JPH05129761A - プリント配線板 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 公害衛生上安全で,ワイヤボンディング特性
に優れ,安価な,プリント配線板を提供すること。 【構成】 プリント配線板7の導体回路72における実
装端子部分721に対し,その最表面にパラジウムメッ
キ膜1を被覆してなる。このパラジウムメッキ膜1は,
無電解メッキにより形成し,メッキ液中にシアン化合物
を含有しない。また,パラジウムメッキ膜1は金メッキ
膜よりも比較的安価で,その形成に当たっては公害衛生
上安全である。
に優れ,安価な,プリント配線板を提供すること。 【構成】 プリント配線板7の導体回路72における実
装端子部分721に対し,その最表面にパラジウムメッ
キ膜1を被覆してなる。このパラジウムメッキ膜1は,
無電解メッキにより形成し,メッキ液中にシアン化合物
を含有しない。また,パラジウムメッキ膜1は金メッキ
膜よりも比較的安価で,その形成に当たっては公害衛生
上安全である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は,公害衛生上安全で,ワ
イヤボンディング特性に優れ,安価な,プリント配線板
に関する。
イヤボンディング特性に優れ,安価な,プリント配線板
に関する。
【0002】
【従来技術】従来,図4に示すごとく,プリント配線板
7においては,一般に電子部品搭載用凹部71の周縁部
に,ワイヤ8が施されている。そして,その導体回路7
2における実装端子部分721に対しては,その最表面
に金メッキ膜9が被覆されている(例えば,特開昭59
−67686号公報)。上記金メッキ膜9は,一般に導
電性,耐食性等の諸性質が優れている。そのため,プリ
ント配線板7においては,金メッキ膜9が導体回路72
の最表面に多く用いられている。
7においては,一般に電子部品搭載用凹部71の周縁部
に,ワイヤ8が施されている。そして,その導体回路7
2における実装端子部分721に対しては,その最表面
に金メッキ膜9が被覆されている(例えば,特開昭59
−67686号公報)。上記金メッキ膜9は,一般に導
電性,耐食性等の諸性質が優れている。そのため,プリ
ント配線板7においては,金メッキ膜9が導体回路72
の最表面に多く用いられている。
【0003】ところで,該金メッキ膜9が上記最表面に
被覆されるに当たっては,一般に次のような方法が行わ
れている。まず,図4に示すごとく,基板に電子部品搭
載用凹部71が形成される。次いで,この部分及びその
周縁部である実装端子部分721には,無電解メッキに
より,銅メッキ膜6が被覆される。そして,この表面に
は,さらにニッケルメッキ膜5が,例えば約3μm程度
の厚みで被覆される。
被覆されるに当たっては,一般に次のような方法が行わ
れている。まず,図4に示すごとく,基板に電子部品搭
載用凹部71が形成される。次いで,この部分及びその
周縁部である実装端子部分721には,無電解メッキに
より,銅メッキ膜6が被覆される。そして,この表面に
は,さらにニッケルメッキ膜5が,例えば約3μm程度
の厚みで被覆される。
【0004】そして,これらの最表面に,金メッキ膜9
が,例えば約0.05μm程度の厚みで被覆される。ま
た,該金メッキ膜9を被覆するに当たっては,例えばシ
アン化金カリウム等のシアン化合物を用いた無電解メッ
キが行われる。また,このようにして形成された電子部
品搭載用凹部71,導体回路72,実装端子部分721
には,図4に示すごとく,半導体チップ等の電子部品4
が搭載され,ワイヤ8により,これらが電気的に接続さ
れる。
が,例えば約0.05μm程度の厚みで被覆される。ま
た,該金メッキ膜9を被覆するに当たっては,例えばシ
アン化金カリウム等のシアン化合物を用いた無電解メッ
キが行われる。また,このようにして形成された電子部
品搭載用凹部71,導体回路72,実装端子部分721
には,図4に示すごとく,半導体チップ等の電子部品4
が搭載され,ワイヤ8により,これらが電気的に接続さ
れる。
【0005】
【解決しようとする課題】しかしながら,上記従来技術
には,次の問題点がある。即ち,上記金メッキ膜9は,
諸性質に優れている反面,比較的高価である。そのた
め,プリント配線板7が高価なものとなる。また,該金
メッキ膜9を被覆するに当たっては,シアン化合物等の
劇毒物を使用しなければならない。そのため,該シアン
化合物の使用,保管,排水処理等において,安全衛生上
好ましくない。
には,次の問題点がある。即ち,上記金メッキ膜9は,
諸性質に優れている反面,比較的高価である。そのた
め,プリント配線板7が高価なものとなる。また,該金
メッキ膜9を被覆するに当たっては,シアン化合物等の
劇毒物を使用しなければならない。そのため,該シアン
化合物の使用,保管,排水処理等において,安全衛生上
好ましくない。
【0006】また,金メッキ膜9は,比較的軟らかい金
属層である。そこで,該金メッキ膜9の下層には,比較
的硬いニッケルメッキ膜5を被覆しなければ,超音波に
よるワイヤ時のワイヤボンディング特性が優れないこと
がある。これにより,ワイヤの接合強度が低下し,ワイ
ヤのボンディング作業が困難となり生産性が悪くなる。
ここで,ワイヤボンディング特性とは,ワイヤの接合強
度が強く,かつワイヤのボンディング作業性が良いこと
をいう。しかしながら,上記ニッケルメッキ膜5は,一
般に還元型の無電解メッキにより行われるため,メッキ
条件が安定せず異常析出等のメッキ不良を生じ易い。そ
のため,歩留まりが低下し高価になる。
属層である。そこで,該金メッキ膜9の下層には,比較
的硬いニッケルメッキ膜5を被覆しなければ,超音波に
よるワイヤ時のワイヤボンディング特性が優れないこと
がある。これにより,ワイヤの接合強度が低下し,ワイ
ヤのボンディング作業が困難となり生産性が悪くなる。
ここで,ワイヤボンディング特性とは,ワイヤの接合強
度が強く,かつワイヤのボンディング作業性が良いこと
をいう。しかしながら,上記ニッケルメッキ膜5は,一
般に還元型の無電解メッキにより行われるため,メッキ
条件が安定せず異常析出等のメッキ不良を生じ易い。そ
のため,歩留まりが低下し高価になる。
【0007】また,上記金メッキ膜9及びニッケルメッ
キ膜5の被覆は,例えば85〜90℃という苛酷な条件
下で行われ,かかる高温下ではソルダーレジスト膜75
が溶けたり,剥がれ易くなる。それ故,該ソルダーレジ
スト膜75の被覆に先がけて,上記金メッキ膜及びニッ
ケルメッキ膜を被覆しなければならない。そのため,他
のメッキを必要としない余分な部分に,金メッキ膜9,
ニッケルメッキ膜5を被覆することになり不経済であ
る。本発明は,かかる従来の問題点に鑑みてなされたも
ので,公害衛生上安全で,ワイヤボンディング特性に優
れ,比較的安価な,プリント配線板を提供しようとする
ものである。
キ膜5の被覆は,例えば85〜90℃という苛酷な条件
下で行われ,かかる高温下ではソルダーレジスト膜75
が溶けたり,剥がれ易くなる。それ故,該ソルダーレジ
スト膜75の被覆に先がけて,上記金メッキ膜及びニッ
ケルメッキ膜を被覆しなければならない。そのため,他
のメッキを必要としない余分な部分に,金メッキ膜9,
ニッケルメッキ膜5を被覆することになり不経済であ
る。本発明は,かかる従来の問題点に鑑みてなされたも
ので,公害衛生上安全で,ワイヤボンディング特性に優
れ,比較的安価な,プリント配線板を提供しようとする
ものである。
【0008】
【課題の解決手段】本発明は,プリント配線板の導体回
路における実装端子部分に対して,その最表面にパラジ
ウムを被覆してなることを特徴とするプリント配線板に
ある。上記パラジウムとしては,例えば純度が99重量
%以上の高純度のものを用いる。また,該パラジウムの
被覆方法としては,例えば無電解メッキ,電気メッキ,
蒸着等の方法がある。
路における実装端子部分に対して,その最表面にパラジ
ウムを被覆してなることを特徴とするプリント配線板に
ある。上記パラジウムとしては,例えば純度が99重量
%以上の高純度のものを用いる。また,該パラジウムの
被覆方法としては,例えば無電解メッキ,電気メッキ,
蒸着等の方法がある。
【0009】上記実装端子部分としては,例えば電子部
品搭載用凹部内,電子部品搭載用凹部の周縁部の導体回
路部分等がある。また,実装端子部分の最表面とは,例
えば上記実装端子部分における最も上層のメッキ部分と
いう意味である。この部分には,一般にソルダーレジス
ト膜は被覆されない。そして,上記電子部品搭載用凹部
内には,半導体チップ等の電子部品が搭載される。ま
た,その周縁部の導体回路のいずれかの部分には,金線
又はアルミワイヤー等のワイヤを用いたワイヤボンディ
ングが行われる。なお,ワイヤボンディング特性とは,
ワイヤの接合(密着)強度が強いことをいう。
品搭載用凹部内,電子部品搭載用凹部の周縁部の導体回
路部分等がある。また,実装端子部分の最表面とは,例
えば上記実装端子部分における最も上層のメッキ部分と
いう意味である。この部分には,一般にソルダーレジス
ト膜は被覆されない。そして,上記電子部品搭載用凹部
内には,半導体チップ等の電子部品が搭載される。ま
た,その周縁部の導体回路のいずれかの部分には,金線
又はアルミワイヤー等のワイヤを用いたワイヤボンディ
ングが行われる。なお,ワイヤボンディング特性とは,
ワイヤの接合(密着)強度が強いことをいう。
【0010】
【作用及び効果】本発明においては,プリント配線板の
導体回路における実装端子部分の最表面にパラジウムを
被覆してある。そのため,従来の金メッキ膜に比して,
安価である。また,金メッキを用いないため,劇毒物で
あるシアン化合物を使用することがない。それ故,シア
ン化合物の使用,保管,排水処理を必要とせず,公害衛
生上安全である。また,パラジウムメッキの下層には,
金メッキ膜の場合のごとく,必ずしも比較的硬いニッケ
ルメッキ膜を必要としない。これは,パラジウムが金メ
ッキ膜に比して硬い金属であることによる。
導体回路における実装端子部分の最表面にパラジウムを
被覆してある。そのため,従来の金メッキ膜に比して,
安価である。また,金メッキを用いないため,劇毒物で
あるシアン化合物を使用することがない。それ故,シア
ン化合物の使用,保管,排水処理を必要とせず,公害衛
生上安全である。また,パラジウムメッキの下層には,
金メッキ膜の場合のごとく,必ずしも比較的硬いニッケ
ルメッキ膜を必要としない。これは,パラジウムが金メ
ッキ膜に比して硬い金属であることによる。
【0011】それ故,パラジウムメッキ膜は金メッキ膜
に比して,同等のワイヤボンディング特性を得ることが
できる。なお,パラジウムは,金メッキ膜と同様に,電
気的特性,耐食性等の耐久性に優れている。したがっ
て,本発明によれば,公害衛生上安全で,ワイヤボンデ
ィング特性に優れ,比較的安価な,プリント配線板を提
供することができる。
に比して,同等のワイヤボンディング特性を得ることが
できる。なお,パラジウムは,金メッキ膜と同様に,電
気的特性,耐食性等の耐久性に優れている。したがっ
て,本発明によれば,公害衛生上安全で,ワイヤボンデ
ィング特性に優れ,比較的安価な,プリント配線板を提
供することができる。
【0012】
【実施例】実施例1 本発明の実施例にかかるプリント配線板につき,図1を
用いて説明する。本例のプリント配線板7は,導体回路
72における実装端子部分721に対して,その最表面
にパラジウムメッキ膜1を被覆してなる。該パラジウム
メッキ膜1は,無電解メッキにより形成し,約0.25
μmの厚みを有する。そして,該無電解メッキを行うに
当たっては,約99重量%以上の高純度のパラジウムを
用いる。上記無電解メッキは,還元剤を含有するメッキ
液中において,パラジウムイオンを触媒還元させて析出
する方法である。この方法は,電気が不要でメッキ膜が
均一に形成される。
用いて説明する。本例のプリント配線板7は,導体回路
72における実装端子部分721に対して,その最表面
にパラジウムメッキ膜1を被覆してなる。該パラジウム
メッキ膜1は,無電解メッキにより形成し,約0.25
μmの厚みを有する。そして,該無電解メッキを行うに
当たっては,約99重量%以上の高純度のパラジウムを
用いる。上記無電解メッキは,還元剤を含有するメッキ
液中において,パラジウムイオンを触媒還元させて析出
する方法である。この方法は,電気が不要でメッキ膜が
均一に形成される。
【0013】また,上記パラジウムメッキ膜1を形成す
るためのメッキ液は,シアン化合物等の劇毒物を一切用
いる必要がなく,処理温度が60〜70℃と比較的低温
である。該パラジウムメッキ液としては,塩化パラジウ
ムアンモンからなる組成の液を用いた。上記プリント配
線板7は,基板70と,該基板の略中央に形成した電子
部品搭載用凹部71と,導体回路72の表面に被覆した
銅メッキ膜6及び実装端子部分721の最表面に被覆し
たパラジウムメッキ膜1とを有する。また,パラジウム
メッキ膜1の実装端子部分721を除いて,ソルダーレ
ジスト膜75が被覆してある。
るためのメッキ液は,シアン化合物等の劇毒物を一切用
いる必要がなく,処理温度が60〜70℃と比較的低温
である。該パラジウムメッキ液としては,塩化パラジウ
ムアンモンからなる組成の液を用いた。上記プリント配
線板7は,基板70と,該基板の略中央に形成した電子
部品搭載用凹部71と,導体回路72の表面に被覆した
銅メッキ膜6及び実装端子部分721の最表面に被覆し
たパラジウムメッキ膜1とを有する。また,パラジウム
メッキ膜1の実装端子部分721を除いて,ソルダーレ
ジスト膜75が被覆してある。
【0014】また,上記電子部品搭載用凹部71の表面
は,上記と同様に,銅メッキ膜6及びその最表面にパラ
ジウムメッキ膜1を有する。そして,該電子部品搭載用
凹部71内には,半導体チップ等の電子部品4を搭載す
る。そして,ワイヤ8により該電子部品4が上記実装端
子部分721と電気的に接続してある。上記銅メッキ膜
6は,無電解メッキにより形成し,約30μmの厚みを
有する。そして,該無電解メッキを行うに当たっては,
上記パラジウムメッキ膜1の場合と同様に,一切シアン
化合物を使用する必要がない。
は,上記と同様に,銅メッキ膜6及びその最表面にパラ
ジウムメッキ膜1を有する。そして,該電子部品搭載用
凹部71内には,半導体チップ等の電子部品4を搭載す
る。そして,ワイヤ8により該電子部品4が上記実装端
子部分721と電気的に接続してある。上記銅メッキ膜
6は,無電解メッキにより形成し,約30μmの厚みを
有する。そして,該無電解メッキを行うに当たっては,
上記パラジウムメッキ膜1の場合と同様に,一切シアン
化合物を使用する必要がない。
【0015】また,上記ワイヤボンディングは,超音波
ボンダーを用いて行う。これにより,ワイヤボンディン
グを迅速正確に行うことができる。また,該ワイヤ8に
は,約25μm径のアルミワイヤを用いた。そして,プ
ルテスターを用いて,該ワイヤ8の接合強度を測定した
ところ,その平均値が約10gであった。これは,従来
の金メッキ膜を被覆したプリント配線板よりも若干優れ
た接合強度である。また,上記基板としては,ガラスエ
ポキシ基板を用いるなど,従来のプリント配線板と同様
に構成した。
ボンダーを用いて行う。これにより,ワイヤボンディン
グを迅速正確に行うことができる。また,該ワイヤ8に
は,約25μm径のアルミワイヤを用いた。そして,プ
ルテスターを用いて,該ワイヤ8の接合強度を測定した
ところ,その平均値が約10gであった。これは,従来
の金メッキ膜を被覆したプリント配線板よりも若干優れ
た接合強度である。また,上記基板としては,ガラスエ
ポキシ基板を用いるなど,従来のプリント配線板と同様
に構成した。
【0016】次に,作用効果につき説明する。本例にお
いては,プリント配線板7の導体回路72における実装
端子部分721の最表面にパラジウムメッキ膜1を被覆
してある。そのため,従来の金メッキ膜(図4参照)に
比して,安価である。また,金メッキを用いないため,
劇毒物であるシアン化合物を使用することがない。それ
故,シアン化合物の使用,保管,排水処理を必要とせ
ず,公害衛生上安全である。
いては,プリント配線板7の導体回路72における実装
端子部分721の最表面にパラジウムメッキ膜1を被覆
してある。そのため,従来の金メッキ膜(図4参照)に
比して,安価である。また,金メッキを用いないため,
劇毒物であるシアン化合物を使用することがない。それ
故,シアン化合物の使用,保管,排水処理を必要とせ
ず,公害衛生上安全である。
【0017】また,パラジウムメッキ膜1の下層には,
金メッキ膜の場合のごとく,比較的硬いニッケルメッキ
膜を被覆していない。これは,パラジウムメッキ膜1が
金メッキ膜に比して硬い金属であることによる。それ
故,パラジウムメッキ膜1は上記のごとく,ワイヤの接
合強度が強い。そのため,パラジウムメッキ膜1は,金
メッキ膜に比して,同等のワイヤボンディング特性を得
ることができる。なお,パラジウムメッキ膜1は,金メ
ッキ膜と同様に,電気的特性,耐食性等の耐久性に優れ
ている。
金メッキ膜の場合のごとく,比較的硬いニッケルメッキ
膜を被覆していない。これは,パラジウムメッキ膜1が
金メッキ膜に比して硬い金属であることによる。それ
故,パラジウムメッキ膜1は上記のごとく,ワイヤの接
合強度が強い。そのため,パラジウムメッキ膜1は,金
メッキ膜に比して,同等のワイヤボンディング特性を得
ることができる。なお,パラジウムメッキ膜1は,金メ
ッキ膜と同様に,電気的特性,耐食性等の耐久性に優れ
ている。
【0018】実施例2 本例は,図2に示すごとく,上記実施例1における半導
体チップ等の電子部品4に代えて,フラットパック42
を用いたものである。また,基板70に代えて,プリン
ト配線板としてのマザーボード701上に直接導体回路
72を形成したものである。上記フラットパック42
は,フラットな半導体チップからなる電子部品であり,
表面実装等に用いられる。これにより,高密度かつコン
パクトな基板の作成が可能になる。
体チップ等の電子部品4に代えて,フラットパック42
を用いたものである。また,基板70に代えて,プリン
ト配線板としてのマザーボード701上に直接導体回路
72を形成したものである。上記フラットパック42
は,フラットな半導体チップからなる電子部品であり,
表面実装等に用いられる。これにより,高密度かつコン
パクトな基板の作成が可能になる。
【0019】また,上記導体回路72は,実施例1と同
様に,銅メッキ膜6と,その最表面に被覆したパラジウ
ムメッキ膜1の2層とよりなる。該パラジウムメッキ膜
1は,無電解メッキにより形成し,約0.3μmの厚み
を有する。また,上記銅メッキ膜6は,無電解メッキに
より形成し,約30μmの厚みを有する。また,フラッ
トパック42は,クリーム半田82を用いて,実装端子
部分721上に電気的に接続する。そして,その接合後
の密着強度を測定した結果,従来のプリント配線板と同
等の性能を得ることができた。以上のごとく,本例によ
れば,フラットな実装マザーボードを得ることができ
る。
様に,銅メッキ膜6と,その最表面に被覆したパラジウ
ムメッキ膜1の2層とよりなる。該パラジウムメッキ膜
1は,無電解メッキにより形成し,約0.3μmの厚み
を有する。また,上記銅メッキ膜6は,無電解メッキに
より形成し,約30μmの厚みを有する。また,フラッ
トパック42は,クリーム半田82を用いて,実装端子
部分721上に電気的に接続する。そして,その接合後
の密着強度を測定した結果,従来のプリント配線板と同
等の性能を得ることができた。以上のごとく,本例によ
れば,フラットな実装マザーボードを得ることができ
る。
【0020】実施例3 本例は,図3に示すごとく,上記実施例2における導体
回路72に代えて,パラジウムメッキ膜1とニッケルメ
ッキ膜5と銅メッキ膜6との3層からなる導体回路73
を形成したものである。即ち,上記導体回路73は,無
電解メッキにより,マザーボード701上に直接,銅メ
ッキ膜6を被覆する。該銅メッキ膜6は,約25μmの
厚みを有する。また,上記ニッケルメッキ膜5は,無電
解メッキにより,上記銅メッキ膜6の表面に被覆する。
該ニッケルメッキ膜5は,約5μmの厚みを有する。
回路72に代えて,パラジウムメッキ膜1とニッケルメ
ッキ膜5と銅メッキ膜6との3層からなる導体回路73
を形成したものである。即ち,上記導体回路73は,無
電解メッキにより,マザーボード701上に直接,銅メ
ッキ膜6を被覆する。該銅メッキ膜6は,約25μmの
厚みを有する。また,上記ニッケルメッキ膜5は,無電
解メッキにより,上記銅メッキ膜6の表面に被覆する。
該ニッケルメッキ膜5は,約5μmの厚みを有する。
【0021】上記パラジウムメッキ膜1は,無電解メッ
キにより,上記ニッケルメッキ膜5の表面に被覆する。
該パラジウムメッキ膜1は,約0.2μmの厚みを有す
る。そして,以上のごとく被覆された,上記銅メッキ膜
6とニッケルメッキ膜5とパラジウムメッキ膜1との3
層からなる導体回路73の実装端子部分731に対し,
図3に示すごとく,ワイヤ8を超音波又は熱圧着により
接合する。この接合強度をプルテスターにより測定した
ところ,その平均値は約10gであった。以上のごと
く,本例によれば,銅メッキ膜とニッケルメッキ膜とパ
ラジウムメッキ膜との3層からなる導体回路73を有す
る,プリント配線板を得ることができる。その他実施例
1と同様の効果が得られる。
キにより,上記ニッケルメッキ膜5の表面に被覆する。
該パラジウムメッキ膜1は,約0.2μmの厚みを有す
る。そして,以上のごとく被覆された,上記銅メッキ膜
6とニッケルメッキ膜5とパラジウムメッキ膜1との3
層からなる導体回路73の実装端子部分731に対し,
図3に示すごとく,ワイヤ8を超音波又は熱圧着により
接合する。この接合強度をプルテスターにより測定した
ところ,その平均値は約10gであった。以上のごと
く,本例によれば,銅メッキ膜とニッケルメッキ膜とパ
ラジウムメッキ膜との3層からなる導体回路73を有す
る,プリント配線板を得ることができる。その他実施例
1と同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1にかかるプリント配線板の断面図。
【図2】実施例2にかかるプリント配線板の要部を示す
断面図。
断面図。
【図3】実施例3にかかるプリント配線板の要部を示す
断面図。
断面図。
【図4】従来のプリント配線板の断面図。
1...パラジウムメッキ膜, 5...ニッケルメッキ膜, 6...銅メッキ膜, 7...プリント配線板, 72,73...導体回路, 721,731...実装端子部分,
Claims (1)
- 【請求項1】 プリント配線板の導体回路における実装
端子部分に対して,その最表面にパラジウムを被覆して
なることを特徴とするプリント配線板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3313325A JPH05129761A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | プリント配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3313325A JPH05129761A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | プリント配線板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05129761A true JPH05129761A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=18039877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3313325A Pending JPH05129761A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | プリント配線板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05129761A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0686339U (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-13 | 日本無線株式会社 | 混成集積回路基板 |
EP0697805A1 (en) * | 1994-08-05 | 1996-02-21 | LeaRonal, Inc. | Printed circuit board manufacture utilizing electroless palladium |
JPH0878472A (ja) * | 1994-09-05 | 1996-03-22 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用基体および半導体装置 |
-
1991
- 1991-10-31 JP JP3313325A patent/JPH05129761A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0686339U (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-13 | 日本無線株式会社 | 混成集積回路基板 |
EP0697805A1 (en) * | 1994-08-05 | 1996-02-21 | LeaRonal, Inc. | Printed circuit board manufacture utilizing electroless palladium |
JPH0878472A (ja) * | 1994-09-05 | 1996-03-22 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用基体および半導体装置 |
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