JPH1019929A

JPH1019929A - コンタクター及びその製造方法

Info

Publication number: JPH1019929A
Application number: JP17372296A
Authority: JP
Inventors: Morikazu Sakawa; 盛一坂輪; Noriaki Nakasaki; 範昭中崎; Kazuo Kato; 和男加藤
Original assignee: Denki Kagaku Kogyo KK
Current assignee: Denka Co Ltd
Priority date: 1996-07-03
Filing date: 1996-07-03
Publication date: 1998-01-23
Anticipated expiration: 2016-07-03
Also published as: JP3599485B2

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体集積回路の電気特性測定用コンタクタ
ー等に用いて、オーバードライブ量が大きくとれて、繰
り返しの座屈変形に十分に耐える、先端部の高さ及び平
面位置の精度が良好な接触探子を有するコンタクターと
それを製造する方法を提供する。【解決手段】針状単結晶を接触探子とするコンタクタ
ーであって、前記針状単結晶の座屈変形時の破壊強度が
３．５〜２１ＧＰａであることを特徴とするコンタクタ
ーである。また、針状単結晶体の表面に導電膜を施し接
触探子とするコンタクターの製造方法であって、前記導
電膜を施す前処理として、界面活性剤を含有するフッ化
アンモニウムとフッ酸との混合水溶液、その後硝酸とフ
ッ酸との混合水溶液で処理することを特徴とするコンタ
クターの製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
電気特性測定用コンタクター、微小真空デバイスや電子
銃、或いは走査型トンネル顕微鏡や原子力間顕微鏡をは
じめとする走査型プローブ顕微鏡のプローブ等に適用可
能な、座屈する力を加えられた時に接触探子が大きく変
形するので大きなオーバードライブ量が得られ、また高
さ及び平面位置精度が良好な針状単結晶を接触探子とす
るコンタクターとその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路は、不良品の除去を主目
的に、その製造過程の中で電気的特性評価が何度も行わ
れている。例えば、ＬＳＩの場合、ウエハ内に回路素子
を形成した段階で各チップを構成する回路素子の動作を
テストするべく電気的特性評価が行われ、更に、この
後、ウエハから切りとられたチップをパッケージに収容
した後、或いはＴＡＢテープに実装した状態下で、再度
動作テストをするために電気的特性評価が行われる。こ
れらの電気的特性評価では、通常タングステン等の金属
を接触探子とするプローブカードや、アウターリードが
挿入されたソケットを用いられることが多く、特に、Ｔ
ＡＢテープに実装した状態下での電気的特性評価には、
プローブカードが用いられている。

【０００３】プローブカードに用いられるコンタクター
については、近年のＬＳＩの高密度化に伴い、電気的特
性評価に要する端（パッド）部の数の増加し、単位面積
当たりの数がより多いものが要求されている。従来のタ
ングステン等の金属を接触探子とするコンタクターで
は、接触探子部の太さが約５０μｍと太く、上述の要求
を満足できなくなっている。この問題の解決のために、
基板上にＶＬＳ成長法にて針状単結晶体を形成し、アス
ペクト比が１〜５００の針状単結晶体の少なくとも側面
を導電膜で被覆したコンタクターの製造方法が提案され
ている（特開平７−３３５９８号公報参照）。この方法
により、接触探子先端部が±５μｍの平面位置精度と±
１μｍの高さ精度とを有するコンタクターが得られる。

【０００４】更に、接触探子が検査対象物に接触してか
ら、接触探子の押しつけ量となるオーバードライブ量を
大きくする目的で、導電性針状単結晶加工体の寸法や導
電膜の膜厚を規定することが提案されている（特願平７
−１１３１０５号明細書参照）。しかし、この方法によ
る場合、得られるコンタクターは、導電膜形成の前処理
等の製造工程において、接触探子となる針状単結晶がダ
メージを受け、座屈変形時の破壊強度が低下してしま
い、この結果実使用において数万〜数十万回におよぶプ
ロービングに際して接触探子自体が破壊してしまうとい
う問題がある。

【０００５】コンタクターを用いる場合、接触探子を複
数個同時に検査対象物に接触させる必要があるが、それ
らの平面精度や高さ精度が幾分かのばらつきを有するが
ために、ある程度以上大きなオーバードライブ量を確保
しないと、複数の接触探子を同時に検査対象物に接触さ
せるのが困難になる。接触探子が弱く、小さなオーバー
ドライブ量でも破損してしまう場合、接触探子のプロー
バーへの取り付け精度やプローバーの動作精度としても
非常に高い精度が要求され、半導体回路の電気的特性の
測定がより一層煩雑で、困難なものとなる。

【０００６】接触探子の破壊強度は、接触探子に垂直方
向のオーバードライブを印加することで接触探子が座屈
変形して破壊したとき、その最大変位部時における最大
主応力と同一値であり、数１式により求められる。

【０００７】

【数１】σｍａｘ＝４．４９×Ｅ×ｄ×ＯＤｍａｘ^0.5
×Ｌ^-1.5 （Ｐａ）ここで、Ｅ：接触探子のヤング率（Ｐａ）ｄ：接触探子の直径（μｍ）Ｌ：接触探子の長さ（μｍ）ＯＤｍａｘ：破壊時のオーバードライブ量（μｍ）

【０００８】数１式を変形すれば、数２式を得る。

【０００９】

【数２】ＯＤｍａｘ＝（σｍａｘ／Ｅ）²／４．４９²×
（Ｌ³／ｄ²）

【００１０】数２式から、接触探子の長さを大きくする
か接触探子の直径を小さくすることでオーバードライブ
量を大きくとることができ、例えば、特願平７−１１３
１０５号公報で開示されるとおり、接触探子の長さＬ
（μｍ）及び直径ｄ（μｍ）について１０≦Ｌ≦３００
０、０．１≦ｄ≦６００、しかも０．５×１０⁴≦ｄ^-2
^.4×Ｌ^2.8という範囲に接触探子の寸法を特定すること
により、電気測定用コンタクターに適した十分なオーバ
ードライブ量を得ることができることが提案がされてい
る。

【００１１】しかし、実際に適用される検査対象デバイ
スのデザイン（ピッチなど）から接触探子の直径は限定
されるし、接触探子表面に金属からなる導電膜を形成す
ると、座屈変形を伴うプロービングの際に金属膜が塑性
変形するので、その変形を維持しようとする耐力が接触
探子の反力（もどろうとする力）を上回るときには接触
探子先端部の位置ずれが発生する。前記反力は接触探子
長さが小さく、接触探子直径が大きいほど大きくなり、
オーバードライブ量増加に対してトレードオフの関係に
なる。また金属からなる導電膜をめっき法により形成す
る場合や、プロービング時のコンタクター同士の接触に
よる短絡を防止するために絶縁物質を接触探子表面に塗
布する際、接触探子長が大きく、接触探子直径が小さく
なるほど、ピンブリッジ（コンタクター先端部で隣り合
うコンタクターが接合される現象）が発生しやすくな
る。上記したとおり、接触探子の寸法は実質的に限定さ
れてしまうので、オーバードライブ量を大きくするため
にはコンタクターそのものの強度σmaxを高くする必要
がある。

【００１２】更に、電気特性測定用コンタクターとして
用いる場合、導電膜が接触探子とそれと接続するように
基板上にパターニングされた配線上にも形成される。接
触探子とそれと接続する基板回路部のみに一括で導電膜
を形成する場合、ＳＯＩ基板等の絶縁膜を有する基板を
用いることが前提になる。その形成方法に関しては、特
開平０７−９４５５８号公報等に開示されている。即
ち、図１で示すように絶縁膜１上にエッチング等により
形成されたシリコン層２とＶＬＳ成長により形成された
針状シリコン単結晶３上に、導電膜４を選択性を有する
無電解めっき法によりＮｉＰなどを形成する。その後、
配線抵抗を小さくするために電気めっきにより金などを
形成する。通常シリコン上にＮｉＰを無電解めっきする
場合、酸化膜除去のために希フッ酸による前処理を施
し、その後密着性を向上するために表面を粗らすべく、
フッ酸／硝酸混合水溶液などにより数秒処理し、塩化錫
や塩化パラジウムなどを含む活性化液により表面を活性
化処理する。

【００１３】ところが、前記処理により、成長直後にお
いてはほとんど結晶欠陥がなく、機械的強度が強く、弾
性変形範囲が広い針状単結晶がダメージを受け、本来の
強度が低下してしまい、その結果コンタクターとして用
いると小さなオーバードライブ量で針状単結晶が破壊し
てしまうという問題がある。

【００１４】尚、本発明のコンタクター製造方法に関連
する公知技術として、微細構造を有するシリコン基板上
の酸化膜のウエットエッチングを均一に行う方法として
バッファードフッ酸に界面活性剤を添加したエッチャン
トを用いる方法が提案されている（特公昭６２−１９５
０９、特開昭６１−２０７５８６、特開平７−２１１７
０７）。また電気通信学会技報ＳＭＤ９３−２で、バッ
ファードフッ酸中でのシリコンウエハ表面のマイクロラ
フネスの発生を数十ｐｐｍオーダの界面活性剤の添加に
より防止できることを開示している。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体集積
回路の電気特性測定用コンタクター等に用いて、オーバ
ードライブ量が大きくとれ、しかも繰り返しの座屈変形
に耐える、しかも高さ及び平面位置精度が良好な針状結
晶を接触探子とするコンタクターとその製造方法を提供
することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】すなわち本発明の第１の
発明は、針状単結晶からなるコンタクターであって、前
記針状単結晶の座屈変形時の破壊強度が３．５〜２１Ｇ
Ｐａであることを特徴とするコンタクターである。

【００１７】第２の発明は、針状単結晶の表面に導電膜
を施して接触探子とするコンタクターの製造方法であっ
て、前記導電膜を施す前処理として、界面活性剤を含有
するフッ化アンモニウムとフッ酸との混合水溶液、つづ
いて硝酸とフッ酸との混合水溶液で処理することを特徴
とするコンタクターの製造方法である。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明における針状単結晶として
は、以下説明するＶＬＳ成長機構やＢｒｅｎｎｅｒ法に
より形成できるＳｉ、Ｗ、Ｂ、Ｃｕ、ＳｉＣ、ＴｉＣ、
Ｆｅ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｃ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｂｅ
Ｏ、ＷＯ、ＡｌＮなどが用いることができるが、このう
ちＷ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＴｉＣなどが高強度が得られると
いう理由で好ましく、とりわけＳｉが既存の半導体プロ
セスに適用しやすいという理由で好ましい。

【００１９】本発明では、前記針状単結晶の座屈変形時
の破壊強度が３．５ＧＰａ以上２１ＧＰａ以下である。
コンタクターで電気特性測定を行う場合、３０〜５０μ
ｍ程度のオーバードライブが一般的に印加され、しかも
２０万回以上の耐久性（コンタクターの破壊がない）が
実用上要求される。本発明者らは、接触探子の座屈変形
時の破壊強度とオーバードライブ量に関して実験的に検
討した結果、接触探子の寸法は上述したとおり限定され
るものであり、一般的に接触探子の長さ１６００μｍで
直径２０μｍであるが、この場合、接触探子即ち針状単
結晶の座屈変形時の破壊強度が３．５ＧＰａ以上あれば
２０万回のプロービングに耐えることを見いだし、本発
明に至ったものである。

【００２０】針状単結晶の座屈変形時の破壊強度は、上
述したとおり、強いほどよいわけであるが、針状単結晶
の物性値（降伏強度）からおのずと上限が限定される。
上述したとおり、前記針状単結晶としてＳｉ、Ｗ、Ｂ、
Ｃｕ、ＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｆｅ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃ
ｏ、Ｃ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＢｅＯ、ＷＯ、ＡｌＮなどが用いる
ことができるが、このうちＳｉＣは最も降伏強度の高い
材料で２１ＧＰａにも達する。尚、針状単結晶として最
も好適なＳｉは、７．０ＧＰａの降伏強度を有する。

【００２１】本発明の導電膜としては、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒなどを用いることが
できる。また、これらの導電膜の製造方法に関しては、
下地となる針状結晶は通常絶縁体もしくは半導体である
ため、蒸着・スパッタ法及び無電解めっきなどの方法で
被覆するが、接触探子として用いられる際に接触探子と
なる針状結晶体が座屈変形するので、前記導電膜の形成
方法としては、密着強度が得られる無電解めっきにより
形成することが好ましい。

【００２２】以下、ＶＬＳ成長法にて形成された針状単
結晶を用いたコンタクターについて更に詳しく説明す
る。本発明の針状結晶体は、例えば、Ｖａｐｏｒ−Ｌｉ
ｑｕｉｄ−Ｓｏｌｉｄ（以下ＶＬＳという）成長法にて
形成される。この方法は（Ｒ．Ｓ．Ｗａｇｎｅｒａｎｄ
Ｗ．Ｃ．Ｅｌｌｉｓ：Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ
ｅｒｓ，４（１９６４）８９）に開示されているもので
ある。図１は針状結晶の形成方法を説明する図である。
また、図２に示すように、表面が（１１１）面であるシ
リコン単結晶基板５の所定の位置に金粒子６を載置す
る。次に、これをＳｉＣｌ₄、ＳｉＨＣｌ₃、ＳｉＨ₄な
どのシリコンを含むガスの雰囲気の中でＳｉ−Ａｕ合金
の共晶温度以上に加熱する。共晶温度以上になると金粒
子が載置された部分にＳｉ−Ａｕ合金の液滴ができる。
シリコン系ガスの水素還元や、熱分解によりシリコンが
合金液滴中に取り込まれ、過飽和になったシリコンがシ
リコン単結晶基板５上に＜１１１＞方向に頂部にＳｉ−
Ａｕ合金液滴７を有しつつ針状単結晶体３が成長する。

【００２３】上記の方法において、金粒子を載置する方
法としてフォトリソグラフィー、めっき、蒸着、エッチ
ングなどを単独若しくは組み合わせて用いることで、シ
リコン基板上に金を島状にパターン化することができ
る。そして、これをＶＬＳ成長させることで、基板上の
所望の位置に針状単結晶体を形成することが可能であ
り、また電気特性測定用プローブピン等に使用すること
もできる。

【００２４】ＶＬＳ成長法にて形成された前記針状結晶
体は、必然的に先端合金部を有するが、半導体集積回路
の電気特性測定用プローブピン等に用いる場合には、接
触探子の先端の高さを揃えるために前記針状単結晶の先
端部を研磨し、合金部を除去する。

【００２５】導電膜は針状単結晶体上とそれと接続する
ように基板上にパターニングされた配線上に形成され
る。図１で配線層２とＶＬＳ成長により形成された針状
シリコン単結晶３上に、導電膜４を選択性を有する無電
解めっき法によりＮｉＰなどを形成する。その前処理と
して、シリコン上の酸化膜を除去するために界面活性剤
を含有したバッファードフッ酸（フッ酸とフッ化アンモ
ニウムの混合水溶液）で処理し、水洗後、更にフッ酸と
硝酸の混合水溶液で処理し、つづいて活性化処理として
塩化パラジウムを含む活性化液で処理する。この前処理
操作は、本発明者らが実験的にいろいろ検討した結果得
た知見であり、この前処理操作によってのみ、針状単結
晶を加工・形成して接触探子とする過程で、針状単結晶
従って接触探子の破壊強度を低下することなく、導電膜
を積層することができる。

【００２６】添加する界面活性剤の種類としては、水溶
性界面活性剤であれば、アニオン界面活性剤、カチオン
界面活性剤、ノニオン界面活性剤及び両性界面活性剤の
いずれでもよい。添加量はミセル臨界濃度以上添加すれ
ばよく、０．０００１〜１ｗｔ％の範囲が好ましい。ま
た、バッファードフッ酸としては、フッ酸＝６ｗｔ％、
フッ化アンモニウム＝３０ｗｔ％水溶液や、フッ酸＝４
ｗｔ％、フッ化アンモニウム＝２０ｗｔ％水溶液が一般
的に用いられる。

【００２７】

【実施例】以下、実施例及び比較例をもって、本発明を
更に詳しく説明する。〔実施例１〕ＳＯＩ基板を用い、絶縁膜上に蒸着、フォ
トリソグラフィー、ウエットエッチング、めっきにより
シリコン配線層とＡｕバンプを形成した。Ａｕバンプは
６０μｍピッチで２００個直線状に配置した。この基板
を反応管内に入れ、９５０℃に加熱し、四塩化ケイ素と
水素の混合ガスを流してＡｕバンプ位置に針状シリコン
単結晶体をＶＬＳ成長により形成した。得られた針状シ
リコン単結晶体の直径は２０μｍ、長さは約２０００μ
ｍであった。次に針状単結晶体の長さを揃えるため、軟
化点が７０℃であるワックスで包埋し、湿式研磨を行
い、最終的に１６００μｍにした。この時点での２００
本の針状単結晶体の長さ公差は±１μｍであった。その
後、加熱したアセトン−トルエン混合液によりワックス
を溶解・除去した。

【００２８】導電膜としてＮｉＰを無電解めっきする前
処理として、酸化膜除去工程としてバッファードフッ酸
（フッ酸：６ｗｔ％／フッ化アンモニウム：３０ｗｔ
％）に界面活性剤として２−ヘキシルオキシエタノール
を１５０ｐｐｍ添加したもので、室温下で撹拌しながら
３０秒間処理した。その後の純水にて洗浄後、シリコン
エッチング工程としてフッ酸：硝酸＝１：７０の混合液
で、室温下で撹拌しながら１０秒間処理した。

【００２９】更に純粋で洗浄後に、活性化工程として塩
化パラジウムが含有した活性化液（アクチベーター：奥
野製薬工業製）で２．５分処理し、純水洗浄後、めっき
工程として下記組成で構成された無電解Ｎｉめっき浴を
用い、針状単結晶体５及びシリコン配線層２上のみにＮ
ｉＰを０．１μｍ選択的に形成した。

【００３０】＜無電解Ｎｉめっき浴の組成＞Ｈ₂Ｏ１ＬＮｉＣｌ₂・６Ｈ₂Ｏ３０ｇＮａＨ₂ＰＯ₂・Ｈ₂Ｏ１５ｇ（ＮＨ₄）₂ＨＣ₆Ｈ₅０₇ ６５ｇＮＨ₄Ｃｌ５０ｇＮＨ₄ＯＨｐＨ＝８．０〜８．５に調整液温９０℃

【００３１】その後、電気めっきによりＮｉＰ上に金を
１．６μｍ形成し、導電性針状単結晶を作製し接触探子
とした。配線部分にも同様に金めっきして、出入力端子
をＴＡＢ接続することにより、電気特性測定用コンタク
ターとした。

【００３２】上記した手順にて作成したコンタクターに
ついて、以下の要領で、導電膜めっき性、コンタクター
強度測定、耐久性テストの評価を行い、その結果を表１
に示した。

【００３３】

【表１】

【００３４】＜導電膜めっき性＞金めっき後、実体顕微
鏡及びＳＥＭにより均一にめっきされているかどうかを
観察した。

【００３５】＜コンタクター強度測定＞本実施例におけ
る電気特性測定用コンタクターにおいて図３のようにコ
ンタクターに対し垂直方向に荷重を印加し、最初に接触
した（コンタクターに負荷がかからない）時点から、座
屈変形して破壊するまでの押し込み量を測定し、その値
をオーバードライブ量とした。オーバードライブ量はデ
ジタル変位計１０（精度±１μｍ）を用いて測定した。
接触探子の破壊強度は、数１式で算出した。但し、針状
シリコン単結晶のヤング率を１９６ＧＰａとした。

【００３６】＜耐久性テスト＞本実施例における電気特
性測定用コンタクターを図４に示すような装置に固定し
て行った。本装置はコンタクターを下向きにして位置が
マイクロメータにより可変できる固定部にとりつけら
れ、上下に同一ストロークで駆動する部分にコンタクタ
ーとコンタクトするウエハが設置される。パソコン制御
により、コンタクト回数が設定でき、平行だし及びオー
バードライブ量はマイクロメータにより設定できる。本
実施例ではオーバードライブ量を４０μｍ、コンタクト
回数を２０万回として行った。

【００３７】〔実施例２〕実施例１と同一の方法で同一
寸法の針状シリコン単結晶体を作製し、導電膜としてＮ
ｉＰを無電解めっきする前処理として、酸化膜除去工程
としてバッファードフッ酸（フッ酸：４ｗｔ％／フッ化
アンモニウム：２０ｗｔ％）に界面活性剤として２−ヘ
キシルオキシエタノールを１５０ｐｐｍ添加したもの
で、室温下で撹拌しながら４０秒間処理した。シリコン
エッチング工程以降は実施例１と全く同一の方法によ
り、導電性針状単結晶体を作製し、コンタクターとし
た。この評価結果を表１に示した。

【００３８】〔実施例３〕実施例１と同一な方法で同一
寸法の針状シリコン単結晶体を作製し、導電膜としてＮ
ｉＰを無電解めっきする前処理として、酸化膜除去工程
としてバッファードフッ酸（フッ酸：６ｗｔ％／フッ化
アンモニウム：３０ｗｔ％）に界面活性剤としてドデシ
ルベンゼンスルホン酸ナトリウムを１５０ｐｐｍ添加し
たもので、室温下で撹拌しながら３０秒間処理した。シ
リコンエッチング工程以降は実施例１と同一な方法によ
り、導電性針状単結晶体を作製し、コンタクターとし
た。このコンタクターについての評価結果を表１に示
す。

【００３９】〔比較例１〕実施例１と同一の方法で同一
寸法の針状シリコン単結晶体を作製し、導電膜としてＮ
ｉＰを無電解めっきする前処理として、酸化膜除去を行
わず、シリコンエッチング工程としてフッ酸：硝酸＝
１：７０の混合液で、室温下で撹拌しながら１０秒処理
したが、極度に不均一なＮｉめっきしかできず、実質的
にＮｉめっきできなかった。

【００４０】〔比較例２〕実施例１と同一の方法で同一
寸法の針状シリコン単結晶体を作製し、導電膜としてＮ
ｉＰを無電解めっきする前処理として、酸化膜除去工程
として希フッ酸（フッ酸：１０ｗｔ％）で室温下で撹拌
しながら６０秒間処理した。シリコンエッチング工程以
降は実施例１と同一の方法により、導電性針状単結晶体
を作製し、コンタクターを得た。このコンタクターの評
価結果を表１に示す。

【００４１】〔比較例３〕実施例１と同一の方法で同一
寸法の針状シリコン単結晶体を作製し、導電膜としてＮ
ｉＰを無電解めっきする前処理として、酸化膜除去工程
として希フッ酸（フッ酸：１０ｗｔ％）に界面活性剤と
して２−ヘキシルオキシエタノールを１５０ｐｐｍ添加
したもので、室温下で撹拌しながら６０秒処理した。シ
リコンエッチング工程以降は実施例１と同一の方法によ
り、導電性針状単結晶体を作製し、コンタクターとし
た。このコンタクターの評価結果を表１に示す。

【００４２】〔比較例４〕実施例１と同一の方法で同一
寸法の針状シリコン単結晶体を作製し、導電膜としてＮ
ｉＰを無電解めっきする前処理として、酸化膜除去工程
としてフッ酸（フッ酸：１０ｗｔ％）に界面活性剤とし
て２−ヘキシルオキシエタノールを１５０ｐｐｍ添加し
たもので、室温下で撹拌しながら６０秒処理した。純水
洗浄後、シリコンエッチング工程としてフッ酸：硝酸＝
１：７０の混合液で、室温下で撹拌しながら５秒間処理
した。活性化工程以降は実施例１と同一の方法により、
導電性針状単結晶体を作製し、コンタクターとした。こ
のコンタクターについての評価結果を表１に示す。

【００４３】

【発明の効果】実施例から明かなように、本発明のコン
タクターは座屈変形時の破壊強度が大きいので、耐久試
験後にピン折れもないし、Ｎｉめっき性も良好であり、
オーバードライブ量の大きい、高さ及び平面位置精度が
良好な半導体集積回路の電気特性測定用コンタクターと
して好適である。また、本発明のコンタクターの製造方
法によれば、前記のオーバードライブ量が大きく、また
高さ及び平面位置精度が良好で半導体集積回路の電気特
性測定用コンタクターとして好適なコンタクターが再現
性よく、容易に得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の針状結晶を用いたコンタクターの模
式図。

【図２】針状結晶体の形成方法を示す図。

【図３】コンタクターのオーバードライブ量を測定す
る装置図。

【図４】コンタクター強度測定装置図。

【符号の説明】

１絶縁層２配線層３針状シリコン単結晶４導電膜５単結晶基板６金粒子７Ｓｉ−Ａｕ合金液滴１０ロードセル１１針状単結晶体１２単結晶基板１３デジタル変位計１４試料台１５位置可変ステージ１６測定器支持基板２０マイクロメータ（オーバードライブ調整用）２１マイクロメータ（平行だし用）２２固定ネジ２３コンタクター２４ウエハ２６パソコン２７抵抗測定器２８プローバー本体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】針状単結晶を接触探子とするコンタクタ
ーであって、前記針状単結晶の座屈変形時の破壊強度が
３．５〜２１ＧＰａであることを特徴とするコンタクタ
ー。
【請求項２】針状単結晶の表面に導電膜を施し接触探
子とするコンタクターの製造方法であって、前記導電膜
を施す前処理として、界面活性剤を含有するフッ化アン
モニウムとフッ酸との混合水溶液、その後硝酸とフッ酸
との混合水溶液で処理することを特徴とするコンタクタ
ーの製造方法。