FR2812968A1 - Capteur micro-usine avec protection isolante des connexions - Google Patents

Capteur micro-usine avec protection isolante des connexions Download PDF

Info

Publication number
FR2812968A1
FR2812968A1 FR0010581A FR0010581A FR2812968A1 FR 2812968 A1 FR2812968 A1 FR 2812968A1 FR 0010581 A FR0010581 A FR 0010581A FR 0010581 A FR0010581 A FR 0010581A FR 2812968 A1 FR2812968 A1 FR 2812968A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
pins
sensor
conductive
electrolytic
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR0010581A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2812968B1 (fr
Inventor
Bertrand Leverrier
Marchionni Marie Dominiq Bruni
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thales SA
Original Assignee
Thomson CSF SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thomson CSF SA filed Critical Thomson CSF SA
Priority to FR0010581A priority Critical patent/FR2812968B1/fr
Priority to EP01963069A priority patent/EP1307910A1/fr
Priority to PCT/FR2001/002567 priority patent/WO2002015256A1/fr
Priority to US10/089,974 priority patent/US6825512B2/en
Publication of FR2812968A1 publication Critical patent/FR2812968A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2812968B1 publication Critical patent/FR2812968B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16235—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a via metallisation of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45599—Material
    • H01L2224/456—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/4823—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a pin of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81909—Post-treatment of the bump connector or bonding area
    • H01L2224/8192—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/049—Nitrides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/0495—5th Group
    • H01L2924/04953—TaN
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

L'invention concerne les capteurs de grandeurs physiques tels que les capteurs de pression ou d'accélération, et plus précisément le montage de la partie active du capteur sur une embase (30) portant des broches de connexion (32).Selon l'invention, on prépare une partie active du capteur, composée par exemple de plaques de silicium micro-usinées (10, 12) portant des éléments électroniques, des conducteurs électriques, et des plots de connexion (22). On prépare aussi une embase (30) pourvue de broches (32) et on relie électriquement les plots (22) aux extrémités de broche par des éléments conducteurs (fils 40). Puis on plonge la plaque et les extrémités de broche dans un bain électrolytique, de manière à effectuer un dépôt électrolytique de métal conducteur (42) sur les extrémités de broche, les plots, et les éléments conducteurs qui les relient; enfin on effectue une oxydation ou nitruration de ce métal pour constituer un revêtement isolant (44) sur les extrémités de broches de connexion, les plots, et les éléments conducteurs qui les relient.Application aux capteurs de pression, d'efforts, d'accélérations, etc., destinés à fonctionner en environnement sévère.

Description

<Desc/Clms Page number 1>
CAPTEUR MICRO-USINE AVEC PROTECTION ISOLANTE DES CONNEXIONS L'invention concerne le montage de capteurs de grandeurs physiques susceptibles de fonctionner en environnement sévère.
De manière générale, le montage consiste à reporter un capteur micro-usiné sur une embase pourvue de broches de connexion électriques. Le capteur est réalisé par exemple à partir d'une ou plusieurs plaques de silicium usinées, comportant des éléments mécaniques (membranes, poutres, masses sismiques, etc.), des éléments électroniques (armatures de capacités, ou jauges de contrainte notamment), des connexions électriques, et des plots de contact métalliques permettant la liaison électrique avec les broches de l'embase lorsque le capteur est fixé sur l'embase.
Classiquement, le capteur est collé ou brasé par sa face arrière sur l'embase, dans une partie centrale de celle-ci entourée par les broches de connexion qui traversent l'embase. Les plots de connexion du capteur, sur la face avant de celui-ci, sont reliés par des fils soudés (technique dite du wire-bonding ) entre les plots de connexion et les sommets des broches de connexion qui dépassent de la surface de l'embase.
On doit alors, pour assurer un fonctionnement correct en milieu agressif; humide ou gazeux, recouvrir les fils soudés, les plots de connexion, et les extrémités de broche, d'une couche isolante de protection qui évite d'une part les dégradations du capteur et d'autre part les courants de fuite entre broches lorsque l'environnement liquide ou gazeux n'est pas parfaitement isolant. Ces résistances de fuite viennent en effet perturber la mesure de grandeur physique qui repose souvent sur de très faibles variations différentielles de résistances ou sur des signaux électriques de très faible niveau.
On dépose alors sur les parties conductrices un matériau polymérisable telle qu'une résine au silicone. On peut déposer aussi du parylène. Mais dans des applications telles que des capteurs de pression, comportant une membrane mince en contact avec le milieu dont on veut mesurer la pression, il faut éviter de déposer ce matériau sur la membrane, car cela engendrerait des erreurs de mesure difficiles à connaître et à
<Desc/Clms Page number 2>
compenser. II faut donc prendre des précautions particulières de dépôt, voire même à un travail manuel. D'autre part, ce type de revêtement n'est pas toujours suffisamment résistant à des milieux agressifs.
L'invention propose d'effectuer sur les parties conductrices un dépôt électrolytique de métal, suivi d'une oxydation ou nitruration de ce métal, de manière à recouvrir d'une couche d'oxyde ou nitrure isolante toutes les parties conductrices susceptibles d'être ultérieurement en contact avec un milieu ambiant non parfaitement isolant.
Plus précisément, l'invention propose un procédé de réalisation d'un capteur de grandeur physique, consistant à préparer une partie active de capteur et une embase, la partie active comprenant au moins une plaque pourvue de plots de connexion conducteurs sur une face, et l'embase étant pourvue de broches conductrices, à relier électriquement les plots et les broches par des éléments conducteurs, puis à plonger la plaque et les extrémités de broche dans un bain électrolytique, à effectuer un dépôt électrolytique d'au moins un métal conducteur sur les extrémités de broche, les plots, et les éléments conducteurs qui les relient, et à effectuer une oxydation ou nitruration de ce métal pour constituer un revêtement isolant sur les plots de connexion, les extrémités de broches de connexion, et les éléments conducteurs qui les relient. Le dépôt électrolytique ne se produit que sur les parties conductrices, mais pas sur les parties isolantes.
Par dépôt électrolytique, on entend un dépôt de métal (métal simple ou alliage ou combinaison de métaux déposés simultanément ou successivement) sur une zone conductrice, obtenu par migration d'ions métallliques en provenance d'une solution liquide. La migration peut être provoquée soit par le passage d'un courant électrique (bain électrolytique classique avec électrodes d'amenée de courant), soit par réaction chimique (dépôt dit electroless ).
Ce procédé peut être mis en oeuvre soit dans le cas où des fils de wire-bonding sont soudés entre les plots et les extrémités de broche soit dans le cas où les extrémités de broches sont soudées directement chacune sur un plot respectif.
Le dépôt électrolytique destiné à être ensuite oxydé ou nitruré peut être notamment un dépôt de tantale, donnant lieu à un revêtement d'oxyde
<Desc/Clms Page number 3>
ou nitrure de tantale, particulièrement résistant aux agressions chimiques ou à la température et à la pression.
L'oxydation sera en général faite par une étape postérieure à l'étape de dépôt électrolytique de métal, mais il est parfois possible d'obtenir directement l'oxyde métallique pendant l'électrolyse elle-même plutôt que de procéder successivement à un dépôt de métal suivi d'une oxydation. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit et qui est faite en référence aux dessins annexés dans lesquels - la figure 1 représente un capteur dont la partie active est reliée par des fils soudés aux broches de l'embase; - la figure 2 représente le capteur de la figure 1, après dépôt électrolytique de métal sur les fils soudés et sur les plots de connexion ; - la figure 3 représente le capteur selon l'invention, après oxydation superficielle du dépôt électrolytique ; - la figure 4 représente un capteur dont la partie active est montée retournée et est soudée sur une embase par une opération de dépôt électrolytique de métal; -la figure 5 représente le capteur de la figure 4 après dépôt électrolytique d'une deuxième couche métallique et après oxydation superficielle de cette deuxième couche métallique. L'invention sera décrite à propos d'un capteur de pression devant fonctionner en environnement sévère, par exemple un capteur de pression de gaz d'échappement d'un moteur à combustion interne ou un capteur de pression placé à l'intérieur du cylindre d'un tel moteur. L'environnement est sévère en raison des très hautes températures (plusieurs centaines de degrés celsius) et de la nocivité du milieu ambiant (gaz agressifs).
L'invention est applicable cependant à d'autres capteurs.
La figure 1 représente le capteur dans une phase intermédiaire de fabrication, dans laquelle la partie active du capteur a été soudée sur une embase et des fils de liaison ont été soudés entre des plots de connexion de la partie active et des broches de connexion montées sur l'embase.
<Desc/Clms Page number 4>
La partie active du capteur est constituée dans cet exemple à partir de deux plaques de silicium soudées 10 et 12, usinées de manière à délimiter une cavité 14 fermée par une membrane mince de silicium 16. La plaque 10 pourrait être en verre.
Sur la membrane 16 sont formées, par des procédés de fabrication de microélectronique, les éléments électroniques 18 nécessaires à la détection des déformations de celle-ci. Dans un exemple ces éléments sont des jauges de contrainte formées directement dans le silicium (par implantation de dopants appropriés dans le silicium) ou formées dans une couche de silicium séparé du substrat de silicium par une couche isolante (structure silicium sur isolant, dite SOI pour silicon on insulator ). Pour des environnements très sévères, ces jauges peuvent être réalisées sur la membrane à l'intérieur de la cavité 14; si l'environnement est moins difficile, elles peuvent être formées à l'extérieur de la cavité 14. Les jauges sont sensibles aux déformations de la membrane, provoquées par les variations de pression qu'on veut mesurer. Des connexions électriques 20 servant à l'alimentation des jauges et à la transmission de mesures faites sur ces jauges, sont formées sur la partie active du capteur. Ces connexions aboutissent, sur une face avant de la partie active du capteur à des plots de connexion 22 qui sont des surfaces métalliques conductrices servant à la liaison électrique avec des broches externes. La face avant, ou face principale, de la partie active du capteur est celle qui est tournée vers le haut sur la figure 1. La face avant est en général protégée par une couche de passivation 24 (en oxyde ou nitrure de silicium par exemple) qui recouvre toute la surface à l'exception des plots de connexion 22 ou au moins de leur partie centrale. Pour le montage de la partie active du capteur sur une embase, on réalise une embase 30 traversée par des broches de connexion métalliques 32 dont le nombre est égal au nombre de plots de connexion présents sur le capteur et nécessaires au fonctionnement de celui-ci. La partie supérieure des broches débouche à la surface supérieure ou au dessus de la surface supérieure de l'embase. La partie inférieure descend au dessous de la surface inférieure de l'embase et pourra être enfichée par exemple dans un connecteur femelle ou dans des trous d'un circuit imprimé, ou reliée par soudure à des fils conducteurs individuels, etc.
<Desc/Clms Page number 5>
L'embase peut être isolante ou conductrice, mais dans ce dernier cas il faut prévoir qu'un isolant 33 (par exemple du verre dans le cas d'une embase en métal) remplit les passages dans lesquels les broches sont insérées, afin d'isoler électriquement les broches les unes des autres. Dans une réalisation, l'embase est en alliage métallique tel que du Kovar, avec traversées de verre. Elle pourrait être en céramique isolante, voire en matière plastique pour des environnements à températures modérées.
La partie active du capteur est collée ou soudée par sa face arrière sur la surface supérieure de l'embase.
Des fils de liaison conducteurs 40 (par exemple des fils d'or) sont soudés entre les plots de connexion 12 et les sommets des broches 32.
Le procédé selon l'invention consiste alors à plonger dans un bain électrolytique la partie active du capteur ainsi que la partie supérieure des broches, pour qu'un dépôt métallique conducteur se forme, par migration électrolytique, à la fois sur les plots 22, sur les fils 40, et sur la partie supérieure des broches 32. Le dépôt électrolytique ne se forme que sur les parties conductrices plongées dans le bain ; il ne se forme pas en particulier sur la membrane 16 recouverte de la couche de passivation 24, de sorte que les caractéristiques mécaniques de la membrane ne sont pas altérées par le dépôt électrolytique. Un ou plusieurs métaux peuvent être déposés, notamment un alliage ou un dépôt simultané de plusieurs métaux.
La figure 2 représente le capteur ainsi recouvert d'un dépôt électrolytique 42 sur toutes ses parties conductrices au dessus de l'embase les parties situées au dessous de l'embase ne sont pas plongées dans le bain.
Le métal déposé par électrolyse peut être notamment du tantale, mais d'autres métaux sont possibles, en particulier du nickel ou du tungstène ou du molybdène. Une combinaison de métaux (alliage ou co-dépôt) peut aussi être envisagée. Les plots de connexion peuvent être en or ou en d'autres métaux ou combinaison de métaux (plusieurs couches métalliques superposées parfois). Si le dépôt est fait par électrolyse classique avec passage de courant dans une solution contenant des ions métalliques, on s'arrange pour connecter toutes les broches ensemble pendant le temps de l'électrolyse (de préférence par l'arrière de l'embase, c'est-à-dire par une partie qui ne plonge pas dans le bain électrolytique). Une différence de
<Desc/Clms Page number 6>
potentiel d'électrolyse appropriée est appliquée entre ces broches et une autre électrode plongeant dans le bain.
Un dépôt électroless est également possible ; dans ce cas l'électrolyse se produit par simple réaction chimique entre les broches ou plots de connexion et la solution ionique du bain électrolytique, sans application de différences de potentiel externes.
On procède alors à une opération d'oxydation ou nitruration superficielle de la couche électrolytique 42. La couche superficielle oxydée ou nitrurée 44 ainsi formée (figure 3) est isolante et très résistante aux agressions de l'environnement extérieur. I=n particulier, l'oxyde de tantale qui se forme dans le cas où la couche 42 est en tantale, est très résistant, même à haute température, à la pénétration d'humidité, à la salinité de l'air, aux agents corrosifs, etc. Toutes les parties conductrices situées au dessus de l'embase et qui avaient été recouvertes par le dépôt électrolytique 42 sont ainsi recouvertes de la couche de protection isolante 44.
Outre le fait qu'elle protège les parties conductrices contre le milieu agressif, la couche de protection isolante 44 a l'avantage d'éviter d'avoir à protéger le capteur par un bain d'huile isolante et une membrane métallique comme on le faisait parfois dans la technique antérieure pour éviter les fuites électriques entre broches portées à des potentiels différents. Ce type de montage était coûteux, et la présence du bain d'huile modifiait les caractéristiques propres du capteur: par exemple, dans le cas d'un capteur de pression, la pression extérieure est transmise à travers le bain d'huile, ce qui engendre des erreurs de mesure difficiles à compenser.
La figure 3 représente le capteur pourvu de la couche 44 sur toutes les parties conductrices situées au dessus de l'embase.
Les parties de broches dépassant à l'arrière de l'embase sont protégées pendant l'opération d'oxydation ou nitruration, ou bien elles sont décapées après cette opération.
L'oxydation ou nitruration de la couche électrolytique déposée peut se faire soit par recuit en atmosphère oxydante soit par trempage dans un bain chimique ou électrolytique oxydant. Parfois même elle peut se produire au cours du dépôt électroless.
L'invention est applicable également dans une autre configuration, dans laquelle la partie active du capteur est retournée avec sa face avant
<Desc/Clms Page number 7>
tournée vers le bas, c'est-à-dire tournée vers l'embase, la partie active étant directement soudée par ses plots conducteurs 22 sur les sommets des broches 32. La figure 4 représente une étape de fabrication intermédiaire dans laquelle on a fixé la partie active du capteur sur son embase de la manière suivante: chaque sommet de broche 32 dépasse de la surface supérieure de l'embase, en regard d'un plot respectif 22, et il est maintenu contre ce plot pendant que l'ensemble de la partie active du capteur et les sommets de plots sont plongés dans un bain électrolytique. Un dépôt métallique 34 se forme à la fois sur les plots et les extrémités de broches. Ce dépôt constitue une soudure électrolytique entre le plots et les broches et on poursuit l'électrolyse suffisamment longtemps pour que l'épaisseur déposée forme une liaison mécanique rigide entre les plots et les broches. Les éléments conducteurs qui relient les plots 22 aux sommets des broches sont dans ce cas constitués par le dépôt électrolytique 34 et non par des fils comme aux figures 1 à 3.
Si le métal ainsi déposé par voie électrolytique est facilement oxydable ou nitrurable, et si la couche d'oxyde ou nitrure alors formée présente les caractéristiques souhaitées de résistance à la corrosion, on peut effectuer son oxydation ou nitruration superficielle directement, soit par recuit en atmosphère oxydante soit par 'trempage dans un bain oxydant pour réaliser la couche de protection désirée sur les éléments conducteurs. Si au contraire le métal déposé n'est pas facile à oxyder ou nitrurer, ou si l'oxyde ou nitrure formé n'est pas suffisamment résistant dans l'environnement envisagé, on effectue un nouveau dépôt électrolytique d'un autre métal (du tantale notamment), suivi d'une oxydation ou nitruration superficielle de ce métal. C'est le cas notamment si le premier dépôt électrolytique, servant à souder les plots sur les broches, est en cuivre.
La figure 5 représente un capteur ainsi recouvert .de la première couche électrolytiquement déposée 34 (cuivre par exemple), puis d'une deuxième couche électrolytique 35 (tantale de préférence), et enfin de la couche superficielle oxydée isolante 36 (oxyde de tantale Ta205).
L'invention est particulièrement applicable à des capteurs de pression, d'efforts, d'accélérations, de température, de détection de gaz ouo de liquide, fonctionnant en environnement sévère.
<Desc/Clms Page number 8>

Claims (7)

  1. REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation d'un capteur de grandeur physique, consistant à préparer une partie active de capteur (10, 12) et une embase (30), la partie active comprenant au moins une plaque pourvue de plots de connexion conducteurs (22) sur une face, et l'embase étant pourvue de broches conductrices (32),à relier électriquement les plots et les broches par des éléments conducteurs (40), puis à plonger la plaque et les extrémités de broche dans un bain électrolytique, à effectuer un dépôt électrolytique d'au moins un métal conducteur (42) sur les extrémités de broche, les plots, et les éléments conducteurs qui les relient, et à effectuer une oxydation ou nitruration de ce métal pour constituer un revêtement isolant (44) sur les extrémités de broches de connexion, les plots, et les éléments conducteurs qui les relient.
  2. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dépôt électrolytique est effectué par migration d'ions métallliques en provenance d'une solution liquide, avec passage de courant électrique dans la solution.
  3. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dépôt électrolytique est un dépôt électroless effectué par migration d'ions métalliques en provenance d'une solution liquide sans passage de courant électrique.
  4. 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le métal conducteur déposé électrolytiquement est du nickel ou du tantale ou du tungstène ou du molybdène.
  5. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les broches de connexion et les plots de connexion sont reliés par des fils soudés (40).
    <Desc/Clms Page number 9>
  6. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les éléments conducteurs qui relient les plots électriquement et mécaniquement aux broches, sont constituées par un dépôt métallique électrolytique (34).
  7. 7. Capteur de grandeur physique obtenu par le procédé de l'une revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il constitue un capteur de pression, d'efforts, d'accélération, ou de détection de gaz ou de liquide.
FR0010581A 2000-08-11 2000-08-11 Capteur micro-usine avec protection isolante des connexions Expired - Fee Related FR2812968B1 (fr)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0010581A FR2812968B1 (fr) 2000-08-11 2000-08-11 Capteur micro-usine avec protection isolante des connexions
EP01963069A EP1307910A1 (fr) 2000-08-11 2001-08-07 Capteur micro-usine avec protection isolante des connexions
PCT/FR2001/002567 WO2002015256A1 (fr) 2000-08-11 2001-08-07 Capteur micro-usine avec protection isolante des connexions
US10/089,974 US6825512B2 (en) 2000-08-11 2001-08-07 Micromachined sensor with insulating protection of connections

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0010581A FR2812968B1 (fr) 2000-08-11 2000-08-11 Capteur micro-usine avec protection isolante des connexions

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2812968A1 true FR2812968A1 (fr) 2002-02-15
FR2812968B1 FR2812968B1 (fr) 2003-08-01

Family

ID=8853500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR0010581A Expired - Fee Related FR2812968B1 (fr) 2000-08-11 2000-08-11 Capteur micro-usine avec protection isolante des connexions

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6825512B2 (fr)
EP (1) EP1307910A1 (fr)
FR (1) FR2812968B1 (fr)
WO (1) WO2002015256A1 (fr)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2004059722A1 (ja) * 2002-12-24 2006-05-11 株式会社デンソー 半導体式センサおよび半導体装置のめっき方法
FR2862761B1 (fr) * 2003-11-25 2006-02-03 Thales Sa Accelerometre differentiel micro-usine multiaxes
US9467322B2 (en) * 2005-12-27 2016-10-11 Rovi Solutions Corporation Methods and apparatus for integrating media across a wide area network
WO2011134830A1 (fr) 2010-04-28 2011-11-03 Marcus Menden Dispositif d'éclairage comprenant un corps de base en matériau transparent
US8557703B2 (en) * 2010-08-12 2013-10-15 Stmicroelectronics, Inc. Method for pre-migration of metal ions in a semiconductor package
KR101706825B1 (ko) * 2014-11-13 2017-02-27 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지
DE102015209267A1 (de) * 2015-05-21 2016-11-24 Robert Bosch Gmbh Bauteil mit einem MECS-Bauelement auf einem Montageträger

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5290423A (en) * 1992-04-27 1994-03-01 Hughes Aircraft Company Electrochemical interconnection
JPH095187A (ja) * 1995-06-21 1997-01-10 Fuji Electric Co Ltd 半導体圧力センサ
US5645707A (en) * 1994-08-25 1997-07-08 Sharp Kabushiki Kaisha Bonding method for chip-type electronic parts
US5693208A (en) * 1995-03-16 1997-12-02 Alusuisse Technology & Management Ltd. Process for continuously anodizing strips or wires of aluminum
JPH10153508A (ja) * 1996-11-26 1998-06-09 Fuji Electric Co Ltd 半導体圧力センサ
US5773889A (en) * 1992-11-17 1998-06-30 Fujitsu Limited Wire interconnect structures for connecting an integrated circuit to a substrate
WO1999054166A1 (fr) * 1998-04-16 1999-10-28 Kavlico Corporation Ensemble detecteur capacitif a revetement inhibant l'accumulation de suie
US5998864A (en) * 1995-05-26 1999-12-07 Formfactor, Inc. Stacking semiconductor devices, particularly memory chips

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3632480A (en) * 1970-06-08 1972-01-04 Dow Chemical Co Vapor degreasing apparatus with falling film heat exchange surface
JPS5339791A (en) * 1976-09-22 1978-04-11 Nissan Motor Oxygen sensor
JPS59161852A (ja) * 1983-03-04 1984-09-12 Nec Corp 半導体装置
US5110034A (en) * 1990-08-30 1992-05-05 Quantum Magnetics, Inc. Superconducting bonds for thin film devices
US5549794A (en) * 1994-05-24 1996-08-27 H-O-H Research Inc. Continuous linear-toroidal extraction-distillation apparatus
FR2722358B1 (fr) 1994-07-08 1996-08-14 Thomson Csf Transducteur acoustique multifrequences a larges bandes
JPH10242205A (ja) * 1997-03-03 1998-09-11 Hitachi Chem Co Ltd ワイヤボンディング端子とその形成方法
US6589422B2 (en) * 2000-12-18 2003-07-08 Ineos Fluor Holdings Limited Apparatus and method for extracting biomass
JP2003322574A (ja) * 2002-04-30 2003-11-14 Toyoda Mach Works Ltd 圧力センサ及びその製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5290423A (en) * 1992-04-27 1994-03-01 Hughes Aircraft Company Electrochemical interconnection
US5773889A (en) * 1992-11-17 1998-06-30 Fujitsu Limited Wire interconnect structures for connecting an integrated circuit to a substrate
US5645707A (en) * 1994-08-25 1997-07-08 Sharp Kabushiki Kaisha Bonding method for chip-type electronic parts
US5693208A (en) * 1995-03-16 1997-12-02 Alusuisse Technology & Management Ltd. Process for continuously anodizing strips or wires of aluminum
US5998864A (en) * 1995-05-26 1999-12-07 Formfactor, Inc. Stacking semiconductor devices, particularly memory chips
JPH095187A (ja) * 1995-06-21 1997-01-10 Fuji Electric Co Ltd 半導体圧力センサ
JPH10153508A (ja) * 1996-11-26 1998-06-09 Fuji Electric Co Ltd 半導体圧力センサ
WO1999054166A1 (fr) * 1998-04-16 1999-10-28 Kavlico Corporation Ensemble detecteur capacitif a revetement inhibant l'accumulation de suie

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DATABASE WPI Section EI Week 19833, Derwent World Patents Index; Class S02, AN 1998-382161, XP002171223 *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1997, no. 05 30 May 1997 (1997-05-30) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1998, no. 11 30 September 1998 (1998-09-30) *

Also Published As

Publication number Publication date
US20020153257A1 (en) 2002-10-24
US6825512B2 (en) 2004-11-30
WO2002015256A1 (fr) 2002-02-21
FR2812968B1 (fr) 2003-08-01
EP1307910A1 (fr) 2003-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0490764B1 (fr) Capteur semi-conducteur de débit
EP1133683B1 (fr) Capteur de pression a membrane comportant du carbure de silicium et procede de fabrication
EP2377573B1 (fr) Procédé de réalisation d&#39;une traversée électrique dans la paroi métallique d&#39;un boîtier, notamment de dispositif médical actif, et dispositif pourvu d&#39;une telle traversée
EP0596456A1 (fr) Procédé de fabrication de transducteurs capacitifs intégrés
EP0557217A1 (fr) Micro-capteur capacitif à faible capacité parasite et procédé de fabrication
JP2014517923A (ja) 圧力センサおよび圧力センサの製造方法
WO1998053328A1 (fr) Micro-accelerometre a resonateur capacitif
EP1356258A1 (fr) Capteur de pression et moteur de fusee l&#39;incorporant
EP0599174B1 (fr) Cellule de mesure micro-usinée
FR2812968A1 (fr) Capteur micro-usine avec protection isolante des connexions
FR2867854A1 (fr) Detecteur de pression compact, tres precis et resistant fortement a la corrosion
WO2002015257A1 (fr) Capteur micro-usine avec soudure electrolytique et procede de fabrication
US6368734B1 (en) NTC thermistors and NTC thermistor chips
EP0269485A1 (fr) Dispositif de mesure formant un fluxmètre et un capteur de température combinés, constitué d&#39;une structure multicouche, procédé de fabrication d&#39;un tel dispositif et structure multicouche
JP3826036B2 (ja) 温度測定装置および温度測定装置の接続ワイヤを接続する方法
EP0309360B1 (fr) Capteur électrochimique, à structure intégrée, de mesure de concentrations relatives d&#39;espèces réactives
EP0321326A1 (fr) Procédé de mise en place sur un support, d&#39;un composant électronique, muni de ses contacts
EP1433203B1 (fr) Procédé de réalisation d&#39;une prise de contact en face arriere d&#39;un composant à substrats empiles
EP2873437B1 (fr) Traversée électrique pour boitier de dispositif médical actif
FR2571545A1 (fr) Procede de fabrication d&#39;un substrat de circuit hybride de forme non plane, et circuit hybride non plan obtenu par ce procede
FR2831269A1 (fr) Ensemble de capteur fonctionnant a haute temperature et procede de montage
CA2141561A1 (fr) Capteur de gaz a couche mince et methode pour sa fabrication
CN117766594A (zh) 一种耐腐蚀无引线非晶碳传感器芯片的制造和封装方法
FR2574222A1 (fr) Procede de fabrication d&#39;un substrat pour circuit hybride comportant des connexions faiblement resistives
EP0112257A1 (fr) Jauge piézorésistive et son procédé de fabrication

Legal Events

Date Code Title Description
CD Change of name or company name
ST Notification of lapse

Effective date: 20100430