JPH10144846A - 半導体装置及びリードフレーム - Google Patents

半導体装置及びリードフレーム

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JPH10144846A
JPH10144846A JP8303059A JP30305996A JPH10144846A JP H10144846 A JPH10144846 A JP H10144846A JP 8303059 A JP8303059 A JP 8303059A JP 30305996 A JP30305996 A JP 30305996A JP H10144846 A JPH10144846 A JP H10144846A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置及びリードフレームに関し、放熱
板を正確な位置でパッケージ外枠部材に取り付けること
ができ、且つその後でメッキを行うことができるように
することを目的とする。 【解決手段】 第1及び第2のメタライズパターンを有
する絶縁体のパッケージ外枠部材12と、該パッケージ
外枠部材12の第1のメタライズパターンに接続される
外部リード14と、該外部リードと実質的に同一平面内
に配置され且つ該パッケージ外枠部材の第2のメタライ
ズパターンに接続される放熱板16と、該放熱板とは異
なった材料で作られ、該パッケージ外枠部材12の第2
のメタライズパターンに接続されて該放熱板16の位置
を規制する少なくとも1つの位置決め用ダミーリード3
0と、該パッケージ外枠内において該放熱板16に搭載
される半導体チップとを備えた構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及びリー
ドフレームに関する。特に、本発明は放熱板付き半導体
装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置は、セラミックパッケージ外
枠部材と、パッケージ外枠部材に取りつけられる放熱板
と、放熱板に搭載される半導体チップと、パッケージ外
枠部材に取りつけられる外部リードとを含む。これらの
各部材はロウ付けによって互いに固定される。
【0003】セラミックパッケージ外枠部材は絶縁性で
あるので、パッケージ外枠部材には外部リード用のメタ
ライズパターンと、放熱板用のメタライズパターンとが
印刷されている。外部リードはロウ材を介して外部リー
ド用のメタライズパターンの上に載せられ、放熱板はロ
ウ材を介して放熱板用のメタライズパターンの上に載せ
られ、これらを加熱することにより、ロウ付けされて、
外部リード及び放熱板がパッケージ外枠部材に固定され
る。外部リード及び放熱板がパッケージ外枠部材に固定
された後、これらの部材にニッケル及び金をメッキし、
半導体チップが放熱板にダイボンディングされる。
【0004】外部リードはリードフレームとして作られ
る。外部リードはロウ付けの高温に耐えてその強度を確
保するために鉄−ニッケル系の合金で作られることが多
い。一方、放熱板は、鉄−ニッケル系の合金で作られる
場合と、銅又は銅系の合金で作られる場合とがある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】放熱板を鉄−ニッケル
系の合金で作る場合には、放熱板と外部リードとを一体
的にリードフレームで作ることができるので、放熱板及
び外部リードをパッケージ外枠部材に取り付けるときに
比較的に容易に取り付けることができる。ただし、鉄−
ニッケル系の合金は熱伝導性が悪く、ハイパワーの半導
体装置の放熱板としては適していない。
【0006】放熱板を銅又は銅系の合金で作る場合に
は、熱伝導性の良好な放熱板となる。しかし、銅系の合
金の場合、約800℃の高温でロウ付けされるため、軟
化しリード強度が弱くリード材としては、適していな
い。従って、放熱板は外部リードとは別の単体とする場
合が多い。放熱板は独立してパッケージ外枠部材に取り
付けなければならない。放熱板は他の部材に固定されて
いないので、ロウ付け時に自由に動き、位置ずれの問題
が発生する。
【0007】また、外部リード及び放熱板をパッケージ
外枠部材に固定した後で、これらの部材をメッキする。
通常は、外部リード(リードフレーム)を電極として電
解メッキを行う。しかし、銅の放熱板は外部リードとは
電気的に接続されていないので、そのままでは放熱板は
メッキされないため、クリップ等でメッキ前に接続しメ
ッキ後に脱す方法が用いられている。
【0008】ロウ付けの際に放熱板をパッケージ外枠部
材に固定するための対策として、カーボン治具によって
位置合わせを行う方法や、放熱板を特定の段付き形状に
する方法がある。しかし、カーボン治具によって位置合
わせを行う方法では、放熱板がパッケージ外枠部材に直
接的に保持されないため、位置合わせの精度が悪い。放
熱板を特定の段付き形状にする方法では、放熱板の加工
によるコストアップとなる。また、放熱板を保持するた
めに、パッケージ外枠部材を特別の形状にする場合も、
コストアップとなる。
【0009】本発明の目的は、上記問題点を解決し、ロ
ウ付け時に放熱板を正確な位置でパッケージ外枠部材に
保持することができ、且つその後で簡単にメッキを行う
ことができるようにした半導体装置及びリードフレーム
を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
は、第1及び第2のメタライズパターンを有する絶縁体
のパッケージ外枠部材と、該パッケージ外枠部材の第1
のメタライズパターンに接続される外部リードと、該外
部リードと実質的に同一平面内に配置され且つ該パッケ
ージ外枠部材の第2のメタライズパターンに接続される
放熱板と、該放熱板とは異なった材料で作られ、該パッ
ケージ外枠部材の第2のメタライズパターンに接続され
て該放熱板の位置を規制する少なくとも1つの位置決め
用ダミーリードと、該パッケージ外枠内において該放熱
板に搭載される半導体チップとを備えたことを特徴とす
るものである。
【0011】また、本発明によるリードフレームは、パ
ッケージ外枠部材と、放熱板と、半導体デバイスとを有
する半導体装置に取りつけられるリードフレームであっ
て、第1の対のフレーム部分と第2の対のフレーム部分
とを有する環状の四角形状に形成されたフレームと、該
第1の対のフレーム部分から内側に延びる外部リード
と、該第2の対のフレーム部分の少なくとも一方から内
側に延びる少なくとも1つの位置決め用ダミーリードと
を有し、該少なくとも1つの位置決め用ダミーリード
は、放熱板がパッケージ外枠部材に取りつけられるとき
に該放熱板の位置を規制するように形成され、且つ放熱
板がパッケージ外枠部材に取りつけられた後で該第2の
対のフレーム部分の少なくとも一方から分離されるよう
にしたことを特徴とするものである。
【0012】上記構成においては、リードフレームに、
放熱板がパッケージ外枠部材に取りつけられるときに放
熱板の位置を規制する位置決め用ダミーリードが設けら
れている。位置決め用ダミーリードは、放熱板がパッケ
ージ外枠部材に取りつけられるときに放熱板の位置を規
制して放熱板が所定の位置に固定されるのを保証する。
位置決め用ダミーリードは、リードフレームのリード
(外部リード)と接続されているので、外部リード(リ
ードフレーム)を電極として電解メッキを行うと、放熱
板がメッキされる。
【0013】位置決め用ダミーリードは、その後でリー
ドフレームから切断、分離され、位置決め用ダミーリー
ドの一部は最終的に半導体装置の内部に残っている。た
だし、この状態では、位置決め用ダミーリードはリード
(外部リード)とは電気的には分離されている。好まし
くは、該少なくとも1つの位置決め用ダミーリードは外
部リードと同じ材料で形成され、該外部リードと実質的
に同一平面内に該外部リードとは分離して配置されてい
る。
【0014】好ましくは、外部リードは鉄−ニッケル系
の合金からなり、放熱板は銅、銅合金、タングステン、
及びモリブデンのグループの中から選ばれた金属からな
り、該外部リードリードと該少なくとも1つの位置決め
用ダミーリードと該放熱板とは共通のメッキを施されて
いる。好ましくは、該少なくとも1つの位置決め用ダミ
ーリードは、放熱板の端部との間に微小な間隔を開けて
配置される。
【0015】好ましくは、該少なくとも1つの位置決め
用ダミーリードは、放熱板の両側に対向して配置される
2つの位置決め用ダミーリードからなる。この場合、該
2つの位置決め用ダミーリードの大きさが互いに異なっ
ている構成とすることができる。好ましくは、該少なく
とも1つの位置決め用ダミーリードは、放熱板の両側に
対向して配置される2つの位置決め用ダミーリードから
なり、該2つの位置決め用ダミーリードの各々は該パッ
ケージ外枠部材の端部に位置する第1の部分と、放熱板
に対面する第2の部分とを有し、該第2の部分は該第1
の部分よりも大きい。この場合、該位置決め用ダミーリ
ードの該第2の部分は対面する放熱板の辺よりも長く、
放熱板の角に沿って曲げられている構成とすることがで
きる。
【0016】好ましくは、該少なくとも1つの位置決め
用ダミーリードは、放熱板の両側に第1の線に沿って対
向して配置される第1の対の2つの位置決め用ダミーリ
ードと、放熱板の両側に第1の線と直交する第2の線に
沿って対向して配置される第2の対の2つの位置決め用
ダミーリードとからなる。好ましくは、放熱板を取り囲
む環状部分と、該環状部分から該パッケージ外枠部材の
端部に向かって延びる2つの直線状部分とからなる。こ
の場合、該2つの直線状部分の一方は他方のものと形状
が異なっている構成とすることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】図3は本発明の一例の半導体装置
10を示す図である。半導体装置10は、セラミックの
パッケージ外枠部材12と、外部リード14と、放熱板
16と、半導体チップ18とからなる。パッケージ外枠
部材12はロア外枠部材12aとアッパ外枠部材12b
とからなり、アッパ外枠部材12bの上にはキャップ2
0が取りつけられる。ロア外枠部材12aは穴12cを
有し、半導体チップ18はこの穴12c内にあって放熱
板16に搭載される。
【0018】図4に示すように、ロア外枠部材12aは
印刷により形成されたモリブデン又はタングステンの第
1のメタライズパターン22を有する。第1のメタライ
ズパターン22はロア外枠部材12aの上面の内周部分
から側面を経て底面の外周部分へ延びる。さらに、ロア
外枠部材12aは印刷により形成されたモリブデン又は
タングステンの第2のメタライズパターン24を有す
る。第2のメタライズパターン24はロア外枠部材12
aの底面の内周部分に位置している。また、第3のメタ
ライズパターン(図示せず)が第2のメタライズパター
ン24からロア外枠部材12a及びアッパ外枠部材12
bの側面を経てアッパ外枠部材12bの上面へ延びるよ
うに形成されている。
【0019】図3に示すように、ボンディングワイヤ2
6が半導体チップ18と第1のメタライズパターン22
の上端部分とを接続する。外部リード14は第1のメタ
ライズパターン22の下端部分上に位置する。放熱板1
6は第2のメタライズパターン24上に位置する。図1
は、リードフレーム28及び放熱板16をパッケージ外
枠部材12に取り付けるところを示している。図1で
は、図3のパッケージ外枠部材12が逆さまにされて例
えばカーボン治具に支持され、リードフレーム28及び
放熱板16がパッケージ外枠部材12の上に載せられ
る。
【0020】リードフレーム28は、第1の対のフレー
ム部分28a、28bと第2の対のフレーム部分28
c、28dとを有する環状の四角形状に形成されたフレ
ームを含む。リードフレーム28は、第1の対のフレー
ム部分28a、28bから内側に延びる外部リード14
と、第2の対のフレーム部分28c、28dから内側に
延びる位置決め用ダミーリード30とを有する。外部リ
ード14と、位置決め用ダミーリード30と、放熱板1
6とは同一平面内にある。
【0021】図1において、パッケージ外枠部材12の
第1のメタライズパターン22はパッケージ外枠部材1
2の底面の周辺部にあって、その上に外部リード14の
先端部が載っている。第2のメタライズパターン24は
パッケージ外枠部材12の底面の中央部にあって、その
上に放熱板16が載っている。位置決め用ダミーリード
30は第2のメタライズパターン24に載っている。従
って、第1のメタライズパターン22と第2のメタライ
ズパターン24とは分離されているが、外部リード14
と放熱板16とは位置決め用ダミーリード30及びフレ
ーム部分28a,28b,28c,28dを介して電気
的に接続される。
【0022】位置決め用ダミーリード30の先端は放熱
板16の位置を規制するために放熱板16の端部との間
に微小な間隔を開けて配置される。実施例においては、
位置決め用ダミーリード30と放熱板16との間のギャ
ップは0.2mmであった。すなわち、放熱板16の寸法
が3.5mmであり、位置決め用ダミーリード30の先端
間の間隔が3.7mmであった。
【0023】外部リード14は42アロイ(鉄−ニッケ
ルの合金)の板で作られ、板厚0.15mmであった。メ
タライズパターン22,24はモリブデンメタライズ上
にニッケルメッキしたものであった。放熱板16は銅の
板で作られ、板厚0.15mmであった。外部リード14
と第1のメタライズパターン22との間には銀ロウ(銀
と銅の合金)を挿入、放熱板16と第2のメタライズパ
ターン24との間にも銀ロウを挿入した。そして、リー
ドフレーム28及び放熱板16を載せたパッケージ外枠
部材12を800℃の加熱炉に入れた。よって、銀ロウ
は溶融し、リードフレーム28及び放熱板16はパッケ
ージ外枠部材12にロウ付けされた。銀ロウの融点は高
いので、外部リード14は鉄−ニッケル系の合金として
強度を確保するのが望ましい。一方、放熱板は熱伝導性
の優れた銅、銅合金、タングステン、及びモリブデンの
グループの中から選ばれた金属からなるのが好ましい。
その結果、放熱板16は他の部材に保持されていないの
で、ロウ付け時に自由に動き、位置ずれの問題が発生す
る。
【0024】本発明では、リードフレーム28に一体的
に設けられた位置決め用ダミーリード30があるので、
ロウ付け時に放熱板16の動きが規制され、放熱板16
は所定の位置でパッケージ外枠部材12にロウ付けされ
ることができる。もし位置決め用ダミーリード30がな
くて放熱板16が自由に動くことができると、放熱板1
6は0.5mm程度動くことが観察された。放熱板16は
直線方向に動くだけでなく、回転する。本願によれば、
例えば、上記ギャップ0.2mmにすることで、放熱板1
6を実用的に問題のない位置精度でパッケージ外枠部材
12に取り付けることができた。
【0025】リードフレーム28及び放熱板16がパッ
ケージ外枠部材12に取り付けられたら、この組立体に
メッキをする。メッキは金属の部分にのみされる。この
とき、リードフレーム28を電極として、ニッケルメッ
キ及び金メッキを行う。放熱板16は、第2のメタライ
ズパターン24、位置決め用ダミーリード30、フレー
ム部分28a、28b、28c、28dを介して外部リ
ード14と電気的に接続されているので、放熱板16に
もメッキが施される。さらに、上記したように、第3の
メタライズパターンが第2のメタライズパターン24か
らロア外枠部材12a及びアッパ外枠部材12bの側面
を経てアッパ外枠部材12bの上面へ延びるように形成
されているので、アッパ外枠部材12bの上面にもメッ
キが施される。
【0026】その後、半導体チップ18を放熱板16に
ダイボンディングすることができ、キャップ20をパッ
ケージ外枠部材12に固定することができる。位置決め
用ダミーリード30はメッキ後の適当な時期にリードフ
レーム28の第2の対のフレーム部分28c、28dか
ら切断、分離される。外部リード14が第1の対のフレ
ーム部分28a、28bから切断、分離されるのは言う
までもない。
【0027】図2は、外部リード14及び位置決め用ダ
ミーリード30が切断された後の半導体装置10の底面
を示す図である。位置決め用ダミーリード30の一部は
半導体装置10内に残る。図5は本発明の他の例を示す
図である。この例では、2つの位置決め用ダミーリード
30が放熱板16の両側に対向して配置され、各位置決
め用ダミーリード30はパッケージ外枠部材12の端部
に位置する第1の部分30aと、放熱板16に対面する
第2の部分30bとを有し、第2の部分30bは第1の
部分30aよりも大きい。こうすることによって、位置
決め用ダミーリード30はより確実に放熱板16の位置
を規制することができる。その他の構成は前の実施例と
同様である。
【0028】図6は本発明の他の例を示す図である。こ
の例では、図5の例と同様に、2つの位置決め用ダミー
リード30が放熱板16の両側に対向して配置され、各
位置決め用ダミーリード30はパッケージ外枠部材12
の端部に位置する第1の部分30aと、放熱板16に対
面する第2の部分30bとを有し、第2の部分30bは
第1の部分30aよりも大きい。
【0029】図6においては、さらに、位置決め用ダミ
ーリード30の第2の部分30bは対面する放熱板16
の辺よりも長く、放熱板16の角に沿って曲げられてい
る。こうすることによって、位置決め用ダミーリード3
0はより確実に放熱板16の位置を規制することができ
る。その他の構成は前の実施例と同様である。図6にお
いては、パッケージ外枠部材12のメタライズパターン
は省略されている。
【0030】図7は本発明の他の例を示す図である。こ
の例では、位置決め用ダミーリード30は、放熱板16
を取り囲む環状部分30cと、該環状部分30cからパ
ッケージ外枠部材12の端部に向かって延びる2つの直
線状部分30dとからなる。こうすることによって、位
置決め用ダミーリード30はより確実に放熱板16の位
置を規制することができる。その他の構成は前の実施例
と同様である。図7においては、パッケージ外枠部材1
2のメタライズパターンは省略されている。
【0031】図8及び図9は本発明の他の例を示す図で
ある。この例では、図7の例と同様に、位置決め用ダミ
ーリード30は、放熱板16を取り囲む環状部分30c
と、該環状部分30cからパッケージ外枠部材12の端
部に向かって延びる2つの直線状部分30dとからな
る。この例では、さらに、2つの直線状部分30dの一
方は他方のものと形状が異なっている。すなわち、一方
の直線状部分30dにはスリット30eが設けられてい
る。
【0032】図9は半導体装置10の完成状態の平面図
であり、キャップ20が見えている。パッケージ外枠部
材12の側部には凹部12rが設けられ、それによっ
て、位置決め用ダミーリード30の直線状部分30dが
パッケージ外枠部材12の側面と同一面で切断できるよ
うになっている。そして、位置決め用ダミーリード30
の直線状部分30dのスリット30eが見える。このス
リット30eは外部リード14の配列に対してインデッ
クスとして作用し、スリット30eのある直線状部分3
0dを参考にしてどの外部リード14が1番ピンである
かが分かるようになっている。さらに、パッケージ外枠
部材12の直交する側部にも凹部12pが設けられてい
る。なお、パッケージ外枠部材12の側部の凹部12
r、12pと同様の凹部は図1及び図2にも示されてい
る。
【0033】図10は本発明の他の例を示す図である。
この例では、2つの位置決め用ダミーリード30が放熱
板16の両側に対向して配置され、2つの位置決め用ダ
ミーリード30の大きさが互いに異なっている。これに
よって、例えば太い方の位置決め用ダミーリード30は
外部リード14の配列に対してインデックスとして作用
し、どの外部リード14が1番ピンであるかが分かる。
【0034】図11は本発明の他の例を示す図である。
この例では、放熱板16の両側に第1の線(例えば図1
1で垂直方向の線)に沿って対向して配置される第1の
対の2つの位置決め用ダミーリード30と、放熱板16
の両側に第1の線と直交する第2の線(例えば図11で
水平方向の線)に沿って対向して配置される第2の対の
2つの位置決め用ダミーリード30xとからなる。この
ように、位置決め用ダミーリードは外部リード14のな
いパッケージ外枠部材12の側部にのみ設けられるとは
限らない。
【0035】図12は本発明の他の例を示す図である。
この例では、1つの位置決め用ダミーリード30が放熱
板16の位置を規制するために設けられている。上記し
たように、放熱板16はロウ付け時に直線方向に動いた
り、回転したりするので、1つの位置決め用ダミーリー
ド30でも放熱板16の運動をある程度規制することが
できる。
【0036】図12及び13は本発明の他の例を示す図
である。図12及び13は半導体装置10を互いに反対
側からみた斜視図である。一方の位置決め用ダミーリー
ド30は半導体装置10(パッケージ外枠部材12)の
側面で切断され、他方の位置決め用ダミーリード30は
半導体装置10(パッケージ外枠部材12)の側面より
もわずかに外側で切断されている。従って、この場合に
も、位置決め用ダミーリード30をインデックスとして
使用することができる。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
放熱板を正確な位置でパッケージ外枠部材に取り付ける
ことができ、且つその後で簡単にメッキを行うことがで
きるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例のリードフレーム及び放熱板及
びパッケージ外枠部材を示す図である。
【図2】図1のリードフレームを除去したパッケージ外
枠部材を示す図である。
【図3】本発明の半導体装置を示す断面図である。
【図4】図3のアッパ外枠部材及びメタライズパターン
を示す図である。
【図5】本発明の他の例のリードフレーム及び放熱板及
びパッケージ外枠部材を示す図である。
【図6】本発明の他の例のリードフレーム及び放熱板及
びパッケージ外枠部材を示す図である。
【図7】本発明の他の例のリードフレーム及び放熱板及
びパッケージ外枠部材を示す図である。
【図8】本発明の他の例のリードフレーム及び放熱板及
びパッケージ外枠部材を示す図である。
【図9】図8の半導体装置の完成状態の平面図である。
【図10】本発明の他の例のリードフレーム及び放熱板
及びパッケージ外枠部材を示す図である。
【図11】本発明の他の例のリードフレーム及び放熱板
及びパッケージ外枠部材を示す図である。
【図12】本発明の他の例のリードフレーム及び放熱板
及びパッケージ外枠部材を示す図である。
【図13】本発明の半導体装置を示す斜視図である。
【図14】図13の半導体装置を反対方向から見た斜視
図である。
【符号の説明】
10…半導体装置 12…パッケージ外枠部材 14…外部リード 16…放熱板 18…半導体チップ 20…キャップ

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1及び第2のメタライズパターンを有
    する絶縁体のパッケージ外枠部材と、該パッケージ外枠
    部材の第1のメタライズパターンに接続される外部リー
    ドと、該外部リードと実質的に同一平面内に配置され且
    つ該パッケージ外枠部材の第2のメタライズパターンに
    接続される放熱板と、該放熱板とは異なった材料で作ら
    れ、該パッケージ外枠部材の第2のメタライズパターン
    に接続されて該放熱板の位置を規制する少なくとも1つ
    の位置決め用ダミーリードと、該パッケージ外枠内にお
    いて該放熱板に搭載される半導体チップとを備えたこと
    を特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 該少なくとも1つの位置決め用ダミーリ
    ードは外部リードと同じ材料で形成され、該外部リード
    と実質的に同一平面内に該外部リードとは分離して配置
    されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装
    置。
  3. 【請求項3】 外部リードは鉄−ニッケル系の合金から
    なり、放熱板は銅、銅合金、タングステン、及びモリブ
    デンのグループの中から選ばれた金属からなり、該外部
    リードリードと該少なくとも1つの位置決め用ダミーリ
    ードと該放熱板とは共通のメッキを施されていることを
    特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
  4. 【請求項4】 該少なくとも1つの位置決め用ダミーリ
    ードは、放熱板の端部との間に微小な間隔を開けて配置
    されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  5. 【請求項5】 該少なくとも1つの位置決め用ダミーリ
    ードは、放熱板の両側に対向して配置される2つの位置
    決め用ダミーリードからなることを特徴とする請求項1
    に記載の半導体装置。
  6. 【請求項6】 該2つの位置決め用ダミーリードの大き
    さが互いに異なっていることを特徴とする請求項5に記
    載の半導体装置。
  7. 【請求項7】 該少なくとも1つの位置決め用ダミーリ
    ードは、放熱板の両側に対向して配置される2つの位置
    決め用ダミーリードからなり、該2つの位置決め用ダミ
    ーリードの各々は該パッケージ外枠部材の端部に位置す
    る第1の部分と、放熱板に対面する第2の部分とを有
    し、該第2の部分は該第1の部分よりも大きいことを特
    徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  8. 【請求項8】 該位置決め用ダミーリードの該第2の部
    分は対面する放熱板の辺よりも長く、放熱板の角に沿っ
    て曲げられていることを特徴とする請求項7に記載の半
    導体装置。
  9. 【請求項9】 該少なくとも1つの位置決め用ダミーリ
    ードは、放熱板の両側に第1の線に沿って対向して配置
    される第1の対の2つの位置決め用ダミーリードと、放
    熱板の両側に第1の線と直交する第2の線に沿って対向
    して配置される第2の対の2つの位置決め用ダミーリー
    ドとからなることを特徴とする請求項1に記載の半導体
    装置。
  10. 【請求項10】 該少なくとも1つの位置決め用ダミー
    リードは、放熱板を取り囲む環状部分と、該環状部分か
    ら該パッケージ外枠部材の端部に向かって延びる2つの
    直線状部分とからなることを特徴とする請求項1に記載
    の半導体装置。
  11. 【請求項11】 該2つの直線状部分の一方は他方のも
    のと形状が異なっていることを特徴とする請求項10に
    記載の半導体装置。
  12. 【請求項12】 パッケージ外枠部材と、放熱板と、半
    導体チップとを有する半導体装置に取りつけられるリー
    ドフレームであって、第1の対のフレーム部分と第2の
    対のフレーム部分とを有する環状の四角形状に形成され
    たフレームと、該第1の対のフレーム部分から内側に延
    びる外部リードと、該第2の対のフレーム部分の少なく
    とも一方から内側に延びる少なくとも1つの位置決め用
    ダミーリードとを有し、該少なくとも1つの位置決め用
    ダミーリードは、放熱板がパッケージ外枠部材に取りつ
    けられるときに該放熱板の位置を規制するように形成さ
    れ、且つ放熱板がパッケージ外枠部材に取りつけられた
    後で該第2の対のフレーム部分の少なくとも一方から分
    離されるようにしたことを特徴とするリードフレーム。
  13. 【請求項13】 該少なくとも1つの位置決め用ダミー
    リードは、放熱板の端部との間に微小な間隔を開けて配
    置されるように形成されることを特徴とする請求項12
    に記載のリードフレーム。
  14. 【請求項14】 該少なくとも1つの位置決め用ダミー
    リードは、該第2の対のフレーム部分の両方から内側に
    延びる2つの位置決め用ダミーリードからなることを特
    徴とする請求項12に記載のリードフレーム。
  15. 【請求項15】 該2つの位置決め用ダミーリードの大
    きさが互いに異なっていることを特徴とする請求項14
    に記載のリードフレーム。
  16. 【請求項16】 該少なくとも1つの位置決め用ダミー
    リードは、放熱板の両側に対向して配置される2つの位
    置決め用ダミーリードからなり、該2つの位置決め用ダ
    ミーリードの各々は該パッケージ外枠部材の端部に位置
    する第1の部分と、放熱板に対面する第2の部分とを有
    し、該第2の部分は該第1の部分よりも大きいことを特
    徴とする請求項12に記載のリードフレーム。
  17. 【請求項17】 該位置決め用ダミーリードの該第2の
    部分は対面する放熱板の辺よりも長く、放熱板の角に沿
    って曲げられていることを特徴とする請求項16に記載
    のリードフレーム。
  18. 【請求項18】 該少なくとも1つの位置決め用ダミー
    リードは、放熱板の両側に第1の線に沿って対向して配
    置される第1の対の2つの位置決め用ダミーリードと、
    放熱板の両側に第1の線と直交する第2の線に沿って対
    向して配置される第2の対の2つの位置決め用ダミーリ
    ードとからなることを特徴とする請求項12に記載のリ
    ードフレーム。
  19. 【請求項19】 該少なくとも1つの位置決め用ダミー
    リードは、放熱板を取り囲む環状部分と、該環状部分か
    ら該パッケージ外枠部材の端部に向かって延びる2つの
    直線状部分とからなることを特徴とする請求項12に記
    載のリードフレーム。
  20. 【請求項20】 該2つの直線状部分の一方は他方のも
    のと形状が異なっていることを特徴とする請求項19に
    記載のリードフレーム。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014232747A (ja) * 2013-05-28 2014-12-11 日本特殊陶業株式会社 配線基板ユニット、その製造方法、およびリード付き配線基板の製造方法
JP2014232759A (ja) * 2013-05-28 2014-12-11 日本特殊陶業株式会社 配線基板ユニット、その製造方法、およびリード付き配線基板の製造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6236567B1 (en) * 1999-12-03 2001-05-22 Caesar Technology Inc. Electronic device package with enhanced heat dissipation effect
US7928590B2 (en) * 2006-08-15 2011-04-19 Qimonda Ag Integrated circuit package with a heat dissipation device
CN101231989B (zh) * 2007-01-25 2010-06-23 南茂科技股份有限公司 增进散热效益的半导体封装载膜与封装构造
KR101380385B1 (ko) * 2007-06-29 2014-04-10 서울반도체 주식회사 일괄 봉지 기술을 이용하는 led 패키지 제조방법
JP2010199492A (ja) * 2009-02-27 2010-09-09 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
KR20120048995A (ko) * 2010-11-08 2012-05-16 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지 제조방법 및 발광소자 패키지 제조용 프레임
US8669472B2 (en) 2011-08-26 2014-03-11 Schneider Electric USA, Inc. Applying compression to busbars in a busway assembly
US10438877B1 (en) * 2018-03-13 2019-10-08 Semiconductor Components Industries, Llc Multi-chip packages with stabilized die pads

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6030102B2 (ja) * 1980-07-14 1985-07-15 ヤマハ株式会社 半導体装置の製法
JPS63117453A (ja) * 1986-11-05 1988-05-21 Nec Yamagata Ltd 半導体装置用リ−ドフレ−ム
US5309322A (en) * 1992-10-13 1994-05-03 Motorola, Inc. Leadframe strip for semiconductor packages and method
US5661337A (en) * 1995-11-07 1997-08-26 Vlsi Technology, Inc. Technique for improving bonding strength of leadframe to substrate in semiconductor IC chip packages

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014232747A (ja) * 2013-05-28 2014-12-11 日本特殊陶業株式会社 配線基板ユニット、その製造方法、およびリード付き配線基板の製造方法
JP2014232759A (ja) * 2013-05-28 2014-12-11 日本特殊陶業株式会社 配線基板ユニット、その製造方法、およびリード付き配線基板の製造方法

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