KR100646266B1 - 스퍼터링 증착용 플라스마 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (14)
- 스퍼터링 증착을 위한 플라스마 처리 시스템에 있어서,자기 자신의 최소한 한 부분을 가로질러 서로 대향하는 평행한 용량-결합성(capacitively-coupled) 상부 및 하부 전극을 포함하는 반응기-여기서 처리할 기판은 상기 하부 전극 위에 적재되고 표적판은 상기 상부 전극의 하부 쪽에 배치됨-;AC 전력을 상기 상부 전극과 하부 전극에 각각 공급하기 위한 AC 전원;상기 상부 전극의 외부에 방사상으로 배치된 다수의 자석; 및상기 다수의 자석을 상기 상부 전극의 중심축 주위로 이동시키기 위한 기구를 포함하는 플라스마 처리 시스템.
- 제1항에 있어서,추가 DC 전원이 상기 상부 전극에 인가되는 AC 전류를 차단하는 저역 통과 필터를 통하여 상기 상부 전극에 접속되는 플라스마 처리 시스템.
- 제1항에 있어서,상기 상부 전극은 비자성체로 만들어지며, 상기 자석은 상기 반응기의 내부를 향한 상기 자석의 자극을 교대로 변경함으로써 상기 상부 전극의 내면 근처에 폐쇄 자속의 자기장을 생성하는 플라스마 처리 시스템.
- 제3항에 있어서,전자를 플라스마의 주변 지역에 가두기 위하여 상기 방사상으로 배치된 자석을 둘러싼 원주선을 따라 배치된 다른 다수의 자석을 포함하는 플라스마 처리 시스템.
- 제4항에 있어서,상기 방사상으로 배치된 N극 자석은 상기 반응기의 내부를 향하며, 원주선을 따라 배치된 상기 다른 자석은 정렬 배치되는 플라스마 처리 시스템.
- 제3항에 있어서,상기 자석은 반응기의 내부를 향하며 상기 상부 전극의 경계로 확장된 만곡형인 제1 N극 자석 및 상기 반응기의 내부를 향하며 직선형 제2 S극 자석을 포함하며, 상기 제1 자석과 상기 제2 자석은 교대로 배치되어 상기 제1 자석과 제2 자석간의 자기력선 첨두(cusp)내 플라스마의 전자는 E×B 편류(drift) 때문에 방사상의 바깥쪽으로 이동한 후, 상기 자기력선 첨두를 통하여 방사상의 안쪽으로 휘어져 표류하는 플라스마 처리 시스템.
- 제6항에 있어서,상기 제1 N극 자석은 상기 제2 S극 자석보다 긴 플라스마 처리 시스템.
- 제3항에 있어서,상기 자석은 반응기의 내부를 향하며 상기 상부 전극의 경계로 확장된 만곡형인 제1 S극 자석 및 상기 반응기의 내부를 향하며 직선형인 제2 N극 자석을 포함하며, 상기 제1 자석과 상기 제2 자석은 교대로 배치되어 상기 제1 자석과 제2 자석간의 자기력선 첨두내 플라스마의 전자는 E×B 편류 때문에 방사상의 바깥쪽으로 이동한 후, 상기 자기력선 첨두를 통하여 방사상의 안쪽으로 휘어져 표류하는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 시스템.
- 제8항에 있어서,상기 제1 S극 자석은 상기 제2 N극 자석보다 긴 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 시스템.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 다수의 자석은 상기 상부 전극과 상기 자석 간에 작은 간격이 있는 원형 금속 링 상에 정렬되는 플라스마 처리 시스템.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 다수의 자석은 상기 상부 전극 위에 바로 배치되는 플라스마 처리 시스템.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 각 자석은 단일체(single piece)로 만들어지는 플라스마 처리 시스템.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 각 자석은 다수의 자석 소자로 이루어지는 플라스마 처리 시스템.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,방사선 상에 존재하는 상기 각 자석의 폭은 방사상의 방향으로 변화하는 플라스마 처리 시스템.
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US20030024478A1 (en) * | 2001-08-06 | 2003-02-06 | Anelva Corporation | Surface processing apparatus |
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KR100421249B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2004-03-04 | 박장식 | 스퍼트링 자기회로 제작 |
WO2004101844A1 (en) * | 2002-12-18 | 2004-11-25 | Cardinal Cg Company | Plasma-enhanced film deposition |
US7212078B2 (en) * | 2003-02-25 | 2007-05-01 | Tokyo Electron Limited | Method and assembly for providing impedance matching network and network assembly |
US6806651B1 (en) * | 2003-04-22 | 2004-10-19 | Zond, Inc. | High-density plasma source |
US7084573B2 (en) * | 2004-03-05 | 2006-08-01 | Tokyo Electron Limited | Magnetically enhanced capacitive plasma source for ionized physical vapor deposition |
JP4523352B2 (ja) * | 2004-07-20 | 2010-08-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
KR100784381B1 (ko) * | 2004-07-23 | 2007-12-11 | 삼성전자주식회사 | 증착 장치 및 방법 |
US20060037704A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-23 | Tokyo Electron Limited | Plasma Processing apparatus and method |
US7686928B2 (en) * | 2004-09-23 | 2010-03-30 | Applied Materials, Inc. | Pressure switched dual magnetron |
US7214619B2 (en) * | 2004-10-05 | 2007-05-08 | Applied Materials, Inc. | Method for forming a barrier layer in an integrated circuit in a plasma with source and bias power frequencies applied through the workpiece |
US7268076B2 (en) * | 2004-10-05 | 2007-09-11 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for metal plasma vapor deposition and re-sputter with source and bias power frequencies applied through the workpiece |
US7399943B2 (en) * | 2004-10-05 | 2008-07-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for metal plasma vapor deposition and re-sputter with source and bias power frequencies applied through the workpiece |
US20060172536A1 (en) * | 2005-02-03 | 2006-08-03 | Brown Karl M | Apparatus for plasma-enhanced physical vapor deposition of copper with RF source power applied through the workpiece |
JP4804824B2 (ja) * | 2005-07-27 | 2011-11-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
KR100746698B1 (ko) * | 2005-09-13 | 2007-08-07 | 주식회사 피에스엠 | 이중주파수를 이용한 플라즈마 처리장치 및 방법 |
US7695633B2 (en) * | 2005-10-18 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Independent control of ion density, ion energy distribution and ion dissociation in a plasma reactor |
US20070170155A1 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Fink Steven T | Method and apparatus for modifying an etch profile |
US8138445B2 (en) | 2006-03-30 | 2012-03-20 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
US7727413B2 (en) * | 2006-04-24 | 2010-06-01 | Applied Materials, Inc. | Dual plasma source process using a variable frequency capacitively coupled source to control plasma ion density |
US7780864B2 (en) * | 2006-04-24 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Process using combined capacitively and inductively coupled plasma sources for controlling plasma ion radial distribution |
US7645357B2 (en) * | 2006-04-24 | 2010-01-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor apparatus with a VHF capacitively coupled plasma source of variable frequency |
US20070245958A1 (en) * | 2006-04-24 | 2007-10-25 | Applied Materials, Inc. | Dual plasma source process using a variable frequency capacitively coupled source for controlling ion radial distribution |
US20070246163A1 (en) * | 2006-04-24 | 2007-10-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor apparatus with independent capacitive and inductive plasma sources |
JP5643528B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2014-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US8795487B2 (en) * | 2010-03-31 | 2014-08-05 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition chamber with rotating magnet assembly and centrally fed RF power |
TWI434624B (zh) * | 2010-07-02 | 2014-04-11 | Ind Tech Res Inst | 電子迴旋共振磁性模組與電子迴旋共振裝置 |
DE102011013822A1 (de) * | 2011-03-14 | 2012-09-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Modifizierung einer Oberfläche eines Substrats durch Ionenbeschuss |
JP6009171B2 (ja) * | 2012-02-14 | 2016-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US20130240147A1 (en) * | 2012-03-19 | 2013-09-19 | Sang Ki Nam | Methods and apparatus for selectively modulating azimuthal non-uniformity in a plasma processing system |
DE102013111470A1 (de) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | Cryoelectra Gmbh | Schaltungsanordnung und Vorrichtung zum Schutz eines elektronischen Bauteils |
US9697993B2 (en) | 2013-11-06 | 2017-07-04 | Tokyo Electron Limited | Non-ambipolar plasma ehncanced DC/VHF phasor |
US20150240349A1 (en) * | 2014-02-27 | 2015-08-27 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Magnetron sputtering device and method of fabricating thin film using magnetron sputtering device |
GB201815216D0 (en) * | 2018-09-18 | 2018-10-31 | Spts Technologies Ltd | Apparatus and a method of controlling thickness variation in a material layer formed using physical vapour deposition |
WO2021148195A1 (en) * | 2020-01-24 | 2021-07-29 | Evatec Ag | Phase shift controlled sputter system and process |
CN111826627A (zh) * | 2020-08-07 | 2020-10-27 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种用于提高导通孔真空镀膜深度的工艺室和镀膜线 |
CN116453925B (zh) * | 2023-06-16 | 2023-08-25 | 通威微电子有限公司 | 磁控增强等离子抛光装置 |
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---|---|---|---|---|
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US6228236B1 (en) * | 1999-10-22 | 2001-05-08 | Applied Materials, Inc. | Sputter magnetron having two rotation diameters |
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