JPH095187A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH095187A JPH095187A JP15427195A JP15427195A JPH095187A JP H095187 A JPH095187 A JP H095187A JP 15427195 A JP15427195 A JP 15427195A JP 15427195 A JP15427195 A JP 15427195A JP H095187 A JPH095187 A JP H095187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- gel
- pressure sensor
- semiconductor chip
- blended
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ゲル状樹脂をゲル状樹脂より硬い樹脂に混合し
たブレンド樹脂でボンディングワイヤを含む半導体チッ
プを被覆することで、耐熱ストレス性、耐腐食性の向上
を図る。 【構成】ｎ形半導体チップ１の中央部にダイヤフラム２
が形成され、ダイヤフラム２部に歪みゲージ３（ｐ形領
域）が分散して形成され、この歪みゲージ３の形成面を
酸化シリコンや窒化シリコンなどの保護膜４で被覆し、
半導体チップ１面にアルミパッド７が形成され、ボンデ
ィングワイヤ８、アルミパッド７、保護膜４および半導
体チップ１の各表面をブレンド樹脂１０で被覆する。
たブレンド樹脂でボンディングワイヤを含む半導体チッ
プを被覆することで、耐熱ストレス性、耐腐食性の向上
を図る。 【構成】ｎ形半導体チップ１の中央部にダイヤフラム２
が形成され、ダイヤフラム２部に歪みゲージ３（ｐ形領
域）が分散して形成され、この歪みゲージ３の形成面を
酸化シリコンや窒化シリコンなどの保護膜４で被覆し、
半導体チップ１面にアルミパッド７が形成され、ボンデ
ィングワイヤ８、アルミパッド７、保護膜４および半導
体チップ１の各表面をブレンド樹脂１０で被覆する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、自動車用や民生用に
広く用いられる半導体圧力センサに関する。
広く用いられる半導体圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の半導体圧力センサの断面図
を示す。ｎ形半導体チップ１の中央部にダイヤフラム２
（溝堀りにより、半導体チップが薄くなった部分を指
す）が形成され、ダイヤフラム２部に歪みゲージ３（ｐ
形領域）が分散して形成される。この歪みゲージ３の形
成面を、保護するために、歪みゲージ３の形成面は酸化
シリコンや窒化シリコンなどの保護膜４で被覆される。
半導体チップ１の溝堀りされた側の周辺部はガラス製、
もしくはシリコン製のスペーサ５に、真空中で陽極接合
され、半導体チップ１とスペーサ５で囲まれた、真空室
６を形成する。そして図示してないパッケージに組み込
み、歪みゲージ３の形成面からの被測定圧力（絶対圧）
により、ダイヤフラム２が変形して、ゲージ抵抗値が変
化し、その結果、絶対圧に相当する電気信号を検出する
センサとして歪みゲージ３は動作する。半導体チップ１
面にボンディングワイヤと接続するアルミパッド７が形
成され、ボンディングワイヤ８、アルミパッド７、保護
膜４および半導体チップ１の各表面は、異物や水分から
保護するため、樹脂９で被覆される。この樹脂９は、ゲ
ル状樹脂のような充分軟らかい樹脂からなり、圧力によ
るダイヤフラム２の変形に影響を及ぼさないように、ま
た熱ストレスによるボンディングワイヤ８の断線や、熱
ストレスが歪みゲージ３の抵抗特性に影響を及ぼさない
ようにしている。
を示す。ｎ形半導体チップ１の中央部にダイヤフラム２
（溝堀りにより、半導体チップが薄くなった部分を指
す）が形成され、ダイヤフラム２部に歪みゲージ３（ｐ
形領域）が分散して形成される。この歪みゲージ３の形
成面を、保護するために、歪みゲージ３の形成面は酸化
シリコンや窒化シリコンなどの保護膜４で被覆される。
半導体チップ１の溝堀りされた側の周辺部はガラス製、
もしくはシリコン製のスペーサ５に、真空中で陽極接合
され、半導体チップ１とスペーサ５で囲まれた、真空室
６を形成する。そして図示してないパッケージに組み込
み、歪みゲージ３の形成面からの被測定圧力（絶対圧）
により、ダイヤフラム２が変形して、ゲージ抵抗値が変
化し、その結果、絶対圧に相当する電気信号を検出する
センサとして歪みゲージ３は動作する。半導体チップ１
面にボンディングワイヤと接続するアルミパッド７が形
成され、ボンディングワイヤ８、アルミパッド７、保護
膜４および半導体チップ１の各表面は、異物や水分から
保護するため、樹脂９で被覆される。この樹脂９は、ゲ
ル状樹脂のような充分軟らかい樹脂からなり、圧力によ
るダイヤフラム２の変形に影響を及ぼさないように、ま
た熱ストレスによるボンディングワイヤ８の断線や、熱
ストレスが歪みゲージ３の抵抗特性に影響を及ぼさない
ようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ゲル状樹脂の場合、半
導体圧力センサが湿気や水分が多量に含まれる雰囲気に
長時間曝されると、水分は樹脂９（ゲル状樹脂）を透過
し半導体チップ１表面に達する。その結果、アルミパッ
ド７が腐食したり、保護膜４中に水分により電荷を誘起
し、保護膜４下の歪みゲージ３のゲージ抵抗が変化する
などの問題が発生する。一方水分の浸透を防止するため
に、ゲル状樹脂より硬く防湿性のある樹脂（シリコーン
コンフォーマル樹脂、エポキシ樹脂およびアクリル樹脂
などの樹脂硬度がＪＩＳショア硬度Ａ−９程度の樹脂）
を用いると熱ストレスでボンデングワイヤの断線や熱ス
トレスがゲージ抵抗を変化させ、センサの出力特性を変
動させるという問題が生じる。
導体圧力センサが湿気や水分が多量に含まれる雰囲気に
長時間曝されると、水分は樹脂９（ゲル状樹脂）を透過
し半導体チップ１表面に達する。その結果、アルミパッ
ド７が腐食したり、保護膜４中に水分により電荷を誘起
し、保護膜４下の歪みゲージ３のゲージ抵抗が変化する
などの問題が発生する。一方水分の浸透を防止するため
に、ゲル状樹脂より硬く防湿性のある樹脂（シリコーン
コンフォーマル樹脂、エポキシ樹脂およびアクリル樹脂
などの樹脂硬度がＪＩＳショア硬度Ａ−９程度の樹脂）
を用いると熱ストレスでボンデングワイヤの断線や熱ス
トレスがゲージ抵抗を変化させ、センサの出力特性を変
動させるという問題が生じる。
【０００４】この発明の目的は、前記課題を解決するた
めに、樹脂として、ゲル状樹脂とゲル状樹脂より硬い樹
脂とを混合したブレンド樹脂を用いることで、水分の浸
透を防止し、また熱ストレスによるボンディングワイヤ
の断線やゲージ抵抗の変化による出力特性の変動を防止
し、湿度的、熱的に厳しい環境下でも安定して使用でき
る半導体圧力センサを提供することにある。
めに、樹脂として、ゲル状樹脂とゲル状樹脂より硬い樹
脂とを混合したブレンド樹脂を用いることで、水分の浸
透を防止し、また熱ストレスによるボンディングワイヤ
の断線やゲージ抵抗の変化による出力特性の変動を防止
し、湿度的、熱的に厳しい環境下でも安定して使用でき
る半導体圧力センサを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、第一導電形の半導体基板の第一主面の表面層に選択
的に複数個の第二導電形領域を形成し、第二主面に選択
的に凹型の溝を形成し、前記第二導電形領域上に保護膜
を形成し、保護膜が樹脂で被覆される半導体圧力センサ
において、前記樹脂が硬度の異なる樹脂を混合したブレ
ンド樹脂とする。
に、第一導電形の半導体基板の第一主面の表面層に選択
的に複数個の第二導電形領域を形成し、第二主面に選択
的に凹型の溝を形成し、前記第二導電形領域上に保護膜
を形成し、保護膜が樹脂で被覆される半導体圧力センサ
において、前記樹脂が硬度の異なる樹脂を混合したブレ
ンド樹脂とする。
【０００６】このブレンド樹脂はゲル状樹脂と、ゲル状
樹脂より硬い樹脂とを混合（ブレンド）して形成される
とよい。またこのブレンド樹脂はゲル状樹脂とゲル状樹
脂より硬い樹脂とを重量比で０．３：９．７ないし１：
９に混合して形成すると効果的である。さらにブレンド
樹脂の硬度がＪＩＳショア硬度Ａで３ないし８であると
効果がでる。
樹脂より硬い樹脂とを混合（ブレンド）して形成される
とよい。またこのブレンド樹脂はゲル状樹脂とゲル状樹
脂より硬い樹脂とを重量比で０．３：９．７ないし１：
９に混合して形成すると効果的である。さらにブレンド
樹脂の硬度がＪＩＳショア硬度Ａで３ないし８であると
効果がでる。
【０００７】前記のゲル状樹脂がシリコーンゲルもしく
はエポキシゲルであり、前記のゲル状樹脂より硬い樹脂
がシリコーンコンフォーマル樹脂、エポキシ樹脂または
アクリル樹脂のいずれかであるとよい。
はエポキシゲルであり、前記のゲル状樹脂より硬い樹脂
がシリコーンコンフォーマル樹脂、エポキシ樹脂または
アクリル樹脂のいずれかであるとよい。
【０００８】
【作用】ブレンド樹脂にすることで、従来のゲル状樹脂
より、水分の半導体チップ表面への浸透を防止できる。
またＪＩＳ樹脂硬度Ａ−９程度の樹脂（例えばシリコー
ンコンフォーム樹脂、エポキシ樹脂およびアクリル樹脂
など）を単独で使用する場合に発生する熱ストレスによ
るボンディングワイヤの断線現象や熱ストレスによるゲ
ージ抵抗の変化がセンサの出力特性の変動を引き起こす
現象が、ブレンド樹脂の使用で防止できる。
より、水分の半導体チップ表面への浸透を防止できる。
またＪＩＳ樹脂硬度Ａ−９程度の樹脂（例えばシリコー
ンコンフォーム樹脂、エポキシ樹脂およびアクリル樹脂
など）を単独で使用する場合に発生する熱ストレスによ
るボンディングワイヤの断線現象や熱ストレスによるゲ
ージ抵抗の変化がセンサの出力特性の変動を引き起こす
現象が、ブレンド樹脂の使用で防止できる。
【０００９】
【実施例】図１は一実施例の半導体圧力センサの断面図
を示す。この構造は図３に示した従来から用いられてい
る、絶対圧検出用の半導体圧力センサの断面構造と同じ
である。また各構造部を説明する符号も図３と同じであ
り、ここでは説明を省略する。図３と異なる点は樹脂９
の代わりにブレンド樹脂１０を用いる点である。このブ
レンド樹脂１０は、シリコーンゲル、エポキシゲルなど
の非常に軟らかく、熱ストレスでゲージ抵抗が変化する
等の悪影響がでないゲル状樹脂と、耐水性があり、比較
的軟らかいシリコーンコンフォーマル樹脂、エポキシ樹
脂およびアクリル樹脂などのゲル状樹脂より硬い樹脂と
を、例えば重量比で０．５：９．５程度の割合になるよ
うにブレンド（混合）したもので、耐湿性、耐熱ストレ
ス性の点から優れている。この場合、ブレンド樹脂１０
の硬度は、ＪＩＳショア硬度Ａで６〜７であるが、用途
に応じてこの比率を変化させて、最適ＪＩＳショア硬度
で使用することもできる。例えば耐湿性をより必要とす
る用途には、ＪＩＳショア硬度をこの値より大きくなる
ようにブレンド樹脂１０を調整し、一方耐熱ストレス性
をより必要とする用途には、この値より小さくなるよう
にブレンド樹脂１０を調整する。通常、使用される樹脂
硬度の範囲はＪＩＳショア硬度はＡで３〜８であるが、
６〜７が望ましい。この場合の前記の重量比が１：９で
ＪＩＳショア硬度Ａ−３、０．３：９．７でＪＩＳショ
ア硬度Ａ−８、０．５：９．５でＪＩＳショア硬度Ａ−
６〜７に相当する。
を示す。この構造は図３に示した従来から用いられてい
る、絶対圧検出用の半導体圧力センサの断面構造と同じ
である。また各構造部を説明する符号も図３と同じであ
り、ここでは説明を省略する。図３と異なる点は樹脂９
の代わりにブレンド樹脂１０を用いる点である。このブ
レンド樹脂１０は、シリコーンゲル、エポキシゲルなど
の非常に軟らかく、熱ストレスでゲージ抵抗が変化する
等の悪影響がでないゲル状樹脂と、耐水性があり、比較
的軟らかいシリコーンコンフォーマル樹脂、エポキシ樹
脂およびアクリル樹脂などのゲル状樹脂より硬い樹脂と
を、例えば重量比で０．５：９．５程度の割合になるよ
うにブレンド（混合）したもので、耐湿性、耐熱ストレ
ス性の点から優れている。この場合、ブレンド樹脂１０
の硬度は、ＪＩＳショア硬度Ａで６〜７であるが、用途
に応じてこの比率を変化させて、最適ＪＩＳショア硬度
で使用することもできる。例えば耐湿性をより必要とす
る用途には、ＪＩＳショア硬度をこの値より大きくなる
ようにブレンド樹脂１０を調整し、一方耐熱ストレス性
をより必要とする用途には、この値より小さくなるよう
にブレンド樹脂１０を調整する。通常、使用される樹脂
硬度の範囲はＪＩＳショア硬度はＡで３〜８であるが、
６〜７が望ましい。この場合の前記の重量比が１：９で
ＪＩＳショア硬度Ａ−３、０．３：９．７でＪＩＳショ
ア硬度Ａ−８、０．５：９．５でＪＩＳショア硬度Ａ−
６〜７に相当する。
【００１０】この半導体圧力センサは空気等の気体や
水、ガソリン等の液体の流量を圧力で検知するのに使用
されるが、この気体や液体などの圧力媒体に異物が混入
していると半導体チップ１の表面にキズがつく。これを
防ぐために、ブレンド樹脂１０の膜厚は２０〜２５０μ
ｍがよい。図２はブレンド樹脂の半導体チップへの被覆
工程図で、同図（ａ）はブレンド樹脂のポッテング状態
図、同図（ｂ）は脱泡状態図、同図（ｃ）は加熱硬化状
態図を示す。ブレンド樹脂１０をディスペンサ１１で保
護膜４の上面と、アルミパッド７と、外部に信号を取り
出すためのボンディングワイヤ８の表面にそれぞれいき
わたるようにポッテング（滴下による被覆）し、脱泡装
置１２でブレンド樹脂１０中の気泡を抜く脱泡処理をし
た後、恒温槽１３で加熱硬化させ、半導体チップ１にブ
レンド樹脂１０を被覆させる。
水、ガソリン等の液体の流量を圧力で検知するのに使用
されるが、この気体や液体などの圧力媒体に異物が混入
していると半導体チップ１の表面にキズがつく。これを
防ぐために、ブレンド樹脂１０の膜厚は２０〜２５０μ
ｍがよい。図２はブレンド樹脂の半導体チップへの被覆
工程図で、同図（ａ）はブレンド樹脂のポッテング状態
図、同図（ｂ）は脱泡状態図、同図（ｃ）は加熱硬化状
態図を示す。ブレンド樹脂１０をディスペンサ１１で保
護膜４の上面と、アルミパッド７と、外部に信号を取り
出すためのボンディングワイヤ８の表面にそれぞれいき
わたるようにポッテング（滴下による被覆）し、脱泡装
置１２でブレンド樹脂１０中の気泡を抜く脱泡処理をし
た後、恒温槽１３で加熱硬化させ、半導体チップ１にブ
レンド樹脂１０を被覆させる。
【００１１】つぎに耐熱ストレス性と耐腐食性について
説明する。樹脂硬度がＪＩＳショア硬度Ａ−９程度と高
い、シリコーンコンフォーマル樹脂などに比べ、樹脂硬
度がＪＩＳショア硬度Ａ−６〜７程度の前記ブレンド樹
脂１０を用いることで耐熱ストレス性の一つである耐熱
衝撃性が３〜４倍程度高めることができる。一方ゲル状
樹脂に比べ前記ブレンド樹脂１０を用いることで、アル
ミパッド７への水分の浸透が大幅に抑制され、この水分
によるアルミパッドの腐食も抑えられ、高温高湿高圧試
験（通称プレッシャークッカー試験という）の結果では
腐食開始時間が５〜８倍程度延びた。従って、この発明
の半導体圧力センサは、耐熱ストレス性および耐腐食性
に強く、より厳しい環境下での使用が可能である。
説明する。樹脂硬度がＪＩＳショア硬度Ａ−９程度と高
い、シリコーンコンフォーマル樹脂などに比べ、樹脂硬
度がＪＩＳショア硬度Ａ−６〜７程度の前記ブレンド樹
脂１０を用いることで耐熱ストレス性の一つである耐熱
衝撃性が３〜４倍程度高めることができる。一方ゲル状
樹脂に比べ前記ブレンド樹脂１０を用いることで、アル
ミパッド７への水分の浸透が大幅に抑制され、この水分
によるアルミパッドの腐食も抑えられ、高温高湿高圧試
験（通称プレッシャークッカー試験という）の結果では
腐食開始時間が５〜８倍程度延びた。従って、この発明
の半導体圧力センサは、耐熱ストレス性および耐腐食性
に強く、より厳しい環境下での使用が可能である。
【００１２】
【発明の効果】この発明によれば、ゲル状樹脂をゲル状
樹脂より硬い樹脂に混合したブレンド樹脂でボンディン
グワイヤを含む半導体チップを被覆することで、耐スト
レス性、耐腐食性を強化し、厳しい環境下でも使用可能
な半導体圧力センサを製作することができる。
樹脂より硬い樹脂に混合したブレンド樹脂でボンディン
グワイヤを含む半導体チップを被覆することで、耐スト
レス性、耐腐食性を強化し、厳しい環境下でも使用可能
な半導体圧力センサを製作することができる。
【図１】この発明は一実施例の半導体圧力センサの断面
図
図
【図２】ブレンド樹脂の半導体チップへの被覆工程図
で、（ａ）はブレンド樹脂のポッテング状態図、（ｂ）
は脱泡状態図、（ｃ）は加熱硬化状態図
で、（ａ）はブレンド樹脂のポッテング状態図、（ｂ）
は脱泡状態図、（ｃ）は加熱硬化状態図
【図３】従来の半導体圧力センサの断面図
１ 半導体チップ ２ ダイヤフラム ３ 歪みゲージ ４ 保護膜 ５ スペーサ ６ 真空室 ７ アルミパッド ８ ボンディングワイヤ ９ 樹脂 １０ ブレンド樹脂 １１ ディスペンサ １２ 脱泡装置 １３ 恒温槽
Claims (5)
- 【請求項１】第一導電形の半導体基板の第一主面の表面
層に選択的に複数個の第二導電形領域を形成し、第二主
面に選択的に凹型の溝を形成し、前記第二導電形領域上
に保護膜を形成し、保護膜が樹脂で被覆される半導体圧
力センサにおいて、前記樹脂が硬度の異なる樹脂を混合
したブレンド樹脂からなることを特徴とする半導体圧力
センサ。 - 【請求項２】ブレンド樹脂がゲル状樹脂とゲル状樹脂よ
り硬い樹脂とを混合（ブレンド）して形成されることを
特徴とする請求項１記載の半導体圧力センサ。 - 【請求項３】ブレンド樹脂がゲル状樹脂とゲル状樹脂よ
り硬い樹脂とを重量比で０．３：９．７ないし１．０：
９．０に混合して形成されることを特徴とする請求項２
記載の半導体圧力センサ。 - 【請求項４】ブレンド樹脂の硬度がＪＩＳショア硬度Ａ
で３ないし８であることを特徴とする請求項１記載の半
導体圧力センサ。 - 【請求項５】ゲル状樹脂がシリコーンゲルもしくはエポ
キシゲルであり、ゲル状樹脂より硬い樹脂がシリコーン
コンフォーマル樹脂、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂
のいずれかであることを特徴とする請求項２記載の半導
体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15427195A JPH095187A (ja) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15427195A JPH095187A (ja) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH095187A true JPH095187A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15580523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15427195A Pending JPH095187A (ja) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH095187A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4946743A (en) * | 1987-06-26 | 1990-08-07 | Reynolds Consumer Products, Inc. | Nonoriented polyester films for lidding stock with modified heat seal layer |
| US4984289A (en) * | 1986-07-31 | 1991-01-08 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Apparatus for controlling underground excavator |
| FR2812968A1 (fr) * | 2000-08-11 | 2002-02-15 | Thomson Csf | Capteur micro-usine avec protection isolante des connexions |
| FR2812969A1 (fr) * | 2000-08-11 | 2002-02-15 | Thomson Csf | Capteur micro-usine avec soudure electrolytique et procede de fabrication |
| JP2005345303A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Denso Corp | 圧力センサ |
| US7559247B2 (en) * | 2006-07-14 | 2009-07-14 | Denso Corporation | Pressure sensor with reduced size strain gauge mounting structure and manufacturing method of the same |
| CN102815174A (zh) * | 2011-06-07 | 2012-12-12 | 无锡华润安盛科技有限公司 | 压力传感器、汽车轮胎压力监测系统和压力传感器制造方法 |
-
1995
- 1995-06-21 JP JP15427195A patent/JPH095187A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4984289A (en) * | 1986-07-31 | 1991-01-08 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Apparatus for controlling underground excavator |
| US4946743A (en) * | 1987-06-26 | 1990-08-07 | Reynolds Consumer Products, Inc. | Nonoriented polyester films for lidding stock with modified heat seal layer |
| FR2812968A1 (fr) * | 2000-08-11 | 2002-02-15 | Thomson Csf | Capteur micro-usine avec protection isolante des connexions |
| FR2812969A1 (fr) * | 2000-08-11 | 2002-02-15 | Thomson Csf | Capteur micro-usine avec soudure electrolytique et procede de fabrication |
| WO2002015256A1 (fr) * | 2000-08-11 | 2002-02-21 | Thales | Capteur micro-usine avec protection isolante des connexions |
| WO2002015257A1 (fr) * | 2000-08-11 | 2002-02-21 | Thales | Capteur micro-usine avec soudure electrolytique et procede de fabrication |
| US6647759B2 (en) | 2000-08-11 | 2003-11-18 | Thales | Sensor micro-machined with electrolytic welding and method for making same |
| US6825512B2 (en) | 2000-08-11 | 2004-11-30 | Thales | Micromachined sensor with insulating protection of connections |
| JP2005345303A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Denso Corp | 圧力センサ |
| US7559247B2 (en) * | 2006-07-14 | 2009-07-14 | Denso Corporation | Pressure sensor with reduced size strain gauge mounting structure and manufacturing method of the same |
| CN102815174A (zh) * | 2011-06-07 | 2012-12-12 | 无锡华润安盛科技有限公司 | 压力传感器、汽车轮胎压力监测系统和压力传感器制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6512255B2 (en) | Semiconductor pressure sensor device having sensor chip covered with protective member | |
| US5051275A (en) | Silicone resin electronic device encapsulant | |
| JPS56150830A (en) | Semiconductor device | |
| JPS55103439A (en) | Semiconductor pressure sensor | |
| JPH095187A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| US11699672B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
| JPH11295172A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| US6229427B1 (en) | Covered sealed pressure transducers and method for making same | |
| JPH11304619A (ja) | 半導体圧力センサ装置 | |
| WO2018116785A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH10153508A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS62144368A (ja) | 半導体式圧力センサの保護膜 | |
| JPH07326770A (ja) | 半導体圧力センサおよびその製造方法 | |
| JP3591425B2 (ja) | 圧力センサ | |
| JPS5887880A (ja) | 半導体ダイアフラム形センサ | |
| JPH08193899A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS59154332A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS59102131A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP2000046667A (ja) | 半導体圧力センサ素子 | |
| JPH02257657A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US12125813B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
| JP7343344B2 (ja) | 圧力センサ | |
| JPH04370726A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS6325512B2 (ja) | ||
| JPH01197622A (ja) | 感圧センサ |