JPH10149585A

JPH10149585A - 光ディスク及び光ディスク原盤の製造方法

Info

Publication number: JPH10149585A
Application number: JP8308245A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Takemoto; 宏之竹本
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1996-11-19
Filing date: 1996-11-19
Publication date: 1998-06-02

Abstract

(57)【要約】【課題】グルーブとピットの双方が形成された光ディ
スクであって、ピット近傍におけるグルーブの変形が少
なくて済み、しかも、より高密度記録化を図ることが可
能な光ディスクを提供する。【解決手段】光ディスク原盤を作製するマスタリング
工程において、基板上に形成されたフォトレジスト層の
うち、ピットに対応する部分を第１のレーザ光によって
露光するとともに、ランドに対応する部分を第２のレー
ザ光によって露光する。そして、このようなマスタリン
グ工程を経て作製された光ディスク原盤を用いて、グル
ーブとピットのいずれか一方がランド面よりも凹で、他
方が凸とされた光ディスクを作製する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、情報信号の記録媒
体となる光ディスク、及び光ディスクの製造に用いられ
る光ディスク原盤の製造方法に関する。詳しくは、グル
ーブとピットのいずれか一方をランド面よりも凹、他方
を凸とすることにより、高記録密度化を可能とした新規
な光ディスク及び光ディスク原盤の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】情報信号の記録媒体となる光ディスクと
しては、光ピックアップをガイドをするための案内溝で
あるグルーブが形成されるとともに、隣接するグルーブ
の間の部分であるランドに情報信号を示すピットが形成
された、いわゆるランド記録の光ディスクが広く使用さ
れている。

【０００３】このような光ディスクを作製する際は、先
ず、マスタリング工程によって光ディスク原盤を作製す
る。すなわち、先ず、ガラス基板上にフォトレジスト層
を形成し、当該フォトレジストに対して、所望するグル
ーブやピットに対応するようにレーザ光を照射して露光
し、現像処理を施す。その後、このようなレーザカッテ
ィングによってグルーブやピットに対応した凹凸が形成
されたフォトレジストを元にして、光ディスク原盤を作
製する。そして、光ディスクは、このように作製された
光ディスク原盤を元に作製される。

【０００４】ところで、上述のランド記録に対応した光
ディスク原盤を作製する際は、通常、２つの独立したレ
ーザ光を所定の間隔となるように配してフォトレジスト
を露光する。すなわち、グルーブに対応した部分を第１
のレーザ光によって露光するとともに、第１のレーザ光
とは別の第２のレーザ光によってピットに対応した部分
を露光する。このように２つの独立したレーザ光によっ
てレーザカッティングを行うことにより、それぞれのレ
ーザ光のスポット径をグルーブやピットに応じて独立に
調整することが可能となり、高精度かつ安定的に所望の
形状を得ることができるようになる。

【０００５】なお、このようなレーザカッティングに使
用されるレーザ光には、現状では、可視光領域の波長の
ものが使用されており、そのスポット径の調整は、通
常、アパーチャー又はビームエキスパンダ等を用いて実
効的な開口数ＮＡを調整することによって行われる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】光ディスクには、記録
密度の更なる増大が望まれている。そして、一般に、光
ディスクの高記録密度化を図るためには、記録トラック
間隔を狭めること、或いはトラック方向のデータ間隔、
すなわち記録データ密度を狭めることが必要とされる
が、このためには、グルーブの幅やピットの径を小さく
しなければならず、光ディスク原盤の作製に用いるレー
ザ光のスポット径を小さくする必要がある。

【０００７】そして、レーザ光のスポット径は、レーザ
光の波長をλ、実効的な開口数をＮＡとすると、λ／Ｎ
Ａで表されるので、レーザ光のスポット径を小さくする
には、レーザ光の波長λを小さくするか、開口数ＮＡを
大きくする必要がある。しかし、開口数ＮＡはすでに
０．９を越えるものを使用しており改善の余地が小さい
ので、レーザ光の波長λを小さくすることが望まれる。

【０００８】しかしながら、光ディスク原盤の作製に用
いるレーザ光には、連続発振し、且つ十分にスポット径
を絞り込むことが可能な横単一モードのレーザ光が必要
であるが、現状では、このような条件を満足するもの
で、波長λが近紫外域よりも小さいものはない。このた
め、現状では、波長λを大幅に小さくすることはできな
い。更に、近紫外域のレーザ光を使用するには、近紫外
域の光に対して開口数ＮＡが大きく、しかも空気中で使
用できるようなレンズが必要であるが、このようなレン
ズは未だ実用化されておらず、今後の開発を待たねばな
らない。しかも、波長λが小さくなり可視光領域外にな
ると、レーザ光が見えなくなるため、露光装置の保守や
調整が困難になるという問題も生じる。

【０００９】このように、光ディスク原盤の作製に用い
るレーザ光の波長λを小さくすることは難しく、したが
って、そのスポット径を小さくすることは困難である。
このため、レーザ光の波長λを小さくすることなく、記
録密度の向上を図ることが可能な方法の開発が望まれて
いる。そこで、従来より、レーザ光の波長λを小さくす
ることなく、光ディスク上に形成されるパターンを微細
化する方法がいくつか提案されている。

【００１０】例えば、特開平１−３１７２４１号公報に
おいて、フォトレジストの表面を露光前に現像液にさら
して、表面に難溶化層を形成し、これにより、フォトレ
ジストのγ特性を改善して、より微細なピットの形成を
可能とした方法が提案されている。しかしながら、この
方法では、更なる高密度化を実現しようとする場合、露
光現象に関わる温度や時間等についての条件管理が非常
に厳しくなるため、生産性が悪くなるという問題があ
る。

【００１１】また、特開平６−３０２０１５号公報及び
特開平６−２７４９４４号公報において、レーザ光の光
路上に超解像マスクを配し、この超解像マスクを介して
ビームを集光することにより、フォトレジストに入射す
るレーザ光のスポット径の微少化を図る方法が提案され
ている。しかしながら、この方法では、露光用のメイン
ビームの他にサイドビームが発生する。このため、サイ
ドビームによる露光を防ぐために、光退色性膜によるマ
スクが必要となり、更には、このようなマスクを介する
必要があるために、光源として従来の数倍の光量を有す
るものが必要となる。しかも、この方法は、プロセスが
複雑になるという問題や、グルーブとピットの双方を有
するフォーマットの露光には適さない等の問題も有して
いる。

【００１２】このように、光ディスク上に形成されるパ
ターンを微細化する方法がいくつか提案されているが、
これらの方法は多くの問題点を抱えており、実用化には
至っていないのが現状である。そこで、光ディスク上に
形成されるパターンを微細化して、更なる高記録密度化
を図ることが可能な、より実用的な方法が望まれてい
る。

【００１３】また、グルーブとピットの双方が形成され
るランド記録では、グルーブを形成するためのレーザ光
がピット近傍において相互干渉を起こすために、ピット
近傍においてグルーブが変形しやすいという問題もあ
る。これを避ける方法としては、例えば、特開平２−７
３５３９号公報において、ピット近傍においてグルーブ
を取り除く方法が提案されている。しかし、この方法で
は、ピット近傍におけるグルーブの変形は抑制される一
方、成形工程においてピットの離形性が劣化するという
問題が発生する。また、ピット近傍においてグルーブが
欠落するため、トラッキングエラー信号やトラックカウ
ント信号等の乱れが助長されやすく、トラッキング動作
やシーク動作が不安定になるという問題もある。

【００１４】本発明は、以上のような従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、グルーブとピットの双方が形
成された光ディスクであって、ピット近傍におけるグル
ーブの変形が少なくて済み、しかも、より高密度記録化
を図ることが可能な光ディスクを提供すること、並び
に、そのような光ディスクの作製に使用される光ディス
ク原盤の製造方法を提供することを目的としている。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに完成された本発明に係る光ディスクは、グルーブと
ピットを有する光ディスクであって、グルーブとピット
のいずれか一方がランド面よりも凹で、他方が凸とされ
ていることを特徴とするものである。

【００１６】この光ディスクでは、グルーブとピットの
いずれか一方がランド面よりも凹で、他方が凸とされて
いるので、光ディスク原盤を作製する際に、ランドに対
応する部分をレーザ光によって露光するとともに、ピッ
トに対応する部分をレーザ光によって露光すればよい。
すなわち、グルーブに対応する部分を露光するのではな
く、グルーブに対応する部分を未露光部分として残せば
よい。したがって、この光ディスクでは、グルーブの幅
をレーザ光のスポット径よりも小さくすることができ
る。

【００１７】また、本発明に係る光ディスク原盤の製造
方法は、光ディスク原盤を作製するマスタリング工程に
おいて、基板上にフォトレジスト層を形成し、このフォ
トレジスト層のうち、ピットに対応する部分を第１のレ
ーザ光と第２のレーザ光とを重ね合わせて露光するとと
もに、ランドに対応する部分を第２のレーザ光によって
露光することを特徴とするものである。

【００１８】この光ディスク原盤の製造方法では、未露
光部分をグルーブとするので、グルーブの幅をレーザ光
のスポット径よりも小さくすることができる。

【００１９】なお、上記光ディスク原盤の製造方法で
は、第１のレーザ光と第２のレーザ光を略同一光軸上に
配し、第１のレーザ光による露光と、第２のレーザ光に
よる露光を同時に行うことが好ましい。また、第２のレ
ーザ光のスポット径は、ランド幅に相当するようにする
ことが好ましい。また、第１のレーザ光による露光量
と、第２のレーザ光による露光量との和は、ピットに対
応する部分の露光量とすることが好ましい。また、フォ
トレジスト層は、露光閾値が上記第２のレーザ光の光強
度よりも大きい第１のフォトレジスト層と、露光閾値が
上記第２のレーザ光の光強度以下の第２のフォトレジス
ト層とを積層して形成することが好ましい。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した具体的な
実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。なお、本発明は以下の例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、任意に変更可能
であることは言うまでもない。

【００２１】本発明に係る光ディスクは、グルーブとピ
ットが形成された光ディスクであって、グルーブとピッ
トのいずれか一方がランド面よりも凹で、他方が凸であ
ることを特徴とするものである。

【００２２】このような光ディスクの一例として、図１
に、グルーブ１がランド面２よりも凸とされ、ピット３
がランド面２よりも凹とされた光ディスクを示すととも
に、図２に、グルーブ１がランド面２よりも凹とされ、
ピット３がランド面２よりも凸とされた光ディスクを示
す。また、比較のために、図３に、グルーブ１及びピッ
ト３の双方がランド面２よりも凸とされた従来の光ディ
スクを示すとともに、図４に、グルーブ１とピット３の
双方がランド面２よりも凹とされた従来の光ディスクを
示す。なお、図１乃至図４は、ディスク基板部分の断面
を拡大して模式的に示しており、実際の光ディスクで
は、このようなディスク基板上に必要に応じて記録再生
用の薄膜や保護膜等が形成される。

【００２３】従来の光ディスクでは、図３に示すよう
に、グルーブ１に対応する部分と、ピット３に対応する
部分とが、共にランド面２よりも凸であるか、或いは、
図４に示すように、グルーブ１に対応する部分と、ピッ
ト３に対応する部分とが、共にランド面２よりも凹であ
る。そして、これらの光ディスクの元となる光ディスク
原盤を作製する際は、グルーブ１に対応する部分と、ピ
ット３に対応する部分とが二つのレーザ光で独立に露光
される。そして、このような従来の光ディスクでは、グ
ルーブ１やピット３の幅が、レーザカッティング用のレ
ーザ光のスポット径に対応するため、グルーブ１やピッ
ト３を狭くするには、レーザ光のスポット径を小さくす
る必要がある。しかしながら、レーザ光のスポット径を
小さくすることは、上述したように非常に困難であり、
このため、従来の光ディスクでは高記録密度化が困難で
あった。

【００２４】これに対して、図１及び図２に示すよう
に、本発明を適用した光ディスクでは、グルーブ１とピ
ット３のいずれか一方がランド面２よりも凹で、他方が
凸とされている。したがって、これらの光ディスクの元
となる光ディスク原盤を作製する際は、後述するよう
に、ランドに対応する部分をレーザ光によって露光する
とともに、ピット３に対応する部分をレーザ光によって
露光すればよい。すなわち、グルーブ１に対応する部分
を露光するのではなく、グルーブ１に対応する部分を未
露光部分として残せばよい。したがって、図１及び図２
に示した光ディスクでは、グルーブ１の幅をレーザ光の
スポット径よりも小さくすることができ、高記録密度化
を図ることができる。

【００２５】つぎに、以上のような本発明を適用した光
ディスクの元となる光ディスク原盤を、本発明を適用し
て製造する方法について、具体的に説明する。

【００２６】本発明を適用して光ディスク原盤を作製す
る際は、先ず、図５に示すように、十分に精度良く研磨
されたガラス基板１０上に、露光閾値が異なるポジ型の
フォトレジストを２層形成する。すなわち、図５に示す
ように、ガラス基板１０上に第１のフォトレジスト層１
１を形成するとともに、第１のフォトレジスト層１１上
に第２のフォトレジスト層１２を形成する。ここで、第
１のフォトレジスト層１１は、その膜厚ｔ１が所望する
ピットの深さとなるように形成し、第２のフォトレジス
ト層１２は、その膜厚ｔ２が所望するグルーブの深さと
なるように形成する。なお、フォトレジスト層１２の膜
厚ｔ２は、グルーブの深さと同じでなくても、所望する
グルーブの深さ以上であればよい。また、第１のフォト
レジスト層１１には、第２のフォトレジスト層１２より
も、露光閾値が大きいものを使用する。

【００２７】次に、図６に示すように、以上のように形
成されたフォトレジスト層１１，１２に、同一光軸上に
配された第１のレーザ光Ｌ１と第２のレーザ光Ｌ２を照
射し、レーザカッティングを行う。ここで、第１のレー
ザ光Ｌ１は、ピットを形成するためのものであり、ピッ
トに対応する部分に照射され、ピットに対応する部分を
露光する。一方、第２のレーザ光Ｌ２は、グルーブを形
成するためのものであり、グルーブ以外の領域、すなわ
ちランドに対応する部分に照射され、ランドに対応する
部分を露光する。すなわち、第１のレーザ光Ｌ１のスポ
ット径は、ピットの幅に対応するように設定しておき、
第２のレーザ光Ｌ２のスポット径は、ランドの幅に対応
するように設定しておく。また、第１のレーザ光Ｌ１の
光強度をＰｐ、第２のレーザ光Ｌ２の光強度をＰｇ、第
１のフォトレジスト層１１の露光閾値をＰ１、第２のフ
ォトレジスト層１２の露光閾値をＰ２したとき、これら
は、下記式（１）及び（２）を満たすように設定してお
く。

【００２８】Ｐ２≦Ｐｇ≦Ｐ１・・・（１）Ｐ１≦Ｐｇ＋Ｐｐ・・・（２）すなわち、第１のレーザ光Ｌ１と第２のレーザ光Ｌ２と
が重なっている部分だけが、第１のフォトレジスト層１
１まで露光され、第２のレーザ光Ｌ２だけが照射されて
いる部分は、第２のフォトレジスト層１２だけが露光さ
れるように、第１のレーザ光Ｌ１の光強度Ｐｐと、第２
のレーザ光Ｌ２の光強度Ｐｇと、第１のフォトレジスト
層１１の露光閾値Ｐ１と、第２のフォトレジスト層１２
の露光閾値Ｐ２とを設定しておく。

【００２９】そして、図６に示すように、ピットに対応
する部分１３については、光強度がＰｐの第１のレーザ
光Ｌ１と、光強度がＰｇの第２のレーザ光Ｌ２とを重ね
て照射し、第１のフォトレジスト層１１と第２のフォト
レジスト層１２の両方を露光し、ランドに対応する部分
１４については、光強度がＰｇの第２のレーザ光Ｌ２だ
けを照射し、第２のフォトレジスト層１２だけを露光す
る。

【００３０】次に、以上のようにレーザカッティングが
なされたフォトレジスト層１１，１２に対して現像処理
を行う。ここで、現像処理は、先ず、図７に示すよう
に、第２のフォトレジスト層１２に対して現像処理を行
う。これにより、第２のフォトレジスト層１２のうち、
ランドに対応する部分１４が除去され、ランドに対応す
る部分１４と、ランドに対応する部分１４との間に、グ
ルーブに対応した凸部１５が形成される。その後、図８
に示すように、第１のフォトレジスト層１１に対して現
像処理を行う。これにより、第１のフォトレジスト層１
１のうち、ピットに対応する部分１３が除去され、ラン
ドに対応する部分の中に、ピットに対応した凹部１６が
形成される。

【００３１】なお、以上のように、フォトレジスト層１
１，１２にグルーブやピットに対応した凹凸を形成する
工程は、一般にマスタリング工程と呼ばれる。そして、
以上のようなマスタリング工程以降については、従来公
知の方法と同様の工程を経て、光ディスク原盤が作製さ
れる。

【００３２】すなわち、以上のようにフォトレジスト層
１１，１２にグルーブに対応した凸部１５や、ピットに
対応した凹部１６を形成した後は、先ず、図９に示すよ
うに、フォトレジスト層１１，１２上に銀又はニッケル
等からなる導電性薄膜を形成した上で電鋳処理を施し、
ニッケル等からなる光ディスク原盤１７をフォトレジス
ト層１１，１２上に形成する。その後、図１０に示すよ
うに、光ディスク原盤１７をフォトレジスト層１１，１
２から剥離する。これにより、グルーブとピットのいず
れか一方がランド面よりも凹で、他方が凸とされた光デ
ィスクの元となる光ディスク原盤１７が完成する。

【００３３】その後、必要に応じて、図１１に示すよう
に、光ディスク原盤１７から複製１８を作製したり、ま
た、その複製１８から更に複製を作製する。そして、そ
れらの複製を元にして、図１又は図２に示したような光
ディスクを作製する。

【００３４】以上のような光ディスク原盤の製造方法で
は、レーザカッティング時に露光されなかった部分がグ
ルーブに対応する部分となるため、所望するトラックピ
ッチが、第２のレーザ光Ｌ２のスポット径よりも大きい
ならば、スポット径よりも細いグルーブを形成すること
が可能となる。例えば、トラックピッチが０．８μｍの
場合、第２のレーザ光Ｌ２のスポット径を０．６μｍと
すれば、０．２μｍ幅のグルーブを形成することができ
る。このように、本発明を適用することにより、レーザ
カッティングに使用するレーザ光のスポット径を小さく
しなくても、グルーブの幅を大幅に狭くすることが可能
となり、記録密度を大幅に向上することができる。

【００３５】このように、本発明を適用することによ
り、レーザカッティング用のレーザ光の波長λを小さく
したり、レーザカッティング用のレーザ光を集光する対
物レンズの開口数ＮＡを大きくしたりするようなことな
く、より細いグルーブを形成することが可能となる。し
たがって、既存の露光装置に大規模な改造を施すことな
く、より細いグルーブを形成して、記録密度を増大する
ことが可能となる。

【００３６】また、グルーブとピットを２つのレーザ光
で直接描画する従来の方法では、トラックピッチが挟ま
ってくると、グルーブに対応する部分に照射されるレー
ザ光と、ピットに対応する部分に照射されるレーザ光と
が干渉してしまうため、特にピット近傍において、グル
ーブが変形しやすかった。これに対して、上述の例で
は、このような干渉を積極的に利用しており、２つのレ
ーザ光Ｌ１，Ｌ２が干渉する部分がピットに対応する凹
部１６となるように露光し、未露光部分がグルーブに対
応する凸部１５となるようにしている。したがって、第
１のレーザ光Ｌ１と第２のレーザ光Ｌ２の干渉によって
グルーブの形状が変形するようなことはなく、所望する
グルーブを精度良く形成することができる。

【００３７】つぎに、以上のような光ディスク原盤の製
造方法に使用される露光装置の一構成例を、図１２を参
照して説明する。

【００３８】この露光装置は、ガラス基板１０上に形成
されたフォトレジスト層１１，１２を露光するための露
光装置であり、露光用のレーザ光を出射するレーザ光源
２１と、パワー制御用の第１の光学変調素子２２と、ｐ
偏光を透過しｓ偏光を反射する第１のビームスプリッタ
２３とを備えている。また、第１のビームスプリッタ２
３によって反射された第１のレーザ光（ｓ偏光）Ｌ１の
光軸上には、第１のレンズ２４と、第２の光学変調素子
２５と、第２のレンズ２６と、第２のビームスプリッタ
２７と、第１のミラー２８と、第３のビームスプリッタ
２９と、第３のレンズ３０と、第２のミラー３１と、対
物レンズ３２とが順次配されている。更に、第１のビー
ムスプリッタ２３を透過したレーザ光（ｐ偏光）Ｌ２の
光軸上には、第４のビームスプリッタ３３が配されてお
り、この第４のビームスプリッタ３３によって反射され
た第２のレーザ光Ｌ２の光軸上には、第４のレンズ３４
と、第３の光学変調素子３５と、第５のレンズ３６と、
第５のビームスプリッタ３７とが、第５のビームスプリ
ッタ３７によって反射されたレーザ光Ｌ２が第３のビー
ムスプリッタ２９に入射するように、順次配されてい
る。

【００３９】この露光装置において、レーザ光源２１か
ら出射されたレーザ光Ｌ０は、第１の光学変調素子２２
に入射し、この第１の光学変調素子２２によって所定の
パワーとされる。そして、第１の光学変調素子２２によ
って所定のパワーとされたレーザ光Ｌ０は、第１のビー
ムスプリッタ２３に入射し、第１のビームスプリッタ２
３によって反射される第１のレーザ光Ｌ１と、第１のビ
ームスプリッタ２３を透過する第２のレーザ光Ｌ２とに
分離される。ここで、第１のビームスプリッタ２３によ
って反射された第１のレーザ光Ｌ１は、ピットに対応す
る部分を露光することとなり、第１のビームスプリッタ
２３を透過した第２のレーザ光Ｌ２は、ランドに対応す
る部分を露光することとなる。

【００４０】第１のビームスプリッタ２３によって反射
された第１のレーザ光Ｌ１は、第１のレンズ２４によっ
て所定のスポット径とされた上で、第２の光学変調素子
２５に入射する。この第２の光学変調素子２５は、フォ
ーマッタ３８に接続されており、フォーマッタ３８から
の信号に応じて、光ディスクに形成するピットに対応す
るように第１のレーザ光Ｌ１を変調する。

【００４１】第２の光学変調素子２５によって変調され
た第１のレーザ光Ｌ１は、第２のレンズ２６によって所
定のスポット径とされた上で第２のビームスプリッタ２
７に入射し、第２のビームスプリッタ２７によって反射
された第１のレーザ光Ｌ１は、第１のミラー２８によっ
て反射された上で、第３のビームスプリッタ２９に入射
する。

【００４２】そして、第１のレーザ光Ｌ１は、第３のビ
ームスプリッタ２９によって反射された後、第３のレン
ズ３０によって所定のスポット径とされた上で第２のミ
ラー３１によって反射されて対物レンズ３２に入射す
る。そして、対物レンズ３２に入射した第１のレーザ光
Ｌ１は、対物レンズ３２によって集光された上で、上述
したように、ガラス基板１０上に形成されたフォトレジ
スト層１１，１２に入射し、ピットに対応する部分１３
を露光する。

【００４３】一方、第１のビームスプリッタ２３を透過
した第２のレーザ光Ｌ２は、第４のビームスプリッタ３
３によって反射された後、第４のレンズ３４によって所
定のスポット径とされた上で、第３の光学変調素子３５
に入射する。この第３の光学変調素子３５は、第２の光
学変調素子２５と同様に、フォーマッタ３８に接続され
ており、フォーマッタ３８からの信号に応じて、光ディ
スクに形成するランドに対応するように第２のレーザ光
Ｌ２を変調する。

【００４４】第３の光学変調素子３５によって変調され
た第２のレーザ光Ｌ２は、第５のレンズ３６によって所
定のスポット径とされた上で第５のビームスプリッタ３
７に入射し、第５のビームスプリッタ３７によって反射
された第２のレーザ光Ｌ２は、第３のビームスプリッタ
２９に入射する。

【００４５】そして、第２のレーザ光Ｌ２は、第３のビ
ームスプリッタ２９を透過し、第１のレーザ光Ｌ１と同
一の光軸となり、その後、第１のレーザ光Ｌ１と同様
に、第３のレンズ３０によって所定のスポット径とされ
た上で第２のミラー３１によって反射されて対物レンズ
３２に入射する。そして、対物レンズ３２に入射した第
２のレーザ光Ｌ２は、対物レンズ３２によって集光され
た上で、上述したように、ガラス基板１０上に形成され
たフォトレジスト層１１，１２に入射し、ランドに対応
する部分１４を露光する。

【００４６】このときランドに対応する部分１４を露光
する第２のレーザ光Ｌ２のスポット径Ｓは、所望するラ
ンドの幅に対応するように設定しておく。換言すれば、
第２のレーザ光Ｌ２のスポット径Ｓは、所望するグルー
ブの幅をＷｇとし、所望するトラックピッチをＴｐとし
たとき、下記式（３）にように設定しておく。

【００４７】Ｓ＝Ｔｐ−Ｗｇ・・・（３）なお、上記露光装置では、第４のビームスプリッタ３３
を透過してきた光を検出する検出器を設けておき、当該
検出器によって検出された光強度に基づいて、第１の光
学変調素子２２によるパワー制御にフィードバックをか
けるようにする。また、第２のビームスプリッタ２７を
透過してきた光を検出する検出器を設けておき、当該検
出器によって検出された光強度に基づいて、第２の光学
変調素子２５による変調にフィードバックをかけるよう
にする。また、第５のビームスプリッタ３７を透過して
きた光を検出する検出器を設けておき、当該検出器によ
って検出された光強度に基づいて、第３の光学変調素子
３５による変調にフィードバックをかけるようにする。
以上のように、第１の光学変調素子２２、第２の光学変
調素子２５及び第３の光学変調素子３５に対してフィー
ドバックをかけることにより、第１のレーザ光Ｌ１及び
第２のレーザ光Ｌ２の強度変動を抑えることができる。

【００４８】なお、本発明は、グルーブとピットが形成
された光ディスク、及びそのような光ディスクの製造に
使用される光ディスク原盤の製造方法に対して広く適用
可能である。具体的には、本発明の適用の対象となる光
ディスクは、例えば、予めピットによって情報信号が書
き込まれた領域である再生専用領域だけを備えた再生専
用光ディスクや、情報信号の書き込みが可能な領域であ
る記録領域を備えた光ディスクや、予めピットによって
情報信号が書き込まれた領域である再生専用領域と、情
報信号の書き込みが可能な領域である記録領域との両方
を備えた光ディスク等である。

【００４９】これらの光ディスクにおいて、再生専用領
域は、例えば、図１３に示すように、ポリカーボネート
（ＰＣ）、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）、
ポリ塩化ビニール（ＰＶＣ）又はガラス等からなる基板
４１の上に、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｉ等の
金属又はそれらの合金等からなる反射膜４２が形成さ
れ、更に、反射膜４２の上に紫外線硬化樹脂等からなる
保護膜４３が形成されてなる。

【００５０】また、記録領域は、当該光ディスクがいわ
ゆる光磁気ディスクの場合には、例えば、図１４に示す
ように、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタア
クリレート（ＰＭＭＡ）、ポリ塩化ビニール（ＰＶＣ）
又はガラス等からなる基板５１の上に、光磁気記録層５
２が形成され、更に、光磁気記録層５２の上に紫外線硬
化樹脂等からなる保護膜５３が形成されてなる。ここ
で、光磁気記録層５２は、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ、Ｚ
ｎＳ等からなる第１の誘電体薄膜５２ａと、ＴｂＦｅＣ
ｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ等
からなる稀土類−遷移金属合金薄膜５２ｂと、ＳｉＮ、
ＳｉＯ、ＺｎＳ等からなる第２の誘電体薄膜５２ｃと、
Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属又はそれ
らの合金等からなる反射膜５２ｄとを順次積層した４層
構造の積層膜が好適である。

【００５１】また、記録領域は、当該光ディスクがいわ
ゆる相変化型光ディスクの場合には、例えば、図１５に
示すように、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメ
タアクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリ塩化ビニール（ＰＶ
Ｃ）又はガラス等からなる基板６１の上に、相変化型記
録層６２が形成され、更に、相変化型記録層６２の上に
紫外線硬化樹脂等からなる保護膜６３が形成されてな
る。ここで、相変化型記録層６２は、例えば、ＺｎＳ、
ＳｉＯ２、ＳｉＮ又はそれらの合金等からなる第１の誘
電体薄膜６２ａと、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｂｉ、Ｔｅのい
ずれかを含む２又は３元のカルコゲン金属合金薄膜６２
ｂと、ＺｎＳ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ又はそれらの合金等か
らなる第２の誘電体薄膜６２ｃと、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、
Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属又はそれらの合金等からなる
反射膜６２ｄとを順次積層した４層構造の積層膜が好適
である。

【００５２】なお、本発明では、グルーブとピットのい
ずれか一方をランド面よりも凹で、他方を凸としている
が、記録再生時における光学的な特性は、グルーブとピ
ットの両方が凹又は凸とされた従来の光ディスクと同様
である。したがって、本発明を適用した光ディスクは、
従来の光ディスクと互換性を持たせることができる。す
なわち、本発明を適用した光ディスクにおいても、例え
ば、現行のＩＳＯ規格に準拠した光ディスク、具体的に
はディスク径が９０ｍｍや１３０ｍｍとされた既存の光
磁気ディスク等と、互換性を持たせることができる。

【００５３】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、グルーブの幅をより狭くすることが可能とな
るので、光ディスクの記録密度を大幅に増大することが
可能となる。

【００５４】また、本発明によれば、ピット近傍におけ
るグルーブの変形を抑えることができるので、トラッキ
ングエラー信号やトラックカウント信号の乱れを少なく
することができ、トラッキング動作やシーク動作を安定
なものとすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した光ディスクの一例を示す要部
断面図である。

【図２】本発明を適用した光ディスクの他の例を示す要
部断面図である。

【図３】従来の光ディスクの一例を示す要部断面図であ
る。

【図４】従来の光ディスクの他の例を示す要部断面図で
ある。

【図５】光ディスク原盤の製造工程を示す図であり、ガ
ラス基板上にフォトレジスト層を形成した状態を示す図
である。

【図６】光ディスク原盤の製造工程を示す図であり、フ
ォトレジストをレーザ光によって露光する様子を示す図
である。

【図７】光ディスク原盤の製造工程を示す図であり、第
２のフォトレジスト層に対して現像処理を施した状態を
示す図である。

【図８】光ディスク原盤の製造工程を示す図であり、第
１のフォトレジスト層に対して現像処理を施した状態を
示す図である。

【図９】光ディスク原盤の製造工程を示す図であり、フ
ォトレジスト上に光ディスク原盤を形成した状態を示す
図である。

【図１０】光ディスク原盤の製造工程を示す図であり、
光ディスク原盤をフォトレジストから剥離する様子を示
す図である。

【図１１】光ディスク原盤の製造工程を示す図であり、
光ディスク原盤の複製を作製する様子を示す図である。

【図１２】露光装置の一構成例を示す図である。

【図１３】光ディスクの再生専用領域の一例を示す要部
断面図である。

【図１４】光磁気ディスクの記録領域の一例を示す要部
断面図である。

【図１５】相変化型光ディスクの記録領域の一例を示す
要部断面図である。

【符号の説明】

１グルーブ、２ランド面、３ピット

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】グルーブとピットを有する光ディスクに
おいて、グルーブとピットのいずれか一方がランド面よりも凹
で、他方が凸とされていることを特徴とする光ディス
ク。
【請求項２】光ディスク原盤を作製するマスタリング
工程において、基板上にフォトレジスト層を形成し、上記フォトレジスト層のうち、ピットに対応する部分を
第１のレーザ光と第２のレーザ光とを重ね合わせて露光
するとともに、ランドに対応する部分を第２のレーザ光
によって露光することを特徴とする光ディスク原盤の製
造方法。
【請求項３】上記第１のレーザ光と上記第２のレーザ
光を略同一光軸上に配し、第１のレーザ光による露光
と、第２のレーザ光による露光を同時に行うことを特徴
とする請求項２記載の光ディスク原盤の製造方法。
【請求項４】上記第２のレーザ光のスポット径が、ラ
ンド幅に相当していることを特徴とする請求項２記載の
光ディスク原盤の製造方法。
【請求項５】上記第１のレーザ光による露光量と、上
記第２のレーザ光による露光量との和が、ピットに対応
する部分の露光量とされることを特徴とする請求項２記
載の光ディスク原盤の製造方法。
【請求項６】上記フォトレジスト層を、露光閾値が上
記第２のレーザ光の光強度よりも大きい第１のフォトレ
ジスト層と、露光閾値が上記第２のレーザ光の光強度以
下の第２のフォトレジスト層とを積層して形成すること
を特徴とする請求項２記載の光ディスク原盤の製造方
法。