JPS61150219A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置Info
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- JPS61150219A JPS61150219A JP27089584A JP27089584A JPS61150219A JP S61150219 A JPS61150219 A JP S61150219A JP 27089584 A JP27089584 A JP 27089584A JP 27089584 A JP27089584 A JP 27089584A JP S61150219 A JPS61150219 A JP S61150219A
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、マイクロ波プラズマ処理装置に関する−もの
である。
である。
マイクロ波プラズマ処理装置では、２．４５ ＧＨｚの
マイクロ波と９００ガウス程度の磁場によって電子のサ
イクロトロン共鳴運動を引起こしてプラズマを発生させ
る。このため、例えば、１３．５６ＭＨｚ の高周波
電力を印加する平行平板型プラズマ処理装置に比べてプ
ラズマ密度、電離度が数桁高くなり、また、１０−３〜
Ｉ Ｏ−’ Ｔｏｒｒという高真空下で放電できること
から高選択比、異方性。
マイクロ波と９００ガウス程度の磁場によって電子のサ
イクロトロン共鳴運動を引起こしてプラズマを発生させ
る。このため、例えば、１３．５６ＭＨｚ の高周波
電力を印加する平行平板型プラズマ処理装置に比べてプ
ラズマ密度、電離度が数桁高くなり、また、１０−３〜
Ｉ Ｏ−’ Ｔｏｒｒという高真空下で放電できること
から高選択比、異方性。
均一性プラズマ処理が可能である。（特公昭５６−３７
３１１号公報、特公昭５９−５３４３０号公報） しかし、従来のマイクロ波プラズマ処理装置では、例え
ば、マイクロ波パワーを低くするとマイクロ波による電
場の不均一性のために、処理の均一性が低下し、また、
・放電圧力を高くすると低マイクロ波パワーの影響をよ
り一層受は処理の均一性が更に低下するといった問題が
あ゛る。
３１１号公報、特公昭５９−５３４３０号公報） しかし、従来のマイクロ波プラズマ処理装置では、例え
ば、マイクロ波パワーを低くするとマイクロ波による電
場の不均一性のために、処理の均一性が低下し、また、
・放電圧力を高くすると低マイクロ波パワーの影響をよ
り一層受は処理の均一性が更に低下するといった問題が
あ゛る。
本発明の目的は、マイクロ波パワー、放電圧力等によら
ず試料の被処理面上での放電を均一にすることで、マイ
クロ波パワー、放電圧力等の影響を受けずに処理の均一
性の低下を防止できるマイクロ波プラズマ処理装置を提
供することにある。
ず試料の被処理面上での放電を均一にすることで、マイ
クロ波パワー、放電圧力等の影響を受けずに処理の均一
性の低下を防止できるマイクロ波プラズマ処理装置を提
供することにある。
本発明は、マイクロ波による電場と該電場と直交する磁
場とにより引起こされる電子のサイクロトロン共鳴運動
により発生するプラズマを用いて処理される試料の被処
理面上の前記電場の分布をコントロールする手段を具備
したことを特徴とするもので、試料の被処理面上の電場
分布をコントロールすることで、マイクロ波パワー、放
電圧力等によらず試料の被処理面上での放電を均一にす
るようにしたものである。
場とにより引起こされる電子のサイクロトロン共鳴運動
により発生するプラズマを用いて処理される試料の被処
理面上の前記電場の分布をコントロールする手段を具備
したことを特徴とするもので、試料の被処理面上の電場
分布をコントロールすることで、マイクロ波パワー、放
電圧力等によらず試料の被処理面上での放電を均一にす
るようにしたものである。
マイクロ波プラズマ処理装置では、試料の中心を軸にし
て空芯ソレノイドコイルと円形導波管とを設置して処理
の均一性を高くするようにしているが、しかし、部品加
工や組立上の誤差が積み重なるため、どうしても磁場や
電場が不均一になる。
て空芯ソレノイドコイルと円形導波管とを設置して処理
の均一性を高くするようにしているが、しかし、部品加
工や組立上の誤差が積み重なるため、どうしても磁場や
電場が不均一になる。
この現象は、低マイクロ波パワー、即ち、低電場にて顕
著に現われる。そこで、磁場や１を場を動かすことが考
えられるが、磁場については、構造上複雑で固難なため
、本発明では、電場を動かすことにした。
著に現われる。そこで、磁場や１を場を動かすことが考
えられるが、磁場については、構造上複雑で固難なため
、本発明では、電場を動かすことにした。
即ち、試料の被処理面上の電場分布をコントロールする
手段、例えば、外径φ６のアルミニウム製の導体棒な試
料の被処理面に対して直角に位置策 する円形導波管の円周位置に配置してその中にＺ込んだ
ところ試料の被処理面上の放電状態を自由に変化させる
ことができた。
手段、例えば、外径φ６のアルミニウム製の導体棒な試
料の被処理面に対して直角に位置策 する円形導波管の円周位置に配置してその中にＺ込んだ
ところ試料の被処理面上の放電状態を自由に変化させる
ことができた。
以下、本発明の一実施例をｆｉ１図〜第４図により説明
する。
する。
＠１図、第２図で、マグネトロン１で発生した２、 ４
５ Ｇ Ｈｚのマイクロ波は、アイソレータ２を介し矩
形導波￥ｆ：３および円形導波管４を伝わって絶縁性材
料で形成された放電管７の中に吸収される。
５ Ｇ Ｈｚのマイクロ波は、アイソレータ２を介し矩
形導波￥ｆ：３および円形導波管４を伝わって絶縁性材
料で形成された放電管７の中に吸収される。
一方、空芯ソレノイドコイル５．６には電子のサイクロ
トロン共鳴運動を引起こすのに必要な電流が印加される
。真空室１０は真空排気装置１１を用い、−例として処
理ガス８Ｆ６にて放電圧力１０ｍＴｏｒｒに維持されて
いる。真空室１０のＳＦ６は、電子のサイクロトロン共
鳴運動によってプラズマ化される。
トロン共鳴運動を引起こすのに必要な電流が印加される
。真空室１０は真空排気装置１１を用い、−例として処
理ガス８Ｆ６にて放電圧力１０ｍＴｏｒｒに維持されて
いる。真空室１０のＳＦ６は、電子のサイクロトロン共
鳴運動によってプラズマ化される。
真空室１０内の試料台９上に被処理面上向姿勢で設置さ
れた試料８の被処理面はプラズマを用いて、この場合、
エツチング処理される。円形導波管４の円周位置に配置
された導体棒１２ａ〜１２ ｄを、試料８のエツチング
処理時に円形導波管４の中に差込むことで、試料８の被
処理面上の放電は均一にコントロールされる。
れた試料８の被処理面はプラズマを用いて、この場合、
エツチング処理される。円形導波管４の円周位置に配置
された導体棒１２ａ〜１２ ｄを、試料８のエツチング
処理時に円形導波管４の中に差込むことで、試料８の被
処理面上の放電は均一にコントロールされる。
例えば、エツチング処理条件として、マイクロ波パワー
を１００Ｗ、放電圧力を１０ ｍＴｏｒｒ 、処理ガス
を８Ｆ６．処理ガス流量を７ｏｓｃｃＭとし、また、１
１体棒１２ ａ〜１２ ｄの円形導波管４中への差込み
深さを第３図のように、導体棒１２ ａで５龍。
を１００Ｗ、放電圧力を１０ ｍＴｏｒｒ 、処理ガス
を８Ｆ６．処理ガス流量を７ｏｓｃｃＭとし、また、１
１体棒１２ ａ〜１２ ｄの円形導波管４中への差込み
深さを第３図のように、導体棒１２ ａで５龍。
導体棒１２ｂで１０ｍｍ＋導体棒１２ ｃで１７ｍｍ＋
導体棒１２ｄで２０龍として単結晶シリコンをエツチン
グ処理した結果、第４図に示すように、エツチング処理
の均一性として±１．８％を得ることができた。
導体棒１２ｄで２０龍として単結晶シリコンをエツチン
グ処理した結果、第４図に示すように、エツチング処理
の均一性として±１．８％を得ることができた。
本実施例では、円形導波管の円周位ｍに４本配置された
導体棒の円形導波管中への差込み深さを調整することで
、マイクロ波パワー、放電圧力等によらず試料の被処理
面上の放電を均一にコントロールできるので、マイクロ
波パワー、放電圧力等の影響を受けずにエツチング処理
の均一性の低下を防止できる。
導体棒の円形導波管中への差込み深さを調整することで
、マイクロ波パワー、放電圧力等によらず試料の被処理
面上の放電を均一にコントロールできるので、マイクロ
波パワー、放電圧力等の影響を受けずにエツチング処理
の均一性の低下を防止できる。
なお、本実施例では、円形導波管中に導体棒な４本差込
んでいるが、これに特に限定されるものではなく、マイ
クロ波を導く導波管中に試料の被処理面上の電場分布を
コントロール可能に導体棒な本数に依らず差込むように
すればよい。
んでいるが、これに特に限定されるものではなく、マイ
クロ波を導く導波管中に試料の被処理面上の電場分布を
コントロール可能に導体棒な本数に依らず差込むように
すればよい。
本発明は、以上説明したように、マイクロ波パワー、放
電圧力等によらず試料の被処理面上での放電を均一にで
きるので、マイクロ波パワー、放電圧力等の影響を受け
ずに処理の均一性の低下を防止できるという効果がある
。
電圧力等によらず試料の被処理面上での放電を均一にで
きるので、マイクロ波パワー、放電圧力等の影響を受け
ずに処理の均一性の低下を防止できるという効果がある
。
第１図は、本発明によるマイクロ波プラズマ処理装置の
一実施例を示す構成図、第２図は、第１図の平面図、第
３図は、第２図での導体棒の差込み状態図、第４図は、
第１図のマイクロ波プラズマ処理装置を使用し得た試料
内のＸ軸、ｙ軸方向のシリコツエッチレート分布図であ
る。 １・・・・・・マグネトロン、４・・・・・・円形導波
管、５゜６・・・・・・空芯ソレノイドコイル、７・曲
・放電管、８・・・・・・試料、１０・・・・・・真空
室、１２ ａないし１２ｄ・・曲導弗 体漸
一実施例を示す構成図、第２図は、第１図の平面図、第
３図は、第２図での導体棒の差込み状態図、第４図は、
第１図のマイクロ波プラズマ処理装置を使用し得た試料
内のＸ軸、ｙ軸方向のシリコツエッチレート分布図であ
る。 １・・・・・・マグネトロン、４・・・・・・円形導波
管、５゜６・・・・・・空芯ソレノイドコイル、７・曲
・放電管、８・・・・・・試料、１０・・・・・・真空
室、１２ ａないし１２ｄ・・曲導弗 体漸
Claims (1)
- １、マイクロ波による電場に磁場を直交させて電子のサ
イクロトロン共鳴運動を引起こし、該運動により処理ガ
スをプラズマ化して試料を処理する装置において、前記
試料の被処理面上の前記電場の分布をコントロールする
手段を具備したことを特徴とするマイクロ波プラズマ処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59270895A JPH0715898B2 (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59270895A JPH0715898B2 (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61150219A true JPS61150219A (ja) | 1986-07-08 |
| JPH0715898B2 JPH0715898B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=17492465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59270895A Expired - Lifetime JPH0715898B2 (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715898B2 (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4816098A (en) * | 1987-07-16 | 1989-03-28 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus for transferring workpieces |
| US4818326A (en) * | 1987-07-16 | 1989-04-04 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus |
| JPH0199219A (ja) * | 1987-10-13 | 1989-04-18 | Fuji Electric Co Ltd | マイクロ波装置 |
| US4822450A (en) * | 1987-07-16 | 1989-04-18 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus and method |
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| JPS59114798A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-02 | 島田理化工業株式会社 | マイクロ波プラズマ装置 |
-
1984
- 1984-12-24 JP JP59270895A patent/JPH0715898B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0715898B2 (ja) | 1995-02-22 |
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