JPH1022800A - 電流検出機能を有する負荷電流供給回路 - Google Patents
電流検出機能を有する負荷電流供給回路Info
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- JPH1022800A JPH1022800A JP8170163A JP17016396A JPH1022800A JP H1022800 A JPH1022800 A JP H1022800A JP 8170163 A JP8170163 A JP 8170163A JP 17016396 A JP17016396 A JP 17016396A JP H1022800 A JPH1022800 A JP H1022800A
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Abstract
合、温度変化に対して電流検出精度を悪化させないよう
にする。 【解決手段】 電力用MOSトランジスタ3と電流検出
用MOSトランジスタ4とが並列接続されてカレントミ
ラー回路を構成しており、電流検出用MOSトランジス
タ4の配線抵抗とオン抵抗の抵抗値比率が、電力用MO
Sトランジスタ3の配線抵抗とオン抵抗の抵抗値比率と
ほぼ等しくなるように、第1、第2の補償抵抗5a、5
bを、電流検出用MOSトランジスタ4のソース、ドレ
イン側に設けた。
Description
タに流れる負荷電流を検出する、電流検出機能を有する
負荷電流供給回路に関する。
給回路において、米国特許第4,553,084号公報
には、電力用MOSトランジスタ(以下、フォースTr
という)に電流検出用MOSトランジスタ(以下、セン
スTrという)を並列接続してカレントミラー回路を構
成し、センスTrに流れる電流から負荷電流を検出する
ようにしたものが開示されている。この場合、センスT
rには、フォースTrとセンスTrのセル数の比に比例
した電流が流れる。例えば、フォースTrのセル数を1
0000、センスTrのセル数を10とすると、100
0:1のカレントミラー比で電流が流れる。
は、フォースTrに電流が多く流れるため、そのオン抵
抗はセンスTrのオン抵抗に比べて抵抗値が非常に小さ
い。このため、配線抵抗とオン抵抗の抵抗値比率は、フ
ォースTrとセンスTrとで異なってしまう。例えば、
フォースTrのオン抵抗、配線抵抗の抵抗値をそれぞれ
110mΩ、40mΩとし、センスTrのオン抵抗、配
線抵抗の抵抗値をそれぞれ110Ω、40mΩとする
と、図4から明らかなように、フォースTrの方がセン
スTrに比べて配線抵抗の抵抗値比率が高くなる。
ばAl配線が用いられ、Al配線とMOSTrの温度特
性は、例えば前者が約3000ppm/T、後者が約4
500ppm/Tと異なっていることから、上記した抵
抗値比率の相違により、カレントミラー回路の比精度は
温度によって、例えば図5に示すように変化し、これに
より電流検出精度が悪化するという問題がある。
化に対して電流検出精度を悪化させないようにすること
を目的とする。
め、請求項1に記載の発明においては、電力用トランジ
スタに電流検出用トランジスタを並列接続してカレント
ミラー回路を構成し、その並列接続した回路部におい
て、電流検出用トランジスタの配線抵抗とオン抵抗の抵
抗値比率が、電力用トランジスタの配線抵抗とオン抵抗
の抵抗値比率とほぼ等しくなるように設定されているこ
とを特徴としている。
スタおよび電流検出用トランジスタの配線抵抗とオン抵
抗の抵抗値がそれぞれ変化しても、両トランジスタでの
配線抵抗とオン抵抗の抵抗値比率がほぼ等しくなるよう
に設定されているため、カレントミラー比がほぼ一定に
なり、電流検出精度を悪化させないようにすることがで
きる。
に、電流検出用トランジスタの配線に補償抵抗を挿入す
ることにより、容易に抵抗値比率の調整を図ることがで
きる。請求項3に記載の発明においては、補償抵抗を、
電力用トランジスタおよび電流検出用トランジスタの配
線と同じく金属配線としているから、製造上のばらつき
に対し抵抗値調整を精度よく行うことができる。
トランジスタと電流検出用トランジスタの動作点をほぼ
等しくさせるように補償抵抗の抵抗値を設定しているか
ら、補償抵抗を設けてもカレントミラー回路における電
力用トランジスタと電流検出用トランジスタの動作点を
一致させて、電流検出を精度よく行うことができる。請
求項5に記載の発明においては、電流検出用トランジス
タの両出力端子側に第1、第2の補償抵抗を設けている
から、それらの抵抗値を適当に設定することにより、電
力用トランジスタと電流検出用トランジスタの動作点を
容易に一致させることができる。
トランジスタと電流検出用トランジスタとで構成される
カレントミラー回路のカレントミラー比の温度特性を補
償するように構成しているから、カレントミラー比をほ
ぼ一定にし、電流検出精度を悪化させないようにするこ
とができる。
る回路構成図を示す。電源1とグランド間には、負荷2
とNチャンネル型のフォースTr3が接続されている。
フォースTr3は、後述する制御回路8からのゲート電
圧の供給を受けて負荷2に負荷電流を供給する。
ンスTr4が並列接続されている。フォースTr3とセ
ンスTr4は、ゲート(制御端子)が共通接続されてカ
レントミラー回路を構成しており、フォースTr3とセ
ンスTr4のそれぞれのセル数に応じたカレントミラー
比、例えば1000:1で、センスTr4に負荷電流の
一部の電流が流れる。
路6にて検出される。電流検出回路6は、電流検出抵抗
6aとコンパレータ6bにて構成されており、コンパレ
ータ6bの非反転入力端子が接地されているため、図中
のB点を仮想グランドとして作動する。すなわち、セン
スTr4に流れる電流の変化によりB点の電圧が変化し
ても、コンパレータ6bの出力電圧を変化させて、B点
の電圧をグランド電圧レベルに維持するように作動す
る。従って、負荷電流が過電流になり、センスTr4に
流れる電流が増大したときには、B点の電圧が上昇する
ため、コンパレータ6bの出力電圧が低下して、B点の
電圧をグランド電圧レベルに戻すようにする。
r4へのゲート電圧を制御する。また、電流検出回路6
からの出力電圧により、負荷電流が過電流になったこと
を検出すると、ゲート電圧を低下させて、電流制限を行
うなどの制御を行う。センスTr4のソース、ドレイン
には、配線中に第1、第2の補償抵抗5a、5bが設け
られている。ここで、B点を仮想グランドとしているた
め、センスTr4は、A点とB点の間においてフォース
Tr3に並列接続されていることになる。第1、第2の
補償抵抗5a、5bを設けることにより、センスTr4
とフォースTr3が並列接続された回路部(A点とB点
の間の回路部分)において、フォースTr3の配線抵抗
とオン抵抗の抵抗値比率と、センスTr4の配線抵抗と
オン抵抗の抵抗値比率とをほぼ等しくすることができ
る。
の抵抗値をそれぞれ20Ωとし、センスTr4のオン抵
抗の抵抗値を110Ω、フォースTr3のオン抵抗、配
線抵抗の抵抗値をそれぞれ110mΩ、40mΩとする
と、センスTr4の配線抵抗は全体で約40Ωとなるた
め、配線抵抗とオン抵抗の抵抗値比率は、図2に示すよ
うに、フォースTr3とセンスTr4とでほぼ等しくな
る。
bを挿入した結果、カレントミラー比精度の温度特性
は、図3に示すようになり、その比精度を±1%にする
ことができた。また、第1、第2の補償抵抗5a、5b
の抵抗値を等しくすることにより、ゲート電圧に対して
フォースTr3とセンスTr4の動作点を等しくさせる
ことができる。すなわち、A点とグランド間において、
フォースTr3のドレイン側の配線抵抗とソース側の配
線抵抗の比率とセンスTr4のドレイン側の配線抵抗
(第1の補償抵抗5aを含む)とソース側の配線抵抗
(第2の補償抵抗5bを含む)の比率とを等しくするこ
とにより、フォースTr3とセンスTr4のそれぞれの
ゲート−ソース間電圧を等しくすることができ、それぞ
れの動作点を一致させることができる。
半導体基板上に半導体素子として形成されており、それ
らはAl配線にて電気的に接続されている。第1、第2
の補償抵抗5a、5bは、センスTr4のソース、ドレ
インのAl配線途中に、Al配線を櫛歯状にパターン形
成することにより構成されている。この場合、第1、第
2の補償抵抗5a、5bをAl配線でなく半導体基板内
に形成した拡散抵抗を用いて構成することもできるが、
Al配線で形成した方がプロセス上のばらつきをキャン
セルして電流検出精度を高めることができる。
償抵抗5a、5bを設けて、フォースTr3とセンスT
r4の配線抵抗とオン抵抗の抵抗値比率をほぼ等しくす
るものを示したが、第1、第2の補償抵抗5a、5bを
設けずに、フォースTr3の配線抵抗の抵抗値を非常に
小さくして、抵抗値比率をほぼ等しくするようにしても
よい。この場合、例えば、フォースTr3のAl配線の
膜厚を厚くするなどして、低抵抗化を図ることができ
る。
ト抵抗を設け、このシャント抵抗の端子間電圧を所定の
しきい値電圧と比較して過電流検出を行うように電流検
出回路6が構成されている場合には、シャント抵抗を含
んで、センスTr4とフォースTr3での配線抵抗とオ
ン抵抗の抵抗値比率がほぼ等しくなるように、第1、第
2の補償抵抗5a、5bの抵抗値を設定する。
Nチャンネル型のものに限らずPチャンネル型のもので
あってもよい。さらに、MOSトランジスタに限らず、
IGBT等の電力用半導体素子を用いることもできる。
さらに、電流検出回路6に温度特性を持たせ、カレント
ミラー比の温度特性を補償させるようにしてもよい。
等しい」とは、完全に等しくなる場合の他、実質的に等
しくなる場合も含むものである。
スTrそれぞれのオン抵抗と配線抵抗の抵抗値比率を示
す図である。
と温度特性の関係を示す図である。
rそれぞれのオン抵抗と配線抵抗の抵抗値比率を示す図
である。
度特性の関係を示す図である。
r、5a、5b…補償抵抗、6…電流検出回路、7…制
御回路。
Claims (6)
- 【請求項1】 負荷(2)に負荷電流を供給する電力用
トランジスタ(3)と、 前記電力用トランジスタに並列接続されてカレントミラ
ー回路を構成する電流検出用トランジスタ(4)とを備
え、 前記電流検出用トランジスタは、前記負荷電流に対し1
より小さい比率の検出電流が流れるように構成されてお
り、前記電流検出用トランジスタに流れる電流を電流検
出回路(6)にて検出するようにした電流検出機能を有
する負荷電流供給回路において、 前記電力用トランジスタと前記電流検出用トランジスタ
とが並列接続された回路部において、前記電流検出用ト
ランジスタの配線抵抗とオン抵抗の抵抗値比率が、前記
電力用トランジスタの配線抵抗とオン抵抗の抵抗値比率
とほぼ等しくなるように設定されていることを特徴とす
る負荷電流供給回路。 - 【請求項2】 前記電流検出用トランジスタの配線に、
前記抵抗値比率を調整するための補償抵抗(5a、5
b)が挿入されていることを特徴とする請求項1に記載
の負荷電流供給回路。 - 【請求項3】 前記電力用トランジスタおよび前記電流
検出用トランジスタの配線は金属配線であって、前記補
償抵抗は金属配線により形成されていることを特徴とす
る請求項2に記載の負荷電流供給回路。 - 【請求項4】 前記補償抵抗は、前記電力用トランジス
タと前記電流検出用トランジスタの動作点をほぼ等しく
させるようにその抵抗値が設定されていることを特徴と
する請求項2又は3に記載の負荷電流供給回路。 - 【請求項5】 前記補償抵抗は、前記電流検出用トラン
ジスタの両出力端子側にそれぞれ設けられた第1、第2
の補償抵抗(5a、5b)からなることを特徴とする請
求項4に記載の負荷電流供給回路。 - 【請求項6】 負荷(2)に負荷電流を供給する電力用
トランジスタ(3)と、 前記電力用トランジスタとカレントミラー回路を構成す
る電流検出用トランジスタ(4)とを備え、 前記電流検出用トランジスタは、前記負荷電流に対し1
より小さい比率の検出電流が流れるように構成されてお
り、前記電流検出用トランジスタに流れる電流を電流検
出回路(6)にて検出するようにした電流検出機能を有
する負荷電流供給回路において、 前記カレントミラー回路のカレントミラー比の温度特性
を補償するように構成したことを特徴とする負荷電流供
給回路。
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