JPH10242569A

JPH10242569A - 半導体レーザ

Info

Publication number: JPH10242569A
Application number: JP10093716A
Authority: JP
Inventors: Gokou Hatano; 吾紅波多野; Toshihide Izumitani; 敏英泉谷; Yasuo Oba; 康夫大場
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1998-04-06
Filing date: 1998-04-06
Publication date: 1998-09-11
Anticipated expiration: 2016-04-03
Also published as: JP3152900B2

Abstract

(57)【要約】【課題】新しいIII-Ｖ族系の化合物半導体材料を用い
た短波長の半導体レーザを実現する。【解決手段】ｐｎ接合を有する半導体レーザにおい
て、ｎ型ＳｉＣ基板６１上に、発光層１５をＧａＡｌＮ
系材料からなるｐ型及びｎ型のクラッド層１４，１６で
挟んだダブルへテロ構造部が形成され、このダブルヘテ
ロ構造部のｐ型クラッド層１６は一部が凸型に突出した
リブ構造に形成され、該リブ構造の両側にｎ型ＢＰから
なる電流阻止層１７が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新しいIII-Ｖ族化
合物半導体材料を用いた短波長の半導体レーザに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、高速度かつ高密度の情報処理シス
テムの発展に伴い、短波長の半導体レーザ（ＬＤ）の実
現が望まれている。

【０００３】緑色や青色等の短波長半導体レーザの実現
に有望と思われるIII-Ｖ族化合物半導体材料を大きなバ
ンドギャップという観点から見ると、ＢＮ（４または８
ｅＶ），ＡｌＮ（６ｅＶ），ＧａＮ（３．４ｅＶ），Ｉ
ｎＰ（２．４ｅＶ），ＡｌＰ（２．５ｅＶ），ＧａＰ
（２．３および２．８ｅＶ）等の、軽めのIII 族元素の
窒化物と燐化物が大きいバンドギャップを有する。

【０００４】しかしながらこれらのうち、ＢＮは、バン
ドギャップが大きいが４配位（ｓｐ３）結合を有する高
圧相（ｃ−ＢＮ）は合成しにくく、しかも３種の多形を
有し、混合物もでき易いので使用できない。不純物ドー
ピングも難しい。ＩｎＮは、バンドギャップが小さめで
あり、熱的安定性に乏しく、また普通多結晶しか得られ
ない。ＡｌＰ，ＧａＮは、いずれもバンドギャップがや
や足りない。

【０００５】残るＡｌＮ，ＧａＮは、バンドギャップが
大きく、また安定性にも優れており、短波長発光用に適
していると言える。ただ、ＡｌＮ，ＧａＮは結晶構造が
ウルツ鉱型（Ｗｕｒｚｅｉｔｅ型、以下これをＷＺ型と
略称する）であり、しかもイオン性が大きいため格子欠
陥が生じ易く、低抵抗のｐ型半導体を得ることができな
い。

【０００６】この様な問題を解決するため、Ｂ，Ｎを含
まないIII-Ｖ族系の化合物にＢ，Ｎを混合してバンドギ
ャップを大きくした材料を得る試みがなされている。し
かし、従来用いられている材料とＢ，Ｎを含む材料とで
は格子定数が２０〜４０％と大きく異なり、また格子型
も異なるため、安定な結晶は得られていない。例えば、
ＧａＰにＮを混合した場合、ＮはＧａＰの１％以下しか
混合できず、十分広いバンドギャップを得ることは不可
能であった。

【０００７】本発明者らの研究によれば、ＧａＮやＡｌ
Ｎで低抵抗のｐ型結晶が得られないのは、イオン性が大
きいことによる欠陥が生じ易いことの他に、これらが閃
亜鉛鉱型（ＺｉｎｃＢｌｅｎｄｅ型、以下ＺＢ型と略
称する）の結晶構造ではなく、ＷＺ構造を持っているこ
とが本質的な原因であることが判明している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】以上のように従来、緑
色や青色等の短波長半導体レーザを実現するために必要
である、バンドギャップが例えば２．７ｅＶ以上と大き
く、ｐｎ制御が可能で、結晶の質も良い、という条件を
満たす半導体材料は存在しなかった。ＡｌＮ，ＧａＮな
どの窒化物は大きいバンドギャップを得る上で有効な材
料であるが、低抵抗のｐ型層を得ることができなかっ
た。

【０００９】本発明はこの様な点に鑑みてなされたもの
で、新しいIII-Ｖ族系の化合物半導体材料を用いた半導
体レーザを提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】

（構成）本発明に係る半導体レーザは、ｐｎ接合を有す
る半導体レーザにおいて、単結晶基板上に、発光層をＧ
ａＡｌＮ系材料からなるｐ型及びｎ型のクラッド層で挟
んだダブルへテロ構造部が形成され、このダブルヘテロ
構造部のｐ型クラッド層は一部が凸型に突出したリブ構
造に形成され、該リブ構造の両側に電流阻止層が形成さ
れていることを特徴とする。

【００１１】（作用）本発明者らの研究によれば、Ｇａ
ＡｌＮ系材料であっても、例えばＢＰとの多層構造に形
成したり、或いはＢＰとの混晶を形成することにより、
安定な結晶を作成できる場合のあることが判明した。そ
こで本発明では、ＧａＡｌＮ系材料からなるダブルへテ
ロ構造部を用いて半導体レーザを構成し、更にダブルへ
テロ構造部のｐ型クラッド層側にリブ構造と電流阻止層
を設ける。これにより、リブ構造部分に効果的に電流を
狭窄することができ、短波長の半導体レーザを実現する
ことが可能となる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によつて説明する。

【００１３】図１は、本発明の一実施形態の半導体レー
ザの断面図である。ｎ型ＧａＰ基板１１上には、ｎ型Ｇ
ａＰバッファ層１２，ｎ型ＢＰバッファ層１３が積層形
成されている。

【００１４】このｎ型ＢＰバッファ層１３上に、ｎ型Ｇ
ａ_ｘＡｌ_1-xＮ／ＢＰ超格子層からなるクラッド層１
４、アンドープのＧａ_xＡｌ_1-xＮ／ＢＰ超格子層から
なる活性層１５およびｐ型Ｇａ_xＡｌ_1-xＮ／ＢＰ超格
子層からなるクラッド層１６が順次積層形成されて、ダ
ブルヘテロ接合部を構成している。例えば、クラッド層
１４および１６ではｘ＝０．４とし、活性層１５ではｘ
＝０．５とする。これによりクラッド層１４および１６
はバンドギャップが３．０ｅＶ、活性層１５はバンドギ
ャップが２．７ｅＶとなり、ダブルヘテロ接合が形成さ
れる。

【００１５】ｐ型クラッド層１６上には、中央部のスト
ライプ状の部分を残してｎ型ＢＰ電流阻止層１７が形成
されている。この電流阻止層１７上およびストライプ状
のｐ型クラッド層１６上にｐ型ＢＰコンタクト層１８が
形成されている。コンタクト層１８表面にはｐ側の金属
電極１９が形成され、基板１１にはｎ側の金属電極２０
が形成されている。この半導体レーザでは、コンタクト
層１８の下部凸部の周囲にｎ型ＢＰ電流阻止層１７が形
成されて、電流狭窄構造と光導波路構造が自己整合的に
形成されている。

【００１６】この半導体レーザは、有機金属気相成長法
（ＭＯＣＶＤ法）を用いて製造される。その製造方法に
付き以下に詳しく説明する。

【００１７】図２は、その実施形態に用いたマルチチャ
ンバ方式の有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）装置であ
る。図において、２１，２２および２３は石英製の反応
管でありそれぞれの上部に位置するガス導入口から必要
な原料ガスが取入れられる。これらの反応管２１，２２
および２３は一つのチャンバ２４にその上蓋を貫通して
垂直に取付けられている。基板２５はグラファイト製サ
セプタ２６上に設置され、各反応管２１，２２，２３の
開口に対向するように配置されて外部の高周波コイル２
７により高温に加熱される。

【００１８】サセプタ２６は、石英製ホルダ２８に取付
けられ、磁性流体シールを介した駆動軸により各反応管
２１，２２，２３の下を高速度で移動できるようになっ
ている。駆動は、外部に設置されたコンピュータ制御さ
れたモータにより行われる。サセプタ中央部には熱電対
３０が置かれ、基板直下の温度をモニタして外部に取出
す。そのコード部分は回転によるよじれを防止するため
スリップリングが用いられる。反応ガスは、上部噴出口
３１からの水素ガスのダウンフローの速い流れにより押
出され、互いの混合が極力抑制されながら、排気口３２
からロータリーポンプにより排気される。

【００１９】この様なＭＯＣＶＤ装置により、各反応管
２１，２２，２３を通して所望の原料ガスを流し、基板
２５をコンピュータ制御されたモータで移動させること
により、基板２５上に任意の積層周期，任意組成を持っ
て多層構造を作製することができる。この方式では、ガ
ス切替え方式では得られない鋭い濃度変化が容易に実現
できる。またこの方式では、急峻なヘテロ界面を作製す
るためにガスを高速で切替える必要がないため、原料ガ
スであるＮＨ₃やＰＨ₃の分解速度が遅いという問題
を、ガス流速を低く設定することにより解決することが
できる。

【００２０】このＭＯＣＶＤ装置を用いて図１の半導体
レーザを作製した。原料ガスは、トリメチルアルミニウ
ム（ＴＭＡ），トリメチルガリウム（ＴＭＧ），トリエ
チル硼素（ＴＥＢ），アンモニア（ＮＨ₃），フォスフ
ィン（ＰＨ₃）である。基板温度は８５０〜１１５０℃
程度、圧力は０．３気圧、原料ガスの総流量は１ｌ／ｍ
ｉｎであり、成長速度が１μｍ／ｈとなるようにガス流
量を設定した。

【００２１】概略的な各ガス流量は、ＴＭＡ：１×１０
^-6ｍｏｌ／ｍｉｎ、ＴＭＧ：１×１０^-6ｍｏｌ／ｍｉ
ｎ、ＴＥＢ：１×１０^-6ｍｏｌ／ｍｉｎ、ＰＨ₃：５×
１０^-4ｍｏｌ／ｍｉｎ、ＮＨ₃：１×１０^-3ｍｏｌ／ｍ
ｉｎである。ｐ，ｎのドーパントにはＭｇとＳｉを用い
た。これらの不純物ドーピングは、シラン（ＳｉＨ₄）
およびシクロペンタジエニルマグネシウム（ＣＰ₂Ｍ
ｇ）を原料ガスに混合することにより行った。

【００２２】なお、ＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子を作成する
際の代表的な積層周期は２ｎｍ、ＧａＡｌＮ層とＢＰ層
の厚さの比は１：１であり、以下の実施形態でも全てこ
の値に設定した。他の組成でも可能であるが、ダブルヘ
テロ接合部のＢＰ層に対するＧａＡｌＮ層の膜厚比が１
より小さくなると、バンド構造が直接遷移型から間接遷
移型に変化し、発光効率は低下する。また積層周期につ
いても、上記の値に限られないが、例えば５ｎｍを越え
ると電子、正孔の局在が顕著になり、導電性の低下が生
じるので、５ｎｍ以下の範囲で設定することが望まし
い。

【００２３】具体的な図１の素子形成条件を説明する。
ＧａＰ基板１１はＳｉドープ，キャリア濃度１×１０¹⁸
ｃｍ³であり、ｎ型ＧａＰバッファ層１２はＳｉドー
プ，キャリア濃度１×１０¹⁸／ｃｍ³，厚さ１μｍ、ｎ
型ＢＰバッファ層１３はＳｉドープ，キャリア濃度１×
１０¹⁷／ｃｍ³，厚さ１μｍとする。この上にｎ型クラ
ッド層１４として、Ｓｉドープ，キャリア濃度１×１０
¹⁷／ｃｍ³，厚さ１μｍのＧａ_0.4Ａｌ_0.6Ｎ／ＢＰ超
格子層、活性層１５としてアンドープＧａ_0.5Ａｌ_0.5
Ｎ／ＢＰ超格子層、ｐ型クラッド層１６としてＭｇドー
プ，キャリア濃度１×１０¹⁷／ｃｍ³，厚さ１μｍのＧ
ａ_0.4Ａｌ_0.6Ｎ／ＢＰ超格子層が順次形成されてダブ
ルヘテロ接合構造が得られる。

【００２４】そして、ｐ型クラッド層１６上に、シラン
ガスの熱分解と写真蝕刻により幅５μｍのストライプ状
にＳｉＯ₂膜を形成し、ＭＯＣＶＤによりクラッド層上
にのみ選択的にｐ型ＢＰ電流阻止層１７（Ｓｉドープ、
キャリア濃度１×１０¹⁷／ｃｍ³、１μｍ）を成長させ
る。そしてＳｉＯ₂膜を除去して、ｐ型ＢＰコンタクト
層１８（Ｍｇドープ、キャリア濃度１×１０¹⁷／ｃ
ｍ³、１μｍ）を形成する。その後通常の電極付け工程
により、コンタクト層１８上にＡｕ／Ｚｎからなる電極
１９を形成し、基板裏面にはＡｕ／Ｇｅからなる電極２
０を形成する。

【００２５】こうして得られた半導体レーザ・ウェハを
へき開して共振器長３００μｍのレーザ素子を構成した
ところ、液体窒素温度でパルス幅１００μｓｅｃのパル
ス動作で緑色光レーザ発振が確認された。しきい値電流
密度は約５０ｋＡ／ｃｍ²であった。

【００２６】図３は、図１の構成を変形した他の実施形
態の緑色半導体レーザである。図１と異なる点は、ｐ型
クラッド層１６の中央部にストライプ状の凸部ができる
ように選択エッチングしてその凸部周囲にｎ型ＢＰ層か
らなる電流阻止層１７を形成していることである。その
他は図１と同様である。

【００２７】この実施形態では、ｎ型クラッド層１６が
凸型に加工されて等価的に横方向に屈折率差が形成さ
れ、これにより良好な横モード制御が行われる。この実
施形態の場合も、共振器長３００μｍのレーザ素子を構
成して略同様の特性が得られた。しきい値電流密度は約
７０ｋＡ／ｃｍ²であった。しきい値電流密度が若干高
めであるが、単一峰の遠視野像が確認され、良好な横モ
ード制御が行われていることが確認された。

【００２８】図４は、ＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子層に代っ
て、Ｇａ_xＡｌ_yＢ_1-x-yＮ_zＰ_1- _z混晶層を用いてク
ラッド層および活性層を形成した実施形態の半導体レー
ザである。図３の実施形態の構成に対して異なる点は、
ｎ型ＧａＡｌＢＮＰクラッド層４１、アンドープＧａＡ
ｌＢＮＰ活性層４２およびｐ型ＧａＡｌＢＮＰクラッド
層４３によりダブルヘテロ接合を構成していることであ
る。

【００２９】この半導体レーザの製造も図２のＭＯＣＶ
Ｄ装置を用いて先の各実施形態とほぼ同様に行われる。
その際、混晶層の形成に当たっては基板の移動は止め
て、一つの反応管から必要な全ての原料ガスを導入す
る。またこのとき、反応ガスの相互反応を防止するた
め、混晶成長を行う原料ガスの混合は反応管の直前で行
い、低圧条件下で成長を行う。原料ガス、その流量、基
板温度などの成長条件は、先の実施形態とほぼ同様であ
る。

【００３０】具体的な素子形成条件は次の通りである。
ｎ型ＧａＰ基板１１はＳｉドープ，キャリア濃度１×１
０¹⁸／ｃｍ³、ｎ型ＧａＰバッファ層１２はＳｉドー
プ，キャリア濃度１×１０¹⁸／ｃｍ³，厚さ１μｍ、ｎ
型ＢＰ層１３はＳｉドープ，キャリア濃度１×１０¹⁷／
ｃｍ³，厚さ１μｍである。ｎ型クラッド層４１はＧａ
_0.2Ａｌ_0.3Ｂ_0.5Ｎ_0.5Ｐ_0.5混晶層（Ｓｉドープ、
キャリア濃度１×１０¹⁷／ｃｍ³、１μｍ）、アンドー
プ活性層４２はＧａ_0.25Ａｌ_0.3Ｂ_0.5Ｎ_0.5Ｐ_0.5混
晶層（厚さ０．１μｍ）、ｐ型クラッド層４３はＧａ
_0.2Ａｌ_0.3Ｂ_0.5Ｎ_0.5Ｐ_0.5混晶層（Ｍｇドープ、
キャリア濃度１×１０¹⁷／ｃｍ³、１μｍ）である。電
流狭窄構造、光導波構造および電極は図３の実施形態と
同様である。

【００３１】得られたウェハをへき開して共振器長３０
０μｍのレーザ素子を作成したところ、液体窒素温度で
パルス幅２０μｓｅｃのパルス動作で緑色光レーザ発振
が確認された。

【００３２】図５は、図３の実施形態の構成において、
基板１１とダブルヘテロ接合部の間のバッファ層１２，
１３を省略した実施形態である。この様にバッファ層は
本質的ではなく、場合によっては省略することができ
る。

【００３３】ただし本発明における半導体レーザのダブ
ルヘテロ接合部の半導体材料に対しては、格子定数が合
致する適当な基板がないのが一つの難点である。このた
め成長条件によってはダブルヘテロ接合部に大きい応力
がかかり、或いは格子定数の違いに起因して転位が発生
するなど、信頼性上問題があるのでバッファは設けた方
が良い。この格子定数の問題にさらに考慮を払った実施
形態を次に説明する。

【００３４】図６は、その様な実施形態の半導体レーザ
である。これは図３の実施形態の構成を基本とし、その
ｎ型ＢＰバッファ層１３の部分を平均組成を変化させた
ＧａＡｌＮとＢＰの超格子層またはＧａ_xＡｌ_yＢ
_1-x-yＮ_zＰ_1-z層が交互に積層された多層構造からな
るｎ型バッファ層５１に置換したものである。

【００３５】図７は同様に、図３の実施形態のＧａＰ基
板１１およびＧａＰバッファ層１２の部分に、ダブルヘ
テロ接合部の材料により格子定数が近いＳｉＣ基板６１
を用いた実施形態である。

【００３６】これらの実施形態によって、ダブルヘテロ
接合部への応力集中、転位の発生などを抑制することが
できる。更に上記各実施形態に於いて、ＢＰバッファ層
１２の成長に際して成長中に適当な温度サイクルを与え
て応力を吸収することも可能であり、有用である。

【００３７】以上の実施形態では、電流阻止層としてＢ
Ｐ層を用いたが、ＢＰ層は発光波長に対して不透明であ
るため損失が大きく、これによりしきい値電流密度が高
いものとなる。また高出力を必要とする際には、非点収
差が大きくなる。また電流阻止層はキャリア濃度が十分
高いことが重要であり、この点に関しても特にｎ型基板
を用いる際には電流阻止層もｎ型とすることが多いが、
ＢＰはｎ型の高濃度トーピングが困難であり、キャリア
濃度を十分高くできない。これらの点を電流阻止層にＷ
Ｚ型結晶を用いることにより改善した実施形態を次に説
明する。

【００３８】図８はその様な実施形態の半導体レーザで
ある。図１の実施形態の構成を基本とし、そのｎ型ＢＰ
電流阻止層１７の部分をｎ型ＡｌＢＮＰ電流阻止層８１
に置換している点が異なる。それ以外は図１と同様であ
る。製造工程も図１の実施形態と基本的に変わらない。
ｎ型ＡｌＢＮＰ電流阻止層８１として具体的に、Ｓｉド
ープ、キャリア濃度１×１０¹⁸／ｃｍ³、厚さ１μｍの
Ａｌ_0.2Ｂ_0.8Ｎ_0.2Ｐ_0.8層を成長させた素子を作成
した。

【００３９】得られたレーザ素子は共振器長３００μｍ
の場合、液体窒素温度でパルス幅１００μｍｓｅｃのパ
ルス動作で緑色レーザ発振が確認された。しきい値電流
密度は約３０ｋＡ／ｃｍ²であった。このとき動作電圧
は５Ｖ程度の低いものであった。

【００４０】図９および図１０の実施形態は同様のＡｌ
ＢＮＰ電流阻止層を、それぞれ図３および図４の実施形
態のものに適用した場合である。これらの実施形態によ
っても同様の効果が得られる。またＷＺ型のＡｌＢＮＰ
にＧＡを混入しても同様の効果を得ることができる。

【００４１】さらに電流阻止層に、ＷＺ型Ｇａ_uＡｌ
_1-uＮ層（ｏ≦ｕ≦１）を用いた実施形態を説明する。
ＷＺ型ＧａＡｌＮは、透明度が高くかつ結晶成長が容易
で成長速度も速いため、本発明の半導体レーザでの電流
阻止層として非常に有効である。図１１はその様な実
施形態であり、図１の実施形態のｎ型ＢＰ電流阻止層１
７の部分にｎ型ＧａＮ電流阻止層９１を設けたものであ
る。製造工程はやはり図１のそれと基本的に同じであ
る。具体的にｎ型ＧａＮ電流阻止層９１として、Ｓｉド
ープ、キャリア濃度１×１０¹⁸／ｃｍ³、１μｍのＧａ
Ｎ層を用いて、共振器長３００μｍのレーザ素子を作成
した。

【００４２】得られたレーザ素子は、液体窒素温度でパ
ルス幅１００μｓｅｃのパルス動作で緑色レーザ発振が
確認された。しきい値電流密度は約３０ｋＡ／ｃｍ²で
あった。また良好な横モード制御が行われていることが
確認され、動作電圧は約５Ｖと低い値が得られた。また
非点収差は１０μｍであり、この値はＢＰを電流阻止層
として用いた場合の３０μｍに比べて十分小さい。

【００４３】図１２および図１３は同様に、それぞれ図
３および図４の実施形態の構成に対してｎ型ＧａＮ電流
阻止層を用いた実施形態である。これらの実施形態によ
っても同様の効果が得られる。

【００４４】さらに電流阻止層として、ＧａＡｌＢＮＰ
混晶層やＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子層などを用いることも
可能である。

【００４５】以上の実施形態において、ＧａＡｌＮ／Ｂ
Ｐ超格子層またはＧａＡｌＢＮＰ混晶層からなるクラッ
ド層は、上部クラッド層がＢＰコンタクト層と接し、下
部クラッド層がＢＰバッファ層に接する。ＢＰ層はＧＡ
ａＡｌＮ／ＢＰ超格子層またはＧａＡｌＢＮＰ混晶層よ
りバンドギャップが狭いから、これらの間には電位障壁
が形成され、これが素子のしきい値電流密度や動作電圧
を高くする原因となる。したがってこれらの間には更に
バンドギャップを滑らかに遷移させるような中間バッフ
ァ層を介在させることが有効である。その様な実施形態
を以下に説明する。

【００４６】図１４はその様な実施形態の半導体レーザ
である。この実施形態は図１の実施形態の構成を基本と
し、ｎ型ＢＰバッファ層１３とｎ型ＧａＡｌＮ／ＢＰク
ラッド層１４の間にｎ型Ｇａ_xＡｌ_1-xＮ／ＢＰ超格子
層からなる第１の中間バッファ層１０１を介在させ、ま
たｐ型ＧａＡｌＮ／ＢＰクラッド層１６とｐ型ＢＰコン
タクト層１８間に同様にｐ型Ｇａ_xＡｌ_1-xＮ／ＢＰ超
格子層からなる第２の中間バッファ層１０２を介在させ
ている。それ以外は図１の実施形態と同様である。

【００４７】素子製造方法および製造条件は基本的に図
１の実施形態と変わらない。具体的に、ｎ型クラッド層
１４がＳｉドープ，キャリア濃度１×１０¹⁷／ｃｍ³の
Ｇａ_0.4Ａｌ_0.6Ｎ／ＢＰ層に対して第１の中間バッフ
ァ層１０１を、Ｓｉドープ，キャリア濃度１×１０¹⁷／
ｃｍ³，厚さ０．１μｍのＧａ_0.5Ａｌ_0.2Ｎ／ＢＰ超
格子層とし、ｐ型クラッド層１４がＭｇドープ、キャリ
ア濃度１×１０¹⁷／ｃｍ³のＧａ_0.4Ａｌ_0.6Ｎ／ＢＰ
層に対して第２の中間バッファ層１０２を、Ｍｇドー
プ、キャリア濃度１×１０¹⁷／ｃｍ³、厚さ０．１μｍ
のＧａ_0.8Ａｌ_0. ₂Ｎ／ＢＰ超格子層として素子形成し
た。

【００４８】この実施形態の素子でも液体窒素温度で緑
色光レーザ発振が確認され、低いしきい値電流密度と動
作電圧が得られた。

【００４９】図１５は、図３の実施形態の素子に対し
て、図１４の実施形態と同様の超格子層からなる中間バ
ッファ層１０１，１０２を設けた実施形態である。この
実施形態でも同様の緑色光レーザ発振が得られる。

【００５０】以上の中間バッファ層を設ける方式は、ク
ラッド層および活性層にＧａＡｌＢＮＰ混晶層を用いる
場合にも有効であり、その場合中間バッファ層としては
ＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子層或いはＧａＡｌＢＮＰ混晶層
を用いればよい。

【００５１】図１６は、その様な実施形態の半導体レー
ザである。これは、図４の実施形態の素子に対して、ｎ
型クラッド層４１の下にｎ型ＧａＡｌＢＮＰ混晶層から
なる第１の中間バッファ層１１１を設け、ｐ型クラッド
層４３上にｐ型ＧａＡｌＢＮＰ混晶層からなる第２の中
間バッファ層１１２を設けたものである。

【００５２】具体的に例えば、ｎ型クラッド層４１およ
びｎ型クラッド層４３がＧａ_0.2Ａｌ_0.3Ｂ_0.5Ｎ_0.5
Ｐ_0.5混晶層である場合、第１の中間バッファ層１１１
を、Ｓｉドープ、キャリア濃度１×１０¹⁷／ｃｍ³、厚
さ０．１μｍのＧａ_0.4Ａｌ_0.1Ｂ_0.5Ｎ_0.5Ｐ_0.5混
晶層とし、第２の中間バッファ層１１２を、Ｍｇドー
プ、キャリア濃度１×１０^１７／ｃｍ³、厚さ０．１μ
ｍのＧａ_0.4Ａｌ_0.1Ｂ_0.5Ｎ_0.5Ｐ_0.5混晶層とす
る。素子の製造方法は図４の実施形態のそれと基本的に
同じである。

【００５３】この実施形態によっても、先の実施形態と
同様の効果が得られる。

【００５４】なお、中間バッファ層を設ける上記各実施
形態に於いて、コンタクト層側の第２の中間バッファ層
は電流狭窄領域のみに形成しているが、これはクラッド
層上全面に設けることも可能である。

【００５５】図１７はその様な実施形態であり、図１４
に対して上部の中間バッファ層１０２′をｐ型クラッド
層１６上全面に設けている。

【００５６】また上記各実施形態の中間バッファ層につ
いて、超格子層を用いた場合、混晶層を用いた場合いず
れも、その平均組成を膜厚方向に変化させてバンドギャ
ップが連続的に変化するようにすれば、バンドギャップ
の遷移領域がより滑らかになって効果的である。

【００５７】本発明の半導体レーザにおいて、格子整合
がとれる良質の適当な基板のないことが一つの問題であ
ることは既に述べた。これに対して先に実施形態を説明
したように発光層と同質のバッファ層を設けることの他
に、結晶成長に用いた基板をその後除去するという方法
も有効である。

【００５８】図１８はその様な実施形態の半導体レーザ
である。これは基本的に図１の実施形態の素子と同様に
構成した後、基板１１およびＧａＰバッファ層１２を除
去したものである。ＧａＰ基板１１およびＧａＰバッフ
ァ層１２の除去は例えば、機械研磨の後、２％臭素メチ
ルアルコール溶液でエッチングすることにより行われ
る。

【００５９】この実施形態によれば、基板およびバッフ
ァ層の除去によって発光層部分への応力集中が軽減さ
れ、安定動作が得られる。具体的にこの実施形態により
共振器長３００μｍの素子を構成し、液体窒素温度でパ
ルス幅１００μｓｅｃのパルス動作で緑色光レーザ発振
が確認された。しきい値電流密度は約５０ｋＡ／ｃｍ^２
であった。室温ではレーザ発振は確認されなかったが、
ＬＥＤモードの動作では１００時間以上安定した発光が
確認された。

【００６０】図１９および図２０は、同様の基板除去を
それぞれ図３および図４の実施形態の素子に対して適用
した場合を示している。これらの実施形態によっても同
様の効果が得られる。

【００６１】以上の実施形態では全て、ｐｎ接合を利用
して電流狭窄を行う電流阻止層を設けているが、この様
な格別の電流阻止層を設けなくても電流狭窄は可能であ
る。以下にその実施形態を説明する。

【００６２】図２１は、その様な実施形態の半導体レー
ザである。この構造は、図１５の実施形態の構造を基本
として、ｎ型ＢＰ電流阻止層１７を形成することなく、
ｐ型ＢＰコンタクト層１８を形成したものである。この
ような方法によれば、選択成長の工程を必要としないた
め、工程が簡単化され、コスト低下につながる。

【００６３】この構造では、ｐ型クラッド層１６とｐ型
ＢＰコンタクト層１８が直接接触する領域は、バンド不
連続による大きい電位障壁により電流が流れず、中央の
ストライプ状部分のｐ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子層から
なる中間バッファ層１０３が介在している部分のみ滑ら
かなバンド遷移の結果電流が流れる。したがって実質的
に電流狭窄が行われる。また、ｐ型クラッド層１６がス
トライプ状に凸型に加工されているため、横方向に屈折
率の差ができて光閉じ込めも行われる。

【００６４】この実施形態により共振器長３００μｍの
素子を構成して、液体窒素温度でパルス幅１００μｍｓ
ｅｃのパルス動作で緑色レーザ発振が確認された。しき
い値電流密度は約７０ｋＡ／ｃｍ²であった。しきい値
電流密度は高めであるが、良好な横モード制御が行われ
ていることが確認された。また動作電圧は約５Ｖと低い
ものであった。

【００６５】図２２は同様の電流狭窄構造を、図１６の
実施形態の素子に適用した実施形態である。この実施形
態によっても同様のレーザ発振が可能である。

【００６６】図２３は更に、ｐ型クラッド層１６をスト
ライプ状凸部をもつように加工することをせず、ｐ型Ｇ
ａＡｌＮ／ＢＰ中間バッファ層１０２を選択的にエッチ
ングしてストライプ状にパターニングし、ｐ型ＢＰコン
タクト層１９を全面に形成した実施形態である。この実
施形態によっても、光閉じ込めの効果はないが、電流狭
窄は行われ、レーザ発振が可能である。

【００６７】本発明の半導体レーザにおける発光層に用
いる化合物半導体材料は、ＢＰの低イオン性とＺＢ構
造、およびＧａＡｌＮの広いバンドギャップの特性を併
せ持つものであるが、ＧａＡｌＮ層部分にアクセプタ不
純物が入るとＮが抜けるという自己補償効果があり、高
濃度のｐ型ドーピングが難しい。その点を解決するため
に、ＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子層を形成する際に、ｐ型に
関しては低イオン性のＢＰ層にのみ選択的に不純物をド
ープすることが有効であることが判明した。ＧａＡｌＮ
／ＢＰ超格子層全体にｐ型不純物をドープすると、Ｇａ
ＡｌＮ層での自己補償効果の他、欠陥が多く発生して結
局全体として高いキャリア濃度が得られないのに対し、
ＢＰ層にのみ選択的にｐ型不純物をドープすると、自己
補償効果の影響を受けず、また欠陥の発生もないため、
結果的にドープした不純物の多くがキャリアとして有効
に活性化されるものと思われる。

【００６８】図２４（ａ）（ｂ）は、その様なドーピン
グ法を示す概念図である。（ａ）はｐ型ドーピングの場
合であり、（ｂ）はｎ型ドーピングの場合である。いず
れも、ＢＰ層とＧａＡｌＮ層が交互に所定周期で積層さ
れた超格子構造を基本とするが、（ａ）ではＢＰ層にの
みＭｇがドープされ、（ｂ）ではＧａＡｌＮ層にのみＳ
ｉがドープされている。

【００６９】この様な超格子構造半導体層の成長と選択
的な不純物ドープは、図２のＭＯＣＶＤ装置により可能
である。すでに説明した実施形態における超格子層形成
と同様の条件でＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子層を形成し、ｎ
型に関してはＧａＡｌＮ層にＳｉを、ｐ型に関してはＢ
Ｐ層にＭｇをそれぞれドーピングした。ｎ型の場合はＧ
ａＡｌＮ層とＢＰ層に同時にＳｉをドープしてもよい
が、ＢＰは有効質量が非常に大きくｎ型ドーピングには
適さない。この選択ドーピングにより、ｐ型、ｎ型共に
１０¹⁸／ｃｍ³オーダーのキャリア濃度の超格子半導体
膜が得られることが確認された。したがってこの選択ド
ーピングは本発明の半導体レーザを製造する際に有効で
ある。

【００７０】なおｐ型ドーピングの際、ＧａＡｌＮ層に
僅かのＭｇが混入することは差支えない。

【００７１】本発明は、上記した実施形態に限られな
い。実施形態ではＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子層を用いてダ
ブルヘテロ接合を構成する場合にその組成比を変化さ
せ、またＧａＡｌＢＮＰ混晶層を用いた場合にもその平
均組成を変化させたが、超格子層を用いる場合ＧａＡｌ
ＮとＢＰの膜厚比を変化させることによりバンドギャッ
プを変化させることもできる。また上記各実施形態で
は、超格子構造の場合を含めて平均組成をＧａ_xＡｌ_y
Ｂ_1-x-yＮ_zＰ_1-zで表したとき、ｘ＋ｙ＝０．５とし
たが、他の組成を用いることもできる。但し発光層の場
合、ｘ＋ｙが０．５より小さくなると、バンド構造が直
接遷移型から間接遷移型になってしまうので好ましくな
い。

【００７２】さらに上述した各実施形態において、Ｇａ
ＡｌＮ層とＢＰ層間の格子整合をより良好なものとする
ために、III 族元素としてＢ，Ｇａ，Ａｌの他にＩｎな
どを少量混合してもよい。同様にＶ族元素としてＡｓ、
Ｓｂを混合することができる。また原料ガスとしては、
Ｇａ原料としてトリエチルガリウム（ＴＥＧ）、Ａｌ原
料としてトリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）、Ｂ原料と
してトルメチルボロン（ＴＭＢ）などを使用することが
でき、さらにＮ原料としてヒドラジン（Ｎ₂Ｈ₄）のほ
か、Ｇａ（Ｃ₂Ｈ₅）₃・ＮＨ₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃・
Ｎ・（ＣＨ₃）₃などの、アダクトと呼ばれる有機金属
化合物を用いることができる。さらに上述の実施形態で
は第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型とした場合を説
明したが、これらを逆にしてもよい。電極の材料も他の
ものを選択することができる。

【００７３】その他、本発明はその趣旨を逸脱しない範
囲で種々変形して実施することができる。

【００７４】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、広い
バンドギャップを持つ化合物半導体材料を用いて、実用
的な短波長光半導体レーザを実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係るＧａＡｌＮ／ＢＰ超格
子層を用いた半導体レーザを示す断面図。

【図２】図１のレーザの製造に用いたＭＯＣＶＤ装置の
構成を示す図。

【図３】ＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子層を用いた他の実施形
態の半導体レーザを示す断面図。

【図４】ＧａＡｌＢＮＰ混晶層を用いた実施形態の半導
体レーザを示す断面図。

【図５】バッファ層を省略した実施形態の半導体レーザ
を示す断面図。

【図６】ＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子層をバッファ層として
用いた実施形態の半導体レーザを示す断面図。

【図７】ＳｉＣ基板を用いた実施形態の半導体レーザを
示す断面図。

【図８】電流阻止層にＡｌＢＮＰ層を用いた実施形態の
半導体レーザを示す断面図。

【図９】電流阻止層にＡｌＢＮＰ層を用いた実施形態の
半導体レーザを示す断面図。

【図１０】電流阻止層にＡｌＢＮＰ層を用いた実施形態
の半導体レーザを示す断面図。

【図１１】電流阻止層にＧａＮ層を用いた実施形態の半
導体レーザを示す断面図。

【図１２】電流阻止層にＧａＮ層を用いた実施形態の半
導体レーザを示す断面図。

【図１３】電流阻止層にＧａＮ層を用いた実施形態の半
導体レーザを示す断面図。

【図１４】クラッド層の上下に中間バッファ層を介在さ
せた実施形態の半導体レーザを示す断面図。

【図１５】クラッド層の上下に中間バッファ層を介在さ
せた実施形態の半導体レーザを示す断面図。

【図１６】クラッド層の上下に中間バッファ層を介在さ
せた実施形態の半導体レーザを示す断面図。

【図１７】クラッド層の上下に中間バッファ層を介在さ
せた実施形態の半導体レーザを示す断面図。

【図１８】基板を除去した実施形態の半導体レーザを示
す断面図。

【図１９】基板を除去した実施形態の半導体レーザを示
す断面図。

【図２０】基板を除去した実施形態の半導体レーザを示
す断面図。

【図２１】ｎ型電流阻止層を省略した実施形態の半導体
レーザを示す断面図。

【図２２】ｎ型電流阻止層を省略した実施形態の半導体
レーザを示す断面図。

【図２３】ｎ型電流阻止層を省略した実施形態の半導体
レーザを示す断面図。

【図２４】本発明に有用な選択ドーピングを説明するた
めの図。

【符号の説明】

１１…ＧａＰ基板１２…ｎ型ＧａＰバッファ層１３…ｎ型ＢＰバッファ層１４…ｎ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子クラッド層１５…アンドープＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子活性層１６…ｐ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子クラッド層１７…ｎ型ＢＰ電流阻止層１８…ｐ型ＢＰコンタクト層１９，２０…電極４１…ｎ型ＧａＡｌＮＰ混晶クラッド層４２…アンドープＧａＡｌＢＮＰ混晶活性層４３…ｐ型ＧａＡｌＢＮＰ混晶クラッド層５１…ｎ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子バッファ層６１…ＳｉＣ基板８１…ｎ型ＡｌＢＮＰ電流阻止層９１…ＧａＮ電流阻止層１０１…ｎ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子中間バッファ層１０２…ｐ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子中間バッファ層１１１…ｎ型ＧａＡｌＢＮＰ混晶中間バッファ層１１２…ｐ型ＧａＡｌＢＮＰ混晶中間バッファ層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ｐｎ接合を有する半導体レーザにおいて、単結晶基板上に、発光層をＧａＡｌＮ系材料からなるｐ
型及びｎ型のクラッド層で挟んだダブルへテロ構造部が
形成され、このダブルヘテロ構造部のｐ型クラッド層は
一部が凸型に突出したリブ構造に形成され、該リブ構造
の両側に電流阻止層が形成されていることを特徴とする
半導体レーザ。
【請求項２】前記基板は、ＳｉＣであることを特徴とす
る請求項１記載の半導体レーザ。