JP2000029216A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 深紫外線、特にArF エキシマレーザー光に対
して、残膜率、レジストプロファイルが優れるととも
に、現像欠陥の問題を生じないポジ型レジスト組成物を
提供すること。 【解決手段】 活性光線又は放射線の照射により酸を発
生する化合物、多環型の脂環式基とカルボキシル基を有
する樹脂、特定の構造の基を少なくとも２個有する化合
物、分子内に含窒素塩基性基と酸性基とを含む化合物、
フッソ系及び／又はシリコン系界面活性剤を含有するポ
ジ型レジスト組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ等の半導体製
造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、更
にその他のフォトファブリケーション工程に使用される
ポジ型レジスト組成物に関するものである。更に詳しく
は２２０ｎｍ以下の遠紫外線を露光光源とする場合に好
適なポジ型レジスト組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路は高集積化が進
み、LSI やVLSIが実用化されるとともに集積回路の最小
パターン幅はサブハーフミクロンの領域に至り、さらに
微細化が進んでいる。そのため、微細パターン形成のた
めのフォトリソグラフィ技術に対する要求がますます厳
しくなっている。パターンの微細化を図る手段の一つと
して、レジストのパターン形成の際に使用される露光光
の短波長化が知られている。例えば64M ビットまでの集
積度のDRAMの製造には、現在まで、高圧水銀灯のi線(36
5nm) が光源として使用され、256MビットDRAMの量産プ
ロセスには、i 線に変わりKrF エキシマレーザー(248n
m) が露光光源として実用化されてきた。また1Gビット
以上の集積度を持つDRAMの製造を目的として、より短波
長の光源が検討されており、ArF エキシマレーザー(193
nm) 、F₂エキシマレーザー(157nm) 、Ｘ線、電子線の利
用が有効であると考えられている（上野巧ら、「短波長
フォトレジスト材料-ULSI に向けた微細加工- 」、ぶん
しん出版、1988年）。

【０００３】特にArF エキシマレーザーが次世代の露光
光源として注目され、ArF エキシマレーザ露光用の高感
度、高解像力で、且つドライエッチング耐性に優れたレ
ジストの開発が望まれている。従来のi 線及びKrF エキ
シマレーザー露光用のレジスト材料においては、高いド
ライエッチング耐性を得るために、芳香族ポリマーを含
有するレジストが広く用いられており、例えばノボラッ
ク樹脂系レジストあるいはポリビニルフェノール系の化
学増幅型レジストが知られている。しかしながら、ドラ
イエッチング耐性を付与する目的で導入された芳香族ポ
リマーを含有するレジストは、ArF エキシマレーザー光
の波長域ではほとんど光を通さないために、レジスト膜
の底部にまで露光することが困難であり、従来のレジス
トでは断面形状の良好なパターンが得られなかった。

【０００４】一方、レジストの透明性を改良するために
芳香環を全く含まない脂肪族ポリマー、例えばポリメチ
ルメタクリレートを用いる方法が知られている（ J.Va
c.Sci. Technol.,B9,3357(1991)）。しかしながら、こ
れらのポリマーを用いる時には、ドライエッチング耐性
が十分でなく、実用的でない。ArF エキシマレーザー露
光用のレジスト材料の開発に当たっては、透明性が良好
で、高いドライエッチング耐性の両方を有することが最
大の課題とされている。

【０００５】近年、脂環式炭化水素基を含有するレジス
トが、芳香族基と同様のドライエッチング耐性を示し、
且つArF エキシマレーザー光の吸収が小さいことがPro
c. SPIE, 1672,66(1992)で報告され、注目されるよう
になってきた。脂環式炭化水素基を含有するポリマーを
レジストに応用する試みは古くからなされ、例えば特開
昭60-195542 号、特開平1-217453号、特開平2-59751 号
ではノルボルネン系のポリマーが開示されており、特開
平2-146045号には環状脂肪族炭化水素骨格と無水マレイ
ン酸単位を有するアルカリ可溶性樹脂が種々開示されて
いる。また、特開平5-80515 号ではノルボルネンと酸分
解基で保護されたアクリル酸系エステルの共重合体が、
特開平4-39665 号、特開平5-265212号、特開平5-80515
、特開平7-234511号では側鎖にアダマンタン骨格を有
する共重合体が開示され、特開平7-252324号、特開平9-
221526号では、有橋環式炭化水素基を有する炭素数7 〜
12の脂肪族環式炭化水素基がポリマーの側鎖に連結した
化合物、例えば、トリシクロ[5,2,1,02.6]デカンジメチ
レン基、トリシクロ[5,2,1,02.6]デカンジイル基、ノル
ボルナンジイル基、ノルボルナンジメチル基、アダマン
タンジイル基が、また、特開平7-199467号にはトリシク
ロデカニル基、ジシクロペンテニル基、ジシクロペンテ
ニルオキシエチル基、ノルボニル基、シクロヘキシル基
がポリマーの側鎖に連結した化合物が開示されている。
更に、特開平9-325498号にはシクロヘキサン及びイソボ
ルニル骨格を主鎖に有する重合体が、特開平9-230595
号、特開平9-244247号、特開平10-10739号、WO97-3319
8、EP794458、EP789278号にはジシクロオレフィン等の
各種環状オレフィン類が主鎖に導入された重合体が開示
され、特開平8-82925 号、特開平9-230597号にはテルペ
ノイド骨格の内、メンチル基またはメンチル誘導体基を
有する化合物が好ましいことが記載されている。

【０００６】また、リソグラフィープロセスに起因する
欠陥が歩留まり低下の大きな要因の一つになっており、
最近、特に重要な問題となっている。例えば、現像欠陥
は一般に液盛り時の気泡と現像液中の溶存気体によるマ
イクロバブルが一因となり欠陥を発生させると言われて
おり（平野ら；第42回応用物理学会講演予行集27p-ZW-9
(1996)）、ウエファーが大口径化し、現像液の吐出量が
増加するに従って、さらに気泡対策が重要となってい
る。これらの気泡対策として、ソフトに現像液が吐出さ
れるような装置上の改良（サイエンスフォーラム社出
版，ULSI製造コンタミネーションコントロール技術，41
(1992)、参照）や溶存気体の脱気機構の付加により気泡
の低減の試みがなされているものの十分満足できるレベ
ルではない。

【０００７】また、現像欠陥を低減するために、現像液
中にノニオン系の界面活性剤を添加し、現像液の濡れ性
を向上させ気泡脱離を促進する工夫や、ノボラック系の
レジスト中の界面活性剤の種類と添加量を最適化するこ
とで親和性を向上させる試みがなされてきた（薄島ら；
第42回応用物理学会講演予行集27p-ZW-7(1996)）。しか
し、これらの方法では非芳香族系のポリマーを用いたAr
F 用の化学増幅系レジストの現像欠陥を低減すること
は、十分でないばかりか、むしろ、逆効果になる場合さ
えあり、現像欠陥を低減するためにどのように対処して
いいのか、これまで全く改良の指針がなかった。しかも
現像欠陥を低減するために、レジストの親和性を向上さ
せると残膜率やプロファイルが劣化する傾向があり両立
化が極めて困難であった。

【０００８】さらに、従来の芳香族系のポリマーを用い
たKrF 用ポジ型化学増幅系レジストでは、例えばProoc.
SPIE 1672,46,(1992)、Prooc.SPIE 2438,551,(1995)、
Prooc.SPIE ,2438,563(1995)、Prooc.SPIE 1925,14,(19
93) 、J.Photopolym.Sci.Tech.Vol.8.No.4,535(1995)、
J.Photopolym.Sci.Tech.Vol.5.No.1,207(1992)、J.Phot
opolym.Sci.Tech.Vol.8.No.4,561(1995)、Jpn.J.Appl.P
hys.33,7023(1994) 等に報告されているように、露光か
ら熱処理(PEB) までの放置時間が長くなるに従い、発生
した酸が拡散したり、また、雰囲気中の塩基性不純物に
よりレジスト表面部の酸が失活してしまい、感度や現像
後のレジストパターンのプロファイルや線幅が変化して
しまうという問題があった。これらを解決する手段とし
て、芳香族系のポリマーを用いた化学増幅系レジストに
アミンを添加する技術が、特開昭63-149640 号、特開平
5-249662号、特開平5-127369号、特開平5-289322号、特
開平5-249683号、特開平5-289340号、特開平5-232706
号、特開平5-257282号、特開平6-242605号、特開平6-24
2606号、特開平6-266100号、特開平6-266110号、特開平
6-317902号、特開平7-120929号、特開平7-146558号、特
開平7-319163号、特開平7-508840号、特開平7-333844
号、特開平7-219217号、特開平7-92678 号、特開平7-28
247 号、特開平8-22120 号、特開平8-110638号、特開平
8-123030号、特開平9-274312号、特開平9-166871号、特
開平9-292708号、特開平9-325496号、特表平7-508840
号、US5525453 号、US5629134 号、US5667938 号等に多
く開示されており公知である。しかしながらこれらのア
ミンを環状脂肪族炭化水素骨格構造を有する非芳香族系
のポリマーを用いたArF 用の化学増幅系レジストに添加
すると確かに、芳香族系のポリマーを用いた場合と同
様、感度変化や現像後のレジストパターンのプロファイ
ル変化や線幅変化に対して効果があるものの、前記現像
欠陥が極めて劣る結果となりその対策が望まれていた。

【０００９】

【本発明が解決しょうとする課題】本発明は、かかる問
題点を鑑みてなされたものであり、その目的は深紫外
線、特にArF エキシマレーザー光に対して、特に残膜
率、レジストプロファイルが優れるとともに、現像欠陥
の問題を生じないポジ型レジスト組成物を提供するもの
である。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意し鋭意検討した結果、本発明の目的が以下の特
定の構造の樹脂と特定の構造の多官能のエノールエーテ
ル化合物、更に含窒素塩基性化合物及び特定の界面活性
剤を使用することで見事に達成されることを見出し、本
発明に到達した。即ち、本発明は、下記構成である。 （１） （Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発
生する化合物、（Ｂ）多環型の脂環式基とカルボキシル
基を有する樹脂、（Ｃ）下記一般式（Ｉ）で表される基
を少なくとも２個有する化合物（Ｄ）分子内に含窒素塩
基性基と酸性基とを含む化合物、及び（Ｅ）フッソ系及
び／又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴と
するポジ型レジスト組成物。

【００１１】

【化６】

【００１２】式（Ｉ）中、Ｒ₁ 〜Ｒ₃ は同じでも異なっ
ていても良く、水素原子、置換基を有していても良い、
アルキル基又はシクロアルキル基を表す。また、Ｒ₁ 〜
Ｒ₃の内の２つが結合して３〜８個の炭素原子、ヘテロ
原子から成る環構造を形成しても良い。Ｚは酸素原子、
イオウ原子、−ＳＯ₂ −又は−ＮＨ−を示す。 （２） （Ｂ）成分の樹脂が、下記一般式（II）、（II
I)又は（IV）で表される多環型の脂環式基を有する繰り
返し構造単位のうち少なくとも一つを有することを特徴
とする前記（１）に記載のポジ型レジスト組成物。

【００１３】

【化７】

【００１４】式（II）〜（IV）中、Ｒ₄ 、Ｒ₅ 、Ｒ₇ 〜
Ｒ₉ は同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲ
ン原子、シアノ基、置換基を有していてもよい、アルキ
ル基又はハロアルキル基を表す。Ｒ₆ はシアノ基、−Ｃ
Ｏ−ＯＲ₁₀又は−ＣＯ−Ｎ（Ｒ₁₁）（Ｒ₁₂）を表す。Ｘ
₁ 〜Ｘ₃ は同じでも異なっていてもよく、単結合、置換
基を有していても良い２価のアルキレン基、アルケニレ
ン基もしくはシクロアルキレン基、又は−Ｏ−、−ＳＯ
₂ −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ₁₃−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ₁₄−、−Ｃ
Ｏ−Ｎ（Ｒ₁₅）−Ｒ₁₆−を表す。

【００１５】Ｒ₁₀は水素原子、置換基を有していても良
い、アルキル基、シクロアルキル基あるいはアルケニル
基、又は酸の作用により分解してアルカリ現像液中での
溶解性を増大させる基を表す。Ｒ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₅は同じ
でも異なっていてもよく、水素原子、置換基を有してい
ても良い、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニ
ル基を表す。またＲ₁₁とＲ₁₂とが結合して環を形成して
も良い。Ｒ₁₃、Ｒ₁₄、Ｒ₁₆は同じでも異なっていてもよ
く、単結合、又はエーテル基、エステル基、アミド基、
ウレタン基もしくはウレイド基を有しても良い、２価の
アルキレン基、アルケニレン基あるいはシクロアルキレ
ン基を表す。Ｙは多環型の脂環式基を表す。

【００１６】（３）（Ｂ）成分の樹脂が、下記一般式
（Ｖ）、（VI）又は（VII)で表されるカルボキシル基を
有する繰り返し構造単位のうち少なくとも一つを有する
ことを特徴とする前記（１）又は（２）に記載のポジ型
レジスト組成物。

【００１７】

【化８】

【００１８】式（Ｖ）〜（VII)中、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈、Ｒ₂₀〜
Ｒ₂₂は同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲ
ン原子、シアノ基、置換基を有していてもよい、アルキ
ル基又はハロアルキル基を表す。Ｒ₁₉はシアノ基、−Ｃ
Ｏ−ＯＲ₂₃又は−ＣＯ−Ｎ（Ｒ₂₄）（Ｒ₂₅）を表す。Ｘ
₄ 〜Ｘ₆ は同じでも異なっていてもよく、単結合、置換
基を有していても良い２価のアルキレン基、アルケニレ
ン基もしくはシクロアルキレン基、又は−Ｏ−、−ＳＯ
₂ −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ₂₆−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ₂₇−、−Ｃ
Ｏ−Ｎ（Ｒ₂₈）−Ｒ₂₉−を表す。Ｒ₂₃は水素原子、置換
基を有していても良いアルキル基、シクロアルキル基も
しくはアルケニル基、又は酸の作用により分解してアル
カリ現像液中での溶解性を増大させる基を表す。Ｒ₂₄、
Ｒ₂₅、Ｒ₂₈は同じでも異なっていてもよく、水素原子、
置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキ
ル基又はアルケニル基を表す。またＲ₂₄とＲ₂₅とが結合
して環を形成しても良い。Ｒ₂₆、Ｒ₂₇、Ｒ₂₉は同じでも
異なっていてもよく、単結合、又はエーテル基、エステ
ル基、アミド基、ウレタン基もしくはウレイド基を有し
ても良い、２価のアルキレン基、アルケニレン基あるい
はシクロアルキレン基を表す。

【００１９】（４） （Ｂ）成分の樹脂が、酸の作用に
より分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる
基を有することを特徴とする前記（１）〜（３）のいず
れかに記載のポジ型レジスト組成物。 （５） （Ｂ）成分の樹脂における酸の作用により分解
してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基が、下
記一般式（VIII）又は（IX）で表される基であることを
特徴とする前記（２）〜（４）のいずれかに記載のポジ
型レジスト組成物。

【００２０】

【化９】

【００２１】式（VIII）、（IX）中、Ｒ₃₀〜Ｒ₃₂は同じ
でも異なっていてもよく、水素原子、又は置換基を有し
ていても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アルケ
ニル基、アシル基もしくはアルコキシカルボニル基を表
す。Ｒ₃₃は、置換基を有していても良い、アルキル基、
シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。但し、式
（VIII）のＲ₃₀〜Ｒ₃₂の内少なくとも２つは水素原子以
外の基である。また式（VIII）のＲ₃₀〜Ｒ₃₂の内の２
つ、又は式（IX）のＲ₃₀、Ｒ₃₁、Ｒ₃₃の内の２つが結合
して３〜８個の炭素原子、ヘテロ原子から成る環構造を
形成しても良い。

【００２２】（６） （Ｂ）成分の樹脂が、水酸基を有
することを特徴とする前記（１）〜（５）のいずれかに
記載のポジ型レジスト組成物。 （７） （Ｃ）成分の化合物が、下記一般式（Ｘ）で示
される化合物であることを特徴とする前記（１）〜
（６）のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。

【００２３】

【化１０】

【００２４】式（Ｘ）中、Ｒ₁ 〜Ｒ₃ 、Ｚは各々前記
（１）に記載のものと同義である。Ｒはヘテロ原子を含
んでいてもよい、ｍ価のアルキレン基又はシクロアルキ
レン基を表す。ｍは２以上の整数を表す。 （８） （Ｂ）成分の樹脂と（Ｃ）成分の化合物が塗膜
形成時に熱により架橋してアルカリ現像液に対し不溶化
し、その（Ｂ）成分の樹脂と（Ｃ）成分の化合物の架橋
物が活性光線又は放射線の照射時に発生した酸により分
解して、アルカリ現像液に対する溶解性が向上すること
を特徴とする前記（１）〜（７）のいずれかに記載のポ
ジ型レジスト組成物。 （９） 露光光源として、２２０ｎｍ以下の遠紫外光を
使用することを特徴とする前記（１）〜（８）のいずれ
かに記載のポジ型レジスト組成物。

【００２５】本発明のポジ型レジスト組成物において
は、塗膜形成時の加熱乾燥で、本発明における（ｃ）成
分の一般式（Ｉ）で示される基を少なくとも２個有する
化合物（例えば多価エノールエーテル化合物）は、
（Ｂ）成分の樹脂中のカルボキシル基（及びヒドロキシ
基）と付加反応し、アセタール基による架橋を生じる。
これにより未露光部では基板との密着性を維持しなが
ら、アルカリ現像液に対し不溶化し、カルボキシル基に
よる過現像（膜減り）は起こさない。また露光部では発
生した酸により、必要に応じ導入された酸分解基と伴に
同アセタール架橋部が分解し、アルカリ現像液に対し十
分な現像性を示す。従って大きな溶解のディスクリミネ
ーションが得られる。更に、（Ｄ）分子内に含窒素塩基
性基と酸性基とを含む化合物及び（Ｅ）フッソ系及び／
又はシリコン系界面活性剤を用いることにより、優れた
残膜率、解像力を達成し、且つ現像欠陥の発生を軽減で
きた。

【００２６】上記エノールエーテル基とカルボキシル基
の熱付加反応を利用し、架橋を形成させた後、分解させ
ることによりポジ画像を形成する試みは特開平６−１４
８８８９号、同６−２３０５７４号に記載されている
が、そこで使用されている系は２２０ｎｍ以下の吸収、
特にＡｒＦエキシマーレーザー光（１９３ｎｍ）におけ
る吸収が大きく、また耐ドライエッチング性も十分でな
く、更に現像欠陥の発生の軽減も充分なものではなかっ
た。本発明においてはこれらの問題を見事に解決したも
のである。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明に使用する化合物に
ついて詳細に説明する。 ［１］（Ｂ）成分の樹脂 （Ｂ）成分の樹脂は、多環型の脂環式基とカルボキシル
基を有する樹脂である。（Ｂ）成分の樹脂における多環
型の脂環式基を有する構造単位は、好ましくは一般式
（II）、（III)又は（IV）で表される多環型の脂環式基
を有する繰り返し構造単位である。（Ｂ）成分の樹脂に
おいて、カルボキシル基は、上記一般式（II）、（III)
又は（IV）で表される繰り返し構造単位中に含まれても
よいし、それらとは別の繰り返し構造単位中に含まれて
もよい。更にこれらのカルボキシル基の置換場所のうち
複数の場所に含まれてもよい。カルボキシル基を有する
構造単位としては、一般式（Ｖ）、（VI）又は（VII)で
表される繰り返し構造単位が好ましい。

【００２８】（Ｂ）成分の樹脂は、ヒドロキシ基及び／
又は酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解
性を増大させる基（酸分解性基ともいう）を有すること
が好ましい。これにより、アルカリ現像液に対する溶解
性におけるディスクリミネーションをより大きくでき
る。ヒドロキシ基及び酸分解性基も同様に、上記一般式
（II）〜（VII)で表される繰り返し構造単位中に含まれ
てもよいし、それらとは別の繰り返し構造単位中に含ま
れてもよい。更にこれらの置換場所のうち複数の場所に
含まれてもよい。

【００２９】前記一般式（II）〜（VII)におけるＲ₄ 、
Ｒ₅ 、Ｒ₇ 〜Ｒ₉ 、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈、Ｒ ₂₀〜Ｒ₂₂のアルキル
基としては、好ましくは置換基を有していても良いメチ
ル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−
ブチル基のような炭素数１〜４個のものが挙げられる。
ハロアルキル基としては、好ましくはフッ素原子、塩素
原子、臭素原子が置換した炭素数１〜４個のアルキル
基、例えばフルオロメチル基、クロロメチル基、ブロモ
メチル基、フルオロエチル基、クロロエチル基、ブロモ
エチル基等が挙げられる。

【００３０】Ｒ₁₀〜Ｒ₁₂、Ｒ₁₅、Ｒ₂₃〜Ｒ₂₅、Ｒ₂₈のア
ルキル基としては、好ましくは置換基を有していても良
いメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ
ｅｃ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、
オクチル基のような炭素数１〜８個のものが挙げられ
る。シクロアルキル基としては、好ましくは置換基を有
していても良いシクロプロピル基、シクロペンチル基、
シクロヘキシル基のような炭素数３〜８個の単環型や、
アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、ジ
シクロペンチル基、σ−ピネル基、トリシクロデカニル
基等の多環型のものが挙げられる。アルケニル基として
は、好ましくは置換基を有していても良いビニル基、プ
ロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘ
キセニル基、シクロヘキセニル基の様な炭素数２〜６個
のものが挙げられる。またＲ₁₁とＲ₁₂、あるいはＲ₂₄と
Ｒ₂₅が各々結合し、窒素原子と伴に環を形成してもよ
い。このような環としては、ピロリジン、ピペリジン、
ピペラジン等の５〜８員環が好ましい。

【００３１】Ｘ₁ 〜Ｘ₆ のアルキレン基としては、好ま
しくは置換基を有していても良いメチレン基、エチレン
基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチ
レン基等の炭素数１〜８個のものが挙げられる。アルケ
ニレン基としては、好ましくは置換基を有していても良
いエテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基等の炭
素数２〜６個のものが挙げられる。シクロアルキレン基
としては、好ましくは置換基を有していても良いシクロ
ペンチレン基、シクロヘキシレン基等の炭素数５〜８個
のものが挙げられる。

【００３２】Ｒ₁₃、Ｒ₁₄、Ｒ₁₆、Ｒ₂₆、Ｒ₂₇、Ｒ₂₉のア
ルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基とし
ては、具体的には上記Ｘ₁ 〜Ｘ₆ で示した基が挙げら
れ、更にこれらが、エーテル基、エステル基、アミド
基、ウレタン基、ウレイド基の少なくとも１つとともに
２価の基を形成したものも挙げられる。

【００３３】本発明の（Ｂ）成分の樹脂に好ましく導入
される酸分解性基及びＲ₁₀、Ｒ₂₃の酸分解性基は、酸の
作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大
させる基であり、例えば酸の作用により加水分解し酸を
形成する基、更には酸の作用により炭素カチオンが脱離
し酸を形成する基が挙げられる。酸分解性基としては、
好ましくは上記一般式（VIII）又は（IX）で表される基
である。

【００３４】一般式（VIII）〜（IX）中のＲ₃₀〜Ｒ₃₃の
アルキル基としては、好ましくは置換基を有していても
良いメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル
基、オクチル基のような炭素数１〜８個のものが挙げら
れる。シクロアルキル基としては、好ましくは置換基を
有していても良いシクロプロピル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基のような炭素数３〜８個のものが
挙げられる。アルケニル基としては、好ましくは置換基
を有していても良いビニル基、プロペニル基、アリル
基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロ
ヘキセニル基の様な炭素数２〜６個のものが挙げられ
る。

【００３５】またＲ₃₀〜Ｒ₃₂の好ましいアシル基として
は、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブタノ
イル基、オクタノイル基等の炭素数１〜１０個のものが
挙げられる。好ましいアルコキシカルボニル基として
は、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プ
ロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基等の炭素
数１〜８個のものが挙げられる。また式（VIII）中のＲ
₃₀〜Ｒ₃₂の任意の２つ、及び式（IX) 中のＲ₃₀、Ｒ₃₁、
Ｒ₃₃の任意の２つが結合して環を形成してもよい。好ま
しい環としては、シクロプロピル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、テトラヒド
ロフラニル基、テトラヒドロピラニル基等のヘテロ原子
を含んでいてもよい３〜８員環の環が挙げられる。これ
らの環は更に置換基を有していてもよい。

【００３６】また上記各置換基において更なる置換基と
して好ましくは、水酸基、ハロゲン原子（フッ素、塩
素、臭素、ヨウ素）、ニトロ基、シアノ基、アミド基、
スルホンアミド基、上記Ｒ₁₀〜Ｒ₁₂、Ｒ₁₅、Ｒ₂₃〜
Ｒ₂₅、Ｒ₂₈のところで記載したアルキル基、メトキシ
基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ
基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等炭素数１〜
８個のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシ
カルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル
基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキ
シ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ
基が挙げられる。

【００３７】（Ｂ）成分の樹脂に含有する多環型の脂環
式基としては、好ましくは置換基を有していても良い炭
素数５個以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ等
の脂環式基であり、好ましくは置換基を有していても良
い炭素数６〜３０個、更に好ましくは置換基を有してい
ても良い炭素数７〜２５個の多環型の脂環式基を表す。
上記多環型の脂環式基の好ましい置換基としては、水酸
基、ハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、ニ
トロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、上記
Ｒ₁₀〜Ｒ₁₂、Ｒ₁₅、Ｒ₂₃〜Ｒ₂₅、Ｒ₂₈のところで記載し
たアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエ
トキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブ
トキシ基等炭素数１〜８個のアルコキシ基、メトキシカ
ルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカル
ボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等の
アシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロ
キシ基、カルボキシ基が挙げられる。

【００３８】上記多環型の脂環式基のうちの多環型脂環
式部分の代表的な構造としては、例えば下記に示すもの
が挙げられる。

【００３９】

【化１１】

【００４０】

【化１２】

【００４１】本発明の樹脂中における上記脂環式基を有
する構造単位（好ましくは一般式（II）〜（IV）で表さ
れる繰り返し構造単位）の含有量は、耐ドライエッチン
グ性、アルカリ現像性等とのバランスにより調整される
が、全繰り返し構造単位に対して２０モル％以上含有す
ることが好ましい。該含有量はより好ましくは３０〜１
００モル％、更に好ましくは４０〜９０モル％、また更
に好ましくは４５〜７５モル％の範囲である。

【００４２】以下に一般式（II）〜（IV）で表される繰
り返し構造単位の具体例を示すが、本発明がこれに限定
されるものではない。

【００４３】

【化１３】

【００４４】

【化１４】

【００４５】

【化１５】

【００４６】

【化１６】

【００４７】

【化１７】

【００４８】

【化１８】

【００４９】本発明に係わる樹脂中における上記カルボ
キシル基を有する繰り返し構造単位（好ましくは一般式
（Ｖ）〜（VII)で表される繰り返し構造単位）の含有量
は、（Ｃ）成分の化合物の含有量に合わせ、更にアルカ
リ現像性、基板密着性、感度等の性能の観点から調製さ
れるが、全繰り返し構造単位に対して好ましくは１０〜
７０モル％、より好ましくは２０〜６０モル％、更に好
ましくは３０〜５０モル％の範囲で使用される。ここ
で、このカルボキシル基を有する繰り返し構造単位の含
有量は、カルボキシル基を有する一般式（Ｖ）〜（VII)
で表される繰り返し構造単位を含めた樹脂中の全てのカ
ルボキシル基含有繰り返し構造単位の量である。以下に
一般式（Ｖ）〜（VII)で表される繰り返し構造単位の具
体例（b1）〜（b18)を示すが、本発明がこれに限定され
るものではない。

【００５０】

【化１９】

【００５１】

【化２０】

【００５２】本発明に係わる樹脂中における上記酸分解
性基を有する繰り返し構造単位の含有量は、アルカリ現
像性、基板密着性、感度等の性能により調製されるが、
全繰り返し構造単位に対して好ましくは０〜７０モル
％、より好ましくは１０〜６０モル％、更に好ましくは
２０〜５０モル％の範囲である。ここで、この酸分解性
基を有する繰り返し構造単位の含有量は、酸分解性基を
有する一般式（II）〜（VII)で表される繰り返し構造単
位を含めた樹脂中の全ての酸分解性基含有繰り返し構造
単位の量である。以下に酸分解性基を有する繰り返し構
造単位の具体例（c1）〜（c30 ）を示すが、本発明がこ
れに限定されるものではない。

【００５３】

【化２１】

【００５４】

【化２２】

【００５５】

【化２３】

【００５６】

【化２４】

【００５７】本発明の成分（Ｂ）の樹脂の性能を向上さ
せる目的で、同樹脂の２２０ｎｍ以下の透過性及び耐ド
ライエッチング性を著しく損なわない範囲で、更に他の
重合性モノマーを共重合させても良い。使用することが
できる共重合モノマーとしては、以下に示すものが含ま
れる。例えば、アクリル酸エステル類、アクリルアミド
類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類、ア
リル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、ス
チレン類、クロトン酸エステル類などから選ばれる付加
重合性不飽和結合を１個有する化合物である。

【００５８】具体的には、例えばアクリル酸エステル
類、例えばアルキル（アルキル基の炭素原子数は１〜１
０のものが好ましい）アクリレート（例えば、アクリル
酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、ア
クリル酸ｔ−ブチル、アクリル酸アミル、アクリル酸シ
クロヘキシル、アクリル酸エチルヘキシル、アクリル酸
オクチル、アクリル酸−ｔ−オクチル、クロルエチルア
クリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート２，２
−ジメチルヒドロキシプロピルアクリレート、５−ヒド
ロキシペンチルアクリレート、トリメチロールプロパン
モノアクリレート、ペンタエリスリトールモノアクリレ
ート、グリシジルアクリレート、ベンジルアクリレー
ト、メトキシベンジルアクリレート、フルフリルアクリ
レート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、など）
アリールアクリレート（例えばフェニルアクリレート、
ヒドロキシフェニルアクリレートなど）；

【００５９】メタクリル酸エステル類、例えば、アルキ
ル（アルキル基の炭素原子数は１〜１０のものが好まし
い）メタクリレート（例えば、メチルメタクリレート、
エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソ
プロピルメタクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、
アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シク
ロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、
クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリレー
ト、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、４−ヒドロ
キシブチルメタクリレート、５−ヒドロキシペンチルメ
タクリレート、２，２−ジメチル−３−ヒドロキシプロ
ピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノメタ
クリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレー
ト、グリシジルメタクリレート、フルフリルメタクリレ
ート、テトラヒドロフルフリルメタクリレートなど）、
アリールメタクリレート（例えば、フェニルメタクリレ
ート、ヒドロキシフェニルメタクリレート、クレジルメ
タクリレート、ナフチルメタクリレートなど）；アクリ
ルアミド類、例えば、アクリルアミド、Ｎ−アルキルア
クリルアミド、（アルキル基としては、炭素原子数１〜
１０のもの、例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘプチル基、オクチル
基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ヒドロキシエチル
基、ベンジル基などがある。）、Ｎ−アリールアクリル
アミド（アリール基としては、例えばフェニル基、トリ
ル基、ニトロフェニル基、ナフチル基、シアノフェニル
基、ヒドロキシフェニル基、カルボキシフェニル基など
がある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアクリルアミド（アル
キル基としては、炭素原子数１〜１０のもの、例えば、
メチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、エチル
ヘキシル基、シクロヘキシル基などがある。）、Ｎ，Ｎ
−アリールアクリルアミド（アリール基としては、例え
ばフェニル基などがある。）、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニ
ルアクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチル
アクリルアミド、Ｎ−２−アセトアミドエチル−Ｎ−ア
セチルアクリルアミドなど；メタクリルアミド類、例え
ば、メタクリルアミド、Ｎ−アルキルメタクリルアミド
（アルキル基としては、炭素原子数１〜１０のもの、例
えば、メチル基、エチル基、ｔ−ブチル基、エチルヘキ
シル基、ヒドロキシエチル基、シクロヘキシル基などが
ある。）、Ｎ−アリールメタクリルアミド（アリール基
としては、フェニル基、ヒドロキシフェニル基、カルボ
キシフェニル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルメ
タクリルアミド（アルキル基としては、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアリール
メタクリルアミド（アリール基としては、フェニル基な
どがある。）、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルメタ
クリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルメタクリルア
ミド、Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルメタクリルアミドな
ど；アリル化合物、例えば、アリルエステル類（例え
ば、酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリ
ル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリ
ン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸
アリルなど）、アリルオキシエタノールなど；

【００６０】ビニルエーテル類、例えば、アルキルビニ
ルエーテル（例えば、ヘキシルビニルエーテル、オクチ
ルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキ
シルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、
エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエ
ーテル、１−メチル−２，２−ジメチルプロピルビニル
エーテル、２−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキ
シエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニル
エーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエ
チルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチル
ビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒド
ロフルフリルビニルエーテルなど）、ビニルアリールエ
ーテル（例えばビニルフェニルエーテル、ビニルトリル
エーテル、ビニルクロルフェニルエーテル、ビニル−
２，４−ジクロルフェニルエーテル、ビニルナフチルエ
ーテル、ビニルアントラニルエーテルなど）；ビニルエ
ステル類、例えば、ビニルブチレート、ビニルイソブチ
レート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチル
アセテート、ビニルバレート、ビニルカプロエート、ビ
ニルクロルアセテート、ビニルジクロルアセテート、ビ
ニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、
ビニルフェニルアセテート、ビニルアセトアセテート、
ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、
ビニルシクロヘキシルカルボキシレート、安息香酸ビニ
ル、サルチル酸ビニル、クロル安息香酸ビニル、テトラ
クロル安息香酸ビニル、ナフトエ酸ビニルなど；

【００６１】スチレン類、例えば、スチレン、アルキル
スチレン（例えば、メチルスチレン、ジメチルスチレ
ン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルス
チレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキ
シルスチレン、シクロヘキシルスチレン、デシルスチレ
ン、ベンジルスチレン、クロルメチルスチレン、トリフ
ルオルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセ
トキシメチルスチレンなど）、アルコキシスチレン（例
えば、メトキシスチレン、４−メトキシ−３−メチルス
チレン、ジメトキシスチレンなど）、ハロゲンスチレン
（例えば、クロルスチレン、ジクロルスチレン、トリク
ロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルス
チレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードス
チレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、２
−ブロム−４−トリフルオルメチルスチレン、４−フル
オル−３−トリフルオルメチルスチレンなど）、ヒドロ
キシスチレン（例えば、４−ヒドロキシスチレン、３−
ヒドロキシスチレン、２−ヒドロキシスチレン、４−ヒ
ドロキシ−３−メチルスチレン、４−ヒドロキシ−３，
５−ジメチルスチレン、４−ヒドロキシ−３−メトキシ
スチレン、４−ヒドロキシ−３−（２−ヒドロキシベン
ジル）スチレンなど）、カルボキシスチレン；クロトン
酸エステル類、例えば、クロトン酸アルキル（例えば、
クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシル、グリセリンモ
ノクロトネートなど）；イタコン酸ジアルキル類（例え
ば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコ
ン酸ジブチルなど）；マレイン酸あるいはフマール酸の
ジアルキルエステル類（例えば、ジメチルマレレート、
ジブチルフマレートなど）、無水マレイン酸、マレイミ
ド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、マレイロ
ニトリル等がある。その他、一般的には共重合可能であ
る付加重合性不飽和化合物であればよい。

【００６２】この中で、カルボキシスチレン、Ｎ−（カ
ルボキシフェニル）アクリルアミド、Ｎ−（カルボキシ
フェニル）メタクリルアミド等のようなカルボキシル基
を有するモノマー、ヒドロキシスチレン、Ｎ−（ヒドロ
キシフェニル）アクリルアミド、Ｎ−（ヒドロキシフェ
ニル）メタクリルアミド、ヒドロキシフェニルアクリレ
ート、ヒドロキシフェニルメタクリレート等のフェノー
ル性水酸基を有するモノマー、マレイミド等、アルカリ
溶解性を向上させるモノマーが共重合成分として好まし
い。本発明における樹脂中の他の重合性モノマーの含有
量としては、全繰り返し単位に対して、５０モル％以下
が好ましく、より好ましくは３０モル％以下である。

【００６３】本発明の成分（Ｂ）の樹脂は、各構造に対
応する不飽和モノマーのラジカル、カチオン、又はアニ
オン重合により合成される。更に詳しくは前記に示した
好ましい組成に基づき各モノマーを配合し、適当な溶媒
中、約１０〜４０重量％のモノマー濃度にて重合触媒を
添加し、必要に応じ加温して重合される。

【００６４】本発明の成分（Ｂ）の樹脂の分子量は、重
量平均（Ｍｗ：ポリスチレン標準）で２，０００以上、
好ましくは３，０００〜１，０００，０００、より好ま
しくは５，０００〜２００，０００、更に好ましくは２
０，０００〜１００，０００の範囲であり、大きい程、
耐熱性等が向上する一方で、現像性等が低下し、これら
のバランスにより好ましい範囲に調整される。また分散
度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは１．０〜５．０、より
好ましくは１．０〜３．０であり、小さい程、耐熱性、
画像性能（パターンプロファイル、デフォーカスラチチ
ュード等）が良好となる。本発明において、上記樹脂の
感光性組成物中の添加量としては、全固形分に対して５
０〜９９．７重量％、好ましくは７０〜９９重量％であ
る。

【００６５】［２］（Ｃ）成分の一般式（Ｉ）で示され
る基を少なくとも２個有する化合物（Ｃ）成分の化合物
は、一般式（Ｉ）で表されるエノールエーテル基を少な
くとも２個有する化合物である。一般式（Ｉ）のＲ₁ 〜
Ｒ₃ のアルキル基としては、好ましくは置換基を有して
いても良いメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｓｅｃ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキ
シル基、オクチル基のような炭素数１〜８個のものが挙
げられる。シクロアルキル基としては、好ましくは置換
基を有していても良いシクロプロピル基、シクロペンチ
ル基、シクロヘキシル基のような炭素数３〜８個のもの
が挙げられる。またＲ₁ 〜Ｒ₃ の任意の２つが結合して
環を形成してもよい。このような環としては好ましくは
シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基、シクロヘプチル基、ジヒドロフラニル基、ジヒドロ
ピラニル基等のヘテロ原子を含んでいてもよい３〜８員
環の環が挙げられる。これらの環は更に置換基を有して
いてもよい。

【００６６】また上記置換基、環の好ましい置換基とし
ては、水酸基、ハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素）、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミ
ド基、上記Ｒ₁ 〜Ｒ₃ のところで記載したアルキル基、
メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロ
ポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等の炭
素数１〜８個のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、
エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホ
ルミル基、アセチル基等のアシル基、アセトキシ基、ブ
チリルオキシ基等のアシロキシ基が挙げられる。

【００６７】一般式（Ｉ）で表されるエノールエーテル
基を少なくとも２個有する化合物としては、一般式
（Ｉ）で表されるエノールエーテル基の２つ以上が、２
価以上の連結基により連結された化合物を挙げることが
できる。連結する構造（連結基）としては、置換基を有
していてもよい、多価のアルキレン基、多価のシクロア
ルキレン基あるいはこれらの２つ以上を組み合わせて形
成した多価の基が挙げられ、これらはヘテロ原子を含ん
でいてもよい。これらの連結基は、更にエーテル基、エ
ステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基とともに
２価以上の連結基を形成してもよい。一般式（Ｉ）で表
されるエノールエーテル基を少なくとも２個有する化合
物としては、上記一般式（Ｘ）で示される化合物が好ま
しい。一般式（Ｉ）で表されるエノールエーテル基を少
なくとも２個有する化合物に含まれる一般式（Ｉ）で表
される基の数（ｍ）としては、好ましくは２〜８個、よ
り好ましくは２〜５個である。アルキレン基としては、
エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基
等の炭素数１〜８個のｍ価の基が好ましい。シクロアル
キレン基としては、シクロペンチレン基、シクロヘキシ
レン基、シクロオクチレン基、アダマンチレン基、トリ
シクロデカニレン基等の炭素数５〜２０個のモノシク
ロ、ジシクロ、トリシクロ等のｍ価のシクロアルキレン
基が好ましい。ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原
子、窒素原子等が挙げられる。

【００６８】また上記の連結基の好ましい置換基として
は、水酸基、ハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ
素）、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド
基、上記Ｒ₁ 〜Ｒ₃ のところで記載したアルキル基、メ
トキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポ
キシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等炭素数
１〜８個のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミ
ル基、アセチル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリ
ルオキシ基等のアシロキシ基が挙げられる。これらの中
でも耐ドライエッチング性を付与する観点から、特にｍ
価のシクロアルキレン基を有するものが好ましい。

【００６９】本発明において、（Ｃ）成分の化合物の組
成物中の含有量は、上記（Ｂ）成分の樹脂中のカルボキ
シル基（及びヒドロキシ基）に合わせ調製され、更にア
ルカリ現像性、基板密着性、感度等の性能の観点から調
製される。好ましくは全組成物の固形分に対し、３〜６
０重量％、より好ましくは５〜５０重量％、更に好まし
くは１０〜４０重量％の範囲で使用される。

【００７０】以下に（Ｃ）成分の化合物の具体例を示す
が、本発明がこれに限定されるものではない。

【００７１】

【化２５】

【００７２】

【化２６】

【００７３】

【化２７】

【００７４】

【化２８】

【００７５】

【化２９】

【００７６】

【化３０】

【００７７】本発明で用いられる（Ａ）成分の光酸発生
剤は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化
合物である。本発明で使用される活性光線または放射線
の照射により分解して酸を発生する化合物としては、光
カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、
色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジス
ト等に使用されている公知の光（４００〜２００ｎｍの
紫外線、遠紫外線、特に好ましくは、ｇ線、ｈ線、ｉ
線、ＫｒＦエキシマレーザー光）、ＡｒＦエキシマレー
ザー光、電子線、Ｘ線、分子線又はイオンビームにより
酸を発生する化合物およびそれらの混合物を適宜に選択
して使用することができる。

【００７８】また、その他の本発明に用いられる活性光
線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として
は、たとえば S.I.Schlesinger,Photogr.Sci.Eng.,18,3
87(1974)、T.S.Bal etal,Polymer,21,423(1980)等に記
載のジアゾニウム塩、米国特許第4,069,055号、同4,06
9,056号、同 Re 27,992号、特願平3-140,140号等に記載
のアンモニウム塩、D.C.Necker etal,Macromolecules,1
7,2468(1984)、C.S.Wenetal,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing
ASIA,p478 Tokyo,Oct(1988)、米国特許第4,069,055
号、同4,069,056号等に記載のホスホニウム塩、J.V.Cri
vello etal,Macromorecules,10(6),1307(1977) 、Chem.
&Eng.News,Nov.28,p31(1988)、欧州特許第104,143 号、
米国特許第339,049号、同第410,201号、特開平2-150,84
8号、特開平2-296,514 号等に記載のヨードニウム塩、
J.V.Crivello etal,Polymer J.17,73(1985)、J.V.Crive
llo etal.J.Org.Chem.,43,3055(1978)、W.R.Watt eta
l,J.Polymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,22,1789(1984)、
J.V.Crivello etal,Polymer Bull.,14,279(1985)、J.V.
Crivello etal,Macromorecules,14(5),1141(1981)、J.
V.Crivello etal,J.PolymerSci.,Polymer Chem.Ed.,17,
2877(1979) 、欧州特許第370,693 号、同3,902,114号同
233,567号、同297,443号、同297,442号、米国特許第4,9
33,377号、同161,811号、同410,201号、同339,049号、
同4,760,013号、同4,734,444号、同2,833,827号、獨国
特許第2,904,626号、同3,604,580号、同3,604,581号、
特開平７−２８２３７号、同８−２７１０２号等に記載
のスルホニウム塩、J.V.Crivello etal,Macromorecule
s,10(6),1307(1977)、J.V.Crivello etal,J.PolymerSc
i.,Polymer Chem.Ed., 17,1047(1979)等に記載のセレノ
ニウム塩、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing AS
IA,p478 Tokyo,Oct(1988)等に記載のアルソニウム塩等
のオニウム塩、米国特許第3,905,815号、特公昭46-4605
号、特開昭48-36281号、特開昭55-32070号、特開昭60-2
39736号、特開昭61-169835号、特開昭61-169837号、特
開昭62-58241号、特開昭62-212401号、特開昭63-70243
号、特開昭63-298339号等に記載の有機ハロゲン化合
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P.Gill et al,Inorg.Chem.,19,3007(1980)、D.Astruc,A
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J.Chem Soc.,3571(1965)、P.M.Collins etal, J.Chem.So
C.,Perkin I,1695(1975)、M.Rudinstein etal,Tetrahedr
on Lett.,(17),1445(1975)、J.W.Walker etalJ.Am.Chem.
Soc.,110,7170(1988)、S.C.Busman etal,J.Imaging Tech
nol.,11(4),191(1985)、H.M.Houlihan etal,Macormolecu
les,21,2001(1988)、 P.M.Collins etal,J.Chem.Soc.,Ch
em.Commun.,532(1972)、S.Hayase etal,Macromolecules,
18,1799(1985)、E.Reichmanis etal,J.Electrochem.So
c.,Solid State Sci.Technol.,130(6)、F.M.Houlihan et
al,Macromolcules,21,2001(1988)、 欧州特許第0290,750
号、同046,083号、同156,535号、同271,851号、同0,38
8,343号、 米国特許第3,901,710号、同4,181,531号、特
開昭60-198538号、特開昭53-133022号等に記載の０−ニ
トロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、M.TUNOOKA
etal,Polymer Preprints Japan,35(8)、G.Berner etal,
J.Rad.Curing,13(4)、 W.J.Mijs etal,Coating Techno
l.,55(697),45(1983),Akzo、H.Adachi etal,Polymer Pr
eprints,Japan,37(3)、欧州特許第0199,672号、同84515
号、同199,672号、同044,115号、同0101,122号、米国特
許第618,564号、同4,371,605号、同4,431,774 号、特開
昭64-18143号、特開平2-245756号、特願平3-140109号等
に記載のイミノスルフォネ−ト等に代表される光分解し
てスルホン酸を発生する化合物、特開昭61-166544 号、
特開平２−７１２７０号等に記載のジスルホン化合物、
特開平３−１０３８５４号、同３−１０３８５６号、同
４−２１０９６０号等に記載のジアゾケトスルホン、ジ
アゾジスルホン化合物を挙げることができる。

【００７９】また、これらの光により酸を発生する基、
あるいは化合物をポリマーの主鎖または 側鎖に導入し
た化合物、たとえば、M.E.Woodhouse etal,J.Am.Chem.
Soc.,104,5586(1982)、S.P.Pappas etal,J.Imaging Sc
i.,30(5),218(1986)、S.Kondoetal,Makromol.Chem.,Rap
id Commun.,9,625(1988)、Y.Yamadaetal,Makromol.Che
m.,152,153,163(1972)、J.V.Crivello etal,J.PolymerS
ci.,Polymer Chem.Ed.,17,3845(1979) 、米国特許第3,8
49,137号、獨国特許第3914407、特開昭63-26653号、特
開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038
、特開昭63-163452 号、特開昭62-153853号、特開昭63
-146029号等に記載の化合物を用いることができる。

【００８０】さらにV.N.R.Pillai,Synthesis,(1),1(198
0)、A.Abad etal,Tetrahedron Lett.,(47)4555(1971)、
D.H.R.Barton etal,J.Chem.Soc.,(C),329(1970)、米国
特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載の光
により酸を発生する化合物も使用することができる。

【００８１】上記活性光線または放射線の照射により分
解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられ
るものについて以下に説明する。 （１）トリハロメチル基が置換した下記一般式（ＰＡＧ
１）で表されるオキサゾール誘導体または一般式（ＰＡ
Ｇ２）で表されるＳ−トリアジン誘導体。

【００８２】

【化３１】

【００８３】式中、Ｒ²⁰¹ は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、Ｒ²⁰² は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−Ｃ（Ｙ）₃
をしめす。Ｙは塩素原子または臭素原子を示す。具体的
には以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定
されるものではない。

【００８４】

【化３２】

【００８５】

【化３３】

【００８６】

【化３４】

【００８７】（２）下記の一般式（ＰＡＧ３）で表され
るヨードニウム塩、または一般式（ＰＡＧ４）で表され
るスルホニウム塩。

【００８８】

【化３５】

【００８９】ここで式Ａｒ¹、Ａｒ²は各々独立に置換も
しくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基とし
ては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカ
プト基およびハロゲン原子が挙げられる。

【００９０】Ｒ²⁰³ 、Ｒ²⁰⁴ 、Ｒ²⁰⁵ は各々独立に、置
換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好
ましくは、炭素数６〜１４のアリール基、炭素数１〜８
のアルキル基およびそれらの置換誘導体である。好まし
い置換基としては、アリール基に対しては炭素数１〜８
のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルキル基、ニトロ
基、カルボキシル基、ヒロドキシ基およびハロゲン原子
であり、アルキル基に対しては炭素数１〜８のアルコキ
シ基、カルボキシル基、アルコシキカルボニル基であ
る。

【００９１】Ｚ^-は対アニオンを示し、例えばＢＦ₄ ^-、
ＡｓＦ₆ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＳｂＦ₆-、ＳｉＦ₆ ^2-、ＣｌＯ₄ ^-、
ＣＦ₃ＳＯ₃ ^-等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニ
オン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、ナ
フタレン−１−スルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族
スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸 アニ
オン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができるが
これらに限定されるものではない。

【００９２】またＲ²⁰³ 、Ｒ²⁰⁴ 、Ｒ²⁰⁵ のうちの２つ
およびＡｒ¹、Ａｒ²はそれぞれの単結合または置換基を
介して結合してもよい。

【００９３】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【００９４】

【化３６】

【００９５】

【化３７】

【００９６】

【化３８】

【００９７】

【化３９】

【００９８】

【化４０】

【００９９】

【化４１】

【０１００】

【化４２】

【０１０１】

【化４３】

【０１０２】

【化４４】

【０１０３】

【化４５】

【０１０４】

【化４６】

【０１０５】一般式（ＰＡＧ３）、（ＰＡＧ４）で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、例えばJ.W.Knapczyk
etal,J.Am.Chem.Soc.,91,145(1969)、A.L.Maycok eta
l, J.Org.Chem.,35,2532,(1970)、E.Goethas etal ,Bul
l.Soc.Chem.Belg.,73,546,(1964) 、H.M.Leicester、J.A
me.Chem.Soc.,51,3587(1929)、J.V.Crivello etal,J.Po
lym.Chem.Ed.,18,2677(1980)、米国特許第2,807,648 号
および同4,247,473号、特開昭53-101,331号等に記載の
方法により合成することができる。

【０１０６】（３）下記一般式（ＰＡＧ５）で表される
ジスルホン誘導体または一般式（ＰＡＧ６）で表される
イミノスルホネート誘導体。

【０１０７】

【化４７】

【０１０８】式中、Ａｒ³、Ａｒ⁴は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。Ｒ ²⁰⁶ は置換もしくは
未置換のアルキル基、アリール基を示す。Ａは置換もし
くは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレ
ン基を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【０１０９】

【化４８】

【０１１０】

【化４９】

【０１１１】

【化５０】

【０１１２】

【化５１】

【０１１３】

【化５２】

【０１１４】

【化５３】

【０１１５】これらの活性光線または放射線の照射によ
り分解して酸を発生する化合物の添加量は、感光性組成
物の全重量（塗布溶媒を除く）を基準として通常０．０
０１〜４０重量％の範囲で用いられ、好ましくは０．０
１〜２０重量％、更に好ましくは０．１〜５重量％の範
囲で使用される。活性光線または放射線の照射により分
解して酸を発生する化合物の添加量が、０．００１重量
％より少ないと感度が低くなり、また添加量が４０重量
％より多いとレジストの光吸収が高くなりすぎ、プロフ
ァイルの悪化や、プロセス（特にベーク）マージンが狭
くなり好ましくない。

【０１１６】次に本発明のポジ型レジスト組成物に用い
られる（Ｄ）分子内に含窒素塩基性基と酸性基を有する
化合物について説明する。上記において、含窒素塩基性
基としては、アミノ基あるいは、アクリジン、ピリジ
ン、ピラジン、ピリミジン、ピペリジン、ピペラジン、
ピロール、ピラゾール、インダゾール、インドール、イ
ミダゾール、カルバゾール、トリアゾール、トリアジ
ン、テトラゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾトリアゾ
ール、ベンズイミダゾール、キノリン、イソキノリン等
の環構造を含むものが挙げられる。酸性基としては、カ
ルボキシル基、水酸基、−ＳＯ₃ Ｈ基、スルホンアミド
基等が挙げられる。

【０１１７】分子内に含窒素塩基性基と酸性基を有する
化合物としては、例えばニコチン酸、イソニコチン酸、
o-アミノ安息香酸、p-アミノ安息香酸、3-ヒドロキシア
ントラニル酸、5-アミノサリチル酸、4-アミノサリチル
酸、グリシン、2-ヒドロキシピリジン、グルタミン酸、
3-アミノピラジン-2- カルボン酸、2-ヒドロキシピリジ
ン、3-ヒドロキシピリジン、4-ヒドロキシピリジン、3-
アミノ-2- ナフトイック酸、インドール-2- カルボン
酸、ニコチン酸アミド、L-プロリン、スルファニルアミ
ド、スルファニル酸、1-アミノ-2- ナフトール、1-アミ
ノ-6- ナフトール、1-アミノ-7- ナフトール、5-アミノ
-1- ナフトール、5-アミノ-2- ナフトール、8-アミノ-2
- ナフトール等を挙げることができる。

【０１１８】含窒素塩基性基と酸性基を有する化合物の
使用量は、レジスト組成物( 溶媒を除く)100重量部に対
し、通常、0.001 〜15重量部、好ましくは0.01〜10重量
部である。0.001 重量部未満では本発明の添加効果が十
分得られない。一方、15重量部を越えると未露光部の現
像性が著しく悪化する傾向がある。これらは、単独で用
いても良いし、2 種以上混合して用いることもできる。
さらに、これらの含窒素塩基性基と酸性基を有する化合
物にさらに後述のような有機塩基性化合物を併用しても
よい。

【０１１９】次に本発明のポジ型レジスト組成物に用い
られる（Ｅ）フッソ系及び／またはシリコン系界面活性
剤について説明する。フッソ系界面活性剤及び／または
シリコン系界面活性剤としては、フッ素原子を含有する
界面活性剤、ケイ素原子を含有する界面活性剤、又はフ
ッ素原子とケイ素原子の両方を含有する界面活性剤を挙
げることができ、例えば、特開昭62-36663号、特開昭61
-226746号、特開昭61-226745号、特開昭62-170950号、
特開昭63-34540号、特開平7-230165号、特開平8-62834
号、特開平9-54432号、特開平9-5988号記載の公知のフ
ッソ系及び／またはシリコン系界面活性剤を挙げること
ができるし、下記市販の界面活性剤をそのまま用いるこ
ともできる。

【０１２０】例えばエフトップEF301 、EF303 （新秋田
化成（株）製）、フロラードFC430,、431(住友スリーエ
ム（株）製）、メガファックF171、F173、F176、F189、
R08（大日本インキ（株）製）、サーフロンS-382 、SC1
01 、SC102 、SC103 、SC104 、SC105 、SC106 （旭硝
子（株）製）等のフッソ系及び／またはシリコン系界面
活性剤、ポリシロキサンポリマーKP-341（信越化学工業
（株）製）等を挙げることができる。これらの界面活性
剤のうち、本発明ではフッソ原子とシリコン原子の両方
を有する界面活性剤が、現像欠陥の改善の点で特に優れ
る。

【０１２１】これらの界面活性剤の配合量は、本発明の
組成物中の固形分100重量部当たり、通常０．０１重量
部〜２重量部、好ましくは０．０１重量部〜１重量部の
割合で添加される。これらの界面活性剤は単独で使用し
ても良いし、また、いくつかの組み合わせで添加するこ
ともできる。

【０１２２】［５］本発明に使用されるその他の成分 本発明の組成物には、必要に応じて更に酸分解性溶解阻
止化合物、染料、可塑剤、界面活性剤、光増感剤、有機
塩基性化合物、及び現像液に対する溶解性を促進させる
化合物等を含有させることができる。本発明で使用され
る酸分解性溶解阻止化合物としては、例えば上記一般式
（VIII）、（IX) で示される酸分解性基を少なくとも１
個有する分子量３，０００以下の低分子化合物である。
特に２２０ｎｍ以下の透過性を低下させない為、Procee
ding of SPIE, 2724, 355 (1996)に記載されているコー
ル酸誘導体の様な脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。
本発明において、酸分解性溶解阻止化合物を使用する場
合、その添加量は組成物の全重量（溶媒を除く）を基準
として３〜５０重量％であり、好ましくは５〜４０重量
％、より好ましくは１０〜３５重量％の範囲である。

【０１２３】本発明で使用できる現像液に対する溶解促
進性化合物としては、フェノール性ＯＨ基を２個以上、
又はカルボキシ基を１個以上有する分子量１，０００以
下の低分子化合物である。カルボキシ基を有する場合は
上記と同じ理由で脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。
これら溶解促進性化合物の好ましい添加量は、本発明の
樹脂に対して２〜５０重量％であり、更に好ましくは５
〜３０重量％である。５０重量％を越えた添加量では、
現像残渣が悪化し、また現像時にパターンが変形すると
いう新たな欠点が発生して好ましくない。

【０１２４】このような分子量１０００以下のフェノー
ル化合物は、例えば、特開平４−１２２９３８、特開平
２−２８５３１、米国特許第４９１６２１０、欧州特許
第２１９２９４等に記載の方法を参考にして、当業者に
於て容易に合成することが出来る。フェノール化合物の
具体例を以下に示すが、本発明で使用できる化合物はこ
れらに限定されるものではない。

【０１２５】レゾルシン、フロログルシン、２，３，４
−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′−
テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，３′，
４′，５′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、アセト
ン−ピロガロール縮合樹脂、フロログルコシド、２，
４，２′，４′−ビフェニルテトロール、４，４′−チ
オビス（１，３−ジヒドロキシ）ベンゼン、２，２′，
４，４′−テトラヒドロキシジフェニルエーテル、２，
２′，４，４′−テトラヒドロキシジフェニルスルフォ
キシド、２，２′，４，４′−テトラヒドロキシジフェ
ニルスルフォン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メ
タン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキサン、４，４−（α−メチルベンジリデン）ビスフ
ェノール、α，α′，α″−トリス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、
α，α′，α″−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−
１−エチル−４−イソプロピルベンゼン、１，２，２−
トリス（ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１，２−
トリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２，５，５−テトラキス（４−ヒドロキ
シフェニル）ヘキサン、１，２−テトラキス（４−ヒド
ロキシフェニル）エタン、１，１，３−トリス（ヒドロ
キシフェニル）ブタン、パラ〔α，α，α′，α′−テ
トラキス（４−ヒドロキシフェニル）〕−キシレン等を
挙げることができる。

【０１２６】本発明で用いることのできる好ましい有機
塩基性化合物とは、フェノールよりも塩基性の強い化合
物である。中でも含窒素塩基性化合物が好ましい。

【０１２７】例えば特開昭63-149640 号、特開平5-2496
62号、特開平5-127369号、特開平5-289322号、特開平5-
249683号、特開平5-289340号、特開平5-232706号、特開
平5-257282号、特開平6-242605号、特開平6-242606号、
特開平6-266100号、特開平6-266110号、特開平6-317902
号、特開平7-120929号、特開平7-146558号、特開平7-31
9163号、特開平7-508840号、特開平7-333844号、特開平
7-219217号、特開平7-92678 号、特開平7-28247 号、特
開平8-22120 号、特開平8-110638号、特開平8-123030
号、特開平9-274312号、特開平9-166871号、特開平9-29
2708号、特開平9-325496号、特表平7-508840号、US5525
453 号、US5629134 号、US5667938 号等、に記載の塩基
性化合物を用いることができる。好ましい化学的環境と
して、下記式（Ａ）〜（Ｅ）の構造を挙げることができ
る。

【０１２８】

【化５４】

【０１２９】更に好ましい化合物は、一分子中に異なる
化学的環境の窒素原子を２個以上有する含窒素塩基性化
合物であり、特に好ましくは、置換もしくは未置換のア
ミノ基と窒素原子を含む環構造の両方を含む化合物もし
くはアルキルアミノ基を有する化合物である。好ましい
具体例としては、置換もしくは未置換のグアニジン、置
換もしくは未置換のアミノピリジン、置換もしくは未置
換のアミノアルキルピリジン、置換もしくは未置換のア
ミノピロリジン、置換もしくは未置換のインダーゾル、
置換もしくは未置換のピラゾール、置換もしくは未置換
のピラジン、置換もしくは未置換のピリミジン、置換も
しくは未置換のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾ
リン、置換もしくは未置換のピラゾリン、置換もしくは
未置換のピペラジン、置換もしくは未置換のアミノモル
フォリン、置換もしくは未置換のアミノアルキルモルフ
ォリン等が挙げられる。好ましい置換基は、アミノ基、
アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール
基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、ア
シル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ
基、ニトロ基、水酸基、シアノ基である。

【０１３０】特に好ましい化合物として、グアニジン、
１，１−ジメチルグアニジン、１，１，３，３，−テト
ラメチルグアニジン、２−アミノピリジン、３−アミノ
ピリジン、４−アミノピリジン、２−ジメチルアミノピ
リジン、４−ジメチルアミノピリジン、２−ジエチルア
ミノピリジン、２−（アミノメチル）ピリジン、２−ア
ミノ−３−メチルピリジン、２−アミノ−４−メチルピ
リジン、２−アミノ−５−メチルピリジン、２−アミノ
−６−メチルピリジン、３−アミノエチルピリジン、４
−アミノエチルピリジン、３−アミノピロリジン、ピペ
ラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−
（２−アミノエチル）ピペリジン、４−アミノ−２，
２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−ピペリジノ
ピペリジン、２−イミノピペリジン、１−（２−アミノ
エチル）ピロリジン、ピラゾール、３−アミノ−５−メ
チルピラゾール、５−アミノ−３−メチル−１−ｐ−ト
リルピラゾール、ピラジン、２−（アミノメチル）−５
−メチルピラジン、ピリミジン、２，４−ジアミノピリ
ミジン、４，６−ジヒドロキシピリミジン、２−ピラゾ
リン、３−ピラゾリン、Ｎ−アミノモルフォリン、Ｎ−
（２−アミノエチル）モルフォリンが挙げられる。

【０１３１】更に特に好ましくは、1,5-ジアザビシクロ
[4.3.0]-5-ノネン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウン
デセン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2] オクタン、4-ジメ
チルアミノピリジン、1-ナフチルアミン、ピペリジン、
ヘキサメチレンテトラミン、イミダゾール類、ヒドロキ
シピリジン類、ピリジン類、4,4'- ジアミノジフェニル
エーテル、ピリジニウムp-トルエンスルホナート、2,4,
6-トリメチルピリジニウムp-トルエンスルホナート、テ
トラメチルアンモニウムp-トルエンスルホナート、テト
ラブチルアンモニウムラクテート等が挙げられる。

【０１３２】これらの有機塩基性化合物は、単独である
いは２種以上一緒に用いられる。有機塩基性化合物の使
用量は、レジスト組成物（溶媒を除く）１００重量部に
対し、通常、０．００１〜１０重量部、好ましくは０．
０１〜５重量部である。０．００１重量部未満では上記
有機塩基性化合物の添加の効果が得られない。一方、１
０重量部を超えると感度の低下や非露光部の現像性が悪
化する傾向がある。

【０１３３】好適な染料としては油性染料及び塩基性染
料がある。具体的にはオイルイエロー＃１０１、オイル
イエロー＃１０３、オイルピンク＃３１２、オイルグリ
ーンＢＧ、オイルブルーＢＯＳ，オイルブルー＃６０
３、オイルブラックＢＹ、オイルブラックＢＳ、オイル
ブラックＴ−５０５（以上オリエント化学工業株式会社
製）、クリスタルバイオレット（ＣＩ４２５５５）、メ
チルバイオレット（ＣＩ４２５３５）、ローダミンＢ
（ＣＩ４５１７０Ｂ）、マラカイトグリーン（ＣＩ４２
０００）、メチレンブルー（ＣＩ５２０１５）等を挙げ
ることができる。

【０１３４】露光による酸発生率を向上させる為、さら
に下記に挙げるような光増感剤を添加することができ
る。好適な光増感剤としては、具体的にはベンゾフェノ
ン、ｐ，ｐ’−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、
ｐ，ｐ’−テトラエチルエチルアミノベンゾフェノン、
２−クロロチオキサントン、アントロン、９−エトキシ
アントラセン、アントラセン、ピレン、ペリレン、フェ
ノチアジン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフ
ラビン、セトフラビン−Ｔ、９，１０−ジフェニルアン
トラセン、９−フルオレノン、アセトフェノン、フェナ
ントレン、２−ニトロフルオレン、５−ニトロアセナフ
テン、ベンゾキノン、２−クロロ−４−ニトロアニリ
ン、Ｎ−アセチル−ｐ−ニトロアニリン、ｐ−ニトロア
ニリン、、Ｎ−アセチル−４−ニトロ−１−ナフチルア
ミン、ピクラミド、アントラキノン、２−エチルアント
ラキノン、２−tert−ブチルアントラキノン１，２−ベ
ンズアンスラキノン、３−メチル−１，３−ジアザ−
１，９−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、１，
２−ナフトキノン、３，３’−カルボニル−ビス（５，
７−ジメトキシカルボニルクマリン）及びコロネン等で
あるがこれらに限定されるものではない。また、これら
の光増感剤は、光源の遠紫外光の吸光剤としても使用可
能である。この場合、吸光剤は基板からの反射光を低減
し、レジスト膜内の多重反射の影響を少なくさせること
で、定在波改良の効果を発現する。

【０１３５】本発明の感光性組成物は、上記各成分を溶
解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、γ−ブチ
ロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、２−メトキシエチルアセテート、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳
酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、
エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロ
リドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶
媒を単独あるいは混合して使用する。

【０１３６】上記溶媒に上記以外の界面活性剤を加える
こともできる。具体的には、ポリオキシエチレンラウリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、
ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレ
ンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエ
ーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエー
テル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等
のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリ
オキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリ
マー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパ
ルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタン
モノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタ
ントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、
ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオ
キシエチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシ
エチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチ
レンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソ
ルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソル
ビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤等を
挙げることができる。これらの界面活性剤の配合量は、
本発明の組成物中の固形分１００重量部当たり、通常、
２重量部以下、好ましくは１重量部以下である。これら
の界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いくつ
かの組み合わせで添加することもできる。

【０１３７】上記感光性組成物を精密集積回路素子の製
造に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化シリ
コン被覆）上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法
により塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを
行い現像することにより良好なレジストパターンを得る
ことができる。ここで、塗布後に乾燥・塗膜形成させる
ため加熱処理を行うことが好ましい。この加熱処理によ
り前記成分（Ｂ）の樹脂と成分（Ｃ）の化合物が架橋構
造を形成する。ここで、加熱温度としては８０℃以上が
好ましく、より好ましくは１００℃以上、更に好ましく
は１２０〜１６０℃であり、加熱時間としては好ましく
は３０秒以上、より好ましくは１分以上、更に好ましく
は１分〜１０分である。また、露光光としては、好まし
くは２５０ｎｍ以下、より好ましくは２２０ｎｍ以下の
波長の遠紫外線である。具体的には、ＫｒＦエキシマレ
ーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９
３ｎｍ）、Ｆ₂ エキシマレーザー（１５７ｎｍ）、Ｘ
線、電子ビーム等が挙げられる。

【０１３８】本発明の感光性組成物の現像液としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルア
ミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム
塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカ
リ性水溶液を使用することができる。更に、上記アルカ
リ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加し
て使用することもできる。

【０１３９】

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明の内容がこれにより限定されるものでは
ない。 ［合成例１（化合物例（d5）の合成）］ＮａＨ（含量６
０％）１６．０ｇ（０．４０モル）をＮ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド２００ｍｌに分散し、これに２，２−ビス
（４−ヒドロキシシクロヘキシル）プロパン４８．０ｇ
（０．２０モル）を室温にて添加し、更に２−クロロエ
チルビニルエーテル４２．６ｇ（０．４０モル）を３０
分かけて滴下した。その後１００℃にて５時間加熱撹拌
した。放冷後、反応混合物を水１．５Ｌ中に投入し、酢
酸エチル５００ｍｌにて抽出した。抽出液を水で洗浄
し、硫酸ナトリウムにて乾燥した。乾燥した酢酸エチル
溶液を濃縮し、カラムクロマトグラフィー（充填剤：シ
リカゲル、溶離液：ヘキサン／酢酸エチル＝４／１）に
て精製し、無色液体３９．７ｇを得た。ＮＭＲ測定によ
り、この固体が本発明の化合物例（d5）であることを確
認した。

【０１４０】［合成例２（化合物例（d35 ）の合成）］
合成例１の２，２−ビス（４−ヒドロキシシクロヘキシ
ル）プロパンの代わりに、ビス（ヒドロキシメチル）ト
リシクロ［５．２．１．０^2,6 ］デカン３９．２ｇ
（０．２０モル）を使用し、その他は合成例１と同様に
して無色液体３４．２ｇを得た。ＮＭＲ測定により、こ
の固体が本発明の化合物例（d35 ）であることを確認し
た。

【０１４１】［合成例３（化合物例（d39 ）の合成）］
合成例１の２，２−ビス（４−ヒドロキシシクロヘキシ
ル）プロパンの代わりに、１，３−ジヒドロキシアダマ
ンタン３３．６ｇ（０．２０モル）を使用し、その他は
合成例１と同様にして無色液体３１．５ｇを得た。ＮＭ
Ｒ測定により、この液体が本発明の化合物例（d39 ）で
あることを確認した。

【０１４２】［合成例４（化合物例（d20 ）の合成）］
イソホロンジイソシアネート４４．５ｇ（０．２０モ
ル）をジオキサン２００ｍｌに溶解し、２−ヒドロキシ
エチルビニルエーテル３５．２ｇ（０．４０モル）を添
加した。更に触媒として、ジブチル錫ジラウリルエステ
ル０．２ｇを添加し、１００℃にて５時間加熱撹拌し
た。放冷後、反応混合物を水１．５Ｌ中に投入し、酢酸
エチル５００ｍｌにて抽出した。抽出液を水で洗浄し、
硫酸ナトリウムにて乾燥した。乾燥した酢酸エチル溶液
を濃縮し、カラムクロマトグラフィー（充填剤：シリカ
ゲル、溶離液：ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）にて精
製し、白色固体４８．６ｇを得た。ＮＭＲ測定により、
この固体が本発明の化合物例（d20 ）であることを確認
した。

【０１４３】［合成例５（化合物例（d31 ）の合成）］
５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸３６．４ｇ
（０．２０モル）、２−ヒドロキシエチルビニルスルホ
ン５４．５ｇ（０．４０モル）をＴＨＦ３００ｍｌに溶
解した。この溶液にジシクロヘキシルカルボジイミド８
２．５ｇのＴＨＦ１００ｍｌ溶液を１時間かけて滴下し
た。室温にて３時間撹拌し、更に５０℃にて３時間撹拌
した後、析出した固体を濾過した。濾液のＴＨＦ溶液を
濃縮し、カラムクロマトグラフィー（充填剤：シリカゲ
ル、溶離液：ヘキサン／酢酸エチル＝４／１）にて精製
して、白色固体５２．４ｇを得た。ＮＭＲ測定により、
この固体が本発明の化合物例（d31 ）であることを確認
した。

【０１４４】［合成例６（樹脂（p-1)の合成）］トリシ
クロデカニルメタクリレート１３．２ｇ（０．０６０モ
ル）／メタクリル酸３．４ｇ（０．０４０モル）を１−
メトキシ−２−プロパノール６０ｍｌに溶解し、窒素気
流及び撹拌下、７０℃にて重合開始剤２，２’−アゾビ
ス（２，４−ジメチルバレロニトリル）（和光純薬工業
（株）製；商品名Ｖ−６５）５０ｍｇを添加した。反応
開始２時間及び４時間後に同開始剤各々５０ｍｇを追加
した。更に３時間反応後、９０℃に昇温し撹拌を１時間
続けた。反応液を放冷後、イオン交換水１Ｌに激しく撹
拌しながら投入することにより、ポリマーを析出させ
た。得られたポリマーを減圧下、４０℃にて乾燥し、樹
脂（p-1 ）１３．９ｇを得た。ＧＰＣにて分子量を測定
したところ、重量平均（Ｍｗ：ポリスチレン換算）で３
２．４×１０³ （分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）２．７）であっ
た。

【０１４５】［合成例７（本発明の樹脂（p-2)の合
成）］合成例６のトリシクロデカニルメタクリレートの
代わりに１−アダマンタンメタクリレート１３．２ｇ
（０．０６０モル）を使用し、その他は合成例６と同様
にして樹脂（p-2 ）１４．７ｇを得た。ＧＰＣにて分子
量を測定したところ、重量平均（Ｍｗ：ポリスチレン換
算）で３５．３×１０³ （分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）２．
８）であった。

【０１４６】［合成例８（本発明の樹脂（p-3)の合
成）］トリシクロデカニルメタクリレート１１．０ｇ
（０．０５０モル）／ｔ−ブチルメタクリレート２．８
ｇ（０．０２０モル）／メタクリル酸２．６ｇ（０．０
３０モル）を１−メトキシ−２−プロパノール６０ｍｌ
に溶解し、その他は合成例６と同様にして樹脂（p-3 ）
１４．３ｇを得た。ＧＰＣにて分子量を測定したとこ
ろ、重量平均（Ｍｗ：ポリスチレン換算）で３７．１×
１０³ （分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）２．８）であった。

【０１４７】［合成例９〜１９（本発明の樹脂の合
成）］以下、合成例６〜８と同様にして、下記表１に示
す本発明の樹脂を合成した。使用したモノマーの仕込み
モル比、及び生成した樹脂の重量平均分子量を合わせて
表１に示す。

【０１４８】

【表１】

【０１４９】

【化５５】

【０１５０】

【化５６】

【０１５１】 実施例、比較例（画像の評価） （Ｂ）の樹脂 ９g 、 （Ｃ）の化合物 １ｇ、 光酸発生剤としてトリフェニルスルホニウムトリフレート （ＰＡＧ−１） 0.10g 、 含窒素塩基性基と酸性基を有する化合物（添加剤） 0.06g 、 界面活性剤 0.05g 、 溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 57.4g を表-２における種類、割合で配合したレジスト組成物
を調製し、0.1 μm のテフロンフィルターにより濾過し
た。スピンコーターにてヘキサメチルジシラザン処理を
施したシリコン基板上に均一に塗布し120 ℃で90秒間ホ
ットプレート上で加熱乾燥を行い、0.50μm のレジスト
膜を形成させた。このレジスト膜に対し、マスクを通し
てArF エキシマレーザー光で露光し、露光後直ぐに110
℃で90秒間ホットプレート上で加熱した。更に2.38% の
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で23℃で
60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後乾燥した。
このようにして得られたコンタクトホールパターンの形
成されたサンプルをKLA テンコール（株）製KLA2112 機
により現像欠陥数を測定(Threshold12 ,Pixcel Size=0.
39) した（現像欠陥数- I ）。なお、比較のために露光
しないで現像、リンスしたサンプルについても同様にし
て現像欠陥数を測定(Threshold12,Pixcel Size=0.39)し
た（現像欠陥数- II）。結果を表-３に示す。表-３の結
果から明らかなように本発明の組成物は、いづれも現像
欠陥が極めて少なかった。

【０１５２】

【表２】

【０１５３】PAG-1:トリフェニルスルホニウムトリフレ
ート NA-1:o- アミノ安息香酸 NA-2: ニコチン酸 NA-3:3- アミノ-2- ナフトイック酸 NA-4:8- アミノ-2- ナフトール W-1:メガファックF176（大日本インキ（株）製）（フッ
素系界面活性剤） W-2:メガファックR08 （大日本インキ（株）製）（フッ
素系及びシリコン系界面活性剤） W-3:ポリシロキサンポリマーKP-341（信越化学工業
（株）製）（シリコン系界面活性剤） W-4:ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル S-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト

【０１５４】また、表-２における実施例１〜７、比較
例１〜４のレジスト組成物を0.1 μmのテフロンフィル
ターにより濾過した。スピンコーターにてヘキサメチル
ジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し
120 ℃で90秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、0.
50μm のレジスト膜を形成させた。このレジスト膜に対
し、マスクを通してArF エキシマレーザー光で露光し、
露光後直ぐに110 ℃で90秒間ホットプレート上で加熱し
た。更に2.38% のテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液で23℃で60秒間現像し、30秒間純水にてリンス
した後乾燥した。現像後の残膜率を膜厚計により求め
た。尚、残膜率は下記式により算出した。 残膜率（％）＝（現像後のレジスト膜厚／現像前のレジ
スト膜厚）×１００ ここで得られた0.25μm ラインパターンを走査型電子顕
微鏡にて観察し、プロファイルを調べた（表-3）。矩形
な形状をしているものを○で表し、そうでないものを×
で表した。表-3の結果から明らかなように本発明の組成
物は、いづれも矩形なプロファイルが形成されていた。
比較例４のレジスト組成物は現像欠陥が少なかったが、
特に、残膜率、レジストプロファイルが劣っていた。

【０１５５】

【表３】

【０１５６】

【発明の効果】本発明のポジ型レジスト組成物は、現像
欠陥が極めて少なく、しかも特にArFエキシマレーザー
光を露光光源とする場合、良好なパターンプロファイル
と残膜率を示す。このため半導体素子製造に必要な微細
パターンの形成に有効に用いることが可能である。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）活性光線又は放射線の照射により
   酸を発生する化合物、（Ｂ）多環型の脂環式基とカルボ
   キシル基を有する樹脂、（Ｃ）下記一般式（Ｉ）で表さ
   れる基を少なくとも２個有する化合物（Ｄ）分子内に含
   窒素塩基性基と酸性基とを含む化合物、及び（Ｅ）フッ
   ソ系及び／又はシリコン系界面活性剤を含有することを
   特徴とするポジ型レジスト組成物。 【化１】 式（Ｉ）中、Ｒ₁ 〜Ｒ₃ は同じでも異なっていても良
   く、水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基
   又はシクロアルキル基を表す。また、Ｒ₁ 〜Ｒ₃の内の
   ２つが結合して３〜８個の炭素原子、ヘテロ原子から成
   る環構造を形成しても良い。Ｚは酸素原子、イオウ原
   子、−ＳＯ₂ −又は−ＮＨ−を示す。
2. 【請求項２】 （Ｂ）成分の樹脂が、下記一般式（I
   I）、（III)又は（IV）で表される多環型の脂環式基を
   有する繰り返し構造単位のうち少なくとも一つを有する
   ことを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成
   物。 【化２】 式（II）〜（IV）中、Ｒ₄ 、Ｒ₅ 、Ｒ₇ 〜Ｒ₉ は同じで
   も異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シア
   ノ基、置換基を有していてもよい、アルキル基又はハロ
   アルキル基を表す。Ｒ₆ はシアノ基、−ＣＯ−ＯＲ₁₀又
   は−ＣＯ−Ｎ（Ｒ₁₁）（Ｒ₁₂）を表す。Ｘ₁ 〜Ｘ₃ は同
   じでも異なっていてもよく、単結合、置換基を有してい
   ても良い２価のアルキレン基、アルケニレン基もしくは
   シクロアルキレン基、又は−Ｏ−、−ＳＯ₂ −、−Ｏ−
   ＣＯ−Ｒ₁₃−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ₁₄−、−ＣＯ−Ｎ
   （Ｒ₁₅）−Ｒ₁₆−を表す。Ｒ₁₀は水素原子、置換基を有
   していても良い、アルキル基、シクロアルキル基あるい
   はアルケニル基、又は酸の作用により分解してアルカリ
   現像液中での溶解性を増大させる基を表す。Ｒ₁₁、
   Ｒ₁₂、Ｒ₁₅は同じでも異なっていてもよく、水素原子、
   置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキ
   ル基又はアルケニル基を表す。またＲ₁₁とＲ₁₂とが結合
   して環を形成しても良い。Ｒ₁₃、Ｒ₁₄、Ｒ₁₆は同じでも
   異なっていてもよく、単結合、又はエーテル基、エステ
   ル基、アミド基、ウレタン基もしくはウレイド基を有し
   ても良い、２価のアルキレン基、アルケニレン基あるい
   はシクロアルキレン基を表す。Ｙは多環型の脂環式基を
   表す。
3. 【請求項３】 （Ｂ）成分の樹脂が、下記一般式
   （Ｖ）、（VI）又は（VII)で表されるカルボキシル基を
   有する繰り返し構造単位のうち少なくとも一つを有する
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型レジス
   ト組成物。 【化３】 式（Ｖ）〜（VII)中、Ｒ₁₇、Ｒ₁₈、Ｒ₂₀〜Ｒ₂₂は同じで
   も異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シア
   ノ基、置換基を有していてもよい、アルキル基又はハロ
   アルキル基を表す。Ｒ₁₉はシアノ基、−ＣＯ−ＯＲ₂₃又
   は−ＣＯ−Ｎ（Ｒ₂₄）（Ｒ₂₅）を表す。Ｘ₄ 〜Ｘ₆ は同
   じでも異なっていてもよく、単結合、置換基を有してい
   ても良い２価のアルキレン基、アルケニレン基もしくは
   シクロアルキレン基、又は−Ｏ−、−ＳＯ₂ −、−Ｏ−
   ＣＯ−Ｒ₂₆−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ₂₇−、−ＣＯ−Ｎ
   （Ｒ₂₈）−Ｒ₂₉−を表す。Ｒ₂₃は水素原子、置換基を有
   していても良いアルキル基、シクロアルキル基もしくは
   アルケニル基、又は酸の作用により分解してアルカリ現
   像液中での溶解性を増大させる基を表す。Ｒ₂₄、Ｒ₂₅、
   Ｒ₂₈は同じでも異なっていてもよく、水素原子、置換基
   を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基又
   はアルケニル基を表す。またＲ₂₄とＲ₂₅とが結合して環
   を形成しても良い。Ｒ₂₆、Ｒ₂₇、Ｒ₂₉は同じでも異なっ
   ていてもよく、単結合、又はエーテル基、エステル基、
   アミド基、ウレタン基もしくはウレイド基を有しても良
   い、２価のアルキレン基、アルケニレン基あるいはシク
   ロアルキレン基を表す。
4. 【請求項４】 （Ｂ）成分の樹脂が、酸の作用により分
   解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を有
   することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の
   ポジ型レジスト組成物。
5. 【請求項５】 （Ｂ）成分の樹脂における酸の作用によ
   り分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基
   が、下記一般式（VIII）又は（IX）で表される基である
   ことを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載のポジ
   型レジスト組成物。 【化４】 式（VIII）、（IX）中、Ｒ₃₀〜Ｒ₃₂は同じでも異なって
   いてもよく、水素原子、又は置換基を有していても良
   い、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、ア
   シル基もしくはアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ
   ₃₃は、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロ
   アルキル基又はアルケニル基を表す。但し、式（VIII）
   のＲ₃₀〜Ｒ₃₂の内少なくとも２つは水素原子以外の基で
   ある。また式（VIII）のＲ₃₀〜Ｒ₃₂の内の２つ、又は式
   （IX）のＲ₃₀、Ｒ₃₁、Ｒ₃₃の内の２つが結合して３〜８
   個の炭素原子、ヘテロ原子から成る環構造を形成しても
   良い。
6. 【請求項６】 （Ｂ）成分の樹脂が、水酸基を有するこ
   とを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型
   レジスト組成物。
7. 【請求項７】 （Ｃ）成分の化合物が、下記一般式
   （Ｘ）で示される化合物であることを特徴とする請求項
   １〜６のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。 【化５】 式（Ｘ）中、Ｒ₁ 〜Ｒ₃ 、Ｚは各々請求項１に記載のも
   のと同義である。Ｒはヘテロ原子を含んでいてもよい、
   ｍ価のアルキレン基、ｍ価のシクロアルキレン基あるい
   はこれらの基を２つ以上組み合わせて得られるｍ価の基
   を表し、更にこれらの基は、エーテル基、エステル基、
   アミド基、ウレタン基あるいはウレイド基の少なくとも
   １つとともに２価以上の連結基を形成してもよい。ｍは
   ２以上の整数を表す。
8. 【請求項８】 （Ｂ）成分の樹脂と（Ｃ）成分の化合物
   が塗膜形成時に熱により架橋してアルカリ現像液に対し
   不溶化し、その（Ｂ）成分の樹脂と（Ｃ）成分の化合物
   の架橋物が活性光線又は放射線の照射時に発生した酸に
   より分解して、アルカリ現像液に対する溶解性が向上す
   ることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のポ
   ジ型レジスト組成物。
9. 【請求項９】 露光光源として、２２０ｎｍ以下の波長
   の遠紫外光を使用することを特徴とする請求項１〜８の
   いずれかに記載のポジ型レジスト組成物。