JP2003024773A

JP2003024773A - プラズマ処理方法及び装置

Info

Publication number: JP2003024773A
Application number: JP2001219535A
Authority: JP
Inventors: Kiyohiko Takagi; 清彦高木; Akio Mihashi; 章男三橋; Naoshi Yamaguchi; 直志山口; Akihisa Okazaki; 晃九岡崎; Riyuuzou Houchin; 隆三宝珍
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-07-19
Filing date: 2001-07-19
Publication date: 2003-01-28

Abstract

(57)【要約】【課題】高密度プラズマを大面積において均一に発生
させることができるプラズマ処理方法及び装置を提供す
る。【解決手段】真空容器１と、真空容器１を排気する真
空ポンプ３と、真空容器１内にガスを供給する手段４
と、真空容器１外に配置されたコイルまたはアンテナ５
と、コイルまたはアンテナ５に高周波電圧を印加する高
周波電源６と、真空容器１内にコイルまたはアンテナに
対向するように配設された下部電極７とを備えたプラズ
マ処理装置であって、コイルまたはアンテナ５を、１又
は複数の導体を平面または非平面の渦巻き状に巻回し、
かつ各エリア１１、１１’内でそれぞれ隣合う導体間の
間隔Ｌ１、Ｌ１’をほぼ同一にした複数のエリア１１、
１１’を、何れのエリアにおける導体間の間隔とも異な
る間隔Ｌ２をあけて形成して成る構成とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体、液晶など
の電子デバイスの製造に利用されるドライエッチング、
スパッタリング、ＣＶＤ等のプラズマ処理方法及び装置
に関し、特にコイルまたはアンテナに高周波電力を印加
してプラズマを発生させるプラズマ処理方法及び装置に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体、液晶などの電子デバイスの微細
化に対応するためには高密度プラズマの利用が重要であ
る。コイルまたはアンテナに高周波電力を印加すること
によってプラズマを発生させる場合、より高密度にプラ
ズマを得るためには、プラズマ発生に必要な誘導磁場強
度を大きくするため、コイルまたはアンテナに流れる電
流を増大させることが必要である。

【０００３】そのため、コイルを並列配置すること等に
より高周波電力を効率良く供給し、コイルまたはアンテ
ナに流れる電流を増大させ、高密度なプラズマを発生さ
せている。

【０００４】従来のプラズマ処理装置の構成を図６、図
７を参照して説明すると、２１は真空容器、２２は真空
容器２１の天井壁を構成する誘電体板、２３は真空容器
２１内を真空排気する真空ポンプ、２４は真空容器２１
内にガスを供給するガス供給手段、２５は誘電体板２２
上に配設されたプラズマソース用のコイルまたはアンテ
ナ、２６はコイルまたはアンテナ用の高周波電源、２７
は真空容器２１内の下部にコイルまたはアンテナ２５に
対向して配設された下部電極、２８は下部電極用高周波
電源、３０は下部電極２７上に載置される基板、２９は
基板３０の周囲に配設された均一化リングである。コイ
ルまたはアンテナ２５は、図７に示すように、１又は複
数（図示例では８本）の導体を渦巻き状に巻回して成
り、かつ真空容器２１及び誘電体板２２の外周部に均等
な間隔Ｌで渦巻き状に巻回した部分３１を配設した構成
とされている。

【０００５】以上の構成において、真空容器２１内にガ
ス供給手段２４により所定流量のガスを導入しつつ真空
ポンプ２３により排気して真空容器２１内を所定の圧力
に保ちながら、コイルまたはアンテナ２５及び下部電極
２７に高周波電力を供給すると、真空容器２１内にプラ
ズマが発生し、下部電極２７上に載置された基板３０に
対してプラズマ処理が行われる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年は
処理すべき基板３０の大型化が進んでおり、それに伴っ
てコイルまたはアンテナ２５も大型化し、そのためコイ
ルまたはアンテナ２５の長さが増大し、インダクタンス
が大きくなることにより、効率良く大電流を流すことが
困難になってきている。

【０００７】また、発生したプラズマの密度が基板３０
の全面で不均一であると、プラズマ処理自体が不均一に
なり、製造される電子デバイスの性能劣化を引き起こす
原因となる。これまでのような比較的小さな基板３０の
処理においてはプラズマ密度を均一にすることは比較的
容易であったが、大面積の基板３０において全面に均一
なプラズマを発生させることは困難である。

【０００８】つまり、高密度なプラズマを生成すること
と、大面積においてプラズマ密度を均一にすることが、
今後の電子デバイスの製造にとって重要な要因となる。

【０００９】しかし、従来の構成では、プラズマ発生に
必要な強い誘導磁場を広範囲に均一にすることが困難で
あり、高密度プラズマを大面積において均一に発生させ
ることが困難であるという問題がある。

【００１０】本発明は、上記従来の問題に鑑み、高密度
プラズマを大面積において均一に発生させることができ
るプラズマ処理方法及び装置を提供することを目的とし
ている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ処理方
法は、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気
し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、コイルま
たはアンテナに高周波電圧を印加することにより真空容
器内にプラズマを発生させ、コイルまたはアンテナに対
向して真空容器内に配設された電極上の基板を処理する
プラズマ処理方法であって、１又は複数の導体を平面ま
たは非平面の渦巻き状に巻回して成り、かつ各エリア内
でそれぞれ隣合う導体間の間隔をほぼ同一にした複数の
エリアを、何れのエリアにおける導体間の間隔とも異な
る間隔をあけて形成して成るコイルまたはアンテナに高
周波電圧を印加するものであり、導体間の間隔がほぼ同
一のエリアを流れる方向のそろった電流により発生す
る、強度及び方向のそろった誘導磁場によって高密度な
プラズマを発生させることができ、かつこのエリアを、
各エリアにおける導体間の間隔とは異なる間隔をあけて
複数形成しているため、コイルまたはアンテナを構成す
る導体の長さを長くすることなく、従って効率良く大電
流を流して高密度のプラズマを形成しながら広い範囲で
均一なプラズマを得ることができる。ここで、各エリア
における導体間の間隔は同一であっても、互いに異なっ
ていてもよい。

【００１２】なお、導体間の間隔がほぼ同一とは、作用
に大きく影響を与えない程度の間隔のばらつきは許容さ
れることを意味し、実際上±１０％程度の間隔のばらつ
きは許容される。

【００１３】また、他のプラズマ処理方法は、１又は複
数の導体を平面または非平面の渦巻き状に巻回して成り
かつ径方向に異なるエリアで抵抗値またはインダクタン
スを変化させたコイルまたはアンテナに高周波電圧を印
加するものであり、コイルまたはアンテナにおける径方
向のエリアの間で流れる電流値をコントロールすること
ができ、プラズマ密度及びその均一性のコントロールが
可能となり、広い範囲で均一なプラズマを得ることがで
きる。

【００１４】また、別のプラズマ処理方法は、直径の異
なる複数の円弧部材を同心状に配設して成るコイルまた
はアンテナに高周波電圧を印加するものであり、各円弧
部材の長さは渦巻き状に巻回する場合に比して短いため
に効率良く大電流を流して高密度のプラズマを形成でき
るとともに、同心状に配設しているため、配設間隔を適
切に設定することで広い範囲で均一なプラズマを得るこ
とができる。

【００１５】また、本発明のプラズマ処理装置は、真空
容器と、真空容器の排気手段と、真空容器内にガスを供
給する手段と、真空容器外に配置されたコイルまたはア
ンテナと、コイルまたはアンテナに高周波電圧を印加す
る高周波電源と、真空容器内にコイルまたはアンテナに
対向するように配設された電極とを備えたプラズマ処理
装置であって、コイルまたはアンテナを、１又は複数の
導体を平面または非平面の渦巻き状に巻回し、かつ各エ
リア内でそれぞれ隣合う導体間の間隔をほぼ同一にした
複数のエリアを、何れのエリアにおける導体間の間隔と
も異なる間隔をあけて形成して成る構成としたものであ
り、上記方法を実施して効率良く大電流を流して高密度
のプラズマを形成しながら広い範囲で均一なプラズマを
得ることができる。

【００１６】また、各エリアにおける導体間の間隔を、
エリア間の間隔よりも狭くし、また各エリアにおける導
体間の間隔を、エリア間の間隔の８０％以下とするのが
好ましい。

【００１７】また、他のプラズマ処理装置は、コイルま
たはアンテナを、１又は複数の導体を平面または非平面
の渦巻き状に巻回して構成し、かつ径方向に異なるエリ
アでコイルまたはアンテナの抵抗値またはインダクタン
スを変化させたものであり、上記方法を実施して広い範
囲で均一なプラズマを得ることができる。

【００１８】コイルまたはアンテナの抵抗値またはイン
ダクタンスの変化は、コイルまたはアンテナの材質を異
ならせ、またはコイルまたはアンテナの断面積を異なら
せ、またはコイルまたはアンテナの積層数を異ならせ、
またはコイルまたはアンテナの表面処理を異ならせて実
施するのが好適である。

【００１９】また、別のプラズマ処理装置は、コイルま
たはアンテナを、直径の異なる複数の円弧部材を同心状
に配設して構成したものであり、上記方法を実施して高
密度てかつ広い範囲で均一なプラズマを得ることができ
る。

【００２０】また、各円弧部材の一端を導電体で接続し
て高周波電力の印加部とし、各円弧部材の他端を導電体
で接続して接地し、また印加部のインダクタンスを各円
弧部材のインダクタンスより小さくし、また各円弧部材
のインダクタンスをほぼ同一とすると、より効果的であ
る。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明のプラズマ処理装置
の実施形態について、図１〜図４を参照して説明する。

【００２２】（第１の実施形態）本発明の第１の実施形
態のプラズマ処理装置について、図１、図２を参照して
説明する。

【００２３】図１において、１は真空容器、２は真空容
器１の天井壁を構成する誘電体板、３は真空容器１内を
真空排気する真空ポンプ、４は真空容器１内にガスを供
給するガス供給手段である。５は誘電体板２上に配設さ
れたプラズマソース用のコイルまたはアンテナ、６はコ
イルまたはアンテナ用の高周波電源である。７は真空容
器１内の下部に配設された下部電極、８は下部電極用の
高周波電源、１０は下部電極７上に載置される基板であ
る。９は基板１０の周囲に配設された均一化リングであ
る。

【００２４】コイルまたはアンテナ５は、１又は複数の
縦長矩形断面の導体を一平面上で渦巻き状に巻回し、か
つ各エリア１１、１１’においてそれぞれ隣合う導体間
の間隔がほぼ同一のＬ１、Ｌ１’となっている複数のエ
リア１１、１１’を、これら各エリア１１、１１’にお
ける導体間の間隔Ｌ１、Ｌ１’より広い間隔Ｌ２をあけ
て形成して構成されている。なお、各エリア１１、１
１’における導体間の間隔Ｌ１、Ｌ１’は同一であって
も、互いに異なっていてもよい。

【００２５】以上の構成において、真空容器１内にガス
供給手段４により所定流量のガスを導入しつつ真空ポン
プ３により排気して真空容器１内を所定の圧力に保ちな
がら、コイルまたはアンテナ５及び下部電極７に高周波
電力を供給すると、真空容器１内にプラズマが発生し、
下部電極７上に載置された基板１０に対してプラズマ処
理が行われる。

【００２６】その際に、間隔がそれぞれほぼ同一の第１
の間隔Ｌ１、Ｌ１’となっているエリア１１、１１’を
流れる方向のそろった電流により発生する、強度及び方
向のそろった誘導磁場によって高密度なプラズマが発生
され、かつこれらのエリア１１、１１’を、各エリア１
１、１１’における導体間の間隔Ｌ１、Ｌ１’よりも大
きい間隔Ｌ２をあけて複数形成しているため、コイルま
たはアンテナを構成している導体の長さを長くすること
なく、従って効率良く大電流を流して高密度のプラズマ
を形成しながら広い範囲で均一なプラズマを得ることが
できる。

【００２７】具体例について説明すると、コイルまたは
アンテナ５として、各エリア１１、１１’における導体
間の間隔Ｌ１、Ｌ１’を１０ｍｍ、エリア１１、１１’
間の間隔Ｌ２を４０ｍｍとしたものについて、大型の基
板１０に相当する６００×７２０ｍｍの範囲の４２ポイ
ントにおける下部電極７の直上の飽和イオン電流（Ｉsa
t ）を専用の測定器を用いて測定した。その結果を、図
２（ａ）に示す。また、比較のため、図６に示した従来
例の構成における間隔Ｌを１０ｍｍとするとともにコイ
ルまたはアンテナ５の長さを同じにしたものについて、
同様に測定した結果を図２（ｂ）に示す。ここで、飽和
イオン電流（Ｉsat ）を測定したのは、プラズマ密度は
このＩsat から計算で求めることができ、かつ測定器で
容易に測定することができることによる。ここでは、Ｌ
１とＬ１’を同一にして行ったが、Ｌ１とＬ１’が異な
る場合でも、Ｌ１、Ｌ１’がＬ２の８０％以下である場
合は、同様の効果が得られる。

【００２８】以上のように、本実施形態のコイル５にお
いては、従来例のコイル２５に比較して、外周部のＩsa
t はほぼ同等で、中央部のＩsat が向上している。これ
は、比較的内周部にも間隔Ｌ１のエリアを配設した結果
であると言える。こうして、内周部のＩsat が向上した
ことにより、全体的に均一性が向上している。

【００２９】なお、コイル５の内周部から外周部の範囲
の全体で、間隔がほぼ同一の第１の間隔Ｌ１になるよう
にした場合には、結果的にコイル５を構成する導体の長
さが長くなるため、全体的に誘導磁場が低下し、プラズ
マ密度を低下させることになる。

【００３０】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態のプラズマ処理装置について、図３を参照して
説明する。なお、第１の実施形態と同一の構成要素につ
いては同一参照符号を付して説明を省略し、相違点のみ
を説明する。

【００３１】図３において、本実施形態では、間隔がほ
ぼ同一の第１の間隔Ｌ１のエリア１１を外周部に配設し
た下部のコイルまたはアンテナ１２と、同エリア１１を
内周部に配設した上部のコイルまたはアンテナ１３にて
コイルまたはアンテナを構成するとともに、これらの下
部と上部のコイルまたはアンテナ１２、１３を高周波電
源６に並列接続している。そして、これら下部のコイル
またはアンテナ１２と上部のコイルまたはアンテナ１３
の抵抗値またはインダクタンスを、適宜に変化させて設
定している。

【００３２】コイルまたはアンテナ１２、１３の抵抗値
またはインダクタンスは、これらを構成する導体の材質
を異ならせ、または導体の断面積を異ならせ、または導
体の積層数を異ならせ、または導体の表面処理を異なら
せることによって変化させることができる。

【００３３】具体例では、下部のコイルまたはアンテナ
１２は、導体の材質が銅、その断面積が２１ｍｍ²、導
体は２枚積層構成で、表面処理は銀メッキ１５μｍのも
のを用い、上部のコイルまたはアンテナ１３は、導体の
材質が銅、その断面積が１５ｍｍ²、導体は２枚積層構
成で、表面処理は銀メッキ１０μｍのものを用いてい
る。なお、導体は、単体の場合と上記のように積層した
ものがあり、積層構成とすることで、表面積が増加して
高周波電流に対するインダクタンスを低下することがで
きる。

【００３４】本実施形態においては、外周部にエリア１
１を有する下部のコイルまたはアンテナ１２と、内周部
にエリア１１を有する上部のコイルまたはアンテナ１３
で、それらのエリア１１を流れる電流値をコントロール
することができ、プラズマ密度及びその均一性のコント
ロールが可能となり、広い範囲で均一なプラズマを得る
ことができる。

【００３５】（第３の実施形態）次に、本発明の第３の
実施形態のプラズマ処理装置について、図４、図５を参
照して説明する。なお、第１の実施形態と同一の構成要
素については同一参照符号を付して説明を省略し、相違
点のみを説明する。

【００３６】図４、図５において、本実施形態のコイル
またはアンテナ１４は、直径の異なる複数の円弧部材１
５を同心状に配設して構成している。各円弧部材１５の
一端を導電体１７で接続して印加部１６とし、この印加
部１６に高周波電源６を接続し、各円弧部材１５の他端
も導電体１８で接続して接地している。また、印加部１
６のインダクタンスは、各円弧部材１５のインダクタン
スより小さくしている。さらに、本実施形態では各円弧
部材１５の長さは異なってもインダクタンスがほぼ同一
となるように構成している。

【００３７】本実施形態においては、各円弧部材１５の
長さが、上記実施形態のように渦巻き状に巻回した場合
に比して短いために効率良く大電流を流して高密度のプ
ラズマを形成することができるとともに、各円弧部材１
５を同心状に配設しているため、配設間隔を適切に設定
することで広い範囲で均一なプラズマを得ることができ
る。

【００３８】また、印加部１６のインダクタンスを各円
弧部材１５のインダクタンスより小さくしているので、
印加部１６から接続位置の異なる各円弧部材１５に対し
て均等に電流を流すことができ、また各円弧部材１５の
インダクタンスをほぼ同一としているので、各円弧部材
１５を均等配置して広い範囲で均一なプラズマを得るこ
とができる。

【００３９】

【発明の効果】本発明のプラズマ処理方法及び装置によ
れば、以上のように１又は複数の導体を平面または非平
面の渦巻き状に巻回して成り、かつ各エリア内でそれぞ
れ隣合う導体間の間隔をほぼ同一にした複数のエリア
を、何れのエリアにおける導体間の間隔とも異なる間隔
をあけて形成して成るコイルまたはアンテナに高周波電
圧を印加するようにしたので、間隔がほぼ同一のエリア
を流れる電流により発生する誘導磁場によって高密度な
プラズマを発生させることができ、かつこのエリアを、
各エリアにおける導体間の間隔とは異なる間隔をあけて
複数形成しているため、コイルまたはアンテナを構成す
る導体の長さを長くすることなく、従って効率良く大電
流を流して高密度のプラズマを形成しながら広い範囲で
均一なプラズマを得ることができる。

【００４０】また、他のプラズマ処理方法及び装置によ
れば、１又は複数の導体を平面または非平面の渦巻き状
に巻回して成りかつ径方向に異なるエリアで抵抗値また
はインダクタンスを変化させたコイルまたはアンテナに
高周波電圧を印加するようにしたので、コイルまたはア
ンテナにおける径方向のエリアの間で流れる電流値をコ
ントロールすることができ、プラズマ密度及びその均一
性のコントロールが可能となり、広い範囲で均一なプラ
ズマを得ることができる。

【００４１】また、別のプラズマ処理方法及び装置によ
れば、直径の異なる複数の円弧部材を同心状に配設して
成るコイルまたはアンテナに高周波電圧を印加するよう
にしたので、各円弧部材の長さは渦巻き状に巻回する場
合に比して短いために効率良く大電流を流して高密度の
プラズマを形成できるとともに、同心状に配設している
ため、配設間隔を適切に設定することで広い範囲で均一
なプラズマを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態のプラズマ処理装置の
縦断面図である。

【図２】同実施形態と従来例における飽和イオン電流の
分布図である。

【図３】本発明の第２の実施形態のプラズマ処理装置の
縦断面図である。

【図４】本発明の第３の実施形態のプラズマ処理装置の
縦断面図である。

【図５】同実施形態のプラズマ処理装置の上部構成図で
ある。

【図６】従来例のプラズマ処理装置の縦断面図である。

【図７】同従来例のプラズマ処理装置の上部構成を示す
平面図である。

【符号の説明】

１真空容器３真空ポンプ（排気手段）４ガス供給手段５コイルまたはアンテナ６高周波電源７下部電極１０基板１１エリア１２下部のコイルまたはアンテナ１３上部のコイルまたはアンテナ１４コイルまたはアンテナ１５円弧部材１６印加部１７導電体１８導電体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山口直志大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者岡崎晃九大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者宝珍隆三大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 BC02 BC04 BC06 CA25 DA02 EB01 EB42 EC21 EE02 EE24 FB02 FC11 FC15 4K030 FA04 KA15 KA30 KA46 5F004 AA01 BA06 BA20 BB13 BB18 BB29

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空容器内にガスを供給しつつ真空容器
内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、
コイルまたはアンテナに高周波電圧を印加することによ
り真空容器内にプラズマを発生させ、コイルまたはアン
テナに対向して真空容器内に配設された電極上の基板を
処理するプラズマ処理方法であって、１又は複数の導体
を平面または非平面の渦巻き状に巻回して成り、かつ各
エリア内でそれぞれ隣合う導体間の間隔をほぼ同一にし
た複数のエリアを、何れのエリアにおける導体間の間隔
とも異なる間隔をあけて形成して成るコイルまたはアン
テナに高周波電圧を印加することを特徴とするプラズマ
処理方法。
【請求項２】真空容器内にガスを供給しつつ真空容器
内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、
コイルまたはアンテナに高周波電圧を印加することによ
り真空容器内にプラズマを発生させ、コイルまたはアン
テナに対向して真空容器内に配設された電極上の基板を
処理するプラズマ処理方法であって、１又は複数の導体
を平面または非平面の渦巻き状に巻回して成りかつ径方
向に異なるエリアで抵抗値またはインダクタンスを変化
させたコイルまたはアンテナに高周波電圧を印加するこ
とを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】真空容器内にガスを供給しつつ真空容器
内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、
コイルまたはアンテナに高周波電圧を印加することによ
り真空容器内にプラズマを発生させ、コイルまたはアン
テナに対向して真空容器内に配設された電極上の基板を
処理するプラズマ処理方法であって、直径の異なる複数
の円弧部材を同心状に配設して成るコイルまたはアンテ
ナに高周波電圧を印加することを特徴とするプラズマ処
理方法。
【請求項４】真空容器と、真空容器の排気手段と、真
空容器内にガスを供給する手段と、真空容器外に配置さ
れたコイルまたはアンテナと、コイルまたはアンテナに
高周波電圧を印加する高周波電源と、真空容器内にコイ
ルまたはアンテナに対向するように配設された電極とを
備えたプラズマ処理装置であって、コイルまたはアンテ
ナを、１又は複数の導体を平面または非平面の渦巻き状
に巻回し、かつ各エリア内でそれぞれ隣合う導体間の間
隔をほぼ同一にした複数のエリアを、何れのエリアにお
ける導体間の間隔とも異なる間隔をあけて形成して成る
構成としたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】各エリアにおける導体間の間隔を、エリ
ア間の間隔よりも狭くしたことを特徴とする請求項４記
載のプラズマ処理装置。
【請求項６】各エリアにおける導体間の間隔を、エリ
ア間の間隔の８０％以下としたことを特徴とする請求項
５記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】真空容器と、真空容器の排気手段と、真
空容器内にガスを供給する手段と、真空容器外に配置さ
れたコイルまたはアンテナと、コイルまたはアンテナに
高周波電圧を印加する高周波電源と、真空容器内にコイ
ルまたはアンテナに対向するように配設された電極とを
備えたプラズマ処理装置であって、コイルまたはアンテ
ナを、１又は複数の導体を平面または非平面の渦巻き状
に巻回して構成し、かつ径方向に異なるエリアでコイル
またはアンテナの抵抗値またはインダクタンスを変化さ
せたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】導体の材質を異ならせて抵抗値またはイ
ンダクタンスを変化させたことを特徴とする請求項７記
載のプラズマ処理装置。
【請求項９】導体の断面積を異ならせて抵抗値または
インダクタンスを変化させたことを特徴とする請求項７
記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】導体の積層数を異ならせて抵抗値また
はインダクタンスを変化させたことを特徴とする請求項
７記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】導体の表面処理を異ならせて抵抗値ま
たはインダクタンスを変化させたことを特徴とする請求
項７記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】真空容器と、真空容器の排気手段と、
真空容器内にガスを供給する手段と、真空容器外に配置
されたコイルまたはアンテナと、コイルまたはアンテナ
に高周波電圧を印加する高周波電源と、真空容器内にコ
イルまたはアンテナに対向するように配設された電極と
を備えたプラズマ処理装置であって、コイルまたはアン
テナを、直径の異なる複数の円弧部材を同心状に配設し
て構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１３】各円弧部材の一端を導電体で接続して
高周波電力の印加部とし、各円弧部材の他端を導電体で
接続して接地したことを特徴とする請求項１２記載のプ
ラズマ処理装置。
【請求項１４】印加部のインダクタンスを各円弧部材
のインダクタンスより小さくしたことを特徴とする請求
項１３記載のプラズマ処理装置。
【請求項１５】各円弧部材のインダクタンスをほぼ同
一としたことを特徴とする請求項１４記載のプラズマ処
理装置。