JPH10149977A - 処理装置の制御方法及び処理装置 - Google Patents
処理装置の制御方法及び処理装置Info
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- JPH10149977A JPH10149977A JP8323405A JP32340596A JPH10149977A JP H10149977 A JPH10149977 A JP H10149977A JP 8323405 A JP8323405 A JP 8323405A JP 32340596 A JP32340596 A JP 32340596A JP H10149977 A JPH10149977 A JP H10149977A
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- predetermined
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハの処理前後において、可動部材の所定
の動作が確認できなかった場合に自動的にリ・トライさ
せるようにして、システム全体を停止させるような過剰
な措置をとらずに、ウエハの不良発生を抑える制御装置
及び制御方法を提供する。 【解決手段】 加熱処理装置内８におけるウエハＷの処
理前後において、規定時間内に支持ピン２６の上昇降動
作がピンアップセンサー２９によって検出されなかった
場合に、ピンシリンダ２７に対して支持ピン２６の下降
動作の実行をコントローラ３１からピンシリンダ２７に
命令する。次に、ピンダウンセンサー３０によって支持
ピン２６の下降動作を検出した後、ピンシリンダ２７に
対して再度支持ピン２６の上昇動作の実行を命令する。
の動作が確認できなかった場合に自動的にリ・トライさ
せるようにして、システム全体を停止させるような過剰
な措置をとらずに、ウエハの不良発生を抑える制御装置
及び制御方法を提供する。 【解決手段】 加熱処理装置内８におけるウエハＷの処
理前後において、規定時間内に支持ピン２６の上昇降動
作がピンアップセンサー２９によって検出されなかった
場合に、ピンシリンダ２７に対して支持ピン２６の下降
動作の実行をコントローラ３１からピンシリンダ２７に
命令する。次に、ピンダウンセンサー３０によって支持
ピン２６の下降動作を検出した後、ピンシリンダ２７に
対して再度支持ピン２６の上昇動作の実行を命令する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、処理装置の制御方
法及び処理装置に関するものである。
法及び処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体製造プロセスにおけるいわ
ゆるフォトレジスト処理工程においては、半導体ウエハ
（以下、「ウエハ」という）などの被処理基板を洗浄し
たり、その表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形
成し、所定のパターンで露光した後に現像液で現像処理
しているが、このような一連の処理を行う場合、各処理
を枚葉式で行う処理装置を１つのシステムに集約した塗
布現像処理システムが用いられている。この塗布現像処
理システムにおいては、ウエハを保持した搬送手段が所
定の処理装置の搬入出口前で停止し、当該処理装置側の
各種可動部材が所定の動作を行った後、前記ウエハを装
置内に搬入して所定の載置台に載置した後、装置内から
退避する。
ゆるフォトレジスト処理工程においては、半導体ウエハ
（以下、「ウエハ」という）などの被処理基板を洗浄し
たり、その表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形
成し、所定のパターンで露光した後に現像液で現像処理
しているが、このような一連の処理を行う場合、各処理
を枚葉式で行う処理装置を１つのシステムに集約した塗
布現像処理システムが用いられている。この塗布現像処
理システムにおいては、ウエハを保持した搬送手段が所
定の処理装置の搬入出口前で停止し、当該処理装置側の
各種可動部材が所定の動作を行った後、前記ウエハを装
置内に搬入して所定の載置台に載置した後、装置内から
退避する。
【０００３】この可動部材の所定の動作には、例えば加
熱処理装置における搬入、搬出時のシャッターの開閉や
ウエハを載置する際の昇降用のピンの上下動、アドヒー
ジョン処理装置においては密閉空間を創出するチャンバ
の上下動、洗浄処理装置やレジスト液塗布装置において
は、シャッターの開閉、ノズルのアームの移動などがあ
る。そして、これらの動作が確認された後ウエハが装置
内に搬入されて、所定の処理を実行する。また、処理終
了後は、前記各動作を再度実行し、装置外へウエハを搬
出する。
熱処理装置における搬入、搬出時のシャッターの開閉や
ウエハを載置する際の昇降用のピンの上下動、アドヒー
ジョン処理装置においては密閉空間を創出するチャンバ
の上下動、洗浄処理装置やレジスト液塗布装置において
は、シャッターの開閉、ノズルのアームの移動などがあ
る。そして、これらの動作が確認された後ウエハが装置
内に搬入されて、所定の処理を実行する。また、処理終
了後は、前記各動作を再度実行し、装置外へウエハを搬
出する。
【０００４】ここで、動作フローにより従来の可動部材
の動作について説明すると、例えば図５に示されるよう
な加熱処理装置１０１において載置台１０２から出没す
る支持ピン１０３の動作についていうと、図６に示され
るようなフローにより次のような手順で行われていた。
の動作について説明すると、例えば図５に示されるよう
な加熱処理装置１０１において載置台１０２から出没す
る支持ピン１０３の動作についていうと、図６に示され
るようなフローにより次のような手順で行われていた。
【０００５】先ずコントローラ１０４から支持ピン１０
３の上昇を命令すると（ステップＳ101）ピンアップ信
号が出力される（ステップＳ102）。次に、実際に支持
ピン１０３が上昇したかどうかをピンアップセンサー１
０５が検出し（ステップＳ103）、支持ピン１０３の上
昇が検出された場合には、所定の上昇動作は完了となり
（ステップＳ104）、ウエハは装置内に搬入されて所定
の加熱処理を施される。
３の上昇を命令すると（ステップＳ101）ピンアップ信
号が出力される（ステップＳ102）。次に、実際に支持
ピン１０３が上昇したかどうかをピンアップセンサー１
０５が検出し（ステップＳ103）、支持ピン１０３の上
昇が検出された場合には、所定の上昇動作は完了となり
（ステップＳ104）、ウエハは装置内に搬入されて所定
の加熱処理を施される。
【０００６】一方、ピンアップセンサー１０５により支
持ピン１０３の上昇が検出されない場合には、５秒間待
ち（ステップＳ105）、上昇が検出されないまま５秒間
経過した場合にはエラー信号を出力する（ステップＳ10
6）。エラー信号が出力された場合は、この加熱処理装
置１０１を含むシステム内の装置は全て停止される。こ
の場合、当該エラーにかかるウエハは通常不良扱いとさ
れる。
持ピン１０３の上昇が検出されない場合には、５秒間待
ち（ステップＳ105）、上昇が検出されないまま５秒間
経過した場合にはエラー信号を出力する（ステップＳ10
6）。エラー信号が出力された場合は、この加熱処理装
置１０１を含むシステム内の装置は全て停止される。こ
の場合、当該エラーにかかるウエハは通常不良扱いとさ
れる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが過去の事例を
分析すると、可動部材の所定の動作が確認できなかった
ためにエラー信号が出力された後でも、一旦可動部材を
動作前の状態に戻し、再度可動部材の所定の動作の実行
を命令（以下、「リ・トライ」という）すると正常な動
作を行う場合が多いことがわかった。そのため実際はリ
・トライのような制御を行えば、装置を停止することな
くそのまま稼働し続けられるにもかかわらず、従来のよ
うに初回のエラー信号のみでシステム内の装置を全て停
止してしまうと、結果的にシステム内のすべてのウエハ
を不良にしてしまうおそれがある。
分析すると、可動部材の所定の動作が確認できなかった
ためにエラー信号が出力された後でも、一旦可動部材を
動作前の状態に戻し、再度可動部材の所定の動作の実行
を命令（以下、「リ・トライ」という）すると正常な動
作を行う場合が多いことがわかった。そのため実際はリ
・トライのような制御を行えば、装置を停止することな
くそのまま稼働し続けられるにもかかわらず、従来のよ
うに初回のエラー信号のみでシステム内の装置を全て停
止してしまうと、結果的にシステム内のすべてのウエハ
を不良にしてしまうおそれがある。
【０００８】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、各処理装置におけるウエハの処理前後において、
可動部材の所定の動作が確認できなかった場合に自動的
にリ・トライさせるようにして、システム全体を停止さ
せるような過剰な措置をとらずに、ウエハの不良発生を
抑えることのできる制御装置及び制御方法を提供するこ
とを目的としている。
あり、各処理装置におけるウエハの処理前後において、
可動部材の所定の動作が確認できなかった場合に自動的
にリ・トライさせるようにして、システム全体を停止さ
せるような過剰な措置をとらずに、ウエハの不良発生を
抑えることのできる制御装置及び制御方法を提供するこ
とを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の制御方法は、
処理容器に設けられた可動部材の所定の動作の後に、当
該処理容器内で被処理基板に対して所定の処理を行うよ
うに構成された処理装置において、規定時間内に前記所
定の動作の確認ができなかった場合には、前記可動部材
の駆動系に対して前記所定の動作とは逆の動作を行うよ
うに命令し、当該逆の動作を確認した後、前記駆動系に
対して再度所定の動作を行うように命令することを特徴
としている。被処理基板の処理前において可動部材の所
定の動作が確認できなかった場合でも、従来のように直
ちにエラーとするのではなく、逆の動作を命令し、この
逆の動作を確認後、再度所定の動作を実行するよう命令
しているので、既述した過去の事例からすれば可動部材
の所定の動作をより確実に完了させることができ、その
後の被処理基板の処理を行うことができる。
処理容器に設けられた可動部材の所定の動作の後に、当
該処理容器内で被処理基板に対して所定の処理を行うよ
うに構成された処理装置において、規定時間内に前記所
定の動作の確認ができなかった場合には、前記可動部材
の駆動系に対して前記所定の動作とは逆の動作を行うよ
うに命令し、当該逆の動作を確認した後、前記駆動系に
対して再度所定の動作を行うように命令することを特徴
としている。被処理基板の処理前において可動部材の所
定の動作が確認できなかった場合でも、従来のように直
ちにエラーとするのではなく、逆の動作を命令し、この
逆の動作を確認後、再度所定の動作を実行するよう命令
しているので、既述した過去の事例からすれば可動部材
の所定の動作をより確実に完了させることができ、その
後の被処理基板の処理を行うことができる。
【００１０】請求項２の制御方法は、処理容器内での被
処理基板に対する所定の処理が終了した後、この処理容
器から前記被処理基板を搬出するためにこの処理容器に
設けられた可動部材が所定の動作を行うように構成され
た処理装置において、規定時間内に前記所定の動作の確
認ができなかった場合には、前記可動部材の駆動系に対
して前記所定の動作とは逆の動作を行うように命令し、
当該逆の動作を確認した後、前記駆動系に対して再度所
定の動作を行うように命令することを特徴としている。
このように被処理基板の処理後に可動部材の所定の動作
が確認できなかった場合に、逆の動作を命令し、逆の動
作を確認後、再度所定の動作を行うように命令している
ので、請求項１の場合と同様、より確実に可動部材の所
定の動作を完了させることができ、次の工程へ移ること
ができる。
処理基板に対する所定の処理が終了した後、この処理容
器から前記被処理基板を搬出するためにこの処理容器に
設けられた可動部材が所定の動作を行うように構成され
た処理装置において、規定時間内に前記所定の動作の確
認ができなかった場合には、前記可動部材の駆動系に対
して前記所定の動作とは逆の動作を行うように命令し、
当該逆の動作を確認した後、前記駆動系に対して再度所
定の動作を行うように命令することを特徴としている。
このように被処理基板の処理後に可動部材の所定の動作
が確認できなかった場合に、逆の動作を命令し、逆の動
作を確認後、再度所定の動作を行うように命令している
ので、請求項１の場合と同様、より確実に可動部材の所
定の動作を完了させることができ、次の工程へ移ること
ができる。
【００１１】請求項３の処理装置は、処理容器に設けら
れた可動部材の所定の動作の後に、当該処理容器内で被
処理基板に対して所定の処理を行うように構成され、さ
らに前記所定の動作を行うための駆動系に対して命令を
与える制御装置を備えた処理装置であって、前記制御装
置は 規定時間内に前記可動部材の所定の動作の確認が
できなかった場合に前記駆動系に対して前記所定の動作
とは逆の動作の実行を命令し、当該逆の動作を確認した
後、前記駆動系に対して再度所定の動作の実行を命令す
るように構成されたことを特徴としている。この請求項
３の処理装置においては、制御装置が既述したいわゆる
「リ・トライ」をするように構成されているので、請求
項１の制御方法をそのまま実施することができる。
れた可動部材の所定の動作の後に、当該処理容器内で被
処理基板に対して所定の処理を行うように構成され、さ
らに前記所定の動作を行うための駆動系に対して命令を
与える制御装置を備えた処理装置であって、前記制御装
置は 規定時間内に前記可動部材の所定の動作の確認が
できなかった場合に前記駆動系に対して前記所定の動作
とは逆の動作の実行を命令し、当該逆の動作を確認した
後、前記駆動系に対して再度所定の動作の実行を命令す
るように構成されたことを特徴としている。この請求項
３の処理装置においては、制御装置が既述したいわゆる
「リ・トライ」をするように構成されているので、請求
項１の制御方法をそのまま実施することができる。
【００１２】請求項４の処理装置は、処理容器内での被
処理基板に対する所定の処理が終了した後、この処理容
器から前記被処理基板を搬出するためにこの処理容器に
設けられた可動部材が所定の動作を行うように構成さ
れ、さらに前記所定の動作を行うための駆動系に対して
命令を与える制御装置を備えた処理装置であって、前記
制御装置は、規定時間内に前記可動部材の所定の動作の
確認ができなかった場合に前記駆動系に対して前記所定
の動作とは逆の動作の実行を命令し、当該逆の動作を確
認した後、前記駆動系に対して再度所定の動作の実行を
命令するように構成されたことを特徴としている。この
請求項４の処理装置においても、所定の処理が終了した
後制御装置が可動部材に対してリ・トライを行うように
構成されているので、請求項２の制御方法を好適に実施
できる。
処理基板に対する所定の処理が終了した後、この処理容
器から前記被処理基板を搬出するためにこの処理容器に
設けられた可動部材が所定の動作を行うように構成さ
れ、さらに前記所定の動作を行うための駆動系に対して
命令を与える制御装置を備えた処理装置であって、前記
制御装置は、規定時間内に前記可動部材の所定の動作の
確認ができなかった場合に前記駆動系に対して前記所定
の動作とは逆の動作の実行を命令し、当該逆の動作を確
認した後、前記駆動系に対して再度所定の動作の実行を
命令するように構成されたことを特徴としている。この
請求項４の処理装置においても、所定の処理が終了した
後制御装置が可動部材に対してリ・トライを行うように
構成されているので、請求項２の制御方法を好適に実施
できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて説明すると、本実施形態はウエハの支持ピンの
昇降動作を制御する制御装置を備えた加熱処理装置とし
て構成されており、図１はこの加熱処理装置を組み込ん
でいる処理システム１の外観を示している。
基づいて説明すると、本実施形態はウエハの支持ピンの
昇降動作を制御する制御装置を備えた加熱処理装置とし
て構成されており、図１はこの加熱処理装置を組み込ん
でいる処理システム１の外観を示している。
【００１４】この処理システム１は、被処理基板として
のウエハＷを搬入・搬出するローダ／アンローダ部２
と、ウエハＷをブラシ洗浄するブラシ洗浄装置３と、ウ
エハＷを高圧ジェット水で洗浄するジェット水洗浄装置
４と、ウエハＷの表面を疎水化処理するアドヒージョン
処理装置５と、ウエハＷを所定温度に冷却する冷却処理
装置６と、ウエハＷの表面にレジスト液を塗布するレジ
スト液塗布装置７と、レジスト液塗布の前後でウエハＷ
を加熱してプリベーク又はポストベークを行う加熱処理
装置８と、ウエハＷを現像処理する現像装置９、及び不
良のおそれがあるウエハＷを収納するためのカセットＣ
を置く載置部１０とを有している。
のウエハＷを搬入・搬出するローダ／アンローダ部２
と、ウエハＷをブラシ洗浄するブラシ洗浄装置３と、ウ
エハＷを高圧ジェット水で洗浄するジェット水洗浄装置
４と、ウエハＷの表面を疎水化処理するアドヒージョン
処理装置５と、ウエハＷを所定温度に冷却する冷却処理
装置６と、ウエハＷの表面にレジスト液を塗布するレジ
スト液塗布装置７と、レジスト液塗布の前後でウエハＷ
を加熱してプリベーク又はポストベークを行う加熱処理
装置８と、ウエハＷを現像処理する現像装置９、及び不
良のおそれがあるウエハＷを収納するためのカセットＣ
を置く載置部１０とを有している。
【００１５】上記のように構成される処理システム１の
中央部には、長手方向に沿って搬送路１１、１２が設け
られ、この搬送路１１、１２に、前記したローダ／アン
ローダ部２〜載置部１０に至る各処理装置が、正面を向
けて配置されている。そして搬送体１３、１４が、これ
らローダ／アンローダ部２〜載置部１０の各処理装置と
の間でウエハＷの受け渡しを行うために、各々搬送路１
１、１２上を移動し得るようになっている。
中央部には、長手方向に沿って搬送路１１、１２が設け
られ、この搬送路１１、１２に、前記したローダ／アン
ローダ部２〜載置部１０に至る各処理装置が、正面を向
けて配置されている。そして搬送体１３、１４が、これ
らローダ／アンローダ部２〜載置部１０の各処理装置と
の間でウエハＷの受け渡しを行うために、各々搬送路１
１、１２上を移動し得るようになっている。
【００１６】処理システム１に組み込まれた本実施形態
にかかる加熱処理装置８は、図１に示すように、搬送体
１３が移動する搬送路１１に正面を向け、アドヒージョ
ン処理装置５の上に積み重ねられて配置されている。そ
して、この加熱処理装置８の正面にはウエハＷの搬入、
搬出口である開口部８ａが設けられている。なお、加熱
処理装置８は搬送路１２側にも複数設けられている。
にかかる加熱処理装置８は、図１に示すように、搬送体
１３が移動する搬送路１１に正面を向け、アドヒージョ
ン処理装置５の上に積み重ねられて配置されている。そ
して、この加熱処理装置８の正面にはウエハＷの搬入、
搬出口である開口部８ａが設けられている。なお、加熱
処理装置８は搬送路１２側にも複数設けられている。
【００１７】加熱処理装置８は例えば図２に示すよう
に、ウエハＷを載置する載置台である熱板２１と、熱板
２１を介してウエハＷに熱を供給する発熱体２２と、熱
板２１の上方に処理空間２３を形成すべく配置されると
共に加熱処理時に発生するガスを排気するカバー部材２
４と、熱板２１及び発熱体２２の貫通孔２５を挿通して
ウエハＷを熱板２１上で受け渡しする支持ピン２６とで
主要部が構成されている。この支持ピン２６が本発明で
いう可動部材を構成している。
に、ウエハＷを載置する載置台である熱板２１と、熱板
２１を介してウエハＷに熱を供給する発熱体２２と、熱
板２１の上方に処理空間２３を形成すべく配置されると
共に加熱処理時に発生するガスを排気するカバー部材２
４と、熱板２１及び発熱体２２の貫通孔２５を挿通して
ウエハＷを熱板２１上で受け渡しする支持ピン２６とで
主要部が構成されている。この支持ピン２６が本発明で
いう可動部材を構成している。
【００１８】熱板２１及び発熱体２２は固定され、支持
ピン２６はピンシリンダ２７のピストン２８と連結して
熱板２１上に出没可能に形成されている。図３は支持ピ
ン２６が所定位置まで上昇した様子を示している。そし
て、支持ピン２６の昇降動作は各々、ピンアップセンサ
ー２９、ピンダウンセンサー３０によって感知され、こ
の情報はコントローラ３１に伝えられるようになってい
る。また、このコントローラ３１の命令により、ピンシ
リンダ２７を制御して、支持ピン２６を昇降させること
ができる。熱板２１の外周部には筒状のシャッタ３３が
昇降可能に配設されており、このシャッタ３３はシャッ
タシリンダ３４のピストン３５に連結されて、処理空間
２３を外部から区画し得るようになっている。
ピン２６はピンシリンダ２７のピストン２８と連結して
熱板２１上に出没可能に形成されている。図３は支持ピ
ン２６が所定位置まで上昇した様子を示している。そし
て、支持ピン２６の昇降動作は各々、ピンアップセンサ
ー２９、ピンダウンセンサー３０によって感知され、こ
の情報はコントローラ３１に伝えられるようになってい
る。また、このコントローラ３１の命令により、ピンシ
リンダ２７を制御して、支持ピン２６を昇降させること
ができる。熱板２１の外周部には筒状のシャッタ３３が
昇降可能に配設されており、このシャッタ３３はシャッ
タシリンダ３４のピストン３５に連結されて、処理空間
２３を外部から区画し得るようになっている。
【００１９】さて、以上のように構成された処理システ
ム１において、本発明の実施の形態にかかる加熱処理装
置８により、ウエハＷが加熱されるプロセスについて説
明する。先ず、ローダ／アンローダ部２のウエハＷが搬
送体１３によって保持される。次に、このウエハＷは搬
送体１３により、例えばブラシ洗浄装置３に搬入され、
所定の洗浄処理を施される。その後、搬送体１３によっ
て搬出され、次に洗浄液を乾燥させるため加熱処理装置
８に向かって搬送体１３により搬送される。
ム１において、本発明の実施の形態にかかる加熱処理装
置８により、ウエハＷが加熱されるプロセスについて説
明する。先ず、ローダ／アンローダ部２のウエハＷが搬
送体１３によって保持される。次に、このウエハＷは搬
送体１３により、例えばブラシ洗浄装置３に搬入され、
所定の洗浄処理を施される。その後、搬送体１３によっ
て搬出され、次に洗浄液を乾燥させるため加熱処理装置
８に向かって搬送体１３により搬送される。
【００２０】ここで、ウエハＷが搬入される前に、図４
に示される手順にて支持ピン２６が上昇させられセット
される。先ずコントローラ３１から支持ピン２６の上昇
を命令すると（ステップＳ1）、ピンアップ信号が出力
される（ステップＳ2）。次に、実際に支持ピン２６が
上昇したかどうかをピンアップセンサー２９が検出し
（ステップＳ3）、支持ピン２６の上昇が検出された場
合には、図３に示すように所定の上昇動作は完了とみな
され（ステップＳ4）、ウエハＷは装置内に搬入されて
所定の加熱処理が施される。
に示される手順にて支持ピン２６が上昇させられセット
される。先ずコントローラ３１から支持ピン２６の上昇
を命令すると（ステップＳ1）、ピンアップ信号が出力
される（ステップＳ2）。次に、実際に支持ピン２６が
上昇したかどうかをピンアップセンサー２９が検出し
（ステップＳ3）、支持ピン２６の上昇が検出された場
合には、図３に示すように所定の上昇動作は完了とみな
され（ステップＳ4）、ウエハＷは装置内に搬入されて
所定の加熱処理が施される。
【００２１】一方、ピンアップセンサー２９により支持
ピン２６の上昇が検出されない場合には、５秒間待ち
（ステップＳ5）、上昇が検出されないまま５秒間経過
した場合にはリトライ実行フラグが立っているかどうか
を確認する（ステップＳ6）。リトライ実行フラグが立
っている場合には、処理枚数がクリアーになり、リトラ
イフラグがセットされる（スッテプＳ7）。なお、リト
ライ実行フラグが立っていない場合には、アップエラー
信号が出力される（ステップＳ8）。
ピン２６の上昇が検出されない場合には、５秒間待ち
（ステップＳ5）、上昇が検出されないまま５秒間経過
した場合にはリトライ実行フラグが立っているかどうか
を確認する（ステップＳ6）。リトライ実行フラグが立
っている場合には、処理枚数がクリアーになり、リトラ
イフラグがセットされる（スッテプＳ7）。なお、リト
ライ実行フラグが立っていない場合には、アップエラー
信号が出力される（ステップＳ8）。
【００２２】次に、コントローラ３１からピンダウン信
号が出力され（ステップＳ9）、実際に支持ピン２６が
下降したかどうかをピンダウンセンサー３０が検出し
（ステップＳ10）、下降が検出されない場合には３秒間
待ち（ステップＳ11）、検出されないまま３秒間経過し
た場合にはダウンエラー信号を出力する（ステップＳ1
2）。
号が出力され（ステップＳ9）、実際に支持ピン２６が
下降したかどうかをピンダウンセンサー３０が検出し
（ステップＳ10）、下降が検出されない場合には３秒間
待ち（ステップＳ11）、検出されないまま３秒間経過し
た場合にはダウンエラー信号を出力する（ステップＳ1
2）。
【００２３】一方、ピンダウンセンサー３０により支持
ピン２６の下降が検出された場合には、コントローラ３
１からピンアップ信号が出力される（Ｓ13）。そして、
実際に支持ピン２６が上昇したかどうかをピンアップセ
ンサー２９が検出し（ステップＳ14）、支持ピン２６の
上昇が検出された場合には、リ・トライによって支持ピ
ン２６が図３に示した所定の位置に上昇したものと判断
され（ステップＳ15）、ウエハＷは装置内に搬入されて
所定の加熱処理を施される。
ピン２６の下降が検出された場合には、コントローラ３
１からピンアップ信号が出力される（Ｓ13）。そして、
実際に支持ピン２６が上昇したかどうかをピンアップセ
ンサー２９が検出し（ステップＳ14）、支持ピン２６の
上昇が検出された場合には、リ・トライによって支持ピ
ン２６が図３に示した所定の位置に上昇したものと判断
され（ステップＳ15）、ウエハＷは装置内に搬入されて
所定の加熱処理を施される。
【００２４】なお、ピンアップセンサー２９により支持
ピン２６の上昇が検出されない場合には、３秒間待ち
（ステップＳ16）、上昇が検出されないまま３秒間経過
した場合にはアップエラー信号を出力する（ステップＳ
17）。アップエラー信号が出力された場合は、この加熱
処理装置８を組み込んでいる処理システム１内の装置は
全て停止される。
ピン２６の上昇が検出されない場合には、３秒間待ち
（ステップＳ16）、上昇が検出されないまま３秒間経過
した場合にはアップエラー信号を出力する（ステップＳ
17）。アップエラー信号が出力された場合は、この加熱
処理装置８を組み込んでいる処理システム１内の装置は
全て停止される。
【００２５】このように、本実施形態にかかる加熱処理
装置８によれば、初回に支持ピン２６の上昇動作が確認
されなかったとしても、支持ピン２６を下降動作させ、
下降したことを確認後、再度上昇動作させるように命令
するので、初回の上昇動作が確認されない場合に直ちに
エラー信号を出力して装置を停止させてしまう従来の装
置と比較すると、所定の上昇動作をより確実に完了させ
ることができる。
装置８によれば、初回に支持ピン２６の上昇動作が確認
されなかったとしても、支持ピン２６を下降動作させ、
下降したことを確認後、再度上昇動作させるように命令
するので、初回の上昇動作が確認されない場合に直ちに
エラー信号を出力して装置を停止させてしまう従来の装
置と比較すると、所定の上昇動作をより確実に完了させ
ることができる。
【００２６】なお、この場合リ・トライに関わるウエハ
Ｗを特定するために、例えばシステム内の全処理工程終
了後、もしくはリ・トライに関わる処理の終了後直ちに
載置部１０にあるカセットＣに当該ウエハＷを収納する
ようにしてもよい。
Ｗを特定するために、例えばシステム内の全処理工程終
了後、もしくはリ・トライに関わる処理の終了後直ちに
載置部１０にあるカセットＣに当該ウエハＷを収納する
ようにしてもよい。
【００２７】支持ピン２６の上昇が確認されると、シャ
ッタシリンダ３４のピストン３５の上昇によりシャッタ
３３が開けられる。そして、搬送体１３により開口部８
ａから搬入されてきたウエハＷを支持ピン２６上に載置
する。次いで、シャッタ３３を下降させ、支持ピン２６
を下降させる。その後、例えば３０秒間１００℃にて加
熱され、ウエハＷは乾燥させられる。
ッタシリンダ３４のピストン３５の上昇によりシャッタ
３３が開けられる。そして、搬送体１３により開口部８
ａから搬入されてきたウエハＷを支持ピン２６上に載置
する。次いで、シャッタ３３を下降させ、支持ピン２６
を下降させる。その後、例えば３０秒間１００℃にて加
熱され、ウエハＷは乾燥させられる。
【００２８】以上のようにして、所定の加熱処理の終了
したウエハＷは搬出される前に、図４に示した手順と同
じような制御方法により支持ピン２６は上昇させられ
る。
したウエハＷは搬出される前に、図４に示した手順と同
じような制御方法により支持ピン２６は上昇させられ
る。
【００２９】このように、加熱処理終了後においても支
持ピン２６の上昇動作においてリ・トライを行うように
すれば、１回目のエラー信号のみで制御を停止させてい
た従来の装置と比較すると、より確実に所定の上昇動作
を行えるようになっている。
持ピン２６の上昇動作においてリ・トライを行うように
すれば、１回目のエラー信号のみで制御を停止させてい
た従来の装置と比較すると、より確実に所定の上昇動作
を行えるようになっている。
【００３０】支持ピン２６の上昇後、シャッタシリンダ
３４のピストン３５の上昇によりシャッタ３３が開けら
れる。そして、ウエハＷは搬送体１３により開口部８ａ
から搬出される。その後、ウエハＷは他の処理装置にお
いて所定の処理を施され、ローダ／アンローダ部２に戻
される。
３４のピストン３５の上昇によりシャッタ３３が開けら
れる。そして、ウエハＷは搬送体１３により開口部８ａ
から搬出される。その後、ウエハＷは他の処理装置にお
いて所定の処理を施され、ローダ／アンローダ部２に戻
される。
【００３１】前記実施形態にかかる加熱処理装置８によ
れば、支持ピン２６の所定の上昇動作が確認されなかっ
た場合に、支持ピン２６の下降動作を命令し、下降動作
確認後、再度所定の上昇動作を行うようになっているの
で、初回に上昇動作が確認できない場合直ちに制御を終
了してしまう従来の装置と比べると、確実に上昇動作を
遂行させることができる。また、初回に所定の上昇動作
の完了が確認できない場合、システム全体を直ちに停止
する必要はなく、リ・トライにて所定の上昇動作が完了
すればシステム全体を稼働し続けることができる。従っ
て、処理中のウエハであっても厳格な時間管理を必要と
しない処理を行っていた場合、このウエハが不良になる
ことはない。なお、時間管理が厳格な処理工程の場合、
例えばレジスト液塗布後のウエハを扱う処理装置におい
てはリ・トライさせないようにしてもよい。
れば、支持ピン２６の所定の上昇動作が確認されなかっ
た場合に、支持ピン２６の下降動作を命令し、下降動作
確認後、再度所定の上昇動作を行うようになっているの
で、初回に上昇動作が確認できない場合直ちに制御を終
了してしまう従来の装置と比べると、確実に上昇動作を
遂行させることができる。また、初回に所定の上昇動作
の完了が確認できない場合、システム全体を直ちに停止
する必要はなく、リ・トライにて所定の上昇動作が完了
すればシステム全体を稼働し続けることができる。従っ
て、処理中のウエハであっても厳格な時間管理を必要と
しない処理を行っていた場合、このウエハが不良になる
ことはない。なお、時間管理が厳格な処理工程の場合、
例えばレジスト液塗布後のウエハを扱う処理装置におい
てはリ・トライさせないようにしてもよい。
【００３２】また前記加熱処理装置８のシャッター３３
の開閉において、既述したようなリ・トライによる制御
をさせるようにしてもよい。その他、アドヒージョン処
理装置５においては密閉空間を創出するチャンバの上下
動、ブラシ洗浄装置３やジェット水洗浄装置４において
は、ノズルを有するアームの移動等、この種の可動部材
を用いている全ての処理装置にリ・トライを実施させる
ようにしてもよい。
の開閉において、既述したようなリ・トライによる制御
をさせるようにしてもよい。その他、アドヒージョン処
理装置５においては密閉空間を創出するチャンバの上下
動、ブラシ洗浄装置３やジェット水洗浄装置４において
は、ノズルを有するアームの移動等、この種の可動部材
を用いている全ての処理装置にリ・トライを実施させる
ようにしてもよい。
【００３３】また載置部１０のカッセトＣは不良の可能
性のあるウエハを収納するようになっており、例えば、
ウエハにレジスト処理を施される過程で可動部材に対し
てリ・トライがあった場合は、ウエハに不良のおそれが
あるので、ウエハを特定するために全処理工程終了後、
もしくはリ・トライに関わる処理後すぐに、カセットＣ
に当該ウエハを収納し、他のウエハと区別するようにし
てもよい。
性のあるウエハを収納するようになっており、例えば、
ウエハにレジスト処理を施される過程で可動部材に対し
てリ・トライがあった場合は、ウエハに不良のおそれが
あるので、ウエハを特定するために全処理工程終了後、
もしくはリ・トライに関わる処理後すぐに、カセットＣ
に当該ウエハを収納し、他のウエハと区別するようにし
てもよい。
【００３４】なお、以上は被処理基板としてウエハＷを
用いた例について説明したが、被処理基板はＬＣＤ基板
であっても、本発明の制御装置や制御方法は応用できる
ものである。
用いた例について説明したが、被処理基板はＬＣＤ基板
であっても、本発明の制御装置や制御方法は応用できる
ものである。
【００３５】
【発明の効果】請求項１及び請求項３の発明は、被処理
基板の処理前において、可動部材の所定の動作が確認で
きなかった場合に、所定の動作の逆の動作を命令し、こ
の逆の動作を確認後、再度所定の動作を実行するよう命
令しているので、従来と比べると確実に可動部材に所定
の動作を行わせることができ、その後の被処理基板の処
理を行うことができる。また、例えば既述した従来の処
理システムのように初回に可動部材の所定の動作が確認
できないと、すぐにシステム全体を停止させるような過
剰な措置をとる必要がないので、そのまま処理装置を稼
働し続けることができ、ウエハの不良発生を抑えること
ができる。
基板の処理前において、可動部材の所定の動作が確認で
きなかった場合に、所定の動作の逆の動作を命令し、こ
の逆の動作を確認後、再度所定の動作を実行するよう命
令しているので、従来と比べると確実に可動部材に所定
の動作を行わせることができ、その後の被処理基板の処
理を行うことができる。また、例えば既述した従来の処
理システムのように初回に可動部材の所定の動作が確認
できないと、すぐにシステム全体を停止させるような過
剰な措置をとる必要がないので、そのまま処理装置を稼
働し続けることができ、ウエハの不良発生を抑えること
ができる。
【００３６】請求項２及び請求項４の発明は、被処理基
板の処理後において、可動部材の所定の動作が確認でき
なかった場合に、請求項１、３と同様、所定の動作の逆
の動作を命令し、逆の動作を確認後、再度所定の動作を
行うよう命令しているので、従来より所定の動作を確実
に可動部材に実行させることができ、そのままその後の
工程へと進むことができる。また、例えば既述した従来
の処理システムのように初回で可動部材の所定の動作が
確認できなかった場合に、直ちにシステム全体を停止さ
せるような過剰な措置をとる必要がないので、そのまま
処理装置を稼働し続けることができ、ウエハの不良発生
を抑制することが可能である。
板の処理後において、可動部材の所定の動作が確認でき
なかった場合に、請求項１、３と同様、所定の動作の逆
の動作を命令し、逆の動作を確認後、再度所定の動作を
行うよう命令しているので、従来より所定の動作を確実
に可動部材に実行させることができ、そのままその後の
工程へと進むことができる。また、例えば既述した従来
の処理システムのように初回で可動部材の所定の動作が
確認できなかった場合に、直ちにシステム全体を停止さ
せるような過剰な措置をとる必要がないので、そのまま
処理装置を稼働し続けることができ、ウエハの不良発生
を抑制することが可能である。
【図１】本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置が組
み込まれた処理システムの斜視図である。
み込まれた処理システムの斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置の断
面図である。
面図である。
【図３】図２の加熱処理装置において支持ピンが上昇し
た様子を示す断面図である。
た様子を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態にかかる支持ピンの上昇動
作時の制御についてのフローチャートである。
作時の制御についてのフローチャートである。
【図５】従来の加熱処理装置の断面図である。
【図６】従来の支持ピンの上昇動作時の制御についての
フローチャートである。
フローチャートである。
１ 処理システム ８ 加熱処理装置 １０ 載置部 ２６ 支持ピン ２７ ピンシリンダ ２８、３５ ピストン ２９ ピンアップセンサー ３０ ピンダウンセンサー ３１ コントローラ Ｃ カセット Ｗ ウエハ
Claims (4)
- 【請求項１】 処理容器に設けられた可動部材の所定の
動作の後に、当該処理容器内で被処理基板に対して所定
の処理を行うように構成された処理装置において、 規定時間内に前記所定の動作の確認ができなかった場合
には、前記可動部材の駆動系に対して前記所定の動作と
は逆の動作を行うように命令し、当該逆の動作を確認し
た後、前記駆動系に対して再度所定の動作を行うように
命令することを特徴とする、処理装置の制御方法。 - 【請求項２】 処理容器内での被処理基板に対する所定
の処理が終了した後、この処理容器から前記被処理基板
を搬出するためにこの処理容器に設けられた可動部材が
所定の動作を行うように構成された処理装置において、 規定時間内に前記所定の動作の確認ができなかった場合
には、前記可動部材の駆動系に対して前記所定の動作と
は逆の動作を行うように命令し、当該逆の動作を確認し
た後、前記駆動系に対して再度所定の動作を行うように
命令することを特徴とする、処理装置の制御方法。 - 【請求項３】 処理容器に設けられた可動部材の所定の
動作の後に、当該処理容器内で被処理基板に対して所定
の処理を行うように構成され、さらに前記所定の動作を
行うための駆動系に対して命令を与える制御装置を備え
た処理装置であって、 前記制御装置は 規定時間内に前記可動部材の所定の動
作の確認ができなかった場合に前記駆動系に対して前記
所定の動作とは逆の動作の実行を命令し、当該逆の動作
を確認した後、前記駆動系に対して再度所定の動作の実
行を命令するように構成されたことを特徴とする、処理
装置。 - 【請求項４】 処理容器内での被処理基板に対する所定
の処理が終了した後、この処理容器から前記被処理基板
を搬出するためにこの処理容器に設けられた可動部材が
所定の動作を行うように構成され、さらに前記所定の動
作を行うための駆動系に対して命令を与える制御装置を
備えた処理装置であって、 前記制御装置は、規定時間内に前記可動部材の所定の動
作の確認ができなかった場合に前記駆動系に対して前記
所定の動作とは逆の動作の実行を命令し、当該逆の動作
を確認した後、前記駆動系に対して再度所定の動作の実
行を命令するように構成されたことを特徴とする、処理
装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8323405A JPH10149977A (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | 処理装置の制御方法及び処理装置 |
| TW086115881A TW463218B (en) | 1996-11-19 | 1997-10-27 | Retrying control method and apparatus for processing apparatus |
| US08/959,192 US6141600A (en) | 1996-11-19 | 1997-10-28 | Retrying control method and apparatus for processing apparatus |
| SG1997003903A SG73476A1 (en) | 1996-11-19 | 1997-10-29 | Retrying control method and apparatus for processing apparatus |
| KR1019970061035A KR100370635B1 (ko) | 1996-11-19 | 1997-11-19 | 처리장치용재시도제어방법및장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8323405A JPH10149977A (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | 処理装置の制御方法及び処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10149977A true JPH10149977A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=18154351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8323405A Pending JPH10149977A (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | 処理装置の制御方法及び処理装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6141600A (ja) |
| JP (1) | JPH10149977A (ja) |
| KR (1) | KR100370635B1 (ja) |
| SG (1) | SG73476A1 (ja) |
| TW (1) | TW463218B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000243687A (ja) * | 1999-02-19 | 2000-09-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板温調装置、基板温調方法、基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2009135433A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-06-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| WO2010009050A3 (en) * | 2008-07-15 | 2010-04-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate lift pin sensor |
| KR20160021402A (ko) * | 2014-08-14 | 2016-02-25 | 세메스 주식회사 | 구동 어셈블리 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6580956B1 (en) * | 1999-01-29 | 2003-06-17 | Applied Composites Engineering, Inc. | Positioning system |
| WO2019027801A1 (en) * | 2017-08-01 | 2019-02-07 | Applied Materials, Inc. | ACTIVE MONITORING SYSTEM FOR PREVENTING SUBSTRATE BREAKAGE |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW268905B (ja) * | 1993-05-20 | 1996-01-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| JPH07275637A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-24 | Asahi Glass Co Ltd | 除湿方法 |
| JPH07299777A (ja) * | 1994-05-09 | 1995-11-14 | Hitachi Ltd | 搬送ロボットの制御方法 |
-
1996
- 1996-11-19 JP JP8323405A patent/JPH10149977A/ja active Pending
-
1997
- 1997-10-27 TW TW086115881A patent/TW463218B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-10-28 US US08/959,192 patent/US6141600A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-29 SG SG1997003903A patent/SG73476A1/en unknown
- 1997-11-19 KR KR1019970061035A patent/KR100370635B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000243687A (ja) * | 1999-02-19 | 2000-09-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板温調装置、基板温調方法、基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2009135433A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-06-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2010206222A (ja) * | 2007-11-05 | 2010-09-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板搬送方法及び基板処理方法 |
| WO2010009050A3 (en) * | 2008-07-15 | 2010-04-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate lift pin sensor |
| KR20160021402A (ko) * | 2014-08-14 | 2016-02-25 | 세메스 주식회사 | 구동 어셈블리 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100370635B1 (ko) | 2003-04-10 |
| KR19980042584A (ko) | 1998-08-17 |
| SG73476A1 (en) | 2000-06-20 |
| US6141600A (en) | 2000-10-31 |
| TW463218B (en) | 2001-11-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040309 |