JPH1022800A - 電流検出機能を有する負荷電流供給回路 - Google Patents

電流検出機能を有する負荷電流供給回路

Info

Publication number
JPH1022800A
JPH1022800A JP8170163A JP17016396A JPH1022800A JP H1022800 A JPH1022800 A JP H1022800A JP 8170163 A JP8170163 A JP 8170163A JP 17016396 A JP17016396 A JP 17016396A JP H1022800 A JPH1022800 A JP H1022800A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
resistance
current detection
transistor
load
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8170163A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3627385B2 (ja
Inventor
Nobutada Ueda
展正 植田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP17016396A priority Critical patent/JP3627385B2/ja
Priority to US08/884,550 priority patent/US5877617A/en
Publication of JPH1022800A publication Critical patent/JPH1022800A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3627385B2 publication Critical patent/JP3627385B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/24Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
    • G05F3/242Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
    • G05F3/247Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a voltage or current as a predetermined function of the supply voltage
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/0092Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof measuring current only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0027Measuring means of, e.g. currents through or voltages across the switch

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 カレントミラー回路により電流検出を行う場
合、温度変化に対して電流検出精度を悪化させないよう
にする。 【解決手段】 電力用MOSトランジスタ3と電流検出
用MOSトランジスタ4とが並列接続されてカレントミ
ラー回路を構成しており、電流検出用MOSトランジス
タ4の配線抵抗とオン抵抗の抵抗値比率が、電力用MO
Sトランジスタ3の配線抵抗とオン抵抗の抵抗値比率と
ほぼ等しくなるように、第1、第2の補償抵抗5a、5
bを、電流検出用MOSトランジスタ4のソース、ドレ
イン側に設けた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電力用トランジス
タに流れる負荷電流を検出する、電流検出機能を有する
負荷電流供給回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、電流検出機能を有する負荷電流供
給回路において、米国特許第4,553,084号公報
には、電力用MOSトランジスタ(以下、フォースTr
という)に電流検出用MOSトランジスタ(以下、セン
スTrという)を並列接続してカレントミラー回路を構
成し、センスTrに流れる電流から負荷電流を検出する
ようにしたものが開示されている。この場合、センスT
rには、フォースTrとセンスTrのセル数の比に比例
した電流が流れる。例えば、フォースTrのセル数を1
0000、センスTrのセル数を10とすると、100
0:1のカレントミラー比で電流が流れる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記した構成において
は、フォースTrに電流が多く流れるため、そのオン抵
抗はセンスTrのオン抵抗に比べて抵抗値が非常に小さ
い。このため、配線抵抗とオン抵抗の抵抗値比率は、フ
ォースTrとセンスTrとで異なってしまう。例えば、
フォースTrのオン抵抗、配線抵抗の抵抗値をそれぞれ
110mΩ、40mΩとし、センスTrのオン抵抗、配
線抵抗の抵抗値をそれぞれ110Ω、40mΩとする
と、図4から明らかなように、フォースTrの方がセン
スTrに比べて配線抵抗の抵抗値比率が高くなる。
【0004】配線抵抗としては、通常、金属配線、例え
ばAl配線が用いられ、Al配線とMOSTrの温度特
性は、例えば前者が約3000ppm/T、後者が約4
500ppm/Tと異なっていることから、上記した抵
抗値比率の相違により、カレントミラー回路の比精度は
温度によって、例えば図5に示すように変化し、これに
より電流検出精度が悪化するという問題がある。
【0005】本発明は上記問題に鑑みたもので、温度変
化に対して電流検出精度を悪化させないようにすること
を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に記載の発明においては、電力用トランジ
スタに電流検出用トランジスタを並列接続してカレント
ミラー回路を構成し、その並列接続した回路部におい
て、電流検出用トランジスタの配線抵抗とオン抵抗の抵
抗値比率が、電力用トランジスタの配線抵抗とオン抵抗
の抵抗値比率とほぼ等しくなるように設定されているこ
とを特徴としている。
【0007】従って、温度変化により、電力用トランジ
スタおよび電流検出用トランジスタの配線抵抗とオン抵
抗の抵抗値がそれぞれ変化しても、両トランジスタでの
配線抵抗とオン抵抗の抵抗値比率がほぼ等しくなるよう
に設定されているため、カレントミラー比がほぼ一定に
なり、電流検出精度を悪化させないようにすることがで
きる。
【0008】この場合、請求項2に記載の発明のよう
に、電流検出用トランジスタの配線に補償抵抗を挿入す
ることにより、容易に抵抗値比率の調整を図ることがで
きる。請求項3に記載の発明においては、補償抵抗を、
電力用トランジスタおよび電流検出用トランジスタの配
線と同じく金属配線としているから、製造上のばらつき
に対し抵抗値調整を精度よく行うことができる。
【0009】請求項4に記載の発明においては、電力用
トランジスタと電流検出用トランジスタの動作点をほぼ
等しくさせるように補償抵抗の抵抗値を設定しているか
ら、補償抵抗を設けてもカレントミラー回路における電
力用トランジスタと電流検出用トランジスタの動作点を
一致させて、電流検出を精度よく行うことができる。請
求項5に記載の発明においては、電流検出用トランジス
タの両出力端子側に第1、第2の補償抵抗を設けている
から、それらの抵抗値を適当に設定することにより、電
力用トランジスタと電流検出用トランジスタの動作点を
容易に一致させることができる。
【0010】請求項6に記載の発明においては、電力用
トランジスタと電流検出用トランジスタとで構成される
カレントミラー回路のカレントミラー比の温度特性を補
償するように構成しているから、カレントミラー比をほ
ぼ一定にし、電流検出精度を悪化させないようにするこ
とができる。
【0011】
【発明の実施の形態】図1に本発明の一実施形態におけ
る回路構成図を示す。電源1とグランド間には、負荷2
とNチャンネル型のフォースTr3が接続されている。
フォースTr3は、後述する制御回路8からのゲート電
圧の供給を受けて負荷2に負荷電流を供給する。
【0012】フォースTr3には、Nチャンネル型のセ
ンスTr4が並列接続されている。フォースTr3とセ
ンスTr4は、ゲート(制御端子)が共通接続されてカ
レントミラー回路を構成しており、フォースTr3とセ
ンスTr4のそれぞれのセル数に応じたカレントミラー
比、例えば1000:1で、センスTr4に負荷電流の
一部の電流が流れる。
【0013】センスTr4に流れる電流は、電流検出回
路6にて検出される。電流検出回路6は、電流検出抵抗
6aとコンパレータ6bにて構成されており、コンパレ
ータ6bの非反転入力端子が接地されているため、図中
のB点を仮想グランドとして作動する。すなわち、セン
スTr4に流れる電流の変化によりB点の電圧が変化し
ても、コンパレータ6bの出力電圧を変化させて、B点
の電圧をグランド電圧レベルに維持するように作動す
る。従って、負荷電流が過電流になり、センスTr4に
流れる電流が増大したときには、B点の電圧が上昇する
ため、コンパレータ6bの出力電圧が低下して、B点の
電圧をグランド電圧レベルに戻すようにする。
【0014】制御回路7は、フォースTr3、センスT
r4へのゲート電圧を制御する。また、電流検出回路6
からの出力電圧により、負荷電流が過電流になったこと
を検出すると、ゲート電圧を低下させて、電流制限を行
うなどの制御を行う。センスTr4のソース、ドレイン
には、配線中に第1、第2の補償抵抗5a、5bが設け
られている。ここで、B点を仮想グランドとしているた
め、センスTr4は、A点とB点の間においてフォース
Tr3に並列接続されていることになる。第1、第2の
補償抵抗5a、5bを設けることにより、センスTr4
とフォースTr3が並列接続された回路部(A点とB点
の間の回路部分)において、フォースTr3の配線抵抗
とオン抵抗の抵抗値比率と、センスTr4の配線抵抗と
オン抵抗の抵抗値比率とをほぼ等しくすることができ
る。
【0015】例えば、第1、第2の補償抵抗5a、5b
の抵抗値をそれぞれ20Ωとし、センスTr4のオン抵
抗の抵抗値を110Ω、フォースTr3のオン抵抗、配
線抵抗の抵抗値をそれぞれ110mΩ、40mΩとする
と、センスTr4の配線抵抗は全体で約40Ωとなるた
め、配線抵抗とオン抵抗の抵抗値比率は、図2に示すよ
うに、フォースTr3とセンスTr4とでほぼ等しくな
る。
【0016】このように第1、第2の補償抵抗5a、5
bを挿入した結果、カレントミラー比精度の温度特性
は、図3に示すようになり、その比精度を±1%にする
ことができた。また、第1、第2の補償抵抗5a、5b
の抵抗値を等しくすることにより、ゲート電圧に対して
フォースTr3とセンスTr4の動作点を等しくさせる
ことができる。すなわち、A点とグランド間において、
フォースTr3のドレイン側の配線抵抗とソース側の配
線抵抗の比率とセンスTr4のドレイン側の配線抵抗
(第1の補償抵抗5aを含む)とソース側の配線抵抗
(第2の補償抵抗5bを含む)の比率とを等しくするこ
とにより、フォースTr3とセンスTr4のそれぞれの
ゲート−ソース間電圧を等しくすることができ、それぞ
れの動作点を一致させることができる。
【0017】なお、センスTr4、フォースTr3等は
半導体基板上に半導体素子として形成されており、それ
らはAl配線にて電気的に接続されている。第1、第2
の補償抵抗5a、5bは、センスTr4のソース、ドレ
インのAl配線途中に、Al配線を櫛歯状にパターン形
成することにより構成されている。この場合、第1、第
2の補償抵抗5a、5bをAl配線でなく半導体基板内
に形成した拡散抵抗を用いて構成することもできるが、
Al配線で形成した方がプロセス上のばらつきをキャン
セルして電流検出精度を高めることができる。
【0018】また、上記実施形態では、第1、第2の補
償抵抗5a、5bを設けて、フォースTr3とセンスT
r4の配線抵抗とオン抵抗の抵抗値比率をほぼ等しくす
るものを示したが、第1、第2の補償抵抗5a、5bを
設けずに、フォースTr3の配線抵抗の抵抗値を非常に
小さくして、抵抗値比率をほぼ等しくするようにしても
よい。この場合、例えば、フォースTr3のAl配線の
膜厚を厚くするなどして、低抵抗化を図ることができ
る。
【0019】さらに、センスTr4の電流経路にシャン
ト抵抗を設け、このシャント抵抗の端子間電圧を所定の
しきい値電圧と比較して過電流検出を行うように電流検
出回路6が構成されている場合には、シャント抵抗を含
んで、センスTr4とフォースTr3での配線抵抗とオ
ン抵抗の抵抗値比率がほぼ等しくなるように、第1、第
2の補償抵抗5a、5bの抵抗値を設定する。
【0020】また、フォースTr3、センスTr4は、
Nチャンネル型のものに限らずPチャンネル型のもので
あってもよい。さらに、MOSトランジスタに限らず、
IGBT等の電力用半導体素子を用いることもできる。
さらに、電流検出回路6に温度特性を持たせ、カレント
ミラー比の温度特性を補償させるようにしてもよい。
【0021】なお、特許請求の範囲等で記載した「ほぼ
等しい」とは、完全に等しくなる場合の他、実質的に等
しくなる場合も含むものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を示す回路構成図である。
【図2】図1に示す構成において、フォースTrとセン
スTrそれぞれのオン抵抗と配線抵抗の抵抗値比率を示
す図である。
【図3】図1に示す構成におけるカレントミラー比精度
と温度特性の関係を示す図である。
【図4】従来の構成において、フォースTrとセンスT
rそれぞれのオン抵抗と配線抵抗の抵抗値比率を示す図
である。
【図5】従来の構成におけるカレントミラー比精度と温
度特性の関係を示す図である。
【符号の説明】
1…電源、2…負荷、3…フォースTr、4…センスT
r、5a、5b…補償抵抗、6…電流検出回路、7…制
御回路。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 負荷(2)に負荷電流を供給する電力用
    トランジスタ(3)と、 前記電力用トランジスタに並列接続されてカレントミラ
    ー回路を構成する電流検出用トランジスタ(4)とを備
    え、 前記電流検出用トランジスタは、前記負荷電流に対し1
    より小さい比率の検出電流が流れるように構成されてお
    り、前記電流検出用トランジスタに流れる電流を電流検
    出回路(6)にて検出するようにした電流検出機能を有
    する負荷電流供給回路において、 前記電力用トランジスタと前記電流検出用トランジスタ
    とが並列接続された回路部において、前記電流検出用ト
    ランジスタの配線抵抗とオン抵抗の抵抗値比率が、前記
    電力用トランジスタの配線抵抗とオン抵抗の抵抗値比率
    とほぼ等しくなるように設定されていることを特徴とす
    る負荷電流供給回路。
  2. 【請求項2】 前記電流検出用トランジスタの配線に、
    前記抵抗値比率を調整するための補償抵抗(5a、5
    b)が挿入されていることを特徴とする請求項1に記載
    の負荷電流供給回路。
  3. 【請求項3】 前記電力用トランジスタおよび前記電流
    検出用トランジスタの配線は金属配線であって、前記補
    償抵抗は金属配線により形成されていることを特徴とす
    る請求項2に記載の負荷電流供給回路。
  4. 【請求項4】 前記補償抵抗は、前記電力用トランジス
    タと前記電流検出用トランジスタの動作点をほぼ等しく
    させるようにその抵抗値が設定されていることを特徴と
    する請求項2又は3に記載の負荷電流供給回路。
  5. 【請求項5】 前記補償抵抗は、前記電流検出用トラン
    ジスタの両出力端子側にそれぞれ設けられた第1、第2
    の補償抵抗(5a、5b)からなることを特徴とする請
    求項4に記載の負荷電流供給回路。
  6. 【請求項6】 負荷(2)に負荷電流を供給する電力用
    トランジスタ(3)と、 前記電力用トランジスタとカレントミラー回路を構成す
    る電流検出用トランジスタ(4)とを備え、 前記電流検出用トランジスタは、前記負荷電流に対し1
    より小さい比率の検出電流が流れるように構成されてお
    り、前記電流検出用トランジスタに流れる電流を電流検
    出回路(6)にて検出するようにした電流検出機能を有
    する負荷電流供給回路において、 前記カレントミラー回路のカレントミラー比の温度特性
    を補償するように構成したことを特徴とする負荷電流供
    給回路。
JP17016396A 1996-06-28 1996-06-28 電流検出機能を有する負荷電流供給回路 Expired - Fee Related JP3627385B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17016396A JP3627385B2 (ja) 1996-06-28 1996-06-28 電流検出機能を有する負荷電流供給回路
US08/884,550 US5877617A (en) 1996-06-28 1997-06-27 Load current supply circuit having current sensing function

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17016396A JP3627385B2 (ja) 1996-06-28 1996-06-28 電流検出機能を有する負荷電流供給回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1022800A true JPH1022800A (ja) 1998-01-23
JP3627385B2 JP3627385B2 (ja) 2005-03-09

Family

ID=15899857

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17016396A Expired - Fee Related JP3627385B2 (ja) 1996-06-28 1996-06-28 電流検出機能を有する負荷電流供給回路

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5877617A (ja)
JP (1) JP3627385B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009230421A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Denso Corp 負荷電流供給回路
JP2012084625A (ja) * 2010-10-08 2012-04-26 Denso Corp 半導体装置
JPWO2014155959A1 (ja) * 2013-03-27 2017-02-16 パナソニックIpマネジメント株式会社 パワー半導体素子

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6172495B1 (en) * 2000-02-03 2001-01-09 Lsi Logic Corporation Circuit and method for accurately mirroring currents in application specific integrated circuits
US6727745B2 (en) * 2000-08-23 2004-04-27 Intersil Americas Inc. Integrated circuit with current sense circuit and associated methods
GB0111313D0 (en) * 2001-05-09 2001-07-04 Broadcom Corp Digital-to-analogue converter using an array of current sources
ATE338377T1 (de) * 2001-09-26 2006-09-15 Dialog Semiconductor Gmbh Mos-stromerfassungsschaltung
US6867576B2 (en) * 2001-09-28 2005-03-15 International Rectifier Corporation Current sense circuit for motor drive
US6897662B2 (en) * 2001-10-26 2005-05-24 Micrel, Incorporated Method and apparatus for optimizing the accuracy of an electronic circuit
DE10200649A1 (de) * 2002-01-10 2003-07-24 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Testen eines zellenartig aufgebauten Leistungshalbleiterbauelements
US7099135B2 (en) * 2002-11-05 2006-08-29 Semiconductor Components Industries, L.L.C Integrated inrush current limiter circuit and method
US6963188B2 (en) * 2004-04-06 2005-11-08 Atmel Corporation On-chip power supply interface with load-independent current demand
US8164687B2 (en) * 2006-09-26 2012-04-24 Panasonic Corporation Color difference signal IP conversion method
JP4748149B2 (ja) * 2007-12-24 2011-08-17 株式会社デンソー 半導体装置
US7852148B2 (en) * 2009-03-27 2010-12-14 Semiconductor Components Industries, Llc Method of forming a sensing circuit and structure therefor
US8854065B2 (en) * 2012-01-13 2014-10-07 Infineon Technologies Austria Ag Current measurement in a power transistor
US9473132B2 (en) 2013-11-25 2016-10-18 Flextronics Ap, Llc High speed sync FET control
DE102014202610A1 (de) * 2014-02-13 2015-08-13 Robert Bosch Gmbh Stromdetektionseinrichtung und Verfahren zum Erfassen eines elektrischen Stroms
DE102014202634A1 (de) 2014-02-13 2015-08-13 Robert Bosch Gmbh Stromdetektionseinrichtung und Verfahren zum Erfassen eines elektrischen Stroms
DE102014202611A1 (de) 2014-02-13 2015-08-13 Robert Bosch Gmbh Schaltungsanordnung und Verfahren zur Strommessung
TWI537568B (zh) * 2015-02-02 2016-06-11 天鈺科技股份有限公司 電流偵測電路與電源積體電路
CN111739886A (zh) 2019-03-22 2020-10-02 英飞凌科技股份有限公司 具有负载晶体管和感测晶体管的晶体管布置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4319181A (en) * 1980-12-24 1982-03-09 Motorola, Inc. Solid state current sensing circuit
US4553084A (en) * 1984-04-02 1985-11-12 Motorola, Inc. Current sensing circuit
NL8503394A (nl) * 1985-12-10 1987-07-01 Philips Nv Stroomaftastschakeling voor een vermogenshalfgeleiderinrichting, in het bijzonder geintegreerde intelligente vermogenshalfgeleiderschakelaar voor met name automobieltoepassingen.
GB2206010A (en) * 1987-06-08 1988-12-21 Philips Electronic Associated Differential amplifier and current sensing circuit including such an amplifier
JPH07113861B2 (ja) * 1988-01-29 1995-12-06 株式会社日立製作所 半導体素子の状態検出及び保護回路とそれを用いたインバータ回路
US5061863A (en) * 1989-05-16 1991-10-29 Kabushiki Kaisha Toyoda Jidoshokki Seisakusho Transistor provided with a current detecting function
GB2237462A (en) * 1989-10-23 1991-05-01 Philips Nv Overload protection drive circuit for a power transistor
US5084668A (en) * 1990-06-08 1992-01-28 Motorola, Inc. System for sensing and/or controlling the level of current in a transistor
US5063307A (en) * 1990-09-20 1991-11-05 Ixys Corporation Insulated gate transistor devices with temperature and current sensor
JPH05299431A (ja) * 1992-04-16 1993-11-12 Toyota Autom Loom Works Ltd 電流検出機能付トランジスタ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009230421A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Denso Corp 負荷電流供給回路
JP2012084625A (ja) * 2010-10-08 2012-04-26 Denso Corp 半導体装置
JPWO2014155959A1 (ja) * 2013-03-27 2017-02-16 パナソニックIpマネジメント株式会社 パワー半導体素子

Also Published As

Publication number Publication date
JP3627385B2 (ja) 2005-03-09
US5877617A (en) 1999-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3627385B2 (ja) 電流検出機能を有する負荷電流供給回路
US7411376B2 (en) Voltage regulator having overcurrent protection circuit and method manufacturing voltage regulator
KR900003938B1 (ko) 휴즈 회로를 갖는 집적회로
US6998826B2 (en) Voltage regulator
US7952333B2 (en) Circuit and method for determining current in a load
US20030011952A1 (en) Overcurrent protection circuit for voltage regulator
JPH08334534A (ja) 電力用半導体構成要素の負荷電流検出用回路装置
JPH0278962A (ja) 補償型電流検出回路
US6496049B2 (en) Semiconductor integrated circuit having a current control function
JPH075225A (ja) 金属・酸化物・半導体電界効果トランジスタのドレイン電流を監視する回路構造体
JP4443205B2 (ja) 電流駆動回路
JPH0949858A (ja) 電流検出制御回路及びパターンレイアウト方法
TW201837637A (zh) 過電流保護電路及電壓調節器
JP4772980B2 (ja) ボルテージレギュレータ
JPH05173655A (ja) 電流制限方法および装置
JP3963597B2 (ja) 短絡保護回路
JP2574309Y2 (ja) 電子負荷装置
US6724598B2 (en) Solid state switch with temperature compensated current limit
JP2021096554A (ja) 定電流回路
JP2565528B2 (ja) ヒステリシスコンパレータ回路
JPH05241671A (ja) 基準電圧発生装置および過電流防止機能付半導体装置
JP2001267899A (ja) 負荷駆動回路
JP3092062B2 (ja) 半導体装置
JPH07221568A (ja) 増幅回路装置
US10679938B2 (en) Power transistor coupled to multiple sense transistors

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040602

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040803

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040909

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20041116

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20041129

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071217

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101217

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111217

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121217

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131217

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees