JPH10206501A - 半導体集積回路装置およびそのテスト方法 - Google Patents

半導体集積回路装置およびそのテスト方法

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JPH10206501A
JPH10206501A JP9008495A JP849597A JPH10206501A JP H10206501 A JPH10206501 A JP H10206501A JP 9008495 A JP9008495 A JP 9008495A JP 849597 A JP849597 A JP 849597A JP H10206501 A JPH10206501 A JP H10206501A
Authority
JP
Japan
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address
rom
data
mode
test
Prior art date
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Pending
Application number
JP9008495A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsushi Kawabe
厚志 河辺
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP9008495A priority Critical patent/JPH10206501A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体集積回路装置において、通常モードで
使用する内蔵ROMに書かれた命令による動作テストを
実施可能とし、チップ面積の縮小を図る。 【解決手段】 内蔵ROM2と、内蔵ROM2のアドレ
スデータを格納したプログラムカウンタ5と、外部入力
端子6から入力されるデータを格納するレジスタ6と、
アドレスデコーダ3と、通常・テストモードを判別可能
なモード信号を入力し、通常モード時にはプログラムカ
ウンタ5に格納されたアドレスデータをアドレスデコー
ダ3へアドレス信号として出力し、テストモード時には
レジスタ7に格納されたデータをアドレスデコーダ3へ
アドレス信号として出力する選択回路4とを備えてい
る。テストモード時に、予めレジスタ7に格納されたデ
ータをアドレスデコーダ3へ入力することにより、内蔵
ROM2に記憶した命令を実行できる。テストROMを
必要としないため、チップ面積を縮小できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、内蔵ROM上の任
意の命令を実行する半導体集積回路装置およびそのテス
ト方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、マイクロコンピュータの命令
テストを行う際には、各命令を羅列したデータが書き込
まれたテスト用ROMを用いて行っている。図2は従来
の半導体集積回路装置の構成を示すブロック図である。
図2において、101はマイクロコンピュータを構成す
る半導体集積回路装置、102は内蔵ROM、103は
テストROM、104は内蔵ROM102およびテスト
ROM103のアドレスデコーダ、105はテストモー
ド時にアドレス信号を変換する変換回路、106はプロ
グラムカウンタ、107はROMデータバス、108は
通常モードおよびテストモードを判別可能なモード信号
を入力するモード端子である。
【0003】この従来の半導体集積回路装置101で
は、通常モードで使用する内蔵ROM102とは別に、
テストモードで使用するテストROM103を備えてい
た。モード端子108から入力されるモード信号によ
り、変換回路105は、通常モードでは、プログラムカ
ウンタ106の出力データをそのまま内蔵ROM102
のアドレスとしてアドレスデコーダ104に入力し、ま
た、テストモードでは、プログラムカウンタ106の出
力データをテストROM103のアドレスに変換してア
ドレスデコーダ104に入力する。したがって、通常モ
ードでは、内蔵ROM102のデータを読み出し、RO
Mデータバス107にデータが出力され、テストモード
では、テストROM103のデータを読み出し、ROM
データバス107にデータが出力される仕組みになって
いる。テストモードでは、テストROM103に書かれ
た命令を順次行うことによって各命令の動作テストをし
ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体集積回路装置およびそのテスト方法では、テ
ストROM103は通常モードで使用する内蔵ROM1
02とは別空間にあるので、本来使用するはずの内蔵R
OM102の命令による動作はテストされていないとい
う問題があり、また、テストROM103が存在する分
だけチップ面積が大きくなってしまうという問題があっ
た。
【0005】本発明は、上記従来の問題を解決するもの
で、通常モードで使用する内蔵ROMに書かれた命令に
よる動作テストを実施でき、チップ面積を縮小すること
のできる半導体集積回路装置およびそのテスト方法を提
供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の半導体集
積回路装置は、命令を記憶した内蔵ROMと、内蔵RO
Mのアドレスデータを格納したプログラムカウンタと、
外部入力端子から入力されるデータを格納するレジスタ
と、内蔵ROMのアドレスデコーダと、通常モードおよ
びテストモードを判別可能なモード信号を入力し、通常
モード時にはプログラムカウンタに格納されたアドレス
データをアドレスデコーダへアドレス信号として出力
し、テストモード時にはレジスタに格納されたデータを
アドレスデコーダへアドレス信号として出力する選択回
路とを備えている。
【0007】この構成によれば、テストモード時に、外
部入力端子から入力されレジスタに格納されたデータ
を、選択回路がアドレスデコーダへアドレス信号として
出力することにより、内蔵ROMに記憶した命令を実行
させることができる。また、従来必要であったテストR
OMが不要となるため、チップ面積を縮小することがで
きる。
【0008】請求項2記載の半導体集積回路装置のテス
ト方法は、外部入力端子からデータを入力し、このデー
タを、テストモード時に、命令を記憶した内蔵ROMの
アドレスデータとして使用することを特徴とする。この
テスト方法によれば、外部入力端子から入力されたデー
タを内蔵ROMのアドレスデータとして使用することに
より、テストモード時に、内蔵ROMに記憶した命令を
実行させることができる。また、従来必要であったテス
トROMが不要となるため、半導体集積回路装置のチッ
プ面積を縮小することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。図1は本発明の実施
の形態における半導体集積回路装置の構成を示すブロッ
ク図である。図1において、1は半導体集積回路装置、
2は内蔵ROM、3は内蔵ROM2のアドレスデコー
ダ、4はアドレスデコーダ3に入力するアドレス信号を
選択する選択回路、5はプログラムカウンタ、6は外部
からアドレスとして用いるデータを入力する際の外部入
力端子、7は外部入力端子6から入力されたデータを格
納するレジスタ、8,10,11はアドレスバス、9は
通常モードおよびテストモードを判別可能なモード信号
を入力するモード端子、12はROMデータバスであ
る。
【0010】この実施の形態における半導体集積回路装
置1は、命令を記憶した内蔵ROM2と、内蔵ROM2
のアドレスデータを格納したプログラムカウンタ5と、
外部入力端子6から入力されるデータを格納するレジス
タ6と、内蔵ROM2のアドレスデコーダ3と、通常モ
ードおよびテストモードを判別可能なモード信号を入力
し、通常モード時にはプログラムカウンタ5に格納され
たアドレスデータをアドレスデコーダ3へアドレス信号
として出力し、テストモード時にはレジスタ7に格納さ
れたデータをアドレスデコーダ3へアドレス信号として
出力する選択回路4とを備えている。
【0011】このように構成される半導体集積回路装置
1について、その動作およびテスト方法を、以下に説明
する。まず、ROMコードの書かれたファイルの中から
実行したい命令のコードを検索し、その命令の書かれて
いるアドレスのデータを外部入力端子6から入力する。
そのデータはクロックに同期してレジスタ7に格納され
る。
【0012】アドレスバス8からアドレスデコーダ3に
入力される信号は、選択回路4内でモード端子9から入
力されたモード信号によって選択される。すなわち、通
常モード時には、プログラムカウンタ5からアドレスバ
ス10に出力される信号が、選択回路4で選択されてア
ドレスデコーダ3に入力され、テストモード時には、ア
ドレスバス10から選択回路4に入力されるレジスタ7
に格納されたデータの信号が、選択回路4で選択されて
アドレスデコーダ3に入力される。したがって、通常モ
ード時もテストモード時も、アドレスデコーダ3に入力
されたアドレスに書かれたデータを内蔵ROM2から読
み出してROMデータバス12に出力され、そのデータ
の命令が実行される。
【0013】以上のようにこの実施の形態によれば、テ
ストモード時に、外部入力端子6から入力されレジスタ
7に格納されたデータを、選択回路4がアドレスデコー
ダ3へアドレス信号として出力することにより、内蔵R
OM2に記憶した命令を実行させることができ、外部入
力端子6からレジスタ7に入力するデータを任意の値に
設定することによって、内蔵ROM2上の任意の命令を
実行することが可能となる。また、内蔵ROM2上の任
意のアドレスから動作させることが可能なので、半導体
集積回路装置1の動作解析が容易になる。また、従来必
要であったテストROMが不要となるため、チップ面積
を縮小することができる。
【0014】
【発明の効果】請求項1記載の半導体集積回路装置は、
命令を記憶した内蔵ROMと、内蔵ROMのアドレスデ
ータを格納したプログラムカウンタと、外部入力端子か
ら入力されるデータを格納するレジスタと、内蔵ROM
のアドレスデコーダと、通常モードおよびテストモード
を判別可能なモード信号を入力し、通常モード時にはプ
ログラムカウンタに格納されたアドレスデータをアドレ
スデコーダへアドレス信号として出力し、テストモード
時にはレジスタに格納されたデータをアドレスデコーダ
へアドレス信号として出力する選択回路とを備えてお
り、テストモード時に、外部入力端子から入力されレジ
スタに格納されたデータを、選択回路がアドレスデコー
ダへアドレス信号として出力することにより、内蔵RO
Mに記憶した命令を実行させることができる。また、外
部入力端子からレジスタに入力するデータを任意の値に
設定することによって、内蔵ROM上の任意の命令を実
行することができ、内蔵ROM上の任意のアドレスから
動作させることが可能なので、半導体集積回路装置の動
作解析が容易になる。また、従来必要であったテストR
OMが不要となるため、チップ面積を縮小することがで
きる。
【0015】請求項2記載の半導体集積回路装置のテス
ト方法は、外部入力端子から入力されたデータを内蔵R
OMのアドレスデータとして使用することにより、テス
トモード時に、内蔵ROMに記憶した命令を実行させる
ことができる。また、外部入力端子から入力するデータ
を任意の値に設定することによって、内蔵ROM上の任
意の命令を実行することができ、内蔵ROM上の任意の
アドレスから動作させることが可能なので、半導体集積
回路装置の動作解析が容易になる。また、従来必要であ
ったテストROMが不要となるため、半導体集積回路装
置のチップ面積を縮小することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態における半導体集積回路装
置の構成を示すブロック図。
【図2】従来の半導体集積回路装置の構成を示すブロッ
ク図。
【符号の説明】
1 半導体集積回路装置 2 内蔵ROM 3 アドレスデコーダ 4 選択回路 5 プログラムカウンタ 6 外部入力端子 7 レジスタ 8,10,11 アドレスバス 9 モード端子 12 ROMデータバス

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 命令を記憶した内蔵ROMと、 前記内蔵ROMのアドレスデータを格納したプログラム
    カウンタと、 外部入力端子から入力されるデータを格納するレジスタ
    と、 前記内蔵ROMのアドレスデコーダと、 通常モードおよびテストモードを判別可能なモード信号
    を入力し、通常モード時には前記プログラムカウンタに
    格納されたアドレスデータを前記アドレスデコーダへア
    ドレス信号として出力し、テストモード時には前記レジ
    スタに格納されたデータを前記アドレスデコーダへアド
    レス信号として出力する選択回路とを備えた半導体集積
    回路装置。
  2. 【請求項2】 外部入力端子からデータを入力し、この
    データを、テストモード時に、命令を記憶した内蔵RO
    Mのアドレスデータとして使用することを特徴とする半
    導体集積回路装置のテスト方法。
JP9008495A 1997-01-21 1997-01-21 半導体集積回路装置およびそのテスト方法 Pending JPH10206501A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004227762A (ja) * 2003-01-24 2004-08-12 Hynix Semiconductor Inc 不揮発性強誘電体メモリを利用したテストモード制御装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004227762A (ja) * 2003-01-24 2004-08-12 Hynix Semiconductor Inc 不揮発性強誘電体メモリを利用したテストモード制御装置

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