JPH10150077A - 導体箔およびそれを用いた複合フィルム - Google Patents
導体箔およびそれを用いた複合フィルムInfo
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- JPH10150077A JPH10150077A JP30930396A JP30930396A JPH10150077A JP H10150077 A JPH10150077 A JP H10150077A JP 30930396 A JP30930396 A JP 30930396A JP 30930396 A JP30930396 A JP 30930396A JP H10150077 A JPH10150077 A JP H10150077A
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- Japan
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- conductor foil
- foil
- plating
- surface roughness
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 接着性の絶縁層を持ち厚みむらのない均一な
メッキ厚みのボンディングの容易な複合フィルムを提供
する。 【解決手段】 十点平均表面粗さＲｚが重量換算厚の３
０〜６０％であり最大表面粗さＲｍａｘが下記数式
（１）を満足することを特徴とする導体箔。 Ｒｍａｘ＜Ｒｚ＋５ （１） （式中の単位は全てμｍ）
メッキ厚みのボンディングの容易な複合フィルムを提供
する。 【解決手段】 十点平均表面粗さＲｚが重量換算厚の３
０〜６０％であり最大表面粗さＲｍａｘが下記数式
（１）を満足することを特徴とする導体箔。 Ｒｍａｘ＜Ｒｚ＋５ （１） （式中の単位は全てμｍ）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップの表
面実装が容易な導体回路を形成可能な通常の導体箔に代
わる複合フィルムに関するものである。
面実装が容易な導体回路を形成可能な通常の導体箔に代
わる複合フィルムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】通常半導体チップの表面実装における接
続技術としては金属ワイヤーを用いたワイヤーボンディ
ングや半田、異方導電フィルム、バンプ等を用いた接合
方法が用いられている。何れの方法にしてもボンディン
グ性を良くするために回路上への金属のメッキが必要と
されるが、回路形成後のメッキは複雑な形状をしている
ため均一な厚みにすることが難しい。またチップあるい
は基板へリードを接続するためには位置精度を維持した
ままボンディングする必要があるが個々に独立したリー
ドは変形しやすく歩留まり低下の大きな要因となってい
る。
続技術としては金属ワイヤーを用いたワイヤーボンディ
ングや半田、異方導電フィルム、バンプ等を用いた接合
方法が用いられている。何れの方法にしてもボンディン
グ性を良くするために回路上への金属のメッキが必要と
されるが、回路形成後のメッキは複雑な形状をしている
ため均一な厚みにすることが難しい。またチップあるい
は基板へリードを接続するためには位置精度を維持した
ままボンディングする必要があるが個々に独立したリー
ドは変形しやすく歩留まり低下の大きな要因となってい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的とすると
ころは、接着性の絶縁層を持ち厚みむらのない均一なメ
ッキ厚みのボンディングの容易な複合フィルムを提供す
るものである。
ころは、接着性の絶縁層を持ち厚みむらのない均一なメ
ッキ厚みのボンディングの容易な複合フィルムを提供す
るものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、十点平均表面
粗さＲｚが重量換算厚の３０〜６０％であり最大表面粗
さＲｍａｘが下記数式（１）を満足することを特徴とす
る導体箔で Ｒｍａｘ＜Ｒｚ＋５ （１） （式中の単位は全てμｍ） 前記導体箔が銅箔あるいは４２アロイであることを特徴
とする導体箔であり、前記導体箔粗化面上に金と合金形
成もしくは熱融着可能な金属を０．３〜５μｍの厚さに
メッキされていることを特徴とする導体箔である。また
前記メッキが錫あるいは半田であることを特徴とする導
体箔である。さらにメッキを形成した導体箔粗化面上に
加熱することにより溶融可能であり冷却後に絶縁膜を形
成しうる樹脂を下記数式（２）を満足する厚みＤ（Ｄ：
複合フィルム総厚−導体箔重量換算厚−メッキ厚）に形
成することを特徴とする複合フィルムである。 Ｒｚ＜Ｄ＜Ｒｚ＋５ （２） （式中の単位は全てμｍ）
粗さＲｚが重量換算厚の３０〜６０％であり最大表面粗
さＲｍａｘが下記数式（１）を満足することを特徴とす
る導体箔で Ｒｍａｘ＜Ｒｚ＋５ （１） （式中の単位は全てμｍ） 前記導体箔が銅箔あるいは４２アロイであることを特徴
とする導体箔であり、前記導体箔粗化面上に金と合金形
成もしくは熱融着可能な金属を０．３〜５μｍの厚さに
メッキされていることを特徴とする導体箔である。また
前記メッキが錫あるいは半田であることを特徴とする導
体箔である。さらにメッキを形成した導体箔粗化面上に
加熱することにより溶融可能であり冷却後に絶縁膜を形
成しうる樹脂を下記数式（２）を満足する厚みＤ（Ｄ：
複合フィルム総厚−導体箔重量換算厚−メッキ厚）に形
成することを特徴とする複合フィルムである。 Ｒｚ＜Ｄ＜Ｒｚ＋５ （２） （式中の単位は全てμｍ）
【０００５】本発明において導体箔粗化面上に金と合金
形成もしくは熱融着可能な金属をメッキする方法は電気
メッキ、無電解メッキなど通常の方法でメッキすること
ができる。本発明における加熱することにより溶融可能
であり冷却後に絶縁膜を形成しうる樹脂は前述の特性を
有する樹脂なら特に限定されないが熱可塑性ポリイミド
やポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂および
これらの混合物など通常異方導電フィルムなどに利用さ
れる信頼性の優れた接着性樹脂を挙げることができる。
また必要に応じてフィラーや難燃剤等の添加物が入って
いても差し支えない。本発明における複合フィルムを通
常の３層ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）の製造にお
いて銅箔の代わりに用いることによりインナーリードや
アウターリードなど従来銅箔単独の細線のみが存在する
部分が薄い絶縁性樹脂で裏打ちされたリードより形成さ
れる。従って細線の位置ずれや曲がりが非常に少なく寸
法精度のよい状態が保たれたＴＡＢテープが得られる。
さらに通常はアウターリードのボンディングには異方導
電フィルム等を利用する必要があるが、本樹脂付きリー
ドは絶縁フィルムそのものが異方導電フィルムの役割を
果たすのでこれらをわざわざ添付する工程がいらない。
すなわちＲｚが導体箔の重量換算厚の３０〜６０％と粗
く、しかも絶縁樹脂層の厚みがＲｚより５μｍ以上厚い
ことはないのでリードに圧力を加えると粗化山そのもの
が異方導電における金属粒子と同様の働きをして絶縁樹
脂層をつきやぶり基板上の回路と電気的な接続を得るこ
とができる。
形成もしくは熱融着可能な金属をメッキする方法は電気
メッキ、無電解メッキなど通常の方法でメッキすること
ができる。本発明における加熱することにより溶融可能
であり冷却後に絶縁膜を形成しうる樹脂は前述の特性を
有する樹脂なら特に限定されないが熱可塑性ポリイミド
やポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂および
これらの混合物など通常異方導電フィルムなどに利用さ
れる信頼性の優れた接着性樹脂を挙げることができる。
また必要に応じてフィラーや難燃剤等の添加物が入って
いても差し支えない。本発明における複合フィルムを通
常の３層ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）の製造にお
いて銅箔の代わりに用いることによりインナーリードや
アウターリードなど従来銅箔単独の細線のみが存在する
部分が薄い絶縁性樹脂で裏打ちされたリードより形成さ
れる。従って細線の位置ずれや曲がりが非常に少なく寸
法精度のよい状態が保たれたＴＡＢテープが得られる。
さらに通常はアウターリードのボンディングには異方導
電フィルム等を利用する必要があるが、本樹脂付きリー
ドは絶縁フィルムそのものが異方導電フィルムの役割を
果たすのでこれらをわざわざ添付する工程がいらない。
すなわちＲｚが導体箔の重量換算厚の３０〜６０％と粗
く、しかも絶縁樹脂層の厚みがＲｚより５μｍ以上厚い
ことはないのでリードに圧力を加えると粗化山そのもの
が異方導電における金属粒子と同様の働きをして絶縁樹
脂層をつきやぶり基板上の回路と電気的な接続を得るこ
とができる。
【０００６】
（実施例１）重量平均厚さ３３μｍの電解銅箔（Ｒｚ＝
１５μｍ，Ｒｍａｘ＝１７μｍ）粗化面上にに錫を１μ
ｍの厚みに電気メッキしメッキ付きの導体箔を得た。次
にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキ
シ社製：エピコート８２８）４０重量部と無水マレイン
酸３０重量部とアクリルニトリル−ブタジエンゴム３０
重量部をアセトンで混合溶解して濃度４０重量％にした
ものを乾燥後の厚さＤが１８μｍとなるように錫メッキ
付き導体箔粗化面上に塗布し、１３０℃で５分間乾燥し
片面にエポキシ系接着剤の付いた複合フィルムを得た。
本複合フィルムを所定の幅にスリットし複合テープとし
た。この複合テープをエポキシ系接着剤（２０μｍｔ）
付きのポリイミドフィルム（ユーピレックスＳ：７５μ
ｍｔ）にスプロケットホール、デバイスホール等の孔加
工をパンチングにより行い、１２０℃のロール温度でラ
ミネートを行った後に１６０℃でアフターキュアを施し
た。さらに３層ＴＡＢにおける通常の工程で回路加工す
ることによりデバイスホールの内部に薄い接着材層を持
つＴＡＢテープを得ることができる。本テープを用いる
ことにより位置ずれがないためインナーリードボンディ
ングは位置合わせが非常に容易になり、また回路形成後
のメッキ加工の必要がない。またアウターリードも異方
導電フィルムを使用せずにそのままの状態で熱圧着する
ことにより基板との接続が可能であった。
１５μｍ，Ｒｍａｘ＝１７μｍ）粗化面上にに錫を１μ
ｍの厚みに電気メッキしメッキ付きの導体箔を得た。次
にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキ
シ社製：エピコート８２８）４０重量部と無水マレイン
酸３０重量部とアクリルニトリル−ブタジエンゴム３０
重量部をアセトンで混合溶解して濃度４０重量％にした
ものを乾燥後の厚さＤが１８μｍとなるように錫メッキ
付き導体箔粗化面上に塗布し、１３０℃で５分間乾燥し
片面にエポキシ系接着剤の付いた複合フィルムを得た。
本複合フィルムを所定の幅にスリットし複合テープとし
た。この複合テープをエポキシ系接着剤（２０μｍｔ）
付きのポリイミドフィルム（ユーピレックスＳ：７５μ
ｍｔ）にスプロケットホール、デバイスホール等の孔加
工をパンチングにより行い、１２０℃のロール温度でラ
ミネートを行った後に１６０℃でアフターキュアを施し
た。さらに３層ＴＡＢにおける通常の工程で回路加工す
ることによりデバイスホールの内部に薄い接着材層を持
つＴＡＢテープを得ることができる。本テープを用いる
ことにより位置ずれがないためインナーリードボンディ
ングは位置合わせが非常に容易になり、また回路形成後
のメッキ加工の必要がない。またアウターリードも異方
導電フィルムを使用せずにそのままの状態で熱圧着する
ことにより基板との接続が可能であった。
【０００７】
【発明の効果】本発明の複合フィルムを用いることによ
りインナーリードやアウターリードのボンディングを容
易にかつ安価に、生産性・収率よく得ることができるな
ど、工業的に好適な半導体実装用テープを与えるもので
ある。
りインナーリードやアウターリードのボンディングを容
易にかつ安価に、生産性・収率よく得ることができるな
ど、工業的に好適な半導体実装用テープを与えるもので
ある。
Claims (7)
- 【請求項１】 十点平均表面粗さＲｚが重量換算厚の３
０〜６０％であり最大表面粗さＲｍａｘが下記数式
（１）を満足することを特徴とする導体箔。 Ｒｍａｘ＜Ｒｚ＋５ （１） （式中の単位は全てμｍ） - 【請求項２】 前記導体箔が銅箔であることを特徴とす
る請求項１記載の導体箔。 - 【請求項３】 前記導体箔が４２アロイであることを特
徴とする請求項１記載の導体箔。 - 【請求項４】 前記導体箔粗化面上に金と合金形成もし
くは熱融着可能な金属を０．３〜５μｍの厚さにメッキ
されていることを特徴とする請求項１記載の導体箔。 - 【請求項５】 前記メッキが錫であることを特徴とする
請求項４記載の導体箔。 - 【請求項６】 前記メッキが半田であることを特徴とす
る請求項４記載の導体箔。 - 【請求項７】 請求項４、５又は６記載のメッキを形成
した導体箔粗化面上に、加熱することにより溶融可能で
あり冷却後に絶縁膜を形成しうる樹脂を下記数式（２）
を満足する厚みＤ（Ｄ：複合フィルム総厚−導体箔重量
換算厚−メッキ厚み）に形成することを特徴とする導体
箔、金属メッキ及び絶縁膜の３層からなる複合フィル
ム。 Ｒｚ＜Ｄ＜Ｒｚ＋５ （２） （式中の単位は全てμｍ）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30930396A JPH10150077A (ja) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | 導体箔およびそれを用いた複合フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30930396A JPH10150077A (ja) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | 導体箔およびそれを用いた複合フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10150077A true JPH10150077A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=17991390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30930396A Pending JPH10150077A (ja) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | 導体箔およびそれを用いた複合フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10150077A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002329754A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Shindo Denshi Kogyo Kk | テープキャリアの製造方法 |
| KR101153497B1 (ko) * | 2005-01-18 | 2012-06-11 | 도호 가가꾸 고오교 가부시키가이샤 | 생분해성 폴리에스테르계 수지 조성물 |
-
1996
- 1996-11-20 JP JP30930396A patent/JPH10150077A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002329754A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Shindo Denshi Kogyo Kk | テープキャリアの製造方法 |
| KR101153497B1 (ko) * | 2005-01-18 | 2012-06-11 | 도호 가가꾸 고오교 가부시키가이샤 | 생분해성 폴리에스테르계 수지 조성물 |
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