JPH10190312A - 誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体フィルタInfo
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- JPH10190312A JPH10190312A JP35807496A JP35807496A JPH10190312A JP H10190312 A JPH10190312 A JP H10190312A JP 35807496 A JP35807496 A JP 35807496A JP 35807496 A JP35807496 A JP 35807496A JP H10190312 A JPH10190312 A JP H10190312A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 共振器間の容量付加を容易にするとともに、
銀のマイグレーションの発生を防止する。 【解決手段】 誘電体ブロック10の側面に、外導体とは
絶縁された導体膜15を内導体と対向するように形成し、
この導体膜を他の内導体と対向する導体膜あるいは入出
力端子となる導体膜と接続する。接続用の導体パターン
17は誘電体ブロックの表面に形成された結晶ガラス16ａ
と非晶ガラス16Ｂから成る二層ガラス層の上に形成され
る。
銀のマイグレーションの発生を防止する。 【解決手段】 誘電体ブロック10の側面に、外導体とは
絶縁された導体膜15を内導体と対向するように形成し、
この導体膜を他の内導体と対向する導体膜あるいは入出
力端子となる導体膜と接続する。接続用の導体パターン
17は誘電体ブロックの表面に形成された結晶ガラス16ａ
と非晶ガラス16Ｂから成る二層ガラス層の上に形成され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体フィルタの
構造に係るもので、特に、減衰極を形成するために容量
を付加するフィルタとして用いるのに適した誘電体フィ
ルタに関するものである。
構造に係るもので、特に、減衰極を形成するために容量
を付加するフィルタとして用いるのに適した誘電体フィ
ルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】移動体通信機器等の数百MHz 帯域で利用
可能なフィルタとして、誘電体共振器(フィルタ) や積
層ＬＣフィルタが用いられるようになっている。同軸Ｔ
ＥＭ共振タイプの誘電体フィルタは高いＱが得られるた
めに、フィルタ、デュプレクサとして数多く使われてい
る。
可能なフィルタとして、誘電体共振器(フィルタ) や積
層ＬＣフィルタが用いられるようになっている。同軸Ｔ
ＥＭ共振タイプの誘電体フィルタは高いＱが得られるた
めに、フィルタ、デュプレクサとして数多く使われてい
る。
【０００３】誘電体フィルタには、誘電体共振器単体を
複数個接続するものと、誘電体ブロック内に複数の貫通
孔を形成して複数の共振器を一体に形成するものとがあ
る。また、溝を形成した誘電体基板を貼り合わせる構造
なども採用されている。
複数個接続するものと、誘電体ブロック内に複数の貫通
孔を形成して複数の共振器を一体に形成するものとがあ
る。また、溝を形成した誘電体基板を貼り合わせる構造
なども採用されている。
【０００４】誘電体フィルタにおいて、通過帯域特性を
調整するために、共振器間の誘導結合と容量結合を調整
したり、共振器間に容量やインダクタンスを接続したり
する技術が用いられる。共振器間に容量等を付加するた
めには、外付けの部品が必要となったり、誘電体基板を
用いたりする必要がある。
調整するために、共振器間の誘導結合と容量結合を調整
したり、共振器間に容量やインダクタンスを接続したり
する技術が用いられる。共振器間に容量等を付加するた
めには、外付けの部品が必要となったり、誘電体基板を
用いたりする必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】共振器間の容量等を得
るために誘電体ブロックの表面に導体膜を形成して、こ
の導体膜によってコンデンサやインダクタを形成する試
みもなされている。外導体の形成されている表面に導体
膜を形成するためには、絶縁層を介在させなければなら
ない。絶縁性を確保するために結晶ガラスが用いられる
ことが多いが、大電力を注入する誘電体フィルタでは、
導体膜として用いる銀の拡散が生じて、マイグレーショ
ンが発生して絶縁性を保つことが不可能となる。
るために誘電体ブロックの表面に導体膜を形成して、こ
の導体膜によってコンデンサやインダクタを形成する試
みもなされている。外導体の形成されている表面に導体
膜を形成するためには、絶縁層を介在させなければなら
ない。絶縁性を確保するために結晶ガラスが用いられる
ことが多いが、大電力を注入する誘電体フィルタでは、
導体膜として用いる銀の拡散が生じて、マイグレーショ
ンが発生して絶縁性を保つことが不可能となる。
【０００６】本発明は、誘電体ブロックの表面に容量や
インダクタンスを得るための導体膜を形成して、部品点
数の少ない誘電体フィルタを得るとともに、その導体膜
のマイグレーションを防止して耐圧の高い誘電体フィル
タを得るものである。
インダクタンスを得るための導体膜を形成して、部品点
数の少ない誘電体フィルタを得るとともに、その導体膜
のマイグレーションを防止して耐圧の高い誘電体フィル
タを得るものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、導体膜を接続
する導体パターンと誘電体ブロックとの間に、二種類の
ガラス層を形成することによって、上記の課題を解決す
るものである。
する導体パターンと誘電体ブロックとの間に、二種類の
ガラス層を形成することによって、上記の課題を解決す
るものである。
【０００８】すなわち、複数の平行な貫通孔を具えた誘
電体ブロックの貫通孔内に内導体、貫通孔の伸びる方向
に平行な表面に外導体、貫通孔の開口する一端面に短絡
導体を具えた誘電体フィルタにおいて、外導体が形成さ
れる表面に、外導体に囲まれて外導体とは絶縁されて内
導体と対向する複数の導体膜を具え、それらの導体膜を
接続する導体パターンが、外導体の導体膜の表面に結晶
ガラス、非晶ガラスの順に形成されたガラス層の上に形
成されたことに特徴を有するものである。
電体ブロックの貫通孔内に内導体、貫通孔の伸びる方向
に平行な表面に外導体、貫通孔の開口する一端面に短絡
導体を具えた誘電体フィルタにおいて、外導体が形成さ
れる表面に、外導体に囲まれて外導体とは絶縁されて内
導体と対向する複数の導体膜を具え、それらの導体膜を
接続する導体パターンが、外導体の導体膜の表面に結晶
ガラス、非晶ガラスの順に形成されたガラス層の上に形
成されたことに特徴を有するものである。
【０００９】また、複数の平行な貫通孔を具えた誘電体
ブロックの貫通孔内に内導体、貫通孔の伸びる方向に平
行な表面に外導体、貫通孔の開口する一端面に短絡導体
を具えた誘電体フィルタにおいて、外導体が形成される
表面に、外導体に囲まれて外導体とは絶縁されて所定の
内導体と対向する導体膜を具え、その導体膜と入出力電
極の一方とを接続する導体パターンが、外導体の導体膜
の表面に結晶ガラス、非晶ガラスの順に形成されたガラ
ス層の上に形成されたことに特徴を有するものである。
ブロックの貫通孔内に内導体、貫通孔の伸びる方向に平
行な表面に外導体、貫通孔の開口する一端面に短絡導体
を具えた誘電体フィルタにおいて、外導体が形成される
表面に、外導体に囲まれて外導体とは絶縁されて所定の
内導体と対向する導体膜を具え、その導体膜と入出力電
極の一方とを接続する導体パターンが、外導体の導体膜
の表面に結晶ガラス、非晶ガラスの順に形成されたガラ
ス層の上に形成されたことに特徴を有するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】誘電体ブロックの側面の内導体に
対向する位置に、外導体とは絶縁された導体膜を形成す
る。この導体膜は外導体の形成と同時に行うことができ
る。この導体膜と接続される他の導体膜との間の誘電体
ブロックの表面に下層に結晶ガラス、上層に非晶ガラス
を形成した後に、このガラス層の表面に導体膜を接続す
る導体パターンを形成する。
対向する位置に、外導体とは絶縁された導体膜を形成す
る。この導体膜は外導体の形成と同時に行うことができ
る。この導体膜と接続される他の導体膜との間の誘電体
ブロックの表面に下層に結晶ガラス、上層に非晶ガラス
を形成した後に、このガラス層の表面に導体膜を接続す
る導体パターンを形成する。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１２】図１は、本発明の実施例を示す斜視図であ
り、第２図はその正面断面図である。誘電率が90程度と
比較的高いセラミック材料によって三つの貫通孔を有す
る誘電体ブロック10を形成する。この誘電体ブロック10
の貫通孔内には内導体11を形成し、この貫通孔の伸びる
方向に平行な表面に外導体12を形成する。図示しない
が、貫通孔の開口する端面の一方にも導体膜が形成され
て、短絡導体となる。
り、第２図はその正面断面図である。誘電率が90程度と
比較的高いセラミック材料によって三つの貫通孔を有す
る誘電体ブロック10を形成する。この誘電体ブロック10
の貫通孔内には内導体11を形成し、この貫通孔の伸びる
方向に平行な表面に外導体12を形成する。図示しない
が、貫通孔の開口する端面の一方にも導体膜が形成され
て、短絡導体となる。
【００１３】本発明による誘電体フィルタにおいては、
外導体12が形成される表面の一部に外導体を形成しない
で、外導体とは絶縁された導体膜15を内導体11と対向す
る位置に形成してある。この導体膜15は内導体11と対向
してその間に容量を形成する。この例では両端の共振器
の内導体11に対向する導体膜15が形成されている。
外導体12が形成される表面の一部に外導体を形成しない
で、外導体とは絶縁された導体膜15を内導体11と対向す
る位置に形成してある。この導体膜15は内導体11と対向
してその間に容量を形成する。この例では両端の共振器
の内導体11に対向する導体膜15が形成されている。
【００１４】これらの導体膜15の間の誘電体ブロック10
の表面には、ガラス層16が形成される。このガラス層16
の表面に導体膜15同士を接続する導体パターン17が形成
される。なお、外導体12、導体膜15の形成と同時に端子
電極の導体膜18も形成しておく。ガラス層は図２に示し
たように、誘電体ブロック10の表面の外導体12に接して
結晶ガラス層16ａを形成し、その上に非晶ガラス層16ｂ
を形成した、二層構造としておく。
の表面には、ガラス層16が形成される。このガラス層16
の表面に導体膜15同士を接続する導体パターン17が形成
される。なお、外導体12、導体膜15の形成と同時に端子
電極の導体膜18も形成しておく。ガラス層は図２に示し
たように、誘電体ブロック10の表面の外導体12に接して
結晶ガラス層16ａを形成し、その上に非晶ガラス層16ｂ
を形成した、二層構造としておく。
【００１５】上記の構造を採用することにより、図４に
示したように、入出力端の共振器の間に容量Ｃ5 が付加
されることになる。この容量を付加した場合には、通過
帯域の低域側に減衰極を形成することが可能となる。結
晶ガラスは絶縁性を上げるために用いるが、銀が拡散さ
れてマイグレーションが発生してしまう。それを防止す
るために、銀の導体パターン17は拡散されにくい非晶ガ
ラスを用い、その上に形成したものである。
示したように、入出力端の共振器の間に容量Ｃ5 が付加
されることになる。この容量を付加した場合には、通過
帯域の低域側に減衰極を形成することが可能となる。結
晶ガラスは絶縁性を上げるために用いるが、銀が拡散さ
れてマイグレーションが発生してしまう。それを防止す
るために、銀の導体パターン17は拡散されにくい非晶ガ
ラスを用い、その上に形成したものである。
【００１６】図３は、本発明の他の実施例を示す正面断
面図である。誘電率が90程度と比較的高いセラミック材
料によって二つの貫通孔を有する誘電体ブロック30を形
成する。この誘電体ブロック30の貫通孔内には内導体31
を形成し、この貫通孔の伸びる方向に平行な表面に外導
体32を形成する。図示しないが、貫通孔の開口する端面
の一方にも導体膜が形成されて、短絡導体となる。
面図である。誘電率が90程度と比較的高いセラミック材
料によって二つの貫通孔を有する誘電体ブロック30を形
成する。この誘電体ブロック30の貫通孔内には内導体31
を形成し、この貫通孔の伸びる方向に平行な表面に外導
体32を形成する。図示しないが、貫通孔の開口する端面
の一方にも導体膜が形成されて、短絡導体となる。
【００１７】この誘電体フィルタにおいては、外導体32
が形成される表面の一部に外導体を形成しないで、外導
体とは絶縁された導体膜35を内導体31と対向する位置に
形成してある。この導体膜35は内導体31と対向してその
間に容量を形成する。この例では出力端の共振器の内導
体31に対向する導体膜35が形成されている。
が形成される表面の一部に外導体を形成しないで、外導
体とは絶縁された導体膜35を内導体31と対向する位置に
形成してある。この導体膜35は内導体31と対向してその
間に容量を形成する。この例では出力端の共振器の内導
体31に対向する導体膜35が形成されている。
【００１８】これらの導体膜35と入力電極の導体膜38ａ
との間の誘電体ブロック30の表面には、結晶ガラス層36
ａと非晶ガラス層36ｂが形成される。この非晶ガラス層
36ｂの表面に導体膜35と入力電極の導体膜38ａを接続す
る導体パターン37が形成される。なお、外導体32、導体
膜35の形成と同時に端子電極の導体膜38も形成してお
く。
との間の誘電体ブロック30の表面には、結晶ガラス層36
ａと非晶ガラス層36ｂが形成される。この非晶ガラス層
36ｂの表面に導体膜35と入力電極の導体膜38ａを接続す
る導体パターン37が形成される。なお、外導体32、導体
膜35の形成と同時に端子電極の導体膜38も形成してお
く。
【００１９】図３に示した構造を採用することにより、
図５に示した回路が実現して、入力端と出力側の共振器
との間に容量Ｃ8 が付加される。共振器間を誘導結合と
した場合に、通過帯域の高域側に減衰極が得られ、トラ
ップ等として用いることもできる。
図５に示した回路が実現して、入力端と出力側の共振器
との間に容量Ｃ8 が付加される。共振器間を誘導結合と
した場合に、通過帯域の高域側に減衰極が得られ、トラ
ップ等として用いることもできる。
【００２０】なお、本発明は貼り合わせ型の誘電体フィ
ルタや四素子以上の誘電体フィルタにも応用できる。ま
た、導体パターンによってインダクタンスを実現した
り、複数の接続用の導体パターンを形成することも可能
である。
ルタや四素子以上の誘電体フィルタにも応用できる。ま
た、導体パターンによってインダクタンスを実現した
り、複数の接続用の導体パターンを形成することも可能
である。
【００２１】本発明による誘電体フィルタは、通常10Ｗ
程度の入力で５Ｖ程度の耐電力性を有していれば十分と
考えられるが、10Ｖで連続 500時間の電力注入にも耐え
られることが確認された。従来の一層のガラスでは、こ
の程度の入力があると、短時間で使用不能となってい
た。
程度の入力で５Ｖ程度の耐電力性を有していれば十分と
考えられるが、10Ｖで連続 500時間の電力注入にも耐え
られることが確認された。従来の一層のガラスでは、こ
の程度の入力があると、短時間で使用不能となってい
た。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、誘電体ブロックの表面
の導体膜によって回路素子を形成することができ、部品
点数の少ない小型の誘電体フィルタを実現することがで
きる。
の導体膜によって回路素子を形成することができ、部品
点数の少ない小型の誘電体フィルタを実現することがで
きる。
【００２３】また、二層のガラスを介して銀の導体膜を
形成しているので、マイグレーションを防止して高電力
の注入が可能な、特性の良好な誘電体フィルタが得られ
る。
形成しているので、マイグレーションを防止して高電力
の注入が可能な、特性の良好な誘電体フィルタが得られ
る。
【図１】 本発明の実施例を示す斜視図
【図２】 その正面断面図．
【図３】 図１の誘電体フィルタの等価回路図
【図４】 本発明の他の実施例を示す斜視図
【図５】 図３の誘電体フィルタの等価回路図
10、30：誘電体ブロック 11、31：内導体 12、32：外導体 15、35：導体膜 16、36：ガラス層 17、37：導体パターン
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の平行な貫通孔を具えた誘電体ブロ
ックの貫通孔内に内導体、貫通孔の伸びる方向に平行な
表面に外導体、貫通孔の開口する一端面に短絡導体を具
えた誘電体フィルタにおいて、外導体が形成される表面
に、外導体に囲まれて外導体とは絶縁されて内導体と対
向する複数の導体膜を具え、それらの導体膜を接続する
導体パターンが、外導体の導体膜の表面に結晶ガラス、
非晶ガラスの順に形成されたガラス層の上に形成された
ことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項２】 複数の平行な貫通孔を具えた誘電体ブロ
ックの貫通孔内に内導体、貫通孔の伸びる方向に平行な
表面に外導体、貫通孔の開口する一端面に短絡導体を具
えた誘電体フィルタにおいて、外導体が形成される表面
に、外導体に囲まれて外導体とは絶縁されて所定の内導
体と対向する導体膜を具え、その導体膜と入出力電極の
一方とを接続する導体パターンが、外導体の導体膜の表
面に結晶ガラス、非晶ガラスの順に形成されたガラス層
の上に形成されたことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項３】 複数の平行な貫通孔を具えた誘電体ブロ
ックの貫通孔内に内導体、貫通孔の伸びる方向に平行な
表面に外導体、貫通孔の開口する一端面に短絡導体を具
えた誘電体フィルタにおいて、外導体が形成される表面
に、外導体に囲まれて外導体とは絶縁されて内導体と対
向して容量を形成する複数の導体膜を具え、それらの導
体膜を接続する導体パターンが、外導体の導体膜の表面
に結晶ガラス、非晶ガラスの順に形成されたガラス層の
上に形成されたことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項４】 複数の平行な貫通孔を具えた誘電体ブロ
ックの貫通孔内に内導体、貫通孔の伸びる方向に平行な
表面に外導体、貫通孔の開口する一端面に短絡導体を具
えた誘電体フィルタにおいて、外導体が形成される表面
に、外導体に囲まれて外導体とは絶縁されて所定の内導
体と対向して容量を形成する導体膜を具え、その導体膜
と入出力電極の一方とを接続する導体パターンが、外導
体の導体膜の表面に結晶ガラス、非晶ガラスの順に形成
されたガラス層の上に形成されたことを特徴とする誘電
体フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35807496A JP3155721B2 (ja) | 1996-12-28 | 1996-12-28 | 誘電体フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35807496A JP3155721B2 (ja) | 1996-12-28 | 1996-12-28 | 誘電体フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10190312A true JPH10190312A (ja) | 1998-07-21 |
| JP3155721B2 JP3155721B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=18457407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35807496A Expired - Lifetime JP3155721B2 (ja) | 1996-12-28 | 1996-12-28 | 誘電体フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3155721B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7535318B2 (en) | 2005-10-13 | 2009-05-19 | Tdk Corporation | Dielectric device |
-
1996
- 1996-12-28 JP JP35807496A patent/JP3155721B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7535318B2 (en) | 2005-10-13 | 2009-05-19 | Tdk Corporation | Dielectric device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3155721B2 (ja) | 2001-04-16 |
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