JPH1018096A - 微小金属球のハンダめっき法 - Google Patents
微小金属球のハンダめっき法Info
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
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Abstract
球がパッケージボードに加熱装着した際に発生した被膜
の膨れにて基板から剥離飛散する問題を解消できる微小
金属球のハンダめっき法の提供。 【解決手段】 めっき前及びめっき中に不活性ガスによ
るバブリングを行い、めっき浴中を常に置換ガスで充満
させておくことにより、ハンダめっき被膜中に吸蔵され
るH2ガス量を低減できる。
Description
m〜1.0mm程度の微小金属球の外周面に吸蔵される
H2量の少ないハンダめっき被膜を設けるハンダめっき
法に係り、ハンダめっき液を不活性ガスにてバブリング
しながら電気めっきして、微小金属球表面に含有H2量
の少ない所定厚みのハンダめっき被膜を設けた微小金属
球のハンダめっき法に関する。
rray)タイプの半導体パッケージのバンプ芯材とし
て用いられる微小金属球は、直径が0.1mm〜1.0
mm程度で材質としては、所定組成のハンダの他、最近
では、電気特性や機械的特性を考慮して、コバール(N
i−Co−Fe合金)、Cu、42Ni−Fe合金など
の金属球を芯材としてろう材を被覆したチップキャリア
ーが提案(特開昭62−112355号)され、また、
前記合金には製造上不可避的な不純物が含有されたり、
機械的特性を向上させる等の種々の目的で少量の添加元
素を含有したものも提案されている。
属を所定温度の液体中に滴下し、溶融金属自体の表面張
力にて球形化してそのまま凝固する所謂液体中滴下方
法、金型によるフォーミング等の所謂機械的塑性加工方
法、金属粒又は片を非酸化性雰囲気中で平板上に載置し
て振動を加えながら加熱溶融してその表面張力で球形化
してそのまま凝固する振動加熱方法(特公平2−509
61号)などが提案されている。
にろう材としては、要求される寸法精度や半導体パッケ
ージとプリント基板との固着強度などにより適宜選定さ
れる、例えば、厚み5〜50μmの種々の組成からなる
ハンダ(Pb−Sn系)が被覆され、また下地層として
Niなどの積層あるいは複合層が被覆されている。
っき被膜を設けた微小金属球は、パッケージボードに加
熱装着する際に、ハンダめっき被膜に膨れが生じ、この
膨れが破裂する際にボールが該基板から剥離飛散する問
題があった。
設けた微小金属球がパッケージボードに加熱装着した際
に発生した被膜の膨れにて基板から剥離飛散する問題を
解消できる微小金属球のハンダめっき法の提供を目的と
している。
金属球の基板から剥離飛散する問題について種々検討し
た結果、微小金属球のハンダめっき被膜中に吸蔵される
H2ガス量と相関関係があり、問題解決にはハンダめっ
き被膜中に吸蔵されるH2量を極力低減する必要がある
ことを知見した。
っき浴では被めっき物表面から水素ガスが発生し、この
発明対象の微小金属球では、球体であり体積当たりの表
面積が大きいことからハンダめっき被膜中に吸蔵される
H2ガス量も多くなる。
に吸蔵されるH2ガス量を低減できるハンダめっき方法
について鋭意検討した結果、めっき前及びめっき中に不
活性ガスによるバブリングを行い、めっき浴中を常に置
換ガスで充満させておくこと、例えば、溶存酸素濃度が
2ppm以下であれば不活性ガスで十分に置換されてい
ることを確認でき、該置換ガスで充満させておくことに
より、めっき浴中に発生した水素ガスを素早く追い出す
ことができることを知見し、このめっき方法にて微小金
属球にハンダめっき被膜を設けると、前述した被膜の膨
れにて微小金属球が基板から剥離飛散する問題を解消で
きることを確認し、この発明を完成した。
ダめっき液中に浸漬前または浸漬後に前記めっき液を不
活性ガスにてバブリングして溶存O2量を予め設定した
値に低減し、さらに前記バブリングを行いながら電気め
っきして微小金属球の外周面に所定厚みのハンダめっき
被膜を設けたことを特徴とする微小金属球のハンダめっ
き法である。
ブリング方法は、例えば、めっき浴槽の底部から窒素又
はアルゴンガスを導入して、めっき浴中の溶存ガスを置
換するもので、めっき浴中に導入する不活性ガスの流量
は、50ml/分未満ではバブリング効果が十分でな
く、溶存ガスとの置換に長時間を要し、所定の溶存O2
量とすることが困難となり、また、1000ml/分を
越えるとめっき液を飛散させるなどの問題を生じるほ
か、バブリングに要するコストが上昇して実用的でない
ため、バブリング時の不活性ガス流量は、50ml/分
〜1000ml/分であることが好ましい。
2量は若干異なり、一般的に7〜9ppmであるが、こ
の発明において、電気めっき前のめっき浴のバブリング
にて溶存O2量を2ppm以下とすることにより、電気
めっき中のバブリングとあいまって微小金属球表面に形
成するハンダめっき被膜に吸蔵されるH2ガス量を極力
低減でき、その結果、得られたハンダめっき被膜を有す
る微小金属球をパッケージボードに加熱装着する際に、
ハンダめっき被膜に膨れを生じることがなく、微小金属
球がボードより剥離飛散することを著しく減少できる。
ング方法は、めっき前と同様にめっき浴槽の底部から不
活性ガスを導入する方法を採用でき、さらに、バレルめ
っき法ではバレル内に不活性ガスを導入する方法が効果
的である。
切断し、直径D=0.6mm、長さL=0.64mmの
円柱状個片(L/D=1.07)としたCu個片を作製
し、これらを非イオン系高級アルコール洗剤で脱脂した
後、カーボン製の平板状個片配置治具に形成されている
穴内に振込配置した後、水素雰囲気で1150℃の電気
炉内に20分配置して加熱溶融した後、25℃/分の冷
却速度で冷却して凝固させ直径0.7mmのCuボール
を作成した。
/l、Pb2+ 1.6g/l、酸、光沢剤を含むpH<
1のめっき液を用い、浴温24℃にて電気めっき開始前
にめっき浴槽底部より、窒素ガス流量200ml/分に
てバブリングを2.5時間行った。ここで、バブリング
前のめっき浴中の溶存O2量を溶存酸素メーターにて測
定したところ、7〜8ppmであったが、窒素ガスによ
るバブリングを1.5時間行った後は溶存O2量が2p
pm以下に低下しており、さらに、バブリングを続け
2.5時間後に再度測定したところ、ほとんど変化して
いなかったため、窒素ガスで十分に置換されたものとし
て、電気めっきを開始した。
流密度0.06A/dm2、陽極板Sn/Pb=6/4
にて電気めっき中も窒素ガス流量200ml/分にてバ
ブリングを引続き行いながら、21時間めっきを行い、
Cuボール外周面に膜厚み35μmの共晶ハンダめっき
層を被覆した。
有するCuボールを、200℃、210℃、220℃、
各10秒間、各条件1000個を溶着して、それぞれの
膨れ発生率を測定した。表1にその結果を示す。また、
TCD検出器法により、室温から600℃間で温度を上
昇させながら水素ガスの放出量を測定温度におけるピー
クごとに測定した。表2にその結果を示す。
びめっき中のバブリングを行うことなく、先の実施例と
同一条件でCuボール外周面に膜厚み35μmの共晶ハ
ンダめっき層を被覆した。その後、実施例と同様に膨れ
発生率、基板からの剥離飛散率、水素ガス放出量をそれ
ぞれ測定した。その結果を表1,2に示す。
活性ガスによるバブリングを行い、めっき浴中を常に置
換ガスで充満させておくことにより、ハンダめっき被膜
中に吸蔵されるH2ガス量を低減でき、かかる発明方法
にて、微小金属球にハンダめっき被膜を設けると、実施
例に明らかなようにハンダめっき被膜を設けた微小金属
球がパッケージボードに加熱装着した際に被膜の膨れが
激減し、基板から微小金属球が剥離飛散する問題が解消
される。
Claims (2)
- 【請求項1】 微小金属球をハンダめっき液中に浸漬前
または浸漬後に前記めっき液を不活性ガスにてバブリン
グして溶存O2量を予め設定した値に低減し、さらに前
記バブリングを行いながら電気めっきして微小金属球の
外周面に所定厚みのハンダめっき被膜を設けたことを特
徴とする微小金属球のハンダめっき法。 - 【請求項2】 請求項1において、バブリング時の不活
性ガス流量が、50ml/分〜1000ml/分である
微小金属球のハンダめっき法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18883496A JP3777222B2 (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 微小金属球のハンダめっき法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP18883496A JP3777222B2 (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 微小金属球のハンダめっき法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH1018096A true JPH1018096A (ja) | 1998-01-20 |
JP3777222B2 JP3777222B2 (ja) | 2006-05-24 |
Family
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Family Applications (1)
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021049437A1 (ja) | 2019-09-11 | 2021-03-18 | 株式会社新菱 | Sn-Bi-In系低融点接合部材およびその製造方法、ならびに半導体電子回路およびその実装方法 |
WO2022050185A1 (ja) | 2020-09-04 | 2022-03-10 | 株式会社新菱 | 低融点接合部材およびその製造方法ならびに半導体電子回路およびその実装方法 |
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1996
- 1996-06-28 JP JP18883496A patent/JP3777222B2/ja not_active Expired - Fee Related
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WO2021049437A1 (ja) | 2019-09-11 | 2021-03-18 | 株式会社新菱 | Sn-Bi-In系低融点接合部材およびその製造方法、ならびに半導体電子回路およびその実装方法 |
WO2022050185A1 (ja) | 2020-09-04 | 2022-03-10 | 株式会社新菱 | 低融点接合部材およびその製造方法ならびに半導体電子回路およびその実装方法 |
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---|---|
JP3777222B2 (ja) | 2006-05-24 |
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