JPH10153706A - 偏光子及びその製造方法 - Google Patents
偏光子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH10153706A JPH10153706A JP32919996A JP32919996A JPH10153706A JP H10153706 A JPH10153706 A JP H10153706A JP 32919996 A JP32919996 A JP 32919996A JP 32919996 A JP32919996 A JP 32919996A JP H10153706 A JPH10153706 A JP H10153706A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polarizer
- fine lines
- light
- transparent
- fine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Polarising Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大面積で、８８％以上の可視光域の偏光度を
有し、無着色の偏光子を提供する。 【解決手段】 透明な支持体１上に、半導体または金属
よりなる細線３を直線状かつ互いに平行となるように電
子線リソグラフィもしくはＸ線リソグラフィによる描画
工程を含むリフトオフ法を用いて、形成することにより
偏光子を製造する。このとき得られる細線は、巾５０〜
３００Å、及び間隔０.５〜１.５μｍの範囲で、更には
高さが０.１〜３μｍの範囲で形成される。更には、前
記細線間を支持体１と同等の屈折率を有する物質２で充
填するようにし、また、支持体１の表裏の少なくとも一
方に、反射防止膜４を設けることにより、透過光量を増
加させるようにする。
有し、無着色の偏光子を提供する。 【解決手段】 透明な支持体１上に、半導体または金属
よりなる細線３を直線状かつ互いに平行となるように電
子線リソグラフィもしくはＸ線リソグラフィによる描画
工程を含むリフトオフ法を用いて、形成することにより
偏光子を製造する。このとき得られる細線は、巾５０〜
３００Å、及び間隔０.５〜１.５μｍの範囲で、更には
高さが０.１〜３μｍの範囲で形成される。更には、前
記細線間を支持体１と同等の屈折率を有する物質２で充
填するようにし、また、支持体１の表裏の少なくとも一
方に、反射防止膜４を設けることにより、透過光量を増
加させるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、可視光域の円偏光
を直線偏光とする偏光子に関し、特に大面積偏光子に関
するものであって、例えば、ディスプレイ用高光透過率
偏光子として応用できるものに関する。
を直線偏光とする偏光子に関し、特に大面積偏光子に関
するものであって、例えば、ディスプレイ用高光透過率
偏光子として応用できるものに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術による偏光子の主な例と、各
例毎に従来技術における問題点を以下に列挙する。
例毎に従来技術における問題点を以下に列挙する。
【０００３】１，特開平１−９３７０２号公報に開示さ
れた偏光板及び偏光板の製造方法 強磁性体微粒子からなる多数の棒状素子を含む偏光層を
基板表面に一定方向に配列して固着形成することによ
り、製造が容易でかつ光学的特性の優れた偏光板及びそ
の製層方法を提供したもの。すなわち棒状の強磁性体を
一定方向に並べたものである。
れた偏光板及び偏光板の製造方法 強磁性体微粒子からなる多数の棒状素子を含む偏光層を
基板表面に一定方向に配列して固着形成することによ
り、製造が容易でかつ光学的特性の優れた偏光板及びそ
の製層方法を提供したもの。すなわち棒状の強磁性体を
一定方向に並べたものである。
【０００４】（問題点）偏光層の配列のバラツキが大き
い。また、材料の自体の形状のバラツキも大きい。材料
は光の吸収と屈折率が大きいことが必要であるが、この
点で好ましいとは言えない。
い。また、材料の自体の形状のバラツキも大きい。材料
は光の吸収と屈折率が大きいことが必要であるが、この
点で好ましいとは言えない。
【０００５】２，ワイヤグリッド偏光子 「現代人の物理１−光と磁気」（東京農工大学 佐藤勝
昭教授著，１９８８年，ページ１０３）に記載されたも
の。この偏光子は、２.５μmより長波長の光に対して機
能する偏光子であって、透明基板（臭化銀、ポリエチレ
ン等）に微小な間隔で金やアルミニウムの線をひいたも
のである。この場合、線の間隔ｄ、波長をλとすると、
λ≫ｄの波長の光に対して、透過光は線に垂直な振動面
を持つほぼ完全な直線偏光になることを利用している。
また、中赤外用（２.５μmから２５μm）としては臭化
銀基板にｄ＝０.３μm間隔で金線をひいたものが、遠赤
外用（１６μmから１００μm）としてはポリエチレン板
にｄ＝０.７μmでアルミニウムをひいたものが用いられ
る。偏光度は９７％程度といわれる。
昭教授著，１９８８年，ページ１０３）に記載されたも
の。この偏光子は、２.５μmより長波長の光に対して機
能する偏光子であって、透明基板（臭化銀、ポリエチレ
ン等）に微小な間隔で金やアルミニウムの線をひいたも
のである。この場合、線の間隔ｄ、波長をλとすると、
λ≫ｄの波長の光に対して、透過光は線に垂直な振動面
を持つほぼ完全な直線偏光になることを利用している。
また、中赤外用（２.５μmから２５μm）としては臭化
銀基板にｄ＝０.３μm間隔で金線をひいたものが、遠赤
外用（１６μmから１００μm）としてはポリエチレン板
にｄ＝０.７μmでアルミニウムをひいたものが用いられ
る。偏光度は９７％程度といわれる。
【０００６】（問題点）これは長波長の赤外線用の偏光
子で、可視光では機能しない。また、このワイヤー法で
は線巾を５００Å以下と細くすることはできない。
子で、可視光では機能しない。また、このワイヤー法で
は線巾を５００Å以下と細くすることはできない。
【０００７】３，コーニング社製「ポーラコア」 ポーラコア（商品名）は、長く延伸させた金層銀をガラ
ス自身の中に一方向に配列させることにより、偏光特性
をもたせたガラスで、従来の有機物偏光素子と異なり耐
熱性、耐湿性、耐化学薬品性、レーザに対する耐性に非
常に優れている。赤外線用が主であるが、特殊仕様とし
て可視光用がある。
ス自身の中に一方向に配列させることにより、偏光特性
をもたせたガラスで、従来の有機物偏光素子と異なり耐
熱性、耐湿性、耐化学薬品性、レーザに対する耐性に非
常に優れている。赤外線用が主であるが、特殊仕様とし
て可視光用がある。
【０００８】（問題点）可視光用は外観上では茶色であ
り、従来利用されている有機物偏光素子と同じように表
示デバイスでは暗くなってコントラストが付かず利用出
来ない。価格も高価であり、また、サイズも大きいもの
の製品が困難である。光透過率も４００から８００nmで
８５％程度（２mm厚のとき）と不十分である。
り、従来利用されている有機物偏光素子と同じように表
示デバイスでは暗くなってコントラストが付かず利用出
来ない。価格も高価であり、また、サイズも大きいもの
の製品が困難である。光透過率も４００から８００nmで
８５％程度（２mm厚のとき）と不十分である。
【０００９】４，マイクロワイヤアレイ 東北大学のグループで赤外線用にアルミニウムの表面を
陽極酸化させアルミナとし、微細な穴を開けてこの中に
ＮｉやＣｕなどの金層を入れ偏光子として用いることを
報告したものである。
陽極酸化させアルミナとし、微細な穴を開けてこの中に
ＮｉやＣｕなどの金層を入れ偏光子として用いることを
報告したものである。
【００１０】（問題点）可視光域の光透過データは十分
にはとられていないが、主たる利用範囲の赤外線での透
過率も８５％以下と低い。このグループはガラス層間に
島状金属粒子層を挿入して引き延ばし、偏光子を得てい
るが、可視光領域での偏光率は不十分でやはり長波長の
赤外線用である。
にはとられていないが、主たる利用範囲の赤外線での透
過率も８５％以下と低い。このグループはガラス層間に
島状金属粒子層を挿入して引き延ばし、偏光子を得てい
るが、可視光領域での偏光率は不十分でやはり長波長の
赤外線用である。
【００１１】５，積層型偏光子 東北大学の電気通信研究所の川上彰二郎教授により発表
されているもので、可視光用にはＲＦスパッタリング法
で、６０〜８０Åの厚みのＧｅ（ゲルマニウム）と、１
μm厚みのＳｉＯ2を交互に６０μm厚みになるまで積層
して作製している。０.６μmの波長で測定した性能指数
αTE／αTM（ＴＥ波とＴＭ波に対する消衰定数の比）は
４００近く、０.８μmの波長で測定した消光比は３５ｄ
Ｂ、挿入損出は０.１８ｄＢであり、可視光に対して十
分なものである。
されているもので、可視光用にはＲＦスパッタリング法
で、６０〜８０Åの厚みのＧｅ（ゲルマニウム）と、１
μm厚みのＳｉＯ2を交互に６０μm厚みになるまで積層
して作製している。０.６μmの波長で測定した性能指数
αTE／αTM（ＴＥ波とＴＭ波に対する消衰定数の比）は
４００近く、０.８μmの波長で測定した消光比は３５ｄ
Ｂ、挿入損出は０.１８ｄＢであり、可視光に対して十
分なものである。
【００１２】（問題点）スパッタリング法で作製するの
で、以上のようにせいぜい５０とか１００μmの厚みで
しか作製できない。この基板上の薄膜から３〜３５μm
厚みにスライスして切り出して用いる。用途は光センシ
ングシステムや光導波路デバイス等への組込素子として
利用され、８５０nm以上の波長ではラミポールの名称で
同様の作製法を用いたものが住友大阪セメント（株）か
ら販売されている。すなわち大面積のものは作製不可能
である。
で、以上のようにせいぜい５０とか１００μmの厚みで
しか作製できない。この基板上の薄膜から３〜３５μm
厚みにスライスして切り出して用いる。用途は光センシ
ングシステムや光導波路デバイス等への組込素子として
利用され、８５０nm以上の波長ではラミポールの名称で
同様の作製法を用いたものが住友大阪セメント（株）か
ら販売されている。すなわち大面積のものは作製不可能
である。
【００１３】この他に本発明者が先に出願した先行技術
として、１００Å以下の金属又は半導体粒子を有機溶剤
中に分散させて、透明な支持板の上に直線状に塗布し、
焼成することにより偏光子を形成するようにした技術が
ある。一方、本発明は、リフトオフ製膜法を用いて作製
する偏光子に関するものである。
として、１００Å以下の金属又は半導体粒子を有機溶剤
中に分散させて、透明な支持板の上に直線状に塗布し、
焼成することにより偏光子を形成するようにした技術が
ある。一方、本発明は、リフトオフ製膜法を用いて作製
する偏光子に関するものである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述のよう
な実情に鑑みなされたもので、従来技術に述べた問題点
を解決するために、５０×５０ｍｍ以上の大面積、
３８０〜８００ｎｍの波長の光に対してＳ偏光透過率
（Ｔ1）が８５％以上、Ｐ偏光透過率（Ｔ2）が、５％以
下、偏光度（Ｔ1−Ｔ2／Ｔ1＋Ｔ2）が８８％以上の性能
を有する（設けられた直線状格子に対して電気ベクトル
の方向が垂直な場合をＳ偏光、平行な場合をＰ偏光とす
る）。可視光域で機能する表示デバイスに用いること
が可能なように着色がない。以上の３項目を満足する偏
光子及びその製造方法を提供することをその解決すべき
課題とする。
な実情に鑑みなされたもので、従来技術に述べた問題点
を解決するために、５０×５０ｍｍ以上の大面積、
３８０〜８００ｎｍの波長の光に対してＳ偏光透過率
（Ｔ1）が８５％以上、Ｐ偏光透過率（Ｔ2）が、５％以
下、偏光度（Ｔ1−Ｔ2／Ｔ1＋Ｔ2）が８８％以上の性能
を有する（設けられた直線状格子に対して電気ベクトル
の方向が垂直な場合をＳ偏光、平行な場合をＰ偏光とす
る）。可視光域で機能する表示デバイスに用いること
が可能なように着色がない。以上の３項目を満足する偏
光子及びその製造方法を提供することをその解決すべき
課題とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、可視
光に対して透明である支持体上に、半導体または金属よ
りなる細線を直線状かつ互いに平行となるように複数列
リフトオフ法により、形成する工程を含むことを特徴と
するもので、もって、透過光率及び偏光率が従来の偏光
子に比し大巾に向上し、かつ、着色がないことからディ
スプレイ等に用いても明るい像を得ることができるよう
にしたものである。
光に対して透明である支持体上に、半導体または金属よ
りなる細線を直線状かつ互いに平行となるように複数列
リフトオフ法により、形成する工程を含むことを特徴と
するもので、もって、透過光率及び偏光率が従来の偏光
子に比し大巾に向上し、かつ、着色がないことからディ
スプレイ等に用いても明るい像を得ることができるよう
にしたものである。
【００１６】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記リフトオフ法による前記細線の形成を行なう際
のレジストに対するパターン形成を電子線リソグラフィ
またはＸ線リソグラフィを用いて行なうようにしたこと
を特徴とするもので、もって、透過光率及び偏光率が従
来の偏光子に比し大巾に向上し、かつ、着色がないこと
からディスプレイ等に用いても明るい像を得ることがで
きるようにしたものである。
て、前記リフトオフ法による前記細線の形成を行なう際
のレジストに対するパターン形成を電子線リソグラフィ
またはＸ線リソグラフィを用いて行なうようにしたこと
を特徴とするもので、もって、透過光率及び偏光率が従
来の偏光子に比し大巾に向上し、かつ、着色がないこと
からディスプレイ等に用いても明るい像を得ることがで
きるようにしたものである。
【００１７】請求項３の発明は、請求項１または２の発
明において、前記細線間を前記透明である支持体と同等
の屈折率を有する物質で充填するようにしたことを特徴
とするもので、もって、細線が倒れることがなく安定し
て長期間使用できるようにするとともに、透過光が凹凸
によって回折したり散乱したりするのを防止するもので
ある。
明において、前記細線間を前記透明である支持体と同等
の屈折率を有する物質で充填するようにしたことを特徴
とするもので、もって、細線が倒れることがなく安定し
て長期間使用できるようにするとともに、透過光が凹凸
によって回折したり散乱したりするのを防止するもので
ある。
【００１８】請求項４の発明は、請求項１ないし３いず
れか１記載の製造方法により製造される偏光子であっ
て、前記細線が巾５０〜３００Å、及び間隔０.５〜１.
５μｍの範囲で形成されることを特徴とするもので、も
って、光透過率及び偏光率が共に従来の偏光子より大巾
に向上し、かつ着色がないことから、ディスプレイ等に
用いても明るい像を得ることができるようにしたもので
ある。
れか１記載の製造方法により製造される偏光子であっ
て、前記細線が巾５０〜３００Å、及び間隔０.５〜１.
５μｍの範囲で形成されることを特徴とするもので、も
って、光透過率及び偏光率が共に従来の偏光子より大巾
に向上し、かつ着色がないことから、ディスプレイ等に
用いても明るい像を得ることができるようにしたもので
ある。
【００１９】請求項５の発明は、請求項４の発明におい
て、前記細線の高さが０.１〜３μｍの範囲にあること
を特徴とするもので、もって、光透過率及び偏光率が共
に従来の偏光子より大巾に向上し、かつ着色がないこと
から、ディスプレイ等に用いても明るい像を得ることが
できるようにしたものである。
て、前記細線の高さが０.１〜３μｍの範囲にあること
を特徴とするもので、もって、光透過率及び偏光率が共
に従来の偏光子より大巾に向上し、かつ着色がないこと
から、ディスプレイ等に用いても明るい像を得ることが
できるようにしたものである。
【００２０】請求項６の発明は、請求項４または５の発
明において、前記偏光子の表裏の表面の少なくとも一方
に透過光を増加させる機能を有する反射防止膜が設けら
れていることを特徴とするもので、もって、光透過率を
更に向上させることができるようにしたものである。
明において、前記偏光子の表裏の表面の少なくとも一方
に透過光を増加させる機能を有する反射防止膜が設けら
れていることを特徴とするもので、もって、光透過率を
更に向上させることができるようにしたものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明による偏光子の構成は、可
視光に対して透明な基板、例えば、ＭＭＡ樹脂、ＰＭＭ
Ａ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリプロピレン樹脂、
アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリス
チレン、ポリアリレート、ポリサルフォン、ポリエーテ
ルサルフォン、エポキシ樹脂、ポリ−４−メチルペンテ
ン−１、フッ素化ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノ
キシ樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ジエチレングリコー
ルビスアリルカーボネート、ナイロン樹脂、フルオレン
系ポリマー等の高透過率プラスチックフィルム又はガラ
ス、石英、アルミナ等の無機透明材料が用いられる。厚
みは用途によるので、特に限定されるものではない。
視光に対して透明な基板、例えば、ＭＭＡ樹脂、ＰＭＭ
Ａ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリプロピレン樹脂、
アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリス
チレン、ポリアリレート、ポリサルフォン、ポリエーテ
ルサルフォン、エポキシ樹脂、ポリ−４−メチルペンテ
ン−１、フッ素化ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノ
キシ樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ジエチレングリコー
ルビスアリルカーボネート、ナイロン樹脂、フルオレン
系ポリマー等の高透過率プラスチックフィルム又はガラ
ス、石英、アルミナ等の無機透明材料が用いられる。厚
みは用途によるので、特に限定されるものではない。
【００２２】この透明支持体上に半導体又は金属の細線
が、線巾５０〜３００Å、線間０.５〜１.５μｍ、線の
高さ０.１〜３μｍの寸法で作製される。また、線間は
可視光に透明な材料、例えば、ＳｉＯ2で埋められる。
更に偏光子としてより入射光を有効に偏光化するため
に、反射防止膜を設ける。この反射防止膜の材料に関し
ては、公知の材料が適宜選択される。
が、線巾５０〜３００Å、線間０.５〜１.５μｍ、線の
高さ０.１〜３μｍの寸法で作製される。また、線間は
可視光に透明な材料、例えば、ＳｉＯ2で埋められる。
更に偏光子としてより入射光を有効に偏光化するため
に、反射防止膜を設ける。この反射防止膜の材料に関し
ては、公知の材料が適宜選択される。
【００２３】この偏光子の作製にあたってのレジストへ
の描画は、従来の作製法にはなかったリソグラフィー法
を用いる。特にここでは、線巾が細いために電子線リソ
グラフィーが好適に用いられる。他の方法ではこの細線
を線端に凹凸が出ないように、又、直線性が保たれるよ
うには作製できない。特に、波長２００ｎｍ以上の光を
用いたフォトリソグラフィーでは細い線巾に対応しきれ
ないためＸ線リソグラフィーや電子線リソグラフィーが
採用される。
の描画は、従来の作製法にはなかったリソグラフィー法
を用いる。特にここでは、線巾が細いために電子線リソ
グラフィーが好適に用いられる。他の方法ではこの細線
を線端に凹凸が出ないように、又、直線性が保たれるよ
うには作製できない。特に、波長２００ｎｍ以上の光を
用いたフォトリソグラフィーでは細い線巾に対応しきれ
ないためＸ線リソグラフィーや電子線リソグラフィーが
採用される。
【００２４】本発明に用いる線材としては、多く金属も
しくは半導体材料が用いられるが、なかでも屈折率が大
きく、光の吸収の大きい材料が好ましい。なお、電子線
リソグラフィー法等では細線長は０.５ｍｍ位までは直
線にして得られるが、次に続く線とは必ずしも直結され
るとは限らず、細線の先端どうしがズレて作製されるこ
ともある。これは電子の振り巾に限度があるためである
が、この点は特に偏光子としての性能を劣化させるもの
ではない。上記細線の寸法はその間であればどのような
組合せも限定されるものではない。
しくは半導体材料が用いられるが、なかでも屈折率が大
きく、光の吸収の大きい材料が好ましい。なお、電子線
リソグラフィー法等では細線長は０.５ｍｍ位までは直
線にして得られるが、次に続く線とは必ずしも直結され
るとは限らず、細線の先端どうしがズレて作製されるこ
ともある。これは電子の振り巾に限度があるためである
が、この点は特に偏光子としての性能を劣化させるもの
ではない。上記細線の寸法はその間であればどのような
組合せも限定されるものではない。
【００２５】以下に本発明による偏光子の実施例を添付
された図面を参照して具体的に説明する。 （実施例１）図１は、本発明による偏光子の一実施例を
説明するための偏光子構成を概念的に示した側断面図
で、図中、１は透明基板（支持体）、２はＳｉＯ2、３
は細線、４は反射防止膜である。この実施例における偏
光子の作製手順としては、まず２５μｍ厚のポリカーボ
ネートフィルムよりなる透明基板１の片側表面に反射防
止膜としてＭｇＦ2（ｎ＝１.３８）の層４を真空蒸着法
によって１０００Å厚に設けた。このＭｇＦ2層によっ
て反射率は可視光域でほぼ３％低下した。
された図面を参照して具体的に説明する。 （実施例１）図１は、本発明による偏光子の一実施例を
説明するための偏光子構成を概念的に示した側断面図
で、図中、１は透明基板（支持体）、２はＳｉＯ2、３
は細線、４は反射防止膜である。この実施例における偏
光子の作製手順としては、まず２５μｍ厚のポリカーボ
ネートフィルムよりなる透明基板１の片側表面に反射防
止膜としてＭｇＦ2（ｎ＝１.３８）の層４を真空蒸着法
によって１０００Å厚に設けた。このＭｇＦ2層によっ
て反射率は可視光域でほぼ３％低下した。
【００２６】次いで透明基板１の他の片面にいわゆるリ
フトオフ法を用いて巾２００Å、高さ０.６μｍで直方
体状のＧｅ（ゲルマニウム）の極細線を線間の間隔を
０.７５μｍとして平行に５×５cmの範囲に複数列作製
した。用いたレジストはＭＭＡ、描画は電子線リソグラ
フィー（ＪＥＯＬ製ＪＢＸ−５ＤII）を用いた。大面積
のため支持体ホルダーを移動して描画したため、線は一
直線でなく所々切れたものとなった。現像の後、粒子に
平行性をもたせるためのガイド板を用いてＧｅをスパッ
タした後、レジストをとり除いて、Ｇｅの極細線を得
た。線の断面は直方体状であった。
フトオフ法を用いて巾２００Å、高さ０.６μｍで直方
体状のＧｅ（ゲルマニウム）の極細線を線間の間隔を
０.７５μｍとして平行に５×５cmの範囲に複数列作製
した。用いたレジストはＭＭＡ、描画は電子線リソグラ
フィー（ＪＥＯＬ製ＪＢＸ−５ＤII）を用いた。大面積
のため支持体ホルダーを移動して描画したため、線は一
直線でなく所々切れたものとなった。現像の後、粒子に
平行性をもたせるためのガイド板を用いてＧｅをスパッ
タした後、レジストをとり除いて、Ｇｅの極細線を得
た。線の断面は直方体状であった。
【００２７】次いで、線間隔０.７５μｍの間にＳｉＯ2
をスパッタ法によって成膜し、凸部は削りとって、これ
を偏光子とした。偏光子のＳ偏光透過率は可視域にわた
って９１％以上であり、Ｐ偏光透過率は可視域にわたっ
て４％以下であった。又、偏光度は可視域全域に於い
て、９０％以上であった。又、外観上では偏光子に着色
はなく、透明であった。一般的に多用されるヨウ素系偏
光フィルムの透過率４３％に対して大巾に透過率が向上
していた。
をスパッタ法によって成膜し、凸部は削りとって、これ
を偏光子とした。偏光子のＳ偏光透過率は可視域にわた
って９１％以上であり、Ｐ偏光透過率は可視域にわたっ
て４％以下であった。又、偏光度は可視域全域に於い
て、９０％以上であった。又、外観上では偏光子に着色
はなく、透明であった。一般的に多用されるヨウ素系偏
光フィルムの透過率４３％に対して大巾に透過率が向上
していた。
【００２８】（比較例１）上記実施例と同様にして反射
防止膜を設けたポリカーボネートフィルムを用いて、前
記反射防止膜のない表面に、ジェットプリンティング法
（超微粒子を用いた新しい膜形成システム）を用いてノ
ズル先からＡｕ（金）の超微粒子をふきつけ、線を描い
た。このとき内径約３０μｍのノズルを用いた。この結
果得られた線巾は約１０μｍであり、１μｍ以下の極細
線を形成することはできなかった。
防止膜を設けたポリカーボネートフィルムを用いて、前
記反射防止膜のない表面に、ジェットプリンティング法
（超微粒子を用いた新しい膜形成システム）を用いてノ
ズル先からＡｕ（金）の超微粒子をふきつけ、線を描い
た。このとき内径約３０μｍのノズルを用いた。この結
果得られた線巾は約１０μｍであり、１μｍ以下の極細
線を形成することはできなかった。
【００２９】（比較例２）上記実施例と同様にして反射
防止膜を設けたポリカーボネートフィルムの前記反射防
止膜の反対面上に、フォトリソグラフィー法を用いて直
線３００Å以下のＧｅ細線を描画することを試みた。レ
ジストを交換し、露光、現像を試みたが、１０００Å以
下の細線を得ることはできなかった。
防止膜を設けたポリカーボネートフィルムの前記反射防
止膜の反対面上に、フォトリソグラフィー法を用いて直
線３００Å以下のＧｅ細線を描画することを試みた。レ
ジストを交換し、露光、現像を試みたが、１０００Å以
下の細線を得ることはできなかった。
【００３０】
請求項１及び２の効果：可視光に対して透明な支持体上
に半導体又は金属の極細線をリフトオフ法を用いてスト
ライプ状に大面積に設けるようにしたことにより、光透
過率及び偏光率が共に従来の偏光子より大巾に向上し、
かつ着色がないことから、ディスプレイ等に用いても明
るい像を得ることができる偏光子を得ることができる。 請求項３の効果：請求項１及び２の効果に加えて、細線
間を透明な物質で埋めるようにしたことにより、細線は
倒れることがなく安定して長期間使用できるとともに、
透過光が凹凸によって回折したり散乱したりするのを防
止することができる。 請求項４及び５の効果：光透過率及び偏光率が共に従来
の偏光子より大巾に向上し、かつ着色がないことから、
ディスプレイ等に用いても明るい像を得ることができる
偏光子が得られた。 請求項６の効果：請求項４及び５の効果に加えて、表面
に反射防止膜を設けることにより、光透過率を更に向上
させることができる偏光子が得られた。
に半導体又は金属の極細線をリフトオフ法を用いてスト
ライプ状に大面積に設けるようにしたことにより、光透
過率及び偏光率が共に従来の偏光子より大巾に向上し、
かつ着色がないことから、ディスプレイ等に用いても明
るい像を得ることができる偏光子を得ることができる。 請求項３の効果：請求項１及び２の効果に加えて、細線
間を透明な物質で埋めるようにしたことにより、細線は
倒れることがなく安定して長期間使用できるとともに、
透過光が凹凸によって回折したり散乱したりするのを防
止することができる。 請求項４及び５の効果：光透過率及び偏光率が共に従来
の偏光子より大巾に向上し、かつ着色がないことから、
ディスプレイ等に用いても明るい像を得ることができる
偏光子が得られた。 請求項６の効果：請求項４及び５の効果に加えて、表面
に反射防止膜を設けることにより、光透過率を更に向上
させることができる偏光子が得られた。
【図１】 本発明による偏光子の一実施例を説明するた
めの偏光子構成を概念的に示した断面図である。
めの偏光子構成を概念的に示した断面図である。
１…透明基板、２…ＳｉＯ2、３…細線、４…反射防止
膜。
膜。
Claims (6)
- 【請求項１】 可視光に対して透明である支持体上に、
半導体または金属よりなる細線を直線状かつ互いに平行
となるように複数列リフトオフ法により、形成する工程
を含むことを特徴とする偏光子の製造方法。 - 【請求項２】 前記リフトオフ法による前記細線の形成
を行なう際の、レジストに対するパターン形成を電子線
リソグラフィまたはＸ線リソグラフィを用いて行なうよ
うにしたことを特徴とする請求項１記載の偏光子の製造
方法。 - 【請求項３】 前記細線間を前記透明である支持体と同
等の屈折率を有する物質で充填するようにしたことを特
徴とする請求項１または２記載の偏光子の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１ないし３いずれか１記載の製造
方法により製造される偏光子であって、前記細線が巾５
０〜３００Å、及び間隔０.５〜１.５μｍの範囲で形成
されることを特徴とする偏光子。 - 【請求項５】 前記細線の高さが０.１〜３μｍの範囲
にあることを特徴とする請求項４記載の偏光子。 - 【請求項６】 前記偏光子の表裏の表面の少なくとも一
方に透過光を増加させる機能を有する反射防止膜が設け
られていることを特徴とする請求項４または５記載の偏
光子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32919996A JPH10153706A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 偏光子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32919996A JPH10153706A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 偏光子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10153706A true JPH10153706A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18218764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32919996A Pending JPH10153706A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 偏光子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10153706A (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002025325A1 (fr) * | 2000-09-20 | 2002-03-28 | Namiki Seimitsu Houseki Kabushiki Kaisha | Element polarisant, isolateur optique, module a diode laser et procede de production d'un element polarisant |
| WO2002091044A1 (fr) * | 2001-04-26 | 2002-11-14 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Dispositif de polarisation et son procede de fabrication |
| JP2005195824A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Asahi Kasei Chemicals Corp | ワイヤグリッド型偏光子 |
| JP2006058615A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 金属細線が埋め込まれた偏光分離素子 |
| JP2006517307A (ja) * | 2003-02-10 | 2006-07-20 | ナノオプト コーポレーション | 汎用広帯域偏光器、それを含むデバイスおよびその製造方法 |
| WO2006120969A1 (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-16 | Teijin Limited | 偏光板 |
| US7220371B2 (en) | 2003-08-25 | 2007-05-22 | Enplas Corporation | Wire grid polarizer and method for producing same |
| US7630132B2 (en) | 2005-05-23 | 2009-12-08 | Ricoh Company, Ltd. | Polarization control device |
| JP2010060587A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Sony Corp | 偏光素子及びその製造方法 |
| JP2010231219A (ja) * | 2010-04-28 | 2010-10-14 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ワイヤグリッド型偏光子 |
| JP2013125102A (ja) * | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd | 微細周期構造を用いた光学フィルタ、偏光素子及び光学シャッタ |
| US8873144B2 (en) | 2011-05-17 | 2014-10-28 | Moxtek, Inc. | Wire grid polarizer with multiple functionality sections |
| US8913321B2 (en) | 2010-09-21 | 2014-12-16 | Moxtek, Inc. | Fine pitch grid polarizer |
| US8913320B2 (en) | 2011-05-17 | 2014-12-16 | Moxtek, Inc. | Wire grid polarizer with bordered sections |
| US8922890B2 (en) | 2012-03-21 | 2014-12-30 | Moxtek, Inc. | Polarizer edge rib modification |
| US8947772B2 (en) | 2006-08-31 | 2015-02-03 | Moxtek, Inc. | Durable, inorganic, absorptive, ultra-violet, grid polarizer |
| KR20150093599A (ko) | 2014-02-07 | 2015-08-18 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 편광자, 편광광 조사장치, 편광축 방향 조정방법 |
| US9348076B2 (en) | 2013-10-24 | 2016-05-24 | Moxtek, Inc. | Polarizer with variable inter-wire distance |
| US9523805B2 (en) | 2010-09-21 | 2016-12-20 | Moxtek, Inc. | Fine pitch wire grid polarizer |
-
1996
- 1996-11-25 JP JP32919996A patent/JPH10153706A/ja active Pending
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002025325A1 (fr) * | 2000-09-20 | 2002-03-28 | Namiki Seimitsu Houseki Kabushiki Kaisha | Element polarisant, isolateur optique, module a diode laser et procede de production d'un element polarisant |
| US7002742B2 (en) | 2000-09-20 | 2006-02-21 | Namiki Seimitsu Houseki Kabushiki Kaisha | Polarizing function element, optical isolator, laser diode module and method of producing polarizing function element |
| WO2002091044A1 (fr) * | 2001-04-26 | 2002-11-14 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Dispositif de polarisation et son procede de fabrication |
| US7289173B2 (en) | 2001-04-26 | 2007-10-30 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Polarizing device, and method for manufacturing the same |
| JP2006517307A (ja) * | 2003-02-10 | 2006-07-20 | ナノオプト コーポレーション | 汎用広帯域偏光器、それを含むデバイスおよびその製造方法 |
| US7220371B2 (en) | 2003-08-25 | 2007-05-22 | Enplas Corporation | Wire grid polarizer and method for producing same |
| JP2005195824A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Asahi Kasei Chemicals Corp | ワイヤグリッド型偏光子 |
| JP4527986B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2010-08-18 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ワイヤグリッド型偏光子 |
| JP2006058615A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 金属細線が埋め込まれた偏光分離素子 |
| WO2006120969A1 (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-16 | Teijin Limited | 偏光板 |
| US7671937B2 (en) | 2005-04-26 | 2010-03-02 | Teijin Limited | Polarizing plate |
| JPWO2006120969A1 (ja) * | 2005-04-26 | 2008-12-18 | 帝人株式会社 | 偏光板 |
| JP4714740B2 (ja) * | 2005-04-26 | 2011-06-29 | 帝人株式会社 | 偏光板 |
| US7630132B2 (en) | 2005-05-23 | 2009-12-08 | Ricoh Company, Ltd. | Polarization control device |
| US8947772B2 (en) | 2006-08-31 | 2015-02-03 | Moxtek, Inc. | Durable, inorganic, absorptive, ultra-violet, grid polarizer |
| JP2010060587A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Sony Corp | 偏光素子及びその製造方法 |
| JP2010231219A (ja) * | 2010-04-28 | 2010-10-14 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ワイヤグリッド型偏光子 |
| US8913321B2 (en) | 2010-09-21 | 2014-12-16 | Moxtek, Inc. | Fine pitch grid polarizer |
| US9523805B2 (en) | 2010-09-21 | 2016-12-20 | Moxtek, Inc. | Fine pitch wire grid polarizer |
| US8873144B2 (en) | 2011-05-17 | 2014-10-28 | Moxtek, Inc. | Wire grid polarizer with multiple functionality sections |
| US8913320B2 (en) | 2011-05-17 | 2014-12-16 | Moxtek, Inc. | Wire grid polarizer with bordered sections |
| JP2013125102A (ja) * | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd | 微細周期構造を用いた光学フィルタ、偏光素子及び光学シャッタ |
| US8922890B2 (en) | 2012-03-21 | 2014-12-30 | Moxtek, Inc. | Polarizer edge rib modification |
| US9348076B2 (en) | 2013-10-24 | 2016-05-24 | Moxtek, Inc. | Polarizer with variable inter-wire distance |
| US9354374B2 (en) | 2013-10-24 | 2016-05-31 | Moxtek, Inc. | Polarizer with wire pair over rib |
| US9632223B2 (en) | 2013-10-24 | 2017-04-25 | Moxtek, Inc. | Wire grid polarizer with side region |
| KR20150093599A (ko) | 2014-02-07 | 2015-08-18 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 편광자, 편광광 조사장치, 편광축 방향 조정방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10153706A (ja) | 偏光子及びその製造方法 | |
| JP6770037B2 (ja) | 液晶プロジェクター | |
| JP2021063997A (ja) | 偏光素子、及び透過型液晶プロジェクター | |
| JP4425059B2 (ja) | 偏光光学素子、およびそれを用いた表示装置 | |
| CN105388551B (zh) | 无机偏光板及其制造方法 | |
| US5991075A (en) | Light polarizer and method of producing the light polarizer | |
| JP3654553B2 (ja) | 光学素子 | |
| JP2010048999A (ja) | ワイヤグリッド偏光子及びそれを用いた表示装置 | |
| JP2004309903A (ja) | 無機偏光素子および偏光光学素子および液晶素子 | |
| JP2006349706A (ja) | 偏光素子 | |
| JP4920997B2 (ja) | 偏光制御素子および偏光制御方法および偏光制御装置 | |
| JP5368011B2 (ja) | 吸収型ワイヤグリッド偏光子 | |
| JP3753853B2 (ja) | 磁気光学素子及び磁気光学デバイス | |
| JP5291424B2 (ja) | 吸収型ワイヤグリッド偏光子及び液晶表示装置 | |
| JPH10213785A (ja) | 偏光子及びその製造方法及び偏光子を備えるディスプレイまたは表示装置 | |
| JP5291425B2 (ja) | 吸収型ワイヤグリッド偏光子及び液晶表示装置 | |
| JPH10300931A (ja) | 偏光板 | |
| JP3971035B2 (ja) | 偏光変換素子および該偏光変換素子を使用した表示装置 | |
| JP3792917B2 (ja) | イメージングデバイス | |
| JP3754557B2 (ja) | 磁気光学素子 | |
| JP2004029776A (ja) | 記録媒体，偏光子及び該偏光子の製造方法 | |
| JP2008249914A (ja) | 透過型偏光素子、及びそれを用いた複合偏光板 | |
| JPH11183859A (ja) | イメージングデバイス | |
| JPH10282337A (ja) | シート状偏光分離・変換型偏光素子およびこれを用いた液晶表示装置 | |
| JPH10161075A (ja) | カラーディスプレイ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040224 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |