JPH10239847A - ポジ型感光性組成物 - Google Patents

ポジ型感光性組成物

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JPH10239847A
JPH10239847A JP9046000A JP4600097A JPH10239847A JP H10239847 A JPH10239847 A JP H10239847A JP 9046000 A JP9046000 A JP 9046000A JP 4600097 A JP4600097 A JP 4600097A JP H10239847 A JPH10239847 A JP H10239847A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 250nm以下、特に220nm以下の波長
の露光光源の使用に好適であり、具体的には250nm
以下、特に220nm以下の波長の露光光源の使用時
に、良好な感度、解像度を与え、更に十分な耐ドライエ
ッチング性を有し、且つ溶剤溶解性が良好なポジ型感光
性組成物を提供する。 【手段】 活性光線又は放射線の照射により酸を発生す
る化合物及び特定の構造のアダマンチル基を有する繰り
返し構造単位の少なくとも一つと、酸の作用により分解
してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基の少な
くとも一つを有する樹脂を含有するポジ型感光性組成
物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、IC等の半導体製
造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、更
にその他のフォトファブリケーション工程に使用される
ポジ型感光性組成物に関するものである。更に詳しくは
250nm以下の波長の遠紫外線を露光光源とする場合
に好適なポジ型感光性組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ポジ型フォトレジスト組成物としては、
一般にアルカリ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノ
ンジアジド化合物とを含む組成物が用いられている。例
えば、「ノボラック型フェノール樹脂/ナフトキノンジ
アジド置換化合物」として米国特許第3,666,473号、米
国特許第4,115,128号及び米国特許第4,173,470号等に、
また最も典型的な組成物として「クレゾール−ホルムア
ルデヒドより成るノボラック樹脂/トリヒドロキシベン
ゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸
エステル」の例がトンプソン「イントロダクション・ト
ゥー・マイクロリソグラフィー」(L.F.Thompson「Intr
oduction to Microlithography」)(ACS出版、N
o.2,19号、p112〜121)に記載されてい
る。このような基本的にノボラック樹脂とキノンジアジ
ド化合物から成るポジ型フォトレジストは、ノボラック
樹脂がプラズマエッチングに対して高い耐性を与え、ナ
フトキノンジアジド化合物は溶解阻止剤として作用す
る。そして、ナフトキノンジアジドは光照射を受けると
カルボン酸を生じることにより溶解阻止能を失い、ノボ
ラック樹脂のアルカリ溶解度を高めるという特性を持
つ。
【0003】これまで、かかる観点からノボラック樹脂
とナフトキノンジアジド系感光物を含有する数多くのポ
ジ型フォトレジストが開発、実用化され、0.8μm〜
2μm程度までの線幅加工に於いては十分な成果をおさ
めてきた。しかし、集積回路はその集積度を益々高めて
おり、超LSIなどの半導体基板の製造に於いてはハー
フミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工が
必要とされるようになってきた。
【0004】パターンの微細化を図る手段の一つとし
て、レジストのパターン形成の際に使用される露光光源
の短波長化が知られている。このことは光学系の解像度
(線幅)Rを表すレイリーの式、 R=k・λ/NA (ここでλは露光光源の波長、NAはレンズの開口数、
kはプロセス定数)で説明することができる。この式か
らより高解像度を達成する、即ちRの値を小さくする為
には、露光光源の波長λを短くすれば良いことがわか
る。例えば64Mビットまでの集積度のDRAMの製造
には、現在まで高圧水銀灯のi線(365nm)が光源
として使用されてきた。256MビットDRAMの量産
プロセスには、i線に変わりKrFエキシマレーザー
(248nm)が露光光源として採用が検討されてい
る。更に1Gビット以上の集積度を持つDRAMの製造
を目的として、より短波長の光源が検討されており、A
rFエキシマレーザー(193nm)、F2 エキシマレ
ーザー(157nm)、X線、電子ビーム等の利用が有
効であると考えられている(上野巧ら、「短波長フォト
レジスト材料−ULSIに向けた微細加工−」、ぶんし
ん出版、1988年)。
【0005】従来のノボラックとナフトキノンジアジド
化合物から成るレジストを遠紫外光やエキシマレーザー
光を用いたリソグラフィーのパターン形成に用いると、
ノボラック及びナフトキノンジアジドの遠紫外領域に於
ける吸収が強いために光がレジスト底部まで到達しにく
くなり、低感度でテーパーのついたパターンしか得られ
ない。
【0006】このような問題を解決する手段の一つが、
米国特許第4,491,628号、欧州特許第249,139号等に記載
されている化学増幅系レジスト組成物である。化学増幅
系ポジ型レジスト組成物は、遠紫外光などの放射線の照
射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反
応によって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液に
対する溶解性を変化させ、パターンを基板上に形成させ
るパターン形成材料である。
【0007】このような例として、光分解により酸を発
生する化合物と、アセタールまたはO,N−アセタール
化合物との組合せ(特開昭48−89003号)、オル
トエステル又はアミドアセタール化合物との組合せ(特
開昭51−120714号)、主鎖にアセタール又はケ
タール基を有するポリマーとの組合せ(特開昭53−1
33429号)、エノールエーテル化合物との組合せ
(特開昭55−12995号)、N−アシルイミノ炭酸
化合物化合物との組合せ(特開昭55−126236
号)、主鎖にオルトエステル基を有するポリマーとの組
合せ(特開昭56−17345号)、第3級アルキルエ
ステル化合物との組合せ(特開昭60−3625号)、
シリルエステル化合物との組合せ(特開昭60−102
47号)、及びシリルエーテル化合物との組合せ(特開
昭60−37549号、特開昭60−121446号)
等を挙げることができる。これらは原理的に量子収率が
1を越えるため、高い感光性を示す。
【0008】同様に、酸存在下加熱することにより分解
し、アルカリ可溶化する系として、例えば、特開昭59
−45439号、特開昭60−3625号、特開昭62
−229242号、特開昭63−27829号、特開昭
63−36240号、特開昭63−250642号、特
開平5−181279号、Polym.Eng.Sce.,23巻、1012
頁(1983);ACS.Sym.242巻、11頁(1984);Semicondu
ctor World 1987年、11月号、91頁;Macromolecules,21
巻、1475頁(1988);SPIE,920巻、42頁(1988)等に記
載されている露光により酸を発生する化合物と、第3級
又は2級炭素(例えばt-ブチル、2-シクロヘキセニル)
のエステル又は炭酸エステル化合物との組合せ系、特開
平4−219757号、同5−249682号、同6−
65332号等に記載されているアセタール化合物との
組み合わせ系、特開平4−211258号、同6−65
333号等に記載されているt−ブチルエーテル化合物
との組み合わせ系等が挙げられる。
【0009】これらの系は、主として248nm領域で
の吸収の小さい、ポリ(ヒドロキシスチレン)を基本骨
格とする樹脂を主成分に使用する為、KrFエキシマレ
ーザーを露光光源とする場合には、高感度、高解像度
で、且つ良好なパターンを形成し、従来のナフトキノン
ジアジド/ノボラック樹脂系に比べて良好な系となり得
る。しかしながら、更なる短波長の光源、例えばArF
エキシマレーザー(193nm)を露光光源として使用
する場合は、芳香族基を有する化合物が本質的に193
nm領域に大きな吸収を示す為、上記化学増幅系でも十
分ではなかった。また193nm領域の吸収の小さいポ
リマーとして、ポリ(メタ)アクリレートの利用がJ. V
ac. Sci. Technol., B9, 3357 (1991). に記載されてい
るが、このポリマーは一般に半導体製造工程で行われる
ドライエッチングに対する耐性が、芳香族基を有する従
来のフェノール樹脂に比べ低いという問題があった。こ
れに対し、脂環式基を有するポリマーが、芳香族基と同
様の耐ドライエッチング性を示し、且つ193nm領域
の吸収が小さいことがProc. of SPIE, 1672,66 (1992).
で報告され、近年同ポリマーの利用が精力的に検討さ
れるに至った。具体的には、特開平4−39665号、
同5−80515号、同5−265212号、同5−2
97591号、同5−346668号、同6−2896
15号、同6−324494号、同7−49568号、
同7−185046号、同7−191463号、同7−
199467号、同7−234511号、同7−252
324号、同8−259626号等の明細書に記載され
ているポリマーが挙げられる。
【0010】これらに示された脂環式基の内、特にアダ
マンチル基が最も良好な耐ドライエッチング性を有する
ことは、Proc. of SPIE, 1672, 66 (1992)に示されてお
り、該基を有するポリマーが特開平4−39665号、
同7−199467号、同7−234511号、同8−
259626号等の明細書に記載されている。しかしな
がら、これらポリマーは何れも(メタ)アクリレート系
のポリマーであり、耐ドライエッチング性が必ずしも十
分とは言えなかった。また画像形成に必要な酸分解性モ
ノマー、基板密着性に必要な親水性(極性)モノマーと
共重合する場合、アダマンチル基を有する疎水性モノマ
ーとの共重合性(各モノマー成分の均一なポリマー鎖へ
の導入)を図るのが困難であった。その結果、不均一な
重合により樹脂の溶剤溶解性が低下したり、合成の再現
性に問題が生じることがあった。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、250nm以下、特に220nm以下の波長の露光
光源の使用に好適なポジ型感光性組成物を提供すること
であり、具体的には250nm以下、特に220nm以
下の波長の露光光源の使用時に、良好な感度、解像度を
与え、更に十分な耐ドライエッチング性を有し、且つ溶
剤溶解性が良好なポジ型感光性組成物を提供することで
ある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意し鋭意検討した結果、本発明の目的が以下の特
定の脂環基を有する繰り返し構造単位と酸分解性基を有
する樹脂を使用することで見事に達成されることを見出
し、本発明に到達した。即ち、本発明は下記構成であ
る。 (1) (A)活性光線又は放射線の照射により酸を発
生する化合物、及び(B)下記一般式(I)、(II)又
は(III)で表されるアダマンチル基を有する繰り返し構
造単位の少なくとも一つと、酸の作用により分解してア
ルカリ現像液中での溶解性を増大させる基の少なくとも
一つを有する樹脂を含有することを特徴とするポジ型感
光性組成物。
【0013】
【化4】
【0014】式(I)〜(III)中、R1 、R2 、R5
8 、R9 は、同じでも異なってもよく、水素原子、ハ
ロゲン原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基
を表す。R4 、R7 、R10は、同じでも異なってもよ
く、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していても良
い、アルキル基、アルケニル基もしくはアルキニル基、
又は−CO−O−R11基を表す。R3 、R6 、R11は、
同じでも異なってもよく、水素原子、置換基を有してい
ても良い、アルキル基、単環あるいは多環のシクロアル
キル基もしくはアルケニル基、又は酸の作用により分解
してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を表
す。X1 〜X5 は、同じでも異なってもよく、単結合、
2価のアルキレン基、シクロアルキレン基、−O−、−
S−、又は−N(R12)−R13−基を表す。R12は水素
原子、アルキル基、単環あるいは多環のシクロアルキル
基又はアルケニル基を表す。R13は単結合あるいは、エ
ーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイ
ド基を有しても良い、2価のアルキレン基、シクロアル
キレン基又はアルケニレン基を表す。l、m、nは、同
じでも異なってもよく、0又は1〜3の整数を示す。
l、m、nが2以上の場合は、各複数個のR4 、R7
10は同一でも異なっても良い。
【0015】(2) (B)成分の樹脂が、上記(1)
に記載の一般式(I)、(II)又は(III)で表される繰
り返し構造単位のうち少なくとも一つと、下記一般式
(IV)、(V)又は(VI)で表される繰り返し構造単位
のうち少なくとも一つを有し、酸の作用により分解して
アルカリ現像液中での溶解性が増大する樹脂であること
を特徴とする上記(1)に記載のポジ型感光性組成物。
【0016】
【化5】
【0017】式(IV)〜(VI)中、R14、R15、R17
19は、同一でも異なっても良く、水素原子、ハロゲン
原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表
す。R16はシアノ基、−CO−OR20又は−CO−N
(R21)(R22)を表す。X6 〜X8 は、同一でも異な
っても良く、単結合、−O−、−SO2 −、−O−CO
−R23−、−CO−O−R24−、−CO−N(R25)−
26−、置換基を有していても良い、2価のアルキレン
基、アルケニレン基又はシクロアルキレン基を表す。R
20は、水素原子、置換基を有していても良い、アルキル
基、シクロアルキル基もしくはアルケニル基、又は酸の
作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大
させる基を表す。R21、R22、R25は、同一でも異なっ
ても良く、水素原子、置換基を有していても良い、アル
キル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表し、R
21とR22が結合して環を形成しても良い。R23、R24
26は、同一でも異なっても良く、単結合あるいは、エ
ーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイ
ド基を有しても良い、2価のアルキレン基、アルケニレ
ン基又はシクロアルキレン基を表す。Bは酸の作用によ
り分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基
を表す。
【0018】(3) (B)成分の樹脂が、更にカルボ
キシル基を有することを特徴とする上記(1)又は
(2)に記載のポジ型感光性組成物。 (4) (B)成分の樹脂が、カルボキシル基を有する
一般式(VII)、(VIII)又は(IX)で表される繰り返し
構造単位のうち少なくとも一つを有することを特徴とす
る前記(3)に記載のポジ型感光性組成物。
【0019】
【化6】
【0020】式(VII)〜(IX)中、R27、R28、R30
32は、同じでも異なってもよく、水素原子、ハロゲン
原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表
す。R29はシアノ基、−CO−OR33、−CO−N(R
34)(R35)を表す。X9 〜X11は、同じでも異なって
もよく、単結合、−O−、−SO2 −、−O−CO−R
36−、−CO−O−R37−、−CO−N(R38)−R39
−、置換基を有していても良い2価のアルキレン基、ア
ルケニレン基又はシクロアルキレン基を表す。R33は水
素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シク
ロアルキル基又はアルケニル基を表す。R34、R35、R
38は、同じでも異なってもよく、水素原子、置換基を有
していても良い、アルキル基、シクロアルキル基又はア
ルケニル基を表し、またR34とR 35が結合して環を形成
しても良い。R36、R37、R39は、同じでも異なっても
よく、単結合あるいは、エーテル基、エステル基、アミ
ド基、ウレタン基、ウレイド基を有しても良い、2価の
アルキレン基、アルケニレン基又はシクロアルキレン基
を表す。
【0021】(5) 酸の作用により分解し得る基を有
し、アルカリ現像液中での溶解性が酸の作用により増大
する、分子量3,000以下の低分子酸分解性溶解阻止
化合物を含有することを特徴とする上記(1)〜(4)
のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。 (6) 露光光源として、250nm以下の波長の遠紫
外光を使用することを特徴とする上記(1)〜(5)の
いずれかに記載のポジ型感光性組成物。 (7) 露光光源として、220nm以下の波長の遠紫
外光を使用することを特徴とする上記(6)に記載のポ
ジ型感光性組成物。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明に使用する化合物に
ついて詳細に説明する。本発明における(B)成分の樹
脂にていて説明する。 [1]一般式(I)〜(III)で示される繰り返し構造単
位 前記一般式におけるR1 、R2 、R5 、R8 、R9 のア
ルキル基としては、好ましくは置換基を有していても良
い、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、
sec−ブチル基のような炭素数1〜4個のものが挙げ
られる。ハロアルキル基としては、好ましくはフッ素原
子、塩素原子、臭素原子が置換した炭素数1〜4個のア
ルキル基、例えばフルオロメチル基、クロロメチル基、
ブロモメチル基、フルオロエチル基、クロロエチル基、
ブロモエチル基等が挙げられる。
【0023】R4 、R7 、R10のアルキル基としては、
好ましくは置換基を有していても良い、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、
ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基のよう
な炭素数1〜8個のものが挙げられる。アルケニル基と
しては、好ましくは置換基を有していても良い、ビニル
基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル
基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基の様な炭素数2
〜6個のものが挙げられる。アルキニル基としては、好
ましくはアセチル基、プロパルギル基の様な炭素数2〜
4個のものが挙げられる。
【0024】R3 、R6 、R11、R12のアルキル基、ア
ルケニル基としては、上記R4 、R 7 、R10で示したも
のと同様のものが好ましい。単環あるいは多環型のシク
ロアルキル基としては、好ましくは置換基を有していて
も良い、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基のような炭素数3〜8個の単環型や、アダマ
ンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、ジシクロ
ペンチル基、σ−ピネル基、トリシクロデカニル基等の
多環型のものが挙げられる。
【0025】X1 〜X5 のアルキレン基としては、好ま
しくは置換基を有していても良い、メチレン基、エチレ
ン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オク
チレン基等の炭素数1〜8個のものが挙げられる。シク
ロアルキレン基としては、好ましくは置換基を有してい
ても良い、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等
の炭素数5〜8個のものが挙げられる。R13のアルキレ
ン基、シクロアルキレン基としては、上記X1 〜X5
示したものと同様のものが挙げられる。アルケニレン基
としては、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン
基等の炭素数2〜6個のものが挙げられる。これらの2
価の基(アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニ
レン基)は、更にエーテル基、エステル基、アミド基、
ウレタン基、ウレイド基の少なくとも1つと一緒になっ
て形成した2価の基も挙げることができる。
【0026】R3 、R6 、R11は、酸の作用により分解
してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基(酸分
解性基ともいう)を表す。酸分解性基としては、例え
ば、酸の作用により加水分解し酸を形成する基、更には
酸の作用により炭素カチオンが脱離し酸を形成する基が
挙げられる。好ましくは下記一般式(X)又は(XI)で
表される基である。
【0027】
【化7】
【0028】式(X)、(XI)中のR40〜R42は、それ
ぞれ同一でも相異していても良く、水素原子もしくは、
置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキ
ル基、又はアルケニル基を表す。但し、式(X)のR40
〜R42の内、少なくとも1つは水素原子以外の基であ
る。R43は置換基を有していても良い、アルキル基、シ
クロアルキル基又はアルケニル基を表す。また式(X)
のR40〜R42の内の2つ、及び式(XI)のR40、R41
43の内の2つの基が結合して3〜8個の炭素原子、ヘ
テロ原子から成る環構造を形成しても良い。このような
環としては具体的には、シクロプロピル基、シクロペン
チル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、1−シ
クロヘキセニル基、2−テトラヒドロフラニル基、2−
テトラヒドロピラニル基等が挙げられる。Z1 、Z
2 は、O又はSを表す。ここでアルキル基、シクロアル
キル基、アルケニル基としては、上記R3 、R6
11、R12で示したものと同様のものが好ましい。
【0029】l、m、nは0又は1〜3の整数を示す
が、好ましくは0又は1〜2の整数を示す。
【0030】また上記置換基における更なる置換基とし
ては、好ましくは、水酸基、ハロゲン原子(フッ素、塩
素、臭素、ヨウ素)、ニトロ基、シアノ基、アミド基、
スルホンアミド基、上記R3 、R6 、R11、R12のアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ
基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数1〜8個のアルコキシ基、メトキシカルボ
ニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニ
ル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシ
ル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ
基、カルボキシ基が挙げられる。
【0031】以下に一般式(I)〜(III)で表される繰
り返し構造単位の具体例を示すが、本発明がこれに限定
されるものではない。
【0032】
【化8】
【0033】
【化9】
【0034】
【化10】
【0035】
【化11】
【0036】
【化12】
【0037】
【化13】
【0038】
【化14】
【0039】本発明の樹脂中における上記脂環式基を有
する一般式(I)〜(III)で表される繰り返し構造単位
の含有量は、耐ドライエッチング性、アルカリ現像性等
とのバランスにより調整されるが、全繰り返し単位に対
して20モル%以上含有することが好ましい。より好ま
しくは30〜100モル%、更に好ましくは40〜90
モル%、特に好ましくは45〜75モル%の範囲であ
る。
【0040】[2]酸分解性基を有する繰り返し構造単
位 本発明に係わる樹脂において、酸分解性基は一般式
(I)〜一般式(III)で示される繰り返し構造単位中
(R3 、R6 、R11)に含まれてもよいし、更にその他
の繰り返し構造単位中に含まれてもよいし、それら両方
に含まれてもよい。酸分解性基を有する繰り返し構造単
位としては、一般式(IV)〜(VI)で表される繰り返し
構造単位が好ましい。
【0041】前記一般式(IV)〜(VI)におけるR14
15、R17〜R19のアルキル基としては、好ましくは置
換基を有していても良い、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、n−ブチル基、sec−ブチル基のような炭素数
1〜4個のものが挙げられる。ハロアルキル基として
は、好ましくはフッ素原子、塩素原子、臭素原子が置換
した炭素数1〜4個のアルキル基、例えばフルオロメチ
ル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、フルオロエチ
ル基、クロロエチル基、ブロモエチル基等が挙げられ
る。R20〜R22、R25のアルキル基としては、好ましく
は置換基を有していても良い、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル
基、2−エチルヘキシル基、オクチル基のような炭素数
1〜8個のものが挙げられる。シクロアルキル基として
は、好ましくは置換基を有していても良い、シクロプロ
ピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基のような
炭素数3〜8個のものが挙げられる。アルケニル基とし
ては、好ましくは置換基を有していても良い、ビニル
基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル
基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基の様な炭素数2
〜6個のものが挙げられる。R21とR22とが互いに結合
して窒素原子とともに形成する環としては、5〜8員環
が好ましく、具体的にはピロリジン、ピペリジン、ピペ
ラジン等が挙げられる。
【0042】X6 〜X8 、R23、R24、R26のアルキレ
ン基としては、好ましくは置換基を有していても良い、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、
ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1〜8個のもの
が挙げられる。アルケニレン基としては、好ましくは置
換基を有していても良い、エテニレン基、プロペニレン
基、ブテニレン基等の炭素数2〜6個のものが挙げられ
る。シクロアルキレン基としては、好ましくは置換基を
有していても良い、シクロペンチレン基、シクロヘキシ
レン基等の炭素数5〜8個のものが挙げられる。R23
24、R26は、更に上記アルキレン基、アルケニレン
基、シクロアルキレン基と、エーテル基、エステル基、
アミド基、ウレタン基、ウレイド基の少なくとも1つと
が一緒になって2価の基を構成してもよい。
【0043】また上記置換基の更なる置換基としては、
好ましくは水酸基、ハロゲン原子(フッ素、塩素、臭
素、ヨウ素)、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホ
ンアミド基、R20〜R22、R25のアルキル基、メトキシ
基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ
基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1
〜8個のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキ
シカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル
基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキ
シ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ
基が挙げられる。
【0044】B、R20は酸の作用により分解してアルカ
リ現像液中での溶解性を増大させる基を表す。酸分解性
基としては、例えば、酸の作用により加水分解し酸を形
成する基、更には酸の作用により炭素カチオンが脱離し
酸を形成する基が挙げられる。好ましくは上記R3 、R
6 、R11のところで示した一般式(X)又は(XI)で表
される基である。
【0045】以下に一般式(IV)〜(VI)で表される繰
り返し構造単位の具体例を示すが、本発明がこれに限定
されるものではない。
【0046】
【化15】
【0047】
【化16】
【0048】
【化17】
【0049】
【化18】
【0050】本発明の樹脂中における酸分解性基を含有
する繰り返し構造単位(好ましくは上記一般式(IV)〜
(VI)で表される繰り返し構造単位)の含有量は、アル
カリ現像性、基板密着性、更には耐ドライエッチング性
等の性能により調整されるが、好ましくは0〜50モル
%、更に好ましくは5〜40モル%、また更に好ましく
は10〜30モル%の範囲で使用される。ここで、酸分
解性基を含有する繰り返し構造単位の含有量は、酸分解
性基を含有する一般式(I)〜(III)で示される繰り返
し構造単位の量も含めた、本発明の樹脂中の全ての酸分
解性基を含有する繰り返し構造単位の含有量である。
【0051】[3]カルボキシル基を有する繰り返し構
造単位 本発明に係わる樹脂において、カルボキシル基は、上記
一般式(I)〜(III)で示される繰り返し構造単位中に
含まれてもよいし、酸分解性基を有する繰り返し構造単
位中に含まれてもよいし、それらとは別の繰り返し構造
単位中に含まれてもよい。更にこれらのカルボキシル基
の置換場所のうち複数の場所に含まれてもよい。カルボ
キシル基を有する繰り返し構造単位としては、上記一般
式(VII)〜(IX)で表される繰り返し構造単位が好まし
い。
【0052】前記一般式(VII)〜(IX)におけるR27
28、R30〜R32のアルキル基としては、好ましくは置
換基を有していても良い、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、n−ブチル基、sec−ブチル基のような炭素数
1〜4個のものが挙げられる。ハロアルキル基として
は、好ましくはフッ素原子、塩素原子、臭素原子が置換
した炭素数1〜4個のアルキル基、例えばフルオロメチ
ル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、フルオロエチ
ル基、クロロエチル基、ブロモエチル基等が挙げられ
る。R34、R35、R38のアルキル基としては、好ましく
は置換基を有していても良い、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、ヘキシル
基、2−エチルヘキシル基、オクチル基のような炭素数
1〜8個のものが挙げられる。シクロアルキル基として
は、好ましくは置換基を有していても良い、シクロプロ
ピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基のような
炭素数3〜8個のものが挙げられる。アルケニル基とし
ては、好ましくは置換基を有していても良い、ビニル
基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル
基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基の様な炭素数2
〜6個のものが挙げられる。R34とR35とが互いに結合
して窒素原子とともに形成する環としては、5〜8員環
が好ましく、具体的にはピロリジン、ピペリジン、ピペ
ラジン等が挙げられる。
【0053】X9 〜X11、R36、R37、R39のアルキレ
ン基としては、好ましくは置換基を有していても良い、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、
ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1〜8個のもの
が挙げられる。アルケニレン基としては、好ましくは置
換基を有していても良い、エテニレン基、プロペニレン
基、ブテニレン基等の炭素数2〜6個のものが挙げられ
る。シクロアルキレン基としては、好ましくは置換基を
有していても良い、シクロペンチレン基、シクロヘキシ
レン基等の炭素数5〜8個のものが挙げられる。R36
37、R39は、更に上記アルキレン基、アルケニレン
基、シクロアルキレン基と、エーテル基、エステル基、
アミド基、ウレタン基、ウレイド基の少なくとも1つと
が一緒になって2価の基を構成してもよい。
【0054】また上記置換基における更なる置換基とし
ては、好ましくは水酸基、ハロゲン原子(フッ素、塩
素、臭素、ヨウ素)、ニトロ基、シアノ基、アミド基、
スルホンアミド基、R34、R35、R38のアルキル基、メ
トキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポ
キシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等の炭素
数1〜8個のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エ
トキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホル
ミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセ
トキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボ
キシ基が挙げられる。
【0055】以下に一般式(VII)〜(IX)で表される繰
り返し構造単位の具体例を示すが、本発明がこれに限定
されるものではない。
【0056】
【化19】
【0057】
【化20】
【0058】本発明の樹脂中におけるカルボキシル基を
有する繰り返し構造単位(好ましくは上記一般式(VII)
〜(IX)で表される繰り返し構造単位)の含有量は、ア
ルカリ現像性、基板密着性、更には感度等の性能により
調整されるが、全繰り返し構造単位に対して好ましくは
0〜60モル%、より好ましくは0〜40モル%、特に
好ましくは0〜20モル%の範囲で使用される。ここ
で、このカルボキシル基含有繰り返し構造単位の含有量
は、カルボキシル基を含有する上記一般式(I)〜(II
I)で示される繰り返し構造単位及びカルボキシル基を
含有する酸分解性基含有繰り返し構造単位も含めた、樹
脂中の全てのカルボキシル基含有繰り返し構造単位の量
である。
【0059】[4]前記繰り返し構造単位を有する本発
明の成分(B)の樹脂 また本発明の成分(B)の樹脂の性能を向上させる目的
で、同樹脂の220nm以下の透過性及び耐ドライエッ
チング性を著しく損なわない範囲で、更に他の重合性モ
ノマーを共重合させても良い。使用することができる共
重合モノマーとしては、以下に示すものが含まれる。例
えば、アクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタ
クリル酸エステル類、メタクリルアミド類、アリル化合
物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン
類、クロトン酸エステル類などから選ばれる付加重合性
不飽和結合を1個有する化合物である。
【0060】具体的には、例えばアクリル酸エステル
類、例えばアルキル(アルキル基の炭素原子数は1〜1
0のものが好ましい)アクリレート(例えば、アクリル
酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、ア
クリル酸t−ブチル、アクリル酸アミル、アクリル酸シ
クロヘキシル、アクリル酸エチルヘキシル、アクリル酸
オクチル、アクリル酸−t−オクチル、クロルエチルア
クリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート2,2
−ジメチルヒドロキシプロピルアクリレート、5−ヒド
ロキシペンチルアクリレート、トリメチロールプロパン
モノアクリレート、ペンタエリスリトールモノアクリレ
ート、グリシジルアクリレート、ベンジルアクリレー
ト、メトキシベンジルアクリレート、フルフリルアクリ
レート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、など)
アリールアクリレート(例えばフェニルアクリレート、
ヒドロキシフェニルアクリレートなど);
【0061】メタクリル酸エステル類、例えば、アルキ
ル(アルキル基の炭素原子数は1〜10のものが好まし
い)メタクリレート(例えば、メチルメタクリレート、
エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソ
プロピルメタクリレート、t−ブチルメタクリレート、
アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シク
ロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、
クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリレー
ト、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、4−ヒドロ
キシブチルメタクリレート、5−ヒドロキシペンチルメ
タクリレート、2,2−ジメチル−3−ヒドロキシプロ
ピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノメタ
クリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレー
ト、グリシジルメタクリレート、フルフリルメタクリレ
ート、テトラヒドロフルフリルメタクリレートなど)、
アリールメタクリレート(例えば、フェニルメタクリレ
ート、ヒドロキシフェニルメタクリレート、クレジルメ
タクリレート、ナフチルメタクリレートなど);アクリ
ルアミド類、例えば、アクリルアミド、N−アルキルア
クリルアミド、(アルキル基としては、炭素原子数1〜
10のもの、例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、t−ブチル基、ヘプチル基、オクチル
基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ヒドロキシエチル
基、ベンジル基などがある。)、N−アリールアクリル
アミド(アリール基としては、例えばフェニル基、トリ
ル基、ニトロフェニル基、ナフチル基、シアノフェニル
基、ヒドロキシフェニル基、カルボキシフェニル基など
がある。)、N,N−ジアルキルアクリルアミド(アル
キル基としては、炭素原子数1〜10のもの、例えば、
メチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、エチル
ヘキシル基、シクロヘキシル基などがある。)、N,N
−アリールアクリルアミド(アリール基としては、例え
ばフェニル基などがある。)、N−メチル−N−フェニ
ルアクリルアミド、N−ヒドロキシエチル−N−メチル
アクリルアミド、N−2−アセトアミドエチル−N−ア
セチルアクリルアミドなど;メタクリルアミド類、例え
ば、メタクリルアミド、N−アルキルメタクリルアミド
(アルキル基としては、炭素原子数1〜10のもの、例
えば、メチル基、エチル基、t−ブチル基、エチルヘキ
シル基、ヒドロキシエチル基、シクロヘキシル基などが
ある。)、N−アリールメタクリルアミド(アリール基
としては、フェニル基、ヒドロキシフェニル基、カルボ
キシフェニル基などがある。)、N,N−ジアルキルメ
タクリルアミド(アルキル基としては、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基などがある。)、N,N−ジアリール
メタクリルアミド(アリール基としては、フェニル基な
どがある。)、N−ヒドロキシエチル−N−メチルメタ
クリルアミド、N−メチル−N−フェニルメタクリルア
ミド、N−エチル−N−フェニルメタクリルアミドな
ど;アリル化合物、例えば、アリルエステル類(例え
ば、酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリ
ル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリ
ン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸
アリルなど)、アリルオキシエタノールなど;
【0062】ビニルエーテル類、例えば、アルキルビニ
ルエーテル(例えば、ヘキシルビニルエーテル、オクチ
ルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキ
シルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、
エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエ
ーテル、1−メチル−2,2−ジメチルプロピルビニル
エーテル、2−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキ
シエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニル
エーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエ
チルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチル
ビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒド
ロフルフリルビニルエーテルなど)、ビニルアリールエ
ーテル(例えばビニルフェニルエーテル、ビニルトリル
エーテル、ビニルクロルフェニルエーテル、ビニル−
2,4−ジクロルフェニルエーテル、ビニルナフチルエ
ーテル、ビニルアントラニルエーテルなど);ビニルエ
ステル類、例えば、ビニルブチレート、ビニルイソブチ
レート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチル
アセテート、ビニルバレート、ビニルカプロエート、ビ
ニルクロルアセテート、ビニルジクロルアセテート、ビ
ニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、
ビニルフェニルアセテート、ビニルアセトアセテート、
ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、
ビニルシクロヘキシルカルボキシレート、安息香酸ビニ
ル、サルチル酸ビニル、クロル安息香酸ビニル、テトラ
クロル安息香酸ビニル、ナフトエ酸ビニルなど;
【0063】スチレン類、例えば、スチレン、アルキル
スチレン(例えば、メチルスチレン、ジメチルスチレ
ン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルス
チレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキ
シルスチレン、シクロヘキシルスチレン、デシルスチレ
ン、ベンジルスチレン、クロルメチルスチレン、トリフ
ルオルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセ
トキシメチルスチレンなど)、アルコキシスチレン(例
えば、メトキシスチレン、4−メトキシ−3−メチルス
チレン、ジメトキシスチレンなど)、ハロゲンスチレン
(例えば、クロルスチレン、ジクロルスチレン、トリク
ロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルス
チレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードス
チレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、2
−ブロム−4−トリフルオルメチルスチレン、4−フル
オル−3−トリフルオルメチルスチレンなど)、ヒドロ
キシスチレン(例えば、4−ヒドロキシスチレン、3−
ヒドロキシスチレン、2−ヒドロキシスチレン、4−ヒ
ドロキシ−3−メチルスチレン、4−ヒドロキシ−3,
5−ジメチルスチレン、4−ヒドロキシ−3−メトキシ
スチレン、4−ヒドロキシ−3−(2−ヒドロキシベン
ジル)スチレンなど)、カルボキシスチレン;クロトン
酸エステル類、例えば、クロトン酸アルキル(例えば、
クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシル、グリセリンモ
ノクロトネートなど);イタコン酸ジアルキル類(例え
ば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコ
ン酸ジブチルなど);マレイン酸あるいはフマール酸の
ジアルキルエステル類(例えば、ジメチルマレレート、
ジブチルフマレートなど)、無水マレイン酸、マレイミ
ド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、マレイロ
ニトリル等がある。その他、一般的には共重合可能であ
る付加重合性不飽和化合物であればよい。
【0064】この中で、カルボキシスチレン、N−(カ
ルボキシフェニル)アクリルアミド、N−(カルボキシ
フェニル)メタクリルアミド等のようなカルボキシル基
を有するモノマー、ヒドロキシスチレン、N−(ヒドロ
キシフェニル)アクリルアミド、N−(ヒドロキシフェ
ニル)メタクリルアミド、ヒドロキシフェニルアクリレ
ート、ヒドロキシフェニルメタクリレート等のフェノー
ル性水酸基を有するモノマー、マレイミド等、アルカリ
溶解性を向上させるモノマーが共重合成分として好まし
い。本発明における樹脂中の他の重合性モノマーの含有
量としては、全繰り返し単位に対して、50モル%以下
が好ましく、より好ましくは30モル%以下である。
【0065】一般式(I)〜(III)で示される繰り返し
構造単位(一般式(IV)〜(VI)で表される各繰り返し
構造単位、及び一般式(VII)〜(IX)で表される各繰り
返し構造単位を含有するものも含む)を含有する本発明
の成分(B)の樹脂は、各構造に対応する不飽和モノマ
ーのラジカル、カチオン、又はアニオン重合により合成
される。更に詳しくは前記に示した好ましい組成に基づ
き各モノマーを配合し、適当な溶媒中、約10〜40重
量%のモノマー濃度にて重合触媒を添加し、必要に応じ
加温して重合される。
【0066】本発明の成分(B)の樹脂の分子量は、重
量平均(Mw:ポリスチレン標準)で2,000以上、
好ましくは3,000〜1,000,000、より好ま
しくは5,000〜200,000、更に好ましくは2
0,000〜100,000の範囲であり、大きい程、
耐熱性等が向上する一方で、現像性等が低下し、これら
のバランスにより好ましい範囲に調整される。また分散
度(Mw/Mn)は、好ましくは1.0〜5.0、より
好ましくは1.0〜3.0であり、小さい程、耐熱性、
画像性能(パターンプロファイル、デフォーカスラチチ
ュード等)が良好となる。
【0067】本発明において、上記樹脂の感光性組成物
中の添加量としては、全固形分に対して50〜99.7
重量%、好ましくは70〜99重量%である。
【0068】[5]本発明の成分(A)の光酸発生剤 本発明で用いられる光酸発生剤は、活性光線又は放射線
の照射により酸を発生する化合物である。本発明で使用
される活性光線または放射線の照射により分解して酸を
発生する化合物としては、光カチオン重合の光開始剤、
光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色
剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている公知
の光(400〜200nmの紫外線、遠紫外線、特に好
ましくは、g線、h線、i線、KrFエキシマレーザー
光)、ArFエキシマレーザー光、電子線、X線、分子
線又はイオンビームにより酸を発生する化合物およびそ
れらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
【0069】また、その他の本発明に用いられる活性光
線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として
は、たとえば S.I.Schlesinger,Photogr.Sci.Eng.,18,3
87(1974)、T.S.Bal etal,Polymer,21,423(1980)等に記
載のジアゾニウム塩、米国特許第4,069,055号、同4,06
9,056号、同 Re 27,992号、特願平3-140,140号等に記載
のアンモニウム塩、D.C.Necker etal,Macromolecules,1
7,2468(1984)、C.S.Wenetal,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing
ASIA,p478 Tokyo,Oct(1988)、米国特許第4,069,055
号、同4,069,056号等に記載のホスホニウム塩、J.V.Cri
vello etal,Macromorecules,10(6),1307(1977) 、Chem.
&Eng.News,Nov.28,p31(1988)、欧州特許第104,143 号、
米国特許第339,049号、同第410,201号、特開平2-150,84
8号、特開平2-296,514 号等に記載のヨードニウム塩、
J.V.Crivello etal,Polymer J.17,73(1985)、J.V.Crive
llo etal.J.Org.Chem.,43,3055(1978)、W.R.Watt eta
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V.Crivello etal,J.PolymerSci.,Polymer Chem.Ed.,17,
2877(1979) 、欧州特許第370,693 号、同3,902,114号同
233,567号、同297,443号、同297,442号、米国特許第4,9
33,377号、同161,811号、同410,201号、同339,049号、
同4,760,013号、同4,734,444号、同2,833,827号、獨国
特許第2,904,626号、同3,604,580号、同3,604,581号、
特開平7−28237号、同8−27102号等に記載
のスルホニウム塩、J.V.Crivello etal,Macromorecule
s,10(6),1307(1977)、J.V.Crivello etal,J.PolymerSc
i.,Polymer Chem.Ed., 17,1047(1979)等に記載のセレノ
ニウム塩、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing AS
IA,p478 Tokyo,Oct(1988)等に記載のアルソニウム塩等
のオニウム塩、米国特許第3,905,815号、特公昭46-4605
号、特開昭48-36281号、特開昭55-32070号、特開昭60-2
39736号、特開昭61-169835号、特開昭61-169837号、特
開昭62-58241号、特開昭62-212401号、特開昭63-70243
号、特開昭63-298339号等に記載の有機ハロゲン化合
物、K.Meier et al,J.Rad.Curing,13(4),26(1986) 、T.
P.Gill et al,Inorg.Chem.,19,3007(1980)、D.Astruc,A
cc.Chem.Res.,19(12),377(1896)、特開平2-161445号等
に記載の有機金属/有機ハロゲン化物、S.Hayase eta
l,J.Polymer Sci.,25,753(1987)、E.Reichmanis etal,J.
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m.Soc.,110,7170(1988)、S.C.Busman etal,J.Imaging Te
chnol.,11(4),191(1985)、H.M.Houlihan etal,Macormole
cules,21,2001(1988)、 P.M.Collins etal,J.Chem.Soc.,
Chem.Commun.,532(1972)、S.Hayase etal,Macromolecule
s,18,1799(1985)、E.Reichmanis etal,J.Electrochem.So
c.,Solid State Sci.Technol.,130(6)、F.M.Houlihan et
al,Macromolcules,21,2001(1988)、 欧州特許第0290,750
号、同046,083号、同156,535号、同271,851号、同0,38
8,343号、 米国特許第3,901,710号、同4,181,531号、特
開昭60-198538号、特開昭53-133022号等に記載の0−ニ
トロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、M.TUNOOKA
etal,Polymer Preprints Japan,35(8)、G.Berner etal,
J.Rad.Curing,13(4)、 W.J.Mijs etal,Coating Techno
l.,55(697),45(1983),Akzo、H.Adachi etal,Polymer Pr
eprints,Japan,37(3)、欧州特許第0199,672号、同84515
号、同199,672号、同044,115号、同0101,122号、米国特
許第618,564号、同4,371,605号、同4,431,774 号、特開
昭64-18143号、特開平2-245756号、特願平3-140109号等
に記載のイミノスルフォネ−ト等に代表される光分解し
てスルホン酸を発生する化合物、特開昭61-166544号、
特開平2−71270号等に記載のジスルホン化合物、
特開平3−103854号、同3−103856号、同
4−210960号等に記載のジアゾケトスルホン、ジ
アゾジスルホン化合物を挙げることができる。
【0070】また、これらの光により酸を発生する基、
あるいは化合物をポリマーの主鎖または 側鎖に導入し
た化合物、たとえば、M.E.Woodhouse etal,J.Am.Chem.
Soc.,104,5586(1982)、S.P.Pappas etal,J.Imaging Sc
i.,30(5),218(1986)、S.Kondoetal,Makromol.Chem.,Rap
id Commun.,9,625(1988)、Y.Yamadaetal,Makromol.Che
m.,152,153,163(1972)、J.V.Crivello etal,J.PolymerS
ci.,Polymer Chem.Ed.,17,3845(1979) 、米国特許第3,8
49,137号、獨国特許第3914407、特開昭63-26653号、特
開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038
、特開昭63-163452 号、特開昭62-153853号、特開昭63
-146029号等に記載の化合物を用いることができる。
【0071】さらにV.N.R.Pillai,Synthesis,(1),1(198
0)、A.Abad etal,Tetrahedron Lett.,(47)4555(1971)、
D.H.R.Barton etal,J.Chem.Soc.,(C),329(1970)、米国
特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載の光
により酸を発生する化合物も使用することができる。
【0072】上記活性光線または放射線の照射により分
解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられ
るものについて以下に説明する。 (1)トリハロメチル基が置換した下記一般式(PAG
1)で表されるオキサゾール誘導体または一般式(PA
G2)で表されるS−トリアジン誘導体。
【0073】
【化21】
【0074】式中、R201 は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、R202 は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−C(Y)3
をしめす。Yは塩素原子または臭素原子を示す。具体的
には以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定
されるものではない。
【0075】
【化22】
【0076】
【化23】
【0077】
【化24】
【0078】(2)下記の一般式(PAG3)で表され
るヨードニウム塩、または一般式(PAG4)で表され
るスルホニウム塩。
【0079】
【化25】
【0080】ここで式Ar1、Ar2は各々独立に置換も
しくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基とし
ては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカ
プト基およびハロゲン原子が挙げられる。
【0081】R203 、R204 、R205 は各々独立に、置
換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好
ましくは、炭素数6〜14のアリール基、炭素数1〜8
のアルキル基およびそれらの置換誘導体である。好まし
い置換基としては、アリール基に対しては炭素数1〜8
のアルコキシ基、炭素数1〜8のアルキル基、ニトロ
基、カルボキシル基、ヒロドキシ基およびハロゲン原子
であり、アルキル基に対しては炭素数1〜8のアルコキ
シ基、カルボキシル基、アルコシキカルボニル基であ
る。
【0082】Z-は対アニオンを示し、例えばBF4 -
AsF6 -、PF6 -、SbF6-、SiF6 2-、ClO4 -
CF3SO3 -等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニ
オン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、ナ
フタレン−1−スルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族
スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸 アニ
オン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができるが
これらに限定されるものではない。
【0083】またR203 、R204 、R205 のうちの2つ
およびAr1、Ar2はそれぞれの単結合または置換基を
介して結合してもよい。
【0084】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
【0085】
【化26】
【0086】
【化27】
【0087】
【化28】
【0088】
【化29】
【0089】
【化30】
【0090】
【化31】
【0091】
【化32】
【0092】
【化33】
【0093】
【化34】
【0094】
【化35】
【0095】
【化36】
【0096】一般式(PAG3)、(PAG4)で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、例えばJ.W.Knapczyk
etal,J.Am.Chem.Soc.,91,145(1969)、A.L.Maycok eta
l, J.Org.Chem.,35,2532,(1970)、E.Goethas etal ,Bul
l.Soc.Chem.Belg.,73,546,(1964) 、H.M.Leicester、J.A
me.Chem.Soc.,51,3587(1929)、J.V.Crivello etal,J.Po
lym.Chem.Ed.,18,2677(1980)、米国特許第2,807,648 号
および同4,247,473号、特開昭53-101,331号等に記載の
方法により合成することができる。
【0097】(3)下記一般式(PAG5)で表される
ジスルホン誘導体または一般式(PAG6)で表される
イミノスルホネート誘導体。
【0098】
【化37】
【0099】式中、Ar3、Ar4は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。R 206 は置換もしくは
未置換のアルキル基、アリール基を示す。Aは置換もし
くは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレ
ン基を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
【0100】
【化38】
【0101】
【化39】
【0102】
【化40】
【0103】
【化41】
【0104】
【化42】
【0105】
【化43】
【0106】これらの活性光線または放射線の照射によ
り分解して酸を発生する化合物の添加量は、感光性組成
物の全重量(塗布溶媒を除く)を基準として通常0.0
01〜40重量%の範囲で用いられ、好ましくは0.0
1〜20重量%、更に好ましくは0.1〜5重量%の範
囲で使用される。活性光線または放射線の照射により分
解して酸を発生する化合物の添加量が、0.001重量
%より少ないと感度が低くなり、また添加量が40重量
%より多いとレジストの光吸収が高くなりすぎ、プロフ
ァイルの悪化や、プロセス(特にベーク)マージンが狭
くなり好ましくない。
【0107】[6]本発明に使用されるその他の成分 本発明のポジ型感光性組成物には、必要に応じて更に酸
分解性溶解阻止化合物、染料、可塑剤、界面活性剤、光
増感剤、有機塩基性化合物、及び現像液に対する溶解性
を促進させる化合物等を含有させることができる。本発
明のポジ型感光性組成物には、酸分解性溶解阻止化合物
が含有することが好ましい。これにより、露光、未露光
のアルカリ溶解性のディスクリミネーションが大きくな
り、より解像度が優れるようになる。本発明で使用され
る酸分解性溶解阻止化合物としては、例えば上記一般式
(X)、(XI) で示される酸分解性基を少なくとも1個
有する分子量3,000以下の低分子化合物である。特
に220nm以下の透過性を低下させない為、Proceedi
ng of SPIE, 2724, 355 (1996)に記載されているコール
酸誘導体の様な脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。本
発明において、酸分解性溶解阻止化合物を使用する場
合、その添加量は感光性組成物の全重量(溶媒を除く)
を基準として3〜50重量%であり、好ましくは5〜4
0重量%、より好ましくは10〜35重量%の範囲であ
る。
【0108】本発明で使用できる現像液に対する溶解促
進性化合物としては、フェノール性OH基を2個以上、
又はカルボキシ基を1個以上有する分子量1,000以
下の低分子化合物である。カルボキシ基を有する場合は
上記と同じ理由で脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。
これら溶解促進性化合物の好ましい添加量は、本発明の
樹脂に対して2〜50重量%であり、更に好ましくは5
〜30重量%である。50重量%を越えた添加量では、
現像残渣が悪化し、また現像時にパターンが変形すると
いう新たな欠点が発生して好ましくない。
【0109】このような分子量1000以下のフェノー
ル化合物は、例えば、特開平4−122938、特開平
2−28531、米国特許第4916210、欧州特許
第219294等に記載の方法を参考にして、当業者に
於て容易に合成することが出来る。フェノール化合物の
具体例を以下に示すが、本発明で使用できる化合物はこ
れらに限定されるものではない。
【0110】レゾルシン、フロログルシン、2,3,4
−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4′−
テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,3′,
4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、アセト
ン−ピロガロール縮合樹脂、フロログルコシド、2,
4,2′,4′−ビフェニルテトロール、4,4′−チ
オビス(1,3−ジヒドロキシ)ベンゼン、2,2′,
4,4′−テトラヒドロキシジフェニルエーテル、2,
2′,4,4′−テトラヒドロキシジフェニルスルフォ
キシド、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシジフェ
ニルスルフォン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メ
タン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロ
ヘキサン、4,4−(α−メチルベンジリデン)ビスフ
ェノール、α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、
α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−
1−エチル−4−イソプロピルベンゼン、1,2,2−
トリス(ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,2−
トリス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロパン、2,2,5,5−テトラキス(4−ヒドロキ
シフェニル)ヘキサン、1,2−テトラキス(4−ヒド
ロキシフェニル)エタン、1,1,3−トリス(ヒドロ
キシフェニル)ブタン、パラ〔α,α,α′,α′−テ
トラキス(4−ヒドロキシフェニル)〕−キシレン等を
挙げることができる。
【0111】本発明で用いることのできる好ましい有機
塩基性化合物とは、フェノールよりも塩基性の強い化合
物である。中でも含窒素塩基性化合物が好ましい。好ま
しい化学的環境として、下記式(A)〜(E)の構造を
挙げることができる。
【0112】
【化44】
【0113】更に好ましい化合物は、一分子中に異なる
化学的環境の窒素原子を2個以上有する含窒素塩基性化
合物であり、特に好ましくは、置換もしくは未置換のア
ミノ基と窒素原子を含む環構造の両方を含む化合物もし
くはアルキルアミノ基を有する化合物である。好ましい
具体例としては、置換もしくは未置換のグアニジン、置
換もしくは未置換のアミノピリジン、置換もしくは未置
換のアミノアルキルピリジン、置換もしくは未置換のア
ミノピロリジン、置換もしくは未置換のインダーゾル、
置換もしくは未置換のピラゾール、置換もしくは未置換
のピラジン、置換もしくは未置換のピリミジン、置換も
しくは未置換のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾ
リン、置換もしくは未置換のピラゾリン、置換もしくは
未置換のピペラジン、置換もしくは未置換のアミノモル
フォリン、置換もしくは未置換のアミノアルキルモルフ
ォリン等が挙げられる。好ましい置換基は、アミノ基、
アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール
基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、ア
シル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ
基、ニトロ基、水酸基、シアノ基である。特に好ましい
化合物として、グアニジン、1,1−ジメチルグアニジ
ン、1,1,3,3,−テトラメチルグアニジン、2−
アミノピリジン、3−アミノピリジン、4−アミノピリ
ジン、2−ジメチルアミノピリジン、4−ジメチルアミ
ノピリジン、2−ジエチルアミノピリジン、2−(アミ
ノメチル)ピリジン、2−アミノ−3−メチルピリジ
ン、2−アミノ−4−メチルピリジン、2−アミノ−5
−メチルピリジン、2−アミノ−6−メチルピリジン、
3−アミノエチルピリジン、4−アミノエチルピリジ
ン、3−アミノピロリジン、ピペラジン、N−(2−ア
ミノエチル)ピペラジン、N−(2−アミノエチル)ピ
ペリジン、4−アミノ−2,2,6,6−テトラメチル
ピペリジン、4−ピペリジノピペリジン、2−イミノピ
ペリジン、1−(2−アミノエチル)ピロリジン、ピラ
ゾール、3−アミノ−5−メチルピラゾール、5−アミ
ノ−3−メチル−1−p−トリルピラゾール、ピラジ
ン、2−(アミノメチル)−5−メチルピラジン、ピリ
ミジン、2,4−ジアミノピリミジン、4,6−ジヒド
ロキシピリミジン、2−ピラゾリン、3−ピラゾリン、
N−アミノモルフォリン、N−(2−アミノエチル)モ
ルフォリンなどが挙げられるがこれに限定されるもので
はない。
【0114】これらの含窒素塩基性化合物は、単独であ
るいは2種以上一緒に用いられる。含窒素塩基性化合物
の使用量は、感光性樹脂組成物(溶媒を除く)100重
量部に対し、通常、0.001〜10重量部、好ましく
は0.01〜5重量部である。0.001重量部未満で
は上記含窒素塩基性化合物の添加の効果が得られない。
一方、10重量部を超えると感度の低下や非露光部の現
像性が悪化する傾向がある。
【0115】好適な染料としては油性染料及び塩基性染
料がある。具体的にはオイルイエロー#101、オイル
イエロー#103、オイルピンク#312、オイルグリ
ーンBG、オイルブルーBOS,オイルブルー#60
3、オイルブラックBY、オイルブラックBS、オイル
ブラックT−505(以上オリエント化学工業株式会社
製)、クリスタルバイオレット(CI42555)、メ
チルバイオレット(CI42535)、ローダミンB
(CI45170B)、マラカイトグリーン(CI42
000)、メチレンブルー(CI52015)等を挙げ
ることができる。
【0116】露光による酸発生率を向上させる為、さら
に下記に挙げるような光増感剤を添加することができ
る。好適な光増感剤としては、具体的にはベンゾフェノ
ン、p,p’−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、
p,p’−テトラエチルエチルアミノベンゾフェノン、
2−クロロチオキサントン、アントロン、9−エトキシ
アントラセン、アントラセン、ピレン、ペリレン、フェ
ノチアジン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフ
ラビン、セトフラビン−T、9,10−ジフェニルアン
トラセン、9−フルオレノン、アセトフェノン、フェナ
ントレン、2−ニトロフルオレン、5−ニトロアセナフ
テン、ベンゾキノン、2−クロロ−4−ニトロアニリ
ン、N−アセチル−p−ニトロアニリン、p−ニトロア
ニリン、、N−アセチル−4−ニトロ−1−ナフチルア
ミン、ピクラミド、アントラキノン、2−エチルアント
ラキノン、2−tert−ブチルアントラキノン1,2−ベ
ンズアンスラキノン、3−メチル−1,3−ジアザ−
1,9−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、1,
2−ナフトキノン、3,3’−カルボニル−ビス(5,
7−ジメトキシカルボニルクマリン)及びコロネン等で
あるがこれらに限定されるものではない。また、これら
の光増感剤は、光源の遠紫外光の吸光剤としても使用可
能である。この場合、吸光剤は基板からの反射光を低減
し、レジスト膜内の多重反射の影響を少なくさせること
で、定在波改良の効果を発現する。
【0117】本発明の感光性組成物は、上記各成分を溶
解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチ
ロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳
酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、
エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロ
リドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶
媒を単独あるいは混合して使用する。
【0118】上記溶媒に界面活性剤を加えることもでき
る。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキ
シエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイ
ルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル
類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、
ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリ
オキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシ
エチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー
類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミ
テート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノ
オレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタント
リステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリ
オキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシ
エチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエチ
レンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレン
ソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビ
タントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタ
ン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフト
ップEF301,EF303,EF352(新秋田化成
(株)製)、メガファックF171,F173 (大日
本インキ(株)製)、フロラ−ドFC430,FC43
1(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG71
0,サーフロンS−382,SC101,SC102,
SC103,SC104,SC105,SC106(旭
硝子(株)製)等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロ
キサンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)や
アクリル酸系もしくはメタクリル酸系(共)重合ポリフ
ローNo.75,No.95(共栄社油脂化学工業
(株)製)等を挙げることができる。これらの界面活性
剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分100重量部
当たり、通常、2重量部以下、好ましくは1重量部以下
である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよい
し、また、いくつかの組み合わせで添加することもでき
る。
【0119】上記感光性組成物を精密集積回路素子の製
造に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリ
コン被覆)上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法
により塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを
行い現像することにより良好なレジストパターンを得る
ことができる。ここで露光光としては、好ましくは25
0nm以下、より好ましくは220nm以下の波長の遠
紫外線である。具体的には、KrFエキシマレーザー
(248nm)、ArFエキシマレーザー(193n
m)、F2 エキシマレーザー(157nm)、X線、電
子ビーム等が挙げられる。
【0120】本発明の感光性組成物の現像液としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルア
ミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム
塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカ
リ性水溶液を使用することができる。更に、上記アルカ
リ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加し
て使用することもできる。
【0121】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明の内容がこれにより限定されるものでは
ない。 [合成例1(構造例(a1)の原料モノマーの合成)]無
水マレイン酸9.8g(0.10モル)、1−アダマン
タノール15.2g(0.10モル)をDMF200m
lに溶解した。この溶液にN,N−ジメチルアミノピリ
ジン12.3g(0.10モル)のDMF50ml溶液
を、室温にて撹拌下添加した。更に60℃にて5時間加
熱撹拌させた。放冷後、塩酸にて中和し、反応溶液をイ
オン交換水3Lに激しく撹拌しながら投入した。析出し
た粘調固体を水洗し、カラムクロマトグラフィー(充填
剤:シリカゲル、溶離液:ヘキサン/酢酸エチル=3/
1)にて精製した。白色粉体12.6gを得た。NMR
測定により、この粉体が本発明の構造例(a1)の原料モ
ノマーであることを確認した。
【0122】[合成例2(構造例(a3)の原料モノマー
の合成)]合成例1の1−アダマンタノールの代わり
に、1−アダマンタンメタノール16.6g(0.10
モル)を使用し、その他は合成例1と同様にして白色粉
体14.2gを得た。NMR測定により、この液体が本
発明の構造例(a3)の原料モノマーであることを確認し
た。
【0123】[合成例3(構造例(a5)の原料モノマー
の合成)]合成例1の1−アダマンタノールの代わり
に、2−メチル−2−アダマンタノール16.6g
(0.10モル)を使用し、その他は合成例1と同様に
して白色粉体12.7gを得た。NMR測定により、こ
の粉体が本発明の構造例(a5)の原料モノマーであるこ
とを確認した。
【0124】[合成例4(構造例(a7)の原料モノマー
の合成)]合成例1の1−アダマンタノールの代わり
に、1−アミノアダマンタン15.1g(0.10モ
ル)を使用し、その他は合成例1と同様にして淡褐色粉
体16.4gを得た。NMR測定により、この粉体が本
発明の構造例(a7)の原料モノマーであることを確認し
た。
【0125】[合成例5(構造例(a30 )の原料モノマ
ーの合成)]無水イタコン酸11.2g(0.10モ
ル)、1−アダマンタンメタノール16.6g(0.1
0モル)をDMF200mlに溶解した。この溶液に
N,N−ジメチルアミノピリジン12.3g(0.10
モル)のDMF50ml溶液を、室温にて撹拌下添加し
た。更に60℃にて5時間加熱撹拌させた。放冷後、塩
酸にて中和し、反応溶液をイオン交換水3Lに激しく撹
拌しながら投入した。析出した粘調固体を水洗し、カラ
ムクロマトグラフィー(充填剤:シリカゲル、溶離液:
ヘキサン/酢酸エチル=3/1)にて精製した。白色粉
体15.2gを得た。NMR測定により、この粉体が本
発明の構造例(a30 )の原料モノマーであることを確認
した。
【0126】[合成例6(構造例(a15 )の原料モノマ
ーの合成)]合成例1にて得られた本発明の構造例(a
1)の原料モノマー12.5g(0.050モル)、ジ
ヒドロピラン6.3g(0.075モル)をTHF20
0mlに溶解した。この溶液に触媒として2−エチルヘ
キシルリン酸エステル0.05gを添加し、50℃にて
8時間加熱撹拌させた。トリエチルアミンにて触媒を中
和した後、減圧蒸留にて精製し、無色液体11.7gを
得た。NMR測定により、この液体が本発明の構造例
(a15 )の原料モノマーであることを確認した。
【0127】[合成例7(構造例(a47 )の原料モノマ
ーの合成)]合成例5にて得られた本発明の構造例(a3
0 )の原料モノマー13.9g(0.050モル)、エ
チルビニルエーテル5.4g(0.075モル)をTH
F200mlに溶解した。この溶液に触媒として2−エ
チルヘキシルリン酸エステル0.05gを添加し、50
℃にて8時間加熱撹拌させた。トリエチルアミンにて触
媒を中和した後、減圧蒸留にて精製し、無色液体12.
2gを得た。NMR測定により、この液体が本発明の構
造例(a47 )の原料モノマーであることを確認した。
【0128】[合成例8(構造例(b7)の原料モノマー
の合成)]無水メタクリル酸15.4g(0.10モ
ル)、3−ヒドロキシ−3−メチルブテノール8.6g
(0.10モル)をTHF200mlに溶解した。この
溶液にN,N−ジメチルアミノピリジン12.3g
(0.10モル)のDMF50ml溶液を、室温にて撹
拌下添加した。更に撹拌下、5時間加熱環流させた。放
冷後、反応溶液をイオン交換水3Lに激しく撹拌しなが
ら投入し、酢酸エチル300mlにて抽出した。酢酸エ
チル溶液を水洗し硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧
下濃縮した。減圧蒸留にて精製し、無色液体11.4g
を得た。NMR測定により、この液体が本発明の構造例
(b7)の原料モノマーであることを確認した。
【0129】[合成例9(構造例(b15 )の原料モノマ
ーの合成)]メタクリル酸17.2g(0.20モ
ル)、ジヒドロピラン25.2g(0.30モル)をT
HF200mlに溶解した。この溶液に触媒として2−
エチルヘキシルリン酸エステル0.1gを添加し、50
℃にて8時間加熱撹拌させた。トリエチルアミンにて触
媒を中和した後、減圧蒸留にて精製し、無色液体26.
5gを得た。NMR測定により、この液体が本発明の構
造例(b15 )の原料モノマーであることを確認した。
【0130】[合成例10(構造例(b18 )の原料モノ
マーの合成)]合成例9のジヒドロピランの代わりに、
エチルビニルエーテル21.6(0.30モル)を使用
し、その他は合成例9と同様にして無色液体24.5g
を得た。NMR測定により、この液体が本発明の構造例
(b18 )の原料モノマーであることを確認した。
【0131】[合成例11(構造例(b20 )の原料モノ
マーの合成)]メタクリル酸17.2g(0.20モ
ル)、2−メトキシエトキシメチルクロリド24.9g
(0.20モル)をDMAc200mlに溶解した。ト
リエチルアミン20.3gを添加し、90℃にて7時間
加熱撹拌させた。放冷後、反応溶液をイオン交換水3L
に激しく撹拌しながら投入し、酢酸エチル300mlに
て抽出した。酢酸エチル溶液を水洗し硫酸マグネシウム
で乾燥した後、減圧下濃縮した。カラムクロマトグラフ
ィー(充填剤:シリカゲル、溶離液:ヘキサン/酢酸エ
チル=3/1)にて精製し、無色液体13.4gを得
た。NMR測定により、この液体が本発明の構造例(b2
0 )の原料モノマーであることを確認した。
【0132】[合成例12(構造例(a1)/(b1)/ア
クリロニトリルから成る本発明の樹脂の合成)]上記合
成例にて得られた構造例(a1)の原料モノマー12.5
g(0.050モル)にt−ブチルメタクリレート2.
84g(0.020モル)、更にアクリロニトリル1.
59g(0.030モル)を加え、1−メトキシ−2−
プロパノール60mlに溶解した。窒素気流及び撹拌
下、70℃にて重合開始剤2,2’−アゾビス(2,4
−ジメチルバレロニトリル)(和光純薬工業(株)製;
商品名V−65)100mgを添加した。反応開始2時
間及び4時間後に同開始剤各々100mgを追加した。
更に3時間反応後、90℃に昇温し撹拌を1時間続け
た。反応液を放冷後、イオン交換水/メタノール(1/
1)1L中に激しく撹拌しながら投入することにより、
ポリマーを析出させた。得られたポリマーを減圧下、4
0℃にて乾燥し、本発明の樹脂(p-1 )14.6gを得
た。GPCにて分子量を測定したところ、重量平均(M
w:ポリスチレン換算)で19.5×10 3 (分散度
(Mw/Mn)2.5)であった。
【0133】[合成例13(構造例(a15 )/アクリロ
ニトリルから成る本発明の樹脂の合成)]上記合成例に
て得られた構造例(a15 )の原料モノマー8.36g
(0.025モル)にアクリロニトリル1.32g
(0.025モル)を加え、1−メトキシ−2−プロパ
ノール30mlに溶解した。窒素気流及び撹拌下、70
℃にて重合開始剤2,2’−アゾビス(2,4−ジメチ
ルバレロニトリル)(和光純薬工業(株)製;商品名V
−65)50mgを添加した。反応開始2時間及び4時
間後に同開始剤各々50mgを追加した。更に3時間反
応後、90℃に昇温し撹拌を1時間続けた。反応液を放
冷後、イオン交換水/メタノール(1/1)0.5Lに
激しく撹拌しながら投入することにより、ポリマーを析
出させた。得られたポリマーを減圧下、40℃にて乾燥
し、本発明の樹脂(p-2 )8.7gを得た。GPCにて
分子量を測定したところ、重量平均(Mw:ポリスチレ
ン換算)で22.4×103 (分散度(Mw/Mn)
2.7)であった。
【0134】[合成例14(構造例(a17 )から成る本
発明の樹脂の合成)]構造例(a17 )の原料モノマー3
2.2g(0.100モル)を、1−メトキシ−2−プ
ロピルアセテート80mlに溶解した。以下合成例12
と同様に反応、後処理をして本発明の樹脂(p-3 )2
2.6gを得た。GPCにて分子量を測定したところ、
重量平均(Mw:ポリスチレン換算)で26.4×10
3 (分散度(Mw/Mn)2.5)であった。
【0135】[合成例15(構造例(a9)/(b7)/
(c2)から成る本発明の樹脂の合成)]構造例(a9)/
(b7)の原料モノマー各々13.9g(0.050モ
ル)/5.40g(0.035モル)にメタクリル酸
1.29g(0.015モル)加え、1−メトキシ−2
−プロパノール60mlに溶解した。以下合成例12と
同様に反応、後処理をして本発明の樹脂(p-4 )17.
8gを得た。GPCにて分子量を測定したところ、重量
平均(Mw:ポリスチレン換算)で21.3×10
3(分散度(Mw/Mn)2.9)であった。
【0136】[合成例16(構造例(a2)/(a17 )か
ら成る本発明の樹脂の合成)]構造例(a2)の原料モノ
マー25.0g(0.100モル)を1−メトキシ−2
−プロパノール60mlに溶解した。以下合成例12と
同様に反応、後処理をして構造例(a2)から成る樹脂2
1.8gを得た。この樹脂12.5gにエチルビニルエ
ーテル3.24g(0.045モル)を加え、THF2
00mlに溶解した。この溶液に触媒として2−エチル
ヘキシルリン酸エステル0.05gを添加し、50℃に
て8時間加熱撹拌させた。トリエチルアミンにて触媒を
中和した後、イオン交換水/メタノール(1/1)1L
中に激しく撹拌しながら投入することにより、ポリマー
を析出させた。得られたポリマーを減圧下、40℃にて
乾燥し、本発明の樹脂(p-5 )14.4gを得た。NM
R測定により、エチルビニルエーテル付加体((a17 )
で示される構造)が82モル%であることを確認した。
またGPCにて分子量を測定したところ、重量平均(M
w:ポリスチレン換算)で27.4×103 (分散度
(Mw/Mn)2.6)であった。
【0137】[合成例17〜33(前記構造単位を有す
る本発明の樹脂の合成)]以下合成例12〜15と同様
にして、下記表1に示す繰り返し構造単位の原料モノマ
ーを用い、本発明の樹脂を合成した。使用した構造単
位、その原料モノマー仕込みモル比、及び生成した樹脂
の重量平均分子量を合わせて表1に示す。
【0138】
【表1】
【0139】〔実施例1(溶剤溶解性の測定)〕上記合
成例で得られた本発明の樹脂(p-1 )〜(p-22)及び下
記比較例用ポリマー(A)各1.0gをプロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート4.0g及び乳酸
エチル/エトキシプロピオン酸エチル(重量比6/4)
4.0gに添加し、十分に撹拌した後5℃にて3日間放
置した。放置後の析出物の有無を濁度計にて測定するこ
とにより、両溶剤に対する本発明の樹脂と比較例用ポリ
マー(A)の溶解性を調べた。その結果、本発明の樹脂
においても析出物が認められず、十分な溶剤溶解性を有
することを確認した。一方、比較例用ポリマー(A)の
場合、5℃での経時後、樹脂の析出が認められた。 比較例用ポリマー(A):1−アダマンチルメタクリレ
ート/t−ブチルメタクリレート/メタクリル酸(モル
比;60/20/20、重量平均分子量31.5×10
3 、分散度2.9)
【0140】〔実施例2(光学濃度の測定)〕上記合成
例で得られた本発明の樹脂1.0gとトリフェニルスル
ホニウムのトリフレート塩0.03gをプロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート4.5gに溶解
し、0.2μmのテフロンフィルターにより濾過した。
スピンコーターにて石英ガラス基板上に均一に塗布し、
100℃で90秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行
い、1μmのレジスト膜を形成させた。得られた膜の光
学吸収を紫外線分光光度計にて測定したところ、193
nmの光学濃度は表2に示す通りであった。
【0141】
【表2】
【0142】表2の結果から、本発明の樹脂の光学濃度
測定値は比較例のポリ(ヒドロキシスチレン)の値より
小さく、193nm光に対し十分な透過性を有すること
が判る。
【0143】〔実施例3(耐ドライエッチング性の測
定)〕上記合成例で得られた本発明の樹脂及び上記比較
例用ポリマー(A)各1.0gをプロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート4.5gに溶解し、0.
2μmのテフロンフィルターにより濾過した。スピンコ
ーターにてシリコン基板上に均一に塗布し、100℃で
90秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、0.7μ
mのレジスト膜を形成させた。得られた膜をULVAC
製リアクティブイオンエッチング装置(CSE−111
0)を用いて、CF4 /O2 (8/2)のガスに対する
エッチング速度を測定したところ、表3に示す通りであ
った(エッチング条件:Power=500W、Pre
ssure=4.6Pa、GasFlow Rate=
10sccm)。
【0144】
【表3】
【0145】表3の結果から、本発明の樹脂のエッチン
グ速度は比較例のポリ(メチルメタクリレート)及び比
較例用ポリマー(A)の値より小さく、十分な耐ドライ
エッチング性を有することが判る。
【0146】〔実施例4(画像評価−1−)〕上記合成
例で得られた本発明の樹脂1.0gとトリフェニルスル
ホニウムのトリフレート塩0.03gをプロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート4.5gに溶解
し、0.2μmのテフロンフィルターにより濾過した。
スピンコーターにてヘキサメチルジシラザン処理を施し
たシリコン基板上に均一に塗布し、100℃で90秒間
ホットプレート上で加熱乾燥を行い、0.4μmのレジ
スト膜を形成させた。このレジスト膜に対し、KrFエ
キシマーレーザーステッパー(NA=0.42;248
nm)を使用してパターン露光し、露光後直ぐに110
℃で60秒間ホットプレート上で加熱した。更に2.3
8%テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液
で23℃下60秒間浸漬現像し、30秒間純水にてリン
スした後、乾燥した。この結果、表4に示した感度、解
像度にて、レジスト膜の露光部のみが溶解除去された良
好なポジ型のパターンを形成した。ここで、パターン形
状は、得られたパターンを走査型電子顕微鏡にて観察
し、矩形なものを良好とした。感度は、0.35μmの
マスクパターンを再現する露光量をもって定義した。解
像度は、0.35μmのマスクパターンを再現する露光
量での限界解像力をもって定義した。
【0147】
【表4】
【0148】表4の結果から、本発明の樹脂を使用した
レジストは、高感度で解像度が良好である。またパター
ン形状が良好であることが判る。
【0149】〔実施例5(画像評価−2−)〕実施例4
で得られた0.4μmのレジスト膜上に、石英板上にク
ロムでパターンを描いたマスクを密着させ、ArFエキ
シマーレーザー光(193nm)を照射した。露光後直
ぐに110℃で60秒間ホットプレート上で加熱した。
更に2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロオキサ
イド水溶液で23℃下60秒間浸漬現像し、30秒間純
水にてリンスした後、乾燥した。この結果、表5に示し
た感度、解像度にて、レジスト膜の露光部のみが溶解除
去された良好なポジ型のパターンを形成した。ここで、
感度、解像度及びパターン形状は前記と同様に評価し
た。
【0150】
【表5】
【0151】表5の結果から、本発明の樹脂を使用した
レジストは、ArFエキシマーレーザー光に対しても良
好な感度、解像度を示し、ポジ型のパターンを形成する
ことが判る。
【0152】
【発明の効果】以上に示したことから明らかな様に本発
明の樹脂においては、通常使用されるレジスト溶剤に対
する溶解性が良好である。また本発明の樹脂を使用した
レジストは、250nm以下、特に220nm以下の遠
紫外光に対し高い透過性を有し、且つ耐ドライエッチン
グ性が良好である。更に250nm以下、特に220n
m以下の遠紫外光(特にArFエキシマーレーザー光)
を露光光源とする場合、高感度、高解像度、且つ良好な
パターンプロファイルを示し、半導体素子製造に必要な
微細パターンの形成に有効に用いることが可能である。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)活性光線又は放射線の照射により
    酸を発生する化合物、及び(B)下記一般式(I)、
    (II)又は(III)で表されるアダマンチル基を有する繰
    り返し構造単位の少なくとも一つと、酸の作用により分
    解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基の少
    なくとも一つを有する樹脂を含有することを特徴とする
    ポジ型感光性組成物。 【化1】 式(I)〜(III)中、R1 、R2 、R5 、R8 、R
    9 は、同じでも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原
    子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。
    4 、R7 、R10は、同じでも異なってもよく、ハロゲ
    ン原子、シアノ基、置換基を有していても良い、アルキ
    ル基、アルケニル基もしくはアルキニル基、又は−CO
    −O−R11基を表す。R3 、R6 、R11は、同じでも異
    なってもよく、水素原子、置換基を有していても良い、
    アルキル基、単環あるいは多環のシクロアルキル基もし
    くはアルケニル基、又は酸の作用により分解してアルカ
    リ現像液中での溶解性を増大させる基を表す。X1 〜X
    5 は、同じでも異なってもよく、単結合、2価のアルキ
    レン基、シクロアルキレン基、−O−、−S−、又は−
    N(R12)−R13−基を表す。R12は水素原子、アルキ
    ル基、単環あるいは多環のシクロアルキル基又はアルケ
    ニル基を表す。R13は単結合あるいは、エーテル基、エ
    ステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基を有して
    も良い、2価のアルキレン基、シクロアルキレン基又は
    アルケニレン基を表す。l、m、nは、同じでも異なっ
    てもよく、0又は1〜3の整数を示す。l、m、nが2
    以上の場合は、各複数個のR4 、R7 、R10は同一でも
    異なっても良い。
  2. 【請求項2】 (B)成分の樹脂が、請求項1に記載の
    一般式(I)、(II)又は(III)で表される繰り返し構
    造単位のうち少なくとも一つと、下記一般式(IV)、
    (V)又は(VI)で表される繰り返し構造単位のうち少
    なくとも一つを有し、酸の作用により分解してアルカリ
    現像液中での溶解性が増大する樹脂であることを特徴と
    する請求項1に記載のポジ型感光性組成物。 【化2】 式(IV)〜(VI)中、R14、R15、R17〜R19は、同一
    でも異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ
    基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。R16はシア
    ノ基、−CO−OR20又は−CO−N(R21)(R22
    を表す。X6 〜X8 は、同一でも異なっても良く、単結
    合、−O−、−SO2 −、−O−CO−R23−、−CO
    −O−R24−、−CO−N(R25)−R26−、置換基を
    有していても良い、2価のアルキレン基、アルケニレン
    基又はシクロアルキレン基を表す。R20は、水素原子、
    置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキ
    ル基もしくはアルケニル基、又は酸の作用により分解し
    てアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を表す。
    21、R22、R25は、同一でも異なっても良く、水素原
    子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロア
    ルキル基又はアルケニル基を表し、R21とR22が結合し
    て環を形成しても良い。R23、R24、R26は、同一でも
    異なっても良く、単結合あるいは、エーテル基、エステ
    ル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基を有しても良
    い、2価のアルキレン基、アルケニレン基又はシクロア
    ルキレン基を表す。Bは酸の作用により分解してアルカ
    リ現像液中での溶解性を増大させる基を表す。
  3. 【請求項3】 (B)成分の樹脂が、更にカルボキシル
    基を有することを特徴とする請求項1又は2に記載のポ
    ジ型感光性組成物。
  4. 【請求項4】 (B)成分の樹脂が、カルボキシル基を
    有する一般式(VII)、(VIII)又は(IX)で表される繰
    り返し構造単位のうち少なくとも一つを有することを特
    徴とする請求項3に記載のポジ型感光性組成物。 【化3】 式(VII)〜(IX)中、R27、R28、R30〜R32は、同じ
    でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ
    基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。R29はシア
    ノ基、−CO−OR33、−CO−N(R34)(R35)を
    表す。X9 〜X11は、同じでも異なってもよく、単結
    合、−O−、−SO2 −、−O−CO−R36−、−CO
    −O−R37−、−CO−N(R38)−R39−、置換基を
    有していても良い2価のアルキレン基、アルケニレン基
    又はシクロアルキレン基を表す。R33は水素原子、置換
    基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基
    又はアルケニル基を表す。R34、R35、R38は、同じで
    も異なってもよく、水素原子、置換基を有していても良
    い、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を
    表し、またR34とR 35が結合して環を形成しても良い。
    36、R37、R39は、同じでも異なってもよく、単結合
    あるいは、エーテル基、エステル基、アミド基、ウレタ
    ン基、ウレイド基を有しても良い、2価のアルキレン
    基、アルケニレン基又はシクロアルキレン基を表す。
  5. 【請求項5】 酸の作用により分解し得る基を有し、ア
    ルカリ現像液中での溶解性が酸の作用により増大する、
    分子量3,000以下の低分子酸分解性溶解阻止化合物
    を含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに
    記載のポジ型感光性組成物。
  6. 【請求項6】 露光光源として、250nm以下の波長
    の遠紫外光を使用することを特徴とする請求項1〜5の
    いずれかに記載のポジ型感光性組成物。
  7. 【請求項7】 露光光源として、220nm以下の波長
    の遠紫外光を使用することを特徴とする請求項6に記載
    のポジ型感光性組成物。
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