JPH10247457A - プラズマディスプレイ装置 - Google Patents
プラズマディスプレイ装置Info
- Publication number
- JPH10247457A JPH10247457A JP7140198A JP7140198A JPH10247457A JP H10247457 A JPH10247457 A JP H10247457A JP 7140198 A JP7140198 A JP 7140198A JP 7140198 A JP7140198 A JP 7140198A JP H10247457 A JPH10247457 A JP H10247457A
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- Japan
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- glass substrate
- plasma display
- glass
- display device
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- Glass Compositions (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 その目的とするところは、密度が２．７５ｇ
／ｃｍ3 以下と低く、しかも５７０℃以上の温度で熱処
理しても熱収縮が小さいガラス基板を用いたプラズマデ
ィスプレイ装置を提供することである。 【解決手段】 一対のガラス基板と、ガラス基板の内側
面に配置された電極と、ガラス基板内に配置され、電極
の放電によって発光する蛍光体とを備えたプラズマディ
スプレイ装置において、前記ガラス基板が、重量百分率
で、ＳｉＯ2 ５０％以上、Ａｌ2 Ｏ3 ３．５％以
上、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ １５％未満、Ｂ
ａＯ ２％未満、ＺｒＯ2 ３〜１０％のＳｉＯ2 −Ａ
ｌ2 Ｏ3 −ＲＯ系ガラスからなり、２．７５ｇ／ｃｍ3
以下の密度を有することを特徴とする。
／ｃｍ3 以下と低く、しかも５７０℃以上の温度で熱処
理しても熱収縮が小さいガラス基板を用いたプラズマデ
ィスプレイ装置を提供することである。 【解決手段】 一対のガラス基板と、ガラス基板の内側
面に配置された電極と、ガラス基板内に配置され、電極
の放電によって発光する蛍光体とを備えたプラズマディ
スプレイ装置において、前記ガラス基板が、重量百分率
で、ＳｉＯ2 ５０％以上、Ａｌ2 Ｏ3 ３．５％以
上、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ １５％未満、Ｂ
ａＯ ２％未満、ＺｒＯ2 ３〜１０％のＳｉＯ2 −Ａ
ｌ2 Ｏ3 −ＲＯ系ガラスからなり、２．７５ｇ／ｃｍ3
以下の密度を有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマディスプレイ
装置に関するものである。
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレイ装置には、ＤＣ型
とＡＣ型の２種類が存在する。
とＡＣ型の２種類が存在する。
【０００３】図１は、ＤＣ型プラズマディスプレイ装置
を示す部分断面図である。ＤＣ型プラズマディスプレイ
装置１０は、一定の間隔をおいて対向して設けられた前
面ガラス基板１１と、背面ガラス基板１２を備えてい
る。
を示す部分断面図である。ＤＣ型プラズマディスプレイ
装置１０は、一定の間隔をおいて対向して設けられた前
面ガラス基板１１と、背面ガラス基板１２を備えてい
る。
【０００４】前面ガラス基板１１は、内側面にカソード
（陰極）１３が形成され、一方、背面ガラス基板１２の
内側面には、アノード（陽極）１４と補助アノード１５
が形成されており、絶縁体１６を介して蛍光体１７を備
えたリブ１８が立設されている。そして前面ガラス基板
１１と、背面ガラス基板１２で囲まれた内部には、Ｈｅ
−Ｘｅガス１９が封入されている。尚、２０は、抵抗を
示し、２１は、アノード母線を示している。
（陰極）１３が形成され、一方、背面ガラス基板１２の
内側面には、アノード（陽極）１４と補助アノード１５
が形成されており、絶縁体１６を介して蛍光体１７を備
えたリブ１８が立設されている。そして前面ガラス基板
１１と、背面ガラス基板１２で囲まれた内部には、Ｈｅ
−Ｘｅガス１９が封入されている。尚、２０は、抵抗を
示し、２１は、アノード母線を示している。
【０００５】また図２は、ＡＣ型プラズマディスプレイ
装置を示す部分断面図である。このＡＣ型プラズマディ
スプレイ装置２２も、一定の間隔をおいて対向して設け
られた前面ガラス基板２３と、背面ガラス基板２４を備
えている。
装置を示す部分断面図である。このＡＣ型プラズマディ
スプレイ装置２２も、一定の間隔をおいて対向して設け
られた前面ガラス基板２３と、背面ガラス基板２４を備
えている。
【０００６】前面ガラス基板２３は、内側面に表示電極
２５を備え、この表示電極２５は、誘電体層２６によっ
て埋設され、この誘電体層２６の表面には、ＭｇＯ膜２
７が形成されている。また背面ガラス基板２４の内側面
には、アドレス電極２８が形成されている。前面ガラス
基板２３の内側面のＭｇＯ膜２７と、背面ガラス基板２
４の内側面との間には、背面ガラス基板２４から立設し
たリブ２９が形成されている。このリブ２９は、表面に
蛍光体３０を備えている。前面ガラス基板２３と、背面
ガラス基板２４で囲まれた内部には、Ｎｅ−Ｘｅガス３
１が封入されている。
２５を備え、この表示電極２５は、誘電体層２６によっ
て埋設され、この誘電体層２６の表面には、ＭｇＯ膜２
７が形成されている。また背面ガラス基板２４の内側面
には、アドレス電極２８が形成されている。前面ガラス
基板２３の内側面のＭｇＯ膜２７と、背面ガラス基板２
４の内側面との間には、背面ガラス基板２４から立設し
たリブ２９が形成されている。このリブ２９は、表面に
蛍光体３０を備えている。前面ガラス基板２３と、背面
ガラス基板２４で囲まれた内部には、Ｎｅ−Ｘｅガス３
１が封入されている。
【０００７】一般にこれらのプラズマディスプレイ装置
のガラス基板としては、建築窓用ソーダライムガラス板
が使用され、このガラス基板表面への電極の焼き付け、
誘電体層、リブ及び蛍光体の形成は、５００〜６００℃
の高温で行われる。また前面ガラス基板と背面ガラス基
板をシーリングフリットで接着する時の温度も５００〜
６００℃の高温で行われる。
のガラス基板としては、建築窓用ソーダライムガラス板
が使用され、このガラス基板表面への電極の焼き付け、
誘電体層、リブ及び蛍光体の形成は、５００〜６００℃
の高温で行われる。また前面ガラス基板と背面ガラス基
板をシーリングフリットで接着する時の温度も５００〜
６００℃の高温で行われる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら建築窓用
ソーダライムガラスは、歪点が５００℃程度と低いた
め、上記した５００〜６００℃、特に５７０℃以上の温
度で熱処理する際の熱収縮が大きく、ガラス基板の表面
に、電極や絶縁ペーストをパターン合わせする際に位置
ずれが起こりやすいという欠点がある。
ソーダライムガラスは、歪点が５００℃程度と低いた
め、上記した５００〜６００℃、特に５７０℃以上の温
度で熱処理する際の熱収縮が大きく、ガラス基板の表面
に、電極や絶縁ペーストをパターン合わせする際に位置
ずれが起こりやすいという欠点がある。
【０００９】このような事情から特開平３−４０９３３
号には、歪点が６００℃以上と高く、熱収縮の小さいプ
ラズマディスプレイ装置に使用するガラス基板が提案さ
れている。
号には、歪点が６００℃以上と高く、熱収縮の小さいプ
ラズマディスプレイ装置に使用するガラス基板が提案さ
れている。
【００１０】ところが特開平３−４０９３３号のガラス
基板は、ソーダライムガラスに比べて、かなり密度が高
いため、重量が大きくなるという問題がある。すなわち
プラズマディスプレイ装置は、３０〜５０インチ程度の
大画面で、しかも壁掛けテレビとなるため、これに用い
られるガラス基板には、できるだけ軽量であることが要
求される。ガラス基板を軽量化するためには、その厚み
を薄くすれば良いが、強度面を考慮すると、薄板化につ
いては自ずと限界がある。そこでガラス基板の軽量化を
図るためには、ガラスの密度を低くする方法を採らざる
を得ないが、特開平３−４０９３３号には、ガラスの密
度について何ら配慮されていない。
基板は、ソーダライムガラスに比べて、かなり密度が高
いため、重量が大きくなるという問題がある。すなわち
プラズマディスプレイ装置は、３０〜５０インチ程度の
大画面で、しかも壁掛けテレビとなるため、これに用い
られるガラス基板には、できるだけ軽量であることが要
求される。ガラス基板を軽量化するためには、その厚み
を薄くすれば良いが、強度面を考慮すると、薄板化につ
いては自ずと限界がある。そこでガラス基板の軽量化を
図るためには、ガラスの密度を低くする方法を採らざる
を得ないが、特開平３−４０９３３号には、ガラスの密
度について何ら配慮されていない。
【００１１】本発明は、上記事情に鑑みなされたもので
あり、その目的とするところは、密度が２．７５ｇ／ｃ
ｍ3 以下と低く、しかも５７０℃以上の温度で熱処理し
ても熱収縮が小さいガラス基板を用いたプラズマディス
プレイ装置を提供することである。
あり、その目的とするところは、密度が２．７５ｇ／ｃ
ｍ3 以下と低く、しかも５７０℃以上の温度で熱処理し
ても熱収縮が小さいガラス基板を用いたプラズマディス
プレイ装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成すべく、種々の実験を繰り返した結果、ガラス基
板を構成するＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 及びＭｇＯ、Ｃａ
Ｏ、ＳｒＯ、ＢａＯといったＲＯ（アルカリ土類金属）
の含有量を規制することによって、歪点を高く、密度を
低くすることができるという知見に基づいて、本発明を
提案するものである。
を達成すべく、種々の実験を繰り返した結果、ガラス基
板を構成するＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 及びＭｇＯ、Ｃａ
Ｏ、ＳｒＯ、ＢａＯといったＲＯ（アルカリ土類金属）
の含有量を規制することによって、歪点を高く、密度を
低くすることができるという知見に基づいて、本発明を
提案するものである。
【００１３】すなわち本発明のプラズマディスプレイ装
置は、一対のガラス基板と、ガラス基板の内側面に配置
された電極と、ガラス基板内に配置され、電極の放電に
よって発光する蛍光体とを備えたプラズマディスプレイ
装置において、前記ガラス基板が、重量百分率で、Ｓｉ
Ｏ2 ５０％以上、Ａｌ2 Ｏ3 ３．５％以上、ＭｇＯ
＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ １５％未満、ＢａＯ ２％
未満、ＺｒＯ2 ３〜１０％のＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −
ＲＯ系ガラスからなり、２．７５ｇ／ｃｍ3 以下の密度
を有することを特徴とする。
置は、一対のガラス基板と、ガラス基板の内側面に配置
された電極と、ガラス基板内に配置され、電極の放電に
よって発光する蛍光体とを備えたプラズマディスプレイ
装置において、前記ガラス基板が、重量百分率で、Ｓｉ
Ｏ2 ５０％以上、Ａｌ2 Ｏ3 ３．５％以上、ＭｇＯ
＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ １５％未満、ＢａＯ ２％
未満、ＺｒＯ2 ３〜１０％のＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −
ＲＯ系ガラスからなり、２．７５ｇ／ｃｍ3 以下の密度
を有することを特徴とする。
【００１４】また本発明は、好ましくは、Ａｌ2 Ｏ3 の
含有量が、３．５〜１２％であることを特徴とする。
含有量が、３．５〜１２％であることを特徴とする。
【００１５】
【作用】以下、本発明で使用するガラス基板の各成分を
上記のように限定した理由を説明する。
上記のように限定した理由を説明する。
【００１６】ＳｉＯ2 は、ガラスのネットワークフォー
マーであり、ガラスの歪点を高めると共に、密度を下げ
る効果を有するため、５０％以上含有させる。ただしＳ
ｉＯ2 量が多すぎると、熱膨張係数が小さくなりすぎ
て、ガラス基板に塗布される絶縁ペーストやシーリング
フリットの熱膨張係数（７５〜９５×１０-7／℃）と整
合し難くなるため、６５％までに抑えることが好まし
い。
マーであり、ガラスの歪点を高めると共に、密度を下げ
る効果を有するため、５０％以上含有させる。ただしＳ
ｉＯ2 量が多すぎると、熱膨張係数が小さくなりすぎ
て、ガラス基板に塗布される絶縁ペーストやシーリング
フリットの熱膨張係数（７５〜９５×１０-7／℃）と整
合し難くなるため、６５％までに抑えることが好まし
い。
【００１７】Ａｌ2 Ｏ3 も、ガラスの歪点を高めると共
に、密度を下げる効果を有するため、３．５％以上、好
ましくは４．１％以上含有させる。ただしＡｌ2 Ｏ3 量
が多すぎると、ガラスが失透しやすく、成形が困難とな
るため、１２％までに抑えることが好ましい。すなわち
ガラスが失透しやすいと、失透物の発生を抑えるため溶
融温度を高くする必要があるが、溶融温度を高くする
と、成形時のガラスが軟らかくなる。その結果、ガラス
板の表面にうねりが発生したり、寸法精度が低下しやす
くなり、高い表面精度や寸法精度が要求されるプラズマ
ディスプレイ装置の基板として使用することが不可能と
なるからである。
に、密度を下げる効果を有するため、３．５％以上、好
ましくは４．１％以上含有させる。ただしＡｌ2 Ｏ3 量
が多すぎると、ガラスが失透しやすく、成形が困難とな
るため、１２％までに抑えることが好ましい。すなわち
ガラスが失透しやすいと、失透物の発生を抑えるため溶
融温度を高くする必要があるが、溶融温度を高くする
と、成形時のガラスが軟らかくなる。その結果、ガラス
板の表面にうねりが発生したり、寸法精度が低下しやす
くなり、高い表面精度や寸法精度が要求されるプラズマ
ディスプレイ装置の基板として使用することが不可能と
なるからである。
【００１８】ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯは、ガ
ラスの密度に大きく影響を与える成分であり、これらの
合量を１５％未満、ＢａＯ量を２％未満に抑えなけれ
ば、ガラスの密度が高くなるため、軽量化を図ることが
困難となる。ただしこれらの成分の合量が少なすぎる
と、熱膨張係数が小さくなりすぎるため、１０％以上含
有させることが好ましい。
ラスの密度に大きく影響を与える成分であり、これらの
合量を１５％未満、ＢａＯ量を２％未満に抑えなけれ
ば、ガラスの密度が高くなるため、軽量化を図ることが
困難となる。ただしこれらの成分の合量が少なすぎる
と、熱膨張係数が小さくなりすぎるため、１０％以上含
有させることが好ましい。
【００１９】また本発明では、ガラスの化学的耐久性を
向上させる目的で、ＺｒＯ2 を３〜１０％含有する。
向上させる目的で、ＺｒＯ2 を３〜１０％含有する。
【００２０】さらに本発明では、熱膨張係数を調整する
目的でＬｉ2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ及びＫ2Ｏを合量で２５％以
下、ガラスの紫外線による着色を防止する目的でＴｉＯ
2 を５％以下、清澄剤としてＡｓ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 、
ＳＯ3 、Ｃｌ等の成分を１％以下、着色剤としてＦｅ2
Ｏ3 、ＣｏＯ、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｅＯ2 等の成分
を１％以下含有させることが可能である。
目的でＬｉ2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ及びＫ2Ｏを合量で２５％以
下、ガラスの紫外線による着色を防止する目的でＴｉＯ
2 を５％以下、清澄剤としてＡｓ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 、
ＳＯ3 、Ｃｌ等の成分を１％以下、着色剤としてＦｅ2
Ｏ3 、ＣｏＯ、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｅＯ2 等の成分
を１％以下含有させることが可能である。
【００２１】
【実施例】以下、本発明のプラズマディスプレイ装置を
実施例に基づいて詳細に説明する。
実施例に基づいて詳細に説明する。
【００２２】表１は、実施例のガラス基板（試料Ｎｏ．
１〜７）と、比較例のガラス基板（試料Ｎｏ．８、９）
を示すものである。因に試料Ｎｏ．９は、一般の建築窓
用ソーダライムガラスである。
１〜７）と、比較例のガラス基板（試料Ｎｏ．８、９）
を示すものである。因に試料Ｎｏ．９は、一般の建築窓
用ソーダライムガラスである。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１の各試料は、次のようにして調製し
た。
た。
【００２５】まず表中のガラス組成となるように原料を
調合し、これを白金坩堝に入れた後、電気炉中で１４５
０〜１５５０℃の温度で４時間溶融し、この溶融ガラス
をカーボン上に流し出して板状に成形した。次いで、こ
のガラス板の両面を光学研磨することによってガラス基
板を作製した。
調合し、これを白金坩堝に入れた後、電気炉中で１４５
０〜１５５０℃の温度で４時間溶融し、この溶融ガラス
をカーボン上に流し出して板状に成形した。次いで、こ
のガラス板の両面を光学研磨することによってガラス基
板を作製した。
【００２６】こうして得られた各試料について、密度、
歪点、液相温度及び熱膨張係数を調べた。
歪点、液相温度及び熱膨張係数を調べた。
【００２７】表１から明らかなように、実施例であるＮ
ｏ．１〜７の各試料は、密度が２．７０ｇ／ｃｍ3 以下
であるため、軽量化を図ることが可能であり、歪点が５
７２℃以上であるため、熱収縮が小さいことが明らかで
ある。またいずれの試料も、液相温度が１０２０℃以下
であるため、失透し難いものと考えられ、熱膨張係数が
８０〜８９×１０-7／℃であり、絶縁ペーストやシーリ
ングフリットのそれと整合していた。
ｏ．１〜７の各試料は、密度が２．７０ｇ／ｃｍ3 以下
であるため、軽量化を図ることが可能であり、歪点が５
７２℃以上であるため、熱収縮が小さいことが明らかで
ある。またいずれの試料も、液相温度が１０２０℃以下
であるため、失透し難いものと考えられ、熱膨張係数が
８０〜８９×１０-7／℃であり、絶縁ペーストやシーリ
ングフリットのそれと整合していた。
【００２８】それに対し、比較例であるＮｏ．８の試料
は、密度が２．８８ｇ／ｃｍ3 と高いため軽量化が困難
である。またＮｏ．９の試料は、歪点が５００℃と低い
ため、熱収縮が大きいものと判断される。
は、密度が２．８８ｇ／ｃｍ3 と高いため軽量化が困難
である。またＮｏ．９の試料は、歪点が５００℃と低い
ため、熱収縮が大きいものと判断される。
【００２９】尚、表中の密度は、周知のアルキメデス法
によって測定し、歪点は、ＡＳＴＭＣ３３６−７１の方
法に基づいて測定し、液相温度は、白金ボートに２９７
〜５００μｍの粒径を有するガラス粉末を入れ、温度勾
配炉に４８時間保持した後の失透観察によって求めたも
のである。
によって測定し、歪点は、ＡＳＴＭＣ３３６−７１の方
法に基づいて測定し、液相温度は、白金ボートに２９７
〜５００μｍの粒径を有するガラス粉末を入れ、温度勾
配炉に４８時間保持した後の失透観察によって求めたも
のである。
【００３０】また熱膨張係数は、ディラトメーターによ
って３０〜３８０℃における平均熱膨張係数を測定した
ものである。
って３０〜３８０℃における平均熱膨張係数を測定した
ものである。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明のプラズマディスプ
レイ装置は、密度が２．７５ｇ／ｃｍ3 以下と低く、歪
点の高いガラス基板を使用するため、軽量化を図ること
ができ、しかも５７０℃以上の温度で熱処理してもガラ
ス基板の熱収縮が少ないという長所を有している。
レイ装置は、密度が２．７５ｇ／ｃｍ3 以下と低く、歪
点の高いガラス基板を使用するため、軽量化を図ること
ができ、しかも５７０℃以上の温度で熱処理してもガラ
ス基板の熱収縮が少ないという長所を有している。
【図１】ＤＣ型プラズマディスプレイ装置を示す部分断
面図である。
面図である。
【図２】ＡＣ型プラズマディスプレイ装置を示す部分断
面図である。
面図である。
１０ ＤＣ型プラズマディスプレイ装置 １１、２３ 前面ガラス基板 １２、２４ 背面ガラス基板 １３ カソード １４ アノード １７、３０ 蛍光体 ２２ ＡＣ型プラズマディスプレイ装置 ２５ 表示電極 ２８ アドレス電極
Claims (2)
- 【請求項１】 一対のガラス基板と、ガラス基板の内側
面に配置された電極と、ガラス基板内に配置され、電極
の放電によって発光する蛍光体とを備えたプラズマディ
スプレイ装置において、前記ガラス基板が、重量百分率
で、ＳｉＯ2５０％以上、Ａｌ2 Ｏ3 ３．５％以上、
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ１５％未満、ＢａＯ
２％未満、ＺｒＯ2 ３〜１０％のＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ
3−ＲＯ系ガラスからなり、２．７５ｇ／ｃｍ3 以下の
密度を有することを特徴とするプラズマディスプレイ装
置。 - 【請求項２】 Ａｌ2 Ｏ3 の含有量が、３．５〜１２％
であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディス
プレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7140198A JP3814814B2 (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | プラズマディスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7140198A JP3814814B2 (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | プラズマディスプレイ装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8208773A Division JPH1040820A (ja) | 1996-07-18 | 1996-07-18 | プラズマディスプレイ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10247457A true JPH10247457A (ja) | 1998-09-14 |
| JP3814814B2 JP3814814B2 (ja) | 2006-08-30 |
Family
ID=13459469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7140198A Expired - Fee Related JP3814814B2 (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | プラズマディスプレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3814814B2 (ja) |
-
1998
- 1998-03-04 JP JP7140198A patent/JP3814814B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3814814B2 (ja) | 2006-08-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060110 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060221 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060317 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060328 |
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