JPH06252603A - 積層型誘電体フィルタ - Google Patents

積層型誘電体フィルタ

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JPH06252603A
JPH06252603A JP3981993A JP3981993A JPH06252603A JP H06252603 A JPH06252603 A JP H06252603A JP 3981993 A JP3981993 A JP 3981993A JP 3981993 A JP3981993 A JP 3981993A JP H06252603 A JPH06252603 A JP H06252603A
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達美 杉浦
Takami Hirai
隆己 平井
Shinsuke Yano
信介 矢野
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Abstract

(57)【要約】 【目的】減衰特性を改善して狭帯域化させることができ
るとともに小型化に適した構造を持つ積層型誘電体フィ
ルタを提供する。 【構成】入力端側の共振素子21および入力端側の共振
素子21の開放端と対向する電極31を誘電体層11の
右側面上に形成し、誘電体層12の右側面上に入力端側
の共振素子21の一部と重なる入力用電極41を形成
し、誘電体層13の右側面上に出力端側の共振素子22
の一部と重なるとともに入力用電極41と全面に重なる
出力用電極42を形成し、出力端側の共振素子22およ
び出力端側の共振素子22の開放端と対向する電極32
を誘電体層14の右側面上に形成し、その後、誘電体層
11〜15を一体に構成する。入力用電極41と出力用
電極42との重なり部分に静電容量が形成されることに
より、フィルタの通過帯域の両側に減衰ピークが形成さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は積層型誘電体フィルタに
関し、特に携帯用電話機等の高周波回路無線機器に利用
する高周波回路フィルタやアンテナデュプレクサ等に使
用される積層型誘電体フィルタに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、高周波回路用バンドパスフィルタ
の減衰特性を改善して狭帯域化させる構造としては図1
4に示すような構造が提案されていた(特公昭62−1
9081号公報参照)。すなわち、互いに誘導結合され
た1/2波長マイクロストリップライン共振素子321
および322の一端部に近接してこれらの1/2波長マ
イクロストリップライン共振素子321および322と
それぞれ容量結合する入力用マイクロストリップライン
電極341および出力用マイクロストリップライン電極
342を設けるとともに、入力用マイクロストリップラ
イン電極341および出力用マイクロストリップライン
電極342同士も近接させてこれらを容量結合させるこ
とにより通過帯域の両側に減衰ピークを形成して減衰特
性を改善することが提案されていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術においては1/2波長マイクロストリップライン
共振素子321、322と入出力用マイクロストリップ
ライン電極341、342とは同一平面内に形成されて
いるから占有面積が大きくなり、小型化には適さないと
いう問題があった。
【0004】さらに、入出力用マイクロストリップライ
ン電極341、342間の容量は、平面上の電極間ギャ
ップのみによって形成されるから、大きい容量を得よう
とすれば入出力マイクロストリップライン電極341、
342の対向面積を大きくせざるを得ず、そして、これ
らの電極341、342が1/2波長マイクロストリッ
プライン共振素子321、322と同一平面内にあるか
ら、大きい容量を得ようとして入出力マイクロストリッ
プライン電極341、342の対向面積を大きくすれ
ば、占有面積もそれだけ大きくなってしまうという問題
もあった。
【0005】また、1/2波長マイクロストリップライ
ン共振素子321、322と入出力用マイクロストリッ
プライン電極341、342とは同一平面内に形成され
ているから、これらの間の容量も1/2波長マイクロス
トリップライン共振素子321、322と入出力用マイ
クロストリップライン電極341、342との間の平面
内のギャップのみによって形成されるから、大きい容量
を得ることが困難であり、回路設計を制限していた。
【0006】従って、本発明の一目的は、減衰特性を改
善して狭帯域化させることができるとともに小型化に適
した構造を持つ積層型誘電体フィルタを提供することに
ある。
【0007】本発明の他の目的は、占有面積を大きくす
ることなく、入出力用電極間の対向面積を大きくしてこ
れらの間の結合容量を大きくすることができる狭帯域化
積層型誘電体フィルタを提供することにある。
【0008】また、本発明のさらに他の目的は、共振素
子と入出力用電極との間に大きい容量を得ることが容易
であり回路設計の自由度が大きい狭帯域化積層型誘電体
フィルタを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、第1の
アース電極と、前記第1のアース電極と対向して設けら
れた第2のアース電極と、前記第1のアース電極と前記
第2のアース電極との間に設けられた誘電体層と、前記
誘電体層中に設けられた入力端側の共振素子と、前記誘
電体層中に前記入力端側の共振素子と誘導結合して設け
られた出力端側の共振素子と、前記誘電体層中に前記入
力端側の共振素子と容量結合して設けられた入力用電極
と、前記誘電体層中に前記出力端側の共振素子と容量結
合して設けられた出力用電極と、を有する積層型誘電体
フィルタにおいて、前記入力端側の共振素子の一主面が
前記第1のアース電極と対向して設けられ、前記出力端
側の共振素子の一主面が前記第2のアース電極と対向し
て設けられ、前記入力端側の共振素子の前記一主面とは
反対側の他の主面と前記出力端側の共振素子の前記一主
面とは反対側の他の主面とが対向して設けられ、前記入
力用電極が前記入力端側の共振素子と前記出力端側の共
振素子との間の前記誘電体層中に前記入力用電極の一主
面の少なくとも一部が前記入力端側の共振素子の前記他
の主面の一部と対向して設けられ、前記出力用電極が前
記入力端側の共振素子と前記出力端側の共振素子との間
の前記誘電体層中に前記出力用電極の一主面の少なくと
も一部が前記出力端側の共振素子の前記他の主面の一部
と対向するとともに前記出力用電極の前記一主面とは反
対側の他の主面の少なくとも一部が前記入力用電極の前
記一主面とは反対側の他の主面の少なくとも一部と対向
して設けられたことを特徴とする積層型誘電体フィルタ
が得られる。
【0010】
【作用】本発明においては、入力端側の共振素子の一主
面を第1のアース電極と対向して設け、出力端側の共振
素子の一主面を第2のアース電極と対向して設け、入力
端側の共振素子の一主面とは反対側の他の主面と出力端
側の共振素子の一主面とは反対側の他の主面とを対向し
て設けているから、入力端側の共振素子の主面および出
力端側の共振素子の主面を実装基板と垂直な方向に配置
することにより、積層型誘電体フィルタを小型化できる
とともにその占有面積を小さくすることができる。ま
た、これらの共振素子の主面を実装基板と平行な方向に
配置した場合においてはこれらの共振素子は実装基板と
は垂直な方向に積層されることになり、その結果、やは
り積層型誘電体フィルタの占有面積を小さくできる。
【0011】また、本発明においては、入力用電極の他
の主面の少なくとも一部と出力用電極の他の主面の少な
くとも一部とを対向して設けているから入力用電極と出
力用電極との間には静電容量が形成され、その結果、通
過帯域の両側に減衰ピークが形成されて減衰特性が改善
される。
【0012】そして、この入力用電極の一主面を入力端
側の共振素子の他の主面と対向して設け、出力用電極の
一主面を前記出力端側の共振素子の前記他の主面と対向
して設けているから、入力端側の共振素子の主面および
出力端側の共振素子の主面を実装基板と垂直な方向に配
置した場合には、入力用電極の主面および出力用電極の
主面も実装基板と垂直な方向に配置されることになり、
従って、積層型誘電体フィルタの占有面積が大きくなる
ことを抑制できる。そして、入力用電極の主面および出
力用電極の主面が実装基板と垂直な方向に配置されてい
れば、入力用電極の主面と出力用電極の主面との対向面
積を大きくして入力用電極および出力用電極間の結合容
量を大きくしても積層型誘電体フィルタの占有面積が大
きくなることはない。
【0013】また、このように、入力用電極の一主面を
入力端側の共振素子の他の主面と対向して設け、出力用
電極の一主面を前記出力端側の共振素子の前記他の主面
と対向して設けているから、入力端側の共振素子の主面
および出力端側の共振素子の主面を実装基板と平行な方
向に配置した場合においては、これらの入力用電極およ
び出力用電極は入力端側の共振素子および出力端側の共
振素子とともに実装基板とは垂直な方向に積層されるこ
とになり、その結果、やはり積層型誘電体フィルタの占
有面積が大きくなることを抑制できる。この場合におい
ても、入力用電極と出力用電極とは同一平面内ではなく
実装基板と垂直な方向に重ねられて設けられているか
ら、入力用電極の主面と出力用電極の主面との対向面積
を大きくして入力用電極および出力用電極間の結合容量
を大きくしても積層誘電体フイルタの占有面積が大きく
なることを抑制できる。
【0014】さらに、このように、入力用電極の一主面
を入力端側の共振素子の他の主面と対向して設け、出力
用電極の一主面を前記出力端側の共振素子の前記他の主
面と対向して設けているから、入出力端側の共振素子と
入出力用電極との間の結合容量は、入出力端側の共振素
子と入出力用電極との間の平面内のギャップによって形
成されるのではなく、入出力端側の共振素子と入出力用
電極との対向部分で形成されるから大きい容量値を得る
ことができ、回路設計の自由度を増すことができる。
【0015】
【実施例】次に、本発明の実施例を添付の図面を参照し
て説明する。
【0016】図1は、本発明の第1の実施例の模式展開
図であり、図2は本実施例の斜視図であり、図3は本実
施例の底面図である。
【0017】アース電極70に一端部が接続されて1/
4波長型ストリップライン共振器を構成する共振素子2
1を誘電体層11の右側面上に形成し、さらに、一端部
がアース電極70に接続され、かつ他端部が共振素子2
1の開放端から所定の間隔離れて共振素子21と対向す
る電極31を誘電体層11の右側面上に形成する。共振
素子21が入力端側の共振素子である。なお、誘電体層
11の左側面上にはアース電極70および入力端子51
1が後に形成される。
【0018】誘電体層12の右側面上に、入力端側の共
振素子21の一部と誘電体層12を挟んで重なるととも
に、共振素子21とほぼ直交する入力用電極41を形成
する。なお、入力用電極41の先端部411は共振素子
21および出力用電極42に対向する部分の面積を大き
くするために幅広い構造となっている。
【0019】誘電体層13の右側面上に、出力端側の共
振素子22の一部と誘電体層14を挟んで重なり、入力
用電極41と誘電体層13を挟んで全面に重なり、共振
素子22とほぼ直交する出力用電極42を形成する。な
お、出力用電極42の先端部421は共振素子22およ
び入力用電極41に対向する部分の面積を大きくするた
めに幅広い構造となっている。
【0020】アース電極70に一端部が接続されて1/
4波長型ストリップライン共振器を構成する共振素子2
2を誘電体層14の右側面上に形成し、さらに、一端部
がアース電極70に接続され、かつ他端部が共振素子2
2の開放端から所定の間隔離れて共振素子22と対向す
る電極32を誘電体層14の右側面上に形成する。共振
素子22が出力端側の共振素子である。
【0021】誘電体層14の右側面上に、表面にアース
電極70および出力端子521が形成される誘電体層1
5を積層して、誘電体層11〜15を一体に構成し、そ
の後焼成して積層体800を形成する。
【0022】図2、図3に示すように、積層体800の
上面、入力端子部611、出力端子部621を除く側
面、および入力端子部612、出力端子部622を除く
下面にアース電極70を形成する。さらに、積層体80
0の側面の入力端子部611内に、アース電極70と絶
縁され、かつ入力用電極41と電気的に接続される入力
端子511を形成する。そして、積層体800の下面の
入力端子部612内にもアース電極70と絶縁され、か
つ入力端子511および入力用電極41と接続される入
力端子512を形成する。また、同様に、積層体800
の側面の出力端子部621内に、アース電極70と絶縁
され、かつ出力用電極42と電気的に接続される出力端
子521を形成する。そして、積層体800の下面の出
力端子部622内にもアース電極70と絶縁され、かつ
出力端子521および出力用電極42と接続される出力
端子522を形成する。
【0023】図4は図2のX−X線断面図である。共振
素子21と入力用電極41との間に誘電体層12を挟ん
で重なり部分があって、誘電体層12を含む重なり部分
において容量結合された状態となっている。この静電容
量を静電容量111とする。また、共振素子22と出力
用電極42との間に誘電体層14を挟んで重なり部分が
あって、誘電体層14を含む重なり部分において容量結
合された状態となっている。この静電容量を静電容量1
12とする。
【0024】さらに、入力用電極41と出力用電極42
とは誘電体層13を挟んで互いに対向して設けられてお
り、この対向部分において容量結合された状態となって
いる。この静電容量を静電容量141とする。
【0025】また、図1および図4を参照すれば、共振
素子21および22の開放端と電極31および32との
間には静電容量121および122がそれぞれ形成され
ている。そして、これらの静電容量121および122
が存在することによって、共振素子21および22の長
さが1/4波長以下に短縮されるとともに、共振素子2
1および22間の結合長も1/4以下となり、誘導性の
分布結合を生じる。共振素子21および共振素子22は
この誘導結合を等価変換したインダクタンス131で結
合されて、コムライン型のフィルタを構成している。
【0026】以上のように構成された本実施例の積層型
誘電体フィルタの等価回路は図5に示すようになり、バ
ンドパス特性を呈する。なお、静電容量211およびイ
ンダクタンス212はそれぞれ共振素子21を等価変換
したときの静電容量およびインダクタンスであり、静電
容量221およびインダクタンス222はそれぞれ共振
素子22を等価変換したときの静電容量およびインダク
タンスである。
【0027】このフィルタにおいては、入力端子511
および出力端子521間を直接静電容量141で接続し
ているから、図6に示すように、通過帯域の両側に減衰
ピーク901、902が形成されて減衰特性が改善さ
れ、狭帯域化されたバンドパスフィルタが得られる。
【0028】本実施例においては、共振素子21および
22の主面を実装基板と垂直に併設しているから、積層
型誘電体フィルタの横幅は大幅に小さくなり、実装時の
占有面積も小さくなる。
【0029】また、入力用電極41の主面および出力用
電極42の主面を実装基板と垂直に設けているから、入
力用電極41の先端部411および出力用電極42の先
端部421の幅を広くして対向面積を大きくすることに
より入力用電極41および出力用電極42間の静電容量
141の容量値を大きくしても積層型誘電体フィルタの
占有面積が大きくなることはない。
【0030】さらに、静電容量111は共振素子21と
入力用電極41との間の重なり部分によって形成され、
静電容量112は共振素子22と出力用電極42との間
の重なり部分によって形成されているから、入力用電極
41および出力用電極42の形状を変化させることによ
ってこれらの重なり部分の面積を変化させることがで
き、その結果、静電容量111および112の容量値を
変化させることができる。このように、入力用電極41
および出力用電極42の形状を変化させるだけで共振素
子21と入力用電極41との間に形成される静電容量1
11および共振素子22と出力用電極42との間に形成
される静電容量112の容量値を容易に変化させること
ができるから、回路設計の自由度が増加する。
【0031】そして、このように入力用電極41および
出力用電極42の形状を変化させて、入力用電極41と
共振素子21とが重なる部分および出力用電極42と共
振素子22とが重なる部分の重なり面積を大きくして、
静電容量111および112の容量値を大きくしても、
共振素子21および22の形状は変化することはなく、
その結果、積層型誘電体フィルタの占有面積が増大する
こともない。
【0032】さらに、本実施例においては、入出力用電
極41、42を共振素子21、22と同一平面内には設
けていないから、共振素子21、22の開放端に対向す
る電極31、32を共振素子21、22と同一平面内に
それぞれ設けることができて、これらの電極31、32
と共振素子21、22との間に静電容量121、122
を形成することができるが、上述した特公昭62−19
081号公報に記載の構造では、入出力用電極と共振素
子とは同一平面内にあり、しかも共振素子の開放端側に
入出力用電極が設けられているから、このような電極3
1、32を共振素子21、22の開放端と対向して設け
ることも不可能である。
【0033】また、本実施例において、入力用電極41
および出力用電極42を積層体800の内部に設けてい
るにもかかわらず、積層体800の表面に、これらの入
力用電極41および出力用電極42とそれぞれ電気的に
接続される入力端子511および出力端子521を設け
ているのは、次の理由による。すなわち、これらの入力
端子511、出力端子521を積層体800の側面に設
けることにより、実装時に半田がこれらの入力端子51
1、出力端子521に沿って這い上がり、フィルタの実
装がより確実なものとなるからである。
【0034】なお、本実施例においては、入力用電極4
1と入力端子511とを積層体800の下面の入力端子
512で接続し、出力用電極42と出力端子521とを
積層体800の下面の出力端子522で接続したが、積
層体800の下面に入力端子512および出力端子52
2を設けないで、入力用電極41と入力端子511との
間、および出力用電極42と出力端子521との間を積
層体800の内部に設けたスルーホールで接続すること
もできる。
【0035】次に、第1の実施例の積層型誘電体フィル
タの製造方法について説明する。
【0036】本積層型誘電体フィルタは、共振素子2
1、22、電極31、32、入力用電極41および出力
用電極42を完全に誘電体中に内蔵することから、共振
素子21、22、電極31、32、入力用電極41およ
び出力用電極42には損失の少ない比抵抗の低いものを
用いることが望ましく、低抵抗のAg系、若しくはCu
系の導体を用いることが好ましい。
【0037】使用する誘電体としては、信頼性が高く誘
電率εγが大きいために小型化が可能となるセラミック
ス誘電体が好ましい。
【0038】また、製造方法としては、セラミックス粉
末の成形体に導体ペーストを塗布して電極パターンを形
成した後、各々の成形体を積層しさらに焼成して緻密化
し、導体がその内部に積層された状態でセラミックス誘
電体と一体化することが望ましい。
【0039】Ag系やCu系の導体を使用する場合に
は、それらの導体の融点が低く、通常の誘電体材料と同
時焼成することは困難であるところから、それらの融点
(1100℃以下)よりも低い温度で焼成され得る誘電
体材料を用いる必要がある。また、マイクロ波フィルタ
としてのデバイスの性格上、形成される並列共振回路の
共振周波数の温度特性(温度係数)が±50ppm/℃
以下になるような誘電体材料が好ましい。このような誘
電体材料としては、例えば、コージェライト系ガラス粉
末とTiO2 粉末およびNd2 Ti2 7 粉末との混合
物等のガラス系のものや、BaO−TiO2 −Re2
3 −Bi2 3 系組成(Re:レアアース成分)に若干
のガラス形成成分やガラス粉末を添加したもの、酸化バ
リウム−酸化チタン−酸化ネオジウム系誘電体磁気組成
物粉末に若干のガラス粉末を添加したものがある。
【0040】一例として、MgO:18wt%−Al2
3 :37wt%−SiO2 :37wt%−B2 3
5wt%−TiO2 :3wt%からなる組成のガラス粉
末の73wt%と、市販のTiO2 粉末の17wt%
と、Nd2 Ti2 7 粉末の10wt%を充分に混合
し、混合粉末を得た。なお、Nd2 Ti2 7 粉末は、
Nd2 3 粉末とTiO2 粉末を1200℃で仮焼した
後、粉砕して得たものを使用した。次いで、この混合粉
末に、アクリル系有機バインダー、可塑剤、トルエンお
よびアルコール系の溶剤を加え、アルミナ玉石で充分に
混合してスラリーとした。そして、このスラリーを用い
て、ドクターブレード法により、0.2mm〜0.5m
mの厚みのグリーンシートを作成した。
【0041】次に、上記第1の実施例の場合は、銀ペー
ストを導体ペーストとして図1に示した導体パターンを
それぞれ印刷し、次いで、これら導体パターンが印刷さ
れたグリーンシートの厚みを調整するために必要なグリ
ーンシートを重ねて図1の構造となるように重ね、積層
した後、900℃で焼成して、積層体800を製造し
た。
【0042】上記のように構成した積層体800の上
面、入力端子部611、出力端子部621を除く側面、
および入力端子部612、出力端子部622を除く下面
に、図2、図3に示すように銀電極からなるアース電極
70を印刷し、さらに、積層体800の側面の入力端子
部611内に、アース電極70と絶縁され、かつ入力用
電極41と電気的に接続する銀電極を入力端子511と
して印刷し、積層体800の下面の入力端子部612内
にもアース電極70と絶縁され、かつ入力端子511お
よび入力用電極41と接続する銀電極を入力端子512
として印刷し、また、同様に、積層体800の側面の出
力端子部621内に、アース電極70と絶縁され、かつ
出力用電極42と電気的に接続する銀電極を出力端子5
21として印刷し、積層体800の下面の出力端子部6
22内にもアース電極70と絶縁され、かつ出力端子5
21および出力用電極42と接続する銀電極を出力端子
522として印刷し、印刷した電極を850℃で焼き付
けて、本実施例の積層型誘電体フィルタを製造した。
【0043】なお、比較のために、比較例として図7に
その断面図で示す積層型誘電体フィルタを形成した。こ
の比較例においては、入力用電極41を入力端側の共振
素子21と入力端子511との間の誘電体層中に設け、
出力用電極42を出力端側の共振素子22と出力端子5
21との間の誘電体層中に設けた点が第1の実施例と異
なるが、他の構成は第1の実施例と同様である。
【0044】このような構成の本比較例の等価回路は図
8に示すようになり、入力端子511と出力端子521
との間には、静電容量が形成されないから、減衰ピーク
が形成されず、その減衰特性は図9に示すようになっ
た。
【0045】次に、本発明の第2の実施例について説明
する。
【0046】図10は本実施例の模式展開図、図11は
本実施例の斜視図、図12および図13はそれぞれ図1
1のX−X線断面図およびY−Y線断面図である。
【0047】上記第1の実施例においては、共振素子2
1の主面および共振素子22の主面を実装基板に対して
垂直に配置したが、本実施例においては、共振素子21
の主面および共振素子22の主面を実装基板に対して平
行に配置している。
【0048】図10を参照すれば、アース電極70に一
端部が接続されて1/4波長型ストリップライン共振器
を構成する共振素子21を誘電体層11上に形成し、さ
らに、一端部がアース電極70に電気的に接続され、か
つ他端部が共振素子21の開放端から所定の間隔離れて
共振素子21と対向する電極31を誘電体層11上に形
成する。共振素子21が入力端側の共振素子である。な
お、誘電体層11の裏面にもアース電極70が後に形成
される。
【0049】誘電体層12上に、入力端側の共振素子2
1の一部と誘電体層12を挟んで重なる入力用電極41
を形成する。なお、入力用電極41の先端部411は共
振素子21および出力用電極42に対向する部分の面積
を大きくするために共振素子21に沿って延在してい
る。
【0050】誘電体層13上に、出力端側の共振素子2
2の一部と誘電体層14を挟んで重なるとともに、入力
用電極41の一部と誘電体層13を挟んで重なる出力用
電極42を形成する。なお、出力用電極42の先端部4
21は共振素子22および入力用電極41に対向する部
分の面積を大きくするために共振素子21および22に
沿って延在している。
【0051】アース電極70に一端部が接続されて1/
4波長型ストリップライン共振器を構成する共振素子2
2を誘電体層14上に形成し、さらに、一端部がアース
電極70に接続され、かつ他端部が共振素子22の開放
端から所定の間隔離れて共振素子22と対向する電極3
2を誘電体層14上に形成する。共振素子22が出力端
側の共振素子である。
【0052】誘電体層14上に、表面にアース電極70
が形成される誘電体層15を積層して、誘電体層11〜
15を一体に構成し、その後焼成して積層体800を形
成する。
【0053】図11に示すように、積層体800の上下
面、入力端子部611、出力端子部621を除く側面に
アース電極70を形成する。さらに、積層体800の側
面の入力端子部611内に、アース電極70と絶縁さ
れ、かつ入力用電極41と電気的に接続される入力端子
511を形成する。また、積層体800の側面の出力端
子部621内に、アース電極70と絶縁され、かつ出力
用電極42と電気的に接続される出力端子521を形成
する。
【0054】図12および図13を参照すれば、共振素
子21と入力用電極41との間に誘電体層12を挟んで
重なり部分があって、誘電体層12を含む重なり部分に
おいて容量結合された状態となっている。この静電容量
を静電容量111とする。また、共振素子22と出力用
電極42との間に誘電体層14を挟んで重なり部分があ
って、誘電体層14を含む重なり部分において容量結合
された状態となっている。この静電容量を静電容量11
2とする。
【0055】さらに、入力用電極41の先端部411と
出力用電極42の先端部421とは誘電体層13を挟ん
で互いに対向して設けられており、この対向部分におい
て容量結合された状態となっている。この静電容量を静
電容量141とする。
【0056】また、共振素子21および22の開放端と
電極31および32との間には静電容量121および1
22がそれぞれ形成されている。そして、これらの静電
容量121および122が存在することによって、共振
素子21および22の長さが1/4波長以下に短縮され
るとともに、共振素子21および22間の結合長も1/
4以下となり、誘導性の分布結合を生じる。共振素子2
1および共振素子22はこの誘導結合を等価変換したイ
ンダクタンス131で結合されて、コムライン型のフィ
ルタを構成している。
【0057】以上のように構成された本実施例の積層型
誘電体フィルタの等価回路も図5に示すようになり、バ
ンドパス特性を呈する。本実施例においても、入力端子
511および出力端子521間を直接静電容量141で
接続しているから、図6に示すように、通過帯域の両側
に減衰ピーク901、902が形成されて減衰特性が改
善され、狭帯域化されたバンドパスフィルタが得られ
る。
【0058】本実施例においては、共振素子21および
22の主面を実装基板と平行に配置しているが、これら
の共振素子21および22を実装基板とは垂直な方向に
積層しているのみならず入力用電極41および出力用電
極42も実装基板とは垂直な方向に積層しているから、
積層型誘電体フィルタの横幅は大幅に小さくなり、実装
時の占有面積も小さくなる。
【0059】また、入力用電極41の先端部411およ
び出力用電極42の先端部421を共振素子21、22
に沿って延在させているから、入力用電極41の先端部
411および出力用電極42の先端部421の面積を大
きくして対向面積を大きくすることにより入力用電極4
1および出力用電極42間の静電容量141の容量値を
大きくしても積層型誘電体フィルタの占有面積が大きく
なることが抑制される。
【0060】さらに、静電容量111は共振素子21と
入力用電極41との間の重なり部分によって形成され、
静電容量112は共振素子22と出力用電極42との間
の重なり部分によって形成されているから、入力用電極
41および出力用電極42の形状、特にこれらの先端部
411、421の形状を変化させることによってこれら
の重なり部分の面積を変化させることができ、その結
果、静電容量111および112の容量値を変化させる
ことができる。このように、入力用電極41および出力
用電極42の形状を変化させるだけで共振素子21と入
力用電極41との間に形成される静電容量111および
共振素子22と出力用電極42との間に形成される静電
容量112の容量値を容易に変化させることができるか
ら、回路設計の自由度が増加する。
【0061】そして、このように入力用電極41および
出力用電極42の形状を変化させて、入力用電極41と
共振素子21とが重なる部分および出力用電極42と共
振素子22とが重なる部分の重なり面積を大きくさせ
て、静電容量111および112の容量値を大きくして
も、共振素子21および22の形状は変化することはな
く、その結果、誘電体フィルタの占有面積が増大するこ
とが抑制される。
【0062】さらに、本実施例においても、入出力用電
極41、42を共振素子21、22と同一平面内には設
けていないから、共振素子21、22の開放端に対向す
る電極31、32を共振素子21、22と同一平面内に
それぞれ設けることができて、これらの電極31、32
と共振素子21、22との間に静電容量121、122
を形成することができるが、上述した特公昭62−19
081号公報に記載の構造では、入出力用電極と共振素
子とは同一平面内にあり、しかも共振素子の開放端側に
入出力用電極が設けられているから、このような電極3
1、32を共振素子21、22の開放端と対向して設け
ることも不可能である。
【0063】さらに、また、本実施例においては、積層
体800の側面に設けられた入力端子511および出力
端子521が入力用電極41および出力用電極42とそ
れぞれ直接接続されているから、入力用電極41と入力
端子511とを接続するための端子および出力用電極4
2と出力端子521とを接続するための端子を積層体8
00の下面に設ける必要がなくなる。従って、これらの
下面に形成する端子をなくするか、小さくできるので、
積層型誘電体フィルタを実装基板上に実装したときにこ
れらの端子が実装基板と接触することによりフィルタ特
性に影響を与えるという問題を解決できる。
【0064】次に、本実施例の積層型誘電体フィルタの
製造方法について説明する。本実施例においても、第1
の実施例において使用したグリーンシートを用い、銀ペ
ーストを導体ペーストとして図10に示した導体パター
ンをそれぞれ印刷し、次いで、これらに導体パターンが
印刷されたグリーンシートの厚みを調整するために必要
なグリーンシートを重ねて図10の構造となるように積
層した後、900℃で焼成して、積層体800を形成し
た。
【0065】上記のように構成した積層体800の上下
面、および入力端子部611、出力端子部621を除く
側面に、図11に示すように銀電極からなるアース電極
70を印刷し、さらに、積層体800の側面の入力端子
部611内に、アース電極70と絶縁され、かつ入力用
電極41と接続する銀電極を入力端子511として印刷
し、積層体800の側面の出力端子部621内に、アー
ス電極70と絶縁され、かつ出力用電極42と接続する
銀電極を出力端子521として印刷し、印刷した電極を
850℃で焼き付けて、本実施例の積層型誘電体フィル
タを製造した。
【0066】
【発明の効果】本発明においては、入力端側の共振素子
の一主面を第1のアース電極と対向して設け、出力端側
の共振素子の一主面を第2のアース電極と対向して設
け、入力端側の共振素子の一主面とは反対側の他の主面
と出力端側の共振素子の一主面とは反対側の他の主面と
を対向して設けているから、積層型誘電体フィルタを小
型化できるとともにその占有面積を小さくすることがで
きる。
【0067】また、本発明においては、入力用電極の他
の主面の少なくとも一部と出力用電極の他の主面の少な
くとも一部とを対向して設けているから入力用電極と出
力用電極との間には静電容量が形成され、その結果、通
過帯域の両側に減衰ピークが形成されて減衰特性が改善
される。
【0068】そして、入力用電極の一主面を入力端側の
共振素子の他の主面と対向して設け、出力用電極の一主
面を出力端側の共振素子の他の主面と対向して設けてい
るから、積層型誘電体フィルタの占有面積を大きくする
ことなく、入力用電極の主面と出力用電極の主面との対
向面積を大きくして入力用電極および出力用電極間の結
合容量を大きくできる。
【0069】さらに、入力用電極の一主面を入力端側の
共振素子の他の主面と対向して設け、出力用電極の一主
面を出力端側の共振素子の他の主面と対向して設けてい
るから、入出力端側の共振素子と入出力用電極との結合
容量も入出力端側の共振素子と入出力用電極との対向部
分で形成されるから大きい容量値を得ることができ、回
路設計の自由度を増すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の積層型誘電体フィルタ
の模式展開図である。
【図2】本発明の第1の実施例の積層型誘電体フィルタ
の斜視図である。
【図3】本発明の第1の実施例の底面図である。
【図4】図2のX−X線断面図である。
【図5】本発明の第1の実施例の積層型誘電体フィルタ
の等価回路図である。
【図6】本発明の第1の実施例の積層型誘電体フィルタ
のフィルタ特性を示す図である。
【図7】比較例の積層型誘電体フィルタの断面図であ
る。
【図8】比較例の積層型誘電体フィルタの等価回路図で
ある。
【図9】比較例の積層型誘電体フィルタのフィルタ特性
を示す図である。
【図10】本発明の第2の実施例の積層型誘電体フィル
タの模式展開図である。
【図11】本発明の第2の実施例の積層型誘電体フィル
タの斜視図である。
【図12】図11のX−X線断面図である。
【図13】図11のY−Y線断面図である。
【図14】従来の高周波回路用バンドパスフィルタの構
造を説明するための平面図である。
【符号の説明】
11〜15…誘電体層 21、22…共振素子 31、32…電極 41…入力用電極 411…先端部 42…出力用電極 421…先端部 511、512…入力端子 521、522…出力端子 70…アース電極 800…積層体 901、902…減衰ピーク

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1のアース電極と、前記第1のアース電
    極と対向して設けられた第2のアース電極と、前記第1
    のアース電極と前記第2のアース電極との間に設けられ
    た誘電体層と、前記誘電体層中に設けられた入力端側の
    共振素子と、前記誘電体層中に前記入力端側の共振素子
    と誘導結合して設けられた出力端側の共振素子と、前記
    誘電体層中に前記入力端側の共振素子と容量結合して設
    けられた入力用電極と、前記誘電体層中に前記出力端側
    の共振素子と容量結合して設けられた出力用電極と、を
    有する積層型誘電体フィルタにおいて、前記入力端側の
    共振素子の一主面が前記第1のアース電極と対向して設
    けられ、前記出力端側の共振素子の一主面が前記第2の
    アース電極と対向して設けられ、前記入力端側の共振素
    子の前記一主面とは反対側の他の主面と前記出力端側の
    共振素子の前記一主面とは反対側の他の主面とが対向し
    て設けられ、前記入力用電極が前記入力端側の共振素子
    と前記出力端側の共振素子との間の前記誘電体層中に前
    記入力用電極の一主面の少なくとも一部が前記入力端側
    の共振素子の前記他の主面の一部と対向して設けられ、
    前記出力用電極が前記入力端側の共振素子と前記出力端
    側の共振素子との間の前記誘電体層中に前記出力用電極
    の一主面の少なくとも一部が前記出力端側の共振素子の
    前記他の主面の一部と対向するとともに前記出力用電極
    の前記一主面とは反対側の他の主面の少なくとも一部が
    前記入力用電極の前記一主面とは反対側の他の主面の少
    なくとも一部と対向して設けられたことを特徴とする積
    層型誘電体フィルタ。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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US7782157B2 (en) * 2005-12-27 2010-08-24 Taiyo Yuden Co., Ltd. Resonant circuit, filter circuit, and multilayered substrate

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JP2007097113A (ja) * 2005-04-25 2007-04-12 Kyocera Corp バンドパスフィルタ及び高周波モジュール、並びにこれを用いた無線通信機器
US7782157B2 (en) * 2005-12-27 2010-08-24 Taiyo Yuden Co., Ltd. Resonant circuit, filter circuit, and multilayered substrate

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