JPH10208016A - 撮像データ補正方法及び補正装置 - Google Patents

撮像データ補正方法及び補正装置

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JPH10208016A
JPH10208016A JP9006387A JP638797A JPH10208016A JP H10208016 A JPH10208016 A JP H10208016A JP 9006387 A JP9006387 A JP 9006387A JP 638797 A JP638797 A JP 638797A JP H10208016 A JPH10208016 A JP H10208016A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 実際の撮影時の条件と補正データ取得時の条
件が異なっているため、撮像出力に含まれる誤差が完全
に補正されない、という問題を解決し、高S/Nの像情
報を得られる撮像データ補正方法及び補正装置を得る。 【解決手段】 固体撮像素子20を用いた撮像装置にお
いて、実際に撮像データを取得するための撮像露光の直
前と直後に、第1及び第2の補正用データを取得すべく
制御する手段70と、前記露光時間データを取得する手
段30と、上記各データを記憶しておく手段40,52
〜54と、前記補正用データと該補正用データの取得時
間と前記撮像露光時間とをパラメータとして、前記撮像
露光時間内の実補正量を演算する第1の演算手段60
と、前記実補正量を用いて前記撮像データを補正すべく
演算する第2の演算手段61と、を有することを特徴と
する撮像データ補正装置及び補正方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、可視光もしくは放
射線により像を形成する撮像装置の撮像データ補正方法
及び補正装置に係り、たとえばファクシミリ、ディジタ
ル複写機、スチールカメラあるいは放射線撮像装置等の
一次元もしくは二次元の撮像装置の撮像データ補正方法
及び補正装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、CCD型センサ、MOS型センサ
に代表されるSi単結晶センサや、水素化アモルファス
シリコン(以下、a−Siと記す)のPIN型センサを
用いた撮像素子を一次元、もしくは二次元に並べた大型
センサを用いた撮像装置が各種生産されている。これら
撮像装置は可視光の像を形成するのみならず、原子力開
発、放射線医療機器及び非破壊検査の発達に伴い放射線
像を電気信号に変換する撮像装置も開発されている。
【0003】しかしながら、それらのS/Nは2〜3桁
のものが多く、それ以上のS/Nは求められていなかっ
た。これは、高S/Nの出力を高精度でディジタル化す
るのに適したA/D変換器がなかったり、また変換後の
データ量が大量になりメモリの制限や通信の制限を受
け、使い勝手が悪く、結果、高S/Nの撮像装置の必要
性が小さかったからである。ところが近年、大容量のメ
モリや高速な通信の開発がめざましく、これに伴い、4
〜5桁の高S/Nを持つ撮像装置の要求が高まってい
る。
【0004】しかしながら、通常、生産工程のばらつき
による固定パターンノイズや、感度ばらつきによるS/
Nの低下は避けられず、これを防ぐため、従来は、工場
出荷時に固定パターンノイズや感度ばらつきのデータを
補正用データとしてメモリに記憶しておき、実際に使う
場合には、撮像データをこのメモリの補正用データによ
って補正する方法が取られている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では以下に挙げるような欠点がある。
【0006】通常、撮像を行う場合には、使用者は、被
検体や周辺の環境、撮像の目的等で撮像装置の動作条件
を選択する。また、撮像装置に使用されている構成部品
は、温度によりその特性が変化する。さらに、撮像中に
簡単に失敗の無い最適な像を得るためには、自動露出を
はじめ、各種の自動制御が働く。つまり、撮像を実際に
行った条件と補正に使用するデータを取得した条件は異
なっているのである。S/Nの低下の原因となる固定パ
ターンノイズや感度ばらつきは、これらの条件で微妙に
異なるため、撮像出力に含まれる誤差は完全に補正され
ない。このように、補正に使用するデータを得た時の条
件と、実際に撮像した時の条件が異なることは、高S/
Nの像情報を得るのに重大な問題となる。
【0007】[発明の目的]本発明の目的は、撮像を実
際に行った時の条件と補正に使用するデータを取得した
時の条件が異なっているため、撮像出力に含まれる誤差
が完全に補正されない、という問題を解決し、高S/N
の像情報を得られる撮像装置の撮像データ補正方法及び
補正装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した課題
を解決するための手段として、固体撮像素子を用いた撮
像方法において、撮像露光直前に第1の補正用データを
取り込む工程と、前記撮像露光を行って撮像データを取
り込む工程と、前記撮像露光による露光時間を計測する
工程と、前記撮像露光直後に第2の補正用データを取り
込む工程と、前記第1及び第2の補正用データと、該補
正用データの取り込み時間と、前記露光時間とをパラメ
ータとして、前記撮像露光時間内の実補正量を演算する
工程と、前記演算された実補正量を用いて前記撮像デー
タを演算して補正する工程と、を有することを特徴とす
る撮像データ補正方法を提供するものである。
【0009】また、前記撮像前後に取得された第1及び
第2の補正用データは、同一の取り込み時間t1 で、露
光を行なわずに取得されたものであり、かつ前記第1の
補正用データ取得から前記撮像データ取得までの時間間
隔と前記撮像データ取得から前記第2の補正用データ取
得までの時間間隔が実質的に同じであり、前記第1及び
第2の補正用データの加算平均を取ることにより撮像デ
ータ取得時の前記時間t1 あたりの補正量を求め、さら
に、上記補正用データの取り込み時間t1 と撮影露光時
間t2 との比較から、前記時間t1 あたりの補正量を前
記時間t2 あたりの補正量に換算することにより前記露
光時の実補正量を求め、前記実補正量を前記撮像データ
より減算することにより補正を行なうことを特徴とする
撮像データの補正方法でもある。
【0010】また、前記第1の補正用データ取得から前
記撮像データ取得までの時間間隔と前記撮像データ取得
から前記第2の補正用データ取得までの時間間隔が異な
り、前記第1及び第2の補正用データの加重平均を取る
ことにより撮像データ取得時の前記時間t1 あたりの補
正量を求めることを特徴とする撮像データの補正方法で
もある。
【0011】また、前記撮像露光時間と略同時間の第2
の補正用データの取り込み時間を設定する工程と、前記
第2の補正用データ取り込み時間で該第2の補正用デー
タを取り込む工程と、を有することを特徴とする撮像デ
ータ補正方法でもある。
【0012】また、前記撮像露光が放射線による露光で
あることを特徴とする撮像データ補正方法でもある。
【0013】更にまた、本発明は、上記課題を解決する
ための手段として、固体撮像素子を用いた撮像装置にお
いて、実際に撮像データを取得するための撮像露光の直
前と直後に、第1の補正用データ及び第2の補正用デー
タを取得すべく制御する手段と、前記露光時間データを
取得する手段と、前記各データを記憶しておく手段と、
前記第1及び第2の補正用データと該補正用データの取
得時間と前記撮像露光時間とをパラメータとして、前記
撮像露光時間内の実補正量を演算する第1の演算手段
と、前記実補正量を用いて前記撮像データを補正すべく
演算する第2の演算手段と、を有することを特徴とする
撮像データ補正装置を提供するものである。
【0014】また、前記撮像露光時間と略同時間の第2
の補正用データ取り込み時間を設定する手段、を有する
ことを特徴とする撮像データ補正装置でもある。
【0015】また、前記撮像露光が放射線による露光で
あることを特徴とする撮像データ補正装置でもある。
【0016】[作用]本発明によれば、実際の撮影時の
直前と直後に補正用データを自動的に取得するため、撮
像を実際に行った条件と補正に使用するデータを取得し
た条件が、ほぼ同じであるため、撮像出力に含まれる誤
差を、ほぼ完全に補正することができ、これにより、高
S/Nの像情報を得られる撮像装置の撮像データ補正方
法及び補正装置を実現することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
[第1の実施例]以下、本発明の第1の実施例を図面に
基づいて詳細に説明する。
【0018】図1は、本発明の第1の実施例に係る撮像
データ補正方法を用いた撮像装置の全体システムブロッ
ク図である。本実施例では医療用放射線診断を目的とす
る放射線撮像装置が構成されている。
【0019】図1において、10はX線13をパルス状
に発する事ができるX線源であり、撮像制御手段30に
よりX線のパルスのオン、オフや、X線源内の管球の管
電圧、管電流が制御される。X線源10で発したX線1
3は、診断対象となる患者である被写体11を透過しX
線を可視光に変換するCsI,Gd22 S等で構成さ
れる蛍光体12に入射する。この時被写体11を透過す
るX線は、被写体11の内部の骨や内臓の大きさや形、
病巣の有無により透過量が異なり、それらの像情報が含
まれている。このX線13は蛍光体12により可視光に
変換され像情報光14として撮像手段として働く二次元
エリアセンサ20に入射する。
【0020】二次元エリアセンサ20は、二次元に配列
した複数の光電変換素子とそれらを駆動する駆動回路か
らなり、像情報光14を二次元情報を含む電気信号に変
換して出力する。二次元エリアセンサ20は撮像制御手
段30により蓄積時間や駆動スピードが制御される。二
次元エリアセンサ20の出力は補正回路80に入力され
る。
【0021】撮像制御手段30には、撮像条件を制御す
るために制御パネル32やフォトタイマ31の出力も入
力されている。制御パネル32は医師もしくは技術が患
者の症状、体格、年齢や、得たい情報を考慮し、撮像露
光のたびに最適な撮像出力が得られるように、条件をパ
ネル操作で入力し、電気信号に変換され撮像制御手段3
0に入力される。
【0022】フォトタイマ31は、被写体11と二次元
エリアセンサ20との間もしくはX線入射方向から見て
二次元エリアセンサ20の背面に設置され、撮像露光中
に被検体11の基準部分(たとえば肺野部)と透過する
X線量を検知し撮像制御手段30に入力される。
【0023】撮像制御手段30は、これら入力の撮像装
置の直前の値もしくは撮像露光中の値を基にX線源10
のX線パルス幅や二次元エリアセンサ20の蓄積時間・
駆動スピードを自動制御及び設定制御できる。またこの
とき撮像制御手段30が撮像露光時に使用する様設定し
た条件は条件記憶手段40に記憶できる。
【0024】この条件記憶手段40は、条件を記憶する
と同時に逆に記憶した条件を撮像制御手段30に入力す
ることも可能である。また条件記憶手段40は第1の演
算手段60とも接続されており、撮像露光時に撮像露光
時間を記憶しておき、撮像露光時の実補正量Cを推定す
るときのパラメータとして提供することができる。
【0025】図1中、80の破線内は補正回路であり、
撮像露光時に得られる出力は、スイッチ51を介し二次
元エリアセンサ20の出力記憶手段である第1、第2お
よび第3の記憶手段であるフレームメモリ52,53,
54に記録でき、補正データ取得時に得られる第1の補
正データAと第2の補正データBにより第1の演算手段
60で処理し、撮像露光時の実補正量Cを推定すること
ができる。
【0026】この推定された実補正量Cは、さらに第2
の演算手段61にて撮像データDから減算処理すること
で像出力情報Oとすることができる。この像出力情報O
は画像処理システム等に伝送される。
【0027】70はシステム制御回路であり、撮像露光
開始ボタン71が押されたことを検知し、撮像制御手段
30を介して、X線源10、二次元エリアセンサ20を
制御し、撮像露光や補正データ取得を行い、また、スイ
ッチ51、フレームメモリ52,53,54および演算
手段60及び61を制御し、補正回路80として動作さ
せる。
【0028】図2は、二次元エリアセンサ20の構成を
示す全体回路図であり、図3(a)(b)は、二次元エ
リアセンサ20中の一画素に相当する各構成素子の平面
図(a)、及び断面図(b)である。
【0029】図2において、S11〜S33は光電変換
素子であり、下部電極側をG、上部電極側をDで示して
いる。C11〜C33は蓄積用コンデンサ、T11〜T
33は転送用TFTである。Vsは読み出し用電源、V
gはリフレッシュ用電源であり、それぞれスイッチSW
s,SWgを介して全光電変換素子S11〜S33のG
電極に接続されている。スイッチSWsはインバータを
介して、スイッチSWgは直接にリフレッシュ制御回路
RFに接続されており、リフレッシュ期間はSWgがO
N、その他の期間はSWsがONするよう制御されてい
る。一画素は一個の光電変換素子とコンデンサ及びTF
Tで構成され、その信号出力は信号配線SIGにより検
出用集積回路ICに接続されている。本実施例の二次元
エリアセンサは計9個の画素を3つのブロックに分け1
ブロックあたり3画素の出力を同時に転送し、この信号
配線を通して検出用集積回路によって順次出力に変換さ
れ出力される。また1ブロック内の3画素を横方向に配
置し、3ブロックを順に縦に配置することにより各画素
を二次元的に配置している。
【0030】図2中破線で囲んだ部分は大面積の同一絶
縁基板上に形成されているが、このうち第1画素に相当
する部分の平面図を図3(a)に示す。
【0031】図3(a)において、S11は光電変換素
子、T11はTFT、C11はコンデンサ、及びSIG
は信号配線である。コンデンサC11は光電変換素子S
11とは特別に素子を分離しておらず、光電変換素子S
11の電極の面積を大きくすることによりコンデンサC
11を形成してもよい。
【0032】また、図3(a)中、破線A−Bで示した
部分の断面図を図3(b)に示す。
【0033】図3(b)において、画素上部にはパッシ
ベーション用窒化シリコン膜Sixy とCsI,Gd2
2 S等の蛍光体12が形成されている。上方より像
情報の含まれるX線13が入射すると蛍光体12により
像情報光14に変換され、この光が光電変換素子に入射
する。
【0034】ここで、本実施例で使用している光電変換
素子S11〜S33の動作について説明する。
【0035】図4(a)(b)は、それぞれ本実施例の
リフレッシュモード及び光電変換モードの動作を示す光
電変換素子のエネルギーバンド図であり、図3(b)の
各層の厚さ方向の状態を示している。
【0036】図4において、2はCrで形成された下部
電極(以下G電極と記す)である。7は電子、ホール共
に通過を阻止するSiNで形成された絶縁層であり、そ
の厚さはトンネル効果により電子、ホールが移動できな
いほどの厚さである500オングストローム以上に設定
される。4は水酸化アモルファスシリコンa−Siの真
性半導体I層で形成された光電変換半導体層、5は光電
変換半導体層4にホールの注入を阻止するa−Siのn
層の注入阻止層、6はAlで形成される上部電極(以下
D電極と記す)である。本実施例ではD電極はn層を完
全には覆っていないがD電極とn層との間は電子の移動
が自由に行われるため、D電極とn層の電位は常に同電
位であり、以下説明ではそれを前提としている。本光電
変換素子には、D電極、G電極の電圧の印加の仕方によ
りリフレッシュモードと光電変換モードという二つの動
作がある。
【0037】リフレッシュモード(a)において、D電
極はG電極に対して負の電位が与えられており、i層4
中の黒丸で示されたホールは電界によりD電極に導かれ
る。同時に白丸で示された電子はi層4に注入される。
このとき一部のホールと電子はn層5、i層4において
再結合して消滅する。十分に長い時間この状態が続けば
i層内4のホールはi層4から掃き出される。
【0038】この状態から光電変換モード(b)にする
には、D電極は、G電極に対して正の電位を与える。す
るとi層4中の電子は瞬時にD電極に導かれる。しかし
ホールはn層5が注入阻止層として働くためi層4に導
かれる事はない。この状態でi層4に光が入射すると、
光は吸収され電子・ホール対が発生する。この電子は電
界によりD電極に導かれ、ホールはi層4を移動し、i
層4と絶縁層7の界面に達する。しかし、絶縁層7内に
は移動できないため、i層4内に留まることになる。こ
のとき電子はD電極に移動し、ホールはi層4内の絶縁
層7界面に移動するため、素子内の電気的中性を保つた
めG電極から電流が流れる。この電流は光により発生し
た電子・ホール対に対応するため、入射した光に比例す
る。
【0039】ある期間、光電変換モード(b)を保った
後、再びリフレッシュモード(a)の状態になると、i
層4に留まっていたホールは前述のようにD電極に導か
れ、同時にこのホールに対応した電流が流れる。このホ
ールの量は光電変換モード期間に入射した光の総量に対
応する。この時i層4内に注入される電子の量に対応し
た電流も流れるが、この量はおよそ一定なため差し引い
て検出すればよい。つまり、本実施例においての光電変
換素子S11〜S33はリアルタイムに入射する光の量
を出力すると同時に、ある期間に入射した光の総量も出
力することができる。
【0040】しかしながら、何らかの理由により光電変
換モードの期間が長くなったり、入射する光の照度が強
い場合、Dのように光の入射があるにもかかわらず電流
が流れないことがある。これは、図4(c)のように、
i層4内にホールが多数留まり、このホールのためi層
4内の電界が小さくなり、発生した電子がD電極に導か
れなくなりi層4内のホールと再結合してしまうからで
ある。この状態で光の入射状態が変化すると、電流が不
安定に流れる事もあるが、再びリフレッシュモードにす
ればi層4内のホールは掃き出され次の光電変換モード
では再び光に比例した電流が得られる。
【0041】また、前述の説明において、リフレッシュ
モードでi層4内のホールを掃き出す場合、すべてのホ
ールを掃き出すのが理想であるが、一部のホールを掃き
出すだけでも効果はあり、前述と等しい電流が得られ、
問題はない。つまり、次の光電変換モードでの検出機会
において図4(c)の状態になっていなければよく、リ
フレッシュモードでのD電極のG電極に対する電位、リ
フレッシュモードの期間及びn層5の注入阻止層の特性
を決めればよい。また、さらにリフレッシュモードにお
いてi層4への電子の注入は必要条件ではなく、D電極
のG電極に対する電位は負に限定されるものでもない。
ホールが多数i層4に留まっている場合にはたとえD電
極のG電極に対する電位が正の電位であってもi層内の
電界はホールをD電極に導く方向に加わるからである。
n層5の注入阻止層の特性も同様に電子をi層4に注入
できることが必要条件ではない。
【0042】次に図1、図2及び図5、図6によって本
実施例の放射線像撮像装置の動作について説明する。前
述の説明のように本実施例においての光電変換素子は定
期的にリフレッシュすれば、光電変換モードにおいては
入射した光に比例した光電流を出力する光センサとして
動作する。
【0043】なお、図5は、本実施例の動作を示すタイ
ミングチャートであり、図2のシフトレジスタSR1の
出力g1〜g3,シフトレジスタSR2の出力s1〜s
3、RF出力、X線露光出力X13、信号出力OUTの
各パルスを示したものである。
【0044】また、図6は、本実施例の補正方法を説明
するための図であり、詳細は後述する。
【0045】まず、図1に示すように、医師又は技師
は、診断対象である患者等の被写体11を、X線源10
と二次元エリアセンサ20の間に置き、診断したい部位
が観察できるように被写体11にポーズさせる。同時に
前もって問診等で得た患者の症状、体格、年齢や得たい
情報を考慮し最適な撮像出力が得られるように条件を制
御パネル32に入力する。この信号は電気信号で撮像制
御手段30に伝送される。この状態で、医師または技師
が、撮像開始ボタン71を押すと撮像が開始される。
【0046】まず、システム制御回路70は、二次元エ
リアセンサ20をリフレッシュ動作させる。
【0047】ここで、図2のセンサの回路図と図5のタ
イミング図を参照しながら、リフレッシュ動作を説明す
る。まずシフトレジスタSRIおよびSR2により制御
配線g1〜g3、s1〜s2にHiが印加される。する
と転送用TFT:T11〜T33とスイッチM1〜M3
がONして導通し、全光電変換素子S11〜S33のD
電極はGND電位となる(積分検出器Ampの入力端子
はGND電位に設計されているため)。同時にリフレッ
シュ制御回路RFがHiを出力し、スイッチSWgがO
Nし全光電変換素子S11〜S33のG電極はリフレッ
シュモードとなりリフレッシュされる。
【0048】次に、リフレッシュ制御回路RFがLoを
出力しスイッチSWsがONし全光電変換素子S11〜
S33のG電極は読み取り用電源Vsにより負電位にな
る。すると全光電変換素子S11〜S33は光電変換モ
ードとなり同時にコンデンサC11〜C33は初期化さ
れる。この状態でシフトレジスタSR1及びSR2によ
り制御配線g1〜g3、s1〜s3にLoが印加され
る。すると転送用TFT:T11〜T33とスイッチM
1〜M3がOFFし、全光電変換素子S11〜S33の
D電極はDC的にはオープンになるが、コンデンサC1
1〜C13によって電位は保持される。しかしこの時点
ではX線は放射されていないため、全光電変換素子S1
1〜S33には光は入射されず電流は流れない。これで
リフレッシュ動作は終了する。
【0049】ここで、図1に示す、撮像制御手段30
は、制御パネル32からの情報を基に撮像露光時におけ
る撮像条件を決定する。撮像条件の内容は、X線源10
の管電圧、管電流およびX線パルスの最大パルス幅や二
次元エリアセンサ20の駆動スピードである。例えば、
制御パネル32で胸部が設定されていれば、X線源の管
球の電圧は高く、腹部の場合は低く条件を設定する。ま
た、制御パネル32で患者が子どもや妊婦が指示されて
いれば、フォトタイマ31による終了条件を短く設定
し、最大パルス幅も短く設定される。
【0050】さらに、システム制御回路70は、第1の
補正モードに入る。この第1の補正モードでは、X線源
10は動作させず、X線は放射しない。ただし、X線源
10を動かさなくとも、予め設定された所定の時間t1
を待ってから二次元エリアセンサ20は読み出し動作を
行う。この時間t1 は撮像制御手段30に記憶された固
定の時間であっても良いし制御パネル32から入力され
たX線の最大パルス幅に相当する時間であっても良い。
ここでは簡単のため、あらかじめ撮像制御手段30に記
憶された固定の時間であり、t1 <撮像露光時間として
図示するがこれに限定するものではない。
【0051】駆動スピードは、制御パネル32より入力
された諸条件から設定される。二次元エリアセンサ20
からのデータの読み出し方法については後述する。この
時の出力を補正データAとする。この補正データAは、
システム制御回路70によって制御されたスイッチ51
を介し第1の記憶手段であるフレームメモリ52に記憶
される。
【0052】この補正データAは、各画素のダーク時の
電流や、転送時の固定パターンノイズや二次元エリアセ
ンサ20の内部のアンプのオフセット電圧等を反映した
出力である。
【0053】続いて、システム制御回路70は、撮像モ
ードに入る。この撮像モードでは、先に撮像制御手段3
0により決定された撮像条件に従って撮像が行われる。
X線が放射され、被検体11を透過し蛍光体12に入射
すると光に変換され、その光がそれぞれの光電変換素子
S11〜S33に入射する。同時に被写体11と二次元
エリアセンサ20の間あるいは二次元エリアセンサ20
の背面に置かれたフォトタイマ31にも入射する。これ
ら光は人体等の内部構造の情報が含まれている。フォト
タイマ31の出力は随時撮像制御手段30に入力され、
この値の積分値が撮像条件で決められた一定値を超える
と撮像制御手段がX線の放射を止める。このとき、撮像
制御手段30ではこれら実際に放射されたX線パルス幅
を計測しており、撮像露光時間t2 として条件記憶手段
40に記憶する。
【0054】ある一定量、この光により流れた光電流は
電荷としてそれぞれのコンデンサC11〜C33に蓄積
され、X線の放射終了後も保持される。つぎに二次元エ
リアセンサ20は読み出し動作をする。図2及び図5に
示すように、シフトレジスタSR1により制御配線g1
にHiのパルスが印加され、シフトレジスタSR2の制
御配線s1〜s3への制御パルス印加によって転送用T
FT:T11〜T13、スイッチM1〜M3を通してv
1〜v3が順次出力される。同様にシフトレジスタSR
1,SR2の制御により他の光信号も出力される。これ
により人体等の内部構造の二次情報v1〜v9すなわち
撮像データD(図5参照)として得られる。この撮像デ
ータDは、A/D変換器を通してディジタルデータ化さ
れた後に、システム制御回路70によって制御されたス
イッチ51を介し第2の記憶手段であるフレームメモリ
53に記憶される。
【0055】さらに、システム制御回路70は、第2の
補正モードに入る。この第2の補正モードでも第1の補
正モードと同様にX線源10は動作させず、X線は放射
しない。ただし、X線源10を動かさなくとも、第1の
補正モードで用いた、予め設定された所定の時間t1
待ってから二次元エリアセンサ20は読み出し動作を行
う。読み出しは、撮影モードの説明で述べた読み出し方
法で行う。このときの出力を補正データBとする。この
補正データBは、システム制御回路70によって制御さ
れたスイッチ51を介し、第3の記憶手段であるフレー
ムメモリ54に記憶される。
【0056】この補正データBも、補正データAと同
様、各画素のダーク時の電流や、転送時の固定パターン
ノイズや二次元エリアセンサ20の内部のアンプのオフ
セット電圧等を反映した出力である。
【0057】ところで、本実施例で用いている二次元エ
リアセンサ20を構成している光電変換素子S11〜S
33の暗電流は、リフレッシュ動作からの時間の関数と
して指数的に減少することが分かっている。
【0058】図6(c)は、このような暗電流の状態を
説明するための図であり、ここでは簡単のため、図6
(c)に示すように、暗電流は、時間に対して線形に減
少するものとした。
【0059】このような状態で、図6(a)に示すよう
に、前述した第1、第2の補正データ及び撮像データを
取得すると、二次元エリアセンサ20上のある一画素の
出力は、図6(d)で示すようになる。出力は、各画素
の入射光強度、すなわち、これにより発生する光電流量
と、露光時間に比例するので、それぞれの四角形の面積
が出力される画素値を示すこととなる。
【0060】撮像前後に取得された第1及び第2の補正
データは、同一の蓄積時間t1 で取得されたものである
ので、第1の補正データ取得から撮像データ取得までと
撮像データ取得から第2の補正データ取得までの間隔T
1 とT2 が同じであったならば、両補正量の加算平均を
取る事で撮像データ取得時の時間t1 あたりの補正量が
推定される(図6(e)参照)。
【0061】さらに、撮像露光時に条件記憶手段40に
記憶しておいた撮像露光時間t2 を用いて時間t2 あた
りの補正量に換算することで、撮像露光時の実補正量が
推定される(図6(f)参照)。
【0062】推定された実補正量を第3の記憶手段であ
るフレームメモリ53に記憶された撮像データより減算
することで、各画素のダーク時の電流や、転送時の固定
パターンノイズや二次元エリアセンサ20の内部のアン
プのオフセット電圧等が補正された出力を得ることがで
きる。
【0063】なお、ここでは簡単のため単純な式で説明
したが、実際には良好な画像を得るため、さらに複雑な
演算(例えば、データの取得間隔T1 とT2 が異なる場
合に、両補正量に重み付けの係数を掛けた後に加算平均
する、すなわち加重平均をとる方法、あるいは、本実施
例では、加算平均すなわち、線形補間の概念を導入した
が、暗電流の指数的減少を考慮し、非線形補間の概念を
導入した演算)とすることが望ましい。
【0064】また、本実施例の二次元エリアセンサで
は、9個の画素を3×3に二次元配列し、3画素づつ同
時に、3回に分割して転送出力したが、これに限らず、
例えば縦横1mmあたり5×5の画素を2000×20
00個、二次元的に配置すれば、40cm×40cmの
二次元エリアセンサが得られ、医療用X線診断を目的と
する放射線撮像装置が構成できる。
【0065】[第2の実施例]本実施例では、第2の補
正用データの取得時間を、撮影露光時間と略同一時間に
制御して、補正用データを取得する。このための手段と
しては、第2の補正モード時に、X線源10は、動作さ
せずに、撮像モード時に条件記憶手段40に記憶された
撮像露光時間t2 を待ってから二次元エリアセンサ20
が読み出し動作を開始するように、撮像制御手段30
が、X線源10、二次元エリアセンサ20を駆動するこ
とによって、容易に実行可能である。
【0066】このように、第2の補正用データの取得時
間を撮像露光時間と略同一にすることにより、以下のよ
うな、補正方法を行なうことができる。
【0067】まず、第1の補正用データを、撮像露光時
に、条件記憶手段40に記憶しておいた撮像露光時間t
2 を用いて時間t2 あたりの補正量に換算する。第1の
補正用データの取り込み時間は、あらかじめ撮像制御手
段30に記憶された時間t1であるので、(時間t2
たりの第1の補正データ)=(第1の補正データ)×
(t2 /t1 )により推定される。
【0068】第1の補正データ取得から撮像データ取得
までと撮像データ取得から第2の補正データ取得までの
間隔T1 とT2 が同じであったならば、推定補正データ
と第2の補正データの加算平均を取ることで、撮像露光
時の実補正量が推定される。本実施例では、補正データ
の取得時間を撮像露光時間と同一時間とすることによ
り、より正確な補正が可能となる。
【0069】推定された実補正量を第3の記憶手段であ
るフレームメモリ53に記憶された撮像データより減算
することで、各画素のダーク時の電流や、転送時の固定
パターンノイズや二次元エリアセンサ20の内部のアン
プのオフセット電圧等が補正された出力を得ることがで
きる。
【0070】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
実際の撮影時の直前と直後に補正用データを自動的に取
得するため、撮像を実際に行った条件と補正に使用する
データを取得した条件が、ほぼ同じであるため、撮像出
力に含まれる誤差を、ほぼ完全に補正することができ、
これにより、高S/Nの像情報を得られる撮像装置の撮
像データ補正方法及び補正装置を実現することができ
る。
【0071】また、本発明によれば、撮像露光前に事前
に第1の補正用データを取り組む工程と、撮像露光を行
って撮像データを取り込む工程と、撮像露光による時間
を計測する工程と、第2の補正データを取り込む工程
と、第1及び第2の補正用データと撮像露光による時間
をパラメータとして、撮像露光時間内の実補正量を推定
する工程と、推定された実補正量を撮像データから減算
する工程とにより演算される撮像データ補正方法を用い
ることにより、撮像露光時の補正量の変動も考慮した補
正出力を得ることができ、高S/Nの像情報を得られる
撮像データ補正方法及び補正装置を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例におけるシステムブロッ
ク図である。
【図2】二次元エリアセンサの構成を示す回路図であ
る。
【図3】二次元エリアエンサ中の各構成素子の平面図
(a)、および断面図(b)である。
【図4】光電変換素子の各動作モードにおけるエネルギ
ーバンド図である。
【図5】本発明の第1の実施例の動作を示すタイミング
チャートである。
【図6】本発明の第1の実施例における補正方法の概要
を示す図である。
【符号の説明】
10 X線源 11 被写体 12 蛍光体 13 X線 20 二次元エリアセンサ 30 撮像制御手段 31 フォトタイマ 32 制御パネル 40 条件記憶手段 51 スイッチ 52〜54 フレームメモリ 60 第1の演算手段 61 第2の演算手段 70 システム制御回路 71 撮像露光開始ボタン 80 補正回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G06F 15/62 390A

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 固体撮像素子を用いた撮像方法におい
    て、 撮像露光直前に第1の補正用データを取り込む工程と、 前記撮像露光を行って撮像データを取り込む工程と、 前記撮像露光による露光時間を計測する工程と、 前記撮像露光直後に第2の補正用データを取り込む工程
    と、 前記第1及び第2の補正用データと、該補正用データの
    取り込み時間と、前記露光時間とをパラメータとして、
    前記撮像露光時間内の実補正量を演算する工程と、 前記演算された実補正量を用いて前記撮像データを演算
    して補正する工程と、を有することを特徴とする撮像デ
    ータ補正方法。
  2. 【請求項2】 前記撮像前後に取得された第1及び第2
    の補正用データは、同一の取り込み時間t1 で、露光を
    行なわずに取得されたものであり、 かつ前記第1の補正用データ取得から前記撮像データ取
    得までの時間間隔と前記撮像データ取得から前記第2の
    補正用データ取得までの時間間隔が実質的に同じであ
    り、 前記第1及び第2の補正用データの加算平均を取ること
    により撮像データ取得時の前記時間t1 あたりの補正量
    を求め、 さらに、上記補正用データの取り込み時間t1 と撮影露
    光時間t2 との比較から、前記時間t1 あたりの補正量
    を前記時間t2 あたりの補正量に換算することにより前
    記露光時の実補正量を求め、 前記実補正量を前記撮像データより減算することにより
    補正を行なうことを特徴とする請求項1記載の撮像デー
    タの補正方法。
  3. 【請求項3】 前記第1の補正用データ取得から前記撮
    像データ取得までの時間間隔と前記撮像データ取得から
    前記第2の補正用データ取得までの時間間隔が異なり、 前記第1及び第2の補正用データの加重平均を取ること
    により撮像データ取得時の前記時間t1 あたりの補正量
    を求めることを特徴とする請求項2記載の撮像データの
    補正方法。
  4. 【請求項4】 前記撮像露光時間と略同時間の第2の補
    正用データの取り込み時間を設定する工程と、 前記第2の補正用データ取り込み時間で該第2の補正用
    データを取り込む工程と、を有することを特徴とする請
    求項1記載の撮像データ補正方法。
  5. 【請求項5】 前記撮像露光が放射線による露光である
    ことを特徴とする請求項1に記載の撮像データ補正方
    法。
  6. 【請求項6】 固体撮像素子を用いた撮像装置におい
    て、 実際に撮像データを取得するための撮像露光の直前と直
    後に、第1の補正用データ及び第2の補正用データを取
    得すべく制御する手段と、 前記露光時間データを取得する手段と、 前記各データを記憶しておく手段と、 前記第1及び第2の補正用データと該補正用データの取
    得時間と前記撮像露光時間とをパラメータとして、前記
    撮像露光時間内の実補正量を演算する第1の演算手段
    と、 前記実補正量を用いて前記撮像データを補正すべく演算
    する第2の演算手段と、を有することを特徴とする撮像
    データ補正装置。
  7. 【請求項7】 前記撮像露光時間と略同時間の第2の補
    正用データ取り込み時間を設定する手段、を有すること
    を特徴とする請求項6記載の撮像データ補正装置。
  8. 【請求項8】 前記撮像露光が放射線による露光である
    ことを特徴とする請求項6記載の撮像データ補正装置。
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