JPH10198470A - 電源電圧の変化を検出する検出器からなる携帯用電子装置 - Google Patents
電源電圧の変化を検出する検出器からなる携帯用電子装置Info
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- JPH10198470A JPH10198470A JP9346524A JP34652497A JPH10198470A JP H10198470 A JPH10198470 A JP H10198470A JP 9346524 A JP9346524 A JP 9346524A JP 34652497 A JP34652497 A JP 34652497A JP H10198470 A JPH10198470 A JP H10198470A
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- G06F1/28—Supervision thereof, e.g. detecting power-supply failure by out of limits supervision
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、メモリの内容が変更されることな
く、電源電圧を遮断するため種々の電源レベルを瞬時に
検出し、バッテリの充電レベル又は過負荷を表示し得る
検出器の提供を目的とする。 【解決手段】 バッテリ(11)により電力が供給される本
発明の電子装置は、電気的消去可能データ(32a) を格納
するメモリ(32)と、電源電圧(Vbat)の変化を検出する電
源電圧検出器(37)とからなる。本発明は、電源バッテリ
により電力を供給される携帯用電話機及び全ての電子装
置に適用される。
く、電源電圧を遮断するため種々の電源レベルを瞬時に
検出し、バッテリの充電レベル又は過負荷を表示し得る
検出器の提供を目的とする。 【解決手段】 バッテリ(11)により電力が供給される本
発明の電子装置は、電気的消去可能データ(32a) を格納
するメモリ(32)と、電源電圧(Vbat)の変化を検出する電
源電圧検出器(37)とからなる。本発明は、電源バッテリ
により電力を供給される携帯用電話機及び全ての電子装
置に適用される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気的消去可能な
データを含むメモリと、電源電圧の変動を検出する電源
電圧検出器とからなり、電源電圧により電力が供給され
る電子装置に関する。
データを含むメモリと、電源電圧の変動を検出する電源
電圧検出器とからなり、電源電圧により電力が供給され
る電子装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】非常に工業化が進んだ国では、一般大衆
向けの現行の携帯用電気通信機器の寸法を小型化しよう
とする傾向がある。電子機器のメーカーは、重量・体積
比と装置のレンジ（広がりの範囲）とに関して激しい競
争に晒されている。最新の集積回路技術は、電子回路の
体積を著しく削減することを可能にさせ、携帯用機器の
レンジはこの小型化への歩みを制限する要因になった。
実際上、一般的に移動用として考えられる場合に、この
装置は電源バッテリにより給電され、そのレンジは一定
の技術で重量に比例する。その結果として、バッテリに
より給電される装置はそのレンジが狭くなると共に益々
軽量化するので、屡々携帯用装置のバッテリが放電して
しまっていることに気づくことがある。
向けの現行の携帯用電気通信機器の寸法を小型化しよう
とする傾向がある。電子機器のメーカーは、重量・体積
比と装置のレンジ（広がりの範囲）とに関して激しい競
争に晒されている。最新の集積回路技術は、電子回路の
体積を著しく削減することを可能にさせ、携帯用機器の
レンジはこの小型化への歩みを制限する要因になった。
実際上、一般的に移動用として考えられる場合に、この
装置は電源バッテリにより給電され、そのレンジは一定
の技術で重量に比例する。その結果として、バッテリに
より給電される装置はそのレンジが狭くなると共に益々
軽量化するので、屡々携帯用装置のバッテリが放電して
しまっていることに気づくことがある。
【０００３】かくして、装置に損害を加える可能性のあ
る一定の現象を回避するため、放電中に、電源電圧が遮
断される時点を予測することが非常に重要である。特
に、プロセッサと、ＥＥＰＲＯＭ（電気的消去可能プロ
グラマブル読み出し専用メモリ）タイプの電気的消去可
能メモリとにより構成される移動無線電話機又は他の機
器は、突然の電力遮断に対抗し得ない。電圧が製造者に
より臨界値であるとして定義された閾値より下がるま
で、電源が遮断されないならば、ＥＥＰＲＯＭの内容が
損なわれる可能性がある。実際上、不十分な電圧により
給電されたプロセッサは、アドレス指定システムを制御
しなくなる。このプロセッサは誤ったアドレスをＥＥＰ
ＲＯＭに書き込み、そのアドレスで見つけられたデータ
を上書きする危険性がある。従って、データが失われ、
無線電話機の使用に非常に有害である。
る一定の現象を回避するため、放電中に、電源電圧が遮
断される時点を予測することが非常に重要である。特
に、プロセッサと、ＥＥＰＲＯＭ（電気的消去可能プロ
グラマブル読み出し専用メモリ）タイプの電気的消去可
能メモリとにより構成される移動無線電話機又は他の機
器は、突然の電力遮断に対抗し得ない。電圧が製造者に
より臨界値であるとして定義された閾値より下がるま
で、電源が遮断されないならば、ＥＥＰＲＯＭの内容が
損なわれる可能性がある。実際上、不十分な電圧により
給電されたプロセッサは、アドレス指定システムを制御
しなくなる。このプロセッサは誤ったアドレスをＥＥＰ
ＲＯＭに書き込み、そのアドレスで見つけられたデータ
を上書きする危険性がある。従って、データが失われ、
無線電話機の使用に非常に有害である。
【０００４】従来の電子装置において、電源電圧検出器
は、電源電圧が臨界電圧よりも降下する時点を検出し、
ＥＥＰＲＯＭのデータを変更しないように電源を遮断す
るよう、バッテリにより発生された電源電圧を周期的に
調べるため使用される。
は、電源電圧が臨界電圧よりも降下する時点を検出し、
ＥＥＰＲＯＭのデータを変更しないように電源を遮断す
るよう、バッテリにより発生された電源電圧を周期的に
調べるため使用される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、かかる電源電
圧検出器からなる装置は、その信頼性に問題があるとい
う重大な欠点がある。実際上、周期的な調査技術に基づ
いて、この装置の検出精度及び信頼性は、使用される調
査周期に直接的に依存する。従来のバッテリの放電曲線
は放電の終了に向けて非常に急速に降下するので、電圧
が放電の最後に降下する迅速さよりも非常に長い調査周
期を有する現在の装置によって検出されることなく、屡
々電源が遮断される。
圧検出器からなる装置は、その信頼性に問題があるとい
う重大な欠点がある。実際上、周期的な調査技術に基づ
いて、この装置の検出精度及び信頼性は、使用される調
査周期に直接的に依存する。従来のバッテリの放電曲線
は放電の終了に向けて非常に急速に降下するので、電圧
が放電の最後に降下する迅速さよりも非常に長い調査周
期を有する現在の装置によって検出されることなく、屡
々電源が遮断される。
【０００６】臨界閾値の通過を検出する機会を増加させ
るため調査周期を短縮することは、非常に高価な解決法
であり、従来の装置で使用されるプロセッサよりも高速
かつ強力なプロセッサを必要とする。本発明は、上記の
欠点を十分に解決する簡単かつ経済的な解決法の提供を
目的とする。本発明は、特に、使用される電子回路の複
雑さを著しく増大させることなく、従来の電源電圧検出
器よりも信頼性の高い電源検出器の提供を目的とする。
るため調査周期を短縮することは、非常に高価な解決法
であり、従来の装置で使用されるプロセッサよりも高速
かつ強力なプロセッサを必要とする。本発明は、上記の
欠点を十分に解決する簡単かつ経済的な解決法の提供を
目的とする。本発明は、特に、使用される電子回路の複
雑さを著しく増大させることなく、従来の電源電圧検出
器よりも信頼性の高い電源検出器の提供を目的とする。
【０００７】また、本発明による検出器は、ＥＥＰＲＯ
Ｍメモリに記憶されたディジタルデータを変えないよう
に装置の電源を遮断するための臨界として定義された電
圧閾値の交差を瞬時に検出し得る。
Ｍメモリに記憶されたディジタルデータを変えないよう
に装置の電源を遮断するための臨界として定義された電
圧閾値の交差を瞬時に検出し得る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】従って、本発明による上
記のタイプの装置は、電源電圧を検出する検出器が、電
源電圧の降下を示す第１の信号を形成する電源電圧の連
続的な監視器と、上記信号が現れるたときメモリのデー
タをバックアップするバックアップ手段とからなること
を特徴とする。
記のタイプの装置は、電源電圧を検出する検出器が、電
源電圧の降下を示す第１の信号を形成する電源電圧の連
続的な監視器と、上記信号が現れるたときメモリのデー
タをバックアップするバックアップ手段とからなること
を特徴とする。
【０００９】上記電源電圧の連続的な監視器は、電源電
圧が固定閾値を越えるときに限りプロセッサを使用する
利点を有する。上記プロセッサは他の動作を実行するた
め、特に、無線電話機の場合に移動局と基地局との間の
通信を測定するため利用可能になる。連続的な監視器が
電源電圧レベルを示す第２の信号を生成することを特徴
とする電源電圧検出器からなる上記のタイプの電子装置
による本発明の第１の特徴は、バッテリを再充電するべ
き時点を予測するためユーザがバッテリの充電レベルを
制御し得る利点を提供する。
圧が固定閾値を越えるときに限りプロセッサを使用する
利点を有する。上記プロセッサは他の動作を実行するた
め、特に、無線電話機の場合に移動局と基地局との間の
通信を測定するため利用可能になる。連続的な監視器が
電源電圧レベルを示す第２の信号を生成することを特徴
とする電源電圧検出器からなる上記のタイプの電子装置
による本発明の第１の特徴は、バッテリを再充電するべ
き時点を予測するためユーザがバッテリの充電レベルを
制御し得る利点を提供する。
【００１０】上記連続的な監視器が過負荷を示すため第
３の信号を生成することを特徴とする電源電圧検出器に
よる本発明の第２の特徴は、第３の信号が現れたとき電
源が遮断される結果としてバッテリの爆発が回避される
付加的な利点を提供する。本発明の他の興味深い特徴に
よれば、上記タイプの電子装置は、制御素子の割込を夫
々に発生し、上記信号に応答して割込プログラムを起動
する少なくとも一つの割込入力を有する制御素子を更に
含む。
３の信号を生成することを特徴とする電源電圧検出器に
よる本発明の第２の特徴は、第３の信号が現れたとき電
源が遮断される結果としてバッテリの爆発が回避される
付加的な利点を提供する。本発明の他の興味深い特徴に
よれば、上記タイプの電子装置は、制御素子の割込を夫
々に発生し、上記信号に応答して割込プログラムを起動
する少なくとも一つの割込入力を有する制御素子を更に
含む。
【００１１】本発明の他の特徴によれば、上記タイプの
電子装置は、連続的な監視器が、電源電圧の値を設定値
と比較し、上記の夫々の信号を生成するため比較器を更
に有することを特徴とする。この特徴により、一方で使
用されるバッテリのタイプ、他方でユーザの需要の関数
として検出閾値を定義する手段が得られる。
電子装置は、連続的な監視器が、電源電圧の値を設定値
と比較し、上記の夫々の信号を生成するため比較器を更
に有することを特徴とする。この特徴により、一方で使
用されるバッテリのタイプ、他方でユーザの需要の関数
として検出閾値を定義する手段が得られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下の実施例の説明を参照して本
発明の上記及び他の面を示し、かつ、明らかにする。図
１に示された電子装置は無線電話機であるが、電源電圧
検出器は電源が電源電圧により供給される電子装置であ
れば他の電子装置でも構わない。
発明の上記及び他の面を示し、かつ、明らかにする。図
１に示された電子装置は無線電話機であるが、電源電圧
検出器は電源が電源電圧により供給される電子装置であ
れば他の電子装置でも構わない。
【００１３】図１に示された無線電話機は、電源バッテ
リ１１を収容するハウジング１１と、特に図３に示され
ているような電子回路、即ち、スクリーン１２と、キー
ボード１３と、イヤホン１４と、マイクロホン１５と、
無線信号を基地局１７と交換するためアンテナ１６と協
働するトランシーバー（図示しない）とにより構成され
る。
リ１１を収容するハウジング１１と、特に図３に示され
ているような電子回路、即ち、スクリーン１２と、キー
ボード１３と、イヤホン１４と、マイクロホン１５と、
無線信号を基地局１７と交換するためアンテナ１６と協
働するトランシーバー（図示しない）とにより構成され
る。
【００１４】図２に時間（ｔ）に対してグラフ化された
バッテリの放電曲線（Ｖｂａｔ）は、放電の最後に電圧
の降下が加速すること表わす。ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４
及びｔ５により示された時点は、電源電圧Ｖｂａｔを測
定する従来技術により公知の周期的な調査器により記録
されたサンプルの例を示す。図２においてＳＳは臨界閾
値を表わし、従来技術の調査器によるこの臨界閾値の検
出は、アドレスエラーの危険性が非常に高くなるので、
ＥＥＰＲＯＭメモリへのあらゆる書込を禁止するのに十
分な大きさの電圧降下Ｖｂａｔを通知する。ＳＣは電源
遮断閾値を表わし、電源電圧がこの電源遮断閾値を越え
ると電源が遮断される。かくして、電源電圧が電源遮断
閾値ＳＣを越える前に臨界閾値ＳＳを検出することが不
可欠である。
バッテリの放電曲線（Ｖｂａｔ）は、放電の最後に電圧
の降下が加速すること表わす。ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４
及びｔ５により示された時点は、電源電圧Ｖｂａｔを測
定する従来技術により公知の周期的な調査器により記録
されたサンプルの例を示す。図２においてＳＳは臨界閾
値を表わし、従来技術の調査器によるこの臨界閾値の検
出は、アドレスエラーの危険性が非常に高くなるので、
ＥＥＰＲＯＭメモリへのあらゆる書込を禁止するのに十
分な大きさの電圧降下Ｖｂａｔを通知する。ＳＣは電源
遮断閾値を表わし、電源電圧がこの電源遮断閾値を越え
ると電源が遮断される。かくして、電源電圧が電源遮断
閾値ＳＣを越える前に臨界閾値ＳＳを検出することが不
可欠である。
【００１５】しかし、サンプルｔ４とｔ５との間で、臨
界閾値ＳＳ及び電源電圧遮断閾値ＳＣは連続した２回の
サンプリングの間に越えられるので、検出器が臨界閾値
ＳＳの交差を検出することなく、電源電圧曲線は電源電
圧遮断閾値ＳＣを通過する。この例は、まさに従来の検
出器の信頼性の不足を示す例である。図３のブロック図
は、本発明による検出器に使用される種々の素子を示す
図である。制御素子３０は、プロセッサ３１と、電気的
消去可能プログラマブル書き込み専用メモリ（ＥＥＰＲ
ＯＭ）３２と、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）３３
と、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）３４とにより形成さ
れる。
界閾値ＳＳ及び電源電圧遮断閾値ＳＣは連続した２回の
サンプリングの間に越えられるので、検出器が臨界閾値
ＳＳの交差を検出することなく、電源電圧曲線は電源電
圧遮断閾値ＳＣを通過する。この例は、まさに従来の検
出器の信頼性の不足を示す例である。図３のブロック図
は、本発明による検出器に使用される種々の素子を示す
図である。制御素子３０は、プロセッサ３１と、電気的
消去可能プログラマブル書き込み専用メモリ（ＥＥＰＲ
ＯＭ）３２と、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）３３
と、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）３４とにより形成さ
れる。
【００１６】装置の主動作プログラムは読み出し専用メ
モリ３４に格納される。ランダムアクセスメモリ３３
は、有用な変数を格納するため読み出し専用メモリ３４
と並行して使用される。消去可能データは装置が使用さ
れている間に変更されるべきＥＥＰＲＯＭ３２に格納さ
れる。検出されるべき電圧閾値に対応する設定値は、制
御素子３０によりアクセスされ得るようにメモリ３２の
テーブル３２ａに配置される。
モリ３４に格納される。ランダムアクセスメモリ３３
は、有用な変数を格納するため読み出し専用メモリ３４
と並行して使用される。消去可能データは装置が使用さ
れている間に変更されるべきＥＥＰＲＯＭ３２に格納さ
れる。検出されるべき電圧閾値に対応する設定値は、制
御素子３０によりアクセスされ得るようにメモリ３２の
テーブル３２ａに配置される。
【００１７】バスネットワーク３５は、キーボード１３
からの信号をプロセッサ３１及びプロセッサ３１との間
で移動する信号用のシリアルＩＩＣ（内部集積回路）バ
スとＥＥＰＲＯＭ３２と、スクリーン１２とに伝送する
割込バスを含む。トランシーバー３６は、無線電話機の
ユーザを移動電話網に接続するため上記のデバイスと通
信する。
からの信号をプロセッサ３１及びプロセッサ３１との間
で移動する信号用のシリアルＩＩＣ（内部集積回路）バ
スとＥＥＰＲＯＭ３２と、スクリーン１２とに伝送する
割込バスを含む。トランシーバー３６は、無線電話機の
ユーザを移動電話網に接続するため上記のデバイスと通
信する。
【００１８】電源検出回路３７は、本発明による電源電
圧検出器を利用するため制御素子３０及び電源バッテリ
１１協働する。図４には、電源検出回路３７の好ましい
一実施例が電子回路の形式で示されている。電源バッテ
リ１１は、例えば、３乃至５．５ボルトの値の範囲内に
収まり、バッテリの充電・放電の機能と共に変化する電
源電圧Ｖｂａｔを生成する。抵抗素子Ｒ０及びＲ１は抵
抗値が固定されている。抵抗素子Ｒ２は可変抵抗値を有
し、制御素子３０により電圧Ｖｂａｔの値及び検出した
い電圧閾値の関数としてプログラムされることが意図さ
れている。抵抗値をディジタル的にプログラムし得る抵
抗素子Ｒ２は市販されている。例えば、ダラスセミコン
ダクタ(Dallas Semiconductor)製のポテンショメータDS
1804 NV を使用することが可能である。
圧検出器を利用するため制御素子３０及び電源バッテリ
１１協働する。図４には、電源検出回路３７の好ましい
一実施例が電子回路の形式で示されている。電源バッテ
リ１１は、例えば、３乃至５．５ボルトの値の範囲内に
収まり、バッテリの充電・放電の機能と共に変化する電
源電圧Ｖｂａｔを生成する。抵抗素子Ｒ０及びＲ１は抵
抗値が固定されている。抵抗素子Ｒ２は可変抵抗値を有
し、制御素子３０により電圧Ｖｂａｔの値及び検出した
い電圧閾値の関数としてプログラムされることが意図さ
れている。抵抗値をディジタル的にプログラムし得る抵
抗素子Ｒ２は市販されている。例えば、ダラスセミコン
ダクタ(Dallas Semiconductor)製のポテンショメータDS
1804 NV を使用することが可能である。
【００１９】本発明の好ましい実施例によれば、抵抗素
子Ｒ２は制御素子３０により制御される。制御素子３０
の一方の出力ＣＭＤは、特に、以下の式、 ＶＲ２＝Ｖｂａｔ × Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２） によって分圧ブリッジリンケージの形で発生する電源電
圧Ｖｂａｔの関数として抵抗素子Ｒ２の値を実時間制御
するため抵抗素子Ｒ２に直結される。
子Ｒ２は制御素子３０により制御される。制御素子３０
の一方の出力ＣＭＤは、特に、以下の式、 ＶＲ２＝Ｖｂａｔ × Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２） によって分圧ブリッジリンケージの形で発生する電源電
圧Ｖｂａｔの関数として抵抗素子Ｒ２の値を実時間制御
するため抵抗素子Ｒ２に直結される。
【００２０】遮断器として配置されたトランジスタＴ
は、割込プログラムを起動するため、特に、トランジス
タＴのベースに供給されたＶＲ２に一致する電圧の関数
として制御素子３０の割込ＩＴを発生し得る。抵抗素子
Ｒ１及びＲ２がトランジスタＴと一体的に動作すること
により、電源電圧の連続的な監視器に利用されるトラン
ジスタＴの導通状態の連続的な試験が実現される。
は、割込プログラムを起動するため、特に、トランジス
タＴのベースに供給されたＶＲ２に一致する電圧の関数
として制御素子３０の割込ＩＴを発生し得る。抵抗素子
Ｒ１及びＲ２がトランジスタＴと一体的に動作すること
により、電源電圧の連続的な監視器に利用されるトラン
ジスタＴの導通状態の連続的な試験が実現される。
【００２１】本発明の利点として、この試験は、制御素
子３０の介入を伴うことなく、自然、かつ、連続的に行
われる。これは、トランジスタＴのベースとエミッタと
の間の電位差Ｖｂｅと関係し、トランジスタの導通閾値
と称される電子現象を利用する。トランジスタのベース
の電位ＶＲ２が導通閾値Ｖｂｅ（一般的に、Ｖｂｅ＝
０．６ボルト）よりも高いとき、トランジスタＴはトラ
ンジスタＴの導通条件に従って導通する。この電位ＶＲ
２が導通閾値Ｖｂｅよりも低いとき、トランジスタは逆
阻止条件に依存して阻止される。
子３０の介入を伴うことなく、自然、かつ、連続的に行
われる。これは、トランジスタＴのベースとエミッタと
の間の電位差Ｖｂｅと関係し、トランジスタの導通閾値
と称される電子現象を利用する。トランジスタのベース
の電位ＶＲ２が導通閾値Ｖｂｅ（一般的に、Ｖｂｅ＝
０．６ボルト）よりも高いとき、トランジスタＴはトラ
ンジスタＴの導通条件に従って導通する。この電位ＶＲ
２が導通閾値Ｖｂｅよりも低いとき、トランジスタは逆
阻止条件に依存して阻止される。
【００２２】上記条件は図４において実際的に照合され
る。ＶＲ２＜Ｖｂｅである限り、トランジスタＴは阻止
され、コレクタ上の電圧はＶｂａｔに一致する。Ｒ２の
値は、制御素子３０により固定され、一定値を維持し、
電源電圧Ｖｂａｔの増加は電圧ＶＲ２の値を増加させ
る。ＶＲ２＞Ｖｂｅであるとき、トランジスタＴは導通
し、コレクタ上の電圧は実質的に零になる。
る。ＶＲ２＜Ｖｂｅである限り、トランジスタＴは阻止
され、コレクタ上の電圧はＶｂａｔに一致する。Ｒ２の
値は、制御素子３０により固定され、一定値を維持し、
電源電圧Ｖｂａｔの増加は電圧ＶＲ２の値を増加させ
る。ＶＲ２＞Ｖｂｅであるとき、トランジスタＴは導通
し、コレクタ上の電圧は実質的に零になる。
【００２３】検出器は、バッテリの充電中に、コレクタ
上の電圧が零電圧である（トランジスタＴは導通する）
とき制御素子３０の割込が起動され、バッテリの放電中
に、コレクタ上の電圧がＶｂａｔに近い（トランジスタ
Ｔは阻止される）とき、割込が起動されるように任意に
プログラムされる。制御素子３０の割込ポートは、通
常、バッテリの放電中にハイ論理レベルで作動状態であ
り、充電中にロー論理レベルで作動状態である。
上の電圧が零電圧である（トランジスタＴは導通する）
とき制御素子３０の割込が起動され、バッテリの放電中
に、コレクタ上の電圧がＶｂａｔに近い（トランジスタ
Ｔは阻止される）とき、割込が起動されるように任意に
プログラムされる。制御素子３０の割込ポートは、通
常、バッテリの放電中にハイ論理レベルで作動状態であ
り、充電中にロー論理レベルで作動状態である。
【００２４】かくして、電源検出回路３７によれば、抵
抗素子Ｒ２の端子上の電圧ＶＲ２の値が電源電圧Ｖｂａ
ｔの検出閾値を表わす制御素子３０の割込閾値を決定す
る。このように本発明の原理は、抵抗素子Ｒ２の抵抗値
を検出が望まれる電源電圧の閾値の関数として固定す
る。従って、制御素子３０はその制御出力ＣＭＤを利用
する。
抗素子Ｒ２の端子上の電圧ＶＲ２の値が電源電圧Ｖｂａ
ｔの検出閾値を表わす制御素子３０の割込閾値を決定す
る。このように本発明の原理は、抵抗素子Ｒ２の抵抗値
を検出が望まれる電源電圧の閾値の関数として固定す
る。従って、制御素子３０はその制御出力ＣＭＤを利用
する。
【００２５】図５に示されたテーブル３２ａの例におい
て、抵抗素子Ｒ２の抵抗値は、先に検出された閾値の関
数として論理的な順番、即ち、充電中に値が減少し放電
中に値が増加する順番で、設定値ρ０乃至ρ５であると
想定される。抵抗素子Ｒ３２に生じ得るテーブル３２ａ
の中の最大値は、（値ρ０により検出された）過負荷閾
値に対応し、最小値は（値ρ５により検出された）電力
遮断閾値に対応する。テーブル３２ａは、制御素子３０
の夫々の割込を発生し、割込プログラムを起動するため
検出されるべき閾値と同数の設定値を含む。
て、抵抗素子Ｒ２の抵抗値は、先に検出された閾値の関
数として論理的な順番、即ち、充電中に値が減少し放電
中に値が増加する順番で、設定値ρ０乃至ρ５であると
想定される。抵抗素子Ｒ３２に生じ得るテーブル３２ａ
の中の最大値は、（値ρ０により検出された）過負荷閾
値に対応し、最小値は（値ρ５により検出された）電力
遮断閾値に対応する。テーブル３２ａは、制御素子３０
の夫々の割込を発生し、割込プログラムを起動するため
検出されるべき閾値と同数の設定値を含む。
【００２６】
【実施例】以下の表は、本発明の好ましい実施例に従っ
て設定値ρ０乃至ρ５に対応したディジタル値の例を与
える。このディジタル値は、抵抗素子Ｒ２として、ダラ
スセミコンダクタ製の１００調整段階のポテンショメー
タDS1804 NV を採用し、抵抗素子Ｒ１として４００ｋΩ
の抵抗を採用することにより実現された。電圧Ｖｂａｔ
及びＲ２の抵抗は、夫々、ボルト及びキロオームで示さ
れている。ポテンショメータの調整段階は、製造元の仕
様に準拠した０乃至１００の無次元数である。
て設定値ρ０乃至ρ５に対応したディジタル値の例を与
える。このディジタル値は、抵抗素子Ｒ２として、ダラ
スセミコンダクタ製の１００調整段階のポテンショメー
タDS1804 NV を採用し、抵抗素子Ｒ１として４００ｋΩ
の抵抗を採用することにより実現された。電圧Ｖｂａｔ
及びＲ２の抵抗は、夫々、ボルト及びキロオームで示さ
れている。ポテンショメータの調整段階は、製造元の仕
様に準拠した０乃至１００の無次元数である。
【００２７】
【表１】
【００２８】抵抗素子Ｒ２のプログラミングは、図６を
参照するに、夫々、
参照するに、夫々、
【００２９】
【外１】
【００３０】によって示されている３個の出力ポートに
より形成された制御素子３０の出力ＣＭＤを接続する特
定のバスにより行われる。図６の（Ａ）のタイミングチ
ャートには、時間に対し４段階で素子Ｒ２の抵抗値を増
大させる上記の３個のポートの状態がグラフ化され、同
図の（Ｂ）には、３段階で素子Ｒ２の抵抗値を減少させ
る上記３ポートの状態がグラフ化されている。
より形成された制御素子３０の出力ＣＭＤを接続する特
定のバスにより行われる。図６の（Ａ）のタイミングチ
ャートには、時間に対し４段階で素子Ｒ２の抵抗値を増
大させる上記の３個のポートの状態がグラフ化され、同
図の（Ｂ）には、３段階で素子Ｒ２の抵抗値を減少させ
る上記３ポートの状態がグラフ化されている。
【００３１】
【外２】
【００３２】は、素子Ｒ２の抵抗値を変更するためロー
論理レベルに下げられる。素子Ｒ２の抵抗値を増加させ
るため、
論理レベルに下げられる。素子Ｒ２の抵抗値を増加させ
るため、
【００３３】
【外３】
【００３４】はハイレベルに上げられ、素子Ｒ２の抵抗
値を減少させるため、
値を減少させるため、
【００３５】
【外４】
【００３６】はローレベルに下げられる。ローレベルで
作動状態である
作動状態である
【００３７】
【外５】
【００３８】は、素子Ｒ２の抵抗値を１段階ずつ増加又
は減少させるため使用される。制御素子３０の割込ＩＴ
は、設定値に対応した各電圧閾値の検出後に、バッテリ
の充電及び放電中に発生される。検出された設定値に依
存して、割込プログラムは電源を遮断し（ρ５での検
出）、充電の停止（ρ０での検出）、又は、電源電圧レ
ベルの表示（ρ１、ρ２、ρ３又はρ４での検出）す
る。
は減少させるため使用される。制御素子３０の割込ＩＴ
は、設定値に対応した各電圧閾値の検出後に、バッテリ
の充電及び放電中に発生される。検出された設定値に依
存して、割込プログラムは電源を遮断し（ρ５での検
出）、充電の停止（ρ０での検出）、又は、電源電圧レ
ベルの表示（ρ１、ρ２、ρ３又はρ４での検出）す
る。
【００３９】特定のメッセージのユーザへの伝達を可能
にさせるあらゆるデバイスが電源電圧レベルを知らせる
ため本発明において使用される。例えば、装置が図３に
示された例の如く、制御スクリーンを有するならば、電
源電圧レベルは、スクリーン１２上にアイコン１２ａ又
はバッテリ１１の充電／放電レベルを表わす特定のメッ
セージを表示し得る表示装置により示される。スクリー
ン上に表示され続けるアイコン１２ａは、電源電圧閾値
がバッテリの充電及び放電中に検出されると即座にスク
リーン上に表示し、又は、スクリーンから消去するのに
適当なバーを表わす。装置が、例えば図１に示される如
く、イヤホン１４を有するならば、音声信号を放出する
デバイスがバッテリの充電レベルを示すため使用され得
る。
にさせるあらゆるデバイスが電源電圧レベルを知らせる
ため本発明において使用される。例えば、装置が図３に
示された例の如く、制御スクリーンを有するならば、電
源電圧レベルは、スクリーン１２上にアイコン１２ａ又
はバッテリ１１の充電／放電レベルを表わす特定のメッ
セージを表示し得る表示装置により示される。スクリー
ン上に表示され続けるアイコン１２ａは、電源電圧閾値
がバッテリの充電及び放電中に検出されると即座にスク
リーン上に表示し、又は、スクリーンから消去するのに
適当なバーを表わす。装置が、例えば図１に示される如
く、イヤホン１４を有するならば、音声信号を放出する
デバイスがバッテリの充電レベルを示すため使用され得
る。
【００４０】以下、図７を参照して図４に示されている
電源電圧検出器の動作を説明する。同図に示されたオー
トマトンは、２個の２進変数（ＣＨ，ＩＴ）と、６個の
設定値を想定することができる１個の変数（ρ）とによ
り決定された本発明による検出器の種々の状態を表わす
２０個の安定状態により構成される。装置が充電器への
負荷となると共にスイッチオンされる毎に、主プログラ
ムは、バッテリの充電レベルを試験し、かつ、バッテリ
が完全に放電しているか又は既に一部充電されているか
に依存して、充電から開始し、又は、充電を続けるため
適切な設定値を素子Ｒ２の抵抗に割り当てるため、変数
ＣＨをＣＨ＝１と設定し、ハイレベルの例外を用いて
（ＩＴは通常充電中にローレベルで作動状態である）、
割込ＩＴを作動状態にさせる。
電源電圧検出器の動作を説明する。同図に示されたオー
トマトンは、２個の２進変数（ＣＨ，ＩＴ）と、６個の
設定値を想定することができる１個の変数（ρ）とによ
り決定された本発明による検出器の種々の状態を表わす
２０個の安定状態により構成される。装置が充電器への
負荷となると共にスイッチオンされる毎に、主プログラ
ムは、バッテリの充電レベルを試験し、かつ、バッテリ
が完全に放電しているか又は既に一部充電されているか
に依存して、充電から開始し、又は、充電を続けるため
適切な設定値を素子Ｒ２の抵抗に割り当てるため、変数
ＣＨをＣＨ＝１と設定し、ハイレベルの例外を用いて
（ＩＴは通常充電中にローレベルで作動状態である）、
割込ＩＴを作動状態にさせる。
【００４１】従って、制御素子３０は割込が誘発される
（例外によってハイレベルで作動状態になる）まで、減
少する順番でテーブル３２ａの値を走査する。検出器
は、かくして、割込（ＩＴ＝１）の発生の可能性の十分
に検出し得るタイミングτである状態から別の状態に移
る（設定値ρ４乃至ρ０により表わされた）状態Ｃ０乃
至Ｃ４を記述し、検出器をＣ５乃至Ｃ９のうちいずれか
の状態に移して終了する。割込プログラムは、バッテリ
の充電レベルを表示するため検出された設定値ρ０乃至
ρ４を格納する。割込は低レベルで再プログラムされ
る。次に、充電中（ＣＨ＝１）の間に新しい割込（ＩＴ
＝０）毎に、検出器は図７において矢印で示された順番
に従って後続の状態を規定する。割込プログラムは電源
電圧のレベルを更新し、状態Ｃ６乃至Ｃ９のうちのいず
れか一つの状態から状態Ｃ５乃至Ｃ８のうちのいずれか
一つの状態に移るとき設定値を減少させ、或いは、状態
Ｃ５から状態Ｃが達成されたとき充電を停止するため充
電器を動作できない状態にさせる。
（例外によってハイレベルで作動状態になる）まで、減
少する順番でテーブル３２ａの値を走査する。検出器
は、かくして、割込（ＩＴ＝１）の発生の可能性の十分
に検出し得るタイミングτである状態から別の状態に移
る（設定値ρ４乃至ρ０により表わされた）状態Ｃ０乃
至Ｃ４を記述し、検出器をＣ５乃至Ｃ９のうちいずれか
の状態に移して終了する。割込プログラムは、バッテリ
の充電レベルを表示するため検出された設定値ρ０乃至
ρ４を格納する。割込は低レベルで再プログラムされ
る。次に、充電中（ＣＨ＝１）の間に新しい割込（ＩＴ
＝０）毎に、検出器は図７において矢印で示された順番
に従って後続の状態を規定する。割込プログラムは電源
電圧のレベルを更新し、状態Ｃ６乃至Ｃ９のうちのいず
れか一つの状態から状態Ｃ５乃至Ｃ８のうちのいずれか
一つの状態に移るとき設定値を減少させ、或いは、状態
Ｃ５から状態Ｃが達成されたとき充電を停止するため充
電器を動作できない状態にさせる。
【００４２】装置がスイッチオンされる毎に、及び、装
置が充電器から取り外されるとき、主プログラムは、バ
ッテリの放電レベルを設定し、適切な設定値を素子Ｒ２
の抵抗に割り当てるため、変数ＣＨをＣＨ＝０に設定
し、（割込ＩＴは通常放電中にハイレベルで作動状態で
ある）ローレベルの例外を用いて割込ＩＴを作動状態に
させる。
置が充電器から取り外されるとき、主プログラムは、バ
ッテリの放電レベルを設定し、適切な設定値を素子Ｒ２
の抵抗に割り当てるため、変数ＣＨをＣＨ＝０に設定
し、（割込ＩＴは通常放電中にハイレベルで作動状態で
ある）ローレベルの例外を用いて割込ＩＴを作動状態に
させる。
【００４３】従って、（ローレベルで作動状態である例
外を用いて）割込を誘発させるため、増大する方向にテ
ーブル３２ａの中の設定値が走査される。かくして、検
出器は、割込（ＩＴ＝０）が検出器を状態Ｄ５乃至Ｄ９
のうちいずれか一つの状態に置くまで、（設定値ρ１乃
至ρ５により表わされた）状態Ｄ０乃至Ｄ４を記述す
る。割込プログラムは、次に、バッテリの充電レベルを
表示するため検出された設定値ρ１乃至ρ５を格納す
る。割込はハイレベルで再プログラムされる。その後、
放電中（ＣＨ＝０）に、新しい割込（ＩＴ＝１）毎に、
検出器は図７において矢印で示された順番に後続の状態
を規定する。割込プログラムは、状態Ｄ６乃至Ｄ９のう
ちのいずれか一つの状態から状態Ｄ５乃至Ｄ８のうちの
いずれか一つの状態に移るとき、電源電圧レベルを更新
し、設定値を増加させ、或いは、状態Ｄ５から状態Ｄに
移るとき、電源を遮断する。
外を用いて）割込を誘発させるため、増大する方向にテ
ーブル３２ａの中の設定値が走査される。かくして、検
出器は、割込（ＩＴ＝０）が検出器を状態Ｄ５乃至Ｄ９
のうちいずれか一つの状態に置くまで、（設定値ρ１乃
至ρ５により表わされた）状態Ｄ０乃至Ｄ４を記述す
る。割込プログラムは、次に、バッテリの充電レベルを
表示するため検出された設定値ρ１乃至ρ５を格納す
る。割込はハイレベルで再プログラムされる。その後、
放電中（ＣＨ＝０）に、新しい割込（ＩＴ＝１）毎に、
検出器は図７において矢印で示された順番に後続の状態
を規定する。割込プログラムは、状態Ｄ６乃至Ｄ９のう
ちのいずれか一つの状態から状態Ｄ５乃至Ｄ８のうちの
いずれか一つの状態に移るとき、電源電圧レベルを更新
し、設定値を増加させ、或いは、状態Ｄ５から状態Ｄに
移るとき、電源を遮断する。
【００４４】本発明の一つの利点によれば、正しい設定
値を素子Ｒ２の抵抗に割り当てるため意図された充電又
は放電の開始の処理全体に影響を与えることなく、放電
モード（ＣＨ＝０）から充電モード（ＣＨ＝１）に切り
替え、逆に充電モードから放電モードに切り替えること
が可能である。充電状態Ｃ６乃至Ｃ９から充電モードに
移すため変数ＣＨをＣＨ＝０と置き、放電状態Ｄ６乃至
Ｄ９から充電モードに移すため変数ＣＨ＝１とすれば十
分である。抵抗素子Ｒ２はその値をρ１乃至ρ４に保持
し、バッテリの充電レベルは格納され、割込ＩＴは適当
な論理レベル（放電モードへの切り替え用の例外を用い
たローレベル、又は、充電モードへの切り替え用の例外
を用いたハイレベル）で再プログラムされる。
値を素子Ｒ２の抵抗に割り当てるため意図された充電又
は放電の開始の処理全体に影響を与えることなく、放電
モード（ＣＨ＝０）から充電モード（ＣＨ＝１）に切り
替え、逆に充電モードから放電モードに切り替えること
が可能である。充電状態Ｃ６乃至Ｃ９から充電モードに
移すため変数ＣＨをＣＨ＝０と置き、放電状態Ｄ６乃至
Ｄ９から充電モードに移すため変数ＣＨ＝１とすれば十
分である。抵抗素子Ｒ２はその値をρ１乃至ρ４に保持
し、バッテリの充電レベルは格納され、割込ＩＴは適当
な論理レベル（放電モードへの切り替え用の例外を用い
たローレベル、又は、充電モードへの切り替え用の例外
を用いたハイレベル）で再プログラムされる。
【００４５】本発明の検出器の他の実施例は図８に簡単
な電子回路の形式で示されている。この検出器は、制御
素子３０と、ディジタル・アナログ変換器８０と、比較
器８１とからなる。制御素子３０は、検出することが望
まれる電圧閾値に対応した設定値を計算しテーブル３２
ａに格納する。制御素子３０は、出力８２を介して上記
設定値をディジタル・アナログ変換器８０に伝達し、デ
ィジタル・アナログ変換器８０は、設定値を、回路中の
他のアナログ素子により理解され得る検出されるべき電
圧閾値Ｖｐに変換する。図４を参照して説明された検出
器の場合と同様に、制御素子３０は、バッテリの充電／
放電に追従するため電圧Ｖｐを論理的な順番に設定す
る。比較器８１は、比較の結果８５の関数として、制御
素子３０の割込ＩＴを発生させるため、入力８３及び８
４に夫々供給された電圧Ｖｐ及び電源電圧Ｖｂａｔを比
較する。Ｖｐ＝Ｖｂａｔの場合に、割込ＩＴは、電源電
圧Ｖｂａｔが検出閾値を上回ることを示す信号を作成す
るため発生される。
な電子回路の形式で示されている。この検出器は、制御
素子３０と、ディジタル・アナログ変換器８０と、比較
器８１とからなる。制御素子３０は、検出することが望
まれる電圧閾値に対応した設定値を計算しテーブル３２
ａに格納する。制御素子３０は、出力８２を介して上記
設定値をディジタル・アナログ変換器８０に伝達し、デ
ィジタル・アナログ変換器８０は、設定値を、回路中の
他のアナログ素子により理解され得る検出されるべき電
圧閾値Ｖｐに変換する。図４を参照して説明された検出
器の場合と同様に、制御素子３０は、バッテリの充電／
放電に追従するため電圧Ｖｐを論理的な順番に設定す
る。比較器８１は、比較の結果８５の関数として、制御
素子３０の割込ＩＴを発生させるため、入力８３及び８
４に夫々供給された電圧Ｖｐ及び電源電圧Ｖｂａｔを比
較する。Ｖｐ＝Ｖｂａｔの場合に、割込ＩＴは、電源電
圧Ｖｂａｔが検出閾値を上回ることを示す信号を作成す
るため発生される。
【００４６】かくして、電子装置は、ディジタルデータ
を変化させることなく電源を遮断し、電源バッテリの充
電レベルをいつでも表示し、過負荷がないときに充電を
停止させるため、電源電圧の閾値の交差を瞬時に検出し
得る簡単かつ経済的な電源電圧検出器により構成され
る。本発明は、上記の如く説明、表現された実施例に限
定されないことは明らかである。本発明の範囲内に含ま
れる本発明の実施例の他の変形は当業者に明らかであ
る。例えば、分圧ブリッジを形成する夫々の素子Ｒ１及
びＲ２の配置は変更してもよい。また、トランジスタＴ
は他の任意のスイッチングデバイスにより置換すること
が可能である。
を変化させることなく電源を遮断し、電源バッテリの充
電レベルをいつでも表示し、過負荷がないときに充電を
停止させるため、電源電圧の閾値の交差を瞬時に検出し
得る簡単かつ経済的な電源電圧検出器により構成され
る。本発明は、上記の如く説明、表現された実施例に限
定されないことは明らかである。本発明の範囲内に含ま
れる本発明の実施例の他の変形は当業者に明らかであ
る。例えば、分圧ブリッジを形成する夫々の素子Ｒ１及
びＲ２の配置は変更してもよい。また、トランジスタＴ
は他の任意のスイッチングデバイスにより置換すること
が可能である。
【図１】本発明による電子装置の一例である。
【図２】時間に対しグラフ化された電源電圧を表わす電
源バッテリの従来の放電曲線を示す図である。
源バッテリの従来の放電曲線を示す図である。
【図３】図１に示された装置の回路ブロック図である。
【図４】本発明による検出器の好ましい一実施例を示す
図である。
図である。
【図５】図３に示されたＥＥＰＲＯＭ３２内のテーブル
３２ａを示す図である。
３２ａを示す図である。
【図６】（Ａ）は図５に示された素子Ｒ２の抵抗の値を
増大させる素子Ｒ２の３個のポートの論理状態を示すタ
イミングチャートであり、（Ｂ）は素子Ｒ２の抵抗の値
を減少させる素子Ｒ２の３個のポートの論理状態を示す
タイミングチャートである。
増大させる素子Ｒ２の３個のポートの論理状態を示すタ
イミングチャートであり、（Ｂ）は素子Ｒ２の抵抗の値
を減少させる素子Ｒ２の３個のポートの論理状態を示す
タイミングチャートである。
【図７】図４に示された検出器の動作を説明するオート
マトンを表わす図である。
マトンを表わす図である。
【図８】本発明による検出器の他の実施例の構成図であ
る。
る。
１１ 電源バッテリ １２ スクリーン １２ａ アイコン １３ キーボード ３０ 制御素子 ３１ プロセッサ ３２ 電気的消去可能プログラマブル書き込み専用メ
モリ ３２ａ テーブル ３３ ランダムアクセスメモリ ３４ 読み出し専用メモリ ３５ バスネットワーク ３６ トランシーバー ３７ 電源検出回路 Ｒ０，Ｒ１，Ｒ２ 固定抵抗素子 Ｔ トランジスタ
モリ ３２ａ テーブル ３３ ランダムアクセスメモリ ３４ 読み出し専用メモリ ３５ バスネットワーク ３６ トランシーバー ３７ 電源検出回路 Ｒ０，Ｒ１，Ｒ２ 固定抵抗素子 Ｔ トランジスタ
Claims (7)
- 【請求項１】 電気的消去可能なデータを格納するメモ
リと、電源電圧の変化を検出する電源電圧検出器とによ
り構成され、電源電圧により電力が供給される電子装置
において、 上記電源電圧検出器は、 電源電圧の降下を表わす第１の信号を生成する電源電圧
用の連続的な監視器と、 上記第１の信号が現れたとき、上記メモリに格納された
データをバックアップするバックアップ手段とからなる
ことを特徴とする電子装置。 - 【請求項２】 上記連続的な監視器は、電源電圧レベル
を示すため第２の信号を生成することを特徴とする請求
項１記載の電子装置。 - 【請求項３】 上記連続的な監視器は、過負荷を示すた
め第３の信号を生成することを特徴とする請求項１又は
２記載の電子装置。 - 【請求項４】 少なくとも一つの割込入力を有する制御
素子を更に有し、 上記信号は、上記制御素子の割込を発生させ、上記信号
に応答する割込プログラムを夫々に起動するため、上記
割込入力に供給されることを特徴とする請求項１乃至３
のうちいずれか１項記載の電子装置。 - 【請求項５】 上記連続的な監視器は、上記電源電圧の
値を設定値と比較し、上記信号を夫々に生成する比較器
を更に有することを特徴とする請求項１乃至４のうちい
ずれか１項記載の電子装置。 - 【請求項６】 上記比較器は、上記設定値を生成するた
め、上記制御素子により制御された可変抵抗を有する抵
抗素子からなることを特徴とする請求項５記載の電子装
置。 - 【請求項７】 無線電話機であることを特徴とする請求
項１乃至６のうちいずれか１項記載の電子装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9615665 | 1996-12-19 | ||
| FR9615665 | 1996-12-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10198470A true JPH10198470A (ja) | 1998-07-31 |
| JP4376327B2 JP4376327B2 (ja) | 2009-12-02 |
Family
ID=9498867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34652497A Expired - Lifetime JP4376327B2 (ja) | 1996-12-19 | 1997-12-16 | 電源電圧の変化を検出する検出器からなる携帯用電子装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6314307B1 (ja) |
| EP (1) | EP0849660B1 (ja) |
| JP (1) | JP4376327B2 (ja) |
| DE (1) | DE69731361T2 (ja) |
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