JPH10204048A - 芳香族シアノメチルアミンの製造方法 - Google Patents
芳香族シアノメチルアミンの製造方法Info
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- JPH10204048A JPH10204048A JP9015106A JP1510697A JPH10204048A JP H10204048 A JPH10204048 A JP H10204048A JP 9015106 A JP9015106 A JP 9015106A JP 1510697 A JP1510697 A JP 1510697A JP H10204048 A JPH10204048 A JP H10204048A
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- cyanomethylamine
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Abstract
(57)【要約】
【課題】 低い添加量のラネー触媒で芳香族ジニトリル
の２つのニトリル基の一方のみを水素化し、芳香族シア
ノメチルアミンを製造する方法において、低温低圧下の
反応で、芳香族ジニトリルを高転化率で反応させ、高収
率で製造する。 【解決手段】 溶媒中において水素雰囲気下で活性化さ
せたニッケルおよび／またはコバルトを含有するラネー
触媒を芳香族ジニトリルの０．１〜１０重量％存在させ
芳香族ジニトリルを水素還元することを特徴とする芳香
族シアノメチルアミンの製造方法。
の２つのニトリル基の一方のみを水素化し、芳香族シア
ノメチルアミンを製造する方法において、低温低圧下の
反応で、芳香族ジニトリルを高転化率で反応させ、高収
率で製造する。 【解決手段】 溶媒中において水素雰囲気下で活性化さ
せたニッケルおよび／またはコバルトを含有するラネー
触媒を芳香族ジニトリルの０．１〜１０重量％存在させ
芳香族ジニトリルを水素還元することを特徴とする芳香
族シアノメチルアミンの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、活性化させたニッ
ケルおよび／またはコバルトを含有するラネー触媒の存
在下、芳香族ジニトリルの一方のニトリル基のみを水素
還元させる芳香族シアノメチルアミンの製造方法に関す
る。
ケルおよび／またはコバルトを含有するラネー触媒の存
在下、芳香族ジニトリルの一方のニトリル基のみを水素
還元させる芳香族シアノメチルアミンの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】芳香族シアノメチルアミンは、医薬、農
薬、高分子添加剤その他有機化合物の原料、中間体とし
て有用な物質であり、例えば、ｍ−またはｐ−シアノベ
ンジルアミンを加水分解することにより、有用な対応す
るｍ−またはｐ−アミノメチル安息香酸を容易に得るこ
とができる。
薬、高分子添加剤その他有機化合物の原料、中間体とし
て有用な物質であり、例えば、ｍ−またはｐ−シアノベ
ンジルアミンを加水分解することにより、有用な対応す
るｍ−またはｐ−アミノメチル安息香酸を容易に得るこ
とができる。
【０００３】芳香族ジニトリルの２つのニトリル基の一
方のみに水素を添加し、芳香族シアノメチルアミンを得
る方法には、例えば特開昭４９−８５０４１号公報に記
載されている方法がある。この方法は触媒としてパラジ
ウムを担体に担持した触媒を使用するが、液体アンモニ
アおよび無機アルカリの添加が必須で、反応圧力も２０
０ｋｇ／ｃｍ2 と高圧である。また、特表平６−５０７
９０９号公報には、ラネーニッケル、ラネーコバルトを
触媒として用いた、脂肪族ジニトリルの一方のニトリル
基のみを水素化してアミノニトリルを製造する方法が示
されている。この方法では、芳香族ジニトリルに関する
記載はなく、脂肪族ジニトリルの転化率を上げると、ア
ミノニトリルへの選択性が低下するという欠点があっ
た。
方のみに水素を添加し、芳香族シアノメチルアミンを得
る方法には、例えば特開昭４９−８５０４１号公報に記
載されている方法がある。この方法は触媒としてパラジ
ウムを担体に担持した触媒を使用するが、液体アンモニ
アおよび無機アルカリの添加が必須で、反応圧力も２０
０ｋｇ／ｃｍ2 と高圧である。また、特表平６−５０７
９０９号公報には、ラネーニッケル、ラネーコバルトを
触媒として用いた、脂肪族ジニトリルの一方のニトリル
基のみを水素化してアミノニトリルを製造する方法が示
されている。この方法では、芳香族ジニトリルに関する
記載はなく、脂肪族ジニトリルの転化率を上げると、ア
ミノニトリルへの選択性が低下するという欠点があっ
た。
【０００４】特表平７−５０２０４０号公報において
は、２つ以上のニトリル基を有するニトリル化合物の部
分水素化によるアミノニトリルの製造方法が提案されて
いる。この方法は、ナトリウムメトキサイドなどのアル
カノラートで前処理したラネーニッケルを触媒として用
いている。しかし、この方法では実質的には溶媒の脱水
を行うことが必須であり、圧力も７０気圧と高圧で、し
かも、比較的高価で取扱いの不便なアルカノラートを使
用しなければならない。
は、２つ以上のニトリル基を有するニトリル化合物の部
分水素化によるアミノニトリルの製造方法が提案されて
いる。この方法は、ナトリウムメトキサイドなどのアル
カノラートで前処理したラネーニッケルを触媒として用
いている。しかし、この方法では実質的には溶媒の脱水
を行うことが必須であり、圧力も７０気圧と高圧で、し
かも、比較的高価で取扱いの不便なアルカノラートを使
用しなければならない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、芳香
族ジニトリルの２つのニトリル基の一方のみを水素化
し、芳香族シアノメチルアミンを製造する方法におい
て、できるだけ少ない触媒量で、かつ低温低圧下の反応
により、芳香族ジニトリルを高転化率で反応させ、しか
も高収率で芳香族シアノメチルアミンを製造することに
ある。
族ジニトリルの２つのニトリル基の一方のみを水素化
し、芳香族シアノメチルアミンを製造する方法におい
て、できるだけ少ない触媒量で、かつ低温低圧下の反応
により、芳香族ジニトリルを高転化率で反応させ、しか
も高収率で芳香族シアノメチルアミンを製造することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ニッケル
および／またはコバルトを含有するラネー触媒をそのま
ま用い、反応温度、水素圧力、溶媒、反応時間、触媒添
加量を種々選択して芳香族ジニトリルの水素添加反応を
試みた。しかし、触媒の添加量が少ない範囲では、反応
物である芳香族ジニトリルの転化率は低く、十分な収率
で芳香族シアノメチルアミンを得ることができなかっ
た。また、触媒の添加量を増やすに従い、転化率は向上
するが、同時に、その２個のニトリル基がともに水素化
されたジアミンの生成が増加するため、芳香族シアノメ
チルアミンの収率はほとんど増加しなかった。従って、
ニッケルおよび／またはコバルトを含有するラネー触媒
をそのまま使用しても、芳香族ジニトリルを高転化率で
反応させ、高収率で芳香族シアノメチルアミンを製造す
ることは困難であった。そこで本発明者らは、芳香族ジ
ニトリルを高転化率で反応させ、高収率で芳香族シアノ
メチルアミンを製造する触媒を見出すべく、鋭意研究を
行った結果、触媒を活性化することが有効であることを
見出し、本発明を完成するに至った。
および／またはコバルトを含有するラネー触媒をそのま
ま用い、反応温度、水素圧力、溶媒、反応時間、触媒添
加量を種々選択して芳香族ジニトリルの水素添加反応を
試みた。しかし、触媒の添加量が少ない範囲では、反応
物である芳香族ジニトリルの転化率は低く、十分な収率
で芳香族シアノメチルアミンを得ることができなかっ
た。また、触媒の添加量を増やすに従い、転化率は向上
するが、同時に、その２個のニトリル基がともに水素化
されたジアミンの生成が増加するため、芳香族シアノメ
チルアミンの収率はほとんど増加しなかった。従って、
ニッケルおよび／またはコバルトを含有するラネー触媒
をそのまま使用しても、芳香族ジニトリルを高転化率で
反応させ、高収率で芳香族シアノメチルアミンを製造す
ることは困難であった。そこで本発明者らは、芳香族ジ
ニトリルを高転化率で反応させ、高収率で芳香族シアノ
メチルアミンを製造する触媒を見出すべく、鋭意研究を
行った結果、触媒を活性化することが有効であることを
見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】すなわち、本発明は以下の発明に関するも
のである。 （１）溶媒中において水素雰囲気下で活性化させたニッ
ケルおよび／またはコバルトを含有するラネー触媒を芳
香族ジニトリルの０．１〜１０重量％存在させ芳香族ジ
ニトリルを水素還元することを特徴とする芳香族シアノ
メチルアミンの製造方法。 （２）溶媒中において水素雰囲気下で活性化させたニッ
ケルおよび／またはコバルトを含有するラネー触媒を芳
香族ジニトリルの０．５〜５重量％存在させ芳香族ジニ
トリルを水素還元することを特徴とする芳香族シアノメ
チルアミンの製造方法。 （３）温度が室温〜２００℃で水素の分圧が０．１〜５
０ｋｇ／ｃｍ2 で活性化を行う上記１または２の製造方
法。 （４）ラネー触媒がラネーニッケルまたは変性ラネーニ
ッケルである上記１〜３の製造方法。 （５）溶媒がアルコールを含む溶媒である上記１〜４の
製造方法。 （６）溶媒がメタノールである上記１〜５の製造方法。 （７）芳香族ジニトリルがフタロニトリル、イソフタロ
ニトリルまたはテレフタロニトリルである上記１〜６の
製造方法。
のである。 （１）溶媒中において水素雰囲気下で活性化させたニッ
ケルおよび／またはコバルトを含有するラネー触媒を芳
香族ジニトリルの０．１〜１０重量％存在させ芳香族ジ
ニトリルを水素還元することを特徴とする芳香族シアノ
メチルアミンの製造方法。 （２）溶媒中において水素雰囲気下で活性化させたニッ
ケルおよび／またはコバルトを含有するラネー触媒を芳
香族ジニトリルの０．５〜５重量％存在させ芳香族ジニ
トリルを水素還元することを特徴とする芳香族シアノメ
チルアミンの製造方法。 （３）温度が室温〜２００℃で水素の分圧が０．１〜５
０ｋｇ／ｃｍ2 で活性化を行う上記１または２の製造方
法。 （４）ラネー触媒がラネーニッケルまたは変性ラネーニ
ッケルである上記１〜３の製造方法。 （５）溶媒がアルコールを含む溶媒である上記１〜４の
製造方法。 （６）溶媒がメタノールである上記１〜５の製造方法。 （７）芳香族ジニトリルがフタロニトリル、イソフタロ
ニトリルまたはテレフタロニトリルである上記１〜６の
製造方法。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明を詳細に説明す
る。本発明は、芳香族ジニトリルから芳香族シアノメチ
ルアミンを製造する水素化（水素添加）反応を活性化さ
せたラネー触媒を一定量存在させ実施するものである。
本発明において、活性化させる「ラネー触媒」とは、ア
ルカリまたは酸に不溶な金属、例えばニッケルおよび／
またはコバルトと、アルミニウム、シリコン、亜鉛、マ
グネシウムなどのようなアルカリまたは酸に可溶な金属
との合金から、アルカリまたは酸に可溶な金属をアルカ
リまたは酸で溶出させて得られる多孔性金属触媒であ
る。
る。本発明は、芳香族ジニトリルから芳香族シアノメチ
ルアミンを製造する水素化（水素添加）反応を活性化さ
せたラネー触媒を一定量存在させ実施するものである。
本発明において、活性化させる「ラネー触媒」とは、ア
ルカリまたは酸に不溶な金属、例えばニッケルおよび／
またはコバルトと、アルミニウム、シリコン、亜鉛、マ
グネシウムなどのようなアルカリまたは酸に可溶な金属
との合金から、アルカリまたは酸に可溶な金属をアルカ
リまたは酸で溶出させて得られる多孔性金属触媒であ
る。
【０００９】本発明では、ニッケル含有のラネー触媒が
好ましく使用される。ニッケル、コバルト以外の金属ま
たは金属酸化物の存在により改質された、変性ラネー触
媒も用いることができる。例えば、鉄および／またはク
ロムにより改質された変性ラネーニッケルが挙げられ
る。触媒の活性化は上記のラネー触媒を溶媒中において
水素雰囲気下で処理することにより行われる。この場合
の水素の分圧は０．１〜５０ｋｇ／ｃｍ2 であり、温度
は室温〜２００℃である。分圧が０．１ｋｇ／ｃｍ2 未
満の場合や温度が室温以下の場合は活性化の効果は低
く、分圧が５０ｋｇ／ｃｍ2 を超えた場合や温度が２０
０℃を超えた場合は、芳香族ジニトリルの２個のニトリ
ル基がともに水素化されたジアミンが多く生成したり、
触媒の活性が失われたりするため、芳香族シアノメチル
アミンの収率が低下する傾向があり好ましくない。
好ましく使用される。ニッケル、コバルト以外の金属ま
たは金属酸化物の存在により改質された、変性ラネー触
媒も用いることができる。例えば、鉄および／またはク
ロムにより改質された変性ラネーニッケルが挙げられ
る。触媒の活性化は上記のラネー触媒を溶媒中において
水素雰囲気下で処理することにより行われる。この場合
の水素の分圧は０．１〜５０ｋｇ／ｃｍ2 であり、温度
は室温〜２００℃である。分圧が０．１ｋｇ／ｃｍ2 未
満の場合や温度が室温以下の場合は活性化の効果は低
く、分圧が５０ｋｇ／ｃｍ2 を超えた場合や温度が２０
０℃を超えた場合は、芳香族ジニトリルの２個のニトリ
ル基がともに水素化されたジアミンが多く生成したり、
触媒の活性が失われたりするため、芳香族シアノメチル
アミンの収率が低下する傾向があり好ましくない。
【００１０】活性化に使用される溶媒としては、例えば
アルコール系溶媒、脂肪族及び脂環式炭化水素のエーテ
ル系溶媒、飽和脂肪族及び脂環式炭化水素系溶媒、水で
あり、これらの溶媒は単独で使用することもできるし、
これらのいずれかを含む混合溶媒として使用することも
可能である。好ましい溶媒はアルコール系溶媒を含む溶
媒である。特に好ましくは、メタノールである。溶媒の
使用量については特に制限はないが、触媒１重量部に対
して１〜１０００重量部の範囲であり、好ましくは２〜
５００重量部の範囲で実施される。
アルコール系溶媒、脂肪族及び脂環式炭化水素のエーテ
ル系溶媒、飽和脂肪族及び脂環式炭化水素系溶媒、水で
あり、これらの溶媒は単独で使用することもできるし、
これらのいずれかを含む混合溶媒として使用することも
可能である。好ましい溶媒はアルコール系溶媒を含む溶
媒である。特に好ましくは、メタノールである。溶媒の
使用量については特に制限はないが、触媒１重量部に対
して１〜１０００重量部の範囲であり、好ましくは２〜
５００重量部の範囲で実施される。
【００１１】活性化に要する時間は、圧力が高い場合は
短く、低い場合は長く必要であり、例えば圧力が５０ｋ
ｇ／ｃｍ2 では１０分程度、１ｋｇ／ｃｍ2 では数十時
間程度を要するが、水素還元反応の基質の種類、条件に
よっては異なることがある。本発明の活性化は反応の抑
制のため行うものではないので、触媒の活性化の段階に
おいては、無機アルカリなどの塩基は必ずしも添加する
必要はない。
短く、低い場合は長く必要であり、例えば圧力が５０ｋ
ｇ／ｃｍ2 では１０分程度、１ｋｇ／ｃｍ2 では数十時
間程度を要するが、水素還元反応の基質の種類、条件に
よっては異なることがある。本発明の活性化は反応の抑
制のため行うものではないので、触媒の活性化の段階に
おいては、無機アルカリなどの塩基は必ずしも添加する
必要はない。
【００１２】次に本発明ににおける水素還元（水素化）
反応について説明する。反応時に添加される本発明の
（活性化させた）触媒の量は、水素化する芳香族ジニト
リルの０．１〜１０重量％、好ましくは０．５〜５重量
％である。この量未満では反応速度が著しく遅く、この
量を超えると、水素化される芳香族ジニトリルの、２個
のニトリル基がともに水素化されたジアミンが多く生成
する傾向にある。本発明の方法で水素化反応時に使用さ
れる溶媒の好ましい例を挙げると、アルコール系溶媒、
脂肪族及び脂環式炭化水素のエーテル溶媒、飽和脂肪族
及び脂環式炭化水素溶媒である。水素化反応溶媒は触媒
の活性化に使用する溶媒と必ずしも同一である必要はな
いが、触媒の活性化と反応とを同一の溶媒で実施するこ
とは、溶媒の置換が不要であるという意味では利点が多
い。これらの溶媒は、単独で使用することもできるし、
これらのいずれかを含む混合溶媒として使用することも
可能である。好ましい溶媒はアルコール系溶媒を含む溶
媒である。特に好ましくは、メタノールである。溶媒の
使用量は被水素化物１重量部に対して１〜３０重量部の
範囲、好ましくは１．５〜１０重量部の範囲で実施され
る。
反応について説明する。反応時に添加される本発明の
（活性化させた）触媒の量は、水素化する芳香族ジニト
リルの０．１〜１０重量％、好ましくは０．５〜５重量
％である。この量未満では反応速度が著しく遅く、この
量を超えると、水素化される芳香族ジニトリルの、２個
のニトリル基がともに水素化されたジアミンが多く生成
する傾向にある。本発明の方法で水素化反応時に使用さ
れる溶媒の好ましい例を挙げると、アルコール系溶媒、
脂肪族及び脂環式炭化水素のエーテル溶媒、飽和脂肪族
及び脂環式炭化水素溶媒である。水素化反応溶媒は触媒
の活性化に使用する溶媒と必ずしも同一である必要はな
いが、触媒の活性化と反応とを同一の溶媒で実施するこ
とは、溶媒の置換が不要であるという意味では利点が多
い。これらの溶媒は、単独で使用することもできるし、
これらのいずれかを含む混合溶媒として使用することも
可能である。好ましい溶媒はアルコール系溶媒を含む溶
媒である。特に好ましくは、メタノールである。溶媒の
使用量は被水素化物１重量部に対して１〜３０重量部の
範囲、好ましくは１．５〜１０重量部の範囲で実施され
る。
【００１３】本発明の水素化反応において、副反応を抑
えて選択性を向上させるために無機アルカリ、例えばア
ルカリ金属の水酸化物、もしくは炭酸塩、またはアルカ
リ土類金属の水酸化物、もしくは炭酸塩、あるいはアン
モニアを水素化反応時に添加することができる。本発明
の水素化反応は、室温から２００℃、好ましくは５０〜
１３０℃の範囲で行うことができる。室温未満では十分
な水素化反応の速度が得られず、２００℃を超える温度
条件でおこなっても反応速度や収率、選択性に顕著な優
位性が認められない。水素化反応の圧力は水素分圧で１
〜１００ｋｇ／ｃｍ2 、好ましくは２〜３０ｋｇ／ｃｍ
2 の範囲が適当である。本反応に使用される水素ガス
は、必ずしも高純度である必要はなく、水素化反応に格
別の影響を与えない不活性ガスなどを含有していてもよ
い。
えて選択性を向上させるために無機アルカリ、例えばア
ルカリ金属の水酸化物、もしくは炭酸塩、またはアルカ
リ土類金属の水酸化物、もしくは炭酸塩、あるいはアン
モニアを水素化反応時に添加することができる。本発明
の水素化反応は、室温から２００℃、好ましくは５０〜
１３０℃の範囲で行うことができる。室温未満では十分
な水素化反応の速度が得られず、２００℃を超える温度
条件でおこなっても反応速度や収率、選択性に顕著な優
位性が認められない。水素化反応の圧力は水素分圧で１
〜１００ｋｇ／ｃｍ2 、好ましくは２〜３０ｋｇ／ｃｍ
2 の範囲が適当である。本反応に使用される水素ガス
は、必ずしも高純度である必要はなく、水素化反応に格
別の影響を与えない不活性ガスなどを含有していてもよ
い。
【００１４】本発明に使用される芳香族ジニトリルは、
芳香族環にニトリル基が２個置換しているものを指す。
例えばフタロニトリル、イソフタロニトリル、テレフタ
ロニトリル、１，３−ジシアノナフタレン、１，４−ジ
シアノナフタレン、１，５−ジシアノナフタレン、１，
６−ジシアノナフタレン、２，３−ジシアノナフタレ
ン、２，６−ジシアノナフタレン、２，７−ジシアノナ
フタレンなどのようなニトリル基のみが芳香族環に置換
している化合物が望ましく、中でもフタロニトリル、イ
ソフタロニトリル、テレフタロニトリルが特に好まし
い。また、ニトリル基の他に、さらにフッ素、塩素など
のハロゲン原子、メチル基、エチル基等のアルキル基ま
たはメトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基が置換
している化合物、例えば、２−クロロテレフタロニトリ
ル、２−クロロ−４−メチルイソフタロニトリルなども
使用することができる。水素化反応は水素が理論量を前
後した段階で終了させることが好ましい。
芳香族環にニトリル基が２個置換しているものを指す。
例えばフタロニトリル、イソフタロニトリル、テレフタ
ロニトリル、１，３−ジシアノナフタレン、１，４−ジ
シアノナフタレン、１，５−ジシアノナフタレン、１，
６−ジシアノナフタレン、２，３−ジシアノナフタレ
ン、２，６−ジシアノナフタレン、２，７−ジシアノナ
フタレンなどのようなニトリル基のみが芳香族環に置換
している化合物が望ましく、中でもフタロニトリル、イ
ソフタロニトリル、テレフタロニトリルが特に好まし
い。また、ニトリル基の他に、さらにフッ素、塩素など
のハロゲン原子、メチル基、エチル基等のアルキル基ま
たはメトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基が置換
している化合物、例えば、２−クロロテレフタロニトリ
ル、２−クロロ−４−メチルイソフタロニトリルなども
使用することができる。水素化反応は水素が理論量を前
後した段階で終了させることが好ましい。
【００１５】
実施例１ 触媒の活性化 ５００ｍｌオートクレーブに１８０ｍｌのメタノール、
２．０ｇのラネーニッケル触媒Ｒ−２４００（Ｗ．Ｒ．
グレース社製）を仕込み、室温で水素圧を５Ｋｇ／ｃｍ
2 （ゲージ圧。以下同じ）とした。オートクレーブの攪
拌、加熱を開始、温度を１００℃として２時間保った。
この間の最大圧力は９ｋｇ／ｃｍ2 であった。室温まで
冷却後、触媒を沈降させ、触媒を回収した。 水素化反応 ５００ｍｌオートクレーブに１８０ｍｌのメタノール、
上記の活性化させたラネーニッケル触媒１．０ｇ、５０
ｇのテレフタロニトリル、０．２ｇの水酸化ナトリウム
を加え、常温で水素圧を１０ｋｇ／ｃｍ2 とした。オー
トクレーブの攪拌、加熱を開始、水素化反応を開始し
た。温度を１００℃とし、水素流量を監視しながら、水
素吸収量が理論値の１０５％になったところで反応を終
了した。室温まで冷却後、触媒を濾過し、得られた反応
液をガスクロマトグラフィー内部標準法で分析したとこ
ろ、テレフタロニトリルの転化率は９９％以上であり、
ｐ−シアノベンジルアミンの収率は８０％、ｐ−キシリ
レンジアミンの収率は５％であった。
２．０ｇのラネーニッケル触媒Ｒ−２４００（Ｗ．Ｒ．
グレース社製）を仕込み、室温で水素圧を５Ｋｇ／ｃｍ
2 （ゲージ圧。以下同じ）とした。オートクレーブの攪
拌、加熱を開始、温度を１００℃として２時間保った。
この間の最大圧力は９ｋｇ／ｃｍ2 であった。室温まで
冷却後、触媒を沈降させ、触媒を回収した。 水素化反応 ５００ｍｌオートクレーブに１８０ｍｌのメタノール、
上記の活性化させたラネーニッケル触媒１．０ｇ、５０
ｇのテレフタロニトリル、０．２ｇの水酸化ナトリウム
を加え、常温で水素圧を１０ｋｇ／ｃｍ2 とした。オー
トクレーブの攪拌、加熱を開始、水素化反応を開始し
た。温度を１００℃とし、水素流量を監視しながら、水
素吸収量が理論値の１０５％になったところで反応を終
了した。室温まで冷却後、触媒を濾過し、得られた反応
液をガスクロマトグラフィー内部標準法で分析したとこ
ろ、テレフタロニトリルの転化率は９９％以上であり、
ｐ−シアノベンジルアミンの収率は８０％、ｐ−キシリ
レンジアミンの収率は５％であった。
【００１６】実施例２ 触媒の活性化 メタノールをエタノールにかえた以外は実施例１と同様
の条件で活性化した。 水素化反応 実施例１と同様の条件で反応を行い、室温まで冷却後、
触媒を濾過し、得られた反応液をガスクロマトグラフィ
ー内部標準法で分析したところ、テレフタロニトリルの
転化率は９９％以上であり、ｐ−シアノベンジルアミン
の収率は７７％、ｐ−キシリレンジアミンの収率は５％
であった。
の条件で活性化した。 水素化反応 実施例１と同様の条件で反応を行い、室温まで冷却後、
触媒を濾過し、得られた反応液をガスクロマトグラフィ
ー内部標準法で分析したところ、テレフタロニトリルの
転化率は９９％以上であり、ｐ−シアノベンジルアミン
の収率は７７％、ｐ−キシリレンジアミンの収率は５％
であった。
【００１７】実施例３ 触媒の活性化 実施例１と同様の条件で実施した。 水素化反応 テレフタロニトリルをイソフタロニトリルにかえた以外
は実施例１と同様の条件で反応を行い、室温まで冷却
後、触媒を濾過し、得られた反応液をガスクロマトグラ
フィー内部標準法で分析したところ、イソフタロニトリ
ルの転化率は９９％以上であり、ｍ−シアノベンジルア
ミンの収率は８２％、ｍ−キシリレンジアミンの収率は
６％であった。
は実施例１と同様の条件で反応を行い、室温まで冷却
後、触媒を濾過し、得られた反応液をガスクロマトグラ
フィー内部標準法で分析したところ、イソフタロニトリ
ルの転化率は９９％以上であり、ｍ−シアノベンジルア
ミンの収率は８２％、ｍ−キシリレンジアミンの収率は
６％であった。
【００１８】比較例 ５００ｍｌオートクレーブに１８０ｍｌのメタノール、
１．０ｇのラネーニッケル触媒Ｒ−２４００（Ｗ．Ｒ．
グレース社製）、５０ｇのテレフタロニトリル、０．２
ｇの水酸化ナトリウムを加え、常温で水素圧を１０ｋｇ
／ｃｍ2 とした。オートクレーブの攪拌、加熱を開始、
水素化反応を開始した。温度を１００℃とし、水素流量
を監視しながら反応を進めたところ、水素吸収量が理論
値の８８％になったところで反応が進行しなくなった。
室温まで冷却後、反応液中には未反応のテレフタロトリ
ルが残存していた。これを触媒とともに濾過、得られた
反応液をガスクロマトグラフィー内部標準法で分析した
ところ、ｐ−シアノベンジルアミンの収率は４７％、ｐ
−キシリレンジアミンの収率は２％であった、濾過され
たテレフタロニトリルの重量とガスクロマトグラフィー
内部標準法による反応液の分析からテレフタロニトリル
の転化率は６８％であった。
１．０ｇのラネーニッケル触媒Ｒ−２４００（Ｗ．Ｒ．
グレース社製）、５０ｇのテレフタロニトリル、０．２
ｇの水酸化ナトリウムを加え、常温で水素圧を１０ｋｇ
／ｃｍ2 とした。オートクレーブの攪拌、加熱を開始、
水素化反応を開始した。温度を１００℃とし、水素流量
を監視しながら反応を進めたところ、水素吸収量が理論
値の８８％になったところで反応が進行しなくなった。
室温まで冷却後、反応液中には未反応のテレフタロトリ
ルが残存していた。これを触媒とともに濾過、得られた
反応液をガスクロマトグラフィー内部標準法で分析した
ところ、ｐ−シアノベンジルアミンの収率は４７％、ｐ
−キシリレンジアミンの収率は２％であった、濾過され
たテレフタロニトリルの重量とガスクロマトグラフィー
内部標準法による反応液の分析からテレフタロニトリル
の転化率は６８％であった。
【００１９】
【発明の効果】溶媒中において水素雰囲気下で活性化さ
せたニッケルおよび／またはコバルトを含有するラネー
触媒を芳香族ジニトリルの０．１〜１０重量％、好まし
くは０．５〜５重量％存在させ水素還元を行うことによ
り、低温低圧下で、芳香族ジニトリルを高転化率で反応
させ、その２個のニトリル基がともに水素化されたジア
ミンの生成を抑え、高収率で芳香族シアノメチルアミン
を製造することができる。
せたニッケルおよび／またはコバルトを含有するラネー
触媒を芳香族ジニトリルの０．１〜１０重量％、好まし
くは０．５〜５重量％存在させ水素還元を行うことによ
り、低温低圧下で、芳香族ジニトリルを高転化率で反応
させ、その２個のニトリル基がともに水素化されたジア
ミンの生成を抑え、高収率で芳香族シアノメチルアミン
を製造することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森川 宏平 神奈川県川崎市川崎区扇町５番１号 昭和 電工株式会社化学品研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】 溶媒中において水素雰囲気下で活性化さ
せたニッケルおよび／またはコバルトを含有するラネー
触媒を芳香族ジニトリルの０．１〜１０重量％存在させ
芳香族ジニトリルを水素還元することを特徴とする芳香
族シアノメチルアミンの製造方法。 - 【請求項２】 溶媒中において水素雰囲気下で活性化さ
せたニッケルおよび／またはコバルトを含有するラネー
触媒を芳香族ジニトリルの０．５〜５重量％存在させ芳
香族ジニトリルを水素還元することを特徴とする芳香族
シアノメチルアミンの製造方法。 - 【請求項３】 温度が室温〜２００℃で水素の分圧が
０．１〜５０ｋｇ／ｃｍ2 で活性化を行う請求項１また
は２記載の製造方法。 - 【請求項４】 ラネー触媒がラネーニッケルまたは変性
ラネーニッケルである請求項１〜３記載の製造方法。 - 【請求項５】 溶媒がアルコールを含む溶媒である請求
項１〜４記載の製造方法。 - 【請求項６】 溶媒がメタノールである請求項１〜５記
載の製造方法。 - 【請求項７】 芳香族ジニトリルがフタロニトリル、イ
ソフタロニトリルまたはテレフタロニトリルである請求
項１〜６記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9015106A JPH10204048A (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | 芳香族シアノメチルアミンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9015106A JPH10204048A (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | 芳香族シアノメチルアミンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10204048A true JPH10204048A (ja) | 1998-08-04 |
Family
ID=11879593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9015106A Pending JPH10204048A (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | 芳香族シアノメチルアミンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10204048A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1449825A1 (en) * | 2003-02-20 | 2004-08-25 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | High-selective production method of di(aminomethyl)-substituted aromatic compound |
| JP2008063326A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-03-21 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 一級アミンの製造方法および一級アミン製造用触媒 |
-
1997
- 1997-01-29 JP JP9015106A patent/JPH10204048A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1449825A1 (en) * | 2003-02-20 | 2004-08-25 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | High-selective production method of di(aminomethyl)-substituted aromatic compound |
| US7179945B2 (en) | 2003-02-20 | 2007-02-20 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | High-selective production method of di(aminomethyl)-substituted aromatic compound |
| JP2008063326A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-03-21 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 一級アミンの製造方法および一級アミン製造用触媒 |
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