JPH10256567A - 半導体加工部品の製造方法 - Google Patents
半導体加工部品の製造方法Info
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- JPH10256567A JPH10256567A JP5805797A JP5805797A JPH10256567A JP H10256567 A JPH10256567 A JP H10256567A JP 5805797 A JP5805797 A JP 5805797A JP 5805797 A JP5805797 A JP 5805797A JP H10256567 A JPH10256567 A JP H10256567A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】可動電極部の下部および周囲の犠牲層となる酸
化シリコンをエッチングするときに、固定電極部の下部
の酸化シリコンがエッチングされずに残っており、した
がって、固定電極部の面積を小さくして寄生容量を低減
することのできる半導体加工部品の製造方法を提供す
る。 【解決手段】支持板１、酸化シリコン２および上部シリ
コン層の３層構造よりなる半導体基板の上部シリコン層
を加工して固定電極部４および可動電極部３を形成し、
固定電極部４の少なくとも固定電極部分４ｂの周囲の酸
化シリコン２上に窓を有するマスクを形成し、このマス
クを用いて少なくとも固定電極部分４ｂの周囲の露出し
ている酸化シリコン２にボロンを注入し、前記マスクを
除去した後、フッ酸系水溶液で可動電極部分３ｄの下部
およびその近傍の酸化シリコン２を選択的にエッチング
する半導体加工部品の製造方法。
化シリコンをエッチングするときに、固定電極部の下部
の酸化シリコンがエッチングされずに残っており、した
がって、固定電極部の面積を小さくして寄生容量を低減
することのできる半導体加工部品の製造方法を提供す
る。 【解決手段】支持板１、酸化シリコン２および上部シリ
コン層の３層構造よりなる半導体基板の上部シリコン層
を加工して固定電極部４および可動電極部３を形成し、
固定電極部４の少なくとも固定電極部分４ｂの周囲の酸
化シリコン２上に窓を有するマスクを形成し、このマス
クを用いて少なくとも固定電極部分４ｂの周囲の露出し
ている酸化シリコン２にボロンを注入し、前記マスクを
除去した後、フッ酸系水溶液で可動電極部分３ｄの下部
およびその近傍の酸化シリコン２を選択的にエッチング
する半導体加工部品の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外力を検知する可
動電極部と固定電極部とを有する加速度センサ、角速度
センサなどの半導体加工部品の製造方法に関する。
動電極部と固定電極部とを有する加速度センサ、角速度
センサなどの半導体加工部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の静電容量型の加速度センサ、角速
度センサなどの半導体加工部品は、加速度または角速度
を検知するために、固定電極部と可動電極部を有してい
る。その構造の概略について、図１および図２を参照し
て、加速度センサ１０を例にとり説明する。１はシリコ
ン、ガラスなどよりなる矩形状の支持板である。この支
持板１の４隅部には、４個のアンカー電極部３ａが酸化
シリコン２を介して設けられている。
度センサなどの半導体加工部品は、加速度または角速度
を検知するために、固定電極部と可動電極部を有してい
る。その構造の概略について、図１および図２を参照し
て、加速度センサ１０を例にとり説明する。１はシリコ
ン、ガラスなどよりなる矩形状の支持板である。この支
持板１の４隅部には、４個のアンカー電極部３ａが酸化
シリコン２を介して設けられている。
【０００３】これらの４個のアンカー電極部３ａのう
ち、支持板１の長手方向の対抗する２対のアンカー電極
部３ａ、３ａには、支持梁３ｂ、３ｂの両端がそれぞれ
結合している。また、これらの支持梁３ｂ、３ｂの中間
には、支持柄３ｃの両端が結合している。支持柄３ｃの
両側には、片側からそれぞれ３本ずつ、均等間隔で直角
方向に可動電極指３ｄ、３ｄがそれぞれ形成されてい
る。
ち、支持板１の長手方向の対抗する２対のアンカー電極
部３ａ、３ａには、支持梁３ｂ、３ｂの両端がそれぞれ
結合している。また、これらの支持梁３ｂ、３ｂの中間
には、支持柄３ｃの両端が結合している。支持柄３ｃの
両側には、片側からそれぞれ３本ずつ、均等間隔で直角
方向に可動電極指３ｄ、３ｄがそれぞれ形成されてい
る。
【０００４】上記のアンカー電極部３ａ、支持梁３ｂ、
支持柄３ｃおよび可動電極指３ｄは、可動電極部３を構
成し、同一のシリコンを加工して一体に形成される。ま
た、アンカー電極部３ａを除いた支持梁３ｂ、支持柄３
ｃおよび可動電極指３ｄは、その下部および周囲に空隙
３ｆが形成され、自由振動可能な可動電極部分３ｅを構
成している。
支持柄３ｃおよび可動電極指３ｄは、可動電極部３を構
成し、同一のシリコンを加工して一体に形成される。ま
た、アンカー電極部３ａを除いた支持梁３ｂ、支持柄３
ｃおよび可動電極指３ｄは、その下部および周囲に空隙
３ｆが形成され、自由振動可能な可動電極部分３ｅを構
成している。
【０００５】一方、４ａは固定電極指で、可動電極指３
ｄと平行にそれぞれ間隙を置いて対向して配置され、そ
れらの一端は固定電極部分４ｂに結合している。また、
この固定ｂ電極部分４ｂは、引き出し電極４ｃに結合し
ている。これらの固定電極指４ａ、固定電極部分４ｂお
よび引き出し電極４ｃは、固定電極部４を構成し、可動
電極部３と同一のシリコンを加工して一体に形成され
る。そのうち、固定電極部分４ｂおよび引き出し電極４
ｃは、酸化シリコン２を介して支持板１に固定されてい
る。 そして、１対の固定電極部４、４が、支持柄３ｃ
を対称面にして左右に配置されている。
ｄと平行にそれぞれ間隙を置いて対向して配置され、そ
れらの一端は固定電極部分４ｂに結合している。また、
この固定ｂ電極部分４ｂは、引き出し電極４ｃに結合し
ている。これらの固定電極指４ａ、固定電極部分４ｂお
よび引き出し電極４ｃは、固定電極部４を構成し、可動
電極部３と同一のシリコンを加工して一体に形成され
る。そのうち、固定電極部分４ｂおよび引き出し電極４
ｃは、酸化シリコン２を介して支持板１に固定されてい
る。 そして、１対の固定電極部４、４が、支持柄３ｃ
を対称面にして左右に配置されている。
【０００６】つぎに、図１および図２に示す加速度セン
サ１０の動作について説明する。加速度センサ１０を自
動車などの移動体に、その支持柄３ｃの長手方向が移動
体の進行方向になるように、搭載する。そして、移動体
が加速すると、加速度センサ１０の搭載方向によって、
可動電極部分３ｅは、その慣性により加速に追随でき
ず、支持梁３ｂがしなって、固定電極指４ａと可動電極
指３ｄとが接近または離れ、それらの間に形成される静
電容量が増加または減少し、図示しない容量・電圧変換
回路により、この静電容量の変化量を電圧変換して加速
度を求めるものである。
サ１０の動作について説明する。加速度センサ１０を自
動車などの移動体に、その支持柄３ｃの長手方向が移動
体の進行方向になるように、搭載する。そして、移動体
が加速すると、加速度センサ１０の搭載方向によって、
可動電極部分３ｅは、その慣性により加速に追随でき
ず、支持梁３ｂがしなって、固定電極指４ａと可動電極
指３ｄとが接近または離れ、それらの間に形成される静
電容量が増加または減少し、図示しない容量・電圧変換
回路により、この静電容量の変化量を電圧変換して加速
度を求めるものである。
【０００７】以上、図１および図２を参照して、加速度
センサの概略の構造と動作について説明したが、一方、
静電容量型の角速度センサは、図示しないが、櫛歯形の
駆動用電極と検出用電極を有し、かつ、Ｌ字型あるいは
コ字型の支持梁を有している。そして、動作について３
次元直交座標を用いて説明すると、角速度センサの駆動
用電極がＸ軸方向に振動しているときに、Ｚ軸回りの回
転が加わると、コリオリ力によりＹ軸方向の振動が生
じ、このＹ軸方向の振動を検出用電極で検出して回転角
速度を検出するものである。
センサの概略の構造と動作について説明したが、一方、
静電容量型の角速度センサは、図示しないが、櫛歯形の
駆動用電極と検出用電極を有し、かつ、Ｌ字型あるいは
コ字型の支持梁を有している。そして、動作について３
次元直交座標を用いて説明すると、角速度センサの駆動
用電極がＸ軸方向に振動しているときに、Ｚ軸回りの回
転が加わると、コリオリ力によりＹ軸方向の振動が生
じ、このＹ軸方向の振動を検出用電極で検出して回転角
速度を検出するものである。
【０００８】つぎに、従来の半導体加工部品の製造方法
について、図１および図２に示す加速度センサを製造す
る場合について図７〜図９を参照して説明する。なお、
図７〜図９は、図１のＸ−Ｘ線断面形態のうち、破線で
示す円形部分を拡大して示すものである。
について、図１および図２に示す加速度センサを製造す
る場合について図７〜図９を参照して説明する。なお、
図７〜図９は、図１のＸ−Ｘ線断面形態のうち、破線で
示す円形部分を拡大して示すものである。
【０００９】図７に示すように、従来の加速度センサ
は、例えば、ＳＯＩ（Silcon On Insulator ）基板２０
を加工して形成される。このＳＯＩ基板２０は、下部シ
リコン２１、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）２２および上部
シリコン２３の３層構造よりなる。
は、例えば、ＳＯＩ（Silcon On Insulator ）基板２０
を加工して形成される。このＳＯＩ基板２０は、下部シ
リコン２１、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）２２および上部
シリコン２３の３層構造よりなる。
【００１０】図８において、フォトリソグラフィ、エッ
チングなどの半導体微細加工技術を用い、図１に示す平
面形状に、上部シリコン２３を加工して固定電極部４
（固定電極部分４ｂ）と可動電極部３（可動電極部分４
ｅ、可動電極指３ｄ）を形成する。
チングなどの半導体微細加工技術を用い、図１に示す平
面形状に、上部シリコン２３を加工して固定電極部４
（固定電極部分４ｂ）と可動電極部３（可動電極部分４
ｅ、可動電極指３ｄ）を形成する。
【００１１】図９において、このように加工されたＳＯ
Ｉ基板２０をフッ酸水溶液に浸漬して、可動電極部分３
ｅの下部および周囲の犠牲層と呼ばれる酸化シリコン２
２をエッチングして除去する。
Ｉ基板２０をフッ酸水溶液に浸漬して、可動電極部分３
ｅの下部および周囲の犠牲層と呼ばれる酸化シリコン２
２をエッチングして除去する。
【００１２】このエッチングは、等方性のウエットエッ
チングで行われるため、可動電極部分３ｅの下部および
周囲の酸化シリコン（犠牲層）２２以外に、固定電極部
４の下部の酸化シリコン２２にも、そのエッチング作用
が及んでしまう。
チングで行われるため、可動電極部分３ｅの下部および
周囲の酸化シリコン（犠牲層）２２以外に、固定電極部
４の下部の酸化シリコン２２にも、そのエッチング作用
が及んでしまう。
【００１３】一方、固定電極部分４ｂは、酸化シリコン
２２を介して支持基板となる下部シリコン２１に固定さ
れていなければならない。このため、固定電極部分４ｂ
の下部の酸化シリコン２２がその周囲からエッチングさ
れても、固定電極部分４ｂの中央部分には酸化シリコン
２２が残留しているように、予め固定電極部分４ｂの面
積を大きく形成している。
２２を介して支持基板となる下部シリコン２１に固定さ
れていなければならない。このため、固定電極部分４ｂ
の下部の酸化シリコン２２がその周囲からエッチングさ
れても、固定電極部分４ｂの中央部分には酸化シリコン
２２が残留しているように、予め固定電極部分４ｂの面
積を大きく形成している。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
静電容量型のセンサよりなる半導体加工部品、例えば加
速度センサにおいては、固定電極部分４ｂの面積を大き
くすると、グランド（下部シリコン２１）との間の寄生
容量Ｃｓが大きくなる。したがって、可動電極部３（可
動電極指３ｄ）と固定電極部４（固定電極指４ａ）との
間の静電容量の変化量（△Ｃ）が寄生容量Ｃｓに影響さ
れて容量・電圧変換感度が低下していた。そこで、本発
明は、可動電極部分の下部および周囲の犠牲層となる酸
化シリコンをエッチングするときに、固定電極部分の下
部の酸化シリコンがエッチングされずに残っており、し
たがって、固定電極部分の面積を小さくして寄生容量を
低減することのできる半導体加工部品の製造方法を提供
することを目的とする。
静電容量型のセンサよりなる半導体加工部品、例えば加
速度センサにおいては、固定電極部分４ｂの面積を大き
くすると、グランド（下部シリコン２１）との間の寄生
容量Ｃｓが大きくなる。したがって、可動電極部３（可
動電極指３ｄ）と固定電極部４（固定電極指４ａ）との
間の静電容量の変化量（△Ｃ）が寄生容量Ｃｓに影響さ
れて容量・電圧変換感度が低下していた。そこで、本発
明は、可動電極部分の下部および周囲の犠牲層となる酸
化シリコンをエッチングするときに、固定電極部分の下
部の酸化シリコンがエッチングされずに残っており、し
たがって、固定電極部分の面積を小さくして寄生容量を
低減することのできる半導体加工部品の製造方法を提供
することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、支持板、酸化
シリコンおよびシリコン層の３層構造よりなる半導体基
板の前記シリコン層を加工して固定電極部および可動電
極部を形成し、前記固定電極部の少なくとも固定電極部
分の周囲の酸化シリコン上に窓を有するマスクを形成
し、該マスクを用いて少なくとも前記固定電極部分の周
囲の露出している酸化シリコンにボロンを注入し、前記
マスクを除去した後、フッ酸系水溶液で前記可動電極部
の可動電極部分の下部およびその近傍の酸化シリコンを
選択的にエッチングするものである。
シリコンおよびシリコン層の３層構造よりなる半導体基
板の前記シリコン層を加工して固定電極部および可動電
極部を形成し、前記固定電極部の少なくとも固定電極部
分の周囲の酸化シリコン上に窓を有するマスクを形成
し、該マスクを用いて少なくとも前記固定電極部分の周
囲の露出している酸化シリコンにボロンを注入し、前記
マスクを除去した後、フッ酸系水溶液で前記可動電極部
の可動電極部分の下部およびその近傍の酸化シリコンを
選択的にエッチングするものである。
【００１６】この発明は、ボロンが、例えば、１×１０
20／ｃｍ3 の高濃度に注入された酸化シリコンを、フッ
酸系水溶液でエッチングすると、注入前に比べてそのエ
ッチング速度が約１０倍程度低下するという作用を利用
してなされている。例えば、ＳＯＩ基板などの半導体基
板の上部シリコン層にフォトエッチング技術を用いて可
動電極部と固定電極部とを形成する。その後、固定電極
部の少なくとも固定電極部分の周囲の酸化シリコン上に
窓を有するマスクを形成し、このマスクを用いて前記固
定電極部分の周囲の露出している酸化シリコンにボロン
を高濃度に注入する。そして、半導体基板をフッ酸系水
溶液に浸漬してエッチングを行う。このとき、ボロンの
注入されていない犠牲層は、速くエッチングされて除去
されるが、ボロンの注入されている酸化シリコンの部分
は、エッチング速度が遅く、除去されずに大部分が残留
する。これにより、固定電極部分の大部分は酸化シリコ
ンを介して下部シリコン（支持板）に固定されることに
なる。
20／ｃｍ3 の高濃度に注入された酸化シリコンを、フッ
酸系水溶液でエッチングすると、注入前に比べてそのエ
ッチング速度が約１０倍程度低下するという作用を利用
してなされている。例えば、ＳＯＩ基板などの半導体基
板の上部シリコン層にフォトエッチング技術を用いて可
動電極部と固定電極部とを形成する。その後、固定電極
部の少なくとも固定電極部分の周囲の酸化シリコン上に
窓を有するマスクを形成し、このマスクを用いて前記固
定電極部分の周囲の露出している酸化シリコンにボロン
を高濃度に注入する。そして、半導体基板をフッ酸系水
溶液に浸漬してエッチングを行う。このとき、ボロンの
注入されていない犠牲層は、速くエッチングされて除去
されるが、ボロンの注入されている酸化シリコンの部分
は、エッチング速度が遅く、除去されずに大部分が残留
する。これにより、固定電極部分の大部分は酸化シリコ
ンを介して下部シリコン（支持板）に固定されることに
なる。
【００１７】したがって、従来、固定電極部分の下部の
酸化シリコンの等方性エッチングによる減少ないし消失
を考慮して、固定電極部分の面積を大きく形成していた
が、本発明の製造方法によれば、犠牲層を含む酸化シリ
コンのエッチングが選択的に進行して固定電極部分の下
部の酸化シリコンがエッチング除去されずに残っている
ので、固定電極部分の面積を従来よりも小さく形成する
ことができ、その分、固定電極部分と支持板との間に生
じる寄生容量を小さく抑えることができて、容量・電圧
変換感度を向上させることができる。
酸化シリコンの等方性エッチングによる減少ないし消失
を考慮して、固定電極部分の面積を大きく形成していた
が、本発明の製造方法によれば、犠牲層を含む酸化シリ
コンのエッチングが選択的に進行して固定電極部分の下
部の酸化シリコンがエッチング除去されずに残っている
ので、固定電極部分の面積を従来よりも小さく形成する
ことができ、その分、固定電極部分と支持板との間に生
じる寄生容量を小さく抑えることができて、容量・電圧
変換感度を向上させることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の半導体加工部品
の製造方法の一実施例として、図１および図２に示す加
速度センサの製造方法について図３〜図６を参照して説
明する。なお、図３〜図６は、図１のＸ−Ｘ線断面形態
のうち、破線で示す円形部分を拡大して示すものであ
る。
の製造方法の一実施例として、図１および図２に示す加
速度センサの製造方法について図３〜図６を参照して説
明する。なお、図３〜図６は、図１のＸ−Ｘ線断面形態
のうち、破線で示す円形部分を拡大して示すものであ
る。
【００１９】図３に示すように、シリコン、ガラスなど
よりなる支持板１、酸化シリコン２およびシリコン層１
３の３層構造よりなる半導体基板１１を用意する。
よりなる支持板１、酸化シリコン２およびシリコン層１
３の３層構造よりなる半導体基板１１を用意する。
【００２０】図４において、シリコン層１３の表面に、
図１に示す加速度センサ１０の平面形状に、フォトレジ
ストマスクを形成する。ついで、半導体基板１１をＴＭ
ＡＨ（テトラメチル・アンモニウム・ハイト゛ロオキサイト ）若しくはＫＯＨ
（水酸化カリウム）のエッチング液に浸漬してウエットエッ
チングをするか、またはＣＦ４（４フッ化炭素）などのフ
ロン系のガスを用いてドライエッチングを行う。そし
て、シリコン層１３の不要部分を除去して、可動電極部
３（可動電極部分３ｅ、可動電極指３ｄ）および固定電
極部４（固定電極部分４ｂ）を形成する。なお、その
後、フォトレジストマスクは剥離される。
図１に示す加速度センサ１０の平面形状に、フォトレジ
ストマスクを形成する。ついで、半導体基板１１をＴＭ
ＡＨ（テトラメチル・アンモニウム・ハイト゛ロオキサイト ）若しくはＫＯＨ
（水酸化カリウム）のエッチング液に浸漬してウエットエッ
チングをするか、またはＣＦ４（４フッ化炭素）などのフ
ロン系のガスを用いてドライエッチングを行う。そし
て、シリコン層１３の不要部分を除去して、可動電極部
３（可動電極部分３ｅ、可動電極指３ｄ）および固定電
極部４（固定電極部分４ｂ）を形成する。なお、その
後、フォトレジストマスクは剥離される。
【００２１】図５において、可動電極部分３ｅ（可動電
極指３ｄ）の表面およびその周囲の酸化シリコン２の表
面を覆うようにフォトレジストマスク５を形成する。な
お、このフォトレジストマスク５の窓は、固定電極部４
の少なくとも固定電極部分４ｂの周囲の酸化シリコン２
上に形成される。
極指３ｄ）の表面およびその周囲の酸化シリコン２の表
面を覆うようにフォトレジストマスク５を形成する。な
お、このフォトレジストマスク５の窓は、固定電極部４
の少なくとも固定電極部分４ｂの周囲の酸化シリコン２
上に形成される。
【００２２】その後、このフォトレジストマスク５を用
いて、破線矢印で示すように、例えば、１×１０20／ｃ
ｍ3 の高濃度のボロンのイオンを露出している酸化シリ
コン２に注入する。酸化シリコン２の濃い点集合部分
が、ボロンの注入された部位を示す。なお、その後、フ
ォトレジストマスク５は剥離される。
いて、破線矢印で示すように、例えば、１×１０20／ｃ
ｍ3 の高濃度のボロンのイオンを露出している酸化シリ
コン２に注入する。酸化シリコン２の濃い点集合部分
が、ボロンの注入された部位を示す。なお、その後、フ
ォトレジストマスク５は剥離される。
【００２３】以上のように加工された半導体基板をフッ
酸水溶液に浸漬して、可動電極部分３ｅの下部およびそ
の周囲の酸化シリコン２（犠牲層）をエッチングして除
去する。この場合、ボロンの注入されている部分の酸化
シリコン２は、注入されていない部分の酸化シリコン２
に比べて、エッチング速度が遅くなっているので、エッ
チングされずに残ることになる。なお、固定電極部分４
ｂの下部の酸化シリコン２は、ボロンは注入されていな
いが、固定電極部分４ｂに保護されて、エッチングはさ
れない。
酸水溶液に浸漬して、可動電極部分３ｅの下部およびそ
の周囲の酸化シリコン２（犠牲層）をエッチングして除
去する。この場合、ボロンの注入されている部分の酸化
シリコン２は、注入されていない部分の酸化シリコン２
に比べて、エッチング速度が遅くなっているので、エッ
チングされずに残ることになる。なお、固定電極部分４
ｂの下部の酸化シリコン２は、ボロンは注入されていな
いが、固定電極部分４ｂに保護されて、エッチングはさ
れない。
【００２４】よって、可動電極部分３ｅは、シリコン層
１から浮いて振動可能になる。また、固定電極部分４ｂ
は、酸化シリコン２を介して支持板１に固定されたまま
となる。
１から浮いて振動可能になる。また、固定電極部分４ｂ
は、酸化シリコン２を介して支持板１に固定されたまま
となる。
【００２５】なお、上記実施例においては、図５に示す
フォトレジストマスク５の窓は、固定電極部４の固定電
極部分４ｂの周囲の酸化シリコン２の上にのみ設けた
が、固定電極部４の周囲の酸化シリコン２の上、またア
ンカー電極部３ａの周囲の酸化シリコン２の上にも設け
て、それらの下部の酸化シリコンの犠牲層エッチングに
よる減少を防止することができる。
フォトレジストマスク５の窓は、固定電極部４の固定電
極部分４ｂの周囲の酸化シリコン２の上にのみ設けた
が、固定電極部４の周囲の酸化シリコン２の上、またア
ンカー電極部３ａの周囲の酸化シリコン２の上にも設け
て、それらの下部の酸化シリコンの犠牲層エッチングに
よる減少を防止することができる。
【００２６】
【発明の効果】本発明は、いわゆる犠牲層エッチングに
おいて、犠牲層とする部分以外の露出している酸化シリ
コンにボロンを注入し、このボロンの注入されている酸
化シリコンのエッチング速度を、ボロンの注入されてい
ない犠牲層の酸化シリコンのエッチング速度に対し、遅
くする。
おいて、犠牲層とする部分以外の露出している酸化シリ
コンにボロンを注入し、このボロンの注入されている酸
化シリコンのエッチング速度を、ボロンの注入されてい
ない犠牲層の酸化シリコンのエッチング速度に対し、遅
くする。
【００２７】これにより、少なくとも固定電極部分の下
部の酸化シリコンを、エッチングされずに残留させるこ
とができ、可動電極部分の下部および周囲の犠牲層のみ
を選択的にエッチングすることができる。
部の酸化シリコンを、エッチングされずに残留させるこ
とができ、可動電極部分の下部および周囲の犠牲層のみ
を選択的にエッチングすることができる。
【００２８】したがって、固定電極部の固定電極部分等
は酸化シリコンを介して支持板に固定されているので、
従来のように、固定電極部分等の下部の酸化シリコンの
等方性エッチングによる減少ないし消失を考慮して、固
定電極部分等の面積を大きく形成する必要はない。即
ち、本発明の製造方法によれば、犠牲層を含む酸化シリ
コンのエッチングが選択的に進行して固定電極部分の下
部の酸化シリコンが、上述のように、エッチング除去さ
れずに残っているので、固定電極部分等の面積を従来よ
りも小さく形成することができ、その分、固定電極部分
等と支持板との間に生じる寄生容量を小さく抑えること
ができて、容量・電圧変換感度を向上させることができ
る。
は酸化シリコンを介して支持板に固定されているので、
従来のように、固定電極部分等の下部の酸化シリコンの
等方性エッチングによる減少ないし消失を考慮して、固
定電極部分等の面積を大きく形成する必要はない。即
ち、本発明の製造方法によれば、犠牲層を含む酸化シリ
コンのエッチングが選択的に進行して固定電極部分の下
部の酸化シリコンが、上述のように、エッチング除去さ
れずに残っているので、固定電極部分等の面積を従来よ
りも小さく形成することができ、その分、固定電極部分
等と支持板との間に生じる寄生容量を小さく抑えること
ができて、容量・電圧変換感度を向上させることができ
る。
【図１】 本発明および従来の半導体加工部品の製造方
法において、その製造の対象となる加速度センサの平面
図
法において、その製造の対象となる加速度センサの平面
図
【図２】 図１のＸ−Ｘ線断面形態図
【図３】 本実施例の加速度センサの製造方法を示すも
ので、本実施例に用いる半導体基板を用意する工程図
ので、本実施例に用いる半導体基板を用意する工程図
【図４】 同じく、図３に示す半導体基板のシリコン層
に図１に示す加速度センサの可動電極部と固定電極部と
を形成する工程を、図１のＸ−Ｘ線断面を一部拡大して
示す形態図
に図１に示す加速度センサの可動電極部と固定電極部と
を形成する工程を、図１のＸ−Ｘ線断面を一部拡大して
示す形態図
【図５】 同じく、可動電極部の表面およびその周囲の
酸化シリコンの表面にレジストマスクを形成し、犠牲層
以外の露出している酸化シリコンにボロンを注入する工
程図
酸化シリコンの表面にレジストマスクを形成し、犠牲層
以外の露出している酸化シリコンにボロンを注入する工
程図
【図６】 同じく、可動電極部の下部およびその周囲の
酸化シリコンの犠牲層をエッチングする工程図
酸化シリコンの犠牲層をエッチングする工程図
【図７】 従来の半導体加工部品、特に加速度センサの
製造方法を示すもので、加速度センサを加工するＳＯＩ
基板を用意する工程図
製造方法を示すもので、加速度センサを加工するＳＯＩ
基板を用意する工程図
【図８】 同じく、図７に示すＳＯＩ基板の上部シリコ
ンに加速度センサの可動電極部と固定電極部とを形成す
る工程図
ンに加速度センサの可動電極部と固定電極部とを形成す
る工程図
【図９】 同じく、可動電極部の下部およびその周囲の
酸化シリコンの犠牲層をエッチングする工程図
酸化シリコンの犠牲層をエッチングする工程図
１ 支持板 ２ 酸化シリコン ３ 可動電極部 ３ａ アンカー電極部 ３ｂ 支持梁 ３ｃ 支持柄 ３ｄ 可動電極指 ３ｅ 可動電極部分 ３ｆ 空隙 ４ 固定電極部 ４ａ 固定電極指 ４ｂ 固定電極部分 ４ｃ 引き出し電極 ５ フォトレジストマスク １０ 加速度センサ １１ 半導体基板 １３ シリコン層
Claims (1)
- 【請求項１】 支持板、酸化シリコンおよびシリコン層
の３層構造よりなる半導体基板の前記シリコン層を加工
して固定電極部および可動電極部を形成し、前記固定電
極部の少なくとも固定電極部分の周囲の酸化シリコン上
に窓を有するマスクを形成し、該マスクを用いて少なく
とも前記固定電極部分の周囲の露出している酸化シリコ
ンにボロンを注入し、前記マスクを除去した後、フッ酸
系水溶液で前記可動電極部の可動電極部分の下部および
その近傍の酸化シリコンを選択的にエッチングする半導
体加工部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5805797A JPH10256567A (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | 半導体加工部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5805797A JPH10256567A (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | 半導体加工部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256567A true JPH10256567A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13073293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5805797A Pending JPH10256567A (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | 半導体加工部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256567A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103443931A (zh) * | 2011-03-23 | 2013-12-11 | 创意科技股份有限公司 | 自由装卸型的发电装置 |
-
1997
- 1997-03-12 JP JP5805797A patent/JPH10256567A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103443931A (zh) * | 2011-03-23 | 2013-12-11 | 创意科技股份有限公司 | 自由装卸型的发电装置 |
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