JP3752064B2 - 半田材料及びそれを用いた電子部品 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部材と基板を半田材料を用いて接合するに際して、半田接合部の熱疲労性能に優れた半田材料及びそれを用いた電子部品に関する。
【0002】
【従来の技術】
現在、ICチップやコンデンサ等と基板を接合する場合、半田材料が用いられており、5重量%Sn−95重量%Pbや63重量%Sn−37重量%Pb共晶半田が使用されている。
一方、ICチップやコンデンサ等と基板を半田材料を用いて接合する場合、Ni、Cu等の被膜を介在させて半田付けする事が通常行われている。
また、電子機器類に組み込まれたICチップ等を搭載した基板は電子機器のON−OFFに伴い、加熱−冷却を繰り返すという温度サイクル環境下に晒されている。特に最近のパッケージの小型化、薄肉化に伴い半田接合部が温度サイクル環境下に晒されるとクラックが生じ易いという問題が生じている。このことは、従来においては実装形態の設計変更によってクラックの発生に関する対策を図っていたものの、パッケージの小型化、薄肉化に伴い実装形態の設計の自由度が限定され、前記対策がとれなくなったことに起因している。
このため、温度サイクル環境下に晒されてもクラックが生じない半田材料が要求されている。
【0003】
このような半田材料への要求に対して、例えば特開平1−127192号公報ではSn−Pb合金に所定量のテルルを含有させることにより耐クラック性に優れることが開示されている。また特開平1−237095号公報ではSn−Pb合金に所定量のSb及びInを含有させることにより耐クラック性に優れることが開示されている。特開平7−299585号公報ではSn−Pb合金に所定量のSb及びNiを含有させることにより耐疲労性に優れることが開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし乍ら、ICチップ等と基板を上記従来の半田材料を用いて接合した場合、温度サイクル環境下に晒された際の半田材料の耐熱疲労性の更なる向上が求められている。
また、半田材料の接合性を向上させるためにNi被膜を介在させた場合、該Ni被膜の損傷を低減出来る半田材料が要求されている。
【0005】
本発明は前述の事情に鑑みなされたものでありその目的とするところは、ICチップ等の電子部材と基板を半田材料を用いて接合するに当たり、半田材料の耐熱疲労性が向上するとともに、Ni被膜を用いた場合のNi被膜の損傷を低減出来る半田材料と、該半田材料を用いてなる電子部品を提供する事にある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る半田材料はNi皮膜を介しての接合用の半田材料であり、鉄(Fe)が0.01〜4.99重量%、ニッケル(Ni)が0.01〜4.99重量%であってその合計料が0.02〜5.0重量%、銀(Ag)及びインジウム(In)のうち少なくとも一種が0.1〜8.0重量%、鉛(Pb)が70重量%未満及び残部が錫(Sn)と不可避不純物からなることを特徴とする。
請求項2に係る半田材料は、Ni皮膜を介しての接合用の半田材料であり、鉄(Fe)が0.01〜4.99重量%、ニッケル(Ni)が0.01〜4.99重量%であってその合計料が0.02〜5.0重量%、銀(Ag)及びインジウム(In)のうち少なくとも一種が0.1〜8.0重量%及び残部が錫(Sn)と不可避不純物からなることを特徴とする。
【0007】
請求項3に係る半田材料は、Ni皮膜を介しての接合用の半田材料であり、鉄(Fe)が0.01〜4.99重量%、ニッケル(Ni)が0.01〜4.99重量%であってその合計料が0.02〜5.0重量%、銀(Ag)が0.05〜6.0重量%、インジウム(In)が0.05〜2.0重量%、鉛(Pb)が70重量%未満及び残部が錫(Sn)と不可避不純物からなることを特徴とする。
請求項4に係る半田材料は、Ni皮膜を介しての接合用の半田材料であり、鉄(Fe)が0.01〜4.99重量%、ニッケル(Ni)が0.01〜4.99重量%であってその合計料が0.02〜5.0重量%、銀(Ag)が0.05〜6.0重量%、インジウム(In)が0.05〜2.0重量%及び残部が錫(Sn)と不可避不純物からなることを特徴とする。
【0008】
また、本発明に係る電子部品は上記の半田材料を用いて電子部材と基板とを接合してなることを要旨とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、実施の形態に基づいて本発明を説明する。
上述のように本発明は、Fe、Ni、Ag、In、Pb、Snの含有比率を前記のようにした組成の半田材料、及びこの半田材料を用いて電子部材と基板を接合してなる電子部品である。
【0010】
本発明において電子部材とは、基板に半田付けする部材をいい、例えばICチップ、コンデンサ、半導体装置、ハイブリッドIC等を総称して電子部材という。
また電子部品とは、▲1▼ICチップを実装した半導体装置、▲2▼ハイブリッドIC、▲3▼基板にICチップ,半導体装置,コンデンサ等を搭載した装置、これら▲1▼〜▲3▼を総称して電子部品という。
【0011】
また本発明においては、電子部材を搭載する印刷回路用銅張積層板やダイボンド用ダイを総称して基板という。印刷回路用銅張積層板には、樹脂結合材基板、セラミックス基板等がある。樹脂結合材基板は印刷回路用銅張積層板の中で基材の結合材料に主として樹脂を用いたものをいう。紙フェノール銅張積層板、紙エポキシ銅張積層板、ガラスエポキシ銅張積層板等が例示出来る。
【0012】
本発明における半田材料は、Sn又はSn−Pb合金をベース金属とする半田材料である。
該半田材料中のPb含有量は0〜70重量%であることが必要である。
Pb含有量が70重量%を越えると、液相線温度が高くなると共に環境問題に対して好ましくない。
このなかでも、半田材料の耐熱疲労性を更に向上させるためには、Pb含有量が0〜65重量%であることが好ましい。
また、Pb含有量が0重量%に近い程、環境に優しい半田材料になると共に、耐熱疲労性が向上する。このためPb含有量が0重量%であることが最も好ましい。
但し、本発明においてPb含有量が0重量%とは、不可避不純物として混入する微量のPbは許容するものである。
【0013】
本発明では前記ベース金属に、所定量のAg、Inの少なくとも1種との共存に於いて、所定量のFe及びNiを含有することが必要である。
Fe、Niの含有量が各々4.99重量%以下では、4.99重量%を越えるものと対比して、半田材料の耐熱疲労性が向上すると共に、基板と半田材料の間にNi被膜を介在させた場合の該Ni被膜の損傷を低減出来るという優れた効果を有する。
Fe、Niの含有量が各々0.01重量%以上では、0.01重量%未満のものと対比して、半田材料の耐熱疲労性が向上すると共に、上記Ni被膜を介在させた際の該被膜の損傷を低減出来るという優れた効果を有する。
またFe、Niの合計の含有量が5.0重量%以下では、5.0重量%を越えるものと対比して、半田材料の耐熱疲労性が向上すると共に、上記Ni被膜を介在させた際の該被膜の損傷を低減出来るという優れた効果を有する。
Fe、Niの合計の含有量が0.02重量%以上では、0.02重量%未満のものと対比して、半田材料の耐熱疲労性が向上すると共に、上記Ni被膜を介在させた際の該被膜の損傷を低減出来るという優れた効果を有する。
このため、Feを0.01〜4.99重量%、Niを0.01〜4.99重量%であって、且つその合計量を0.02〜5.0重量%と定めた。
【0014】
本発明では上記ベース金属及び前記所定量のFe、Niとの共存に於いて、所定量のAg、Inの少なくとも1種を含有することが必要である。
Ag及びInのうち少なくとも1種が8.0重量%以下では、8.0重量%を越えるものと対比して、半田材料の耐熱疲労性が向上すると共に、基板と半田材料の間にNi被膜を介在させた場合の該Ni被膜の損傷を低減出来るという優れた効果を有する。
Ag及びInのうち少なくとも1種が0.1重量%以上では、Ag及びInのいずれか1種を含有しその含有量が0.1重量%未満のもの、または、Ag及びInの双方を含有しその合計量0.1重量%未満のものと対比して、半田材料の耐熱疲労性が向上すると共に、上記Ni被膜を介在させた際の該被膜の損傷を低減出来るという優れた効果を有する。
このため、Ag及びInのうち少なくとも1種の含有量を0.1〜8.0重量%と定めた。
また、半田材料の耐熱疲労性の向上と、上記Ni被膜の損傷低減を図るためには、AgとInの双方を含有すると共に、その含有量をAg:0.05〜6.0重量%、In:0.05〜2.0重量%とすることがより好ましい。
【0015】
本発明に係る半田材料は、テープ、ワイヤ、ペレット、ボール、クリーム状等に加工して用いたり、浸せき浴や蒸着用の材料として用いることが出来る。また高融点粒子を混入させた複合材料として使用することも出来る。
テープ、ワイヤ状の加工方法としては次の方法が例示出来る
テープの場合、インゴットに鋳造した後圧延、スリッター加工を施し所定寸法のテープ形状に仕上げる。テープ寸法としては、厚さ0.05〜0.5mm、幅0.5〜5.0mmの範囲が選ばれる。
ワイヤの場合は、インゴットの押出し又は溶湯を水中へ噴出する急冷方法により素線を得た後、伸線加工により所定寸法のワイヤ状に仕上げる。ワイヤ寸法としては、直径0.05〜5.0mm迄の範囲が選ばれる。
【0016】
クリーム半田に加工する場合は、粘性基材としてフラックスを用い、これと粉末半田を混練して適当な粘性を持たせてクリーム状半田に仕上げる。フラックスは、ロジン又は重合ロジンを有機溶剤で溶解し、さらに活性剤を添加して液状フラックスとしたものを主に用いるが、これ以外にも、無機酸系、有機酸系の各種フラックスを適宜用いることができる。
粉末半田の製造には、溶融状態から粉末化する方法として粒化法、衝撃法、噴霧法があげられる。
一例として、天然ロジン(松やに)を芳香族系高級アルコールで溶解したものを液状フラックスとし、所定の組成に調合・溶解されたインゴットから噴霧法で作製した100〜400メッシュの半田粉末に対し、5−30wt%の割合で液状フラックスを混練して得た、2〜80万cps粘度範囲のクリーム半田をあげることができる。
【0017】
また、半導体素子を基板に接合する場合や、ダイボンディングやハイブリッドIC用に本発明になる半田材料を用いる際、電子部材と基板の水平度を保つ為に、上記組成の半田材料に高融点粒子を混入させた複合材料として用いることが出来る。
高融点粒子の融点は400℃以上、その含有量は0.001〜0.6重量%、粒子の径辺寸法は5〜100μmである事が好ましい。
高融点粒子の材質としてはCu、Ni等の金属粒子、SiO2 等の酸化物、SiC等の炭化物が例示出来る。
【0018】
本発明になる半田材料は、半田付け被接合材の表面にNi被膜、Cu被膜が施されている場合も、半田付けすることによる接合性を向上させる事が出来る。
その中でも、NEMA規格に定めるFR−4のような樹脂結合材基板にNi被膜を施して半田付けする場合に好ましい。
Ni被膜の形成方法はメッキ、蒸着等の方法が用いられる。蒸着によるNi被膜の厚さは1000〜3000オングストロームが好ましい。
【0019】
本発明になる電子部品としては、例えばICチップをダイボンドした半導体装置やBGA、とりわけCSPパッケージにおいて、電子部材としてのチップキャリヤ基板とメインボード基板を、Ni被膜を介して半田付け接合された電子部品が例示出来る。
図1を用いてBAGパッケージとしての電子部品を説明する。
図中の符号1はアルミナ基板、2はICチップ、3はボンディングワイヤ、4は封止樹脂、5は半導体装置、6は半導体装置パッド電極、7は本発明に係る半田材料からなる半田ボールでパッド電極6側に接合されている。8はメインボードとしてのガラスエポキシ銅張積層板、9はパッド電極である。パッド電極6、9の表面はNiメッキやCuメッキが施されている。さらにパッド電極9のメッキ層の上には、半田ボール7接合用のフラックス又はクリーム半田が塗布されている。このような構成の電子部品を、水素雰囲気の加熱炉中を通過させ、半田ボール7を溶融させて半田付けを行う。
【0020】
図2は半導体素子を基板へ実装してなる電子部品を示す。
図中の符号11はアルミナ基板、12はICチップ、13,14はパッド電極、15は本発明に係る半田材料からなる半田ボールでパッド電極13側に接合されている。パッド電極13,14の表面はNiメッキやCuメッキが施されており、さらにパッド電極14のメッキ層の上には、半田ボール15接合用のフラックス又はクリーム半田が塗布されている。このような構成のものを加熱炉中を通過させ、半田ボール15を溶融させてアルミナ基板11にICチップ12を半田付けし、最後に封止樹脂16でICチップ12を封止して半導体装置17が完成する。
【0021】
図3は、リードフレームに半導体素子を搭載し樹脂モールドで封止したパッケージ型の半導体装置を基板へ実装してなる電子部品を示す。
図中の符号21は前記半導体装置、22はそのアウターリード、23は基板、24は基板上のパッド電極、25は本発明に係る半田材料からなる半田ボールでリード22側に接合されている。パッド電極24の表面はNiメッキやCuメッキが施されている。さらにパッド電極24のメッキ層の上には、半田ボール25接合用のフラックス又はクリーム半田が塗布されている。このような構成の電子部品を加熱炉中を通過させ、半田ボール25を溶融させて半田付けを行う。
【0022】
図4は、半導体素子をダイボンディングにより基板へ実装した電子部品を示し、図中31はICチップ、32は基板、33は本発明に係る半田材料からなる半田ボールでICチップ31側に接合されている。ICチップ31,基板32における半田ボール接合箇所の表面は、NiメッキやCuメッキが形成されている。さらに基板32側のメッキ層の上には、半田ボール33接合用のフラックス又はクリーム半田が塗布されている。このような構成の電子部品を加熱炉中を通過させ、半田ボール33を溶融させて半田付けを行う。
【0023】
上記半田ボール7,15,25,33は、本発明に係る半田材料をテープ,ワイヤ,ペレット状等に加工したものから形成されるが、該半田ボールに代えてクリーム半田を用いる場合は、スクリーン印刷法で所定量の半田を印刷・溶融させることにより、前記半田ボールを用いた場合と同じ効果を出すことが出来る。
【0024】
以上、ICチップや半導体装置を基板に実装してなる電子部品の例を示したが、これ以外に、ハイブリッドICや、コンデンサを基板に接続してなる電子部品を製造する際にも本発明になる半田材料を用いる事が出来る。
また本発明になる半田材料は、Ni被膜を有する電子部材の接合の際に好ましく用いられる。
【0025】
【実施例A】
(実施例1)
純度99.99重量%のSnに、Fe、Ni、Ag、In、Pbを所定量配合し、真空溶解した後、鋳造して表1に示す組成のインゴットを得た。該インゴットを圧延して厚さ0.1mm×幅10mmのテープを得て、該テープを素材としてプレス加工を行い半田ペレットを得た。該ペレットを油中で加熱、冷却して直径0.76mm程度の半田ボールに仕上げた。
該半田ボールを図5に示す試験装置に供し、耐熱疲労性とNi被膜損傷度を測定した。以下、その測定方法について説明する。
【0026】
まず図示のように、アルミナ基板41、ガラスエポキシ銅張積層板41’上に、蒸着により形成した3000オングストローム厚さのNi被膜42、42’を中心間距離2mmで形成し、該Ni被膜42、42’を介して、フラックス(日本アルファメタル製R5003)を塗布した前記半田ボール(0.76mmφ)43を2箇所載置し、Ni被膜42、42’をリード44で配線した。
次いで、該試験試料を水素雰囲気の加熱炉中で加熱した後、炉外に取り出して冷却することにより基板41、41’同士をNi被膜42、42’を介して2箇所で半田付け接合した。
【0027】
[耐熱疲労性測定方法]
上記試験試料を−45℃×15分、120℃×15分保持することを1サイクルとする試験を行い、電源45、電圧計46,46’、電流計47を図5のように配線し、1mAの一定電流を流して、クラックの発生により電圧が急上昇するまでのサイクル数を測定し、その測定結果を表2に示した。
【0028】
[Ni被膜損傷度測定方法]
図5に示す試料を、1mAの一定電流を流して半田ボール間の電圧V1 、V2 を測定し、R=(V1 +V2 )/Iから抵抗値を測定した。
図5と同一の試験装置を、前記した半田付け方法により10回繰り返して半田付けすることによる劣化性能を試験した。前記した半田付け方法による半田付けを1回行った時の抵抗値RをR1 とし、10回行った時の抵抗値RをR10とし、(R10/R1 )をNi被膜損傷度とした。
試験装置5個の平均値をNi被膜損傷度の測定結果として表2に示す。
【0029】
(実施例2〜20/比較例1〜12)
実施例1で説明したインゴットの組成を表1、表3中に記載したようにしたこと以外は、実施例1と同様にして半田ボールを得た後、同様の試験装置を作成して、熱サイクル試験及びNi被膜損傷試験を行った。その測定結果を表2、表4に示す。
【0030】
【表1】
【0031】
【表2】
【0032】
【表3】
【0033】
【表4】
【0034】
以上の測定結果によれば、本発明になる半田材料を用い、Ni被膜を介在させて基板同士の半田付け試験を行ったところ、半田材料の耐熱疲労性が向上すると共に、Ni被膜の損傷を防止できるという優れた効果が得られた。
本試験での耐熱疲労性は前述したように、一定電流を流して電圧が急上昇するまでのサイクル数を測定したものであるが、電圧が急上昇した時点で半田材料にクラックが見られた。このことから本試験での電圧が急上昇するまでのサイクル数とは、熱サイクル環境に晒された時、半田材料にクラックが生じるまでのサイクル数であるといえる。
また半田材料の接合性を向上させるために接合面にNi被膜を被覆することが通常行われているが、時間の経過と共に接合性が低下してくることがある。この理由はNi被膜が溶解、損傷し非接合面が出来ていることが判った。非接合面が出来ると電気抵抗が増大することに着目し、本試験では半田付け性劣化度である前述した(R10/R1 )をNi被膜損傷度の評価基準とした。
【0035】
Feを0.01〜4.99重量%、Niを0.01〜4.99重量%であって、その合計量が0.02〜5.0重量%、Ag及びInのうち少なくとも1種が0.1〜8.0重量%、Pbが0〜70重量%及び残部がSnと不可避不純物からなる組成を有する実施例1〜20は、熱サイクル試験におけるサイクル数が2100〜3000であり、Ni被膜損傷度は1.1〜1.5と優れた効果を示した。
【0036】
このなかでも、Pb含有量が0〜65.0重量%である実施例1〜10、実施例12〜20は、熱サイクル試験におけるサイクル数が2300〜3000と更に優れた効果を示した。このためPb含有量は0〜65.0重量%であることが好ましい。
【0037】
このなかでも、Pb含有量が0である実施例12〜20は、熱サイクル試験におけるサイクル数が2400〜3000と更に優れた効果を示した。環境に優しい半田材料であることを併せて考えると、Pb含有量が0であることが更に好ましい。
【0038】
Fe、Ni、Pbの含有量が同じである実施例3、6、7、8、9を対比してみると、実施例3、6、7の方が熱サイクル試験におけるサイクル数が優れていることが判る。また実施例14、17、18、19、20を対比してみると、実施例14、17、18の方が熱サイクル試験におけるサイクル数が優れていることが判る。
このことから、Ag、Inの双方を含有すると共に、その含有量は、Ag:0.05〜6.0重量%、In:0.05〜2.0重量%であることが好ましいことが判る。
【0039】
Fe及びNiの何れか一方のみを所定量含有する比較例2、3、5、8、9、11は熱サイクル試験におけるサイクル数が1400〜1700であり、Ni被膜損傷度は1.7〜2.2であった。
このことから、本発明の課題に対してはFe及びNiの双方を所定量含有することにより優れた効果を生じることが判る。
【0040】
Fe及びNiの含有量が所定量未満である比較例1、7及び所定量を越える比較例4、6、10、12は、熱サイクル試験におけるサイクル数が1300〜1800であり、Ni被膜損傷度は2.4〜3.9であった。
このことから、本発明の課題に対してはFe及びNiの双方を所定量含有することにより優れた効果を生じることが判る。
【0041】
【実施例B】
純度99.99重量%のSnに、Fe、Ni、Ag、In、Pbを所定量配合し、真空溶解した後鋳造して表1中に示す実施例1と同じ組成のインゴットを得、これを溶融して噴霧法により200〜300メッシュの半田粉末を作製した。該半田粉末に対し、天然ロジンを高級アルコールで溶解した液状フラックスを15wt%の割合で混練し、所望粘度のクリーム半田に仕上げ、該クリーム半田を図5に示した試験装置に供した。この場合、Ni被膜42の被接合面(図5ではNi被膜42の下面)に、スクリーン印刷法でクリーム半田を供給し、加熱・溶融させることにより半田ボール43を形成した後、洗浄により該半田ボール43中のフラックス(クリーム半田に含有されたフラックス)を除去した。次いで、Ni被膜42’の被接合面(図5ではNi被膜42’の上面)に接合用フラックスを塗布し、半田ボール43がNi被膜42’上に載置されるよう、基板41を基板41’上にセットし、しかる後、Ni被膜42、42’をリード44で配線した。
この試験試料を水素雰囲気の加熱炉中で加熱した後、炉外に取り出して冷却することにより基板41、41’同士をNi被膜42、42’を介して2箇所で半田付け接合した。そうして、該試験試料について実施例Aと同様にして耐熱疲労性とNi被膜損傷度を測定したところ、表2中に示す実施例1と同一の測定結果が得られた。
【0042】
さらにインゴットの組成を、表1中に示す実施例2,5,6,13,14と同じとしたこと以外は前記と同様にして試験試料を作製し、且つ前記同様の耐熱疲労性とNi被膜損傷度を測定したところ、表2中に示す実施例2,5,6,13,14と夫々同一の測定結果が得られた。
このことから、上記半田ボールをクリーム半田で形成した場合も、実施例Aと同様の結果が得られることが確認できた。
【0043】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、Fe:0.01〜4.99重量%、Ni:0.01〜4.99重量%でその合計量が0.02〜5.0重量%、Ag及びInのうち少なくとも1種:0.1〜8.0重量%、Pb:0〜70重量%及び残部がSnと不可避不純物からなる組成の半田材料としたので、ICチップ等の電子部材と基板を半田材料を用いて接合するに当たり、半田材料の耐熱疲労性が向上すると共に、前記接合にNi被膜を介在させた場合の該被膜の損傷を低減出来るという優れた効果を得ることができた。
【0044】
また、Fe:0.01〜4.99重量%、Ni:0.01〜4.99重量%でその合計量が0.02〜5.0重量%、Ag:0.05〜6.0重量%、In:0.05〜2.0重量%、Pb:0〜70重量%及び残部がSnと不可避不純物からなる組成の半田材料とした場合は、上記耐熱疲労性及びNi被膜の損傷低減をより向上し得るという顕著な効果を得ることができた。
【0045】
従って、実装形態の設計の自由度が限定されるのでクラックの発生に関する対応が困難である小型・薄型の電子部品の製造,組み立てに用いて極めて有用な半田材料を提供することができた。
また本発明に係る半田材料は、テープ、ワイヤ、ペレット、ボール、クリーム状等に加工して用いたり、浸せき浴や蒸着用の材料として用いたり、高融点粒子を混入させた複合材料として使用するなど、用途や条件に合わせて各種の使用形態に対応できる。
【0046】
また本発明に係る電子部品は、上記半田材料を用いて電子部材と基板を接合した構成としたので、半田付け部分の耐熱疲労性が向上すると共に、該半田付けにNi被膜を介在させた場合の該被膜の損傷度が低減し、加熱−冷却を繰り返すという温度サイクル環境下(使用環境下)に晒されても、長期にわたって適正に作動する信頼性の高い製品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半田材料を用いてなる電子部品の一例を示す縦断正面図。
【図2】本発明に係る半田材料を用いてなる電子部品の一例を示す斜視図。
【図3】本発明に係る半田材料を用いてなる電子部品の一例を示す縦断正面図。
【図4】本発明に係る半田材料を用いてなる電子部品の一例を示す縦断正面図。
【図5】本発明に係る半田材料の耐熱疲労性とNi被膜損傷度の測定方法の概略図。
【符号の説明】
1,8,11,23,32,41,41’:基板
2,12,31:ICチップ
6,9,13,14,24,42,42’:パッド電極
7,15,25,33,43:半田ボール
Claims (8)
- Ni皮膜を介しての接合用の半田材料であり、鉄(Fe)が0.01〜4.99重量%、ニッケル(Ni)が0.01〜4.99重量%であってその合計料が0.02〜5.0重量%、銀(Ag)及びインジウム(In)のうち少なくとも一種が0.1〜8.0重量%、鉛(Pb)が70重量%未満及び残部が錫(Sn)と不可避不純物からなることを特徴とする半田材料。
- Ni皮膜を介しての接合用の半田材料であり、鉄(Fe)が0.01〜4.99重量%、ニッケル(Ni)が0.01〜4.99重量%であってその合計料が0.02〜5.0重量%、銀(Ag)及びインジウム(In)のうち少なくとも一種が0.1〜8.0重量%及び残部が錫(Sn)と不可避不純物からなることを特徴とする半田材料。
- Ni皮膜を介しての接合用の半田材料であり、鉄(Fe)が0.01〜4.99重量%、ニッケル(Ni)が0.01〜4.99重量%であってその合計料が0.02〜5.0重量%、銀(Ag)が0.05〜6.0重量%、インジウム(In)が0.05〜2.0重量%、鉛(Pb)が70重量%未満及び残部が錫(Sn)と不可避不純物からなることを特徴とする半田材料。
- Ni皮膜を介しての接合用の半田材料であり、鉄(Fe)が0.01〜4.99重量%、ニッケル(Ni)が0.01〜4.99重量%であってその合計料が0.02〜5.0重量%、銀(Ag)が0.05〜6.0重量%、インジウム(In)が0.05〜2.0重量%及び残部が錫(Sn)と不可避不純物からなることを特徴とする半田材料。
- 鉄(Fe)が0.01〜4.99重量%、ニッケル(Ni)が0.01〜4.99重量%であってその合計料が0.02〜5.0重量%、銀(Ag)及びインジウム(In)のうち少なくとも一種が0.1〜8.0重量%、鉛(Pb)が70重量%未満及び残部が錫(Sn)と不可避不純物からなる半田材料を用いて電子部材と基板をNi皮膜を介して接合した電子部品。
- 鉄(Fe)が0.01〜4.99重量%、ニッケル(Ni)が0.01〜4.99重量%であってその合計料が0.02〜5.0重量%、銀(Ag)及びインジウム(In)のうち少なくとも一種が0.1〜8.0重量%及び残部が錫(Sn)と不可避不純物からなる半田材料を用いて電子部材と基板をNi皮膜を介して接合した電子部品。
- 鉄(Fe)が0.01〜4.99重量%、ニッケル(Ni)が0.01〜4.99重量%であってその合計料が0.02〜5.0重量%、銀(Ag)が0.05〜6.0重量%、インジウム(In)が0.05〜2.0重量%、鉛(Pb)が70重量%未満及び残部が錫(Sn)と不可避不純物からなる半田材料を用いて電子部材と基板をNi皮膜を介して接合した電子部品。
- 鉄(Fe)が0.01〜4.99重量%、ニッケル(Ni)が0.01〜4.99重量%であってその合計料が0.02〜5.0重量%、銀(Ag)が0.05〜6.0重量%、インジウム(In)が0.05〜2.0重量%及び残部が錫(Sn)と不可避不純物からなる半田材料を用いて電子部材と基板をNi皮膜を介して接合した電子部品。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26416497A JP3752064B2 (ja) | 1997-05-23 | 1997-09-29 | 半田材料及びそれを用いた電子部品 |
KR1019980015902A KR19980086730A (ko) | 1997-05-23 | 1998-05-04 | 땜납재료 및 그것을 사용한 전자부품 |
SG1998000942A SG68047A1 (en) | 1997-05-23 | 1998-05-05 | Solder material and electronic part using the same |
TW087107100A TW391904B (en) | 1997-05-23 | 1998-05-08 | Soldering material and electronic part using thereof |
US09/075,951 US6160224A (en) | 1997-05-23 | 1998-05-12 | Solder material and electronic part using the same |
CN98108955A CN1200316A (zh) | 1997-05-23 | 1998-05-22 | 焊料和使用该焊料的电子部件 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13380297 | 1997-05-23 | ||
JP9-133802 | 1997-05-23 | ||
JP26416497A JP3752064B2 (ja) | 1997-05-23 | 1997-09-29 | 半田材料及びそれを用いた電子部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1133776A JPH1133776A (ja) | 1999-02-09 |
JP3752064B2 true JP3752064B2 (ja) | 2006-03-08 |
Family
ID=26468043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26416497A Expired - Fee Related JP3752064B2 (ja) | 1997-05-23 | 1997-09-29 | 半田材料及びそれを用いた電子部品 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6160224A (ja) |
JP (1) | JP3752064B2 (ja) |
KR (1) | KR19980086730A (ja) |
CN (1) | CN1200316A (ja) |
SG (1) | SG68047A1 (ja) |
TW (1) | TW391904B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103737193A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-04-23 | 苏州宏泉高压电容器有限公司 | 一种铁镍锡焊接材料的制备方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4042263B2 (ja) * | 1999-07-06 | 2008-02-06 | ミツミ電機株式会社 | 回転ヘッドドラム装置の回転バランス調整機構 |
TW592871B (en) * | 2000-12-21 | 2004-06-21 | Hitachi Ltd | Solder foil and semiconductor device and electronic device |
FR2846010B1 (fr) * | 2002-10-16 | 2005-07-15 | Michele Vendrely | Alliages metalliques a base de plomb et d'etain, et procede pour leur preparation |
US20050068757A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Saikumar Jayaraman | Stress compensation layer systems for improved second level solder joint reliability |
JP5090349B2 (ja) * | 2006-08-04 | 2012-12-05 | パナソニック株式会社 | 接合材料、接合部及び回路基板 |
JP2011044624A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Hitachi Ltd | 半導体装置および車載用交流発電機 |
CN107073619A (zh) * | 2014-07-28 | 2017-08-18 | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 | 用于增强的粘合剂结合的系统和方法 |
CN107006131A (zh) * | 2014-07-28 | 2017-08-01 | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 | 用于增强的粘合剂结合的系统和方法 |
CN104313390B (zh) * | 2014-11-05 | 2016-09-14 | 常熟市慧丰塑料制品有限公司 | 一种高强拉伸索具 |
KR102381428B1 (ko) * | 2015-03-02 | 2022-04-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN115781098B (zh) * | 2023-01-19 | 2023-04-25 | 广东成利泰科技有限公司 | 一种含有金属铟的耐高温抗氧化焊锡粉、锡膏及其制备方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4416853A (en) * | 1980-09-01 | 1983-11-22 | Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Cu-Ag base alloy brazing filler material |
JP2582382B2 (ja) * | 1987-11-11 | 1997-02-19 | 大豊工業株式会社 | はんだ材 |
JP2543941B2 (ja) * | 1988-03-17 | 1996-10-16 | 大豊工業株式会社 | はんだ材 |
JP2807008B2 (ja) * | 1989-12-29 | 1998-09-30 | 田中電子工業株式会社 | 熱疲労特性に優れたPb合金ろう |
JPH06269983A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-09-27 | Tokuriki Honten Co Ltd | Ag系はんだ |
JP3107483B2 (ja) * | 1993-07-13 | 2000-11-06 | 日本アルミット株式会社 | 無ないし低含鉛半田合金 |
JP3254901B2 (ja) * | 1994-05-06 | 2002-02-12 | 千住金属工業株式会社 | はんだ合金 |
-
1997
- 1997-09-29 JP JP26416497A patent/JP3752064B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-05-04 KR KR1019980015902A patent/KR19980086730A/ko active IP Right Grant
- 1998-05-05 SG SG1998000942A patent/SG68047A1/en unknown
- 1998-05-08 TW TW087107100A patent/TW391904B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-05-12 US US09/075,951 patent/US6160224A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-22 CN CN98108955A patent/CN1200316A/zh active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103737193A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-04-23 | 苏州宏泉高压电容器有限公司 | 一种铁镍锡焊接材料的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW391904B (en) | 2000-06-01 |
JPH1133776A (ja) | 1999-02-09 |
CN1200316A (zh) | 1998-12-02 |
US6160224A (en) | 2000-12-12 |
KR19980086730A (ko) | 1998-12-05 |
SG68047A1 (en) | 1999-10-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040908 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040908 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040909 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040908 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050809 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050916 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051104 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051209 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091216 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091216 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101216 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111216 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |