JPH10153508A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH10153508A JPH10153508A JP8314407A JP31440796A JPH10153508A JP H10153508 A JPH10153508 A JP H10153508A JP 8314407 A JP8314407 A JP 8314407A JP 31440796 A JP31440796 A JP 31440796A JP H10153508 A JPH10153508 A JP H10153508A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- aluminum pad
- semiconductor substrate
- pressure sensor
- diaphragm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】湿気や水分などの環境下でもアルミパッドが長
時間腐食しないようにする。 【解決手段】半導体基板１の表面にアルミパッド７が形
成され、さらにアルミパッド７上にＴｉ（チタン）／Ｐ
ｄ（パラジウム）の２層からなるＴｉ／Ｐｄ膜１０を被
覆する。さらに異物や水分から保護するために、Ｔｉ／
Ｐｄ膜１０上と半導体基板１上に、シリコーンゲルのよ
うな十分柔らかい樹脂を被覆する。
時間腐食しないようにする。 【解決手段】半導体基板１の表面にアルミパッド７が形
成され、さらにアルミパッド７上にＴｉ（チタン）／Ｐ
ｄ（パラジウム）の２層からなるＴｉ／Ｐｄ膜１０を被
覆する。さらに異物や水分から保護するために、Ｔｉ／
Ｐｄ膜１０上と半導体基板１上に、シリコーンゲルのよ
うな十分柔らかい樹脂を被覆する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、自動車用や民生
用に広く用いられる半導体圧力センサに関し、具体的に
は例えば、自動車のインテークマニホールド部の圧力な
ど、湿気や汚染物質を含む可能性のある気体の圧力を、
ダイヤフラムの半導体歪みゲージが形成された面に導く
構造を有する半導体圧力センサに関する。
用に広く用いられる半導体圧力センサに関し、具体的に
は例えば、自動車のインテークマニホールド部の圧力な
ど、湿気や汚染物質を含む可能性のある気体の圧力を、
ダイヤフラムの半導体歪みゲージが形成された面に導く
構造を有する半導体圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来から用いられている絶対圧検
出用の半導体圧力センサの要部構成図である。ｎ形半導
体基板１の裏面の中央部に凹部を形成してダイヤフラム
２とし、ダイヤフラム２と反対側の面（ｎ形半導体基板
１の表面）にｐ層の歪みゲージ３が分散配置される。こ
の歪みゲージ形成面１３を保護するために、酸化シリコ
ンや窒化シリコンなどよりなる保護膜４が被覆される。
半導体基板１の周辺部はガラスもしくはシリコン製のス
ペーサ５と真空中で陽極接合され、半導体基板１とスペ
ーサ５とで囲まれた真空室６ができる。歪みゲージ形成
面１３からの圧力（絶対圧）により、ダイヤフラム２が
変形して、ゲージ抵抗値が変化し、その結果絶対圧に相
当する電気信号を検出するセンサとして動作する。半導
体基板１の表面にアルミパッド７が形成され、ボンディ
ングワイヤ８により、電気信号が外部に引き出される。
さらにアルミパッド７と半導体基板１表面を異物から保
護するために樹脂９が被覆される。この樹脂９は圧力に
よるダイヤフラム２の変形に影響を及ぼさないように、
十分柔らかい材質が選択される。
出用の半導体圧力センサの要部構成図である。ｎ形半導
体基板１の裏面の中央部に凹部を形成してダイヤフラム
２とし、ダイヤフラム２と反対側の面（ｎ形半導体基板
１の表面）にｐ層の歪みゲージ３が分散配置される。こ
の歪みゲージ形成面１３を保護するために、酸化シリコ
ンや窒化シリコンなどよりなる保護膜４が被覆される。
半導体基板１の周辺部はガラスもしくはシリコン製のス
ペーサ５と真空中で陽極接合され、半導体基板１とスペ
ーサ５とで囲まれた真空室６ができる。歪みゲージ形成
面１３からの圧力（絶対圧）により、ダイヤフラム２が
変形して、ゲージ抵抗値が変化し、その結果絶対圧に相
当する電気信号を検出するセンサとして動作する。半導
体基板１の表面にアルミパッド７が形成され、ボンディ
ングワイヤ８により、電気信号が外部に引き出される。
さらにアルミパッド７と半導体基板１表面を異物から保
護するために樹脂９が被覆される。この樹脂９は圧力に
よるダイヤフラム２の変形に影響を及ぼさないように、
十分柔らかい材質が選択される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】圧力媒体に湿気や水分
が多量に含まれていた場合、半導体基板表面は、樹脂お
よび保護膜によりある程度保護される。しかし、柔らか
い樹脂を使用した場合には、長時間湿気や水分に晒され
ると、樹脂を透過した水分が、半導体基板表面に到達す
る。その結果、アルミパッドが腐食してしまうという課
題があった。
が多量に含まれていた場合、半導体基板表面は、樹脂お
よび保護膜によりある程度保護される。しかし、柔らか
い樹脂を使用した場合には、長時間湿気や水分に晒され
ると、樹脂を透過した水分が、半導体基板表面に到達す
る。その結果、アルミパッドが腐食してしまうという課
題があった。
【０００４】一方、耐湿性のある比較的硬度の高い樹脂
を用いると、樹脂の熱ストレスによりゲージ抵抗が変化
し、特性変動を引き起こすという問題があった。この発
明の目的は、前記の課題を解決して、熱ストレスによる
特性変動が少く、且つ、湿気や水分など悪影響を及ぼす
気体や液体に長時間晒されるような厳しい環境下でもア
ルミパッドが腐食せず使用に耐えうる半導体圧力センサ
を提供することである。
を用いると、樹脂の熱ストレスによりゲージ抵抗が変化
し、特性変動を引き起こすという問題があった。この発
明の目的は、前記の課題を解決して、熱ストレスによる
特性変動が少く、且つ、湿気や水分など悪影響を及ぼす
気体や液体に長時間晒されるような厳しい環境下でもア
ルミパッドが腐食せず使用に耐えうる半導体圧力センサ
を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、複数の半導体歪みゲージを有するダイヤフラム
と、前記半導体歪みゲージが形成された半導体基板の表
面に被覆された保護膜と、半導体基板上に形成された外
部導出端子であるアルミパッドと、を有する半導体圧力
センサにおいて、アルミパッドの表面をチタン（Ｔｉ）
膜で被覆し、且つ、該チタン（Ｔｉ）膜上をパラジウム
（Ｐｄ）膜で被覆する構成とする。
めに、複数の半導体歪みゲージを有するダイヤフラム
と、前記半導体歪みゲージが形成された半導体基板の表
面に被覆された保護膜と、半導体基板上に形成された外
部導出端子であるアルミパッドと、を有する半導体圧力
センサにおいて、アルミパッドの表面をチタン（Ｔｉ）
膜で被覆し、且つ、該チタン（Ｔｉ）膜上をパラジウム
（Ｐｄ）膜で被覆する構成とする。
【０００６】前記のＴｉ膜およびＰｄ膜の膜厚がそれぞ
れ０．２ないし２μｍであると効果的である。また少な
くとも半導体基板表面およびＰｄ膜表面をシリコーンゲ
ルで被覆するとよい。前記の構成とすることで、外部か
ら侵入した水分やその他悪影響を及ぼす気体や液体は、
樹脂やＰｄ層およびＴｉ層を透過しアルミパッドまで到
達するには長時間を要するため、腐食が発生する時間を
大幅に遅らせることができる。
れ０．２ないし２μｍであると効果的である。また少な
くとも半導体基板表面およびＰｄ膜表面をシリコーンゲ
ルで被覆するとよい。前記の構成とすることで、外部か
ら侵入した水分やその他悪影響を及ぼす気体や液体は、
樹脂やＰｄ層およびＴｉ層を透過しアルミパッドまで到
達するには長時間を要するため、腐食が発生する時間を
大幅に遅らせることができる。
【０００７】また、Ｐｄ層およびＴｉ層をアルミパッド
上に被覆することで、耐湿性のある硬度の高い樹脂を用
いる必要がなく、シリコーンゲルのような柔らかい樹脂
を用いることが可能となり、そのため熱ストレスがあっ
ても特性変動が起こらない半導体圧力センサとすること
ができる。またこの樹脂を被覆することで半導体基板表
面を異物から保護し、且つアルミパッドの腐食の防止に
も役立つことは勿論である。
上に被覆することで、耐湿性のある硬度の高い樹脂を用
いる必要がなく、シリコーンゲルのような柔らかい樹脂
を用いることが可能となり、そのため熱ストレスがあっ
ても特性変動が起こらない半導体圧力センサとすること
ができる。またこの樹脂を被覆することで半導体基板表
面を異物から保護し、且つアルミパッドの腐食の防止に
も役立つことは勿論である。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の一実施例の半導
体圧力センサの要部構成図である。この半導体圧力セン
サは従来から用いられている半導体圧力センサと同様
に、絶対圧検出用の圧力センサである。ｎ形半導体基板
１の裏面の中央部に凹部を形成してダイヤフラム２と
し、ダイヤフラム２と反対側の面（ｎ形半導体基板１の
表面）にｐ層の歪みゲージ３が分散配置される。この歪
みゲージ形成面１３を保護するために、酸化シリコンや
窒化シリコンなどよりなる保護膜４が被覆される。半導
体基板１の周辺部はガラスもしくはシリコン製のスペー
サ５と真空中で陽極接合され、半導体基板１とスペーサ
５とで囲まれた真空室６ができる。歪みゲージ形成面１
３からの圧力（絶対圧）により、ダイヤフラム２が変形
して、ゲージ抵抗値が変化し、その結果絶対圧に相当す
る電気信号を検出するセンサとして動作する。半導体基
板１表面にアルミパッド７が形成され、さらにアルミパ
ッド７上にＴｉ（チタン）／Ｐｄ（パラジウム）の２層
からなるＴｉ／Ｐｄ膜１０を被覆させる。この膜を被覆
させる方法は、蒸着法よりも一般的にカバレージ（被覆
性）がよい、スパッタ法で行った。Ｔｉ／Ｐｄ膜１０の
形成プロセスはすでに一般的なＡｕバンプ（微小な半球
をしたＡｕの外部導出端子）形成の際のＴｉ／Ｐｄ／Ａ
ｕ形成プロセスが採用できるため、新たなプロセス条件
を確立する必要がない。またＴｉ／Ｐｄ膜１０で被覆さ
れたアルミパッド７部にボンディングワイヤ８が固着さ
れ、アルミパッド７、ボンディングワイヤ８および半導
体基板１のそれぞれの表面を異物や水分より保護するた
めに樹脂９が被覆される。この樹脂９には、圧力による
ダイヤフラム２の変形に、熱ストレスの影響が出ないよ
うに、例えば、シリコーンゲルのような十分柔らかい樹
脂を用いる。
体圧力センサの要部構成図である。この半導体圧力セン
サは従来から用いられている半導体圧力センサと同様
に、絶対圧検出用の圧力センサである。ｎ形半導体基板
１の裏面の中央部に凹部を形成してダイヤフラム２と
し、ダイヤフラム２と反対側の面（ｎ形半導体基板１の
表面）にｐ層の歪みゲージ３が分散配置される。この歪
みゲージ形成面１３を保護するために、酸化シリコンや
窒化シリコンなどよりなる保護膜４が被覆される。半導
体基板１の周辺部はガラスもしくはシリコン製のスペー
サ５と真空中で陽極接合され、半導体基板１とスペーサ
５とで囲まれた真空室６ができる。歪みゲージ形成面１
３からの圧力（絶対圧）により、ダイヤフラム２が変形
して、ゲージ抵抗値が変化し、その結果絶対圧に相当す
る電気信号を検出するセンサとして動作する。半導体基
板１表面にアルミパッド７が形成され、さらにアルミパ
ッド７上にＴｉ（チタン）／Ｐｄ（パラジウム）の２層
からなるＴｉ／Ｐｄ膜１０を被覆させる。この膜を被覆
させる方法は、蒸着法よりも一般的にカバレージ（被覆
性）がよい、スパッタ法で行った。Ｔｉ／Ｐｄ膜１０の
形成プロセスはすでに一般的なＡｕバンプ（微小な半球
をしたＡｕの外部導出端子）形成の際のＴｉ／Ｐｄ／Ａ
ｕ形成プロセスが採用できるため、新たなプロセス条件
を確立する必要がない。またＴｉ／Ｐｄ膜１０で被覆さ
れたアルミパッド７部にボンディングワイヤ８が固着さ
れ、アルミパッド７、ボンディングワイヤ８および半導
体基板１のそれぞれの表面を異物や水分より保護するた
めに樹脂９が被覆される。この樹脂９には、圧力による
ダイヤフラム２の変形に、熱ストレスの影響が出ないよ
うに、例えば、シリコーンゲルのような十分柔らかい樹
脂を用いる。
【０００９】図２は図１のアルミパッド部の拡大断面図
である。図２では半導体基板やボンディングワイヤおよ
び樹脂は示されていない。半導体基板表面に形成された
アルミパッド７上にＴｉ層１１とＰｄ層１２からなるＴ
ｉ／Ｐｄ層１０が形成されている。それぞれの膜厚は
０．２μｍないし２μｍで、これより薄いとアルミパッ
ド７の腐食が短時間で発生して実用に供さない。またこ
の値より厚いと製造コストが高くなる。最適な膜厚例と
してはＴｉが０．４μｍ、Ｐｄが０．５μｍである。
である。図２では半導体基板やボンディングワイヤおよ
び樹脂は示されていない。半導体基板表面に形成された
アルミパッド７上にＴｉ層１１とＰｄ層１２からなるＴ
ｉ／Ｐｄ層１０が形成されている。それぞれの膜厚は
０．２μｍないし２μｍで、これより薄いとアルミパッ
ド７の腐食が短時間で発生して実用に供さない。またこ
の値より厚いと製造コストが高くなる。最適な膜厚例と
してはＴｉが０．４μｍ、Ｐｄが０．５μｍである。
【００１０】この膜厚で、且つ、シリコーンゲルを被覆
しない場合について、プレッシャクッカー試験（ＰＣ
Ｔ：高温、多湿、高圧力下での長時間放置試験）を行っ
た結果、１００時間以上経過してもアルミパッド７の腐
食は発生しなかった。試験条件は温度：１２１℃、湿
度：１００％、圧力：２気圧である。この試験条件は加
速試験のため、１００時間以上という時間は実用上十分
な値である。
しない場合について、プレッシャクッカー試験（ＰＣ
Ｔ：高温、多湿、高圧力下での長時間放置試験）を行っ
た結果、１００時間以上経過してもアルミパッド７の腐
食は発生しなかった。試験条件は温度：１２１℃、湿
度：１００％、圧力：２気圧である。この試験条件は加
速試験のため、１００時間以上という時間は実用上十分
な値である。
【００１１】一方、従来構造であるＴｉ／Ｐｄ膜を被覆
しないアルミパッドに、シリコーンゲルの柔らかい樹脂
を被覆した場合は、上記の試験条件で、１０時間程度経
過するとアルミパッドの腐食が発生して実用に供さなか
った。尚、アルミパッド上にＴｉ／Ｐｄ膜を被覆し、さ
らにＴｉ／Ｐｄ膜表面にシリコーンゲルのような柔らか
い樹脂を被覆することで、さらに腐食する時間を伸ばす
ことができる。またシリコーンゲルで半導体基板１上を
被覆することで熱ストレスがあっても特性変動が生しに
くい半導体圧力センサが得られる。
しないアルミパッドに、シリコーンゲルの柔らかい樹脂
を被覆した場合は、上記の試験条件で、１０時間程度経
過するとアルミパッドの腐食が発生して実用に供さなか
った。尚、アルミパッド上にＴｉ／Ｐｄ膜を被覆し、さ
らにＴｉ／Ｐｄ膜表面にシリコーンゲルのような柔らか
い樹脂を被覆することで、さらに腐食する時間を伸ばす
ことができる。またシリコーンゲルで半導体基板１上を
被覆することで熱ストレスがあっても特性変動が生しに
くい半導体圧力センサが得られる。
【００１２】
【発明の効果】この発明によれば、アルミパッドにＴｉ
／Ｐｄ膜を被覆することで、外部から侵入した水分やそ
の他悪影響を及ぼす気体や液体によりアルミパッドの腐
食を防止でき、劣悪な環境下でも半導体圧力センサを長
時間安定して動作させることができる。さらに、シリコ
ーンゲルのような柔らかい樹脂で半導体基板上を被覆す
ることで、熱ストレスに強い半導体圧力センサを得るこ
とができる。
／Ｐｄ膜を被覆することで、外部から侵入した水分やそ
の他悪影響を及ぼす気体や液体によりアルミパッドの腐
食を防止でき、劣悪な環境下でも半導体圧力センサを長
時間安定して動作させることができる。さらに、シリコ
ーンゲルのような柔らかい樹脂で半導体基板上を被覆す
ることで、熱ストレスに強い半導体圧力センサを得るこ
とができる。
【図１】この発明の一実施例の半導体圧力センサの要部
構成図
構成図
【図２】図１のアルミパッド部の拡大断面図
【図３】従来から用いられている絶対圧検出用の半導体
圧力センサの要部構成図
圧力センサの要部構成図
１ 半導体圧力センサ ２ ダイヤフラム ３ 歪みゲージ ４ 保護膜 ５ スペーサ ６ 真空室 ７ アルミパッド ８ ボンディングワイヤ ９ 樹脂 １０ Ｔｉ／Ｐｄ膜 １１ Ｔｉ膜 １２ Ｐｄ膜 １３ 歪みゲージ形成面
Claims (3)
- 【請求項１】複数の半導体歪みゲージを有するダイヤフ
ラムと、前記半導体歪みゲージが形成された半導体基板
の表面に被覆された保護膜と、半導体基板上に形成され
た外部導出端子であるアルミパッドとを少なくとも有す
る半導体圧力センサにおいて、アルミパッドの表面をチ
タン（Ｔｉ）膜で被覆し、且つ、該チタン（Ｔｉ）膜上
をパラジウム（Ｐｄ）膜で被覆することを特徴とする半
導体圧力センサ。 - 【請求項２】Ｔｉ膜およびＰｄ膜の膜厚がそれぞれ０．
２ないし２μｍであることを特徴とする請求項１記載の
半導体圧力センサ。 - 【請求項３】少なくとも半導体基板表面およびＰｄ膜表
面をシリコーンゲルで被覆することを特徴とする請求項
１記載の半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8314407A JPH10153508A (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8314407A JPH10153508A (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10153508A true JPH10153508A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18052982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8314407A Pending JPH10153508A (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10153508A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2812969A1 (fr) * | 2000-08-11 | 2002-02-15 | Thomson Csf | Capteur micro-usine avec soudure electrolytique et procede de fabrication |
| FR2812968A1 (fr) * | 2000-08-11 | 2002-02-15 | Thomson Csf | Capteur micro-usine avec protection isolante des connexions |
| WO2001053814A3 (de) * | 2000-01-22 | 2002-04-25 | Bosch Gmbh Robert | Gassensor mit einer gelschicht zur ermittlung des feuchtigkeitsgehaltes |
| FR2871232A1 (fr) * | 2004-06-03 | 2005-12-09 | Denso Corp | Capteur de pression |
| EP1577936A4 (en) * | 2002-12-24 | 2006-03-15 | Denso Corp | SEMICONDUCTOR DETECTOR AND PLATING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE |
| US7036384B2 (en) | 2004-07-20 | 2006-05-02 | Denso Corporation | Pressure sensor |
| WO2007052335A1 (ja) | 2005-11-01 | 2007-05-10 | Hitachi, Ltd. | 半導体圧力センサ |
| US7504276B2 (en) | 2004-08-04 | 2009-03-17 | Denso Corporation | Micro device having micro system structure and method for method for manufacturing the same |
| JP2014134543A (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-24 | Univ Of Tokyo | センサ素子、感圧型センサ及び触覚センサ |
| US9200974B2 (en) | 2013-06-28 | 2015-12-01 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor pressure sensor device and method of manufacturing the same |
-
1996
- 1996-11-26 JP JP8314407A patent/JPH10153508A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001053814A3 (de) * | 2000-01-22 | 2002-04-25 | Bosch Gmbh Robert | Gassensor mit einer gelschicht zur ermittlung des feuchtigkeitsgehaltes |
| FR2812969A1 (fr) * | 2000-08-11 | 2002-02-15 | Thomson Csf | Capteur micro-usine avec soudure electrolytique et procede de fabrication |
| FR2812968A1 (fr) * | 2000-08-11 | 2002-02-15 | Thomson Csf | Capteur micro-usine avec protection isolante des connexions |
| WO2002015257A1 (fr) * | 2000-08-11 | 2002-02-21 | Thales | Capteur micro-usine avec soudure electrolytique et procede de fabrication |
| WO2002015256A1 (fr) * | 2000-08-11 | 2002-02-21 | Thales | Capteur micro-usine avec protection isolante des connexions |
| US6647759B2 (en) | 2000-08-11 | 2003-11-18 | Thales | Sensor micro-machined with electrolytic welding and method for making same |
| US6825512B2 (en) | 2000-08-11 | 2004-11-30 | Thales | Micromachined sensor with insulating protection of connections |
| EP1577936A4 (en) * | 2002-12-24 | 2006-03-15 | Denso Corp | SEMICONDUCTOR DETECTOR AND PLATING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE |
| FR2871232A1 (fr) * | 2004-06-03 | 2005-12-09 | Denso Corp | Capteur de pression |
| US7176541B2 (en) | 2004-06-03 | 2007-02-13 | Denso Corporation | Pressure sensor |
| US7036384B2 (en) | 2004-07-20 | 2006-05-02 | Denso Corporation | Pressure sensor |
| US7504276B2 (en) | 2004-08-04 | 2009-03-17 | Denso Corporation | Micro device having micro system structure and method for method for manufacturing the same |
| WO2007052335A1 (ja) | 2005-11-01 | 2007-05-10 | Hitachi, Ltd. | 半導体圧力センサ |
| EP1947439A1 (en) * | 2005-11-01 | 2008-07-23 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor pressure sensor |
| EP1947439A4 (en) * | 2005-11-01 | 2009-07-01 | Hitachi Ltd | SEMICONDUCTOR PRESSURE SENSOR |
| US8304847B2 (en) | 2005-11-01 | 2012-11-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor pressure sensor |
| JP2014134543A (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-24 | Univ Of Tokyo | センサ素子、感圧型センサ及び触覚センサ |
| US9200974B2 (en) | 2013-06-28 | 2015-12-01 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor pressure sensor device and method of manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5867886A (en) | Method of making a thick film pressure sensor | |
| US6512255B2 (en) | Semiconductor pressure sensor device having sensor chip covered with protective member | |
| US7260994B2 (en) | Low cost high-pressure sensor | |
| JP5884921B2 (ja) | 圧力センサ装置および圧力センサ装置の製造方法 | |
| US5076147A (en) | Pressure sensor including a diaphragm having a protective layer thereon | |
| JPH10153508A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| US20110089505A1 (en) | Method for manufacturing a sensor component without passivation, and a sensor component | |
| JPWO2007052335A1 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS6122874B2 (ja) | ||
| JPH0680695B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62222137A (ja) | 圧力センサ用ダイヤフラム | |
| GB2034970A (en) | Semiconductor pressure transducer | |
| KR100240012B1 (ko) | 다이어 프램식 압력센서 | |
| US5916694A (en) | Magneto-resistance element | |
| JPH095187A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS63196081A (ja) | 半導体式圧力検出器 | |
| JPH05223670A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS59102131A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS59154332A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS6325512B2 (ja) | ||
| JPH098326A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| KR100330370B1 (ko) | 세라믹 다이어프램형 압력센서의 제조방법 | |
| JPH0533823B2 (ja) | ||
| JPH08193899A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH036674B2 (ja) |