JPH10242615A - バタフライ型半導体モジュールの電極処理構造および電極処理方法 - Google Patents
バタフライ型半導体モジュールの電極処理構造および電極処理方法Info
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- JPH10242615A JPH10242615A JP4822097A JP4822097A JPH10242615A JP H10242615 A JPH10242615 A JP H10242615A JP 4822097 A JP4822097 A JP 4822097A JP 4822097 A JP4822097 A JP 4822097A JP H10242615 A JPH10242615 A JP H10242615A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極ピンと外部引き出し用導線との間の電気
的接続をハンダ付けにより無理なく、かつ極めて簡単に
達成することができるとともに、バタフライ型半導体モ
ジュールの信頼性の低下を防止する。 【解決手段】 バタフライ型半導体モジュール１の電極
ピン１６の下面に接する状態で、電極ピン接続用の第１
ランド部２１および外部引き出し用導線３１を接続する
ための第２ランド部２２を有する接続用補助基板２を設
けてあり、電極ピン１６を第１ランド部２１に対してハ
ンダ付けにより電気的に接続してあるとともに、外部引
き出し用導線３１を第２ランド部２２に対してハンダ付
けにより電気的に接続してある。
的接続をハンダ付けにより無理なく、かつ極めて簡単に
達成することができるとともに、バタフライ型半導体モ
ジュールの信頼性の低下を防止する。 【解決手段】 バタフライ型半導体モジュール１の電極
ピン１６の下面に接する状態で、電極ピン接続用の第１
ランド部２１および外部引き出し用導線３１を接続する
ための第２ランド部２２を有する接続用補助基板２を設
けてあり、電極ピン１６を第１ランド部２１に対してハ
ンダ付けにより電気的に接続してあるとともに、外部引
き出し用導線３１を第２ランド部２２に対してハンダ付
けにより電気的に接続してある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はバタフライ型半導体モ
ジュールの電極処理構造および電極処理方法に関し、さ
らに詳細にいえば、バタフライ型半導体モジュールの電
極ピンを外部引き出し用導線と電気的に接続するための
電極処理構造および電極処理方法に関する。
ジュールの電極処理構造および電極処理方法に関し、さ
らに詳細にいえば、バタフライ型半導体モジュールの電
極ピンを外部引き出し用導線と電気的に接続するための
電極処理構造および電極処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体モジュール本体の両側
面から複数本の電極ピンを突出形成してなるバタフライ
型半導体モジュールが提供されている。ここで、バタフ
ライ型半導体モジュールとしては、バタフライ型半導体
レーザなどが例示できる。したがって、以下には、バタ
フライ型半導体レーザを例にとって説明する。
面から複数本の電極ピンを突出形成してなるバタフライ
型半導体モジュールが提供されている。ここで、バタフ
ライ型半導体モジュールとしては、バタフライ型半導体
レーザなどが例示できる。したがって、以下には、バタ
フライ型半導体レーザを例にとって説明する。
【０００３】このバタフライ型半導体レーザは、電極ピ
ンと半導体レーザ駆動用電源、冷却素子駆動用電源など
とを電気的に接続することにより動作させられ、所定の
波長の光を放射することができる。ここで、電極ピンと
半導体レーザ駆動用電源、冷却素子駆動用電源などとを
電気的に接続する方法としては、従来から、図５に示す
ように、必要な電極ピン７２のみに対して、半導体レー
ザ駆動用電源、冷却素子駆動用電源などに接続されてい
る外部引き出し用導線７３をハンダ付けし、次いで、外
部引き出し用導線７３に対して予め挿通されている熱収
縮チューブ７４をハンダ付け部７５に被せて保護する方
法が採用されている。なお、図５において、７１はバタ
フライ型半導体レーザを示し、７６は放射される光を導
く光ファイバを示し、７７はバタフライ型半導体レーザ
７１を所定の固定部位に固定するための固定ネジ穴を示
している。
ンと半導体レーザ駆動用電源、冷却素子駆動用電源など
とを電気的に接続することにより動作させられ、所定の
波長の光を放射することができる。ここで、電極ピンと
半導体レーザ駆動用電源、冷却素子駆動用電源などとを
電気的に接続する方法としては、従来から、図５に示す
ように、必要な電極ピン７２のみに対して、半導体レー
ザ駆動用電源、冷却素子駆動用電源などに接続されてい
る外部引き出し用導線７３をハンダ付けし、次いで、外
部引き出し用導線７３に対して予め挿通されている熱収
縮チューブ７４をハンダ付け部７５に被せて保護する方
法が採用されている。なお、図５において、７１はバタ
フライ型半導体レーザを示し、７６は放射される光を導
く光ファイバを示し、７７はバタフライ型半導体レーザ
７１を所定の固定部位に固定するための固定ネジ穴を示
している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図５に示すようにバタ
フライ型半導体レーザ７１の電極処理を行なった場合に
は、ハンダ付け部７５が熱収縮チューブ７４により保護
されているものの、バタフライ型半導体レーザ７１を電
子基板や筐体に取り付ける際に空中に浮いてしまい、不
安定な状態になってしまうという不都合がある。
フライ型半導体レーザ７１の電極処理を行なった場合に
は、ハンダ付け部７５が熱収縮チューブ７４により保護
されているものの、バタフライ型半導体レーザ７１を電
子基板や筐体に取り付ける際に空中に浮いてしまい、不
安定な状態になってしまうという不都合がある。
【０００５】また、電極ピン７２に対して直接外部引き
出し用導線７３がハンダ付けされているのであるから、
外部引き出し用導線７３を取り扱う際に、細心の注意を
払っても、電極ピン７２、ハンダ付け部７５に力が加え
られてしまい、この結果、ハンダ付け部７５の接続強度
が低下するなどの信頼性の低下を招いてしまう。さら
に、電極ピン７２の根元部に亀裂が生じる可能性もあ
る。
出し用導線７３がハンダ付けされているのであるから、
外部引き出し用導線７３を取り扱う際に、細心の注意を
払っても、電極ピン７２、ハンダ付け部７５に力が加え
られてしまい、この結果、ハンダ付け部７５の接続強度
が低下するなどの信頼性の低下を招いてしまう。さら
に、電極ピン７２の根元部に亀裂が生じる可能性もあ
る。
【０００６】なお、バタフライ型半導体レーザ７１以外
のバタフライ型半導体モジュールについても同様の不都
合が生じる。
のバタフライ型半導体モジュールについても同様の不都
合が生じる。
【０００７】
【発明の目的】この発明は上記の問題点に鑑みてなされ
たものであり、電極ピンと外部引き出し用導線との間の
電気的接続をハンダ付けにより無理なく、かつ極めて簡
単に達成することができるとともに、バタフライ型半導
体モジュールの信頼性の低下を防止することができるバ
タフライ型半導体モジュールの電極処理構造および電極
処理方法を提供することを目的としている。
たものであり、電極ピンと外部引き出し用導線との間の
電気的接続をハンダ付けにより無理なく、かつ極めて簡
単に達成することができるとともに、バタフライ型半導
体モジュールの信頼性の低下を防止することができるバ
タフライ型半導体モジュールの電極処理構造および電極
処理方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１のバタフライ型
半導体モジュールの電極処理構造は、バタフライ型半導
体モジュールの電極ピンの下面に接する状態で、電極ピ
ン接続用の第１ランド部および外部引き出し用導線を接
続するための第２ランド部を有する接続用補助基板を設
けてあり、電極ピンを第１ランド部に対してハンダ付け
により電気的に接続してあるとともに、外部引き出し用
導線を第２ランド部に対してハンダ付けにより電気的に
接続してある。
半導体モジュールの電極処理構造は、バタフライ型半導
体モジュールの電極ピンの下面に接する状態で、電極ピ
ン接続用の第１ランド部および外部引き出し用導線を接
続するための第２ランド部を有する接続用補助基板を設
けてあり、電極ピンを第１ランド部に対してハンダ付け
により電気的に接続してあるとともに、外部引き出し用
導線を第２ランド部に対してハンダ付けにより電気的に
接続してある。
【０００９】請求項２のバタフライ型半導体モジュール
の電極処理構造は、第２ランド部として、スルーホール
付きのものを採用している。請求項３のバタフライ型半
導体モジュールの電極処理構造は、接続用補助基板とし
て、複数層構造を有するとともに、各層ごとに第１ラン
ド部と該当する第２ランド部とを電気的に接続する配線
パターンを有するものを採用している。
の電極処理構造は、第２ランド部として、スルーホール
付きのものを採用している。請求項３のバタフライ型半
導体モジュールの電極処理構造は、接続用補助基板とし
て、複数層構造を有するとともに、各層ごとに第１ラン
ド部と該当する第２ランド部とを電気的に接続する配線
パターンを有するものを採用している。
【００１０】請求項４のバタフライ型半導体モジュール
の電極処理方法は、バタフライ型半導体モジュールの電
極ピンの下面に接する状態で、電極ピン接続用の第１ラ
ンド部および外部引き出し用導線を接続するための第２
ランド部を有する接続用補助基板を設け、電極ピンを第
１ランド部に対してハンダ付けにより電気的に接続する
とともに、外部引き出し用導線を第２ランド部に対して
ハンダ付けにより電気的に接続する方法である。
の電極処理方法は、バタフライ型半導体モジュールの電
極ピンの下面に接する状態で、電極ピン接続用の第１ラ
ンド部および外部引き出し用導線を接続するための第２
ランド部を有する接続用補助基板を設け、電極ピンを第
１ランド部に対してハンダ付けにより電気的に接続する
とともに、外部引き出し用導線を第２ランド部に対して
ハンダ付けにより電気的に接続する方法である。
【００１１】
【作用】請求項１のバタフライ型半導体モジュールの電
極処理構造であれば、バタフライ型半導体モジュールの
電極ピンの下面に接する状態で、電極ピン接続用の第１
ランド部および外部引き出し用導線を接続するための第
２ランド部を有する接続用補助基板を設けてあり、電極
ピンを第１ランド部に対してハンダ付けにより電気的に
接続してあるとともに、外部引き出し用導線を第２ラン
ド部に対してハンダ付けにより電気的に接続してあるの
で、ハンダ付けを行なう際、バタフライ型半導体モジュ
ールを取り扱う際に電極ピンの根元部に余分な力が加え
られるという不都合を確実に防止でき、ハンダ付けを確
実に達成でき、バタフライ型半導体モジュールを接続用
補助基板により安定に、かつ安全に保持することがで
き、さらに、バタフライ型半導体モジュールの装着の
際、交換の際などに、作業の一部を忘れてしまうという
不都合の発生を確実に防止できるとともに、作業所要時
間を短縮でき、さらにまた、第２ランド部の配置の自由
度を簡単に高めることができ、ひいては外部引き出し用
導線のハンダ付けを簡単に行なえるようにできる。
極処理構造であれば、バタフライ型半導体モジュールの
電極ピンの下面に接する状態で、電極ピン接続用の第１
ランド部および外部引き出し用導線を接続するための第
２ランド部を有する接続用補助基板を設けてあり、電極
ピンを第１ランド部に対してハンダ付けにより電気的に
接続してあるとともに、外部引き出し用導線を第２ラン
ド部に対してハンダ付けにより電気的に接続してあるの
で、ハンダ付けを行なう際、バタフライ型半導体モジュ
ールを取り扱う際に電極ピンの根元部に余分な力が加え
られるという不都合を確実に防止でき、ハンダ付けを確
実に達成でき、バタフライ型半導体モジュールを接続用
補助基板により安定に、かつ安全に保持することがで
き、さらに、バタフライ型半導体モジュールの装着の
際、交換の際などに、作業の一部を忘れてしまうという
不都合の発生を確実に防止できるとともに、作業所要時
間を短縮でき、さらにまた、第２ランド部の配置の自由
度を簡単に高めることができ、ひいては外部引き出し用
導線のハンダ付けを簡単に行なえるようにできる。
【００１２】請求項２のバタフライ型半導体モジュール
の電極処理構造であれば、第２ランド部として、スルー
ホール付きのものを採用しているので、請求項１と同様
の作用を達成することができる。請求項３のバタフライ
型半導体モジュールの電極処理構造であれば、接続用補
助基板として、複数層構造を有するとともに、各層ごと
に第１ランド部と該当する第２ランド部とを電気的に接
続する配線パターンを有するものを採用しているので、
バタフライ型半導体モジュールの電極ピンの数、第２ラ
ンド部の数が増加した場合であっても、電極ピンと該当
する第２ランド部とを配線パターンにより確実に電気的
に接続することができるほか、請求項２と同様の作用を
達成することができる。
の電極処理構造であれば、第２ランド部として、スルー
ホール付きのものを採用しているので、請求項１と同様
の作用を達成することができる。請求項３のバタフライ
型半導体モジュールの電極処理構造であれば、接続用補
助基板として、複数層構造を有するとともに、各層ごと
に第１ランド部と該当する第２ランド部とを電気的に接
続する配線パターンを有するものを採用しているので、
バタフライ型半導体モジュールの電極ピンの数、第２ラ
ンド部の数が増加した場合であっても、電極ピンと該当
する第２ランド部とを配線パターンにより確実に電気的
に接続することができるほか、請求項２と同様の作用を
達成することができる。
【００１３】請求項４のバタフライ型半導体モジュール
の電極処理方法であれば、バタフライ型半導体モジュー
ルの電極ピンの下面に接する状態で、電極ピン接続用の
第１ランド部および外部引き出し用導線を接続するため
の第２ランド部を有する接続用補助基板を設け、電極ピ
ンを第１ランド部に対してハンダ付けにより電気的に接
続するとともに、外部引き出し用導線を第２ランド部に
対してハンダ付けにより電気的に接続するのであるか
ら、ハンダ付けを行なう際、バタフライ型半導体モジュ
ールを取り扱う際に電極ピンの根元部に余分な力が加え
られるという不都合を確実に防止でき、ハンダ付けを確
実に達成でき、バタフライ型半導体モジュールを接続用
補助基板により安定に、かつ安全に保持することがで
き、さらに、バタフライ型半導体モジュールの装着の
際、交換の際などに、作業の一部を忘れてしまうという
不都合の発生を確実に防止できるとともに、作業所要時
間を短縮でき、さらにまた、第２ランド部の配置の自由
度を簡単に高めることができ、ひいては外部引き出し用
導線のハンダ付けを簡単に行なえるようにできる。
の電極処理方法であれば、バタフライ型半導体モジュー
ルの電極ピンの下面に接する状態で、電極ピン接続用の
第１ランド部および外部引き出し用導線を接続するため
の第２ランド部を有する接続用補助基板を設け、電極ピ
ンを第１ランド部に対してハンダ付けにより電気的に接
続するとともに、外部引き出し用導線を第２ランド部に
対してハンダ付けにより電気的に接続するのであるか
ら、ハンダ付けを行なう際、バタフライ型半導体モジュ
ールを取り扱う際に電極ピンの根元部に余分な力が加え
られるという不都合を確実に防止でき、ハンダ付けを確
実に達成でき、バタフライ型半導体モジュールを接続用
補助基板により安定に、かつ安全に保持することがで
き、さらに、バタフライ型半導体モジュールの装着の
際、交換の際などに、作業の一部を忘れてしまうという
不都合の発生を確実に防止できるとともに、作業所要時
間を短縮でき、さらにまた、第２ランド部の配置の自由
度を簡単に高めることができ、ひいては外部引き出し用
導線のハンダ付けを簡単に行なえるようにできる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながらこ
の発明のバタフライ型半導体モジュールの電極処理構造
および電極処理方法の実施の態様を詳細に説明する。な
お、以下の説明においては、バタフライ型半導体モジュ
ールとしてバタフライ型半導体レーザを採用している。
の発明のバタフライ型半導体モジュールの電極処理構造
および電極処理方法の実施の態様を詳細に説明する。な
お、以下の説明においては、バタフライ型半導体モジュ
ールとしてバタフライ型半導体レーザを採用している。
【００１５】図１はこの発明のバタフライ型半導体モジ
ュールの電極処理構造の一実施態様を示す分解平面図で
ある。図１には、バタフライ型半導体レーザ１と、接続
用補助基板２と、外部引き出し用導線モジュール３とが
示されている。図１においてバタフライ型半導体レーザ
１は、直方体状のバタフライ型半導体レーザハウジング
１１と、バタフライ型半導体レーザハウジング１１を図
示しない電子基板、筐体に固定するための取り付け用フ
ランジ１２と、取り付け用フランジ１２の所定位置に形
成された固定ネジ穴１３と、半導体レーザから放射され
る光を導くための光ファイバ１４と、光ファイバ１４を
半導体レーザに対して位置決めするための光ファイバ位
置決め部材１５と、バタフライ型半導体レーザハウジン
グ１１の両側面から突出させられた複数本の電極ピン１
６とを有している。
ュールの電極処理構造の一実施態様を示す分解平面図で
ある。図１には、バタフライ型半導体レーザ１と、接続
用補助基板２と、外部引き出し用導線モジュール３とが
示されている。図１においてバタフライ型半導体レーザ
１は、直方体状のバタフライ型半導体レーザハウジング
１１と、バタフライ型半導体レーザハウジング１１を図
示しない電子基板、筐体に固定するための取り付け用フ
ランジ１２と、取り付け用フランジ１２の所定位置に形
成された固定ネジ穴１３と、半導体レーザから放射され
る光を導くための光ファイバ１４と、光ファイバ１４を
半導体レーザに対して位置決めするための光ファイバ位
置決め部材１５と、バタフライ型半導体レーザハウジン
グ１１の両側面から突出させられた複数本の電極ピン１
６とを有している。
【００１６】接続用補助基板２は、バタフライ型半導体
レーザハウジング１１を挟み込んだ状態で装着できるよ
うにすべくコ字状のものであり、バタフライ型半導体レ
ーザハウジング１１の電極ピン１６が突出する面と接す
る部分に、電極ピン１６とほぼ等しい間隔で形成された
第１ランド部２１を有しているとともに、バタフライ型
半導体レーザハウジング１１から離れた所定位置に第２
ランド部２２を有している。ここで、接続用補助基板２
としては、２層、４層、・・・の層構造を有し、配線パ
ターン形成層と絶縁層とが交互に積層されたものであ
る。もちろん、第１ランド部２１、第２ランド部２２
は、該当する配線パターンに対して電気的に接続されて
いる。また、接続用補助基板２が４層以上の層構造を有
する場合には、第２ランド部２２として、スルーホール
を有するものを採用することが好ましく、第２ランド部
２２を任意の配線パターン形成層と電気的に接続し、配
線パターン引き回しの自由度を高めることができるとと
もに、多層構造によるシールド性の向上を達成すること
ができる。また、接続用補助基板２の所定位置に、取り
付け用の穴２３が形成されている。
レーザハウジング１１を挟み込んだ状態で装着できるよ
うにすべくコ字状のものであり、バタフライ型半導体レ
ーザハウジング１１の電極ピン１６が突出する面と接す
る部分に、電極ピン１６とほぼ等しい間隔で形成された
第１ランド部２１を有しているとともに、バタフライ型
半導体レーザハウジング１１から離れた所定位置に第２
ランド部２２を有している。ここで、接続用補助基板２
としては、２層、４層、・・・の層構造を有し、配線パ
ターン形成層と絶縁層とが交互に積層されたものであ
る。もちろん、第１ランド部２１、第２ランド部２２
は、該当する配線パターンに対して電気的に接続されて
いる。また、接続用補助基板２が４層以上の層構造を有
する場合には、第２ランド部２２として、スルーホール
を有するものを採用することが好ましく、第２ランド部
２２を任意の配線パターン形成層と電気的に接続し、配
線パターン引き回しの自由度を高めることができるとと
もに、多層構造によるシールド性の向上を達成すること
ができる。また、接続用補助基板２の所定位置に、取り
付け用の穴２３が形成されている。
【００１７】外部引き出し用導線モジュール３は、絶縁
被覆を有する外部引き出し用導線３１を複数本だけ並列
状に配置してあるとともに、外部引き出し用導線３１の
一方の端部をコネクタ３２に電気的に接続し、他方の端
部を絶縁被覆から露出させている。図２はバタフライ型
半導体レーザ１に対して接続用補助基板２を装着した状
態を示す正面図である。
被覆を有する外部引き出し用導線３１を複数本だけ並列
状に配置してあるとともに、外部引き出し用導線３１の
一方の端部をコネクタ３２に電気的に接続し、他方の端
部を絶縁被覆から露出させている。図２はバタフライ型
半導体レーザ１に対して接続用補助基板２を装着した状
態を示す正面図である。
【００１８】この状態においては、接続用補助基板２が
バタフライ型半導体レーザハウジング１１の両側面から
突出させられた複数本の電極ピン１６の下面に接する状
態であり、しかも各電極ピン１６と対応する第１ランド
部２１とがハンダ付けにより電気的に接続されている。
もちろん、図示されていないが、バタフライ型半導体レ
ーザハウジング１１および接続用補助基板２は電子基
板、筐体などに対して固定されている。
バタフライ型半導体レーザハウジング１１の両側面から
突出させられた複数本の電極ピン１６の下面に接する状
態であり、しかも各電極ピン１６と対応する第１ランド
部２１とがハンダ付けにより電気的に接続されている。
もちろん、図示されていないが、バタフライ型半導体レ
ーザハウジング１１および接続用補助基板２は電子基
板、筐体などに対して固定されている。
【００１９】図２には図示されていないが、外部引き出
し用導線３１の他方の端部を第２ランド部２２とハンダ
付けにより電気的に接続される。さらに詳細に説明す
る。先ず、接続用補助基板２を電子基板、筐体などに対
して固定し、電極ピン１６の長さを第１ランド部２１に
合わせて、必要に応じて切断により調節し、この状態で
バタフライ型半導体レーザ１を接続用補助基板２に載せ
る。すなわち、複数本の電極ピン１６の下面を接続用補
助基板２の上面と接する状態にする。
し用導線３１の他方の端部を第２ランド部２２とハンダ
付けにより電気的に接続される。さらに詳細に説明す
る。先ず、接続用補助基板２を電子基板、筐体などに対
して固定し、電極ピン１６の長さを第１ランド部２１に
合わせて、必要に応じて切断により調節し、この状態で
バタフライ型半導体レーザ１を接続用補助基板２に載せ
る。すなわち、複数本の電極ピン１６の下面を接続用補
助基板２の上面と接する状態にする。
【００２０】次いで、バタフライ型半導体レーザ１を電
子基板、筐体などに対して固定し、この状態で各電極ピ
ン１６を対応する第１ランド部２１に対してハンダ付け
により電気的に接続する。その後、第２ランド部２２に
対して外部引き出し用導線３１の他方の端部をハンダ付
けにより電気的に接続することにより、バタフライ型半
導体レーザ１の電極処理を達成する。
子基板、筐体などに対して固定し、この状態で各電極ピ
ン１６を対応する第１ランド部２１に対してハンダ付け
により電気的に接続する。その後、第２ランド部２２に
対して外部引き出し用導線３１の他方の端部をハンダ付
けにより電気的に接続することにより、バタフライ型半
導体レーザ１の電極処理を達成する。
【００２１】したがって、ハンダ付けを行なう際、バタ
フライ型半導体レーザ１を取り扱う際に、電極ピン１６
の根元部に余分な力（ストレス）が加えられることを未
然に防止でき、しかも、電極ピン１６のハンダ付け、外
部引き出し用導線３１のハンダ付けを確実に行なうこと
ができ、さらに、全ての電極ピン１６を接続用補助基板
２の第１ランド部２１にハンダ付けすることによりバタ
フライ型半導体レーザ１を安全に、かつ安定に保持する
ことができる。
フライ型半導体レーザ１を取り扱う際に、電極ピン１６
の根元部に余分な力（ストレス）が加えられることを未
然に防止でき、しかも、電極ピン１６のハンダ付け、外
部引き出し用導線３１のハンダ付けを確実に行なうこと
ができ、さらに、全ての電極ピン１６を接続用補助基板
２の第１ランド部２１にハンダ付けすることによりバタ
フライ型半導体レーザ１を安全に、かつ安定に保持する
ことができる。
【００２２】また、バタフライ型半導体レーザ１を部品
として製品内に組み込んだ後に、バタフライ型半導体レ
ーザ１が破損したとき、バタフライ型半導体レーザ１が
劣化して交換が必要になったときなどには、バタフライ
型半導体レーザ１を外部引き出し用導線３１から取り外
す必要がある。この場合において、従来のようにして取
り付けられたバタフライ型半導体レーザであれば、次に
示す作業が必要である。 （１）熱収縮チューブを取り除く。 （２）バタフライ型半導体レーザの電極ピンを外部引き
出し用導線から取り外す。 （３）新しいバタフライ型半導体レーザの電極ピンを外
部引き出し用導線に対してハンダ付けを行なう。 （４）ハンダ付け部に熱収縮チューブを被せる。
として製品内に組み込んだ後に、バタフライ型半導体レ
ーザ１が破損したとき、バタフライ型半導体レーザ１が
劣化して交換が必要になったときなどには、バタフライ
型半導体レーザ１を外部引き出し用導線３１から取り外
す必要がある。この場合において、従来のようにして取
り付けられたバタフライ型半導体レーザであれば、次に
示す作業が必要である。 （１）熱収縮チューブを取り除く。 （２）バタフライ型半導体レーザの電極ピンを外部引き
出し用導線から取り外す。 （３）新しいバタフライ型半導体レーザの電極ピンを外
部引き出し用導線に対してハンダ付けを行なう。 （４）ハンダ付け部に熱収縮チューブを被せる。
【００２３】そして、（１）の作業を行なう場合に失敗
して電極ピンを傷つける可能性がある。また、外部引き
出し用導線と電極ピンとをハンダ付けする前に熱収縮チ
ューブを外部引き出し用導線に挿通しておくことを忘れ
てしまい、外部引き出し用導線と電極ピンとを取り外し
て再びハンダ付けしなければならなくなってしまうこと
がある。そして、この場合には、電極ピンを傷つける可
能性がある。
して電極ピンを傷つける可能性がある。また、外部引き
出し用導線と電極ピンとをハンダ付けする前に熱収縮チ
ューブを外部引き出し用導線に挿通しておくことを忘れ
てしまい、外部引き出し用導線と電極ピンとを取り外し
て再びハンダ付けしなければならなくなってしまうこと
がある。そして、この場合には、電極ピンを傷つける可
能性がある。
【００２４】これに対して、前記の実施態様のようにし
て取り付けられたバタフライ型半導体レーザであれば、
次に示す作業が必要である。 （１）接続用補助基板２の第１ランド部２１からバタフ
ライ型半導体レーザ１の電極ピン１６を取り外す。 （２）新しいバタフライ型半導体レーザ１の電極ピン１
６の長さを接続用補助基板２の第１ランド部２１に適合
させるべく切断作業を行なう。 （３）接続用補助基板２の第１ランド部２１に新しいバ
タフライ型半導体レーザ１の電極ピン１６をハンダ付け
する。
て取り付けられたバタフライ型半導体レーザであれば、
次に示す作業が必要である。 （１）接続用補助基板２の第１ランド部２１からバタフ
ライ型半導体レーザ１の電極ピン１６を取り外す。 （２）新しいバタフライ型半導体レーザ１の電極ピン１
６の長さを接続用補助基板２の第１ランド部２１に適合
させるべく切断作業を行なう。 （３）接続用補助基板２の第１ランド部２１に新しいバ
タフライ型半導体レーザ１の電極ピン１６をハンダ付け
する。
【００２５】したがって、不注意で忘れてしまうような
作業がなくなり、しかも、作業時間を短縮することがで
きる。さらに、電極ピンを傷つけるおそれを殆ど皆無に
することができる。図３は接続用補助基板２の変形例を
示す平面図である。この接続用補助基板２が図１の接続
用補助基板２と異なる点は、外縁部に位置する角部にア
ールを持たせた点のみである。
作業がなくなり、しかも、作業時間を短縮することがで
きる。さらに、電極ピンを傷つけるおそれを殆ど皆無に
することができる。図３は接続用補助基板２の変形例を
示す平面図である。この接続用補助基板２が図１の接続
用補助基板２と異なる点は、外縁部に位置する角部にア
ールを持たせた点のみである。
【００２６】そして、この変形例を採用すれば、光ファ
イバなどを接続用補助基板２の周りに引き回すような場
合に、光ファイバなどが接続用補助基板２の角部で傷つ
けられてしまうという不都合を未然に防止することがで
きる。図４は接続用補助基板２における第２ランド部２
２の配置位置を示す平面図である。
イバなどを接続用補助基板２の周りに引き回すような場
合に、光ファイバなどが接続用補助基板２の角部で傷つ
けられてしまうという不都合を未然に防止することがで
きる。図４は接続用補助基板２における第２ランド部２
２の配置位置を示す平面図である。
【００２７】図４から明らかなように、第２ランド部２
２の配置位置は、第１ランド部２１が形成された辺縁部
を除く４つの辺縁部のうち任意の辺縁部に設定すること
が可能である。したがって、外部引き出し用導線モジュ
ール３の取り付けの自由度を高めることができる。ま
た、バタフライ型半導体レーザ１を部品として製品内部
に配置する場合を考慮すれば、第２ランド部２２の配置
位置の自由度が高いことに伴ってバタフライ型半導体レ
ーザ１の配置の自由度を高めることができる。
２の配置位置は、第１ランド部２１が形成された辺縁部
を除く４つの辺縁部のうち任意の辺縁部に設定すること
が可能である。したがって、外部引き出し用導線モジュ
ール３の取り付けの自由度を高めることができる。ま
た、バタフライ型半導体レーザ１を部品として製品内部
に配置する場合を考慮すれば、第２ランド部２２の配置
位置の自由度が高いことに伴ってバタフライ型半導体レ
ーザ１の配置の自由度を高めることができる。
【００２８】以上にはバタフライ型半導体レーザを例に
とって説明したが、バタフライ型半導体レーザ以外のバ
タフライ型半導体モジュールに適用できることはもちろ
んである。
とって説明したが、バタフライ型半導体レーザ以外のバ
タフライ型半導体モジュールに適用できることはもちろ
んである。
【００２９】
【発明の効果】請求項１の発明は、ハンダ付けを行なう
際、バタフライ型半導体モジュールを取り扱う際に電極
ピンの根元部に余分な力が加えられるという不都合を確
実に防止でき、ハンダ付けを確実に達成でき、バタフラ
イ型半導体モジュールを接続用補助基板により安定に、
かつ安全に保持することができ、さらに、バタフライ型
半導体モジュールの装着の際、交換の際などに、作業の
一部を忘れてしまうという不都合の発生を確実に防止で
きるとともに、作業所要時間を短縮でき、さらにまた、
第２ランド部の配置の自由度を簡単に高めることがで
き、ひいては外部引き出し用導線のハンダ付けを簡単に
行なえるようにできるという特有の効果を奏する。
際、バタフライ型半導体モジュールを取り扱う際に電極
ピンの根元部に余分な力が加えられるという不都合を確
実に防止でき、ハンダ付けを確実に達成でき、バタフラ
イ型半導体モジュールを接続用補助基板により安定に、
かつ安全に保持することができ、さらに、バタフライ型
半導体モジュールの装着の際、交換の際などに、作業の
一部を忘れてしまうという不都合の発生を確実に防止で
きるとともに、作業所要時間を短縮でき、さらにまた、
第２ランド部の配置の自由度を簡単に高めることがで
き、ひいては外部引き出し用導線のハンダ付けを簡単に
行なえるようにできるという特有の効果を奏する。
【００３０】請求項２の発明は、請求項１と同様の効果
を奏する。請求項３の発明は、バタフライ型半導体モジ
ュールの電極ピンの数、第２ランド部の数が増加した場
合であっても、電極ピンと該当する第２ランド部とを配
線パターンにより確実に電気的に接続することができる
ほか、請求項２と同様の効果を奏する。
を奏する。請求項３の発明は、バタフライ型半導体モジ
ュールの電極ピンの数、第２ランド部の数が増加した場
合であっても、電極ピンと該当する第２ランド部とを配
線パターンにより確実に電気的に接続することができる
ほか、請求項２と同様の効果を奏する。
【００３１】請求項４の発明は、ハンダ付けを行なう
際、バタフライ型半導体モジュールを取り扱う際に電極
ピンの根元部に余分な力が加えられるという不都合を確
実に防止でき、ハンダ付けを確実に達成でき、バタフラ
イ型半導体モジュールを接続用補助基板により安定に、
かつ安全に保持することができ、さらに、バタフライ型
半導体モジュールの装着の際、交換の際などに、作業の
一部を忘れてしまうという不都合の発生を確実に防止で
きるとともに、作業所要時間を短縮でき、さらにまた、
第２ランド部の配置の自由度を簡単に高めることがで
き、ひいては外部引き出し用導線のハンダ付けを簡単に
行なえるようにできるという特有の効果を奏する。
際、バタフライ型半導体モジュールを取り扱う際に電極
ピンの根元部に余分な力が加えられるという不都合を確
実に防止でき、ハンダ付けを確実に達成でき、バタフラ
イ型半導体モジュールを接続用補助基板により安定に、
かつ安全に保持することができ、さらに、バタフライ型
半導体モジュールの装着の際、交換の際などに、作業の
一部を忘れてしまうという不都合の発生を確実に防止で
きるとともに、作業所要時間を短縮でき、さらにまた、
第２ランド部の配置の自由度を簡単に高めることがで
き、ひいては外部引き出し用導線のハンダ付けを簡単に
行なえるようにできるという特有の効果を奏する。
【図１】この発明のバタフライ型半導体モジュールの電
極処理構造の一実施態様を示す分解平面図である。
極処理構造の一実施態様を示す分解平面図である。
【図２】バタフライ型半導体レーザに対して接続用補助
基板２を装着した状態を示す正面図である。
基板２を装着した状態を示す正面図である。
【図３】接続用補助基板の変形例を示す平面図である。
【図４】接続用補助基板における第２ランド部の配置位
置を示す平面図である。
置を示す平面図である。
【図５】従来のバタフライ型半導体モジュールの電極処
理構造を示す斜視図である。
理構造を示す斜視図である。
１ バタフライ型半導体レーザ ２ 接続用補助基板 １６ 電極ピン ２１ 第１ランド部 ２２ 第２ランド部 ３１ 外部引き出し用導線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田平 昌俊 兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内 (72)発明者 須藤 恭秀 兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内
Claims (4)
- 【請求項１】 バタフライ型半導体モジュール（１）の
電極ピン（１６）の下面に接する状態で、電極ピン接続
用の第１ランド部（２１）および外部引き出し用導線
（３１）を接続するための第２ランド部（２２）を有す
る接続用補助基板（２）を設けてあり、電極ピン（１
６）を第１ランド部（２１）に対してハンダ付けにより
電気的に接続してあるとともに、外部引き出し用導線
（３１）を第２ランド部（２２）に対してハンダ付けに
より電気的に接続してあることを特徴とするバタフライ
型半導体モジュールの電極処理構造。 - 【請求項２】 第２ランド部（２２）は、スルーホール
付きのものである請求項１に記載のバタフライ型半導体
モジュールの電極処理構造。 - 【請求項３】 接続用補助基板（２）は、複数層構造を
有しているとともに、各層ごとに第１ランド部（２１）
と該当する第２ランド部（２２）とを電気的に接続する
配線パターンを有している請求項２に記載のバタフライ
型半導体モジュールの電極処理構造。 - 【請求項４】 バタフライ型半導体モジュール（１）の
電極ピン（１６）の下面に接する状態で、電極ピン接続
用の第１ランド部（２１）および外部引き出し用導線
（３１）を接続するための第２ランド部（２２）を有す
る接続用補助基板（２）を設け、電極ピン（１６）を第
１ランド部（２１）に対してハンダ付けにより電気的に
接続するとともに、外部引き出し用導線（３１）を第２
ランド部（２２）に対してハンダ付けにより電気的に接
続することを特徴とするバタフライ型半導体モジュール
の電極処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4822097A JPH10242615A (ja) | 1997-03-03 | 1997-03-03 | バタフライ型半導体モジュールの電極処理構造および電極処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4822097A JPH10242615A (ja) | 1997-03-03 | 1997-03-03 | バタフライ型半導体モジュールの電極処理構造および電極処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242615A true JPH10242615A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12797341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4822097A Pending JPH10242615A (ja) | 1997-03-03 | 1997-03-03 | バタフライ型半導体モジュールの電極処理構造および電極処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10242615A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117233516A (zh) * | 2023-11-13 | 2023-12-15 | 朗思传感科技(深圳)有限公司 | 一种引脚检测方法和引脚检测装置 |
-
1997
- 1997-03-03 JP JP4822097A patent/JPH10242615A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117233516A (zh) * | 2023-11-13 | 2023-12-15 | 朗思传感科技(深圳)有限公司 | 一种引脚检测方法和引脚检测装置 |
| CN117233516B (zh) * | 2023-11-13 | 2024-03-01 | 朗思传感科技(深圳)有限公司 | 一种引脚检测方法和引脚检测装置 |
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