JPH10241596A - シャドウマスクとその製造方法 - Google Patents
シャドウマスクとその製造方法Info
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- JPH10241596A JPH10241596A JP9041722A JP4172297A JPH10241596A JP H10241596 A JPH10241596 A JP H10241596A JP 9041722 A JP9041722 A JP 9041722A JP 4172297 A JP4172297 A JP 4172297A JP H10241596 A JPH10241596 A JP H10241596A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/06—Screens for shielding; Masks interposed in the electron stream
- H01J29/07—Shadow masks for colour television tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2229/07—Shadow masks
- H01J2229/0727—Aperture plate
- H01J2229/075—Beam passing apertures, e.g. geometrical arrangements
- H01J2229/0755—Beam passing apertures, e.g. geometrical arrangements characterised by aperture shape
Landscapes
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シャドウマスクにおいて、電子ビームの入射
角度が大きくなる有孔域周辺部では、小孔外側壁部の形
状により電子ビームがランダムに散乱し反射量が増え、
この反射電子ビームが不所望な蛍光体膜を発光させコン
トラスト特性を低下させる。 【解決手段】 有孔域周辺部に位置する表面大孔３と裏
面小孔４とで形成する外側接合点高さ寸法Ｈ２を内側接
合点高さ寸法Ｈ１より小さく、かつ２０μｍ以下にす
る。さらに裏面小孔４の外側壁部４ａの形状が、この外
側壁部４ａにより反射した反射電子ビーム７ａを表面大
孔３の内側壁部３ａに衝突させさらに蛍光体膜１４側へ
再反射させる、または電子銃１６側へ反射させる形状と
した。
角度が大きくなる有孔域周辺部では、小孔外側壁部の形
状により電子ビームがランダムに散乱し反射量が増え、
この反射電子ビームが不所望な蛍光体膜を発光させコン
トラスト特性を低下させる。 【解決手段】 有孔域周辺部に位置する表面大孔３と裏
面小孔４とで形成する外側接合点高さ寸法Ｈ２を内側接
合点高さ寸法Ｈ１より小さく、かつ２０μｍ以下にす
る。さらに裏面小孔４の外側壁部４ａの形状が、この外
側壁部４ａにより反射した反射電子ビーム７ａを表面大
孔３の内側壁部３ａに衝突させさらに蛍光体膜１４側へ
再反射させる、または電子銃１６側へ反射させる形状と
した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シャドウマスクに
関し、特にカラー陰極線管に使用されるドット孔、スロ
ット孔等の貫通孔を形成する表面大孔と裏面小孔との外
側接合点高さ寸法と形状を規制したシャドウマスクおよ
び製造方法に関する。
関し、特にカラー陰極線管に使用されるドット孔、スロ
ット孔等の貫通孔を形成する表面大孔と裏面小孔との外
側接合点高さ寸法と形状を規制したシャドウマスクおよ
び製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】カラー陰極線管の基本構造は、図５に示
すように、一般にカラー陰極線管１１は、バルブ１２の
前面部を構成するフェースパネル１３の内面に形成した
蛍光体膜１４、シャドウマスク１５が順次配設され、バ
ルブ１２のネック部に配設された電子銃１６から放出さ
れる電子ビーム７を偏向ヨーク１８による磁界で偏向さ
せ、シャドウマスク１５を介して蛍光体膜１４を走査す
ることにより、蛍光体膜上に画像を表示するように構成
されている。
すように、一般にカラー陰極線管１１は、バルブ１２の
前面部を構成するフェースパネル１３の内面に形成した
蛍光体膜１４、シャドウマスク１５が順次配設され、バ
ルブ１２のネック部に配設された電子銃１６から放出さ
れる電子ビーム７を偏向ヨーク１８による磁界で偏向さ
せ、シャドウマスク１５を介して蛍光体膜１４を走査す
ることにより、蛍光体膜上に画像を表示するように構成
されている。
【０００３】カラー陰極線管は、画像表示装置としての
基本性能すなわちコントラストや輝度を向上させるた
め、フェースパネル１３の内面に赤、緑、青の各色蛍光
体発光画素の間を非発光吸光性物質、例えば黒鉛で埋め
たブラックマトリクス膜（図示せず、以降ＢＭ膜とす
る）を形成し、このＢＭ膜と一体的に形成した蛍光体膜
１４と、この蛍光体膜１４とは遊離した形で光を反射す
るアルミニウム膜からなるメタルバック膜（図示せず）
と、さらにシャドウマスク１５を配設した構造になって
いる。
基本性能すなわちコントラストや輝度を向上させるた
め、フェースパネル１３の内面に赤、緑、青の各色蛍光
体発光画素の間を非発光吸光性物質、例えば黒鉛で埋め
たブラックマトリクス膜（図示せず、以降ＢＭ膜とす
る）を形成し、このＢＭ膜と一体的に形成した蛍光体膜
１４と、この蛍光体膜１４とは遊離した形で光を反射す
るアルミニウム膜からなるメタルバック膜（図示せず）
と、さらにシャドウマスク１５を配設した構造になって
いる。
【０００４】ここでは、電子ビームを通過させる多数の
略矩形状のスロット孔を有するシャドウマスクについて
のみ説明する。図６に示すように、シャドウマスク１５
には、垂直軸Ｖ方向に長辺、水平軸Ｈ方向に短辺を有し
た多数のスロット孔２２が形成配設されている。また垂
直軸Ｖ方向に並んだスロット孔２２間に形成される部分
がブリッジ部２３で、水平軸Ｈ方向に並んだスロット孔
２２間に形成される部分が連結部２４と呼ばれる。
略矩形状のスロット孔を有するシャドウマスクについて
のみ説明する。図６に示すように、シャドウマスク１５
には、垂直軸Ｖ方向に長辺、水平軸Ｈ方向に短辺を有し
た多数のスロット孔２２が形成配設されている。また垂
直軸Ｖ方向に並んだスロット孔２２間に形成される部分
がブリッジ部２３で、水平軸Ｈ方向に並んだスロット孔
２２間に形成される部分が連結部２４と呼ばれる。
【０００５】シャドウマスク１５に配設された多数のス
ロット孔２２は、図示しないが、金属薄板の表面（蛍光
体膜側）および裏面（電子銃側）に、いずれも画面の垂
直軸Ｖ方向に長辺、水平軸Ｈ方向に短辺を有した矩形状
のレジストパターンを形成した後、エッチングによって
表面に大孔２５と裏面に小孔２６とを形成した貫通孔で
ある。
ロット孔２２は、図示しないが、金属薄板の表面（蛍光
体膜側）および裏面（電子銃側）に、いずれも画面の垂
直軸Ｖ方向に長辺、水平軸Ｈ方向に短辺を有した矩形状
のレジストパターンを形成した後、エッチングによって
表面に大孔２５と裏面に小孔２６とを形成した貫通孔で
ある。
【０００６】図７は、図６のＡ−Ａ方向から見たスロッ
ト孔と電子ビームとの関係を示す部分断面図である。図
７に示すように、エッチングによって、シャドウマスク
１５の表面に矩形状の大孔２５を、裏面に矩形状の小孔
２６を穿設して貫通したスロット孔２２を形成し、この
スロット孔２２を電子銃１６から射出された電子ビーム
７が通過する。
ト孔と電子ビームとの関係を示す部分断面図である。図
７に示すように、エッチングによって、シャドウマスク
１５の表面に矩形状の大孔２５を、裏面に矩形状の小孔
２６を穿設して貫通したスロット孔２２を形成し、この
スロット孔２２を電子銃１６から射出された電子ビーム
７が通過する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７に
示すように、スロット孔２２を形成する小孔２６の外側
壁部２６ａの形状は、この外側壁部２６ａに射突した電
子ビーム７をランダムに反射散乱させる。特に、蛍光体
膜１４側へ直接向かう反射電子ビーム７ａは不所望な蛍
光体膜１４（図示せず）を発光させコントラストを下げ
る大きな要因となる。有孔域周辺部、特にシャドウマス
ク１５の中央部より離れるほどスロット孔２２に対して
電子ビームの入射角度が大きくなることから外側壁部２
６ａによる電子ビームの反射量も多くなってコントラス
ト特性を劣化させる。そこで、本発明は上記問題点に鑑
みて提案されたもので、その目的とするところは、ドッ
ト孔やスロット孔等の貫通孔を形成する小孔外側壁部で
反射する電子ビームが蛍光体膜側へ向かう割合を減少さ
せ不所望な蛍光体膜を発光させるのを低減することによ
ってコントラスト特性劣化を抑制したシャドウマスクを
提供することにある。
示すように、スロット孔２２を形成する小孔２６の外側
壁部２６ａの形状は、この外側壁部２６ａに射突した電
子ビーム７をランダムに反射散乱させる。特に、蛍光体
膜１４側へ直接向かう反射電子ビーム７ａは不所望な蛍
光体膜１４（図示せず）を発光させコントラストを下げ
る大きな要因となる。有孔域周辺部、特にシャドウマス
ク１５の中央部より離れるほどスロット孔２２に対して
電子ビームの入射角度が大きくなることから外側壁部２
６ａによる電子ビームの反射量も多くなってコントラス
ト特性を劣化させる。そこで、本発明は上記問題点に鑑
みて提案されたもので、その目的とするところは、ドッ
ト孔やスロット孔等の貫通孔を形成する小孔外側壁部で
反射する電子ビームが蛍光体膜側へ向かう割合を減少さ
せ不所望な蛍光体膜を発光させるのを低減することによ
ってコントラスト特性劣化を抑制したシャドウマスクを
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題の解
決を目的として提案されたもので、蛍光体膜を形成した
フェースパネル内面と対向配置され、有孔域と無孔域か
らなる金属薄板の有孔域に電子ビームを通過させる表面
大孔と裏面小孔とから形成される規則的に配設された多
数の貫通孔を有するシャドウマスクにおいて、有孔域の
周辺部に位置する貫通孔は、その中心から向かって外側
壁部の接合形状が裏面小孔の外側壁部により反射する電
子ビームを抑制するシャドウマスクを提供する。
決を目的として提案されたもので、蛍光体膜を形成した
フェースパネル内面と対向配置され、有孔域と無孔域か
らなる金属薄板の有孔域に電子ビームを通過させる表面
大孔と裏面小孔とから形成される規則的に配設された多
数の貫通孔を有するシャドウマスクにおいて、有孔域の
周辺部に位置する貫通孔は、その中心から向かって外側
壁部の接合形状が裏面小孔の外側壁部により反射する電
子ビームを抑制するシャドウマスクを提供する。
【０００９】また、外側壁部の接合形状は、外側接合高
さ寸法を内側接合点高さ寸法より小さく、かつ外側接合
点高さ寸法が２０μｍ以下であるシャドウマスクを提供
する。
さ寸法を内側接合点高さ寸法より小さく、かつ外側接合
点高さ寸法が２０μｍ以下であるシャドウマスクを提供
する。
【００１０】外側壁部の接合形状が、シャドウマスク板
厚と、外側接合点高さ寸法と、貫通孔径と、外側接合点
での電子ビームの入射角度と、大孔内側寸法等とから算
出さる小孔外側寸法で決定され、外側の接合形状が裏面
小孔の外側壁部により電子ビームの反射を表面大孔の内
側壁部で蛍光体膜側へ再反射、または電子銃側へ反射さ
せるシャドウマスクの製造方法を提供する。
厚と、外側接合点高さ寸法と、貫通孔径と、外側接合点
での電子ビームの入射角度と、大孔内側寸法等とから算
出さる小孔外側寸法で決定され、外側の接合形状が裏面
小孔の外側壁部により電子ビームの反射を表面大孔の内
側壁部で蛍光体膜側へ再反射、または電子銃側へ反射さ
せるシャドウマスクの製造方法を提供する。
【００１１】また、有孔域周辺部に位置する貫通孔の接
合形状が、裏面小孔を形成するレジストパターンの中心
を表面大孔を形成するレジストパターンの中心よりシャ
ドウマスク中心側へ偏心させてエッチングするシャドウ
マスクの製造方法を提供する。
合形状が、裏面小孔を形成するレジストパターンの中心
を表面大孔を形成するレジストパターンの中心よりシャ
ドウマスク中心側へ偏心させてエッチングするシャドウ
マスクの製造方法を提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】シャドウマスクに穿設される貫通
孔として、ドット孔、スロット孔、スリット等があり、
各シャドウマスクは、それぞれ特徴を有している。しか
しながら、本発明の適用が同一であることから、ここで
はスロット孔を有するシャドウマスクを基本に説明す
る。本発明の実施の形態について、図面を参照しながら
説明する。図１〜図４において、１はシャドウマスク、
２はスロット孔（貫通孔）、３は表面大孔、４は裏面小
孔、５は大孔と小孔との内側接合点、６は大孔と小孔と
の外側接合点、７は電子ビーム、７ａは反射電子ビー
ム、７ｂは再反射電子ビーム、１０はブリッジ部、１１
は連結部、ａはスロット孔（貫通孔）径、ｔはシャドウ
マスクの板厚、Ｓ２は小孔内側寸法、Ｓ３は小孔外側寸
法、Ｓ４は大孔内側寸法、αは電子ビーム入射角、Ｄ１
とＤ２はそれぞれ大孔と小孔の中心でｄがシャドウマス
クの中心側への偏心量である。なお、従来例と同一部分
には同一符号を付し説明を省略する。
孔として、ドット孔、スロット孔、スリット等があり、
各シャドウマスクは、それぞれ特徴を有している。しか
しながら、本発明の適用が同一であることから、ここで
はスロット孔を有するシャドウマスクを基本に説明す
る。本発明の実施の形態について、図面を参照しながら
説明する。図１〜図４において、１はシャドウマスク、
２はスロット孔（貫通孔）、３は表面大孔、４は裏面小
孔、５は大孔と小孔との内側接合点、６は大孔と小孔と
の外側接合点、７は電子ビーム、７ａは反射電子ビー
ム、７ｂは再反射電子ビーム、１０はブリッジ部、１１
は連結部、ａはスロット孔（貫通孔）径、ｔはシャドウ
マスクの板厚、Ｓ２は小孔内側寸法、Ｓ３は小孔外側寸
法、Ｓ４は大孔内側寸法、αは電子ビーム入射角、Ｄ１
とＤ２はそれぞれ大孔と小孔の中心でｄがシャドウマス
クの中心側への偏心量である。なお、従来例と同一部分
には同一符号を付し説明を省略する。
【００１３】図１は本発明による多数個からなるスロッ
ト孔配列を示すシャドウマスクの部分平面図である。図
１に示すように、シャドウマスク１には、垂直軸Ｖ方向
に長辺、水平軸Ｈ方向に短辺から成り、スロット孔径ａ
を有する多数のスロット孔２が形成されている。なお、
垂直軸Ｖ方向に並んだスロット孔２間に形成される部分
がブリッジ部１０で、水平軸Ｈ方向に並んだスロット孔
２間に形成される部分が連結部１１である。
ト孔配列を示すシャドウマスクの部分平面図である。図
１に示すように、シャドウマスク１には、垂直軸Ｖ方向
に長辺、水平軸Ｈ方向に短辺から成り、スロット孔径ａ
を有する多数のスロット孔２が形成されている。なお、
垂直軸Ｖ方向に並んだスロット孔２間に形成される部分
がブリッジ部１０で、水平軸Ｈ方向に並んだスロット孔
２間に形成される部分が連結部１１である。
【００１４】図２は、第１の実施例で図１のＡ−Ａ方向
から見たスロット孔と連結部を示す部分断面図である。
図２に示すように、有孔域周辺部に位置する表面大孔３
と裏面小孔４との外側接合点高さ寸法Ｈ２を内側接合点
高さ寸法Ｈ１より小さくし、かつ外側接合点高さ寸法Ｈ
２を２０μｍ以下に規定して小孔外側壁部４ａによる反
射電子ビーム７ａ（図示せず）の絶対量を抑制すること
を狙いとしている。上述したこの外側接合点高さ寸法Ｈ
２が２０μｍ以下であると反射電子ビーム７ａの絶対量
が減少することが実験でも裏付けされている。
から見たスロット孔と連結部を示す部分断面図である。
図２に示すように、有孔域周辺部に位置する表面大孔３
と裏面小孔４との外側接合点高さ寸法Ｈ２を内側接合点
高さ寸法Ｈ１より小さくし、かつ外側接合点高さ寸法Ｈ
２を２０μｍ以下に規定して小孔外側壁部４ａによる反
射電子ビーム７ａ（図示せず）の絶対量を抑制すること
を狙いとしている。上述したこの外側接合点高さ寸法Ｈ
２が２０μｍ以下であると反射電子ビーム７ａの絶対量
が減少することが実験でも裏付けされている。
【００１５】一般に、スロット孔２の製造方法は、金属
薄板の両面に矩形状の表面大孔３形成用レジストパター
ン、裏面小孔４形成用レジストパターンを形成した後、
金属薄板の両面をエッチングすることによって、略矩形
状の表面大孔３と裏面小孔４が穿設され、これらの表面
大孔３と裏面小孔４とが貫通してスロット孔２が形成さ
れる。この表面大孔３と裏面小孔４とが貫通して出来る
接合部分の形状が所望のスロット孔２を形成できるかど
うか重要なポイントとなる。
薄板の両面に矩形状の表面大孔３形成用レジストパター
ン、裏面小孔４形成用レジストパターンを形成した後、
金属薄板の両面をエッチングすることによって、略矩形
状の表面大孔３と裏面小孔４が穿設され、これらの表面
大孔３と裏面小孔４とが貫通してスロット孔２が形成さ
れる。この表面大孔３と裏面小孔４とが貫通して出来る
接合部分の形状が所望のスロット孔２を形成できるかど
うか重要なポイントとなる。
【００１６】図３は、第２の実施例でスロット孔と電子
ビームの関係を示す説明図である。図３に示すように、
シャドウマスク１の有孔域周辺部において、電子ビーム
７の一部が、小孔外側壁部４ａによって蛍光体膜側へ向
かう反射電子ビーム７ａをさらに大孔内側壁部３ａで再
反射させる。このように、再反射電子ビーム７ｂを所望
電子ビーム７と同方向へ導出するような形状を有する小
孔外側壁部４ａであることを特徴としている。反射電子
ビーム７ａを大孔内側壁部３ａで再反射させることによ
って再反射電子ビーム７ｂはエネルギーを消耗し、不所
望の蛍光体膜を発光させるのを抑制している。
ビームの関係を示す説明図である。図３に示すように、
シャドウマスク１の有孔域周辺部において、電子ビーム
７の一部が、小孔外側壁部４ａによって蛍光体膜側へ向
かう反射電子ビーム７ａをさらに大孔内側壁部３ａで再
反射させる。このように、再反射電子ビーム７ｂを所望
電子ビーム７と同方向へ導出するような形状を有する小
孔外側壁部４ａであることを特徴としている。反射電子
ビーム７ａを大孔内側壁部３ａで再反射させることによ
って再反射電子ビーム７ｂはエネルギーを消耗し、不所
望の蛍光体膜を発光させるのを抑制している。
【００１７】小孔外側壁部４ａによって蛍光体膜側へ向
かう反射電子ビーム７ａをさらに大孔内側壁部３ａで再
反射させて再反射電子ビーム７ｂを所望電子ビーム７と
同方向へ導出するためのスロット孔２の製造条件は、小
孔外側寸法Ｓ３で決定され次式で示される。 Ｓ３≧Ｈ２×ｔａｎβ1 ここに β1 ＝(90-α-tan-1((t-H2/(a+S4)))/2 であ
る。なお、小孔外側寸法Ｓ３は、外側接合点６からの垂
線交点と裏面小孔４の外側端部迄の寸法を示す。また、
内側接合点５からの垂線交点と表面大孔３の内側端部迄
の寸法を大孔内側寸法Ｓ４と呼ぶ。
かう反射電子ビーム７ａをさらに大孔内側壁部３ａで再
反射させて再反射電子ビーム７ｂを所望電子ビーム７と
同方向へ導出するためのスロット孔２の製造条件は、小
孔外側寸法Ｓ３で決定され次式で示される。 Ｓ３≧Ｈ２×ｔａｎβ1 ここに β1 ＝(90-α-tan-1((t-H2/(a+S4)))/2 であ
る。なお、小孔外側寸法Ｓ３は、外側接合点６からの垂
線交点と裏面小孔４の外側端部迄の寸法を示す。また、
内側接合点５からの垂線交点と表面大孔３の内側端部迄
の寸法を大孔内側寸法Ｓ４と呼ぶ。
【００１８】図４は、第３の実施例でスロット孔と電子
ビームの関係を示す説明図である。図４に示すように、
シャドウマスク１の有孔域周辺部において、小孔外側壁
部４ａに射突した反射電子ビーム７ａのほとんど全てを
電子銃側へ反射させる形状を有する小孔外側壁部４ａで
あることを特徴としている。
ビームの関係を示す説明図である。図４に示すように、
シャドウマスク１の有孔域周辺部において、小孔外側壁
部４ａに射突した反射電子ビーム７ａのほとんど全てを
電子銃側へ反射させる形状を有する小孔外側壁部４ａで
あることを特徴としている。
【００１９】小孔外側壁部４ａに射突した反射電子ビー
ム７ａを電子銃側へ反射させるためのスロット孔２の製
造条件は、小孔外側寸法Ｓ３で決定され次式で示され
る。 Ｓ３≧Ｈ２×ｔａｎβ2 ここに β2 ＝(90-α)/2 である。 Ｓ２＝Ｈ２×ｔａｎαとなる。なお、小孔外側寸法Ｓ３
は、外側接合点６からの垂線交点と裏面小孔４の外側端
部迄の寸法を示す。また、小孔内側寸法Ｓ２は内側接合
点５からの垂線交点と裏面小孔４の内側端部迄の寸法を
示す。
ム７ａを電子銃側へ反射させるためのスロット孔２の製
造条件は、小孔外側寸法Ｓ３で決定され次式で示され
る。 Ｓ３≧Ｈ２×ｔａｎβ2 ここに β2 ＝(90-α)/2 である。 Ｓ２＝Ｈ２×ｔａｎαとなる。なお、小孔外側寸法Ｓ３
は、外側接合点６からの垂線交点と裏面小孔４の外側端
部迄の寸法を示す。また、小孔内側寸法Ｓ２は内側接合
点５からの垂線交点と裏面小孔４の内側端部迄の寸法を
示す。
【００２０】上述したように、第２、第３の実施例は、
スロット孔２を通過する所望の電子ビーム７以外の電子
ビーム、例えば反射電子ビーム７ａ、再反射電子ビーム
７ｂが蛍光体膜１４を発光させない抑制手段としてスロ
ット孔２を形成する小孔外側壁部４ａの形状を計算式よ
り算出し、製造方法を規定している。上述したように、
基本的には有孔域周辺部に位置する表面大孔３と裏面小
孔４との接合形状が外側接合点高さ寸法Ｈ２とこの外側
接合点での電子ビームの入射角度αから算出した小孔外
側寸法Ｓ３で決定しているが、より良い効果を得るため
に、第１の実施例で説明したように、有孔域周辺部に位
置する表面大孔３と裏面小孔４との外側接合点高さ寸法
Ｈ２が内側接合点高さ寸法Ｈ１より小さく、かつその外
側接合点高さ寸法Ｈ２を２０μｍ以下に規定した条件を
併用する方が望ましい。
スロット孔２を通過する所望の電子ビーム７以外の電子
ビーム、例えば反射電子ビーム７ａ、再反射電子ビーム
７ｂが蛍光体膜１４を発光させない抑制手段としてスロ
ット孔２を形成する小孔外側壁部４ａの形状を計算式よ
り算出し、製造方法を規定している。上述したように、
基本的には有孔域周辺部に位置する表面大孔３と裏面小
孔４との接合形状が外側接合点高さ寸法Ｈ２とこの外側
接合点での電子ビームの入射角度αから算出した小孔外
側寸法Ｓ３で決定しているが、より良い効果を得るため
に、第１の実施例で説明したように、有孔域周辺部に位
置する表面大孔３と裏面小孔４との外側接合点高さ寸法
Ｈ２が内側接合点高さ寸法Ｈ１より小さく、かつその外
側接合点高さ寸法Ｈ２を２０μｍ以下に規定した条件を
併用する方が望ましい。
【００２１】上述した実施例での内側接合点高さ寸法Ｈ
１、外側接合点高さ寸法Ｈ２および表面大孔３と裏面小
孔４との接合形状、特に裏面小孔外側壁部４ａの形状お
よび外側接合点高さ寸法Ｈ２を内側接合点高さ寸法Ｈ１
より小さく、かつ２０μｍ以下にするための製造方法
は、裏面小孔を形成するレジストパターンの中心Ｄ２を
表面大孔を形成するレジストパターンの中心Ｄ１よりシ
ャドウマスクの中心側へ偏心量ｄをもたせて形成し、エ
ッチング圧等のエッチング条件を変更することによって
所望の接合形状を形成している。
１、外側接合点高さ寸法Ｈ２および表面大孔３と裏面小
孔４との接合形状、特に裏面小孔外側壁部４ａの形状お
よび外側接合点高さ寸法Ｈ２を内側接合点高さ寸法Ｈ１
より小さく、かつ２０μｍ以下にするための製造方法
は、裏面小孔を形成するレジストパターンの中心Ｄ２を
表面大孔を形成するレジストパターンの中心Ｄ１よりシ
ャドウマスクの中心側へ偏心量ｄをもたせて形成し、エ
ッチング圧等のエッチング条件を変更することによって
所望の接合形状を形成している。
【００２２】
【発明の効果】上述したように、本発明のシャドウマス
クとその製造方法によれば、有孔域周辺部において、所
望の電子ビーム以外の小孔外側壁部による反射電子ビー
ムを大孔内側壁部で再反射させるか、または電子銃側へ
反射させることが可能となる。従って、反射電子ビーム
による不所望な蛍光体膜の発光が抑制されるためコント
ラスト特性劣化を防ぐことが出来る。
クとその製造方法によれば、有孔域周辺部において、所
望の電子ビーム以外の小孔外側壁部による反射電子ビー
ムを大孔内側壁部で再反射させるか、または電子銃側へ
反射させることが可能となる。従って、反射電子ビーム
による不所望な蛍光体膜の発光が抑制されるためコント
ラスト特性劣化を防ぐことが出来る。
【図１】 本発明によるスロット孔配列を示すシャドウ
マスク部分平面図
マスク部分平面図
【図２】 図１のＡ−Ａ方向から見たスロット孔と連結
部を示す部分断面図
部を示す部分断面図
【図３】 第２の実施例であるスロット孔と電子ビーム
の関係を示す説明図
の関係を示す説明図
【図４】 第３の実施例であるスロット孔と電子ビーム
の関係を示す説明図
の関係を示す説明図
【図５】 カラー陰極線管の基本構造を示す要部断面図
【図６】 従来のスロット孔配列を示す部分平面図
【図７】 図６のＡ−Ａ方向から見たスロット孔と電子
ビームとの関係を示す部分断面図
ビームとの関係を示す部分断面図
１ シャドウマスク ２ スロット孔（貫通孔） ３ 表面大孔 ３ａ 内側壁部 ４ 裏面小孔 ４ａ 外側壁部 ５ 内側接合点 ６ 外側接合点 ７ 電子ビーム ７ａ 反射電子ビーム ７ｂ 再反射電子ビーム １０ ブリッジ部 １１ 連結部 １４ 蛍光体膜 １６ 電子銃 Ｈ１ 内側接合点高さ寸法 Ｈ２ 外側接合点高さ寸法 Ｓ２ 小孔内側寸法 Ｓ３ 小孔外側寸法 Ｓ４ 大孔内側寸法 ｔ シャドウマスクの板厚 α 電子ビーム入射角 Ｄ１ 大孔の中心 Ｄ２ 小孔の中心 ａ スロット（貫通孔）径 ｄ 小孔のシャドウマスクの中心側への偏心量
Claims (7)
- 【請求項１】蛍光体膜を形成したフェースパネル内面と
対向配置され、有孔域と無孔域からなる金属薄板の有孔
域に電子ビームを通過させる表面大孔と裏面小孔とから
形成される規則的に配設された多数の貫通孔を有するシ
ャドウマスクにおいて、前記有孔域の周辺部に位置する
前記貫通孔は、その中心から向かって外側壁部の接合形
状が前記裏面小孔の外側壁部により反射する前記電子ビ
ームを抑制することを特徴とするシャドウマスク。 - 【請求項２】前記外側壁部の接合形状は、外側接合高さ
寸法を内側接合点高さ寸法より小さくしたことを特徴と
する請求項１記載のシャドウマスク。 - 【請求項３】前記外側接合点高さ寸法が２０μｍ以下で
あることを特徴とする請求項２記載のシャドウマスク。 - 【請求項４】前記外側の接合形状が前記裏面小孔の外側
壁部により反射した電子ビームを前記表面大孔の内側壁
部で蛍光体膜側へ再反射させる形状としたことを特徴と
する請求項１記載のシャドウマスク。 - 【請求項５】前記外側の接合形状が前記裏面小孔の外側
壁部により反射した電子ビームを電子銃側へ反射させる
形状としたことを特徴とする請求項１記載のシャドウマ
スク。 - 【請求項６】前記外側の接合形状が、シャドウマスク板
厚と、前記外側接合点高さ寸法と、前記貫通孔径と、前
記外側接合点での電子ビームの入射角度と、大孔内側寸
法等から算出される小孔外側寸法で決定されることを特
徴とする請求項４および５記載のシャドウマスクの製造
方法。 - 【請求項７】請求項１において、前記有孔域周辺部に位
置する貫通孔の前記外側接合点高さ寸法、前記内側接合
点高さ寸法および前記接合形状が前記裏面小孔を形成す
るレジストパターンの中心を前記表面大孔を形成するレ
ジストパターンの中心よりシャドウマスクの中央側へ偏
心させて形成しエッチングすることを特徴とするシャド
ウマスクの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9041722A JPH10241596A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | シャドウマスクとその製造方法 |
| US09/028,658 US6175185B1 (en) | 1997-02-26 | 1998-02-24 | Shadow mask for cathode ray tube having non-symmetrical through-holes |
| KR1019980006048A KR100318149B1 (ko) | 1997-02-26 | 1998-02-26 | 음극선관용섀도마스크및그제조방법 |
| US09/618,099 US6491831B1 (en) | 1997-02-26 | 2000-07-17 | Method of making a shadow mask for a cathode ray tube |
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| JP9041722A JPH10241596A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | シャドウマスクとその製造方法 |
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Family
ID=12616320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9041722A Pending JPH10241596A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | シャドウマスクとその製造方法 |
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- 1998-02-26 KR KR1019980006048A patent/KR100318149B1/ko not_active IP Right Cessation
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- 2000-07-17 US US09/618,099 patent/US6491831B1/en not_active Expired - Fee Related
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