JPH1040820A - プラズマディスプレイ装置 - Google Patents
プラズマディスプレイ装置Info
- Publication number
- JPH1040820A JPH1040820A JP8208773A JP20877396A JPH1040820A JP H1040820 A JPH1040820 A JP H1040820A JP 8208773 A JP8208773 A JP 8208773A JP 20877396 A JP20877396 A JP 20877396A JP H1040820 A JPH1040820 A JP H1040820A
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- Japan
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- glass substrate
- plasma display
- glass
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- Glass Compositions (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 その目的とするところは、密度が2.75g
/cm3 以下と低く、しかも570℃以上の温度で熱処
理しても熱収縮が小さいガラス基板を用いたプラズマデ
ィスプレイ装置を提供することである。 【解決手段】 一対のガラス基板と、ガラス基板の内側
面に配置された電極と、ガラス基板内に配置され、電極
の放電によって発光する蛍光体とを備えたプラズマディ
スプレイ装置において、前記ガラス基板が、重量百分率
で、SiO2 50%以上、Al2 O3 3.5%以
上、MgO+CaO+SrO+BaO 15%未満、B
aO 2%未満のSiO2 −Al2 O3 −RO系ガラス
からなり、2.75g/cm3 以下の密度を有すること
を特徴とする。
/cm3 以下と低く、しかも570℃以上の温度で熱処
理しても熱収縮が小さいガラス基板を用いたプラズマデ
ィスプレイ装置を提供することである。 【解決手段】 一対のガラス基板と、ガラス基板の内側
面に配置された電極と、ガラス基板内に配置され、電極
の放電によって発光する蛍光体とを備えたプラズマディ
スプレイ装置において、前記ガラス基板が、重量百分率
で、SiO2 50%以上、Al2 O3 3.5%以
上、MgO+CaO+SrO+BaO 15%未満、B
aO 2%未満のSiO2 −Al2 O3 −RO系ガラス
からなり、2.75g/cm3 以下の密度を有すること
を特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマディスプレイ
装置に関するものである。
装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】プラズマディスプレイ装置には、DC型
とAC型の2種類が存在する。
とAC型の2種類が存在する。
【0003】図1は、DC型プラズマディスプレイ装置
を示す部分断面図である。DC型プラズマディスプレイ
装置10は、一定の間隔をおいて対向して設けられた前
面ガラス基板11と、背面ガラス基板12を備えてい
る。
を示す部分断面図である。DC型プラズマディスプレイ
装置10は、一定の間隔をおいて対向して設けられた前
面ガラス基板11と、背面ガラス基板12を備えてい
る。
【0004】前面ガラス基板11は、内側面にカソード
(陰極)13が形成され、一方、背面ガラス基板12の
内側面には、アノード(陽極)14と補助アノード15
が形成されており、絶縁体16を介して蛍光体17を備
えたリブ18が立設されている。そして前面ガラス基板
11と、背面ガラス基板12で囲まれた内部には、He
−Xeガス19が封入されている。尚、20は、抵抗を
示し、21は、アノード母線を示している。
(陰極)13が形成され、一方、背面ガラス基板12の
内側面には、アノード(陽極)14と補助アノード15
が形成されており、絶縁体16を介して蛍光体17を備
えたリブ18が立設されている。そして前面ガラス基板
11と、背面ガラス基板12で囲まれた内部には、He
−Xeガス19が封入されている。尚、20は、抵抗を
示し、21は、アノード母線を示している。
【0005】また図2は、AC型プラズマディスプレイ
装置を示す部分断面図である。このAC型プラズマディ
スプレイ装置22も、一定の間隔をおいて対向して設け
られた前面ガラス基板23と、背面ガラス基板24を備
えている。
装置を示す部分断面図である。このAC型プラズマディ
スプレイ装置22も、一定の間隔をおいて対向して設け
られた前面ガラス基板23と、背面ガラス基板24を備
えている。
【0006】前面ガラス基板23は、内側面に表示電極
25を備え、この表示電極25は、誘電体層26によっ
て埋設され、この誘電体層26の表面には、MgO膜2
7が形成されている。また背面ガラス基板24の内側面
には、アドレス電極28が形成されている。前面ガラス
基板23の内側面のMgO膜27と、背面ガラス基板2
4の内側面との間には、背面ガラス基板24から立設し
たリブ29が形成されている。このリブ29は、表面に
蛍光体30を備えている。前面ガラス基板23と、背面
ガラス基板24で囲まれた内部には、Ne−Xeガス3
1が封入されている。
25を備え、この表示電極25は、誘電体層26によっ
て埋設され、この誘電体層26の表面には、MgO膜2
7が形成されている。また背面ガラス基板24の内側面
には、アドレス電極28が形成されている。前面ガラス
基板23の内側面のMgO膜27と、背面ガラス基板2
4の内側面との間には、背面ガラス基板24から立設し
たリブ29が形成されている。このリブ29は、表面に
蛍光体30を備えている。前面ガラス基板23と、背面
ガラス基板24で囲まれた内部には、Ne−Xeガス3
1が封入されている。
【0007】一般にこれらのプラズマディスプレイ装置
のガラス基板としては、建築窓用ソーダライムガラス板
が使用され、このガラス基板表面への電極の焼き付け、
誘電体層、リブ及び蛍光体の形成は、500〜600℃
の高温で行われる。また前面ガラス基板と背面ガラス基
板をシーリングフリットで接着する時の温度も500〜
600℃の高温で行われる。
のガラス基板としては、建築窓用ソーダライムガラス板
が使用され、このガラス基板表面への電極の焼き付け、
誘電体層、リブ及び蛍光体の形成は、500〜600℃
の高温で行われる。また前面ガラス基板と背面ガラス基
板をシーリングフリットで接着する時の温度も500〜
600℃の高温で行われる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら建築窓用
ソーダライムガラスは、歪点が500℃程度と低いた
め、上記した500〜600℃、特に570℃以上の温
度で熱処理する際の熱収縮が大きく、ガラス基板の表面
に、電極や絶縁ペーストをパターン合わせする際に位置
ずれが起こりやすいという欠点がある。
ソーダライムガラスは、歪点が500℃程度と低いた
め、上記した500〜600℃、特に570℃以上の温
度で熱処理する際の熱収縮が大きく、ガラス基板の表面
に、電極や絶縁ペーストをパターン合わせする際に位置
ずれが起こりやすいという欠点がある。
【0009】このような事情から特開平3−40933
号には、歪点が600℃以上と高く、熱収縮の小さいプ
ラズマディスプレイ装置に使用するガラス基板が提案さ
れている。
号には、歪点が600℃以上と高く、熱収縮の小さいプ
ラズマディスプレイ装置に使用するガラス基板が提案さ
れている。
【0010】ところが特開平3−40933号のガラス
基板は、ソーダライムガラスに比べて、かなり密度が高
いため、重量が大きくなるという問題がある。すなわち
プラズマディスプレイ装置は、30〜50インチ程度の
大画面で、しかも壁掛けテレビとなるため、これに用い
られるガラス基板には、できるだけ軽量であることが要
求される。ガラス基板を軽量化するためには、その厚み
を薄くすれば良いが、強度面を考慮すると、薄板化につ
いては自ずと限界がある。そこでガラス基板の軽量化を
図るためには、ガラスの密度を低くする方法を採らざる
を得ないが、特開平3−40933号には、ガラスの密
度について何ら配慮されていない。
基板は、ソーダライムガラスに比べて、かなり密度が高
いため、重量が大きくなるという問題がある。すなわち
プラズマディスプレイ装置は、30〜50インチ程度の
大画面で、しかも壁掛けテレビとなるため、これに用い
られるガラス基板には、できるだけ軽量であることが要
求される。ガラス基板を軽量化するためには、その厚み
を薄くすれば良いが、強度面を考慮すると、薄板化につ
いては自ずと限界がある。そこでガラス基板の軽量化を
図るためには、ガラスの密度を低くする方法を採らざる
を得ないが、特開平3−40933号には、ガラスの密
度について何ら配慮されていない。
【0011】本発明は、上記事情に鑑みなされたもので
あり、その目的とするところは、密度が2.75g/c
m3 以下と低く、しかも570℃以上の温度で熱処理し
ても熱収縮が小さいガラス基板を用いたプラズマディス
プレイ装置を提供することである。
あり、その目的とするところは、密度が2.75g/c
m3 以下と低く、しかも570℃以上の温度で熱処理し
ても熱収縮が小さいガラス基板を用いたプラズマディス
プレイ装置を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成すべく、種々の実験を繰り返した結果、ガラス基
板を構成するSiO2 、Al2 O3 及びMgO、Ca
O、SrO、BaOといったRO(アルカリ土類金属)
の含有量を規制することによって、歪点を高く、密度を
低くすることができるという知見に基づいて、本発明を
提案するものである。
を達成すべく、種々の実験を繰り返した結果、ガラス基
板を構成するSiO2 、Al2 O3 及びMgO、Ca
O、SrO、BaOといったRO(アルカリ土類金属)
の含有量を規制することによって、歪点を高く、密度を
低くすることができるという知見に基づいて、本発明を
提案するものである。
【0013】すなわち本発明のプラズマディスプレイ装
置は、一対のガラス基板と、ガラス基板の内側面に配置
された電極と、ガラス基板内に配置され、電極の放電に
よって発光する蛍光体とを備えたプラズマディスプレイ
装置において、前記ガラス基板が、重量百分率で、Si
O2 50%以上、Al2 O3 3.5%以上、MgO
+CaO+SrO+BaO 15%未満、BaO 2%
未満のSiO2 −Al2 O3 −RO系ガラスからなり、
2.75g/cm3 以下の密度を有することを特徴とす
る。
置は、一対のガラス基板と、ガラス基板の内側面に配置
された電極と、ガラス基板内に配置され、電極の放電に
よって発光する蛍光体とを備えたプラズマディスプレイ
装置において、前記ガラス基板が、重量百分率で、Si
O2 50%以上、Al2 O3 3.5%以上、MgO
+CaO+SrO+BaO 15%未満、BaO 2%
未満のSiO2 −Al2 O3 −RO系ガラスからなり、
2.75g/cm3 以下の密度を有することを特徴とす
る。
【0014】
【作用】以下、本発明で使用するガラス基板の各成分を
上記のように限定した理由を説明する。
上記のように限定した理由を説明する。
【0015】SiO2 は、ガラスのネットワークフォー
マーであり、ガラスの歪点を高めると共に、密度を下げ
る効果を有するため、50%以上含有させる。ただしS
iO2 量が多すぎると、熱膨張係数が小さくなりすぎ
て、ガラス基板に塗布される絶縁ペーストやシーリング
フリットの熱膨張係数(75〜95×10-7/℃)と整
合し難くなるため、65%までに抑えることが好まし
い。
マーであり、ガラスの歪点を高めると共に、密度を下げ
る効果を有するため、50%以上含有させる。ただしS
iO2 量が多すぎると、熱膨張係数が小さくなりすぎ
て、ガラス基板に塗布される絶縁ペーストやシーリング
フリットの熱膨張係数(75〜95×10-7/℃)と整
合し難くなるため、65%までに抑えることが好まし
い。
【0016】Al2 O3 も、ガラスの歪点を高めると共
に、密度を下げる効果を有するため、3.5%以上、好
ましくは4.1%以上含有させる。ただしAl2 O3 量
が多すぎると、ガラスが失透しやすく、成形が困難とな
るため、15%までに抑えることが好ましい。すなわち
ガラスが失透しやすいと、失透物の発生を抑えるため溶
融温度を高くする必要があるが、溶融温度を高くする
と、成形時のガラスが軟らかくなる。その結果、ガラス
板の表面にうねりが発生したり、寸法精度が低下しやす
くなり、高い表面精度や寸法精度が要求されるプラズマ
ディスプレイ装置の基板として使用することが不可能と
なるからである。
に、密度を下げる効果を有するため、3.5%以上、好
ましくは4.1%以上含有させる。ただしAl2 O3 量
が多すぎると、ガラスが失透しやすく、成形が困難とな
るため、15%までに抑えることが好ましい。すなわち
ガラスが失透しやすいと、失透物の発生を抑えるため溶
融温度を高くする必要があるが、溶融温度を高くする
と、成形時のガラスが軟らかくなる。その結果、ガラス
板の表面にうねりが発生したり、寸法精度が低下しやす
くなり、高い表面精度や寸法精度が要求されるプラズマ
ディスプレイ装置の基板として使用することが不可能と
なるからである。
【0017】MgO、CaO、SrO及びBaOは、ガ
ラスの密度に大きく影響を与える成分であり、これらの
合量を15%未満、BaO量を2%未満に抑えなけれ
ば、ガラスの密度が高くなるため、軽量化を図ることが
困難となる。ただしこれらの成分の合量が少なすぎる
と、熱膨張係数が小さくなりすぎるため、10%以上含
有させることが好ましい。
ラスの密度に大きく影響を与える成分であり、これらの
合量を15%未満、BaO量を2%未満に抑えなけれ
ば、ガラスの密度が高くなるため、軽量化を図ることが
困難となる。ただしこれらの成分の合量が少なすぎる
と、熱膨張係数が小さくなりすぎるため、10%以上含
有させることが好ましい。
【0018】また本発明では、上記成分以外にも、ガラ
スの化学的耐久性を向上させる目的でZrO2 を10%
以下、熱膨張係数を調整する目的でLi2 O、Na2 O
及びK2 Oを合量で25%以下、ガラスの紫外線による
着色を防止する目的でTiO 2 を5%以下、清澄剤とし
てAs2 O3 、Sb2 O3 、SO3 、Cl等の成分を1
%以下、着色剤としてFe2 O3 、CoO、Cr2 O
3 、NiO、CeO2 等の成分を1%以下含有させるこ
とが可能である。
スの化学的耐久性を向上させる目的でZrO2 を10%
以下、熱膨張係数を調整する目的でLi2 O、Na2 O
及びK2 Oを合量で25%以下、ガラスの紫外線による
着色を防止する目的でTiO 2 を5%以下、清澄剤とし
てAs2 O3 、Sb2 O3 、SO3 、Cl等の成分を1
%以下、着色剤としてFe2 O3 、CoO、Cr2 O
3 、NiO、CeO2 等の成分を1%以下含有させるこ
とが可能である。
【0019】
【実施例】以下、本発明のプラズマディスプレイ装置を
実施例に基づいて詳細に説明する。
実施例に基づいて詳細に説明する。
【0020】表1は、実施例のガラス基板(試料No.
1〜7)と、比較例のガラス基板(試料No.8、9)
を示すものである。因に試料No.9は、一般の建築窓
用ソーダライムガラスである。
1〜7)と、比較例のガラス基板(試料No.8、9)
を示すものである。因に試料No.9は、一般の建築窓
用ソーダライムガラスである。
【0021】
【表1】
【0022】表1の各試料は、次のようにして調製し
た。
た。
【0023】まず表中のガラス組成となるように原料を
調合し、これを白金坩堝に入れた後、電気炉中で145
0〜1550℃の温度で4時間溶融し、この溶融ガラス
をカーボン上に流し出して板状に成形した。次いで、こ
のガラス板の両面を光学研磨することによってガラス基
板を作製した。
調合し、これを白金坩堝に入れた後、電気炉中で145
0〜1550℃の温度で4時間溶融し、この溶融ガラス
をカーボン上に流し出して板状に成形した。次いで、こ
のガラス板の両面を光学研磨することによってガラス基
板を作製した。
【0024】こうして得られた各試料について、密度、
歪点、液相温度及び熱膨張係数を調べた。
歪点、液相温度及び熱膨張係数を調べた。
【0025】表1から明らかなように、実施例であるN
o.1〜7の各試料は、密度が2.70g/cm3 以下
であるため、軽量化を図ることが可能であり、歪点が5
72℃以上であるため、熱収縮が小さいことが明らかで
ある。またいずれの試料も、液相温度が1020℃以下
であるため、失透し難いものと考えられ、熱膨張係数が
80〜89×10-7/℃であり、絶縁ペーストやシーリ
ングフリットのそれと整合していた。
o.1〜7の各試料は、密度が2.70g/cm3 以下
であるため、軽量化を図ることが可能であり、歪点が5
72℃以上であるため、熱収縮が小さいことが明らかで
ある。またいずれの試料も、液相温度が1020℃以下
であるため、失透し難いものと考えられ、熱膨張係数が
80〜89×10-7/℃であり、絶縁ペーストやシーリ
ングフリットのそれと整合していた。
【0026】それに対し、比較例であるNo.8の試料
は、密度が2.88g/cm3 と高いため軽量化が困難
である。またNo.9の試料は、歪点が500℃と低い
ため、熱収縮が大きいものと判断される。
は、密度が2.88g/cm3 と高いため軽量化が困難
である。またNo.9の試料は、歪点が500℃と低い
ため、熱収縮が大きいものと判断される。
【0027】尚、表中の密度は、周知のアルキメデス法
によって測定し、歪点は、ASTMC336−71の方
法に基づいて測定し、液相温度は、白金ボートに297
〜500μmの粒径を有するガラス粉末を入れ、温度勾
配炉に48時間保持した後の失透観察によって求めたも
のである。
によって測定し、歪点は、ASTMC336−71の方
法に基づいて測定し、液相温度は、白金ボートに297
〜500μmの粒径を有するガラス粉末を入れ、温度勾
配炉に48時間保持した後の失透観察によって求めたも
のである。
【0028】また熱膨張係数は、ディラトメーターによ
って30〜380℃における平均熱膨張係数を測定した
ものである。
って30〜380℃における平均熱膨張係数を測定した
ものである。
【0029】
【発明の効果】以上のように本発明のプラズマディスプ
レイ装置は、密度が2.75g/cm3 以下と低く、歪
点の高いガラス基板を使用するため、軽量化を図ること
ができ、しかも570℃以上の温度で熱処理してもガラ
ス基板の熱収縮が少ないという長所を有している。
レイ装置は、密度が2.75g/cm3 以下と低く、歪
点の高いガラス基板を使用するため、軽量化を図ること
ができ、しかも570℃以上の温度で熱処理してもガラ
ス基板の熱収縮が少ないという長所を有している。
【図1】DC型プラズマディスプレイ装置を示す部分断
面図である。
面図である。
【図2】AC型プラズマディスプレイ装置を示す部分断
面図である。
面図である。
10 CD型プラズマディスプレイ装置 11、23 前面ガラス基板 12、24 背面ガラス基板 13 カソード 14 アノード 17、30 蛍光体 22 AC型プラズマディスプレイ装置 25 表示電極 28 アドレス電極
Claims (1)
- 【請求項1】 一対のガラス基板と、ガラス基板の内側
面に配置された電極と、ガラス基板内に配置され、電極
の放電によって発光する蛍光体とを備えたプラズマディ
スプレイ装置において、前記ガラス基板が、重量百分率
で、SiO250%以上、Al2 O3 3.5%以上、
MgO+CaO+SrO+BaO15%未満、BaO
2%未満のSiO2 −Al2 O3 −RO系ガラスからな
り、2.75g/cm3 以下の密度を有することを特徴
とするプラズマディスプレイ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8208773A JPH1040820A (ja) | 1996-07-18 | 1996-07-18 | プラズマディスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8208773A JPH1040820A (ja) | 1996-07-18 | 1996-07-18 | プラズマディスプレイ装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7140198A Division JP3814814B2 (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | プラズマディスプレイ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1040820A true JPH1040820A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16561863
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8208773A Pending JPH1040820A (ja) | 1996-07-18 | 1996-07-18 | プラズマディスプレイ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1040820A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6268304B1 (en) | 1998-04-28 | 2001-07-31 | Asahi Glass Company Ltd. | Plate glass and substrate glass for electronics |
US6297182B1 (en) | 1998-08-11 | 2001-10-02 | Asahi Glass Company Ltd. | Glass for a substrate |
-
1996
- 1996-07-18 JP JP8208773A patent/JPH1040820A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6268304B1 (en) | 1998-04-28 | 2001-07-31 | Asahi Glass Company Ltd. | Plate glass and substrate glass for electronics |
US6297182B1 (en) | 1998-08-11 | 2001-10-02 | Asahi Glass Company Ltd. | Glass for a substrate |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040203 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040325 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040415 |