JPH1018059A - エキシマレーザーアブレーション用レジスト材 - Google Patents
エキシマレーザーアブレーション用レジスト材Info
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- JPH1018059A JPH1018059A JP8176407A JP17640796A JPH1018059A JP H1018059 A JPH1018059 A JP H1018059A JP 8176407 A JP8176407 A JP 8176407A JP 17640796 A JP17640796 A JP 17640796A JP H1018059 A JPH1018059 A JP H1018059A
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- JP
- Japan
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- resist material
- polyurethane
- aromatic
- excimer laser
- compd
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Polyurethanes Or Polyureas (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の課題は、リソグラフィー技術でレジ
スト膜の現像と剥離にエキシマレーザー光を用いる方法
で使用するのに適した高分子系レジスト材を提供する。 【解決手段】 ポリウレタン系化合物で、芳香族ウレタ
ン結合及び／または芳香族ウレア結合を、ＮＣＯ基に換
算して１５重量％以上含有し、加熱・乾燥により架橋構
造を形成する性質を有することを特徴とするエキシマレ
ーザーアブレーション用レジスト材。
スト膜の現像と剥離にエキシマレーザー光を用いる方法
で使用するのに適した高分子系レジスト材を提供する。 【解決手段】 ポリウレタン系化合物で、芳香族ウレタ
ン結合及び／または芳香族ウレア結合を、ＮＣＯ基に換
算して１５重量％以上含有し、加熱・乾燥により架橋構
造を形成する性質を有することを特徴とするエキシマレ
ーザーアブレーション用レジスト材。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に形成する
半導体の金属薄膜パターン等を製造する際のリソグラフ
ィー技術における高分子系レジスト材に関する。
半導体の金属薄膜パターン等を製造する際のリソグラフ
ィー技術における高分子系レジスト材に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、基板上に半導体の金属薄膜パター
ンを形成する技術は、スパッターやＣＶＤ等の手段によ
る膜の形成後、レジストを塗布し、露光、レジスト現
像、膜エッチング、レジスト剥離といった一連のプロセ
ス、すなわちフォトリソグラフィ技術で行われている。
ここで用いられるレジスト材は、露光によって現像液に
対する溶解性が生じるもの（ポジティブ型）、逆に溶解
性がなくなるもの（ネガティブ型）の区分はあるが、い
ずれも現像によってパターン成形が行われる。エッチン
グ後不要になったレジスト膜は、剥離液ないしはドライ
エッチングによって除去されるのが現状である。
ンを形成する技術は、スパッターやＣＶＤ等の手段によ
る膜の形成後、レジストを塗布し、露光、レジスト現
像、膜エッチング、レジスト剥離といった一連のプロセ
ス、すなわちフォトリソグラフィ技術で行われている。
ここで用いられるレジスト材は、露光によって現像液に
対する溶解性が生じるもの（ポジティブ型）、逆に溶解
性がなくなるもの（ネガティブ型）の区分はあるが、い
ずれも現像によってパターン成形が行われる。エッチン
グ後不要になったレジスト膜は、剥離液ないしはドライ
エッチングによって除去されるのが現状である。
【０００３】現在、レジスト膜のパターン形成は、露光
−現像という工程で行われている。この現像工程では、
現像液と現像装置が必要になるが、現在基板サイズ、生
産量がどんどん増加してきており、液の使用量、装置の
サイズ、即ち、装置コスト、クリーンスペースと空調動
力等を大幅に増大する必要がある。その結果、製造コス
トが、増大することになり、更に、現像の廃液処理のコ
スト、ならびに環境問題が発生することになる。これと
全く同じことがレジスト膜の剥離工程に関してもいえ
る。
−現像という工程で行われている。この現像工程では、
現像液と現像装置が必要になるが、現在基板サイズ、生
産量がどんどん増加してきており、液の使用量、装置の
サイズ、即ち、装置コスト、クリーンスペースと空調動
力等を大幅に増大する必要がある。その結果、製造コス
トが、増大することになり、更に、現像の廃液処理のコ
スト、ならびに環境問題が発生することになる。これと
全く同じことがレジスト膜の剥離工程に関してもいえ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、エキシマレ
ーザーによる高分子材料のphoto decomposition abla
tion（以下アブレーションと略称）現象を用い、前記の
問題を同時に解決することを課題とする。アブレーショ
ン現象は、短パルスの紫外光レーザーによって高分子の
結合が非加熱的に切断される現象で、精度の良い薄膜加
工を行うことができる。
ーザーによる高分子材料のphoto decomposition abla
tion（以下アブレーションと略称）現象を用い、前記の
問題を同時に解決することを課題とする。アブレーショ
ン現象は、短パルスの紫外光レーザーによって高分子の
結合が非加熱的に切断される現象で、精度の良い薄膜加
工を行うことができる。
【０００５】具体的な実施態様は後に述べるが、この原
理を用いると、エキシマ光を用いた露光機による露光の
みによってレジスト膜のパターン形成が行われることに
なり、エッチングを除くと、従来の現像工程を完全に省
略することができる。さらに、剥離も単純な光照射のみ
により除去することができるので、リソグラフィの装置
としては露光と剥離の２台のエキシマアブレーション装
置が必要なだけで、特に剥離装置はマスク露光ではない
ので非常に簡単で安価なエキシマ光照射装置で良く、大
面積のレジスト剥離装置と剥離液は不要となり、大幅な
コスト削減になる。
理を用いると、エキシマ光を用いた露光機による露光の
みによってレジスト膜のパターン形成が行われることに
なり、エッチングを除くと、従来の現像工程を完全に省
略することができる。さらに、剥離も単純な光照射のみ
により除去することができるので、リソグラフィの装置
としては露光と剥離の２台のエキシマアブレーション装
置が必要なだけで、特に剥離装置はマスク露光ではない
ので非常に簡単で安価なエキシマ光照射装置で良く、大
面積のレジスト剥離装置と剥離液は不要となり、大幅な
コスト削減になる。
【０００６】以上のようなアブレーション現象に対応す
るレジスト材は、従来の湿式現像方法のレジスト材と
は、異なった性質が必要である。即ち、従来のレジスト
材と同じく基板状に形成された金属膜、誘電体絶縁膜、
導電膜の薄膜ないしそれらの一部がパターン状に形成さ
れた多層膜上に均一な塗膜を形成する塗工性、レジスト
材として塗布後、下地となった各薄膜のエッチング液ま
たはドライエッチングにおけるエッチング雰囲気に対す
る耐久性などが要求されることは勿論、これ以外に、エ
キシマ光を効率良く吸収し、この吸収されたエネルギー
によって効率よく原子間の結合が解裂される分解性が必
要である。
るレジスト材は、従来の湿式現像方法のレジスト材と
は、異なった性質が必要である。即ち、従来のレジスト
材と同じく基板状に形成された金属膜、誘電体絶縁膜、
導電膜の薄膜ないしそれらの一部がパターン状に形成さ
れた多層膜上に均一な塗膜を形成する塗工性、レジスト
材として塗布後、下地となった各薄膜のエッチング液ま
たはドライエッチングにおけるエッチング雰囲気に対す
る耐久性などが要求されることは勿論、これ以外に、エ
キシマ光を効率良く吸収し、この吸収されたエネルギー
によって効率よく原子間の結合が解裂される分解性が必
要である。
【０００７】即ち、本発明の目的は、塗工性、耐久性、
エキシマ光分解性に優れた高分子系レジスト材の開発に
ある。
エキシマ光分解性に優れた高分子系レジスト材の開発に
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研究
を重ねた結果、特定の化合物により、上記課題を解決で
きることを見いだし、本発明を完成するに至った。
を重ねた結果、特定の化合物により、上記課題を解決で
きることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【０００９】即ち、本発明は、ポリウレタン化合物を主
成分とすることを特徴とするエキシマアブレーション用
レジスト材、好ましくは芳香族ウレタン結合及び／また
は芳香族ウレア結合をたくさん持つウレタン化合物を含
むこと、好ましくは芳香族ウレタン結合及び／または芳
香族ウレア結合が、ＮＣＯ基に換算して１５重量％以上
含有すること、好ましくは加熱・乾燥により架橋構造を
形成する性質を有すること、好ましくはポリウレタン化
合物の数平均分子量が、１５０〜５０００であることを
特徴とするエキシマレーザーアブレーション用レジスト
材を提供するものである。
成分とすることを特徴とするエキシマアブレーション用
レジスト材、好ましくは芳香族ウレタン結合及び／また
は芳香族ウレア結合をたくさん持つウレタン化合物を含
むこと、好ましくは芳香族ウレタン結合及び／または芳
香族ウレア結合が、ＮＣＯ基に換算して１５重量％以上
含有すること、好ましくは加熱・乾燥により架橋構造を
形成する性質を有すること、好ましくはポリウレタン化
合物の数平均分子量が、１５０〜５０００であることを
特徴とするエキシマレーザーアブレーション用レジスト
材を提供するものである。
【００１０】
【発明実施の形態】本発明のポリウレタン化合物とは、
好ましくは芳香族系ポリウレタン化合物であり、芳香族
ウレタン結合及び／または芳香族ウレア結合をたくさん
持つ化合物で、溶剤可溶な化合物である。
好ましくは芳香族系ポリウレタン化合物であり、芳香族
ウレタン結合及び／または芳香族ウレア結合をたくさん
持つ化合物で、溶剤可溶な化合物である。
【００１１】このポリウレタン化合物は、好ましくは加
熱又は乾燥のいずれかの手段によって環状ないし網目状
の架橋構造を形成する熱硬化型の性質を持つものであ
る。これは、エキシマアブレーション用レジスト材とし
て、塗布後、下地となった各薄膜のエッチング液または
ドライエッチングにおけるエッチング雰囲気にたいして
十分な耐久性を持つことが必要であるからである。
熱又は乾燥のいずれかの手段によって環状ないし網目状
の架橋構造を形成する熱硬化型の性質を持つものであ
る。これは、エキシマアブレーション用レジスト材とし
て、塗布後、下地となった各薄膜のエッチング液または
ドライエッチングにおけるエッチング雰囲気にたいして
十分な耐久性を持つことが必要であるからである。
【００１２】また、ポリウレタン化合物の芳香族ウレタ
ン結合及び／または芳香族ウレア結合をたくさん持つと
は、好ましくはＮＣＯ基に換算して化合物中に１５重量
％以上含有するもので、より好ましくは１５〜７０重量
％含有する。
ン結合及び／または芳香族ウレア結合をたくさん持つと
は、好ましくはＮＣＯ基に換算して化合物中に１５重量
％以上含有するもので、より好ましくは１５〜７０重量
％含有する。
【００１３】このポリウレタン化合物の構造は、化１、
化２で示すものである。
化２で示すものである。
【００１４】
【化１】
【００１５】［ここにＡｒは置換基を持つ／または持た
ない芳香族環、ＲはＨまたはアルキル置換基またはＣ
(＝Ｏ)-Ｒ"（ここにＲ"は-Ｎ-Ｒ3または-Ｏ-Ｒ3、Ｒ3は
アルキルまたは芳香族残基）、-Ｒ'は-Ｎ=Ｒ4または-Ｏ
-Ｒ4またはＲ4、Ｒ4はアルキルまたは芳香族残基、Ｒ、
Ｒ'、Ｒ"、Ｒ3、Ｒ4は同じまたは異なっていても良
い］、及び／または構造式２に示す化学構造、
ない芳香族環、ＲはＨまたはアルキル置換基またはＣ
(＝Ｏ)-Ｒ"（ここにＲ"は-Ｎ-Ｒ3または-Ｏ-Ｒ3、Ｒ3は
アルキルまたは芳香族残基）、-Ｒ'は-Ｎ=Ｒ4または-Ｏ
-Ｒ4またはＲ4、Ｒ4はアルキルまたは芳香族残基、Ｒ、
Ｒ'、Ｒ"、Ｒ3、Ｒ4は同じまたは異なっていても良
い］、及び／または構造式２に示す化学構造、
【００１６】
【化２】 ［ここにＡｒは置換基を持つ／または持たない芳香族
環、Ｒ1、Ｒ2は同じまたは異なっていてもよいＨまたは
アルキル置換基またはＣ(＝Ｏ)-Ｒ"（ここにＲ"は-Ｎ-
Ｒ3または-Ｏ-Ｒ3、Ｒ3はアルキルまたは芳香族残
基）、-Ｒ'はアルキルまたは芳香族残基、Ｒ、Ｒ'、
Ｒ"、Ｒ1〜Ｒ3は同じまたは異なっていても良い］であ
る。
環、Ｒ1、Ｒ2は同じまたは異なっていてもよいＨまたは
アルキル置換基またはＣ(＝Ｏ)-Ｒ"（ここにＲ"は-Ｎ-
Ｒ3または-Ｏ-Ｒ3、Ｒ3はアルキルまたは芳香族残
基）、-Ｒ'はアルキルまたは芳香族残基、Ｒ、Ｒ'、
Ｒ"、Ｒ1〜Ｒ3は同じまたは異なっていても良い］であ
る。
【００１７】この構造式のポリウレタン化合物の製造方
法は、特に制限されないが、好ましくは芳香族ポリイソ
シアネートとポリオールまたはポリアミンを反応させる
ことにより合成される化合物である。
法は、特に制限されないが、好ましくは芳香族ポリイソ
シアネートとポリオールまたはポリアミンを反応させる
ことにより合成される化合物である。
【００１８】こうした構造式のエキシマアブレーション
用レジスト材の原料とは、次のものが挙げられる。すな
わち、芳香族ポリイソシアネートとしては、4,4'-ジフ
ェニルメタンジイソシアネ−ト、ポリメリックジフェニ
ルメタンジイソシアネ−ト、キシレンジイソシアネー
ト、トルイジンジイソシアネート、2,4-トリレンジイソ
シアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、p-フェニ
レンジイソシアネート、m-フェニレンジイソシアネー
ト、1,5-ナフチレンジイソシアネート等、これらの２量
体、３量体、あるいはこれらの混合物が挙げられる。
用レジスト材の原料とは、次のものが挙げられる。すな
わち、芳香族ポリイソシアネートとしては、4,4'-ジフ
ェニルメタンジイソシアネ−ト、ポリメリックジフェニ
ルメタンジイソシアネ−ト、キシレンジイソシアネー
ト、トルイジンジイソシアネート、2,4-トリレンジイソ
シアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、p-フェニ
レンジイソシアネート、m-フェニレンジイソシアネー
ト、1,5-ナフチレンジイソシアネート等、これらの２量
体、３量体、あるいはこれらの混合物が挙げられる。
【００１９】またポリオールとしては、水酸基含有化合
物であり、例えば1,4-ビスヒドロキシエチルベンゼン、
ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ及びそのエーテル
誘導体、エチレングリコール、1,4-ブチレングリコー
ル、1,6-ヘキサンジオール、1,2-プロピレングリコー
ル、2,3-ブチレングリコール、1,4-ブチレングリコー
ル、2,2-ジメチル-1,3-プロパンジオール、ジエチレン
グリコール、ジプロピレングリコール、3-メチル-1,5-
ペンタンジオール、1,5-ペンタメチレングリコール、1,
6-ヘキサメチレングリコール、シクロヘキサン-1,4-ジ
オール、シクロヘキサン-1,4-ジメタノール、3-ヒドロ
キシ-2,2-ジメチルプロパン酸-2,2-ジメチル-1,3-プロ
パンジオールエステル等のグリコール、トリメチロール
メタン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパ
ン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、
シュークロース等のポリオール、末端が水酸基である分
子量１０００以下のポリエステルポリオール及び／また
はポリエーテルポリオールが挙げられる。
物であり、例えば1,4-ビスヒドロキシエチルベンゼン、
ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ及びそのエーテル
誘導体、エチレングリコール、1,4-ブチレングリコー
ル、1,6-ヘキサンジオール、1,2-プロピレングリコー
ル、2,3-ブチレングリコール、1,4-ブチレングリコー
ル、2,2-ジメチル-1,3-プロパンジオール、ジエチレン
グリコール、ジプロピレングリコール、3-メチル-1,5-
ペンタンジオール、1,5-ペンタメチレングリコール、1,
6-ヘキサメチレングリコール、シクロヘキサン-1,4-ジ
オール、シクロヘキサン-1,4-ジメタノール、3-ヒドロ
キシ-2,2-ジメチルプロパン酸-2,2-ジメチル-1,3-プロ
パンジオールエステル等のグリコール、トリメチロール
メタン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパ
ン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、
シュークロース等のポリオール、末端が水酸基である分
子量１０００以下のポリエステルポリオール及び／また
はポリエーテルポリオールが挙げられる。
【００２０】ここに末端が水酸基である分子量１０００
以下のポリエステルポリオールとしては、前記のグリコ
ール（ジオール）とフタル酸、イソフタル酸、テレフタ
ル酸、ヘキサヒドロイソフタル酸、コハク酸、マレイン
酸、アジピン酸、グルタル酸、ピメリン酸、スペリン
酸、アゼライン酸、セバシン酸等の二塩基酸単独あるい
はこれらの混合物または酸エステル、酸ハライドから得
られるもの、あるいはポリエチレンカーボネート、ポリ
ブチレンカーボネート、ポリヘキシレンカーボネート等
のポリカーボネートポリオール類が挙げられる。また末
端が水酸基である分子量１０００以下のポリエーテルポ
リオールとしては、前記のグリコール（ジオール）を開
始剤としてエチレンオキシド、プロピレンオキシド、テ
トラヒドロフランなどのアルキレンオキサイドを単独あ
るいはこれらを混合または逐次的に開環重合したものが
挙げられる。あるいは前記のグリコール、ポリエステル
ポリオールまたはポリエーテルポリオールを単独または
混合したものを開始剤としてε−カプロラクトン、γ−
バレロラクトンなどのラクトンモノマーを開環付加重合
したものが挙げられる。
以下のポリエステルポリオールとしては、前記のグリコ
ール（ジオール）とフタル酸、イソフタル酸、テレフタ
ル酸、ヘキサヒドロイソフタル酸、コハク酸、マレイン
酸、アジピン酸、グルタル酸、ピメリン酸、スペリン
酸、アゼライン酸、セバシン酸等の二塩基酸単独あるい
はこれらの混合物または酸エステル、酸ハライドから得
られるもの、あるいはポリエチレンカーボネート、ポリ
ブチレンカーボネート、ポリヘキシレンカーボネート等
のポリカーボネートポリオール類が挙げられる。また末
端が水酸基である分子量１０００以下のポリエーテルポ
リオールとしては、前記のグリコール（ジオール）を開
始剤としてエチレンオキシド、プロピレンオキシド、テ
トラヒドロフランなどのアルキレンオキサイドを単独あ
るいはこれらを混合または逐次的に開環重合したものが
挙げられる。あるいは前記のグリコール、ポリエステル
ポリオールまたはポリエーテルポリオールを単独または
混合したものを開始剤としてε−カプロラクトン、γ−
バレロラクトンなどのラクトンモノマーを開環付加重合
したものが挙げられる。
【００２１】またポリアミンとしては、エチレンジアミ
ン、ジエチレントリアミン、ジエチレンエーテルジアミ
ン、ジエチレングリコールビス（３−アミノプロピル）
エーテル、4,4'-ジアミノジフェニルメタン、3,3'-ジメ
チル-4,4'-ジアミノジフェニルメタン等が挙げられる。
ン、ジエチレントリアミン、ジエチレンエーテルジアミ
ン、ジエチレングリコールビス（３−アミノプロピル）
エーテル、4,4'-ジアミノジフェニルメタン、3,3'-ジメ
チル-4,4'-ジアミノジフェニルメタン等が挙げられる。
【００２２】本発明のポリウレタン化合物の製造には、
必要であれば触媒を使用することができる。触媒として
例えばトリエチルアミン、トリエチレンジアミン等の第
三級アミン、モルホリン、Ｎ−メチルモルホリン等の窒
素化合物、酢酸カリウム、ステアリン酸亜鉛等の金属
塩、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル錫オキサイド等
の有機金属化合物等が挙げられる。
必要であれば触媒を使用することができる。触媒として
例えばトリエチルアミン、トリエチレンジアミン等の第
三級アミン、モルホリン、Ｎ−メチルモルホリン等の窒
素化合物、酢酸カリウム、ステアリン酸亜鉛等の金属
塩、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル錫オキサイド等
の有機金属化合物等が挙げられる。
【００２３】本発明のポリウレタン化合物の分子量は、
特に制限はないが、レジスト材としての造膜性、塗工性
などを考慮して、数平均分子量で１５０〜５０００程度
が好ましい。
特に制限はないが、レジスト材としての造膜性、塗工性
などを考慮して、数平均分子量で１５０〜５０００程度
が好ましい。
【００２４】ポリオールまたはポリアミン（以下これら
を活性水素基含有化合物と称することがある）と有機ジ
イソシアネートのＮＣＯ／活性水素基モル比は、特に制
限はないが、本発明で想定されている分子量のポリウレ
タン化合物を得るためには、夫々の原料中の不純物（水
分、酸、加水分解性塩素等）をも考慮して、好ましくは
０．５／１．００〜３．００／１．００、より好ましく
は０．８／１．００〜２．３／１．００が使用される。
を活性水素基含有化合物と称することがある）と有機ジ
イソシアネートのＮＣＯ／活性水素基モル比は、特に制
限はないが、本発明で想定されている分子量のポリウレ
タン化合物を得るためには、夫々の原料中の不純物（水
分、酸、加水分解性塩素等）をも考慮して、好ましくは
０．５／１．００〜３．００／１．００、より好ましく
は０．８／１．００〜２．３／１．００が使用される。
【００２５】本発明のレジスト材用ポリウレタン化合物
の特徴としては、ウレタン結合及び／またはウレア結合
含有量が通常のポリウレタン化合物に比べて極めて高い
ことが挙げられる。通常のポリウレタン樹脂またはウレ
ア樹脂では、ＮＣＯ基に換算したウレタン結合及び／ま
たはウレア結合含有量がせいぜい１５重量％未満である
のに対し、本発明のポリウレタン化合物は、好ましくは
１５重量％以上のウレタン結合及び／またはウレア結合
を含有しているものである。
の特徴としては、ウレタン結合及び／またはウレア結合
含有量が通常のポリウレタン化合物に比べて極めて高い
ことが挙げられる。通常のポリウレタン樹脂またはウレ
ア樹脂では、ＮＣＯ基に換算したウレタン結合及び／ま
たはウレア結合含有量がせいぜい１５重量％未満である
のに対し、本発明のポリウレタン化合物は、好ましくは
１５重量％以上のウレタン結合及び／またはウレア結合
を含有しているものである。
【００２６】上記のポリウレタン化合物を製造するに
は、従来の公知の方法をとることができる。すなわち、
所望により触媒の存在下で反応原料を十分に混合後、反
応混合物を平板もしくは平らな面上へ流して加熱し、次
いで冷却後破砕する方法、反応混合物を押出機へ注入す
る方法、及びジメチルホルムアミド、ジメチルスルホオ
キシド、トルエン、キシレン、ベンゼン、ジオキサン、
シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、テトラヒドロフ
ラン等の単一または混合溶剤系の有機溶媒中で反応させ
る溶液反応法等の製造法を用いることができる。
は、従来の公知の方法をとることができる。すなわち、
所望により触媒の存在下で反応原料を十分に混合後、反
応混合物を平板もしくは平らな面上へ流して加熱し、次
いで冷却後破砕する方法、反応混合物を押出機へ注入す
る方法、及びジメチルホルムアミド、ジメチルスルホオ
キシド、トルエン、キシレン、ベンゼン、ジオキサン、
シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、テトラヒドロフ
ラン等の単一または混合溶剤系の有機溶媒中で反応させ
る溶液反応法等の製造法を用いることができる。
【００２７】なお、本発明で用いるポリウレタン化合物
の末端は、両末端がともにイソシアネ−ト基でも水酸基
やアミン基の活性水素基でもよく、また一方の末端がイ
ソシアネートで他端が活性水素基でもよく、また片末端
または両末端が解離性モノオールで封止されていてもよ
い。
の末端は、両末端がともにイソシアネ−ト基でも水酸基
やアミン基の活性水素基でもよく、また一方の末端がイ
ソシアネートで他端が活性水素基でもよく、また片末端
または両末端が解離性モノオールで封止されていてもよ
い。
【００２８】本発明で用いるポリウレタン化合物は、熱
硬化性樹脂であることが望ましいので、末端がイソシア
ネートであると好都合であるが、そのままではレジスト
材としての安定性が乏しいので、解離性モノオールで封
止されていることが望ましい。解離性モノオールとして
は、例えばメタノール、エタノール、メチルエチルケト
オキシム、フェノール、クレゾール、キシレノール等が
挙げられる。なお、本発明におけるポリウレタン化合物
のＮＣＯ基に換算したウレタン結合及び／またはウレア
結合含有量の計算には、この解離性モノオールは含まれ
ない。
硬化性樹脂であることが望ましいので、末端がイソシア
ネートであると好都合であるが、そのままではレジスト
材としての安定性が乏しいので、解離性モノオールで封
止されていることが望ましい。解離性モノオールとして
は、例えばメタノール、エタノール、メチルエチルケト
オキシム、フェノール、クレゾール、キシレノール等が
挙げられる。なお、本発明におけるポリウレタン化合物
のＮＣＯ基に換算したウレタン結合及び／またはウレア
結合含有量の計算には、この解離性モノオールは含まれ
ない。
【００２９】本発明のレジスト材を架橋させるために
は、レジスト材単独で塗布しても良いし、また、架橋性
のポリオールやポリアミンの活性水素基含有化合物を硬
化剤として混合した形でレジスト材とするか、２液タイ
プとして使用時に混合する形態としても良い。なお、本
発明におけるポリウレタン化合物のＮＣＯ基に換算した
ウレタン結合及び／またはウレア結合含有量の計算に
は、この硬化剤の固形分重量は含まれる。
は、レジスト材単独で塗布しても良いし、また、架橋性
のポリオールやポリアミンの活性水素基含有化合物を硬
化剤として混合した形でレジスト材とするか、２液タイ
プとして使用時に混合する形態としても良い。なお、本
発明におけるポリウレタン化合物のＮＣＯ基に換算した
ウレタン結合及び／またはウレア結合含有量の計算に
は、この硬化剤の固形分重量は含まれる。
【００３０】２液タイプにする時のポリウレタン化合物
と硬化剤との比率は、ＮＣＯ／活性水素基が、モル比で
０．９／１．０〜２．３／１．０が好ましい。
と硬化剤との比率は、ＮＣＯ／活性水素基が、モル比で
０．９／１．０〜２．３／１．０が好ましい。
【００３１】また、レジスト材の末端が活性水素基の場
合は、低分子量ポリイソシアネート（以下硬化剤と称す
ることがある）と硬化反応させて用いることができる。
使用される硬化剤としては、例えば下記の市販品が挙げ
られる。
合は、低分子量ポリイソシアネート（以下硬化剤と称す
ることがある）と硬化反応させて用いることができる。
使用される硬化剤としては、例えば下記の市販品が挙げ
られる。
【００３２】バーノックＤ−７５０、クリスボンＮＸ
（以上大日本インキ化学工業社製品）、コロネートＬ
（日本ポリウレタン社製品）、タケネートＤ−１０２
（武田薬品社製品）、デスモデュールＬ、デスモジュー
ルＲ、デスモジュールＲＦ（以上住友バイエル社製品）
等である。前記ポリウレタン化合物と硬化剤の比率は、
好ましくはＮＣＯ／活性水素基モル比で０．９／１．０
〜２．３／１．０である。
（以上大日本インキ化学工業社製品）、コロネートＬ
（日本ポリウレタン社製品）、タケネートＤ−１０２
（武田薬品社製品）、デスモデュールＬ、デスモジュー
ルＲ、デスモジュールＲＦ（以上住友バイエル社製品）
等である。前記ポリウレタン化合物と硬化剤の比率は、
好ましくはＮＣＯ／活性水素基モル比で０．９／１．０
〜２．３／１．０である。
【００３３】このほか、必要な塗布特性を満足させるた
めに、本発明の趣旨を損なわない範囲で溶剤、界面活性
剤、フィラー等を従来のレジスト材の常法に基づいて添
加・調整することは差し支えない。
めに、本発明の趣旨を損なわない範囲で溶剤、界面活性
剤、フィラー等を従来のレジスト材の常法に基づいて添
加・調整することは差し支えない。
【００３４】さらに、当然ながらレジスト材として、基
板上に形成された金属膜、誘電体絶縁膜、導電膜の薄膜
ないしそれらの一部がパターン状に形成された多層膜上
に、スピン回転塗布、ロールコーティング、ロッドコー
ティング等の塗布手段により、３μｍ以下の均一な塗膜
を形成できることが必要であり、このためには分子量、
溶剤、界面活性剤、フィラー等を調整して、必要な塗布
特性を満足させることが望ましいが、これらについては
必要に応じて従来のレジスト材の常法を用いれば良い。
板上に形成された金属膜、誘電体絶縁膜、導電膜の薄膜
ないしそれらの一部がパターン状に形成された多層膜上
に、スピン回転塗布、ロールコーティング、ロッドコー
ティング等の塗布手段により、３μｍ以下の均一な塗膜
を形成できることが必要であり、このためには分子量、
溶剤、界面活性剤、フィラー等を調整して、必要な塗布
特性を満足させることが望ましいが、これらについては
必要に応じて従来のレジスト材の常法を用いれば良い。
【００３５】このようなレジスト材を用いてエキシマア
ブレーション現象による薄膜加工を行う具体例を示す
と、まず、図１（１）に示す様に、基板上に形成された
金属膜、誘電体絶縁膜、誘電膜の薄膜ないしそれらの一
部がパターン状に形成された多層膜上に、スピン回転塗
布、ロールコーティング等の塗布手段により塗工し、溶
剤の乾燥やレジスト材の架橋に必要な処理を加える。処
理条件としては例えば熱風加熱乾燥で２２０℃×３０分
などが挙げられる。このようにして、３μｍ以下の均一
なレジスト材の塗膜を形成する。
ブレーション現象による薄膜加工を行う具体例を示す
と、まず、図１（１）に示す様に、基板上に形成された
金属膜、誘電体絶縁膜、誘電膜の薄膜ないしそれらの一
部がパターン状に形成された多層膜上に、スピン回転塗
布、ロールコーティング等の塗布手段により塗工し、溶
剤の乾燥やレジスト材の架橋に必要な処理を加える。処
理条件としては例えば熱風加熱乾燥で２２０℃×３０分
などが挙げられる。このようにして、３μｍ以下の均一
なレジスト材の塗膜を形成する。
【００３６】これにエキシマレーザー光を照射するわけ
であるが、エキシマ光の発振主要波長は４種類あり、そ
のなかで２４８ｎｍまたは３０８ｎｍが実用的で、特に
結合の解裂には２４８ｎｍがエネルギーが高く有利であ
る。しかし、アブレーション加工においては、レジスト
膜だけではなく、加工すべき各種薄膜もエキシマ光の照
射を受ける。レジスト材によって異なるが、ダメージを
防止するためには上層のレジスト膜は１００ｍＪ／cm2
程度のエネルギー密度でアブレートすることが望まし
い。
であるが、エキシマ光の発振主要波長は４種類あり、そ
のなかで２４８ｎｍまたは３０８ｎｍが実用的で、特に
結合の解裂には２４８ｎｍがエネルギーが高く有利であ
る。しかし、アブレーション加工においては、レジスト
膜だけではなく、加工すべき各種薄膜もエキシマ光の照
射を受ける。レジスト材によって異なるが、ダメージを
防止するためには上層のレジスト膜は１００ｍＪ／cm2
程度のエネルギー密度でアブレートすることが望まし
い。
【００３７】そこで、上記のレジスト材を塗布した多層
膜上に、所定のマスターパターンを波長２４８ｎｍ、照
射エネルギー密度は、好ましくは５０ｍＪ／cm2以上３
００ｍＪ／cm2以下のエキシマレーザー光を照射し、結
像レンズによって上記エキシマアブレーション用レジス
ト膜上に結像させる（２）。この結果、（３）に示す様
に、所望のレジストパターンがアブレーションによって
形成される。次いで、ウエットないしドライエッチング
によって（４）、当該薄膜のパターンを形成し、この後
エキシマレーザーを照射し、アブレーションによってパ
ターン成形されたエキシマアブレーション用レジスト膜
を除去し（５）、当該薄膜のパターンが形成される
（６）。
膜上に、所定のマスターパターンを波長２４８ｎｍ、照
射エネルギー密度は、好ましくは５０ｍＪ／cm2以上３
００ｍＪ／cm2以下のエキシマレーザー光を照射し、結
像レンズによって上記エキシマアブレーション用レジス
ト膜上に結像させる（２）。この結果、（３）に示す様
に、所望のレジストパターンがアブレーションによって
形成される。次いで、ウエットないしドライエッチング
によって（４）、当該薄膜のパターンを形成し、この後
エキシマレーザーを照射し、アブレーションによってパ
ターン成形されたエキシマアブレーション用レジスト膜
を除去し（５）、当該薄膜のパターンが形成される
（６）。
【００３８】この際、エキシマレーザー光を照射した時
に、どのくらい効率よくレジスト材が分解するかは、本
発明による金属薄膜パターン形成法の生産性を左右する
重要な性能である。この効率は、エキシマレーザー光照
射１ショット当たりのレジスト材の分解剥離しやすさ、
すなわちアブレーションレート（レジスト材膜厚μｍ／
必要shot数）であらわされる。このレートは高ければ高
い程良い。
に、どのくらい効率よくレジスト材が分解するかは、本
発明による金属薄膜パターン形成法の生産性を左右する
重要な性能である。この効率は、エキシマレーザー光照
射１ショット当たりのレジスト材の分解剥離しやすさ、
すなわちアブレーションレート（レジスト材膜厚μｍ／
必要shot数）であらわされる。このレートは高ければ高
い程良い。
【００３９】アブレーションレートが高くなるために
は、エキシマレーザー光のエネルギーを良く吸収し、か
つ効率よく結合解裂エネルギーに変換されなければなら
ない。どのような化学構造物が効率の良い吸収を示すか
は、例えば、"Absorption Spectra in Ultraviolet and
visible region" Edited by L.Lang, Akademiai Kaid
o, Budapest (1996)に、芳香族環を有する置換基が、２
４８ｎｍの吸光度が高いことが記載されている。しか
し、吸光係数が高ければ良いかというと、たとえば芳香
族イミド結合などは吸光係数が高いが、ポリイミドを典
型例とするイミド結合材料は一般的に芳香族環の多い構
造だが、アブレーションによって生ずる残査（デブリ
ス）が多く見られ、アブレーションレートが十分でない
といった欠点があるものであり、レジスト材に適さなか
った。
は、エキシマレーザー光のエネルギーを良く吸収し、か
つ効率よく結合解裂エネルギーに変換されなければなら
ない。どのような化学構造物が効率の良い吸収を示すか
は、例えば、"Absorption Spectra in Ultraviolet and
visible region" Edited by L.Lang, Akademiai Kaid
o, Budapest (1996)に、芳香族環を有する置換基が、２
４８ｎｍの吸光度が高いことが記載されている。しか
し、吸光係数が高ければ良いかというと、たとえば芳香
族イミド結合などは吸光係数が高いが、ポリイミドを典
型例とするイミド結合材料は一般的に芳香族環の多い構
造だが、アブレーションによって生ずる残査（デブリ
ス）が多く見られ、アブレーションレートが十分でない
といった欠点があるものであり、レジスト材に適さなか
った。
【００４０】
【実施例】次に本発明を実施例によって説明するが、こ
れはあくまで一態様でしかなく、本発明は実施例のみに
よって限定されるものではない。また、文中の「部」
「％」は断わりのない場合重量基準を示す。
れはあくまで一態様でしかなく、本発明は実施例のみに
よって限定されるものではない。また、文中の「部」
「％」は断わりのない場合重量基準を示す。
【００４１】［実施例１］代表的なポリウレタン化合物
の製造方法を下記に述べる。還流冷却器、攪拌棒、Ｎ2
導入管付きの２Ｌフラスコにトリレンジイソシアネート
（ＴＤＩ）３４８ｇ（２モル）とジメチルホルムアミド
７７７ｇを入れて内部を窒素置換し、これにジエチレン
グリコール１０６ｇ（１モル）を加え、３時間７０℃に
加熱攪拌し、さらに、メタノールを６４ｇ（２モル）加
えて８０℃で３時間加熱攪拌した後、常温まで冷却し
た。ＮＣＯ基に換算したウレタン／ウレア結合量は、配
合量から計算して３７％である。この溶液を基板上に回
転塗布し、１μｍ厚のレジスト膜を形成した。この膜を
２５０℃で１時間焼成した後、露光を行った。１００ｍ
Ｊ／cm2のエネルギー密度で露光を行うと、１ショット
当たり０．０９５μｍの深さにアブレーションが起き
た。照射後、デブリスは全く認められなかった。
の製造方法を下記に述べる。還流冷却器、攪拌棒、Ｎ2
導入管付きの２Ｌフラスコにトリレンジイソシアネート
（ＴＤＩ）３４８ｇ（２モル）とジメチルホルムアミド
７７７ｇを入れて内部を窒素置換し、これにジエチレン
グリコール１０６ｇ（１モル）を加え、３時間７０℃に
加熱攪拌し、さらに、メタノールを６４ｇ（２モル）加
えて８０℃で３時間加熱攪拌した後、常温まで冷却し
た。ＮＣＯ基に換算したウレタン／ウレア結合量は、配
合量から計算して３７％である。この溶液を基板上に回
転塗布し、１μｍ厚のレジスト膜を形成した。この膜を
２５０℃で１時間焼成した後、露光を行った。１００ｍ
Ｊ／cm2のエネルギー密度で露光を行うと、１ショット
当たり０．０９５μｍの深さにアブレーションが起き
た。照射後、デブリスは全く認められなかった。
【００４２】［実施例２］実施例１で用いたＴＤＩの代
わりにメチレンビスフェニルイソシアネート（ＭＤＩ）
３７５ｇ（１．５モル）、メタノールの代わりにメチル
エチルケトオキシム８７ｇ（１モル）を用いて同様の操
作を行い、ポリウレタン化合物を得、これにトリメチロ
ールプロパン２９．８ｇ（０．２２モル）を加えた。Ｎ
ＣＯ基に換算したウレタン／ウレア結合量は、配合量か
ら計算して２５％である。このレジスト材を塗工してア
ブレーションの実験を行い、１００ｍＪ／cm2のエネル
ギー密度で行うと、１ショット当たり０．０９３μｍの
深さにアブレーションが起きた。照射後、デブリスは全
く認められなかった。
わりにメチレンビスフェニルイソシアネート（ＭＤＩ）
３７５ｇ（１．５モル）、メタノールの代わりにメチル
エチルケトオキシム８７ｇ（１モル）を用いて同様の操
作を行い、ポリウレタン化合物を得、これにトリメチロ
ールプロパン２９．８ｇ（０．２２モル）を加えた。Ｎ
ＣＯ基に換算したウレタン／ウレア結合量は、配合量か
ら計算して２５％である。このレジスト材を塗工してア
ブレーションの実験を行い、１００ｍＪ／cm2のエネル
ギー密度で行うと、１ショット当たり０．０９３μｍの
深さにアブレーションが起きた。照射後、デブリスは全
く認められなかった。
【００４３】［実施例３］実施例２で用いたＭＤＩの代
わりにナフタレンジイソシアネート（ＮＤＩ）２８０ｇ
（１．３３モル）、メタノールの代わりにフェノール６
３ｇ（０．６７モル）を用いて同様の操作を行い、ポリ
ウレタン化合物を得た。ＮＣＯ基に換算したウレタン／
ウレア結合量は、配合量から計算して２９％である。こ
の樹脂をレジスト膜としてアブレーションの実験を行
い、１００ｍＪ／cm2のエネルギー密度で露光を行う
と、１ショット当たり０．０９６μｍの深さにアブレー
ションが起きた。照射後、デブリスは全く認められなか
った。
わりにナフタレンジイソシアネート（ＮＤＩ）２８０ｇ
（１．３３モル）、メタノールの代わりにフェノール６
３ｇ（０．６７モル）を用いて同様の操作を行い、ポリ
ウレタン化合物を得た。ＮＣＯ基に換算したウレタン／
ウレア結合量は、配合量から計算して２９％である。こ
の樹脂をレジスト膜としてアブレーションの実験を行
い、１００ｍＪ／cm2のエネルギー密度で露光を行う
と、１ショット当たり０．０９６μｍの深さにアブレー
ションが起きた。照射後、デブリスは全く認められなか
った。
【００４４】［実施例４］実施例１のジエチレングリコ
ールの代わりに１,４ブタンジオールとアジピン酸から
なるポリエステルジオール（分子量５００）５００ｇ
（１モル）を用いて同様の操作を行い、ポリウレタン化
合物を得た。ＮＣＯ基に換算したウレタン／ウレア結合
量は、配合量から計算して２０％である。この樹脂をレ
ジスト膜としてアブレーションの実験を行い、１００ｎ
ｍＪ／cm2のエネルギー密度で露光を行うと、１ショッ
ト当たり０．０８７μｍの深さにアブレーションが起き
た。ジエチレングリコールをポリエステルジオールに代
えることで有機溶剤への溶解性が変わった以外には大幅
な変化は認められなかった。照射後、デブリスは全く認
められなかった。
ールの代わりに１,４ブタンジオールとアジピン酸から
なるポリエステルジオール（分子量５００）５００ｇ
（１モル）を用いて同様の操作を行い、ポリウレタン化
合物を得た。ＮＣＯ基に換算したウレタン／ウレア結合
量は、配合量から計算して２０％である。この樹脂をレ
ジスト膜としてアブレーションの実験を行い、１００ｎ
ｍＪ／cm2のエネルギー密度で露光を行うと、１ショッ
ト当たり０．０８７μｍの深さにアブレーションが起き
た。ジエチレングリコールをポリエステルジオールに代
えることで有機溶剤への溶解性が変わった以外には大幅
な変化は認められなかった。照射後、デブリスは全く認
められなかった。
【００４５】［比較例１］実施例４のポリエステルジオ
ールの分子量を５００から９００に変化させて同様の操
作を行い、ポリウレタン化合物を得た。ところが、照射
後、デブリスは全く認められなかったが、アブレーショ
ンの速度は０．０４μｍに低下した。ＮＣＯ基に換算し
たウレタン／ウレア結合量は、配合量から計算して１４
％である。
ールの分子量を５００から９００に変化させて同様の操
作を行い、ポリウレタン化合物を得た。ところが、照射
後、デブリスは全く認められなかったが、アブレーショ
ンの速度は０．０４μｍに低下した。ＮＣＯ基に換算し
たウレタン／ウレア結合量は、配合量から計算して１４
％である。
【００４６】［実施例５］代表的なポリウレア樹脂の製
造方法を下記に述べる。１Ｌフラスコにトリレンジイソ
シアネート（ＴＤＩ）３４８ｇ（２モル）とジメチルホ
ルムアミドを入れて窒素置換し、これにジエチレングリ
コールビス（３−アミノプロピル）エーテル２２０ｇ
（１モル）を加え、１時間１３０℃に加熱攪拌した後、
メタノール６４ｇ（２モル）を加えて、さらに８０℃で
３時間反応し、冷却した。ＮＣＯ基に換算したウレタン
／ウレア結合量は、配合量から計算して３０％である。
造方法を下記に述べる。１Ｌフラスコにトリレンジイソ
シアネート（ＴＤＩ）３４８ｇ（２モル）とジメチルホ
ルムアミドを入れて窒素置換し、これにジエチレングリ
コールビス（３−アミノプロピル）エーテル２２０ｇ
（１モル）を加え、１時間１３０℃に加熱攪拌した後、
メタノール６４ｇ（２モル）を加えて、さらに８０℃で
３時間反応し、冷却した。ＮＣＯ基に換算したウレタン
／ウレア結合量は、配合量から計算して３０％である。
【００４７】この溶液を基板上に回転塗布し、１μｍ厚
のレジスト膜を形成した。この膜を２５０℃で１時間焼
成した後、露光を行った。１００ｍＪ／cm2のエネルギ
ー密度で露光を行うと、１ショット当たり０．０９４μ
ｍの深さにアブレーションが起きた。照射後、デブリス
は全く認められなかった。
のレジスト膜を形成した。この膜を２５０℃で１時間焼
成した後、露光を行った。１００ｍＪ／cm2のエネルギ
ー密度で露光を行うと、１ショット当たり０．０９４μ
ｍの深さにアブレーションが起きた。照射後、デブリス
は全く認められなかった。
【００４８】［実施例６］実施例５のＴＤＩの代わりに
ＭＤＩ５００ｇ（２モル）を用いて同様の操作を行った
結果、ほぼ同様の結果を得た。ＮＣＯ基に換算したウレ
タン／ウレア結合量は、配合量から計算して２３％であ
る。
ＭＤＩ５００ｇ（２モル）を用いて同様の操作を行った
結果、ほぼ同様の結果を得た。ＮＣＯ基に換算したウレ
タン／ウレア結合量は、配合量から計算して２３％であ
る。
【００４９】得られた各実施例のレジスト材を銅板に塗
布して、塗工性、耐久性を評価した。 ［塗工性］基板上にスピン回転塗布法により約１μｍ厚
に塗布し、２２０℃×３０分乾燥、焼き付け後の塗布面
の表面状態で判断した。
布して、塗工性、耐久性を評価した。 ［塗工性］基板上にスピン回転塗布法により約１μｍ厚
に塗布し、２２０℃×３０分乾燥、焼き付け後の塗布面
の表面状態で判断した。
【００５０】 ○：均一な膜を形成する ×：均一な膜を形成しない(ひび割れ、波打ち、ハジキ
等を発生) ［耐久性］濃硫酸、濃水酸化ナトリウム溶液に１０分間
浸漬して、表面の変化を観察した。
等を発生) ［耐久性］濃硫酸、濃水酸化ナトリウム溶液に１０分間
浸漬して、表面の変化を観察した。
【００５１】 ○：変化なし ×：ひび割れ、剥離、溶解状態を呈する
【００５２】
【表１】
【００５３】
【発明の効果】本発明のレジスト材は、優れた塗工性、
耐久性、エキシマ光分解性により高アブレーションレー
ト、低デブリスのレジスト膜として用いるエキシマアブ
レーション リソグラフィに好適で、薄膜パターン形成
プロセス自体及びプロセス時間が大幅に短縮され、かつ
これに伴う装置、材料の省略により、素子のコストが大
幅に低減される。また、本発明では、ウエットプロセス
である現像、レジスト剥離の工程が不要になるので、こ
れら剥離剤による公害を防止できる。
耐久性、エキシマ光分解性により高アブレーションレー
ト、低デブリスのレジスト膜として用いるエキシマアブ
レーション リソグラフィに好適で、薄膜パターン形成
プロセス自体及びプロセス時間が大幅に短縮され、かつ
これに伴う装置、材料の省略により、素子のコストが大
幅に低減される。また、本発明では、ウエットプロセス
である現像、レジスト剥離の工程が不要になるので、こ
れら剥離剤による公害を防止できる。
【００５４】
【図１】 エキシマアブレーション リソグラフィの原
理を示す図。
理を示す図。
Ａ：基板 Ｂ：金属薄膜 Ｃ：レジスト皮膜 Ｄ：必要に応じて使用されるマスク Ｅ：エキシマレーザー光 Ｆ：アブレートされたレジスト材剥離部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ
Claims (5)
- 【請求項１】 ポリウレタン化合物を主成分として含む
ことを特徴とするエキシマレーザーアブレーション用レ
ジスト材。 - 【請求項２】 ポリウレタン化合物が、芳香族ウレタン
結合及び／または芳香族ウレア結合をたくさん持つもの
であることを特徴とする請求項１記載のエキシマレーザ
ーアブレーション用レジスト材。 - 【請求項３】 芳香族ウレタン結合及び／または芳香族
ウレア結合をＮＣＯ基に換算して１５重量％以上含有す
るポリウレタン化合物であることを特徴とする請求項１
及び２記載のエキシマレーザーアブレーション用レジス
ト材。 - 【請求項４】 加熱・乾燥により架橋構造を形成する性
質を有することを特徴とする請求項１〜３いずれか記載
のエキシマレーザーアブレーション用レジスト材。 - 【請求項５】 ポリウレタン化合物の数平均分子量が、
１５０〜５０００であることを特徴とする請求項１〜４
いずれか記載のエキシマレーザーアブレーション用レジ
スト材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17640796A JP3831981B2 (ja) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | エキシマレーザーアブレーション用レジスト材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17640796A JP3831981B2 (ja) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | エキシマレーザーアブレーション用レジスト材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1018059A true JPH1018059A (ja) | 1998-01-20 |
| JP3831981B2 JP3831981B2 (ja) | 2006-10-11 |
Family
ID=16013143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17640796A Expired - Fee Related JP3831981B2 (ja) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | エキシマレーザーアブレーション用レジスト材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3831981B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004238659A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-26 | Toyo Aluminium Kk | エッチング用金属箔積層体及びエッチド金属箔の製造方法 |
| JP2005099500A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Harison Toshiba Lighting Corp | レジストおよびリソグラフィー方法 |
| JP2008053526A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2008078634A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-04-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2008153627A (ja) * | 2007-11-02 | 2008-07-03 | Toyo Aluminium Kk | エッチング用金属箔積層体及びエッチド金属箔の製造方法 |
| CN103760749A (zh) * | 2014-01-14 | 2014-04-30 | 北京京东方显示技术有限公司 | 薄膜图案的制造方法、显示基板 |
| WO2016132784A1 (ja) * | 2015-02-20 | 2016-08-25 | Jsr株式会社 | 絶縁膜の製造方法および絶縁膜、レーザーアブレーション用樹脂組成物、ならびに電子部品 |
| JP2019508752A (ja) * | 2015-12-21 | 2019-03-28 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | レーザーアブレーション用ネガティブワーキングフォトレジスト組成物及びその使用 |
| CN109716485A (zh) * | 2016-07-15 | 2019-05-03 | 布鲁尔科技公司 | 激光烧蚀介电材料 |
-
1996
- 1996-07-05 JP JP17640796A patent/JP3831981B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004238659A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-26 | Toyo Aluminium Kk | エッチング用金属箔積層体及びエッチド金属箔の製造方法 |
| JP2005099500A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Harison Toshiba Lighting Corp | レジストおよびリソグラフィー方法 |
| JP2008053526A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2008078634A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-04-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2008153627A (ja) * | 2007-11-02 | 2008-07-03 | Toyo Aluminium Kk | エッチング用金属箔積層体及びエッチド金属箔の製造方法 |
| JP4707700B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2011-06-22 | 東洋アルミニウム株式会社 | エッチング用金属箔積層体及びエッチド金属箔の製造方法 |
| CN103760749A (zh) * | 2014-01-14 | 2014-04-30 | 北京京东方显示技术有限公司 | 薄膜图案的制造方法、显示基板 |
| US9502444B2 (en) | 2014-01-14 | 2016-11-22 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Method for forming a thin-film layer pattern, display substrate and manufacturing method thereof, and display device |
| WO2016132784A1 (ja) * | 2015-02-20 | 2016-08-25 | Jsr株式会社 | 絶縁膜の製造方法および絶縁膜、レーザーアブレーション用樹脂組成物、ならびに電子部品 |
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