KR20130019710A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20130019710A
KR20130019710A KR1020110081830A KR20110081830A KR20130019710A KR 20130019710 A KR20130019710 A KR 20130019710A KR 1020110081830 A KR1020110081830 A KR 1020110081830A KR 20110081830 A KR20110081830 A KR 20110081830A KR 20130019710 A KR20130019710 A KR 20130019710A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
process chamber
coil
heater
input
plasma
Prior art date
Application number
KR1020110081830A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101909474B1 (ko
Inventor
김형준
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020110081830A priority Critical patent/KR101909474B1/ko
Publication of KR20130019710A publication Critical patent/KR20130019710A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101909474B1 publication Critical patent/KR101909474B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/32119Windows
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458Vessel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458Vessel
    • H01J37/32522Temperature
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/4645Radiofrequency discharges
    • H05H1/4652Radiofrequency discharges using inductive coupling means, e.g. coils

Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따르면, 플라즈마 처리 공정이 진행되는 처리실과; 상기 처리실의 상부에 제공되는 유전체 윈도우와; 상기 유전체 윈도우를 가열하는 히터를 포함하되, 상기 히터는, 전원공급부와; 코일유닛들을 가지며, 상기 코일유닛들은 각각 입출력단자를 가지는 기판 처리 장치를 제공한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 히터의 코일유닛들이 복수개의 입출력단자를 갖는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
플라즈마 발생장치에는 박막증착을 위한 플라즈마 장치(Plasma Enhanced Chemical Vaper Deposition, PECVD), 증착된 박막을 식각하여 패터닝하는 식각장치, 스퍼터(Sputter), 애싱(Ashing) 장치 등이 있다.
또한, 이러한 플라즈마 장치는 RF전력의 인가방식에 따라 용량결합형(Capacitively Coupled Plasma, CCP) 장치와 유도결합형(Inductively Coupled Plasma, ICP) 장치로 구분된다. 용량결합형 장치는 서로 대향되는 평행판과 전극에 RF전력을 인가하여 전극 사이에 수직으로 형성되는 RF전기장을 이용하여 플라즈마를 발생시키는 방식이다. 유도결합형 장치는 안테나에 의하여 유도되는 유도전기장을 이용하여 소스물질을 플라즈마로 변환시키는 방식이다.
한편, 특허문헌 1에는 공정챔버 상부에 배치된 플라즈마 안테나를 개시하고 있다. 그리고 일반적으로 공정챔버 상부에는 유전체 윈도우 등의 온도를 컨트롤하기 위해 히터가 제공된다. 그런데, 일반적인 히터의 경우 특정한 하나의 포트를 통해 전류가 히터로 공급된다. 따라서, 안테나에 공급되는 파워와 히터에 공급되는 전류 사이에 전기적인 간섭이 발생하여 챔버 내 플라즈마의 밀도가 불균일해지는 문제점이 있다.
특허문헌 1: 한국공개특허 10-2007-0121395(2007.12.27. 공개)
본 발명의 실시예들은 히터의 코일유닛들이 복수개의 입출력단자를 갖는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 플라즈마 처리 공정이 진행되는 처리실과; 상기 처리실의 상부에 제공되는 유전체 윈도우와; 상기 유전체 윈도우를 가열하는 히터를 포함하되, 상기 히터는, 전원공급부와; 코일유닛들을 가지며, 상기 코일유닛들은 각각 입출력단자를 가지는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 코일유닛들은, 제1입출력단자를 갖는 제1코일유닛과; 상기 제1코일유닛을 감싸고, 제2입출력단자를 갖는 제2코일유닛을 포함하며, 상기 제1입출력단자와 상기 제2입출력단자는 상기 히터의 중심을 기준으로 서로 마주보도록 제공될 수 있다.
또한, 상기 제1코일유닛은, 상기 제1입출력단자와 연결되는 링 형상의 제1코일로 제공되고, 상기 제2코일유닛은, 상기 제2입출력단자와 연결되는 링 형상의 제2코일로 제공되며, 상기 제2코일은 상기 제1코일을 감쌀 수 있다.
또한, 상기 제1코일과 상기 제2코일은 적어도 한 곳에서 상하로 교차할 수 있다.
또한, 상기 히터는, 상기 전원공급부와 상기 코일유닛들 사이에 제공되는 스위치를 더 포함하되, 상기 전원공급부는 상기 스위치의 개폐에 따라 상기 코일유닛들 전부 또는 일부에 전류를 공급할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 히터의 코일유닛들이 복수개의 입출력단자를 갖도록 함으로써, 안테나에 인가되는 파워와 히터에 공급되는 전류 사이의 전기적 간섭을 줄여 처리실 내 플라즈마 밀도가 불균일해지는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 2는 도 1의 히터에 포함된 코일들의 배치도이다.
도 3은 도 2의 히터에 포함된 코일들의 다른 배치도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다. 도 2는 도 1의 히터에 포함된 코일들의 배치도이다.
기판 처리 장치(1)는 처리실(100,200), 기판 지지 부재(110), 고주파전원들(140,310), 배기부재(150), 가스공급부재(210), 안테나(300), 그리고 히터(400)를 갖는다.
처리실(100,200)은 하부처리실(100)과 상부처리실(200)을 가진다. 처리실(100,200)은 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 상부처리실(200)에는 유전체 윈도우(Dielectric Window, 220)가 제공된다. 후술할 고주파전원(310)으로부터 안테나(300)로 알에프(RF, Radio-Frequency) 파워가 공급되면 유전체 윈도우(220)를 통해 처리실(100,200) 내부에 유도 자기장이 형성되고, 유도 자기장에 의해 유도 전기장이 발생한다. 유도 전기장은 처리실(100,200) 내의 자유 전자에 에너지를 공급하여 플라즈마를 발생/유지하게 한다.
기판 지지 부재(110)는 처리실(100,200) 내에 제공된다. 기판 지지 부재(110)는 척(115)과 구동부재(120)를 가진다. 척(115)은 기판(W)을 지지한다. 일 예로, 척(115)은 정전력에 의하여 기판을 지지하는 정전척(Electro Static Chuck, ESC)일 수 있다. 이와 달리, 척(115)은 기계적 클램핑 방식을 이용하는 구조로 제공될 수 있다. 척(115)에는 가열부재(130)가 삽입될 수 있다. 가열부재(130)는 척(115)의 상부면에 놓인 기판(W)을 공정 온도로 가열한다. 가열부재(130)는 코일 등 저항 발열체로 제공될 수 있다. 척(115)에는 냉각부재(135)가 삽입될 수도 있다. 냉각부재(135)는 가열부재(130)의 하부에 배치될 수 있다. 구동부재(120)는 척(115)의 하부에 제공된다. 구동부재(120)는 척(115)을 상하 방향으로 이동시킨다.
고주파전원(140)은 척(115)에 연결된다. 정합기(142)는 척(115)과 고주파전원(140) 사이에 제공된다. 고주파전원(140)은 플라즈마로부터 빠져나온 이온과 라디칼이 기판(W)의 표면에 충분히 높은 에너지를 가지고 충돌할 수 있도록 바이어스 전압을 제공한다.
고주파전원(310)은 후술할 안테나(300)에 연결된다. 정합기(312)는 안테나(300)와 고주파전원(310) 사이에 제공된다.
배기부재(150)는 배기구(152), 배기라인(154), 그리고 배기유닛(156)을 가진다. 배기구(152)는 하부처리실(100)의 바닥면에 형성된다. 배기라인(154)은 배기구(152)와 배기유닛(156)을 연결한다. 일 예로, 배기유닛(156)은 진공 펌프일 수 있다.
가스공급부재(210)는 가스유입구(212), 가스공급라인(214), 그리고 반응가스공급원(216)을 가진다. 가스유입구(212)는 상부처리실(200)에 형성된다. 가스공급라인(214)는 가스유입구(212)와 반응가스공급원(216)을 연결한다.
안테나(300)는 유전체 윈도우(220)의 상측에 제공된다. 안테나(300)는 유전체 윈도우(220)의 상부면과 나란한 면 상에 복수회 감겨진 코일들로 제공된다.
히터(400)는 상부처리실(200)의 상측에 배치된다. 히터(400)는 안테나(300)를 감싸는 형태로 제공될 수 있다. 히터(400)는 유전체 윈도우(220)의 온도를 컨트롤한다. 도 2를 참조할 때, 히터(400)는 전원공급부(410), 스위치(440,460), 그리고 코일유닛들(430,450)을 가진다. 전원공급부(410)는 코일유닛들(430,450)에 전류를 공급한다. 스위치(440,460)는 제1스위치(440)와 제2스위치(460)를 갖는다. 제1스위치(440)는 후술할 제1코일유닛(430)에 연결된다. 제2스위치(460)는 후술할 제2코일유닛(450)에 연결된다. 코일유닛들(430,450)은 제1코일유닛(430)과 제2코일유닛(450)을 가진다. 이와 달리, 코일유닛들은 3개 이상 제공될 수도 있다. 제1코일유닛(430)은 제1입출력단자(435)를 가진다. 제1코일유닛(430)은 제1입출력단자(435)와 연결되는 링 형상의 제1코일(431)로 제공될 수 있다. 제2코일유닛(450)은 제2입출력단자(455)를 가진다. 제2코일유닛(450)은 제1코일유닛(430)을 감싼다. 제2코일유닛(450)은 제2입출력단자(455)와 연결되는 링 형상의 제2코일(451)로 제공될 수 있다. 제1입출력단자(435)와 제2입출력단자(455)는 서로 마주보도록 제공된다. 일 예로, 도 2와 같이 2개의 코일유닛들(430,450)이 제공되는 경우, 제1입출력단자(435)와 제2입출력단자(455)는 코일유닛들(430,450)의 중심을 기준으로 대칭되도록 배치될 수 있다. 이와 달리, 3개의 코일유닛들이 제공되고, 각각의 코일유닛들에 입출력단자들이 제공되는 경우, 각각의 입출력단자들은 코일유닛들의 중심을 기준으로 120°간격으로 배치될 수 있다. 이와 같이 히터의 코일유닛들을 복수개로 제공하고, 코일유닛들에 공급되는 전류의 입출력단자를 복수개로 제공함으로써 안테나(300)에 공급되는 알에프(RF) 파워와 히터(400)에 공급되는 전류 사이의 전기적인 간섭을 줄일 수 있고, 따라서 처리실(100,200) 내 플라즈마 밀도가 불균일해지는 현상을 방지할 수 있다.
도 3은 도 2의 히터에 포함된 코일들의 다른 배치도이다.
도 3을 참조할 때, 히터(500)는 전원공급부(510), 스위치(540,560), 그리고 코일유닛들(530,550)을 가진다. 전원공급부(510), 스위치(540,560)는 각각 도 2의 전원공급부(410), 스위치(440,460)와 동일하다. 코일유닛들(530,550)은 도 2의 코일유닛들(430,450)과 유사하다. 다만, 제1코일(531)과 제2코일(551)은 2개의 교차부(570,580)를 갖는다. 제1교차부(570)는 제1코일(531)과 제2코일(551)이 내측 방향으로 꺾이면서 상하로 교차하는 지점이다. 제2교차부(580)는 제1코일(531)과 제2코일(551)이 외측 방향으로 꺾이면서 상하로 교차하는 지점이다.
다시 도 2를 참조하여, 코일유닛들(430,450)에 전류가 공급되는 예를 설명한다.
제1스위치(440)가 닫히면, 전원공급부(410)와 제1코일유닛(430)은 폐회로를 형성한다. 따라서, 전원공급부(410)에서 공급되는 전류는 입력단자(435a), 제1코일(431), 그리고 출력단자(435b)를 거쳐 전원공급부(410)로 되돌아온다. 그리고 제2스위치(460)가 닫히면, 전원공급부(410)와 제2코일유닛(450)은 폐회로를 형성한다. 따라서, 전원공급부(410)에서 공급되는 전류는 입력단자(455a), 제2코일(451), 그리고 출력단자(455b)를 거쳐 전원공급부(410)로 되돌아온다. 한편, 작업자는 필요에 따라 제1스위치(440)와 제2스위치(460)를 모두 닫거나, 또는 하나만을 닫아 코일유닛들(430,450)에 공급되는 전류를 제어할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
** 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 **
100 : 하부처리실
200 : 상부처리실
300 : 안테나
410,510 : 전원공급부
430,530 : 제1코일유닛
440,540 : 제1스위치
450,550 : 제2코일유닛
460,560 : 제2스위치

Claims (2)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    플라즈마 처리 공정이 진행되는 처리실과;
    상기 처리실의 상부에 제공되는 유전체 윈도우와;
    상기 유전체 윈도우를 가열하는 히터를 포함하되,
    상기 히터는,
    전원공급부와;
    코일유닛들을 가지며,
    상기 코일유닛들은 각각 입출력단자를 가지는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 코일유닛들은,
    제1입출력단자를 갖는 제1코일유닛과;
    상기 제1코일유닛을 감싸고, 제2입출력단자를 갖는 제2코일유닛을 포함하며,
    상기 제1입출력단자와 상기 제2입출력단자는 상기 히터의 중심을 기준으로 서로 마주보도록 제공되는 기판 처리 장치.
KR1020110081830A 2011-08-17 2011-08-17 기판 처리 장치 KR101909474B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110081830A KR101909474B1 (ko) 2011-08-17 2011-08-17 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110081830A KR101909474B1 (ko) 2011-08-17 2011-08-17 기판 처리 장치

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180095687A Division KR101934982B1 (ko) 2018-08-16 2018-08-16 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130019710A true KR20130019710A (ko) 2013-02-27
KR101909474B1 KR101909474B1 (ko) 2018-10-18

Family

ID=47897770

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110081830A KR101909474B1 (ko) 2011-08-17 2011-08-17 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101909474B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160081006A (ko) * 2014-12-30 2016-07-08 세메스 주식회사 샤워 헤드 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN106711006A (zh) * 2015-11-13 2017-05-24 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 上电极组件及半导体加工设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10256238A (ja) * 1997-03-17 1998-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及び装置
JPH1145878A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及び装置
KR20070121395A (ko) 2006-06-22 2007-12-27 세메스 주식회사 유도 결합형 플라즈마 안테나
JP2010232476A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10256238A (ja) * 1997-03-17 1998-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及び装置
JPH1145878A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及び装置
KR20070121395A (ko) 2006-06-22 2007-12-27 세메스 주식회사 유도 결합형 플라즈마 안테나
JP2010232476A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160081006A (ko) * 2014-12-30 2016-07-08 세메스 주식회사 샤워 헤드 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN106711006A (zh) * 2015-11-13 2017-05-24 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 上电极组件及半导体加工设备

Also Published As

Publication number Publication date
KR101909474B1 (ko) 2018-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101155840B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 방법
KR101387067B1 (ko) 드라이 에칭 장치 및 드라이 에칭 방법
KR100539622B1 (ko) 플라즈마처리장치
EP2103197A2 (en) Plasma reactor with inductive excitation of plasma and efficient removal of heat from the excitation coil
KR20100025699A (ko) 용량 결합 플라즈마 반응기 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방법 및 이것에 의해 제조된 반도체 장치
KR101934982B1 (ko) 기판 처리 장치
US9263237B2 (en) Plasma processing apparatus and method thereof
KR20120004040A (ko) 플라즈마 발생장치
CN111183504B (zh) 制造过程中的超局部和等离子体均匀性控制
JP6240441B2 (ja) プラズマ処理装置
KR101496847B1 (ko) 유도 결합 플라즈마 반응기
KR100972371B1 (ko) 복합 플라즈마 소스 및 이를 이용한 가스 분리 방법
KR20130019710A (ko) 기판 처리 장치
KR100994502B1 (ko) 플라즈마 처리장치 및 방법
KR20130019712A (ko) 기판 처리 장치
KR102316591B1 (ko) 유도결합형 플라즈마 발생장치용 안테나 및 그의 제어방법과 그를 포함하는 유도결합 플라즈마 발생장치
KR100819023B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
KR101969077B1 (ko) 플라즈마 안테나 및 이를 이용한 기판 처리 장치
US11264252B2 (en) Chamber lid with integrated heater
KR100785404B1 (ko) 유도 결합형 플라즈마 안테나 및 이를 이용한 기판 처리장치와 방법
Bera et al. Plasma-profile control using external circuit in a capacitively coupled plasma reactor
KR100760026B1 (ko) 플라즈마 발생기를 위한 페라이트 코어 조립체 및 이를구비한 플라즈마 처리 시스템
US20150279623A1 (en) Combined inductive and capacitive sources for semiconductor process equipment
KR20110022952A (ko) 기판 처리 장치
KR20100026530A (ko) 용량 결합 플라즈마 반응기 및 이를 이용한 플라즈마 처리 방법 및 이것에 의해 제조된 반도체 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
E801 Decision on dismissal of amendment
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)