JP2003051492A - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
プラズマ処理方法及び装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電板への反応生成物の付着を防止し、かつ
損失を低減するとともに処理の均一性を確保できるプラ
ズマ処理方法及び装置を提供する。 【解決手段】 コイルまたはアンテナに高周波電圧を印
加し、誘電板を介して真空容器内に電磁波を導入するこ
とによりプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ
処理方法及び装置において、誘電板をヒータ３にて加熱
するようにし、かつそのヒータ３は、基板の中心の真上
を中心とする同心円状に配設した円弧群を有しかつ径の
異なる円弧の端同士を径方向に接続することにより連続
させた電熱線１１にて構成し、コイルまたはアンテナと
電熱線１１の交差角度が変化しないようにして高均一な
処理を行え、また外周部のドーナツ状の領域の開口率を
大きくして高効率な処理を行えるようにした。
損失を低減するとともに処理の均一性を確保できるプラ
ズマ処理方法及び装置を提供する。 【解決手段】 コイルまたはアンテナに高周波電圧を印
加し、誘電板を介して真空容器内に電磁波を導入するこ
とによりプラズマを発生させ、基板を処理するプラズマ
処理方法及び装置において、誘電板をヒータ３にて加熱
するようにし、かつそのヒータ３は、基板の中心の真上
を中心とする同心円状に配設した円弧群を有しかつ径の
異なる円弧の端同士を径方向に接続することにより連続
させた電熱線１１にて構成し、コイルまたはアンテナと
電熱線１１の交差角度が変化しないようにして高均一な
処理を行え、また外周部のドーナツ状の領域の開口率を
大きくして高効率な処理を行えるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ドライエッチング
等のプラズマ処理に関し、特に高周波誘導方式のプラズ
マ処理方法及び装置に関するものである。
等のプラズマ処理に関し、特に高周波誘導方式のプラズ
マ処理方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子や液晶駆動用素子の微
細化に対応して、ドライエッチング技術においては高ア
スペクト比の加工を実現することが、またプラズマＣＶ
Ｄ技術においては高アスペクト比の埋め込みを実現する
ことが要請され、そのためにより高真空でプラズマ処理
を行うことが求められている。
細化に対応して、ドライエッチング技術においては高ア
スペクト比の加工を実現することが、またプラズマＣＶ
Ｄ技術においては高アスペクト比の埋め込みを実現する
ことが要請され、そのためにより高真空でプラズマ処理
を行うことが求められている。
【０００３】例えば、ドライエッチングの場合において
は、高真空において高密度プラズマを発生すると、被処
理基板表面に形成されるイオンシース中でイオンが中性
ガス粒子等と衝突する確率が小さくなるために、イオン
の方向性が被処理基板に向かって揃い、また電離度が高
いために被処理基板に達するイオン対中性ラジカルの入
射粒子束の比が大きくなる。したがって、エッチング異
方性が高められ、高アスペクト比の加工が可能となる。
は、高真空において高密度プラズマを発生すると、被処
理基板表面に形成されるイオンシース中でイオンが中性
ガス粒子等と衝突する確率が小さくなるために、イオン
の方向性が被処理基板に向かって揃い、また電離度が高
いために被処理基板に達するイオン対中性ラジカルの入
射粒子束の比が大きくなる。したがって、エッチング異
方性が高められ、高アスペクト比の加工が可能となる。
【０００４】このように高真空において高密度プラズマ
を発生させることができるプラズマ処理装置の１つとし
て、コイルまたはアンテナに高周波電圧を印加すること
よって真空容器内に電磁波を導入し、プラズマを発生さ
せる高周波誘導方式のプラズマ処理装置がある。この方
式のプラズマ処理装置は、真空容器内に高周波磁界を発
生させ、その高周波磁界によって真空容器内に誘導磁界
を発生させて電子の加速を行い、プラズマを発生させる
もので、コイル電流を大きくすれば高真空においても高
密度プラズマを発生することができ、十分な処理速度を
得ることができる。
を発生させることができるプラズマ処理装置の１つとし
て、コイルまたはアンテナに高周波電圧を印加すること
よって真空容器内に電磁波を導入し、プラズマを発生さ
せる高周波誘導方式のプラズマ処理装置がある。この方
式のプラズマ処理装置は、真空容器内に高周波磁界を発
生させ、その高周波磁界によって真空容器内に誘導磁界
を発生させて電子の加速を行い、プラズマを発生させる
もので、コイル電流を大きくすれば高真空においても高
密度プラズマを発生することができ、十分な処理速度を
得ることができる。
【０００５】従来の高周波誘導方式のプラズマ処理装置
の一例を、図３を参照して説明する。図３において、真
空容器２１内を排気手段２２にて排気しつつガス導入手
段２３にて適当なガスを導入して真空容器２１内を適当
な圧力に保ちながら、コイルまたはアンテナ２５にコイ
ルまたはアンテナ用の高周波電源２６により高周波電力
を印加すると、誘電板２４を介して真空容器２１内に電
磁波が導入されてプラズマが発生し、電極２７上の被処
理基板２８に対してエッチング、堆積、表面改質等のプ
ラズマ処理を行うことができる。このとき、電極２７に
も電極用の高周波電源２９により高周波電圧を印加する
ことで、被処理基板２８に到達するイオンエネルギーを
制御することができる。
の一例を、図３を参照して説明する。図３において、真
空容器２１内を排気手段２２にて排気しつつガス導入手
段２３にて適当なガスを導入して真空容器２１内を適当
な圧力に保ちながら、コイルまたはアンテナ２５にコイ
ルまたはアンテナ用の高周波電源２６により高周波電力
を印加すると、誘電板２４を介して真空容器２１内に電
磁波が導入されてプラズマが発生し、電極２７上の被処
理基板２８に対してエッチング、堆積、表面改質等のプ
ラズマ処理を行うことができる。このとき、電極２７に
も電極用の高周波電源２９により高周波電圧を印加する
ことで、被処理基板２８に到達するイオンエネルギーを
制御することができる。
【０００６】３０は、誘電板２４に反応生成物が付着す
るのを防止し、またプラズマによる誘電板２４のエッチ
ングを防止する作用も奏する誘電板加熱用のヒータであ
り、図４に示すように、電熱線３１を全体形状が格子状
になるように等分布に配置して構成されている。このヒ
ータ３０において、電熱線３１以外の部分が占める割合
であるヒータの開口率は、ヒータ全面で均一で、８０〜
８５％にするのが一般的である。
るのを防止し、またプラズマによる誘電板２４のエッチ
ングを防止する作用も奏する誘電板加熱用のヒータであ
り、図４に示すように、電熱線３１を全体形状が格子状
になるように等分布に配置して構成されている。このヒ
ータ３０において、電熱線３１以外の部分が占める割合
であるヒータの開口率は、ヒータ全面で均一で、８０〜
８５％にするのが一般的である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
デバイスの微細化により、より高均一なプラズマ処理が
要求されてきている。特に、液晶用途などでは、被処理
基板自体の大型化により、広範囲で高均一なプラズマ処
理が要求されてきている。
デバイスの微細化により、より高均一なプラズマ処理が
要求されてきている。特に、液晶用途などでは、被処理
基板自体の大型化により、広範囲で高均一なプラズマ処
理が要求されてきている。
【０００８】ところで、コイルまたはアンテナ２５の形
状は通常上方から見た場合円形であり、図３、図４に示
した従来の構成では、誘電板加熱用のヒータ３０の電熱
線３１の配設パターンが格子状であるため、コイル２５
と電熱線３１の交差する角度が変化し、そのため均一な
プラズマを得ることができないという問題があることが
判明した。
状は通常上方から見た場合円形であり、図３、図４に示
した従来の構成では、誘電板加熱用のヒータ３０の電熱
線３１の配設パターンが格子状であるため、コイル２５
と電熱線３１の交差する角度が変化し、そのため均一な
プラズマを得ることができないという問題があることが
判明した。
【０００９】また、通常、コイルまたはアンテナ２５か
ら発生する磁界は、その外周部が最も強いため、誘電板
加熱用のヒータ３０の電熱線３１のパターンにおいて
も、外周部の開口率が最もプラズマ密度に大きな影響を
与えるが、図３、図４の構成ではヒータ全面に電熱線３
１が等分布で配置されているため、効率が悪くなるとい
う問題があることも判明した。
ら発生する磁界は、その外周部が最も強いため、誘電板
加熱用のヒータ３０の電熱線３１のパターンにおいて
も、外周部の開口率が最もプラズマ密度に大きな影響を
与えるが、図３、図４の構成ではヒータ全面に電熱線３
１が等分布で配置されているため、効率が悪くなるとい
う問題があることも判明した。
【００１０】具体例として、電熱線３１を開口率８０％
で格子状に等分布に配置したヒータ３０を用いて、被処
理基板２８上の４８箇所の測定点での電子密度を測定し
た結果、電子密度の平均値はＩsat ＝２．４１ｍＡ／cm
2 となり、その４８箇所における均一性を示す電子密度
のばらつきは±２４．１％であった。このときの条件
は、被処理基板２８として６８０×８８０ｍｍの矩形ガ
ラス基板を用い、使用ガスはＡｒ＝１０００ｓｃｃｍ、
圧力２Ｐａ、高周波電力値は１２ｋＷである。同条件
で、誘電板加熱用のヒータ３０を用いないで測定した場
合、電子密度の平均値はＩsat ＝３．５３ｍＡ／cm2 、
均一性は±２２．２％であったから、ヒータ３０の配置
により３１．７％の損失、１．９％の均一性悪化が生じ
たことになる。
で格子状に等分布に配置したヒータ３０を用いて、被処
理基板２８上の４８箇所の測定点での電子密度を測定し
た結果、電子密度の平均値はＩsat ＝２．４１ｍＡ／cm
2 となり、その４８箇所における均一性を示す電子密度
のばらつきは±２４．１％であった。このときの条件
は、被処理基板２８として６８０×８８０ｍｍの矩形ガ
ラス基板を用い、使用ガスはＡｒ＝１０００ｓｃｃｍ、
圧力２Ｐａ、高周波電力値は１２ｋＷである。同条件
で、誘電板加熱用のヒータ３０を用いないで測定した場
合、電子密度の平均値はＩsat ＝３．５３ｍＡ／cm2 、
均一性は±２２．２％であったから、ヒータ３０の配置
により３１．７％の損失、１．９％の均一性悪化が生じ
たことになる。
【００１１】本発明は、上記従来の問題に鑑み、誘電板
への反応生成物の付着を防止し、かつ処理の均一性を確
保できるとともに損失を低減できるプラズマ処理方法及
び装置を提供することを目的としている。
への反応生成物の付着を防止し、かつ処理の均一性を確
保できるとともに損失を低減できるプラズマ処理方法及
び装置を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ処理方
法は、コイルまたはアンテナに高周波電圧を印加し、複
数に分割した誘電板を介して真空容器内に電磁波を導入
することによりプラズマを発生させ、基板を処理するプ
ラズマ処理方法において、基板の中心の真上を中心とす
る同心円状に配設されかつ同一径のものが周方向に断続
されている円弧群を有し、かつ径の異なる円弧の端同士
を径方向に接続することにより分割された各誘電板毎に
連続させた電熱線にて、分割された各誘電板を加熱する
ものであり、誘電板への反応生成物の付着を防止でき、
かつコイルまたはアンテナと電熱線の交差角度が変化せ
ず、均一なプラズマを得て高均一な処理を行うことがで
きる。
法は、コイルまたはアンテナに高周波電圧を印加し、複
数に分割した誘電板を介して真空容器内に電磁波を導入
することによりプラズマを発生させ、基板を処理するプ
ラズマ処理方法において、基板の中心の真上を中心とす
る同心円状に配設されかつ同一径のものが周方向に断続
されている円弧群を有し、かつ径の異なる円弧の端同士
を径方向に接続することにより分割された各誘電板毎に
連続させた電熱線にて、分割された各誘電板を加熱する
ものであり、誘電板への反応生成物の付着を防止でき、
かつコイルまたはアンテナと電熱線の交差角度が変化せ
ず、均一なプラズマを得て高均一な処理を行うことがで
きる。
【００１３】また、電熱線の配設密度を同心円状に変化
させると、コイルまたはアンテナから発する磁界の強い
部分の配置密度を小さくすることで、効率を向上するこ
とができる。
させると、コイルまたはアンテナから発する磁界の強い
部分の配置密度を小さくすることで、効率を向上するこ
とができる。
【００１４】また、内径が被処理基板の外径又は対角長
さのほぼ半分で、外径がほぼ被処理基板の外径又は対角
長さのドーナツ状の範囲の電熱線の配設密度を他の部分
より小さくすると、高効率にてプラズマ処理を施すこと
ができる。なお、上記内径、外径における「ほぼ」と
は、±２０％程度の範囲内である。
さのほぼ半分で、外径がほぼ被処理基板の外径又は対角
長さのドーナツ状の範囲の電熱線の配設密度を他の部分
より小さくすると、高効率にてプラズマ処理を施すこと
ができる。なお、上記内径、外径における「ほぼ」と
は、±２０％程度の範囲内である。
【００１５】また、本発明のプラズマ処理装置は、高周
波電源と、高周波電源より高周波電圧が印加されるコイ
ルまたはアンテナと、コイルまたはアンテナに対向する
壁面が複数に分割された誘電板にて構成された真空容器
と、被処理基板を載置するように真空容器内に配置され
た電極と、複数の誘電板加熱用のヒータとを備え、ヒー
タは、基板の中心の真上を中心とする同心円状に配設さ
れかつ同一径のものが周方向に断続されている円弧群を
有し、かつ径の異なる円弧の端同士を径方向に接続する
ことにより分割された各誘電板毎に連続させた電熱線を
有するものであり、コイルまたはアンテナと電熱線の交
差角度が変化せず、均一なプラズマを得て高均一な処理
を行うことができる。
波電源と、高周波電源より高周波電圧が印加されるコイ
ルまたはアンテナと、コイルまたはアンテナに対向する
壁面が複数に分割された誘電板にて構成された真空容器
と、被処理基板を載置するように真空容器内に配置され
た電極と、複数の誘電板加熱用のヒータとを備え、ヒー
タは、基板の中心の真上を中心とする同心円状に配設さ
れかつ同一径のものが周方向に断続されている円弧群を
有し、かつ径の異なる円弧の端同士を径方向に接続する
ことにより分割された各誘電板毎に連続させた電熱線を
有するものであり、コイルまたはアンテナと電熱線の交
差角度が変化せず、均一なプラズマを得て高均一な処理
を行うことができる。
【００１６】また、ヒータ全体の面積に対して電熱線以
外の部分が占める割合であるヒータの開口率を平均８７
％以上とすると、高効率に処理を行うことができる。
外の部分が占める割合であるヒータの開口率を平均８７
％以上とすると、高効率に処理を行うことができる。
【００１７】また、内径が被処理基板の外径又は対角長
さのほぼ半分で、外径がほぼ被処理基板の外径又は対角
長さのドーナツ状の範囲の開口率を９０％以上とする
と、高効率にて処理を行うことができる。
さのほぼ半分で、外径がほぼ被処理基板の外径又は対角
長さのドーナツ状の範囲の開口率を９０％以上とする
と、高効率にて処理を行うことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明のプラズマ処理装置
の一実施形態について、図１、図２を参照して説明す
る。
の一実施形態について、図１、図２を参照して説明す
る。
【００１９】図１において、１は真空容器、２はその天
井壁面を構成するように配設された誘電板、３は誘電板
２に反応生成物が付着するのを防止し、またプラズマに
より誘電板２がエッチングされるのを防止するためのヒ
ータである。４は真空容器１内を真空排気する排気手
段、５は真空容器１内に適当なガスを導入するガス導入
手段である。６は真空容器１の誘電板２の上部にその中
央を軸芯として配設されたコイルまたはアンテナで、こ
のコイルまたはアンテナ６の軸芯部にコイルまたはアン
テナ用の高周波電源７が接続されている。８は真空容器
１内に下部に配設された電極で、電極用の高周波電源９
が接続されている。電極８上に被処理基板１０を載置す
るように構成されている。
井壁面を構成するように配設された誘電板、３は誘電板
２に反応生成物が付着するのを防止し、またプラズマに
より誘電板２がエッチングされるのを防止するためのヒ
ータである。４は真空容器１内を真空排気する排気手
段、５は真空容器１内に適当なガスを導入するガス導入
手段である。６は真空容器１の誘電板２の上部にその中
央を軸芯として配設されたコイルまたはアンテナで、こ
のコイルまたはアンテナ６の軸芯部にコイルまたはアン
テナ用の高周波電源７が接続されている。８は真空容器
１内に下部に配設された電極で、電極用の高周波電源９
が接続されている。電極８上に被処理基板１０を載置す
るように構成されている。
【００２０】図２に、ヒータ３に配設されている電熱線
１１のパターンを示す。電熱線１１は、被処理基板１０
の中心の真上を中心とする同心円状に配設されかつ同一
径のものが周方向に断続されている円弧群を有し、かつ
径の異なる円弧の端同士を径方向に接続することによっ
て、分割された各誘電板２毎に連続されている。
１１のパターンを示す。電熱線１１は、被処理基板１０
の中心の真上を中心とする同心円状に配設されかつ同一
径のものが周方向に断続されている円弧群を有し、かつ
径の異なる円弧の端同士を径方向に接続することによっ
て、分割された各誘電板２毎に連続されている。
【００２１】以上の構成において、真空容器１内を排気
手段４にて排気しつつガス導入手段５にて適当なガスを
導入して真空容器１内を適当な圧力に保ちながら、コイ
ルまたはアンテナ６に高周波電源７により高周波電力を
印加すると、誘電板２を介して真空容器１内に電磁波が
導入されてプラズマが発生し、電極８上の被処理基板１
０に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処
理を行うことができる。このとき、電極８にも電極用の
高周波電源９により高周波電圧を印加することで、被処
理基板１０に到達するイオンエネルギーを制御すること
ができる。
手段４にて排気しつつガス導入手段５にて適当なガスを
導入して真空容器１内を適当な圧力に保ちながら、コイ
ルまたはアンテナ６に高周波電源７により高周波電力を
印加すると、誘電板２を介して真空容器１内に電磁波が
導入されてプラズマが発生し、電極８上の被処理基板１
０に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処
理を行うことができる。このとき、電極８にも電極用の
高周波電源９により高周波電圧を印加することで、被処
理基板１０に到達するイオンエネルギーを制御すること
ができる。
【００２２】ここで、コイルまたはアンテナ６は通常円
形であり、電熱線１１の配設パターンを、上記のように
被処理基板１０の中心の真上を中心とする同心円状の円
弧群を有しかつ径の異なる円弧の端同士を径方向に接続
することにより連続させたパターンとしたことにより、
コイル６と電熱線１１が作る角度をヒータ３の全面にわ
たって一定にすることができ、真空容器１内に発生する
プラズマを均一にすることができる。
形であり、電熱線１１の配設パターンを、上記のように
被処理基板１０の中心の真上を中心とする同心円状の円
弧群を有しかつ径の異なる円弧の端同士を径方向に接続
することにより連続させたパターンとしたことにより、
コイル６と電熱線１１が作る角度をヒータ３の全面にわ
たって一定にすることができ、真空容器１内に発生する
プラズマを均一にすることができる。
【００２３】また、本実施形態では、被処理基板１０と
して６８０×８８０ｍｍの矩形ガラス基板を用い、ヒー
タ３については、図２に示すように、平均開口率が９０
％のものを用いた。また、ヒータ３の開口率は、全面で
等分布に配置したものではなく、内径Ｄ1 が６６０ｍ
ｍ、外径Ｄ2 が１２６０ｍｍのドーナツ状の範囲の開口
率を平均よりも高い９２％にしている。６８０×８８０
ｍｍのガラス基板の対角線長さ（最外径）は１１１２ｍ
ｍであるから、内径６６０ｍｍ、外径１２６０ｍｍは最
外径に対してそれぞれ５９．３％、１１３．３％とな
る。
して６８０×８８０ｍｍの矩形ガラス基板を用い、ヒー
タ３については、図２に示すように、平均開口率が９０
％のものを用いた。また、ヒータ３の開口率は、全面で
等分布に配置したものではなく、内径Ｄ1 が６６０ｍ
ｍ、外径Ｄ2 が１２６０ｍｍのドーナツ状の範囲の開口
率を平均よりも高い９２％にしている。６８０×８８０
ｍｍのガラス基板の対角線長さ（最外径）は１１１２ｍ
ｍであるから、内径６６０ｍｍ、外径１２６０ｍｍは最
外径に対してそれぞれ５９．３％、１１３．３％とな
る。
【００２４】被処理基板１０上の４８箇所の測定点での
電子密度を測定した結果、電子密度の平均値は、Ｉsat
＝３．５２ｍＡ／cm2 となり、その４８箇所における均
一性は±１９．９％であった。このときの条件は使用ガ
スはＡｒ＝１０００ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、高周波電力
値は１２ｋＷである。同条件で、誘電板加熱用のヒータ
３を用いないで測定した場合、電子密度の平均値はＩsa
t ＝３．５３ｍＡ／cm 2 、均一性は±２２．２％であっ
たから、ヒータ３が存在しても、損失は０％、、均一性
は２．３％の向上したことになる。
電子密度を測定した結果、電子密度の平均値は、Ｉsat
＝３．５２ｍＡ／cm2 となり、その４８箇所における均
一性は±１９．９％であった。このときの条件は使用ガ
スはＡｒ＝１０００ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、高周波電力
値は１２ｋＷである。同条件で、誘電板加熱用のヒータ
３を用いないで測定した場合、電子密度の平均値はＩsa
t ＝３．５３ｍＡ／cm 2 、均一性は±２２．２％であっ
たから、ヒータ３が存在しても、損失は０％、、均一性
は２．３％の向上したことになる。
【００２５】上記実施形態の説明では、液晶デバイス向
けのドライエッチング装置を例示しが、本発明はこれに
限定されるものではなく、半導体向けのドライエッチン
グ装置、またプラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装置
等のプラズマ処理装置にも同様に適用できる。
けのドライエッチング装置を例示しが、本発明はこれに
限定されるものではなく、半導体向けのドライエッチン
グ装置、またプラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装置
等のプラズマ処理装置にも同様に適用できる。
【００２６】
【発明の効果】本発明のプラズマ処理方法によれば、以
上のように基板の中心の真上を中心とする同心円状に配
設されかつ同一径のものが周方向に断続されている円弧
群を有し、かつ径の異なる円弧の端同士を径方向に接続
することにより分割された各誘電板毎に連続させた電熱
線にて、分割された各誘電板を加熱するので、大型基板
を処理するために複数に分割された誘電板を用いる場合
にもその誘電板への反応生成物の付着を防止でき、かつ
コイルまたはアンテナと電熱線の交差角度が変化しない
ため、均一なプラズマを得て高均一な処理を行うことが
できる。
上のように基板の中心の真上を中心とする同心円状に配
設されかつ同一径のものが周方向に断続されている円弧
群を有し、かつ径の異なる円弧の端同士を径方向に接続
することにより分割された各誘電板毎に連続させた電熱
線にて、分割された各誘電板を加熱するので、大型基板
を処理するために複数に分割された誘電板を用いる場合
にもその誘電板への反応生成物の付着を防止でき、かつ
コイルまたはアンテナと電熱線の交差角度が変化しない
ため、均一なプラズマを得て高均一な処理を行うことが
できる。
【００２７】また、電熱線の配設密度を同心円状に変化
させると、コイルまたはアンテナから発する磁界の強い
部分の配設密度を小さくすることで、効率を向上するこ
とができる。
させると、コイルまたはアンテナから発する磁界の強い
部分の配設密度を小さくすることで、効率を向上するこ
とができる。
【００２８】また、内径が被処理基板の外径又は対角長
さのほぼ半分で、外径がほぼ被処理基板の外径又は対角
長さのドーナツ状の範囲の電熱線の配設密度を他の部分
より小さくすると、高効率にてプラズマ処理を施すこと
ができる。
さのほぼ半分で、外径がほぼ被処理基板の外径又は対角
長さのドーナツ状の範囲の電熱線の配設密度を他の部分
より小さくすると、高効率にてプラズマ処理を施すこと
ができる。
【００２９】また、本発明のプラズマ処理装置によれ
ば、複数の誘電板加熱用のヒータが、基板の中心の真上
を中心とする同心円状に配設されかつ同一径のものが周
方向に断続されている円弧群を有し、かつ径の異なる円
弧の端同士を径方向に接続することにより分割された各
誘電板毎に連続させた電熱線を有するので、コイルまた
はアンテナと電熱線の交差角度が変化せず、均一なプラ
ズマを得て高均一な処理を行うことができる。
ば、複数の誘電板加熱用のヒータが、基板の中心の真上
を中心とする同心円状に配設されかつ同一径のものが周
方向に断続されている円弧群を有し、かつ径の異なる円
弧の端同士を径方向に接続することにより分割された各
誘電板毎に連続させた電熱線を有するので、コイルまた
はアンテナと電熱線の交差角度が変化せず、均一なプラ
ズマを得て高均一な処理を行うことができる。
【００３０】また、ヒータ全体の面積に対して電熱線以
外の部分が占める割合であるヒータの開口率を平均８７
％以上とすると、高効率に処理を行うことができる。
外の部分が占める割合であるヒータの開口率を平均８７
％以上とすると、高効率に処理を行うことができる。
【００３１】また、内径が被処理基板の外径又は対角長
さのほぼ半分で、外径がほぼ被処理基板の外径又は対角
長さのドーナツ状の範囲の開口率を９０％以上とする
と、高効率にて処理を行うことができる。
さのほぼ半分で、外径がほぼ被処理基板の外径又は対角
長さのドーナツ状の範囲の開口率を９０％以上とする
と、高効率にて処理を行うことができる。
【図１】本発明の一実施形態のプラズマ処理装置の縦断
面図である。
面図である。
【図２】同実施形態におけるヒータの電熱線の配設パタ
ーンを示す平面図である。
ーンを示す平面図である。
【図３】従来例のプラズマ処理装置の縦断面図である。
【図４】従来例におけるヒータの電熱線の配設パターン
を示す平面図である。
を示す平面図である。
１ 真空容器
２ 誘電板
３ ヒータ
６ コイルまたはアンテナ
７ 高周波電源
８ 電極
１０ 被処理基板
１１ 電熱線
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ
(72)発明者 三橋 章男
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 BC04 BC06 CA02
CA25 CA47 CA65 DA02 EB01
EB42 FC07 FC15
4K030 FA01 KA22 KA30 LA15
5F004 AA01 AA02 AA15 BA09 BA20
BB11 BB18 CA06
5F045 AA08 AE01 BB02 BB14 DP03
DQ10 EB06 EH02 EH03 EH11
EK07 EK08
Claims (6)
- 【請求項１】 コイルまたはアンテナに高周波電圧を印
加し、複数に分割された誘電板を介して真空容器内に電
磁波を導入することによりプラズマを発生させ、基板を
処理するプラズマ処理方法において、基板の中心の真上
を中心とする同心円状に配設されかつ同一径のものが周
方向に断続されている円弧群を有しかつ径の異なる円弧
の端同士を径方向に接続することにより分割された各誘
電板毎に連続させた電熱線にて、分割された各誘電板を
加熱することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項２】 電熱線の配設密度を同心円状に変化させ
ることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 【請求項３】 内径が被処理基板の外径又は対角長さの
ほぼ半分で、外径がほぼ被処理基板の外径又は対角長さ
のドーナツ状の範囲の電熱線の配設密度を他の部分より
小さくすることを特徴とする請求項２記載のプラズマ処
理方法。 - 【請求項４】 高周波電源と、高周波電源より高周波電
圧が印加されるコイルまたはアンテナと、コイルまたは
アンテナに対向する壁面が複数に分割された誘電板にて
構成された真空容器と、被処理基板を載置するように真
空容器内に配置された電極と、複数の誘電板加熱用のヒ
ータとを備え、ヒータは、基板の中心の真上を中心とす
る同心円状に配設されかつ同一径のものが周方向に断続
されている円弧群を有しかつ径の異なる円弧の端同士を
径方向に接続することにより分割された各誘電板毎に連
続させた電熱線を有することを特徴とするプラズマ処理
装置。 - 【請求項５】 ヒータ全体の面積に対して電熱線以外の
部分が占める割合であるヒータの開口率を、平均８７％
以上としたことを特徴とする請求項４記載のプラズマ処
理装置。 - 【請求項６】 内径が被処理基板の外径又は対角長さの
ほぼ半分で、外径がほぼ被処理基板の外径又は対角長さ
のドーナツ状の範囲の開口率を９０％以上としたことを
特徴とする請求項５記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001237379A JP3949405B2 (ja) | 2001-08-06 | 2001-08-06 | プラズマ処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001237379A JP3949405B2 (ja) | 2001-08-06 | 2001-08-06 | プラズマ処理方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003051492A true JP2003051492A (ja) | 2003-02-21 |
| JP3949405B2 JP3949405B2 (ja) | 2007-07-25 |
Family
ID=19068471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001237379A Expired - Fee Related JP3949405B2 (ja) | 2001-08-06 | 2001-08-06 | プラズマ処理方法及び装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3949405B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1027782A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| JPH10256238A (ja) * | 1997-03-17 | 1998-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| JPH1145878A (ja) * | 1997-07-28 | 1999-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
-
2001
- 2001-08-06 JP JP2001237379A patent/JP3949405B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH10256238A (ja) * | 1997-03-17 | 1998-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3949405B2 (ja) | 2007-07-25 |
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