JPH04115783A - ブレミッシュ補正装置 - Google Patents
ブレミッシュ補正装置Info
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- JPH04115783A JPH04115783A JP2234595A JP23459590A JPH04115783A JP H04115783 A JPH04115783 A JP H04115783A JP 2234595 A JP2234595 A JP 2234595A JP 23459590 A JP23459590 A JP 23459590A JP H04115783 A JPH04115783 A JP H04115783A
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- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 21
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 9
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N9/00—Details of colour television systems
- H04N9/12—Picture reproducers
- H04N9/30—Picture reproducers using solid-state colour display devices
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/68—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to defects
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ 産業上の利用分野
本発明は、固体撮像素子の温度を温度検出手段により検
出し、この温度検出手段による温度検出出力に基づいて
温度補正を施したプレミツシュ補正信号をプレミツシュ
補正信号発生手段により発生し、このプレミツシュ補正
信号発生手段から供給されるプレミツシュ補正信号を信
号加算手段により上記固体撮像素子の撮像出力信号に加
算することによって、上記撮像出力信号にプレミツシュ
補正を施すプレミツシュ補正装置に関する。
出し、この温度検出手段による温度検出出力に基づいて
温度補正を施したプレミツシュ補正信号をプレミツシュ
補正信号発生手段により発生し、このプレミツシュ補正
信号発生手段から供給されるプレミツシュ補正信号を信
号加算手段により上記固体撮像素子の撮像出力信号に加
算することによって、上記撮像出力信号にプレミツシュ
補正を施すプレミツシュ補正装置に関する。
Ｂ 従来の技術
一般に、半導体により形成した電荷結合素子（ＣＣＤ
： Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）等
による固体撮像素子では、半導体の局部的な結晶欠陥等
により光か入射していない状態で特異なレベルの信号を
出力する欠陥画素を生じ、この欠陥画素からの撮像出力
に起因する画質劣化があることか知られている。上記固
体撮像素子における欠陥画素としては、例えば、その撮
像出力によるモニタ画面上の画像に黒点として現れる黒
傷欠陥画素や白点として現れる白傷欠陥画素が知られて
いる。上記欠陥画素からは、入射光量に応じた撮像出力
に欠陥レベルに応じたオフセット電圧か加算されて出力
される。
： Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）等
による固体撮像素子では、半導体の局部的な結晶欠陥等
により光か入射していない状態で特異なレベルの信号を
出力する欠陥画素を生じ、この欠陥画素からの撮像出力
に起因する画質劣化があることか知られている。上記固
体撮像素子における欠陥画素としては、例えば、その撮
像出力によるモニタ画面上の画像に黒点として現れる黒
傷欠陥画素や白点として現れる白傷欠陥画素が知られて
いる。上記欠陥画素からは、入射光量に応じた撮像出力
に欠陥レベルに応じたオフセット電圧か加算されて出力
される。
この種の画素の欠陥のうち温度依存性のある欠陥は、プ
レミツシュと呼ばれており、プレミツシュ補正装置によ
り、固体撮像素子の温度を検出して、その温度検出出力
に基づいて温度補正を施したプレミツシュ補正信号を上
記固体撮像素子の撮像出力信号に加算することによって
、補正される。
レミツシュと呼ばれており、プレミツシュ補正装置によ
り、固体撮像素子の温度を検出して、その温度検出出力
に基づいて温度補正を施したプレミツシュ補正信号を上
記固体撮像素子の撮像出力信号に加算することによって
、補正される。
Ｃ発明が解決しようとする課題
ところで、温度依存性のある固体撮像素子のプレミツシ
ュ成分は常温では比較的に信号レベルか低いので、常温
でプレミツシュ補正装置のレベル調整を行ったのでは、
十分に調整精度を高くすることかできず、補正誤差によ
る画質劣化を避けることかできない。
ュ成分は常温では比較的に信号レベルか低いので、常温
でプレミツシュ補正装置のレベル調整を行ったのでは、
十分に調整精度を高くすることかできず、補正誤差によ
る画質劣化を避けることかできない。
また、プレミツシュ補正装置のレベル調整を高い精度で
行うためには、例えば固体撮像素子を高温状態にしてプ
レミツシュ成分の信号レベルを上昇させればよいのであ
るが、高温状態を維持する大規模な恒温槽の設備が必要
となり、また、高温が加えられることによって、固体撮
像素子の寿命か短くなってしまうという問題点かある。
行うためには、例えば固体撮像素子を高温状態にしてプ
レミツシュ成分の信号レベルを上昇させればよいのであ
るが、高温状態を維持する大規模な恒温槽の設備が必要
となり、また、高温が加えられることによって、固体撮
像素子の寿命か短くなってしまうという問題点かある。
そこで、本発明は、上述の如き実情に鑑み、固体撮像素
子の温度を温度検出手段により検出し、この温度検出手
段による温度検出出力に基づいて温度補正を施したプレ
ミツシュ補正信号をプレミツシュ補正信号発生手段によ
り発生し、このプレミツシュ補正信号発生手段から供給
されるプレミツシュ補正信号を信号加算手段により上記
固体撮像素子の撮像出力信号に加算することによって、
上記撮像出力信号にプレミツシュ補正を施すプレミツシ
ュ補正装置において、補正誤差による画質劣化を少なく
することを目的とし、常温でプレミツシュ補正信号の信
号レベルを高精度に調整できるようにしたプレミツシュ
補正装置を提供するものである。
子の温度を温度検出手段により検出し、この温度検出手
段による温度検出出力に基づいて温度補正を施したプレ
ミツシュ補正信号をプレミツシュ補正信号発生手段によ
り発生し、このプレミツシュ補正信号発生手段から供給
されるプレミツシュ補正信号を信号加算手段により上記
固体撮像素子の撮像出力信号に加算することによって、
上記撮像出力信号にプレミツシュ補正を施すプレミツシ
ュ補正装置において、補正誤差による画質劣化を少なく
することを目的とし、常温でプレミツシュ補正信号の信
号レベルを高精度に調整できるようにしたプレミツシュ
補正装置を提供するものである。
Ｄ 課題を解決する−ための手段
本発明に係るプレミツシュ補正装置は、固体撮像素子の
温度を温度検出手段により検出し、この温度検出手段に
よる温度検出出力に基づいて温度補正を施したプレミツ
シュ補正信号をプレミツシュ補正信号発生手段により発
生し、このプレミツシュ補正信号発生手段から供給され
るプレミツシュ補正信号を信号加算手段により上記固体
撮像素子の撮像出力信号に加算することによって、上記
撮像出力信号にプレミツシュ補正を施すプレミツシュ補
正装置において、上記固体撮像素子を通常の電荷蓄積時
間のＮ倍の電荷蓄積時間で動作させる駆動手段と、上記
固体撮像素子の電荷蓄積時間を通常のＮ倍とすることに
よる該固体撮像素子の出力レベルの上昇分を当該固体撮
像素子の温度特性による上記出力レベルの上昇分に対応
させた温度上昇分に対応するオフセットを上記温度検出
手段による温度検出出力に与えるオフセット付加手段を
設け、上記固体撮像素子を通常の電荷蓄積時間のＮ倍の
電荷蓄積時間て動作させた状態で、上記プレミツシュ補
正信号発生手段が発生するプレミツシュ補正信号の信号
レベルを適正レベルに調整するようにしたことを特徴と
するものである。
温度を温度検出手段により検出し、この温度検出手段に
よる温度検出出力に基づいて温度補正を施したプレミツ
シュ補正信号をプレミツシュ補正信号発生手段により発
生し、このプレミツシュ補正信号発生手段から供給され
るプレミツシュ補正信号を信号加算手段により上記固体
撮像素子の撮像出力信号に加算することによって、上記
撮像出力信号にプレミツシュ補正を施すプレミツシュ補
正装置において、上記固体撮像素子を通常の電荷蓄積時
間のＮ倍の電荷蓄積時間で動作させる駆動手段と、上記
固体撮像素子の電荷蓄積時間を通常のＮ倍とすることに
よる該固体撮像素子の出力レベルの上昇分を当該固体撮
像素子の温度特性による上記出力レベルの上昇分に対応
させた温度上昇分に対応するオフセットを上記温度検出
手段による温度検出出力に与えるオフセット付加手段を
設け、上記固体撮像素子を通常の電荷蓄積時間のＮ倍の
電荷蓄積時間て動作させた状態で、上記プレミツシュ補
正信号発生手段が発生するプレミツシュ補正信号の信号
レベルを適正レベルに調整するようにしたことを特徴と
するものである。
Ｅ 作用
本発明に係るプレミツシュ補正装置では、固体撮像素子
を通常の電荷蓄積時間のＮ倍の電荷蓄積時間で動作させ
ることによる該固体撮像素子の出力レベルの上昇分を当
該固体撮像素子の温度特性による上記出力レベルの上昇
分に対応させた温度上昇分に対応するオフセットを温度
検出手段による温度検出出力に与えた状態で、プレミツ
シュ補正信号発生手段が発生するプレミツシュ補正信号
の信号レベルを調整する。
を通常の電荷蓄積時間のＮ倍の電荷蓄積時間で動作させ
ることによる該固体撮像素子の出力レベルの上昇分を当
該固体撮像素子の温度特性による上記出力レベルの上昇
分に対応させた温度上昇分に対応するオフセットを温度
検出手段による温度検出出力に与えた状態で、プレミツ
シュ補正信号発生手段が発生するプレミツシュ補正信号
の信号レベルを調整する。
Ｆ 実施例
以下、本発明に係るプレミツシュ補正装置の一実施例に
ついて、図面に従い詳細に説明する。
ついて、図面に従い詳細に説明する。
本発明に係るプレミツシュ補正装置は、例えば第１図に
示すように構成される。
示すように構成される。
この第１ｒＡに示すプレミツシュ補正装置は、ＣＣＤイ
メージセンサ（１）の温度を温度センサ（２）により検
出し、この温度センサ（２）による温度検出出力に基づ
いて温度補正を施したプレミツシュ補正信号をプレミツ
シュ補正信号発生器（３）により発生し、このプレミツ
シュ補正信号発生器（３）から供給されるプレミツシュ
補正信号を上記ＣＣＤイメージセンサ（１）がらプロセ
スアンプ（４）を介して出力される撮像出力信号ＣＣＤ
、、、に信号加算器（５）により加算することによって
、上記撮像出力信号ＣＣＤ、、、にプレミツシュ補正を
施すようにしたプレミツシュ補正装置に本発明を適用し
たものである。
メージセンサ（１）の温度を温度センサ（２）により検
出し、この温度センサ（２）による温度検出出力に基づ
いて温度補正を施したプレミツシュ補正信号をプレミツ
シュ補正信号発生器（３）により発生し、このプレミツ
シュ補正信号発生器（３）から供給されるプレミツシュ
補正信号を上記ＣＣＤイメージセンサ（１）がらプロセ
スアンプ（４）を介して出力される撮像出力信号ＣＣＤ
、、、に信号加算器（５）により加算することによって
、上記撮像出力信号ＣＣＤ、、、にプレミツシュ補正を
施すようにしたプレミツシュ補正装置に本発明を適用し
たものである。
このプレミツシュ補正装置において、上記ＣＣＤイメー
ジセンサ（１）を駆動するＣＣＤ駆動回路（６）は、同
期信号発生器（７）が発生する垂直同期信号ｆｖと、こ
の垂直同期信号ｆｖを分周器（８）により１／Ｎ分周さ
れたｌ／Ｎ分周垂直同期信号１／Ｎ−ｆ ｖとが切り換
えスイッチ（９）を介して選択的に供給されるようにな
っている。
ジセンサ（１）を駆動するＣＣＤ駆動回路（６）は、同
期信号発生器（７）が発生する垂直同期信号ｆｖと、こ
の垂直同期信号ｆｖを分周器（８）により１／Ｎ分周さ
れたｌ／Ｎ分周垂直同期信号１／Ｎ−ｆ ｖとが切り換
えスイッチ（９）を介して選択的に供給されるようにな
っている。
そして、上記同期信号発生器（７）からの垂直同期信号
ｆ、か上記切り換えスイッチ（９）により選択されてい
るのが通常動作モード状態であって、この通常動作モー
ド状態では、第２図に破線で示すように、上記ＣＣＤ駆
動回路（６）が、上記垂直同期信号ｆ、に同期してｌ垂
直期間１ｖ毎に上記ＣＣＤイメージセンサ（１）の蓄積
電荷を読み出すセンサゲートパルスＳＧ、により、上記
ＣＣＤイメージセンサ（１）を１垂直期間ＩＶに相当す
る通常の電荷蓄積時間で駆動する。
ｆ、か上記切り換えスイッチ（９）により選択されてい
るのが通常動作モード状態であって、この通常動作モー
ド状態では、第２図に破線で示すように、上記ＣＣＤ駆
動回路（６）が、上記垂直同期信号ｆ、に同期してｌ垂
直期間１ｖ毎に上記ＣＣＤイメージセンサ（１）の蓄積
電荷を読み出すセンサゲートパルスＳＧ、により、上記
ＣＣＤイメージセンサ（１）を１垂直期間ＩＶに相当す
る通常の電荷蓄積時間で駆動する。
また、上記分周器（８）からの１／Ｎ分周垂直同期信号
１７Ｎ−ｆ ｖが上記切り換えスイッチ（９）により選
択されているのか調整動作モード状態であって、この調
整動作モード状態では、第２図に実線で示すように、上
記ＣＣＤ駆動回路（６）か、上記１／Ｎ分周垂直同期信
号ｔ／Ｎ−ｆ ｖに同期してＮ垂直期間ＮＶ毎に上記Ｃ
ＣＤイメージセンサ（１）の蓄積電荷を読み出すセンサ
ゲートパルスＳＧ、により、上記ＣＣＤイメージセンサ
（１）を通常の電荷蓄積時間ＩＶのＮ倍の電荷蓄積時間
ＮＶで駆動する。
１７Ｎ−ｆ ｖが上記切り換えスイッチ（９）により選
択されているのか調整動作モード状態であって、この調
整動作モード状態では、第２図に実線で示すように、上
記ＣＣＤ駆動回路（６）か、上記１／Ｎ分周垂直同期信
号ｔ／Ｎ−ｆ ｖに同期してＮ垂直期間ＮＶ毎に上記Ｃ
ＣＤイメージセンサ（１）の蓄積電荷を読み出すセンサ
ゲートパルスＳＧ、により、上記ＣＣＤイメージセンサ
（１）を通常の電荷蓄積時間ＩＶのＮ倍の電荷蓄積時間
ＮＶで駆動する。
ここで、上記調整動作モード状態では、上記ＣＣＤイメ
ージセンサ（１）を通常の電荷蓄積時間■のＮ倍の電荷
蓄積時間ＮＶで駆動する上記調整動作モード状態では、
上記通常動作モードにおける蓄積電荷量のＮ倍の蓄積電
荷量となる。
ージセンサ（１）を通常の電荷蓄積時間■のＮ倍の電荷
蓄積時間ＮＶで駆動する上記調整動作モード状態では、
上記通常動作モードにおける蓄積電荷量のＮ倍の蓄積電
荷量となる。
また、このプレミツシュ補正装置において、上記温度セ
ンサ（２）は、上記ＣＣＤ駆動回路（６）に接続されて
いる切り換えスイッチ（９）と連動して切り換え操作さ
れる切り換えスイッチ（１０）を介して、一端が接地点
とオフセット電源（１■）とに選択的に接続されるよう
になっている。
ンサ（２）は、上記ＣＣＤ駆動回路（６）に接続されて
いる切り換えスイッチ（９）と連動して切り換え操作さ
れる切り換えスイッチ（１０）を介して、一端が接地点
とオフセット電源（１■）とに選択的に接続されるよう
になっている。
そして、上記切り換えスイッチ（９）が上記垂直同期信
号ｆｖを選択している通常動作モード状態では、上記温
度センサ（２）の一端が上記切り換えスイッチ（１１）
を介して接地され、また、上記切り換えスイッチ（６）
が上記１／Ｎ分周垂直同期信号１／Ｎ−ｆ 、を選択し
ている調整動作モード状態では、上記温度センサ（２）
の一端が上記切り換えスイッチ（１０）を介して上記オ
フセット電源（１１）に接続される。
号ｆｖを選択している通常動作モード状態では、上記温
度センサ（２）の一端が上記切り換えスイッチ（１１）
を介して接地され、また、上記切り換えスイッチ（６）
が上記１／Ｎ分周垂直同期信号１／Ｎ−ｆ 、を選択し
ている調整動作モード状態では、上記温度センサ（２）
の一端が上記切り換えスイッチ（１０）を介して上記オ
フセット電源（１１）に接続される。
ここで、上記ＣＣＤイメージセンサ（１）を通常の電荷
蓄積時間のＮ倍の電荷蓄積時間で駆動することにより、
上記通常動作モードにおける蓄積電荷量のＮ倍の蓄積電
荷量となって、上記ＣＣＤイメージセンサ（１）の出力
レベルがＮ倍に上昇する。
蓄積時間のＮ倍の電荷蓄積時間で駆動することにより、
上記通常動作モードにおける蓄積電荷量のＮ倍の蓄積電
荷量となって、上記ＣＣＤイメージセンサ（１）の出力
レベルがＮ倍に上昇する。
上記オフセット電源（１１）は、この出方レベルの上昇
分Ｎを当該ＣＣＤイメージセンサ（１）の温度特性によ
る上記出力レベルの上昇分に対応させた温度上昇分ΔＴ
に対応するオフセット電圧を上記温度センサ（２）よる
温度検出出力に与える。
分Ｎを当該ＣＣＤイメージセンサ（１）の温度特性によ
る上記出力レベルの上昇分に対応させた温度上昇分ΔＴ
に対応するオフセット電圧を上記温度センサ（２）よる
温度検出出力に与える。
ここで、上記ＣＣＤイメージセンサ（１）の温度特性の
一般式をＫＡＴとすると、 Ｎ＝Ｋ” が成立し、 ｏｇ Ｋ となる。
一般式をＫＡＴとすると、 Ｎ＝Ｋ” が成立し、 ｏｇ Ｋ となる。
そして、例えば所謂白傷欠陥の温度特性を１゜８倍／１
０とし、ｖＨを温度ＴＮでの白傷欠陥レベル、ｖｏを温
度Ｔ０での白傷欠陥レベルとすると、 ΔＴ であるから、Ｔ、−Ｔ、の温度差ΔＴは、ｌｏｇｌ、８ となり、上記調整動作モードにおけるＮを例えば４とす
ると ＝２３．５８° Ｃ で２３．６°Ｃの温度上昇分に相当することになる。
０とし、ｖＨを温度ＴＮでの白傷欠陥レベル、ｖｏを温
度Ｔ０での白傷欠陥レベルとすると、 ΔＴ であるから、Ｔ、−Ｔ、の温度差ΔＴは、ｌｏｇｌ、８ となり、上記調整動作モードにおけるＮを例えば４とす
ると ＝２３．５８° Ｃ で２３．６°Ｃの温度上昇分に相当することになる。
そこで、上記温度センサ（２）の温度特性を例えば１０
ｍＶ／’Ｃとすると、上記オフセット電源（１１）は、
上記調整動作モードにおいて、上記２３６°Ｃの温度上
昇分に相当する０、２３６Ｖのオフセット電圧を上記温
度センサ（２）に与えるようにする。
ｍＶ／’Ｃとすると、上記オフセット電源（１１）は、
上記調整動作モードにおいて、上記２３６°Ｃの温度上
昇分に相当する０、２３６Ｖのオフセット電圧を上記温
度センサ（２）に与えるようにする。
上記調整動作モードでは、上記温度センサ（２）１：ｏ
、２３６Ｖのオフセット電圧を与えるとともに、上記Ｎ
＝４として通常の電荷蓄積時間の４倍の電荷蓄積時間で
上記ＣＣＤイメージセンサ（１）を駆動する状態で、上
記プレミツシュ補正信号発生器（３）が発生するプレミ
ツシュ補正信号の信号レベルを適正レベルに調整するこ
とにより、上記ＣＣＤイメージセンサ（１）の温度を２
３．６６Ｃ上昇させたのと等価な状態で上記プレミツシ
ュ補正信号発生器（３）のレベル調整を高い精度で行う
ことができる。
、２３６Ｖのオフセット電圧を与えるとともに、上記Ｎ
＝４として通常の電荷蓄積時間の４倍の電荷蓄積時間で
上記ＣＣＤイメージセンサ（１）を駆動する状態で、上
記プレミツシュ補正信号発生器（３）が発生するプレミ
ツシュ補正信号の信号レベルを適正レベルに調整するこ
とにより、上記ＣＣＤイメージセンサ（１）の温度を２
３．６６Ｃ上昇させたのと等価な状態で上記プレミツシ
ュ補正信号発生器（３）のレベル調整を高い精度で行う
ことができる。
そして、通常動作モードでは、このようにして調整動作
モードで高精度にレベル調整された上記プレミツシュ補
正信号発生器（３）のプレミツシュ補正信号を上記ＣＣ
Ｄイメージセンサ（１）の撮像出力信号ＣＣＤ、、アに
加算合成することにより、補正誤差の少ない適正なプレ
ミツシュ補正を施すことができる。
モードで高精度にレベル調整された上記プレミツシュ補
正信号発生器（３）のプレミツシュ補正信号を上記ＣＣ
Ｄイメージセンサ（１）の撮像出力信号ＣＣＤ、、アに
加算合成することにより、補正誤差の少ない適正なプレ
ミツシュ補正を施すことができる。
Ｇ 発明の効果
以上のように、本発明に係るプレミツシュ補正装置では
、固体撮像素子を通常の電荷蓄積時間のＮ倍の電荷蓄積
時間で動作させることによる該固体撮像素子の出力レベ
ルの上昇分を当該固体撮像素子の温度特性による上記出
力レベルの上昇分に対応させた温度上昇分に対応するオ
フセットを温度検出手段による温度検出出力に与えた状
態で、プレミツシュ補正信号発生手段が発生するプレミ
ツシュ補正信号の信号レベルを調整するので、恒温槽な
どの大規模な設備を必要とすることなく、常温でプレミ
ツシュ補正信号の信号レベルを高精度に調整できる。
、固体撮像素子を通常の電荷蓄積時間のＮ倍の電荷蓄積
時間で動作させることによる該固体撮像素子の出力レベ
ルの上昇分を当該固体撮像素子の温度特性による上記出
力レベルの上昇分に対応させた温度上昇分に対応するオ
フセットを温度検出手段による温度検出出力に与えた状
態で、プレミツシュ補正信号発生手段が発生するプレミ
ツシュ補正信号の信号レベルを調整するので、恒温槽な
どの大規模な設備を必要とすることなく、常温でプレミ
ツシュ補正信号の信号レベルを高精度に調整できる。
従って、本発明によれば、補正誤差による画質劣化の少
ない適正なプレミツシュ補正を施すことのできるプレミ
ツシュ補正装置を提供することができる。
ない適正なプレミツシュ補正を施すことのできるプレミ
ツシュ補正装置を提供することができる。
第１図は本発明に係るプレミツシュ補正装置の構成例を
示すブロック図であり、第２図はこのプレミツシュ補正
装置の動作を示すタイミングチャートであり、第３図は
上記プレミツシュ補正装置で補正するＣＣＤイメージセ
ンサの温度特性を示す特性線図である。 （１）・・・・・・・・ＣＣＤイメージセンサ（２）・
・・・・・・・温度センサ （３）・・・・・・・・プレミツシュ信号発生器（５）
・・・・・・・・ （６）・・・・・・・・ （７）・・・・・・・・ （８）・・・・・・・・ （９）、 （１０） ・・・ （１１）・・・・・・・・ 信号加算器 ＣＯＤ駆動回路 同期信号発生器 分周器 切り換えスイッチ オフセット電源
示すブロック図であり、第２図はこのプレミツシュ補正
装置の動作を示すタイミングチャートであり、第３図は
上記プレミツシュ補正装置で補正するＣＣＤイメージセ
ンサの温度特性を示す特性線図である。 （１）・・・・・・・・ＣＣＤイメージセンサ（２）・
・・・・・・・温度センサ （３）・・・・・・・・プレミツシュ信号発生器（５）
・・・・・・・・ （６）・・・・・・・・ （７）・・・・・・・・ （８）・・・・・・・・ （９）、 （１０） ・・・ （１１）・・・・・・・・ 信号加算器 ＣＯＤ駆動回路 同期信号発生器 分周器 切り換えスイッチ オフセット電源
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 固体撮像素子の温度を温度検出手段により検出し、この
温度検出手段による温度検出出力に基づいて温度補正を
施したプレミッシュ補正信号をプレミッシュ補正信号発
生手段により発生し、このプレミッシュ補正信号発生手
段から供給されるプレミッシュ補正信号を信号加算手段
により上記固体撮像素子の撮像出力信号に加算すること
によって、上記撮像出力信号にプレミッシュ補正を施す
プレミッシュ補正装置において、 上記固体撮像素子を通常の電荷蓄積時間のＮ倍の電荷蓄
積時間で動作させる駆動手段と、 上記固体撮像素子の電荷蓄積時間を通常のＮ倍とするこ
とによる該固体撮像素子の出力レベルの上昇分を当該固
体撮像素子の温度特性による上記出力レベルの上昇分に
対応させた温度上昇分に対応するオフセットを上記温度
検出手段による温度検出出力に与えるオフセット付加手
段を設け、上記固体撮像素子を通常の電荷蓄積時間のＮ
倍の電荷蓄積時間で動作させた状態で、上記プレミッシ
ュ補正信号発生手段が発生するプレミッシュ補正信号の
信号レベルを適正レベルに調整するようにしたことを特
徴とするプレミッシュ補正装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2234595A JP2805659B2 (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | ブレミッシュ補正装置 |
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