JPH10144682A

JPH10144682A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH10144682A
Application number: JP29507396A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Takamori; 毅高森; Takeshi Kamijo; 健上條
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1996-11-07
Filing date: 1996-11-07
Publication date: 1998-05-29
Anticipated expiration: 2016-11-07
Also published as: JP3220028B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ＡｌＡｓ層に選択酸化を行なう際に、自然酸
化膜の影響を除去して均一性および再現性を向上させ
る。【解決手段】酸化工程として、ＡｌＡｓ被酸化層が露
出した試料を載置した酸化炉内にドライな窒素ガス等を
導入することによってこの被酸化層に形成された自然酸
化膜からＡｓ酸化物を除去してＡｌ酸化物のみを残す第
１の工程と、この第１の工程後の試料に水蒸気を含む窒
素ガスを導入することによって被酸化層を選択酸化する
第２の工程とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、化合物半導体層
中に酸化層を形成するための酸化工程を有する半導体装
置の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、化合物半導体の表面に酸化層
を形成する技術が知られている。この技術は、例えば、
化合物半導体素子の表面のパッシベーションを行なうた
めに酸化層を形成する場合や、化合物半導体発光素子の
光出力面の保護膜として酸化層を形成する場合、化合物
半導体発光素子の多層膜積層構造の一部を酸化して電流
狭窄層を形成する場合、化合物半導体発光素子の多層膜
反射鏡の一部を酸化して反射率の向上を図る場合等に使
用される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】以下、従来の酸化層形
成技術の課題について、半導体面発光レーザのＡｌＡｓ
層に酸化層を形成する場合と例に採って説明する。な
お、このような半導体面発光レーザの詳細は、例えば、
K.D.Choquette et al.IEEE Photonics TechnologyLette
rs.vol.7 no.11 pg.1237-1239 1995 "Fabrication and
Performance of Selectively Oxidized Vertical-Cavit
y Lasers"等の文献に記載されている。

【０００４】かかる技術においては、従来より、形成さ
れた酸化層の厚みあるいは長さに大きな不均一性があ
り、再現性にも乏しいという欠点があった（例えば、N.
Ohnokiet al.First Optoelectronics and Communicatio
ns Conference(OECC'96) Technical Digest paper no.1
6D1-3,pg.64-65 July 1996,"A Study on AlAs Oxide Co
nfinement Structure for Long Wavelength Surface Em
itting Lasers" のFig.3 およびFig.4 参照）。

【０００５】これは、酸化層を形成する工程よりも前
に、このＡｌＡｓ層の露出面に自然酸化膜が形成されて
しまうためである。すなわち、この自然酸化膜が形成さ
れているＡｌＡｓ層にそのまま酸化工程を施してＡｌＡ
ｓ酸化層を形成すると、このＡｌＡｓ酸化層の均一性お
よび再現性が悪くなることが、既に知られている。

【０００６】これに対して、従来、以下のような対策方
法が、既に提案されている。

【０００７】第１の対策方法は、ＡｌＡｓ層の表面に自
然酸化膜が形成されるのを防止することによって、Ａｌ
Ａｓ酸化層の均一性および再現性を向上させようとする
ものである。この方法は、例えば、M.J.Ries et al.App
lied Physics Letters vol.65 no.6 pg.740-742 1994 "
Photopumped room-temperature edge- and vertical-ca
vity operation of AlGaAs-GaAs-InGaAs quantum-well
heterostructure lasers utilizing native oxide mirr
ors"に記載されている。この文献に記載された方法で
は、結晶成長したＧａＡｓ層とＡｌＡｓ層との多層膜構
造に細いストライプ溝を化学エッチング法で形成した後
で溝側壁に露出したＡｌＡｓ層を酸化する際に、ＡｌＡ
ｓ層を露出させる工程と酸化工程との間の時間を短縮す
ることによって自然酸化膜の発生を抑制し、これにより
ＡｌＡｓ酸化層の均一性および再現性を図っている。

【０００８】また、第２の対策方法は、ＡｌＡｓ層の表
面に形成された自然酸化膜を酸化工程前にエッチングで
除去することによって、ＡｌＡｓ酸化層の均一性および
再現性を向上させようとするものである。この方法は、
例えば、K.L.Lear et al.IEEE Lasers and Electro-Opt
ics Society(LEOS'95) 8th Annual Meeting Conference
Proceedings vol.2 paper no.SCL-16.7,pg.445-446 No
vember 1995,"High Efficiency Oxide Confinde Vertic
al Cavity Surface Emitting Lasers"に記載されてい
る。この文献に記載された方法では、結晶成長させたＧ
ａＡｓ層中に薄いＡｌＡｓ層を設けた積層構造をドライ
エッチングで円筒形ポスト構造に加工し、その後でこの
ポスト構造の側面に露出したＡｌＡｓ層を酸化する際
に、リン酸と過酸化水素水と純水とを混合してなるエッ
チャントを用いて自然酸化膜を予め除去することによ
り、ＡｌＡｓ酸化層の均一性および再現性を図ってい
る。

【０００９】しかしながら、これらの対策方法には、以
下のような欠点があった。

【００１０】第１の対策方法では、ＡｌＡｓ酸化層を露
出させてから酸化工程を行なうまでの時間を短縮するだ
けであるため、自然酸化膜の発生量を多少は低減できる
ものの、完全に防止することはできなかった。このた
め、ＡｌＡｓ酸化層の均一性および再現性の向上にも限
界があり、十分な効果を得ることはできなかった。特
に、生産工程において大量の試料を一括処理するような
場合には、化学エッチング工程でＡｌＡｓ酸化層を露出
させてから酸化工程を行なうまでの時間を十分には短縮
できず、このため、満足な効果を得ることは困難であっ
た。

【００１１】一方、第２の対策方法では、被酸化層を露
出させる工程と酸化工程との時間を短縮する必要がない
ので、大量生産には適している。しかし、化学エッチン
グ法を用いて自然酸化膜をすべて除去する必要があるの
で、露出面に与えるダメージ（形状の変化）が非常に大
きくなってしまう。このため、酸化工程中に被酸化層の
露出面から内部に入り込む酸化種（水、酸素等）の量に
ばらつきが生じてしまう。すなわち、この対策方法で
は、ＡｌＡｓ酸化層の均一性・再現性の自然酸化膜によ
る悪化は防止できるものの、露出面に与えるダメージと
いう新たな悪化要因が生じるので、全体としては均一性
および再現性の向上に限界があり、十分な効果を得るこ
とはできなかった。

【００１２】なお、このような課題は、ＡｌＡｓ層に酸
化層を形成する場合に限定されるものではなく、化合物
半導体層中に酸化層を形成する際には一般的に生じ得る
課題である。

【００１３】このため、従来より、酸化層の十分な均一
性および再現性を得ることができる半導体装置の製造方
法が嘱望されていた。

【００１４】

【課題を解決するための手段】

（１）この発明は、化合物半導体層中に酸化層を形成す
るための酸化工程を有する半導体装置の製造方法に関す
るものである。

【００１５】そして、酸化工程が、被酸化層が露出した
半導体装置を載置した第１の酸化炉内に非活性ガスまた
は還元性ガスを導入することによって、この被酸化層に
形成された自然酸化膜から陰イオン側元素の酸化物を除
去して陽イオン側元素の酸化物のみを残す第１の工程
と、この第１の工程後の半導体装置を載置した第２の酸
化炉内に酸化種を導入することによって被酸化層を酸化
する第２の工程とを備えている。

【００１６】（２）ここで、酸化とは、被酸化層を構成
している化合物半導体の陰イオン側元素を除去し、陽イ
オン側元素と酸素とが結合して、安定な酸化物に変わる
ことをいう。

【００１７】また、酸化種とは、被酸化層の原子への酸
素原子の供給源となるものをいい、具体的には例えば水
分子、酸素分子、酸素原子、酸素イオンおよびオゾン分
子等が該当する。

【００１８】非活性ガスとは、被酸化層を形成する化合
物半導体材料や半導体装置の他の構成部を形成する材料
と化学反応しないガスをいい、通常の半導体装置では例
えば窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス等が該当す
る。

【００１９】還元性ガスとは、酸素原子と結合している
原子あるいは分子から酸素原子を奪う作用のあるガスを
いい、通常の半導体装置では水素ガス等が該当する。

【００２０】自然酸化膜とは、被酸化層を空気中に放置
したときに被酸化膜の表面に自然に形成される酸化膜を
いい、陽イオン側元素の酸化物と陰イオン側元素の酸化
物との混合体からなる。

【００２１】（３）上記発明において、化合物半導体と
しては、例えばIII −Ｖ族化合物半導体やII−VI族化合
物半導体、具体的には例えばＡｌＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、
ＺｎＳｅ等が使用できる。

【００２２】また、第１の工程は、酸化炉内の温度を３
５０℃〜５００℃に設定して行なわれることが望まし
い。

【００２３】さらに、第１の酸化炉と第２の酸化炉と
は、同一の酸化炉であってもよいし、異なる酸化炉であ
ってもよい。

【００２４】（４）上記発明の構成によれば、第１の工
程で自然酸化膜から陰イオン側元素の酸化物を除去して
陽イオン側元素の酸化物のみを残すこととしたので、第
２の工程で形成した酸化膜の均一性および再現性を向上
させることができる。

【００２５】このように、自然酸化膜から陰イオン側元
素の酸化物を除去して陽イオン側元素の酸化物を残すこ
とで、第２の工程で形成した酸化膜の均一性および再現
性を向上させることができる理由は、明らかではない。
ただし、本願発明者の検討によれば、第２の工程で形成
する酸化膜の均一性および再現性を悪化させる原因が自
然酸化膜のうち陰イオン側元素の酸化物にあると思わ
れ、このことがこの発明の効果を得ることができる要因
になっていると考えられる。また、陽イオン側元素の酸
化物を残すことで、自然酸化膜を完全に取り除く場合よ
りも、被酸化層表面の体積減少による形状変化が抑制さ
れていると思われ、このこともこの発明の効果を得るこ
とができる要因になっていると考えられる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態の一
例について、半導体面発光レーザのＡｌＡｓ層を酸化す
ることによって電流狭窄層を形成する場合と例に採り、
図面を用いて説明する。なお、図中、各構成成分の大き
さ、形状および配置関係は、この発明が理解できる程度
に概略的に示してあるにすぎず、また、以下に説明する
数値的条件は単なる例示にすぎないことを理解された
い。

【００２７】図１は、この実施の形態で作製する半導体
面発光レーザの構成を模式的に示す断面図である。

【００２８】図１において、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の表
面には、複数のＡｌＧａＡｓ膜１２ａとＧａＡｓ膜１２
ｂとを交互に積層してなるｎ型ＤＢＲ(Distributed Bra
gg Reflector) ミラー１２が形成されている。

【００２９】そして、このｎ型ＤＢＲミラー１２の表面
には、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子井戸構造からなる活
性層１３が設けられている。

【００３０】さらに、この活性層１３の表面には、電流
狭窄層１４が設けられている。この電流狭窄層１４は、
中央部に未酸化ＡｌＡｓからなる直径約２μｍの電流チ
ャネル部１４ａを備えており、その周囲は酸化ＡｌＡｓ
からなる電流阻止部１４ｂとなっている。なお、後述す
るように、この電流阻止部１４ｂが、この発明に係る酸
化工程で作製される。

【００３１】また、この電流狭窄層１４の表面には、複
数のＡｌＧａＡｓ膜１５ａとＧａＡｓ膜１５ｂとを交互
に積層してなるｐ型ＤＢＲミラー１５が形成されてい
る。

【００３２】そして、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の裏面には
ｎ型電極１６が、ｐ型ＤＢＲミラー１５の表面にはｐ型
電極１７が、それぞれ設けられている。

【００３３】なお、同図に示したように、ｎ型ＤＢＲミ
ラー１２の一部、活性層１３、電流狭窄層１４、ｐ型Ｄ
ＢＲミラー１５およびｐ型電極１７は、直径約２０μｍ
の円筒形に形成されている。

【００３４】次に、図１に示した半導体面発光レーザの
製造方法について、図２および図３を用いて説明する。

【００３５】まず、この製造方法における酸化工程で使
用する酸化炉の一構成例について、図２に示した模式図
を用いて説明する。

【００３６】同図において、試料２０が搬入される石英
チューブ２１の外周には、この石英チューブ２１内の温
度を制御するためのヒータ２２が設けられている。ま
た、この石英チューブ２１には、図示しない窒素ガス供
給源に接続されたガス導入管２４と、図示しない真空ポ
ンプに接続されたガス排気管２５とが設けられている。
そして、ガス導入管２４は、バルブ２６の前後に設けら
れた支管２７ａ，２７ｂを備えている。ここで、支管２
７ａは純水バブラー２８の吸気口に接続されており、支
管２７ｂは純水バブラー２８の排気口に接続されてい
る。また、これらの支管２７ａ，２７ｂには、それぞれ
バルブ２９ａ，２９ｂが接続されている。なお、純水バ
ブラー２８の外周には、この純水バブラー２８の温度を
制御するためのヒータ２３が設けられている。

【００３７】次に、この実施の形態に係る製造方法を用
いて図１に示した半導体面発光レーザを製造する際の製
造工程について、図３（Ａ）および（Ｂ）に示した断面
工程図を用いて説明する。

【００３８】まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１１を通常の結
晶成長用の真空チャンバ内に搬入する。そして、図３
（Ａ）に示したように、このｎ型ＧａＡｓ基板１１の表
面に、ｎ型にドーピングされた複数のＡｌＧａＡｓ膜３
２ａとＧａＡｓ膜３２ｂとを、所定の膜厚で複数層ずつ
交互に積層する。なお、このＡｌＧａＡｓ膜３２ａおよ
びＧａＡｓ膜３２ｂが、ｎ型ＤＢＲミラー１２を構成す
る。

【００３９】次に、この積層構造の最上層であるＡｌ
ＧａＡｓ膜３２ａの表面に、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量
子井戸構造からなる膜３３とＡｌＡｓ膜３４とを順次形
成する。

【００４０】そして、このＡｌＡｓ膜３４の表面に、
ｐ型にドーピングされた複数のＧａＡｓ膜３５ｂとＡｌ
ＧａＡｓ膜３５ａとを、所定の膜厚で複数層ずつ交互に
積層する。

【００４１】続いて、最上層であるＧａＡｓ膜３５ｂ
の表面に所定の膜厚のＳｉＯ₂ 膜を堆積し、通常のフォ
トリソグラフィー技術を用いてパターニングすることに
より、直径約２０μｍの円形マスク３６を形成する。

【００４２】そして、図３（Ｂ）に示したように、こ
の円形マスク３６を用いたドライエッチングによってＡ
ｌＧａＡｓ膜３２ａ、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子井戸
構造からなる膜３３、ＡｌＡｓ膜３４、ＡｌＧａＡｓ膜
３５ａおよびＧａＡｓ膜３５ｂをエッチングすることに
より、活性層１３、電流狭窄層１４およびｐ型ＤＢＲミ
ラー１５等からなる円形ポスト構造を形成する。なお、
この工程により、被酸化層である電流狭窄層１４の側面
が露出する。

【００４３】続いて、このようにして作製された試料
２０を、図２に示したような酸化炉の石英チューブ２１
内に搬入する。このとき、この石英チューブ２１内の温
度は、ヒータ２２によって例えば４００℃に設定してお
く。

【００４４】次に、バルブ２６を開き且つバルブ２７
ａ，２７ｂを閉じた状態で、ガス導入管２４を介して、
図示しない窒素ガス供給源から石英チューブ２１内にド
ライな窒素ガスを所定流量で導入する。そして、この石
英チューブ２１内の試料２０を、例えば４００℃の温度
で１０分間熱処理する。これにより、試料２０の電流狭
窄層１４の側面を露出させた後に（上記工程）この露
出面に形成されるＡｌＡｓ自然酸化膜から、陽イオン側
元素であるＡｌの酸化物を脱離させることなく、陰イオ
ン側元素であるＡｓの酸化物のみを脱離させることがで
きる。

【００４５】その後、酸化炉のバルブ２６を閉じると
ともに、バルブ２７ａ，２７ｂを開く。これにより、図
示しない窒素ガス供給源から供給された窒素ガスは、純
水バブラー２８を通過してから石英チューブ２１内に導
入されるようになる。このとき、純水バブラー２８内の
蓄えられた純水は、ヒータ２３によって例えば８５℃〜
９０℃に設定されている。純水バブラー２８に供給され
る窒素ガスは、この純水内を通過するので、この純水の
温度によって定まる飽和水蒸気を含んだ状態で石英チュ
ーブ２１内に供給されることとなる。そして、この水蒸
気により、試料２０の電流狭窄層１４が選択酸化され
る。この実施の形態では、このような選択酸化を１０分
間行なうことにより、電流狭窄層１４の中央から直径約
２μｍの領域を残した領域を酸化した。そして、これに
より、電流狭窄層１４に、未酸化ＡｌＡｓからなる直径
約２μｍの電流チャネル部１４ａと、酸化ＡｌＡｓから
なる電流阻止部１４ｂとを形成した。

【００４６】その後、通常の方法により、ｎ型電極１
６およびｐ型電極１７等の形成を行ない、半導体面発光
レーザを完成した。

【００４７】このように、この実施の形態では、選択酸
化を行なう工程（上記工程）の前に、ＡｌＡｓ自然酸
化膜からＡｌの酸化物を残してＡｓの酸化物のみを脱離
させる工程（上記工程）を行なうこととしている。し
たがって、このＡｌＡｓ層（電流狭窄層１４）に選択酸
化を施したときの酸化長の均一性および再現性を向上さ
せることができ、これにより半導体面発光レーザの製造
歩留の向上を図ることができる。

【００４８】また、ＡｌＡｓ層を露出させる工程（上記
工程）と選択酸化を行なう工程（上記工程）との間
の時間を短縮させる必要がないため、大量生産に適した
製造方法を提供することができる。

【００４９】なお、この実施の形態では、非活性ガスで
ある窒素ガスを用いて自然酸化膜から陰イオン側元素の
みを脱離させることとしたが、他の非活性ガス（例えば
ヘリウムガス、アルゴンガス等）を用いてもよいし、還
元性ガス（例えば水素等）を用いてもよい。

【００５０】また、この実施の形態ではＡｌＡｓ層を酸
化する場合を例に採って説明したが、この発明を他の化
合物半導体に適用した場合にも同様の効果を得られるこ
とはもちろんである。

【００５１】併せて、この実施の形態では自然酸化膜か
ら陰イオン側元素のみを脱離させる工程での温度を４０
０℃としたが、この発明はかかる工程での温度を制限す
るものではない。すなわち、この工程は自然酸化膜から
陰イオン側元素のみを脱離させることができる温度で行
なわれればよく、その温度は化合物半導体の種類等によ
って適宜決定することができる。ただし、一般には、３
５０℃〜５００℃であれば、陽イオン側元素の酸化物を
残して陰イオン側元素の酸化物のみを脱離させることが
できる。

【００５２】さらに、この発明では、自然酸化膜から陰
イオン側元素のみを脱離させる工程と選択酸化を行なう
工程とを同じ酸化炉内で行なったが、これらの工程を別
々の酸化炉で行なってもよいことはもちろんである。

【００５３】加えて、この発明を適用して半導体面発光
レーザの電流狭窄層を作製する場合を例に採って説明し
たが、化合物半導体層の酸化を行なうものであれば、他
の工程にも適用できることはもちろんである。

【００５４】

【実施例】次に、この発明の実施例として、この発明を
適用して酸化を行なった試料の評価試験の結果を説明す
る。

【００５５】試料の作製まず、この実施例に用いた試料の構造および作製方法に
ついて、簡単に説明する。図４（Ａ）は、この実施例で
使用した試料の構造を模式的に示す断面図である。

【００５６】同図に示したように、この実施例で使用す
る試料は、通常の結晶成長法を用いて、まずＧａＡｓ基
板４１にＡｌＡｓ膜４２およびＧａＡｓ膜４３を交互に
積層してなる積層部４４を形成し、次にこの積層部４４
の表面にＳｉＯ₂ 膜４５を形成し、その後、通常のエッ
チング技術を用いて溝４６を形成することにより作製し
た。

【００５７】なお、図４（Ａ）では、簡単化のために積
層部４４を構成するＡｌＡｓ膜４２およびＧａＡｓ膜４
３を４層ずつ示したが、実際には２０層ずつ形成した。
また、各積層部４４のピッチは３５０μｍ、各溝４６の
幅は５μｍとした。そして、ＡｌＡｓ膜４２の膜厚は６
７μｍ、ＧａＡｓ膜４３の膜厚は５５μｍとした。

【００５８】試料の酸化次に、図４（Ａ）に示した試料に対して、以下のように
して本発明を適用した選択酸化を行なうことにより、実
施例試料を作製した。

【００５９】(a) まず、図２に示したような酸化炉の石
英チューブ２１内の温度を４００℃に設定した後、試料
を搬入した。

【００６０】(b) 次に、バルブ２６を開き且つバルブ２
７ａ，２７ｂを閉じた状態で石英チューブ２１内にドラ
イな窒素ガスを所定流量で導入することにより、この実
施例試料に対し、ＡｌＡｓ膜４２に形成された自然酸化
膜からＡｌ酸化物を脱離させることなくＡｓ酸化物のみ
を脱離させるための熱処理を、１０分間行なった。

【００６１】(c) 続いて、石英チューブ２１内の温度を
４００℃に維持した状態で、この酸化炉のバルブ２６を
閉じるとともにバルブ２７ａ，２７ｂを開くことによ
り、実施例試料のＡｌＡｓ膜４２の選択酸化を６０分間
行なった。これにより、図４（Ｂ）に示したように、各
ＡｌＡｓ膜４２は、中央部付近の未酸化ＡｌＡｓ膜４８
を残して、酸化層４７となった。

【００６２】続いて、比較例試料として、自然酸化膜に
対する処理をまったく行なわない試料を作製した。この
比較例試料は、図４（Ａ）に示した構造の試料に対し
て、上記工程(a) および(c) のみを行なうことによって
作製した。これにより、この比較例試料の各ＡｌＡｓ膜
４２も、図４（Ｂ）に示したように、中央部付近の未酸
化ＡｌＡｓ膜４８を残して、酸化層４７となった。

【００６３】試料の評価その後、このようにして作製した実施例試料と比較例試
料とを、それぞれＳｉＯ₂ 膜４５側から観察し、酸化長
Ｌ（すなわちＡｌＡｓ膜４２の露出面４９から未酸化Ａ
ｌＡｓ膜４８との境界面までの長さ、図４（Ｂ）参照）
を測定した。その結果を、表１に示す。

【００６４】

【表１】

【００６５】表１からわかるように、実施例試料は、比
較例試料と比べて、酸化長のばらつきを２０分の１にす
ることができた。このことにより、この発明によって酸
化長の均一性および再現性を向上できることが確認され
た。

【００６６】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、この発明に
よれば、酸化層の十分な均一性および再現性を得ること
ができる半導体装置の製造方法を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態で作製する半導体面発光
レーザの構造断面図である。

【図２】この発明の実施の形態に係る製造方法で使用す
る酸化炉の構造を示す模式図である。

【図３】（Ａ）、（Ｂ）ともに、この発明の実施の形態
に係る製造方法の工程断面図である。

【図４】（Ａ）、（Ｂ）ともに、この発明の実施例を説
明するための模式的断面図である。

【符号の説明】１１：ｎ型ＧａＡｓ基板１２：ｎ型ＤＢＲミラー１２ａ：ＡｌＧａＡｓ膜１２ｂ：ＧａＡｓ膜１３：活性層１４：電流狭窄層１４ａ：電流チャネル部１４ｂ：電流阻止部１５：ｐ型ＤＢＲミラー１５ａ：ＡｌＧａＡｓ膜１５ｂ：ＧａＡｓ膜１６：ｎ型電極１７：ｐ型電極２１：石英チューブ２２，２３：ヒータ２４：ガス導入管２５：ガス排気管２６，２９ａ，２９ｂ：バルブ２７ａ，２７ｂ：支管２８：純水バブラー

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】化合物半導体層中に酸化層を形成するた
めの酸化工程を有する半導体装置の製造方法において、前記酸化工程が、被酸化層が露出した半導体装置を載置した第１の酸化炉
内に非活性ガスまたは還元性ガスを導入することによっ
て、この被酸化層に形成された自然酸化膜から陰イオン
側元素の酸化物を除去して陽イオン側元素の酸化物のみ
を残す第１の工程と、この第１の工程後の前記半導体装置を載置した第２の酸
化炉内に酸化種を導入することによって前記被酸化層を
酸化する第２の工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】前記化合物半導体層が、III −Ｖ族化合
物半導体またはII−VI族化合物半導体からなる層である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方
法。
【請求項３】前記化合物半導体層が、ＡｌＧａＡｓ、
ＡｌＡｓまたはＺｎＳｅからなる層であることを特徴と
する請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】前記第１の工程が、前記酸化炉内の温度を
３５０℃〜５００℃に設定して行なわれることを特徴と
する請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造
方法。
【請求項５】前記第１の酸化炉と前記第２の酸化炉と
が同一の酸化炉であることを特徴とする請求項１〜４の
いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】前記第１の酸化炉と前記第２の酸化炉と
が異なる酸化炉であることを特徴とする請求項１〜４の
いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】前記半導体装置が半導体発光素子であ
り、且つ、前記化合物半導体層がこの半導体発光素子の
電流狭窄層であることを特徴とする請求項１〜６のいず
れかに記載の半導体装置の製造方法。