2倍の幅以下の高速掃き出し用クラ
ンプ・パルスを上記画素クランプ回路に与えるものであ
る。
【0008】固体電子撮像素子から出力される映像信号
は,上述したように1水平ラインごとに黒レベルにクラ
ンプされるほかに固体電子撮像素子内で1画素ごとにも
所定の基準レベルにクランプされている(画素クラン
プ)。1画素ごとに画素クランプ処理が正確に行われれ
ば,1水平ラインごとに行われる水平クランプ処理にお
けるクランプ・レベルの変動を抑えることができる。
【0009】この発明によると,上記撮像部から出力さ
れる映像信号のうち,高速掃き出しすべき領域から得ら
れた映像信号について行われる1画素ごとのクランプに
用いられる上記高速掃き出しクランプ・パルスの幅は,
高速掃き出しすべき領域以外の領域から得られた映像信
号について行われる1画素ごとのクランプに用いられる
上記基準クランプ・パルスの幅よりも広くされている。
具体的には,上記高速掃き出しクランプ・パルスの幅
は,上記基準クランプ・パルスの幅以上であり,かつ上
記基準クランプ・パルスの2倍の幅の間とされている。
【0010】高速掃き出し領域から得られる映像信号を
1画素ごとに画素クランプするときには,高速掃き出し
領域以外の領域から得られる映像信号を1画素ごとに画
素クランプする場合に比べてクランプ・パルスの幅を広
くしている。このため,画素クランプが確実に行われ
る。高速掃き出し時の1水平ラインごとのクランプを確
実に行うことができる。1水平ラインごとのクランプに
おけるクランプ・レベルの変動を抑えることができる。
【0011】上記基準クランプ・パルスを生成する基準
クランプ・パルス生成手段,および上記高速掃き出し用
クランプ・パルスを生成する高速掃き出し用クランプ・
パス生成手段をさらに備えてもよい。この場合,上記ク
ランプ制御手段は,上記基準クランプ・パルス生成手段
によって生成された基準クランプ・パルスまたは上記高
速掃き出し用クランプ・パルス生成手段によって生成さ
れた高速掃き出し用クランプ・パルスを上記画素クラン
プ回路に与えることとなろう。
【0012】上記高速掃き出し用クランプ・パルス生成
手段によって生成される高速掃き出し用クランプ・パル
スの幅を変更可能としてもよい。所望のクランプ・パル
ス幅をもつ上記高速掃き出し用クランプ・パルスを生成
することができる。
【0013】被写体の明るさを検出する明るさ検出手
段,および上記明るさ検出手段により検出された明るさ
が明るいほど幅が広い上記高速掃き出し用クランプ・パ
ルスを生成するように上記高速掃き出し用クランプ・パ
ルス生成手段を制御する手段をさらに備えることが好ま
しい。
【0014】被写体が明るいほど,高速掃き出しにより
蓄積される不要電荷は多くなり1水平ラインごとのクラ
ンプのクランプ・レベルも変動しやすくなる。被写体が
明るいほどその明るさに応じて上記高速掃き出し用クラ
ンプ・パルスの幅を広げているので画素クランプをより
確実に行うことができる。1水平ラインごとのクランプ
のクランプ・レベルの変動を抑えることができる。
【0015】
【実施例の説明】図1は,この発明の実施例を示すもの
でビデオ・カメラ(スチル・ビデオ・カメラ,ムービ・
ビデオ・カメラ,ムービ・スチル・ビデオ・カメラを含
む)の撮像部分の電気的構成の一部を示すブロック図で
ある。
【0016】ビデオ・カメラは,CPU10によって動作
の全体が統括される。
【0017】ビデオ・カメラには,撮像素子としてCC
D1が含まれている。このCCD1は,CCD駆動回路
11によって駆動される。
【0018】CCD1には,撮像部2,水平転送路3,
画素クランプ回路4および増幅回路5が含まれている。
撮像部2には,光電変換素子として多数のフォトダイオ
ード(図示略)が列方向および行方向に配列されてい
る。フォトダイオードが露光されることにより露光量に
応じた信号電荷が蓄積される。信号電荷は,垂直転送路
(図示略)を介して撮像部2から出力され,水平転送路
3に入力する。信号電荷は,水平転送路3内を水平方向
に転送され,映像信号として水平転送路3から出力され
る。映像信号は,画素クランプ回路4において画素周期
で基準レベルとなるようにクランプされる。クランプさ
れた映像信号が増幅回路5において増幅されてCCD1
から出力される。
【0019】CCD1から出力される映像信号は,水平
クランプ回路6において1水平ラインごとに黒レベルに
クランプされる。1水平ラインごとにクランプされた映
像信号がCDS(相関二重サンプリング)回路7を経て
次段のガンマ補正回路などの信号処理回路に入力する。
【0020】ビデオ・カメラには,一方の端子に基準電
源が接続されている差動増幅回路8も含まれている。こ
の差動増幅回路8の他方の端子にCDS7の出力映像信
号が入力する。差動増幅回路8の出力信号が水平クラン
プのための基準電位となる。
【0021】ビデオ・カメラには,基準クランプ・パル
ス発生回路12および高速掃き出し用クランプ・パルス発
生回路13が含まれている。基準クランプ・パルス発生回
路12は画素クランプに一般的に用いられているクランプ
・パルス幅をもつ基準パルスP0を発生して出力する。
基準クランプ・パルスP0は,切替スイッチ14のa端子
に与えられる。高速掃き出し用クランプ・パルス発生回
路13は,基準クランプ・パルスP0のパルス幅よりも広
く,かつ基準クランプ・パルスP0のパルス幅の2倍の
パルス幅よりも狭いパルス幅をもつ高速掃き出しクラン
プ・パルスP1を出力する。高速掃き出しクランプ・パ
ルスP1は,切替スイッチ14のb端子に与えられる。
【0022】CCD1から出力される映像信号を用いて
自動露出制御,自動焦点調整などを行う場合がある。こ
のような場合には,CCD1の撮像部2のすべてのフォ
トダイオードから得られる映像信号を用いずに撮像部2
の一部のフォトダイオードから得られる映像信号を用い
ることがある。自動露出制御,自動焦点調整などに用い
られない映像信号は,高速に掃き出される。
【0023】CCD1の撮像部2においては,撮像部2
を上下にほぼ3等分したときに,真ん中の撮像領域A2
にあるフォトダイオードから得られる映像信号を用い
て,自動露出制御,自動焦点調整などが行われる。撮像
部2の上下にある撮像領域A1にあるフォトダイオード
から得られる映像信号については不要なものとして,高
速で掃き出される。迅速に自動露出調整,自動焦点調整
が行われる。
【0024】図2は,基準クランプ・パルスP0がCC
D1に与えられたときのCCD1から出力される映像信
号とその基準クランプ・パルスP0の信号波形図を示
し,図3は,高速掃き出しクランプ・パルスP1がCC
D1に与えられたときのCCD1から出力される映像信
号とその高速掃き出しクランプ・パルスP1の信号波形
図を示している。
【0025】CCD1の撮像部2のうち撮像領域A1の
フォトダイオードに蓄積された信号電荷を掃き出すとき
には,高速で掃き出すようにCCD駆動回路11によって
CCD1が駆動される。撮像領域A1のフォトダイオー
ドから出力される映像信号を画素クランプ回路4によっ
てクランプするときには,切替スイッチ14はb端子が接
続される。高速クランプ・パルス発生回路13から出力さ
れる高速掃き出しクランプ・パルスP1が画素クランプ
回路4に与えられ,水平転送路3から出力される映像信
号が画素周期でクランプされる。
【0026】CCD1の撮像部2のうち撮像領域A2の
フォトダイオードに蓄積された信号電荷を掃き出すとき
には,通常の速度で掃き出すようにCCD駆動回路11に
よってCCD1が駆動される。撮像領域A2のフォトダ
イオードから出力される映像信号を画素クランプ回路4
によってクランプするときには,切替スイッチ14はa端
子が接続される。基準クランプ発生回路12から出力され
る基準クランプP0が画素クランプ回路4に与えられ,
水平転送路3から出力される映像信号が画素周期でクラ
ンプされる。
【0027】CCD1の撮像部のうち再び撮像領域A1
のフォトダイオードから出力される映像信号を画素クラ
ンプ回路4によってクランプするときには,高速掃き出
しクランプ・パルス発生回路13から出力される高速掃き
出しクランプ・パルスP1が画素クランプ回路4に与え
られるように,CPU10によって切替スイッチ4の切替
が制御される。
【0028】上述したように高速掃き出し用クランプ・
パルスP1のパルス幅は,基準クランプ・パルスP0の
パルス幅よりも広い。水平転送路3から出力される映像
信号の画素クランプを確実に行うことができる。撮像領
域A1のフォトダイオードに蓄積された信号電荷を高速
で掃き出す場合には,上述したように水平クランプ・レ
ベルが変動してしまうことがあるが,この実施例におい
ては撮像領域A1のフォトダイオードに蓄積された信号
電荷を高速で掃き出すときには,画素クランプが確実に
行われるようにCCD1が制御される。水平クランプ・
レベルが変動することを抑えることができるようにな
る。
【0029】図4は,他の実施例を示すもので,ビデオ
・カメラの撮像部の電気的構成の一部を示すブロック図
である。この図において,図1に示すものと同一物には
同一符号を付して説明を省略する。
【0030】図4に示す回路においては,タイミング・
ジェネレータ21が含まれている。このタイミング・ジェ
ネレータ21からは画素周期を表す信号が出力され積分回
路23に入力している。積分回路23から画素周期に対応し
た周期をもつ積分信号が出力される。積分信号は,クラ
ンプ・パルス発生回路24に与えられ,クランプ・パルス
が生成される。生成されたクランプ・パルスは,画素ク
ランプ・パルスとしてCCD1の画素クランプ回路4に
与えられる。
【0031】積分回路23は,時定数の変更が可能なもの
で,CPU10から与えられる切替制御信号にもとづいて
時定数が変更される。撮像部2の撮像領域A1のフォト
ダイオードに蓄積された信号電荷を高速で掃き出すとき
には,パルス幅の広い高速掃き出しクランプ・パルスが
クランプ・パルス発生回路24から出力されるように積分
回路23の時定数が制御される。撮像部2の撮像領域A2
のフォトダイオードに蓄積された信号電荷を映像信号と
して出力するときには,高速掃き出しパルスのパルス幅
よりもパルス幅の狭い基準クランプ・パルスがクランプ
・パルス発生回路24から出力されるように積分回路23の
時定数が制御される。
【0032】図4に示す回路においても撮像部2の撮像
領域A1のフォトダイオードに蓄積されている信号電荷
を高速で掃き出すときには,パルス幅の広い高速掃き出
し用クランプ・パルスが画素クランプ回路4に与えられ
るので,確実な画素クランプが行われる。水平クランプ
回路6におけるクランプ・レベルが変動することを未然
に防止できる。
【0033】図4に示す回路においては,AE回路22も
設けられている。このAE回路22は,被写体の明るさを
検出し,明るさを表す信号を積分回路23に与えるもので
ある。AE回路22において検出された被写体の明るさが
明るいほど高速掃き出しクランプ・パルスのパルス幅が
大きくなるように積分回路23が制御される。被写体が明
るいほどCCD1の撮像部2の撮像領域A1のフォトダ
イオードに蓄積される信号電荷の量が多くなるが,高速
掃き出しクランプ・パルスの幅が大きくなるので,より
確実に画素クランプを行うことができる。水平クランプ
のクランプ・レベルの変動を抑えることができる。
【0034】図1に示す回路においては画素周期を表わ
す信号を出力するタイミング・ジェネレータ21は図示さ
れていないが,画素周期を表わす信号が基準クランプ・
パルス発生回路12および高速掃き出し用クランプ・パル
ス発生回路13に与えられ,画素周期と同じ周期をもつ基
準クランプ・パルスP0および高速掃き出し用クランプ
・パルスが出力されるのはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図1】ビデオ・カメラの撮像部の電気的構成の一部を
示すブロック図である。
【図2】CCDから出力される映像信号と基準クランプ
・パルスの信号波形図である。
【図3】CCDから出力される映像信号と高速掃き出し
用クランプ・パルスの信号波形図である。
【図4】ビデオ・カメラの撮像部の電気的構成の一部を
示すブロック図である。
【符号の説明】
1 CCD 2 撮像部 4 画素クランプ回路 6 水平クランプ回路 10 CPU 11 CCD駆動回路 12 基準クランプ・パルス発生回路 13 高速掃き出し用クランプ・パルス発生回路 22 AE回路 23 積分回路 24 クランプ発生回路 A1 高速掃き出し領域

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 1つ1つが画素に対応する光電変換素子
    が多数含まれており,被写体を撮像し,被写体像を表す
    映像信号を出力する撮像部,および与えられるクランプ
    ・パルスに応じて,上記撮像部から出力される映像信号
    のレベルが基準レベルとなるように1画素ごとに上記映
    像信号をクランプする画素クランプ回路を備えた固体電
    子撮像素子において,上記撮像部から出力される映像信
    号のうち,高速掃き出しすべき領域から得られる映像信
    号を上記画素クランプ回路でクランプするときに,高速
    掃き出しすべき領域以外の領域から得られる映像信号に
    ついて行われる上記画素クランプ回路におけるクランプ
    処理に用いられる基準クランプ・パルスの幅よりも広
    く,かつ上記基準クランプ・パルス幅の2倍の幅以下の
    高速掃き出し用クランプ・パルスを上記画素クランプ回
    路に与えるクランプ制御手段,を備えた固体電子撮像素
    子の制御装置。
  2. 【請求項2】 上記基準クランプ・パルスを生成する基
    準クランプ・パルス生成手段,および上記高速掃き出し
    用クランプ・パルスを生成する高速掃き出し用クランプ
    ・パス生成手段をさらに備え,上記クランプ制御手段
    は,上記基準クランプ・パルス生成手段によって生成さ
    れた基準クランプ・パルスまたは上記高速掃き出し用ク
    ランプ・パルス生成手段によって生成された高速掃き出
    し用クランプ・パルスを上記クランプ回路に与えるもの
    である,請求項1に記載の固体電子撮像素子の制御装
    置。
  3. 【請求項3】 上記高速掃き出し用クランプ・パルス生
    成手段によって生成される高速掃き出し用クランプ・パ
    ルスの幅を変更する手段をさらに備えた請求項2に記載
    の固体電子撮像素子の制御装置。
  4. 【請求項4】 被写体の明るさを検出する明るさ検出手
    段,および上記明るさ検出手段により検出された明るさ
    が明るいほど幅が広い上記高速掃き出し用クランプ・パ
    ルスを生成するように上記高速掃き出し用クランプ・パ
    ルス生成手段を制御する手段,をさらに備えた請求項3
    に記載の固体電子撮像素子の制御装置。
  5. 【請求項5】 1つ1つが画素に対応する光電変換素子
    が多数含まれている撮像部において被写体を撮像し,被
    写体像を表す映像信号を得,与えられるクランプ・パル
    スに応じて,上記撮像部から出力される映像信号のレベ
    ルが基準レベルとなるように1画素ごとに上記映像信号
    を画素クランプ回路を用いてクランプする固体電子撮像
    素子の制御装置において,上記撮像部から出力される映
    像信号のうち,高速掃き出しすべき領域から得られる映
    像信号を上記画素クランプ回路でクランプするときに,
    高速掃き出しすべき領域以外の領域から得られる映像信
    号について行われる上記画素クランプ回路におけるクラ
    ンプ処理に用いられる基準クランプ・パルスの幅よりも
    広く,かつ上記基準クランプ・パルス幅の2倍の幅以下
    の高速掃き出し用クランプ・パルスを上記画素クランプ
    回路に与える,固体電子撮像素子の制御方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002344772A (ja) * 2001-05-16 2002-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd クランプ回路
WO2004075541A1 (ja) * 2003-02-21 2004-09-02 Hamamatsu Photonics K.K. 撮像装置
JP2007074363A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Konica Minolta Photo Imaging Inc 撮像装置

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