JPH10256238A - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
プラズマ処理方法及び装置Info
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- JPH10256238A JPH10256238A JP9062993A JP6299397A JPH10256238A JP H10256238 A JPH10256238 A JP H10256238A JP 9062993 A JP9062993 A JP 9062993A JP 6299397 A JP6299397 A JP 6299397A JP H10256238 A JPH10256238 A JP H10256238A
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- Japan
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- vacuum chamber
- heater
- coil
- plasma processing
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電板を均熱性良く加熱でき、かつ、誘電板
の中心部のスパッタリングを防止できるプラズマ処理方
法及び装置を提供する。 【解決手段】 発熱体１０が、誘電板５の中心付近を含
むほぼ全面にわたってほぼ均等に敷設され、かつ誘電板
５の中心付近の発熱体１０の中心部１０ａにヒーター電
源１２からの電流が流れないように構成されており、誘
電板５が均一に加熱されるとともに、発熱体１０ａがフ
ァラデーシールドとして作用し、コイル６とプラズマと
の静電的な結合を弱めるため、誘電板５の真空側が大き
く負に帯電するのを防止するとができ、プラズマ中の正
イオンが誘電板５に向かって高速で衝突することによる
誘電板５のスパッタリングを防止することができる。
の中心部のスパッタリングを防止できるプラズマ処理方
法及び装置を提供する。 【解決手段】 発熱体１０が、誘電板５の中心付近を含
むほぼ全面にわたってほぼ均等に敷設され、かつ誘電板
５の中心付近の発熱体１０の中心部１０ａにヒーター電
源１２からの電流が流れないように構成されており、誘
電板５が均一に加熱されるとともに、発熱体１０ａがフ
ァラデーシールドとして作用し、コイル６とプラズマと
の静電的な結合を弱めるため、誘電板５の真空側が大き
く負に帯電するのを防止するとができ、プラズマ中の正
イオンが誘電板５に向かって高速で衝突することによる
誘電板５のスパッタリングを防止することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ドライエッチン
グ、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等のプラズマ処理
方法及び装置に関し、特に高周波誘導方式のプラズマ処
理方法及び装置に関するものである。
グ、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等のプラズマ処理
方法及び装置に関し、特に高周波誘導方式のプラズマ処
理方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の微細化に対応して、
ドライエッチング技術においては高アスペクト比の加工
等を実現するために、またプラズマＣＶＤ技術において
は高アスペクト比の埋め込み等を実現するために、より
高真空でプラズマ処理を行うことが求められている。例
えば、ドライエッチングの場合においては、高真空にお
いて高密度プラズマを発生させると、基板表面に形成さ
れるイオンシース中でイオンが中性ガス粒子等と衝突す
る確率が小さくなるために、イオンの方向性が基板に向
かって揃い、また電離度が高いために基板に到達するイ
オン対中性ラジカルの入射粒子束の比が大きくなる。し
たがって、エッチング異方性が高められ、高アスペクト
比の加工が可能となる。また、プラズマＣＶＤの場合に
おいては、高真空において高密度プラズマを発生させる
と、イオンによるスパッタリング効果によって微細パタ
ーンの埋め込み・平坦化作用が得られ、高アスペクト比
の埋め込みが可能になる。
ドライエッチング技術においては高アスペクト比の加工
等を実現するために、またプラズマＣＶＤ技術において
は高アスペクト比の埋め込み等を実現するために、より
高真空でプラズマ処理を行うことが求められている。例
えば、ドライエッチングの場合においては、高真空にお
いて高密度プラズマを発生させると、基板表面に形成さ
れるイオンシース中でイオンが中性ガス粒子等と衝突す
る確率が小さくなるために、イオンの方向性が基板に向
かって揃い、また電離度が高いために基板に到達するイ
オン対中性ラジカルの入射粒子束の比が大きくなる。し
たがって、エッチング異方性が高められ、高アスペクト
比の加工が可能となる。また、プラズマＣＶＤの場合に
おいては、高真空において高密度プラズマを発生させる
と、イオンによるスパッタリング効果によって微細パタ
ーンの埋め込み・平坦化作用が得られ、高アスペクト比
の埋め込みが可能になる。
【０００３】高真空において高密度プラズマを発生させ
ることができるプラズマ処理装置の１つとして、コイル
に高周波電圧を印加することによって真空室内にプラズ
マを発生させる高周波誘導方式のプラズマ処理装置があ
る。この方式のプラズマ処理装置は、真空室内に高周波
磁界を発生させ、その高周波磁界によって真空室内に誘
導電界を発生させて電子の加速を行い、プラズマを発生
させるもので、コイル電流を大きくすれば高真空におい
ても高密度プラズマを発生することができ、十分な処理
速度を得ることができる。
ることができるプラズマ処理装置の１つとして、コイル
に高周波電圧を印加することによって真空室内にプラズ
マを発生させる高周波誘導方式のプラズマ処理装置があ
る。この方式のプラズマ処理装置は、真空室内に高周波
磁界を発生させ、その高周波磁界によって真空室内に誘
導電界を発生させて電子の加速を行い、プラズマを発生
させるもので、コイル電流を大きくすれば高真空におい
ても高密度プラズマを発生することができ、十分な処理
速度を得ることができる。
【０００４】従来の高周波誘導方式のプラズマ処理装置
の一例を図６及び図７に示す。図６において、真空室１
内にガス供給手段２から適当なガスを導入しつつポンプ
３により排気を行い、真空室１内を適当な圧力に保ちな
がら、コイル用高周波電源４により高周波電力を、誘電
板５に沿って配置されたコイル６に供給すると、真空室
１内にプラズマが発生し、電極７上に載置された基板８
に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理
を行うことができる。このとき、図６に示すように、電
極７にも電極用高周波電源１３により高周波電力を供給
することで、基板８に到達するイオンエネルギーを制御
することができる。また、図７に示すように、コイルは
多重の渦形で構成されている。
の一例を図６及び図７に示す。図６において、真空室１
内にガス供給手段２から適当なガスを導入しつつポンプ
３により排気を行い、真空室１内を適当な圧力に保ちな
がら、コイル用高周波電源４により高周波電力を、誘電
板５に沿って配置されたコイル６に供給すると、真空室
１内にプラズマが発生し、電極７上に載置された基板８
に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理
を行うことができる。このとき、図６に示すように、電
極７にも電極用高周波電源１３により高周波電力を供給
することで、基板８に到達するイオンエネルギーを制御
することができる。また、図７に示すように、コイルは
多重の渦形で構成されている。
【０００５】また、図６に示すように、抵抗加熱ヒータ
ー９を備えており、抵抗加熱ヒーター９に電流を供給す
るためのヒーター電源１２に接続されている。抵抗加熱
ヒーター９は、発熱体１００と、これを挟み込む薄い断
熱材から構成されている。図８に、従来の抵抗加熱ヒー
ターを構成する発熱体１００の平面図を示す。図８に示
すように、発熱体１００は、誘電板５の中心部を除くほ
ぼ全面にわたってほぼ均等に敷設されている。発熱体１
００が誘電板５の中心部を除くほぼ全面にわたってほぼ
均等に敷設されているのは、誘電板５を均一に加熱する
ためであり、このように構成した場合には本発明者らの
測定では、２００℃±５℃と極めて均熱性に優れた加熱
ができることが確かめられている。誘電板５を加熱する
ことにより、加熱を行わない場合に比較して、誘電板５
へ堆積する薄膜の膜厚を著しく小さくすることができ、
また、その膜質を緻密にすることができるため、ダスト
の発生が抑制される。誘電板５のメンテナンス頻度も著
しく小さくなる。また、処理を重ねていった際も、堆積
膜の膜厚変化は小さく、かつ誘電板５の温度は高温に保
たれているため、ラジカル等真空室内の粒子の誘電板表
面に対する吸着率は低いままで大きくは変化しない。し
たがって、真空室１内の雰囲気、すなわち反応種の分圧
は安定し、再現性に優れたプラズマ処理を行うことがで
きる。
ー９を備えており、抵抗加熱ヒーター９に電流を供給す
るためのヒーター電源１２に接続されている。抵抗加熱
ヒーター９は、発熱体１００と、これを挟み込む薄い断
熱材から構成されている。図８に、従来の抵抗加熱ヒー
ターを構成する発熱体１００の平面図を示す。図８に示
すように、発熱体１００は、誘電板５の中心部を除くほ
ぼ全面にわたってほぼ均等に敷設されている。発熱体１
００が誘電板５の中心部を除くほぼ全面にわたってほぼ
均等に敷設されているのは、誘電板５を均一に加熱する
ためであり、このように構成した場合には本発明者らの
測定では、２００℃±５℃と極めて均熱性に優れた加熱
ができることが確かめられている。誘電板５を加熱する
ことにより、加熱を行わない場合に比較して、誘電板５
へ堆積する薄膜の膜厚を著しく小さくすることができ、
また、その膜質を緻密にすることができるため、ダスト
の発生が抑制される。誘電板５のメンテナンス頻度も著
しく小さくなる。また、処理を重ねていった際も、堆積
膜の膜厚変化は小さく、かつ誘電板５の温度は高温に保
たれているため、ラジカル等真空室内の粒子の誘電板表
面に対する吸着率は低いままで大きくは変化しない。し
たがって、真空室１内の雰囲気、すなわち反応種の分圧
は安定し、再現性に優れたプラズマ処理を行うことがで
きる。
【０００６】さらに、図６に示すプラズマ処理装置で
は、発熱体１００がファラデーシールドとして作用し、
コイル６とプラズマとの静電的な結合を弱めるため、誘
電板５の真空側が大きく負に帯電するのを防止すること
ができる。したがって、プラズマ中の正イオンで誘電板
５に向かって高速で衝突することによる誘電板５のスパ
ッタリングを防止することができ、誘電板５の寿命が伸
び、また、誘電板５を構成する物質による基板の汚染を
防止することができる。なお、ファラデーシールドの効
果は、Leonard J. Mahoney et. al.,“Electron−densi
ty and energy distributions in a planar inductivel
y coupled discharde", J. Appl. Phys. 76(4),1994 に
述べられている。
は、発熱体１００がファラデーシールドとして作用し、
コイル６とプラズマとの静電的な結合を弱めるため、誘
電板５の真空側が大きく負に帯電するのを防止すること
ができる。したがって、プラズマ中の正イオンで誘電板
５に向かって高速で衝突することによる誘電板５のスパ
ッタリングを防止することができ、誘電板５の寿命が伸
び、また、誘電板５を構成する物質による基板の汚染を
防止することができる。なお、ファラデーシールドの効
果は、Leonard J. Mahoney et. al.,“Electron−densi
ty and energy distributions in a planar inductivel
y coupled discharde", J. Appl. Phys. 76(4),1994 に
述べられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５〜
図７に示した従来の方式では、発熱体が誘電板の中心部
を除くほぼ全面にわたってほぼ均等に敷設されているた
め、誘電板の中心部にはファラデーシールドの効果が作
用せず、誘電板の中心部の真空側がスパッタリングされ
てしまい、誘電板の寿命が短く、また、誘電板を構成す
る物質による基板の汚染が発生するという問題点があっ
た。この問題を回避するため、仮に発熱体を誘電板の中
心部を含むほぼ全面にわたってほぼ均等に敷設すると、
誘電板の中心部の温度がその他の部分に比べて高温にな
り、加熱の均一性が損なわれてしまうという問題が生じ
る。本発明は、上記従来の問題点に鑑み、誘電板を均熱
性良く加熱でき、かつ、誘電板の中心部のスパッタリン
グを防止できるプラズマ処理方法及び装置を提供するこ
とを目的としている。
図７に示した従来の方式では、発熱体が誘電板の中心部
を除くほぼ全面にわたってほぼ均等に敷設されているた
め、誘電板の中心部にはファラデーシールドの効果が作
用せず、誘電板の中心部の真空側がスパッタリングされ
てしまい、誘電板の寿命が短く、また、誘電板を構成す
る物質による基板の汚染が発生するという問題点があっ
た。この問題を回避するため、仮に発熱体を誘電板の中
心部を含むほぼ全面にわたってほぼ均等に敷設すると、
誘電板の中心部の温度がその他の部分に比べて高温にな
り、加熱の均一性が損なわれてしまうという問題が生じ
る。本発明は、上記従来の問題点に鑑み、誘電板を均熱
性良く加熱でき、かつ、誘電板の中心部のスパッタリン
グを防止できるプラズマ処理方法及び装置を提供するこ
とを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は以下のように構成している。本発明の第１
態様にかかるプラズマ処理方法によれば、真空室内にガ
スを供給しつつ上記真空室内を排気し、上記真空室内を
所定の圧力に制御しながら、誘電板に沿って配置された
コイルに高周波電力を供給することにより、上記真空室
内にプラズマを発生させて上記真空室内の電極に載置さ
れた基板を処理するプラズマ処理方法において、中心部
以外が発熱するヒーターによって上記誘電板が加熱さ
れ、かつ上記中心部においてファラデーシールドにより
上記コイルと上記プラズマとの静電的な結合が弱められ
た状態でプラズマを発生させた状態で、上記基板を処理
する。本発明の第２態様にかかるプラズマ処理方法によ
れば、第１態様において、上記電極に高周波電力を供給
するようにすることもできる。本発明の第３態様にかか
るプラズマ処理方法によれば、第１又は２態様におい
て、上記中心部とは、上記ヒーターの熱が集中してその
温度が上がるのを防止し上記誘電体の均熱性を良くする
ために発熱を規制するところであるのが望ましい。本発
明の第４態様にかかるプラズマ処理方法によれば、第１
〜３のいずれかの態様において、上記中心部は、上記誘
電体の全面積の５〜２０％であるようにするのが望まし
い。
め、本発明は以下のように構成している。本発明の第１
態様にかかるプラズマ処理方法によれば、真空室内にガ
スを供給しつつ上記真空室内を排気し、上記真空室内を
所定の圧力に制御しながら、誘電板に沿って配置された
コイルに高周波電力を供給することにより、上記真空室
内にプラズマを発生させて上記真空室内の電極に載置さ
れた基板を処理するプラズマ処理方法において、中心部
以外が発熱するヒーターによって上記誘電板が加熱さ
れ、かつ上記中心部においてファラデーシールドにより
上記コイルと上記プラズマとの静電的な結合が弱められ
た状態でプラズマを発生させた状態で、上記基板を処理
する。本発明の第２態様にかかるプラズマ処理方法によ
れば、第１態様において、上記電極に高周波電力を供給
するようにすることもできる。本発明の第３態様にかか
るプラズマ処理方法によれば、第１又は２態様におい
て、上記中心部とは、上記ヒーターの熱が集中してその
温度が上がるのを防止し上記誘電体の均熱性を良くする
ために発熱を規制するところであるのが望ましい。本発
明の第４態様にかかるプラズマ処理方法によれば、第１
〜３のいずれかの態様において、上記中心部は、上記誘
電体の全面積の５〜２０％であるようにするのが望まし
い。
【０００９】本発明の第５態様にかかるプラズマ処理装
置によれば、真空室内にガスを供給する手段と、上記真
空室内を排気する手段と、上記真空室内に基板を載置す
るための電極と、上記真空室内にプラズマを発生させる
ためのコイルと、上記コイルが配置された誘電板と、上
記コイルに高周波電力を供給する手段と、上記誘電板を
加熱する抵抗加熱ヒーターと、上記抵抗加熱ヒーターに
電流を供給するためのヒーター電源とを備えたプラズマ
処理装置において、上記抵抗加熱ヒーターの発熱体が上
記誘電板の中心付近を含むほぼ全面にわたってほぼ均等
に敷設され、かつ上記誘電板の中心付近の上記発熱体に
上記ヒーター電源からの電流が流れないように構成され
ている。
置によれば、真空室内にガスを供給する手段と、上記真
空室内を排気する手段と、上記真空室内に基板を載置す
るための電極と、上記真空室内にプラズマを発生させる
ためのコイルと、上記コイルが配置された誘電板と、上
記コイルに高周波電力を供給する手段と、上記誘電板を
加熱する抵抗加熱ヒーターと、上記抵抗加熱ヒーターに
電流を供給するためのヒーター電源とを備えたプラズマ
処理装置において、上記抵抗加熱ヒーターの発熱体が上
記誘電板の中心付近を含むほぼ全面にわたってほぼ均等
に敷設され、かつ上記誘電板の中心付近の上記発熱体に
上記ヒーター電源からの電流が流れないように構成され
ている。
【００１０】本発明の第６態様にかかるプラズマ処理装
置によれば、真空室内にガスを供給する手段と、上記真
空室内を排気する手段と、上記真空室内に基板を載置す
るための電極と、上記真空室内にプラズマを発生させる
ためのコイルと、上記コイルが配置された誘電板と、上
記コイルに高周波電力を供給する手段と、上記誘電板を
加熱する抵抗加熱ヒーターと、上記抵抗加熱ヒーターに
電流を供給するためのヒーター電源とを備えたプラズマ
処理装置において、上記抵抗加熱ヒーターの発熱体が上
記誘電板の中心付近を除くほぼ全面にわたってほぼ均等
に敷設され、かつ上記誘電板の中心付近に敷設された低
抵抗導線が上記抵抗加熱ヒーターの上記発熱体に接続さ
れている。本発明の第７態様にかかるプラズマ処理装置
によれば、第５又は６態様において、上記電極に高周波
電力を供給する手段を備えるようにすることもできる。
本発明の第８態様にかかるプラズマ処理装置によれば、
第５〜７のいずれかの態様において、上記コイルの一部
または全部が多重の渦形であるようにすることもでき
る。本発明の第９態様にかかるプラズマ処理装置によれ
ば、第５〜８のいずれかの態様において、上記中心部と
は、上記ヒーターの熱が集中してその温度が上がるのを
防止し上記誘電体の均熱性を良くするために発熱を規制
するところであるのが望ましい。本発明の第１０態様に
かかるプラズマ処理装置によれば、第５〜９のいずれか
の態様において、上記中心部は、上記誘電体の全面積の
５〜２０％であるのが望ましい。
置によれば、真空室内にガスを供給する手段と、上記真
空室内を排気する手段と、上記真空室内に基板を載置す
るための電極と、上記真空室内にプラズマを発生させる
ためのコイルと、上記コイルが配置された誘電板と、上
記コイルに高周波電力を供給する手段と、上記誘電板を
加熱する抵抗加熱ヒーターと、上記抵抗加熱ヒーターに
電流を供給するためのヒーター電源とを備えたプラズマ
処理装置において、上記抵抗加熱ヒーターの発熱体が上
記誘電板の中心付近を除くほぼ全面にわたってほぼ均等
に敷設され、かつ上記誘電板の中心付近に敷設された低
抵抗導線が上記抵抗加熱ヒーターの上記発熱体に接続さ
れている。本発明の第７態様にかかるプラズマ処理装置
によれば、第５又は６態様において、上記電極に高周波
電力を供給する手段を備えるようにすることもできる。
本発明の第８態様にかかるプラズマ処理装置によれば、
第５〜７のいずれかの態様において、上記コイルの一部
または全部が多重の渦形であるようにすることもでき
る。本発明の第９態様にかかるプラズマ処理装置によれ
ば、第５〜８のいずれかの態様において、上記中心部と
は、上記ヒーターの熱が集中してその温度が上がるのを
防止し上記誘電体の均熱性を良くするために発熱を規制
するところであるのが望ましい。本発明の第１０態様に
かかるプラズマ処理装置によれば、第５〜９のいずれか
の態様において、上記中心部は、上記誘電体の全面積の
５〜２０％であるのが望ましい。
【００１１】
【発明の効果】本発明の上記態様にかかるプラズマ処理
方法によれば、真空室内にガスを供給しつつ真空室内を
排気し、真空室内を所定の圧力に制御しながら、誘電板
に沿って配置されたコイルに高周波電力を供給すること
により、真空室内にプラズマを発生させて、真空室内の
電極に載置された基板を処理するプラズマ処理方法にお
いて、中心部以外が発熱するヒーターによって誘電板が
加熱され、かつ中心部においてファラデーシールドによ
りコイルとプラズマとの静電的な結合が弱められた状態
でプラズマを発生させた状態で、基板を処理するため、
誘電板を均熱性良く加熱でき、かつ、誘電板の中心付近
のスパッタリングを防止できる。また、本発明の上記態
様にかかるプラズマ処理装置によれば、真空室内にガス
を供給する手段と、真空室内を排気する手段と、真空室
内に基板を載置するための電極と、真空室内にプラズマ
を発生させるためのコイルと、コイルが配置された誘電
板と、コイルに高周波電力を供給する手段と、誘電板を
加熱するための抵抗加熱ヒーターと、抵抗加熱ヒーター
に電流を供給するためのヒーター電源を備えたプラズマ
処理装置において、抵抗加熱ヒーターの発熱体が誘電板
の中心付近を含むほぼ全面にわたってほぼ均等に敷設さ
れ、かつ誘電板の中心付近の発熱体にヒーター電源から
の電流が流れないように構成されているため、誘電板を
均熱性良く加熱でき、かつ、誘電板の中心付近のスパッ
タリングを防止できる。
方法によれば、真空室内にガスを供給しつつ真空室内を
排気し、真空室内を所定の圧力に制御しながら、誘電板
に沿って配置されたコイルに高周波電力を供給すること
により、真空室内にプラズマを発生させて、真空室内の
電極に載置された基板を処理するプラズマ処理方法にお
いて、中心部以外が発熱するヒーターによって誘電板が
加熱され、かつ中心部においてファラデーシールドによ
りコイルとプラズマとの静電的な結合が弱められた状態
でプラズマを発生させた状態で、基板を処理するため、
誘電板を均熱性良く加熱でき、かつ、誘電板の中心付近
のスパッタリングを防止できる。また、本発明の上記態
様にかかるプラズマ処理装置によれば、真空室内にガス
を供給する手段と、真空室内を排気する手段と、真空室
内に基板を載置するための電極と、真空室内にプラズマ
を発生させるためのコイルと、コイルが配置された誘電
板と、コイルに高周波電力を供給する手段と、誘電板を
加熱するための抵抗加熱ヒーターと、抵抗加熱ヒーター
に電流を供給するためのヒーター電源を備えたプラズマ
処理装置において、抵抗加熱ヒーターの発熱体が誘電板
の中心付近を含むほぼ全面にわたってほぼ均等に敷設さ
れ、かつ誘電板の中心付近の発熱体にヒーター電源から
の電流が流れないように構成されているため、誘電板を
均熱性良く加熱でき、かつ、誘電板の中心付近のスパッ
タリングを防止できる。
【００１２】また、本発明の上記態様にかかるプラズマ
処理装置によれば、真空室内にガスの供給する手段と、
真空室内を排気する手段と、真空室内に基板を載置する
ための電極と、真空室内にプラズマを発生させるための
コイルと、コイルが配置された誘電板と、コイルに高周
波電力を供給する手段と、誘電板を加熱するための抵抗
加熱ヒーターと、抵抗加熱ヒーターに電流を供給するた
めのヒーター電源を備えたプラズマ処理装置において、
抵抗加熱ヒーターの発熱体が誘電板の中心付近を除くほ
ぼ全面にわたってほぼ均等に敷設され、かつ誘電板の中
心付近に敷設された低抵抗導線が抵抗加熱ヒーターの発
熱体に接続されているため、誘電板を均熱性良く加熱で
き、かつ、誘電板の中心付近のスパッタリングを防止で
きる。また、これらの装置において、コイルの一部また
は全部が多重の渦形であれば、渦形コイルのインダクタ
ンスが極めて小さくなるため、マッチング特性にすぐれ
たプラズマ処理装置を提供することができる。なお、多
重の渦形コイルの効果については、T. Okumura and I.
Nakayama,“New inductively coupled plasmasource us
ing a multispiral coil", Rev. Sci. Instrum. 66(1
1), 1995 に詳しく述べられている。
処理装置によれば、真空室内にガスの供給する手段と、
真空室内を排気する手段と、真空室内に基板を載置する
ための電極と、真空室内にプラズマを発生させるための
コイルと、コイルが配置された誘電板と、コイルに高周
波電力を供給する手段と、誘電板を加熱するための抵抗
加熱ヒーターと、抵抗加熱ヒーターに電流を供給するた
めのヒーター電源を備えたプラズマ処理装置において、
抵抗加熱ヒーターの発熱体が誘電板の中心付近を除くほ
ぼ全面にわたってほぼ均等に敷設され、かつ誘電板の中
心付近に敷設された低抵抗導線が抵抗加熱ヒーターの発
熱体に接続されているため、誘電板を均熱性良く加熱で
き、かつ、誘電板の中心付近のスパッタリングを防止で
きる。また、これらの装置において、コイルの一部また
は全部が多重の渦形であれば、渦形コイルのインダクタ
ンスが極めて小さくなるため、マッチング特性にすぐれ
たプラズマ処理装置を提供することができる。なお、多
重の渦形コイルの効果については、T. Okumura and I.
Nakayama,“New inductively coupled plasmasource us
ing a multispiral coil", Rev. Sci. Instrum. 66(1
1), 1995 に詳しく述べられている。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の種々の実施形態
にかかるプラズマ処理方法及び装置について説明する。
なお、発熱体１０以外の構造については図６，７の従来
の装置と同様であるため、説明は省略する。以下、本発
明の第１実施形態について、図１を参照して説明する。
図１に、本発明の第１実施形態にかかるプラズマ処理装
置において用いた抵抗加熱ヒーター９を構成する発熱体
１０の平面図を示す。図１に示すように、発熱体１０
が、誘電板５の中心部を含むほぼ全面にわたってほぼ均
等に敷設され、かつ誘電板５の中心付近に配置されてい
る発熱体１０の中心部１０ａにはヒーター電源１２から
の電流が流れないように構成されている。すなわち、発
熱体１０には図中に矢印で示すように電流が流れるが、
誘電板５の中心付近に配置されている発熱体１０の中心
部１０ａは、その先端が開放されているため、電流が流
れない。したがって、発熱体１０の中心部１０ａは誘電
板５の中心付近では発熱しない。ここで、上記発熱体１
０の中心部１０ａとは、熱の逃げる場が無く、他の部分
（例えば中心部を取り巻く周囲部分）より少ない発熱で
も均熱性が保たれる部分のことを指す。言い換えれば、
中心部１０ａとは、誘電板５の均熱性を良くするため
に、中央部分の温度が上がり過ぎるのを防止するために
中央部分の発熱体１０が発熱しないようにするための部
分である。
にかかるプラズマ処理方法及び装置について説明する。
なお、発熱体１０以外の構造については図６，７の従来
の装置と同様であるため、説明は省略する。以下、本発
明の第１実施形態について、図１を参照して説明する。
図１に、本発明の第１実施形態にかかるプラズマ処理装
置において用いた抵抗加熱ヒーター９を構成する発熱体
１０の平面図を示す。図１に示すように、発熱体１０
が、誘電板５の中心部を含むほぼ全面にわたってほぼ均
等に敷設され、かつ誘電板５の中心付近に配置されてい
る発熱体１０の中心部１０ａにはヒーター電源１２から
の電流が流れないように構成されている。すなわち、発
熱体１０には図中に矢印で示すように電流が流れるが、
誘電板５の中心付近に配置されている発熱体１０の中心
部１０ａは、その先端が開放されているため、電流が流
れない。したがって、発熱体１０の中心部１０ａは誘電
板５の中心付近では発熱しない。ここで、上記発熱体１
０の中心部１０ａとは、熱の逃げる場が無く、他の部分
（例えば中心部を取り巻く周囲部分）より少ない発熱で
も均熱性が保たれる部分のことを指す。言い換えれば、
中心部１０ａとは、誘電板５の均熱性を良くするため
に、中央部分の温度が上がり過ぎるのを防止するために
中央部分の発熱体１０が発熱しないようにするための部
分である。
【００１４】一例として、直径３５０ｍｍ、厚さ２５ｍ
ｍの石英の誘電体５において、発熱体１０の中心部１０
ａを誘電体５の全面積（円形又は矩形等の誘電体５にお
ける発熱体１０に対向する表面の全面積）の５％とした
とき、誘電体５においては、上記発熱体１０の中心部１
０ａに対応する部分が２１０℃、外周端部が２００℃と
なる。また、発熱体１０の中心部１０ａを誘電体５の全
面積の１０％としたとき、中心部１０ａに対応する部分
が２００℃、外周端部が２００℃となる。さらに、発熱
体１０の中心部１０ａを誘電体５の全面積の２０％とし
たとき、中心部１０ａに対応する部分が１９０℃、外周
端部が２００℃となる。従って、一例としては、誘電体
５の全面積の５〜２０％を発熱体１０の中心部１０ａと
するのが好ましい。さらに、図１に示す発熱体１０を用
いることにより、誘電体５の中心付近においても、発熱
体１０の中心部１０ａがファラデーシールドとして作用
し、コイル６とプラズマとの静電的な結合を弱めるた
め、誘電板５の真空側が大きく負に帯電するのを防止す
ることができ、プラズマ中の正イオンが誘電板５に向か
って高速で衝突することによる誘電板５のスパッタリン
グを防止することができる。なお、この第１実施形態に
おいて、具体的には図示しないが、発熱体１０の中心部
１０ａの一部を開放にさせる代わりに、閉じたものと
し、かつ、中心部１０ａのヒータの幅を他の部分の幅よ
りも十分に大きくして抵抗を低くし、実質的に開放した
のと同様な効果を奏するようにしてもよい。
ｍの石英の誘電体５において、発熱体１０の中心部１０
ａを誘電体５の全面積（円形又は矩形等の誘電体５にお
ける発熱体１０に対向する表面の全面積）の５％とした
とき、誘電体５においては、上記発熱体１０の中心部１
０ａに対応する部分が２１０℃、外周端部が２００℃と
なる。また、発熱体１０の中心部１０ａを誘電体５の全
面積の１０％としたとき、中心部１０ａに対応する部分
が２００℃、外周端部が２００℃となる。さらに、発熱
体１０の中心部１０ａを誘電体５の全面積の２０％とし
たとき、中心部１０ａに対応する部分が１９０℃、外周
端部が２００℃となる。従って、一例としては、誘電体
５の全面積の５〜２０％を発熱体１０の中心部１０ａと
するのが好ましい。さらに、図１に示す発熱体１０を用
いることにより、誘電体５の中心付近においても、発熱
体１０の中心部１０ａがファラデーシールドとして作用
し、コイル６とプラズマとの静電的な結合を弱めるた
め、誘電板５の真空側が大きく負に帯電するのを防止す
ることができ、プラズマ中の正イオンが誘電板５に向か
って高速で衝突することによる誘電板５のスパッタリン
グを防止することができる。なお、この第１実施形態に
おいて、具体的には図示しないが、発熱体１０の中心部
１０ａの一部を開放にさせる代わりに、閉じたものと
し、かつ、中心部１０ａのヒータの幅を他の部分の幅よ
りも十分に大きくして抵抗を低くし、実質的に開放した
のと同様な効果を奏するようにしてもよい。
【００１５】次に、本発明の第２実施形態について、図
２を参照して説明する。図２に、本発明の第２実施形態
にかかるプラズマ装置において用いた抵抗加熱ヒーター
９を構成する発熱体１０及び低抵抗導線１１の平面図を
示す。図２に示すように、発熱体１０は、第１実施形態
において開放された中心部１０ａの代わりに、発熱体１
０の中心部１０ａに対応する箇所に、発熱体１０の抵抗
より低い抵抗を有し、例えば銅製からなる低抵抗導線１
１を備えるものである。発熱体１０自体は、誘電板５の
中心付近を除くほぼ全面にわたってほぼ均等に敷設さ
れ、かつ誘電板５の中心付近に敷設された低抵抗導線１
１が発熱体１０に接続されている。ヒーター電源１２か
らの電流は、図中に矢印で示すように流れるが、誘電板
５の中心付近には低抵抗導線１１が敷設されているた
め、誘電板５の中心付近では低抵抗導線１１は発熱する
ことがない。なお、上記低抵抗導線１１の抵抗は、発熱
体１０に電流が流されて発熱するとき同様に電流が低抵
抗導線１１に流れても低抵抗導線１１では全く発熱しな
いか、発熱体１０の発熱と比較して発熱がほとんど無視
できる程度の抵抗とするのが好ましい。低抵抗導線の抵
抗は、例えば、発熱体の抵抗の７０％以下であるのが好
ましい。
２を参照して説明する。図２に、本発明の第２実施形態
にかかるプラズマ装置において用いた抵抗加熱ヒーター
９を構成する発熱体１０及び低抵抗導線１１の平面図を
示す。図２に示すように、発熱体１０は、第１実施形態
において開放された中心部１０ａの代わりに、発熱体１
０の中心部１０ａに対応する箇所に、発熱体１０の抵抗
より低い抵抗を有し、例えば銅製からなる低抵抗導線１
１を備えるものである。発熱体１０自体は、誘電板５の
中心付近を除くほぼ全面にわたってほぼ均等に敷設さ
れ、かつ誘電板５の中心付近に敷設された低抵抗導線１
１が発熱体１０に接続されている。ヒーター電源１２か
らの電流は、図中に矢印で示すように流れるが、誘電板
５の中心付近には低抵抗導線１１が敷設されているた
め、誘電板５の中心付近では低抵抗導線１１は発熱する
ことがない。なお、上記低抵抗導線１１の抵抗は、発熱
体１０に電流が流されて発熱するとき同様に電流が低抵
抗導線１１に流れても低抵抗導線１１では全く発熱しな
いか、発熱体１０の発熱と比較して発熱がほとんど無視
できる程度の抵抗とするのが好ましい。低抵抗導線の抵
抗は、例えば、発熱体の抵抗の７０％以下であるのが好
ましい。
【００１６】上記構成にかかるプラズマ処理装置におい
て誘電板５が均一に加熱されていることを確かめるため
に測定を行ったところ、２００℃±５℃と極めて均熱性
に優れた加熱ができることがわかった。さらに、図２に
示す発熱体１０及び低抵抗導線１１を用いることによ
り、誘電体５の中心付近においても、低抵抗導線１１が
ファラデーシールドとして作用し、コイル６とプラズマ
との静電的な結合を弱めるため、誘電板５の真空側が大
きく負に帯電するのを防止することができ、プラズマ中
の正イオンが誘電板５に向かって高速で衝突することに
よる誘電板５のスパッタリングを防止することができ
る。
て誘電板５が均一に加熱されていることを確かめるため
に測定を行ったところ、２００℃±５℃と極めて均熱性
に優れた加熱ができることがわかった。さらに、図２に
示す発熱体１０及び低抵抗導線１１を用いることによ
り、誘電体５の中心付近においても、低抵抗導線１１が
ファラデーシールドとして作用し、コイル６とプラズマ
との静電的な結合を弱めるため、誘電板５の真空側が大
きく負に帯電するのを防止することができ、プラズマ中
の正イオンが誘電板５に向かって高速で衝突することに
よる誘電板５のスパッタリングを防止することができ
る。
【００１７】次に、本発明の第３実施形態について、図
３及び図６，７を参照して説明する。図３に、本発明の
第３実施形態にかかるプラズマ処理装置において用いた
抵抗加熱ヒーター９を構成する発熱体１０及び低抵抗導
線１１の平面図を示す。図３に示すように、発熱体１０
は、第２実施形態の低抵抗導線１１に対応する箇所に、
発熱体１０の抵抗より低い抵抗を有するがその先端が開
放されている低抵抗導線１１を備えるものである。発熱
体１０自体は、誘電板５の中心部を除くほぼ全面にわた
ってほぼ均等に敷設され、かつ誘電板５の中心付近の低
抵抗導線１１にヒーター電源１２からの電流が流れない
ように構成されている。すなわち、発熱体１０には図中
に矢印で示すように電流が流れ、誘電板５の中心付近の
低抵抗導線１１は、その先端が開放されているため、電
流が流れない。したがって、誘電板５の中心付近では低
抵抗導線１１は発熱しない。
３及び図６，７を参照して説明する。図３に、本発明の
第３実施形態にかかるプラズマ処理装置において用いた
抵抗加熱ヒーター９を構成する発熱体１０及び低抵抗導
線１１の平面図を示す。図３に示すように、発熱体１０
は、第２実施形態の低抵抗導線１１に対応する箇所に、
発熱体１０の抵抗より低い抵抗を有するがその先端が開
放されている低抵抗導線１１を備えるものである。発熱
体１０自体は、誘電板５の中心部を除くほぼ全面にわた
ってほぼ均等に敷設され、かつ誘電板５の中心付近の低
抵抗導線１１にヒーター電源１２からの電流が流れない
ように構成されている。すなわち、発熱体１０には図中
に矢印で示すように電流が流れ、誘電板５の中心付近の
低抵抗導線１１は、その先端が開放されているため、電
流が流れない。したがって、誘電板５の中心付近では低
抵抗導線１１は発熱しない。
【００１８】上記構成にかかるプラズマ処理装置におい
て誘電板５が均一に加熱されていることを確かめるため
に測定を行ったところ、２００℃±５℃と極めて均熱性
に優れた加熱ができることがわかった。さらに、図３に
示す発熱体１０及び低抵抗導線１１を用いることによ
り、誘電体５の中心付近においても、低抵抗導線１１が
ファラデーシールドとして作用し、コイル６とプラズマ
との静電的な結合を弱めるため、誘電板５の真空側が大
きく負に帯電するのを防止することができ、プラズマ中
の正イオンが誘電板５に向かって高速で衝突することに
よる誘電板５のスパッタリングを防止することができ
る。
て誘電板５が均一に加熱されていることを確かめるため
に測定を行ったところ、２００℃±５℃と極めて均熱性
に優れた加熱ができることがわかった。さらに、図３に
示す発熱体１０及び低抵抗導線１１を用いることによ
り、誘電体５の中心付近においても、低抵抗導線１１が
ファラデーシールドとして作用し、コイル６とプラズマ
との静電的な結合を弱めるため、誘電板５の真空側が大
きく負に帯電するのを防止することができ、プラズマ中
の正イオンが誘電板５に向かって高速で衝突することに
よる誘電板５のスパッタリングを防止することができ
る。
【００１９】以上述べた本発明の種々の実施形態では、
平面状の多重の渦形コイル６が真空室１の外壁面を構成
する誘電板５に沿って載置されている場合について説明
したが、いうまでもなく、コイル６の形状及び真空室
１、誘電板５、コイル６の位置関係はこれに限定される
ものではなく、図４，５に示すような他の形態も含め、
様々な形態の高周波誘導方式のプラズマ処理方法及び装
置についても、本発明を適用することができる。すなわ
ち、図４は、コイル６は、多重ではなく１重の平面状渦
巻きより構成されるものを示している。図５は、コイル
６が平面状ではなく立体的に釣り鐘状に構成されるもの
である。この図５のコイル６において、その釣り鐘状コ
イル６の曲率は、中央部分の高さがコイル６全体の外径
の２０〜３０％となる程度とするのが好ましい。
平面状の多重の渦形コイル６が真空室１の外壁面を構成
する誘電板５に沿って載置されている場合について説明
したが、いうまでもなく、コイル６の形状及び真空室
１、誘電板５、コイル６の位置関係はこれに限定される
ものではなく、図４，５に示すような他の形態も含め、
様々な形態の高周波誘導方式のプラズマ処理方法及び装
置についても、本発明を適用することができる。すなわ
ち、図４は、コイル６は、多重ではなく１重の平面状渦
巻きより構成されるものを示している。図５は、コイル
６が平面状ではなく立体的に釣り鐘状に構成されるもの
である。この図５のコイル６において、その釣り鐘状コ
イル６の曲率は、中央部分の高さがコイル６全体の外径
の２０〜３０％となる程度とするのが好ましい。
【００２０】以上の説明から明らかなように、本発明の
上記実施形態にかかるプラズマ処理方法によれば、真空
室１内にガスを供給しつつ真空室１内を排気し、真空室
１内を所定の圧力に制御しながら、誘電板５に沿って配
置されたコイル６に高周波電力を供給することにより、
真空室１内にプラズマを発生させて、真空室１内の電極
７に載置された基板８を処理するプラズマ処理方法にお
いて、中心部以外が発熱するヒーター１０によって誘電
板５が加熱され、かつ中心部においてファラデーシール
ドによりコイル６とプラズマとの静電的な結合が弱めら
れた状態でプラズマを発生させた状態で、基板８を処理
するため、誘電板５を均熱性良く加熱でき、かつ、誘電
板５の中心付近のスパッタリングを防止できる。また、
本発明の上記実施形態にかかるプラズマ処理装置によれ
ば、真空室１内にガスを供給する手段２と、真空室１内
を排気する手段３と、真空室１内に基板８を載置するた
めの電極７と、真空室１内にプラズマを発生させるため
のコイル６と、コイル６が配置された誘電板５と、コイ
ル６に高周波電力を供給する手段４と、誘電板５を加熱
するための抵抗加熱ヒーター９と、抵抗加熱ヒーター９
に電流を供給するためのヒーター電源１２を備えたプラ
ズマ処理装置において、抵抗加熱ヒーター９の発熱体１
０が誘電板５の中心付近を含むほぼ全面にわたってほぼ
均等に敷設され、かつ誘電板５の中心付近の発熱体１０
にヒーター電源１２からの電流が流れないように構成さ
れているため、誘電板５を均熱性良く加熱でき、かつ、
誘電板５の中心部のスパッタリングを防止できる。
上記実施形態にかかるプラズマ処理方法によれば、真空
室１内にガスを供給しつつ真空室１内を排気し、真空室
１内を所定の圧力に制御しながら、誘電板５に沿って配
置されたコイル６に高周波電力を供給することにより、
真空室１内にプラズマを発生させて、真空室１内の電極
７に載置された基板８を処理するプラズマ処理方法にお
いて、中心部以外が発熱するヒーター１０によって誘電
板５が加熱され、かつ中心部においてファラデーシール
ドによりコイル６とプラズマとの静電的な結合が弱めら
れた状態でプラズマを発生させた状態で、基板８を処理
するため、誘電板５を均熱性良く加熱でき、かつ、誘電
板５の中心付近のスパッタリングを防止できる。また、
本発明の上記実施形態にかかるプラズマ処理装置によれ
ば、真空室１内にガスを供給する手段２と、真空室１内
を排気する手段３と、真空室１内に基板８を載置するた
めの電極７と、真空室１内にプラズマを発生させるため
のコイル６と、コイル６が配置された誘電板５と、コイ
ル６に高周波電力を供給する手段４と、誘電板５を加熱
するための抵抗加熱ヒーター９と、抵抗加熱ヒーター９
に電流を供給するためのヒーター電源１２を備えたプラ
ズマ処理装置において、抵抗加熱ヒーター９の発熱体１
０が誘電板５の中心付近を含むほぼ全面にわたってほぼ
均等に敷設され、かつ誘電板５の中心付近の発熱体１０
にヒーター電源１２からの電流が流れないように構成さ
れているため、誘電板５を均熱性良く加熱でき、かつ、
誘電板５の中心部のスパッタリングを防止できる。
【００２１】また、本発明の上記実施形態にかかるプラ
ズマ処理装置によれば、真空室１内にガスの供給する手
段２と、真空室１内を排気する手段３と、真空室１内に
基板８を載置するための電極７と、真空室１内にプラズ
マを発生させるためのコイル６と、コイル６が配置され
た誘電板５と、コイル６に高周波電力を供給する手段４
と、誘電板５を加熱するための抵抗加熱ヒーター９と、
抵抗加熱ヒーター９に電流を供給するためのヒーター電
源１２を備えたプラズマ処理装置において、抵抗加熱ヒ
ーター９の発熱体１０が誘電板５の中心付近を除くほぼ
全面にわたってほぼ均等に敷設され、かつ誘電板５の中
心付近に敷設された低抵抗導線１１が抵抗加熱ヒーター
９の発熱体１０に接続されているため、誘電板５を均熱
性良く加熱でき、かつ、誘電板５の中心付近のスパッタ
リングを防止できる。また、コイル６の一部または全部
が多重の渦形であれば、渦形コイルのインダクタンスが
極めて小さくなるため、マッチング特性にすぐれたプラ
ズマ処理装置を提供することができる。
ズマ処理装置によれば、真空室１内にガスの供給する手
段２と、真空室１内を排気する手段３と、真空室１内に
基板８を載置するための電極７と、真空室１内にプラズ
マを発生させるためのコイル６と、コイル６が配置され
た誘電板５と、コイル６に高周波電力を供給する手段４
と、誘電板５を加熱するための抵抗加熱ヒーター９と、
抵抗加熱ヒーター９に電流を供給するためのヒーター電
源１２を備えたプラズマ処理装置において、抵抗加熱ヒ
ーター９の発熱体１０が誘電板５の中心付近を除くほぼ
全面にわたってほぼ均等に敷設され、かつ誘電板５の中
心付近に敷設された低抵抗導線１１が抵抗加熱ヒーター
９の発熱体１０に接続されているため、誘電板５を均熱
性良く加熱でき、かつ、誘電板５の中心付近のスパッタ
リングを防止できる。また、コイル６の一部または全部
が多重の渦形であれば、渦形コイルのインダクタンスが
極めて小さくなるため、マッチング特性にすぐれたプラ
ズマ処理装置を提供することができる。
【図１】 本発明の第１実施形態で用いた、抵抗加熱ヒ
ーターを構成する発熱体の平面図である。
ーターを構成する発熱体の平面図である。
【図２】 本発明の第２実施形態で用いた、抵抗加熱ヒ
ーターを構成する発熱体及び低抵抗導線の平面図であ
る。
ーターを構成する発熱体及び低抵抗導線の平面図であ
る。
【図３】 本発明の第３実施形態で用いた、抵抗加熱ヒ
ーターを構成する発熱体及び低抵抗導線の平面図であ
る。
ーターを構成する発熱体及び低抵抗導線の平面図であ
る。
【図４】 本発明の他の実施形態で用いた、プラズマ処
理装置の構成を示す図である。
理装置の構成を示す図である。
【図５】 本発明のさらに他の実施形態で用いた、プラ
ズマ処理装置の構成を示す図である。
ズマ処理装置の構成を示す図である。
【図６】 本発明の実施形態及び従来例で用いた、プラ
ズマ処理装置の構成を示す断面図である。
ズマ処理装置の構成を示す断面図である。
【図７】 本発明の実施形態及び従来例で用いた、コイ
ルの平面図である。
ルの平面図である。
【図８】 従来例で用いた、抵抗加熱ヒーターを構成す
る発熱体の平面図である。
る発熱体の平面図である。
１ 真空室 ２ ガス供給ユニット ３ ポンプ ４ コイル用高周波電源 ５ 誘電板 ６ コイル ７ 電極 ８ 基板 ９ 抵抗加熱ヒーター １０ 発熱体 １０ａ 発熱体の中心部 １２ ヒーター電源 １３ 電極用高周波電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｍ
Claims (10)
- 【請求項１】 真空室（１）内にガスを供給しつつ上記
真空室内を排気し、上記真空室内を所定の圧力に制御し
ながら、誘電板（５）に沿って配置されたコイル（６）
に高周波電力を供給することにより、上記真空室内にプ
ラズマを発生させて上記真空室内の電極（７）に載置さ
れた基板（８）を処理するプラズマ処理方法において、 中心部（１０ａ，１１）以外が発熱するヒーター（９）
によって上記誘電板が加熱され、かつ上記中心部におい
てファラデーシールドにより上記コイルと上記プラズマ
との静電的な結合が弱められた状態でプラズマを発生さ
せた状態で、上記基板を処理することを特徴とするプラ
ズマ処理方法。 - 【請求項２】 上記電極に高周波電力を供給するように
した請求項１に記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項３】 上記中心部とは、上記ヒーターの熱が集
中してその温度が上がるのを防止し上記誘電体の均熱性
を良くするために発熱を規制するところである請求項１
又は２に記載のプラズマ処理方法。 - 【請求項４】 上記中心部は、上記誘電体の全面積の５
〜２０％である請求項１〜３のいずれかに記載のプラズ
マ処理方法。 - 【請求項５】 真空室（１）内にガスを供給する手段
（２）と、上記真空室内を排気する手段（３）と、上記
真空室内に基板（８）を載置するための電極（７）と、
上記真空室内にプラズマを発生させるためのコイル
（６）と、上記コイルが配置された誘電板（５）と、上
記コイルに高周波電力を供給する手段（４）と、上記誘
電板を加熱する抵抗加熱ヒーター（９）と、上記抵抗加
熱ヒーターに電流を供給するためのヒーター電源（１
２）とを備えたプラズマ処理装置において、上記抵抗加
熱ヒーターの発熱体（１０）が上記誘電板の中心付近を
含むほぼ全面にわたってほぼ均等に敷設され、かつ上記
誘電板の中心付近の上記発熱体（１０ａ）に上記ヒータ
ー電源からの電流が流れないように構成されていること
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項６】 真空室（１）内にガスを供給する手段
（２）と、上記真空室内を排気する手段（３）と、上記
真空室内に基板（８）を載置するための電極（７）と、
上記真空室内にプラズマを発生させるためのコイル
（６）と、上記コイルが配置された誘電板（５）と、上
記コイルに高周波電力を供給する手段（４）と、上記誘
電板を加熱する抵抗加熱ヒーター（９）と、上記抵抗加
熱ヒーターに電流を供給するためのヒーター電源（１
２）とを備えたプラズマ処理装置において、 上記抵抗加熱ヒーターの発熱体（１０）が上記誘電板の
中心付近を除くほぼ全面にわたってほぼ均等に敷設さ
れ、かつ上記誘電板の中心付近に敷設された低抵抗導線
（１１）が上記抵抗加熱ヒーターの上記発熱体に接続さ
れていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項７】 上記電極に高周波電力を供給する手段
（１３）を備えるようにした請求項５または６記載のプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項８】 上記コイルの一部または全部が多重の渦
形であるようにした請求項５〜７のいずれかに記載のプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項９】 上記中心部とは、上記ヒーターの熱が集
中してその温度が上がるのを防止し上記誘電体の均熱性
を良くするために発熱を規制するところである請求項５
〜８のいずれかに記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項１０】 上記中心部は、上記誘電体の全面積の
５〜２０％である請求項５〜９のいずれかに記載のプラ
ズマ処理装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06299397A JP3146171B2 (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | プラズマ処理方法及び装置 |
| PCT/JP1998/001089 WO1998042012A1 (fr) | 1997-03-17 | 1998-03-16 | Procede et dispositif permettant le traitement de plasma |
| TW087103836A TW434723B (en) | 1997-03-17 | 1998-03-16 | Method and apparatus for plasma processing |
| US09/180,974 US6177646B1 (en) | 1997-03-17 | 1998-03-16 | Method and device for plasma treatment |
| KR10-1998-0708592A KR100372317B1 (ko) | 1997-03-17 | 1998-03-16 | 플라즈마처리방법및장치 |
| CN98800305A CN1118090C (zh) | 1997-03-17 | 1998-03-16 | 等离子体处理方法及装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06299397A JP3146171B2 (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | プラズマ処理方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256238A true JPH10256238A (ja) | 1998-09-25 |
| JP3146171B2 JP3146171B2 (ja) | 2001-03-12 |
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1997
- 1997-03-17 JP JP06299397A patent/JP3146171B2/ja not_active Expired - Lifetime
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