JPH11186652A - 半導体レーザの製造方法および半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザの製造方法および半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH11186652A JPH11186652A JP35164397A JP35164397A JPH11186652A JP H11186652 A JPH11186652 A JP H11186652A JP 35164397 A JP35164397 A JP 35164397A JP 35164397 A JP35164397 A JP 35164397A JP H11186652 A JPH11186652 A JP H11186652A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- mesa
- semiconductor laser
- width
- sch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電流注入領域を決定する酸化層を安定して形
成することで素子の歩留まり向上、光学特性の向上が図
れる半導体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】 ストライプメサ１９を形成したＩｎＰ基
板２０上に下部クラッド層３５、下部ＳＣＨ層３６、活
性層３７、上部ＳＣＨ層３８、上部クラッド層３９、キ
ャップ層４０を順次積層する工程と、前記各層の一部を
エッチングしてメサ１９の幅より広い幅のメサ４１を形
成し、メサ４１側面に上部クラッド層３９を露出させる
工程と、水蒸気１０を用いて上部クラッド層３９を酸化
させる工程と、キャップ層４０の上面とＩｎＰ基板２０
の裏面に電極をそれぞれ形成する工程とを有する。
成することで素子の歩留まり向上、光学特性の向上が図
れる半導体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】 ストライプメサ１９を形成したＩｎＰ基
板２０上に下部クラッド層３５、下部ＳＣＨ層３６、活
性層３７、上部ＳＣＨ層３８、上部クラッド層３９、キ
ャップ層４０を順次積層する工程と、前記各層の一部を
エッチングしてメサ１９の幅より広い幅のメサ４１を形
成し、メサ４１側面に上部クラッド層３９を露出させる
工程と、水蒸気１０を用いて上部クラッド層３９を酸化
させる工程と、キャップ層４０の上面とＩｎＰ基板２０
の裏面に電極をそれぞれ形成する工程とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光効率が高く、
均一性の良い半導体レーザおよびその製造方法に関す
る。
均一性の良い半導体レーザおよびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】通信に用いられる半導体レーザにおいて
は、基本横モード発振を得るため、狭い幅のストライプ
状の活性層に電流を注入する必要がある。そのために、
レーザ基板を結晶成長装置で作成した後、一旦取り出し
てエッチングを行い、ストライプ幅のメサを形成した
後、その両側をｐｎｐｎ構造などを用いた高抵抗層を再
成長して活性層部分を埋め込む構造が一般的であった。
この方法については技術革新が繰り返され、非常に高性
能のレーザダイオード（Laser Diode,以下、ＬＤと記
す）が作製可能になった。しかし、再成長前の基板の処
理など技術的に難易度が高い。
は、基本横モード発振を得るため、狭い幅のストライプ
状の活性層に電流を注入する必要がある。そのために、
レーザ基板を結晶成長装置で作成した後、一旦取り出し
てエッチングを行い、ストライプ幅のメサを形成した
後、その両側をｐｎｐｎ構造などを用いた高抵抗層を再
成長して活性層部分を埋め込む構造が一般的であった。
この方法については技術革新が繰り返され、非常に高性
能のレーザダイオード（Laser Diode,以下、ＬＤと記
す）が作製可能になった。しかし、再成長前の基板の処
理など技術的に難易度が高い。
【０００３】一方、加入者系半導体レーザは、従来の通
信用半導体レーザと比較して低コスト化への要求が強
い。そこで、従来行われていた埋め込み再成長による方
法よりもさらに簡便な電流狭窄法として、主として面発
光レーザの分野で開発されているＡｌ系の酸化が加入者
系レーザの分野でも注目されている。酸化による電流狭
窄とは、ＡｌＡｓ、もしくはＡｌＡｓＳｂ等の非常に酸
化されやすい層を含むＬＤウエハを作製した後、メサを
形成してＡｌＡｓ層などの側面を露出させ、高温下で水
蒸気に曝して絶縁領域を作成する方法である。ＡｌＡｓ
層が酸化されてＡｌxＯyの層に変化すると高抵抗化する
だけでなく、屈折率が大幅に減少し、光の閉じ込めにつ
いても有利である。
信用半導体レーザと比較して低コスト化への要求が強
い。そこで、従来行われていた埋め込み再成長による方
法よりもさらに簡便な電流狭窄法として、主として面発
光レーザの分野で開発されているＡｌ系の酸化が加入者
系レーザの分野でも注目されている。酸化による電流狭
窄とは、ＡｌＡｓ、もしくはＡｌＡｓＳｂ等の非常に酸
化されやすい層を含むＬＤウエハを作製した後、メサを
形成してＡｌＡｓ層などの側面を露出させ、高温下で水
蒸気に曝して絶縁領域を作成する方法である。ＡｌＡｓ
層が酸化されてＡｌxＯyの層に変化すると高抵抗化する
だけでなく、屈折率が大幅に減少し、光の閉じ込めにつ
いても有利である。
【０００４】この方法は面発光レーザの電流狭窄として
開発されたものであるが、この特徴を用いて酸化による
電流狭窄が長波系ストライプレ−ザにも応用されてい
る。これらは、例えばブルム等により１９９７年コンフ
ァレンス オン レーザーズアンド エレクトロオプテ
ィクス カンタム エレクトロニクス アンド レーザ
ーサイエンス コンファレンス プロシーディング Ｃ
ＷＨＦ８（Conferenceon Lasers and Electro-optics Q
uantum Electronics and laser Science Conference 19
97 CWHP8 ）に発表されている。図７にその構造を示
す。以下に製法に従って構造を説明する．図８はプロセ
スフロー図である。
開発されたものであるが、この特徴を用いて酸化による
電流狭窄が長波系ストライプレ−ザにも応用されてい
る。これらは、例えばブルム等により１９９７年コンフ
ァレンス オン レーザーズアンド エレクトロオプテ
ィクス カンタム エレクトロニクス アンド レーザ
ーサイエンス コンファレンス プロシーディング Ｃ
ＷＨＦ８（Conferenceon Lasers and Electro-optics Q
uantum Electronics and laser Science Conference 19
97 CWHP8 ）に発表されている。図７にその構造を示
す。以下に製法に従って構造を説明する．図８はプロセ
スフロー図である。
【０００５】図８（ａ）に示すように、ＩｎＰ基板１の
上へ、１．５μｍ厚さのｎ型クラッド層２としてＩｎ
0.52Ａｌ0.48Ａｓ層、下部ＳＣＨ層３として１１５０Å
のｉ−Ｉｎ0.52Ａｌ0.16Ｇａ0.31Ａｓ層、活性層４とし
て１００ÅのＩｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ井戸層と１００Åの
Ｉｎ0.52Ａｌ0.16Ｇａ0.31Ａｓ障壁層、上部ＳＣＨ層５
として２０５０ÅのＩｎ0.52Ａｌ0.16Ｇａ0.31Ａｓ層、
上部クラッド層６として１μｍ厚さのＡｌＡｓ0.56Ｓｂ
0.44層、キャップ層７として１０００Åのｐ−Ｉｎ0.5
Ｇａ0.5Ａｓ層を順に成長し、レーザ基板８を作製す
る。ここでは分子線エピタキシー装置を用いて基板温度
５２０℃で作製した。
上へ、１．５μｍ厚さのｎ型クラッド層２としてＩｎ
0.52Ａｌ0.48Ａｓ層、下部ＳＣＨ層３として１１５０Å
のｉ−Ｉｎ0.52Ａｌ0.16Ｇａ0.31Ａｓ層、活性層４とし
て１００ÅのＩｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ井戸層と１００Åの
Ｉｎ0.52Ａｌ0.16Ｇａ0.31Ａｓ障壁層、上部ＳＣＨ層５
として２０５０ÅのＩｎ0.52Ａｌ0.16Ｇａ0.31Ａｓ層、
上部クラッド層６として１μｍ厚さのＡｌＡｓ0.56Ｓｂ
0.44層、キャップ層７として１０００Åのｐ−Ｉｎ0.5
Ｇａ0.5Ａｓ層を順に成長し、レーザ基板８を作製す
る。ここでは分子線エピタキシー装置を用いて基板温度
５２０℃で作製した。
【０００６】その後、図８（ｂ）に示すように、幅５２
μｍにエッチングしてメサストライプ９を作製し、メサ
側面にＡｌＡｓ0.56Ｓｂ0.44層６を露出させ、酸化用基
板２０とする。その後、図８（ｃ）に示すように、基板
を３４０℃に保ったまま、Ｎ 2 ガスでバブリングさせた
水蒸気１０を導入し、側面から左右２０μｍずつ、酸化
による高抵抗領域１１を形成し、酸化されていない中央
部が電流注入領域１２となる。
μｍにエッチングしてメサストライプ９を作製し、メサ
側面にＡｌＡｓ0.56Ｓｂ0.44層６を露出させ、酸化用基
板２０とする。その後、図８（ｃ）に示すように、基板
を３４０℃に保ったまま、Ｎ 2 ガスでバブリングさせた
水蒸気１０を導入し、側面から左右２０μｍずつ、酸化
による高抵抗領域１１を形成し、酸化されていない中央
部が電流注入領域１２となる。
【０００７】酸化工程においては、酸化用基板をホット
プレート上に載せ、カバーで覆う。カバーには蒸気導入
口と排気口を設けておく。一方、バブラに水を入れて、
別のホットプレートにより一定の温度に保っておき、ガ
ス導入口からからキャリアガスを導入して排気ロより水
蒸気を取り出す。水蒸気はチューブを通してカパーの蒸
気導入ロから酸化用基板２０の周辺に導入する。
プレート上に載せ、カバーで覆う。カバーには蒸気導入
口と排気口を設けておく。一方、バブラに水を入れて、
別のホットプレートにより一定の温度に保っておき、ガ
ス導入口からからキャリアガスを導入して排気ロより水
蒸気を取り出す。水蒸気はチューブを通してカパーの蒸
気導入ロから酸化用基板２０の周辺に導入する。
【０００８】その後、図７に示すように、メサ上面と基
板裏面に電極１３、１４を形成し、適当な長さに劈開し
て半導体レーザ１５が完成する。
板裏面に電極１３、１４を形成し、適当な長さに劈開し
て半導体レーザ１５が完成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述したような酸化工
程は、組成、温度、膜厚等に大きく依存するため、均一
性、制御性を得ることが極めて困難である。酸化速度の
ばらつきにより、ストライプの幅が素子によってばらつ
くと、個々のレーザー特性のばらつきによる歩留まり低
下が生じる。また、１つのストライプ内で酸化領域の
幅、すなわち活性層の幅がばらつくと導波損失となり光
学特性の劣化が生じていた。そこで、光学特性を向上さ
せ、歩留まりを高くするためには酸化領域の幅を制御す
ることが重要となっていた。
程は、組成、温度、膜厚等に大きく依存するため、均一
性、制御性を得ることが極めて困難である。酸化速度の
ばらつきにより、ストライプの幅が素子によってばらつ
くと、個々のレーザー特性のばらつきによる歩留まり低
下が生じる。また、１つのストライプ内で酸化領域の
幅、すなわち活性層の幅がばらつくと導波損失となり光
学特性の劣化が生じていた。そこで、光学特性を向上さ
せ、歩留まりを高くするためには酸化領域の幅を制御す
ることが重要となっていた。
【００１０】また、上述したような酸化工程は組成、膜
厚に大きく依存し、Ａｌ比が０．９以下ではほとんど酸
化は進行しない。また、Ｉｎなどの酸化されにくい材料
が混入していると、やはり酸化が非常に困難である。ま
た、ＩｎＰ基板上の半導体レーザでは酸化の容易なＡｌ
Ａｓ層は格子整合しないため、ＡｌＡｓ層を形成するた
めには５０Å程度以下の非常に薄い層でないと歪の緩和
なしに形成が不可能である。また、層厚が薄くなっても
酸化が困難である。さらに、ＡｌＡｓＳｂ層ではＩｎＰ
に格子整合するが、Ｓｂ系材料は良質な結晶を得ること
が比較的困難で、その場合、発光効率の低下などの問題
があった。すなわち、ＩｎＰ基板上では適当な酸化層を
得ることが難しいといった問題があった。
厚に大きく依存し、Ａｌ比が０．９以下ではほとんど酸
化は進行しない。また、Ｉｎなどの酸化されにくい材料
が混入していると、やはり酸化が非常に困難である。ま
た、ＩｎＰ基板上の半導体レーザでは酸化の容易なＡｌ
Ａｓ層は格子整合しないため、ＡｌＡｓ層を形成するた
めには５０Å程度以下の非常に薄い層でないと歪の緩和
なしに形成が不可能である。また、層厚が薄くなっても
酸化が困難である。さらに、ＡｌＡｓＳｂ層ではＩｎＰ
に格子整合するが、Ｓｂ系材料は良質な結晶を得ること
が比較的困難で、その場合、発光効率の低下などの問題
があった。すなわち、ＩｎＰ基板上では適当な酸化層を
得ることが難しいといった問題があった。
【００１１】本発明は、上記の解題を解決するためにな
されたものであって、電流注入領域を決定する酸化層を
安定して形成することで素子の歩留まり向上、光学特性
の向上を図ることができる半導体レーザの製造方法およ
びその半導体レーザを提供することを目的とする。
されたものであって、電流注入領域を決定する酸化層を
安定して形成することで素子の歩留まり向上、光学特性
の向上を図ることができる半導体レーザの製造方法およ
びその半導体レーザを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザの
製造方法は、ストライプ状の第１のメサを形成した半導
体基板上に、下部クラッド層、下部ＳＣＨ層、活性層、
上部ＳＣＨ層、他の層よりも酸化速度が大きい材料から
なる上部クラッド層、キャップ層を、少なくとも上部ク
ラッド層が前記第１のメサによる段差を有するように順
次積層する工程と、前記各層の一部をエッチングして前
記第１のメサの幅より広い幅の第２のメサを形成し、そ
の第２のメサの側面に前記上部クラッド層を露出させる
工程と、酸化作用を持つ蒸気を用いて前記上部クラッド
層を酸化させる工程と、前記キャップ層の上面と前記半
導体基板の裏面に電極を形成する工程と、を有すること
を特徴とするものである。
製造方法は、ストライプ状の第１のメサを形成した半導
体基板上に、下部クラッド層、下部ＳＣＨ層、活性層、
上部ＳＣＨ層、他の層よりも酸化速度が大きい材料から
なる上部クラッド層、キャップ層を、少なくとも上部ク
ラッド層が前記第１のメサによる段差を有するように順
次積層する工程と、前記各層の一部をエッチングして前
記第１のメサの幅より広い幅の第２のメサを形成し、そ
の第２のメサの側面に前記上部クラッド層を露出させる
工程と、酸化作用を持つ蒸気を用いて前記上部クラッド
層を酸化させる工程と、前記キャップ層の上面と前記半
導体基板の裏面に電極を形成する工程と、を有すること
を特徴とするものである。
【００１３】また、本発明の他の半導体レーザの製造方
法は、半導体基板上に下部クラッド層、下部ＳＣＨ層、
活性層、上部ＳＣＨ層を積層する工程と、前記各層の一
部をエッチングして第１のメサを形成する工程と、該第
１のメサを覆うように前記半導体基板上に他の層よりも
酸化速度が大きい材料からなる上部クラッド層、キャッ
プ層を順次積層する工程と、前記上部クラッド層および
キャップ層の一部をエッチングして前記第１のメサの幅
より広い幅の第２のメサを形成し、その第２のメサの側
面に前記上部クラッド層を露出させる工程と、酸化作用
を持つ蒸気を用いて前記上部クラッド層を酸化させる工
程と、前記キャップ層の上面と前記半導体基板の裏面に
電極を形成する工程と、を有することを特徴とするもの
である。
法は、半導体基板上に下部クラッド層、下部ＳＣＨ層、
活性層、上部ＳＣＨ層を積層する工程と、前記各層の一
部をエッチングして第１のメサを形成する工程と、該第
１のメサを覆うように前記半導体基板上に他の層よりも
酸化速度が大きい材料からなる上部クラッド層、キャッ
プ層を順次積層する工程と、前記上部クラッド層および
キャップ層の一部をエッチングして前記第１のメサの幅
より広い幅の第２のメサを形成し、その第２のメサの側
面に前記上部クラッド層を露出させる工程と、酸化作用
を持つ蒸気を用いて前記上部クラッド層を酸化させる工
程と、前記キャップ層の上面と前記半導体基板の裏面に
電極を形成する工程と、を有することを特徴とするもの
である。
【００１４】上記の半導体レーザの製造方法において、
前記上部クラッド層の材料が少なくともＡｌ、Ｓｂのい
ずれかを含んでもよい。さらに、前記上部クラッド層の
材料がＩｎを含む場合には、前記蒸気としてＨ2Ｏ2蒸気
を用いるのがよい。
前記上部クラッド層の材料が少なくともＡｌ、Ｓｂのい
ずれかを含んでもよい。さらに、前記上部クラッド層の
材料がＩｎを含む場合には、前記蒸気としてＨ2Ｏ2蒸気
を用いるのがよい。
【００１５】本発明の半導体レーザの製造方法において
は、第１のメサを形成したことにより上部クラッド層が
段差を持つときに第１のメサの上面で薄く、その外方で
厚く形成されることになる。そして、第２のメサの側面
に上部クラッド層の端面を露出させておき、蒸気を用い
て酸化させると、酸化速度が大きい材料からなる上部ク
ラッド層の端面から酸化が進行していく。この際、酸化
速度は膜厚が厚い程大きく、薄い程小さくなるため、酸
化は第１のメサの側面に達したところで実質的に停止す
る。その結果、制御性の良い絶縁領域を形成することが
できる。
は、第１のメサを形成したことにより上部クラッド層が
段差を持つときに第１のメサの上面で薄く、その外方で
厚く形成されることになる。そして、第２のメサの側面
に上部クラッド層の端面を露出させておき、蒸気を用い
て酸化させると、酸化速度が大きい材料からなる上部ク
ラッド層の端面から酸化が進行していく。この際、酸化
速度は膜厚が厚い程大きく、薄い程小さくなるため、酸
化は第１のメサの側面に達したところで実質的に停止す
る。その結果、制御性の良い絶縁領域を形成することが
できる。
【００１６】本発明の半導体レーザは、ストライプ状の
第１のメサが形成された半導体基板上に、下部クラッド
層、下部ＳＣＨ層、活性層、上部ＳＣＨ層、上部クラッ
ド層、キャップ層が前記第１のメサによる段差を有する
ように積層され、前記各層からなり前記第１のメサの幅
より広い幅の第２のメサが設けられ、前記上部クラッド
層の前記第１のメサより外方の領域が酸化されて絶縁領
域とされ、前記キャップ層の上面と前記半導体基板の裏
面に電極が形成されたことを特徴とするものである。
第１のメサが形成された半導体基板上に、下部クラッド
層、下部ＳＣＨ層、活性層、上部ＳＣＨ層、上部クラッ
ド層、キャップ層が前記第１のメサによる段差を有する
ように積層され、前記各層からなり前記第１のメサの幅
より広い幅の第２のメサが設けられ、前記上部クラッド
層の前記第１のメサより外方の領域が酸化されて絶縁領
域とされ、前記キャップ層の上面と前記半導体基板の裏
面に電極が形成されたことを特徴とするものである。
【００１７】また、本発明の他の半導体レーザは、半導
体基板上に、下部クラッド層、下部ＳＣＨ層、活性層、
上部ＳＣＨ層からなる第１のメサが形成され、該第１の
メサを覆うように上部クラッド層、キャップ層が積層さ
れ、これら上部クラッド層およびキャップ層からなり前
記第１のメサの幅より広い幅の第２のメサが設けられ、
前記上部クラッド層の前記第１のメサより外方の領域が
酸化されて絶縁領域とされ、前記キャップ層の上面と前
記半導体基板の裏面に電極が形成されたことを特徴とす
るものである。
体基板上に、下部クラッド層、下部ＳＣＨ層、活性層、
上部ＳＣＨ層からなる第１のメサが形成され、該第１の
メサを覆うように上部クラッド層、キャップ層が積層さ
れ、これら上部クラッド層およびキャップ層からなり前
記第１のメサの幅より広い幅の第２のメサが設けられ、
前記上部クラッド層の前記第１のメサより外方の領域が
酸化されて絶縁領域とされ、前記キャップ層の上面と前
記半導体基板の裏面に電極が形成されたことを特徴とす
るものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
について図面を参照して詳細に説明する。図１は本素子
の構造図、図２は本素子のプロセスフロー図である。以
下、製法に従って構造を説明する。図２（ａ）に示すよ
うに、１０μｍ幅のストライプ状のメサ１９（第１のメ
サ）を形成したＩｎＰ基板２０（半導体基板）の上に、
図２（ｂ）に示すように、ｎ型クラッド層３５として
１．５μｍ厚さのｎ型ＩｎＧａＡｓＰクラッド層（バン
ドギャップ：１．１８ｅＶ）、下部ＳＣＨ層３６として
１１５０ÅのＩｎＧａＡｓＰ層（バンドギャップ：１．
０８ｅＶ）、活性層３７として１００ÅのＩｎ 0.53Ｇａ
0.47Ａｓ井戸層と１００ÅのＩｎ0.52Ａｌ0.16Ｇａ0.31
Ａｓ障壁層、上部ＳＣＨ層３８として２０５０ÅのＩｎ
0.52Ａｌ0.16Ｇａ0.31Ａｓ層を成長し、その後、上部ｐ
型クラッド層３９として０．３μｍ厚さのＡｌＡｓ0.56
Ｓｂ0.44層、キャップ層４０として１０００Åのｉ−Ｉ
ｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ層を順に形成する。以上を、例えばＭ
ＯＣＶＤなどの結晶成長装置を用いて成長する。この種
の膜を成長させると表面が平坦化するように成長するた
め、その結果、メサ１９の上面ではＡｌＡｓ0.56Ｓｂ
0.44層３９は薄く、メサ１９の外側の底部では厚くな
る。
について図面を参照して詳細に説明する。図１は本素子
の構造図、図２は本素子のプロセスフロー図である。以
下、製法に従って構造を説明する。図２（ａ）に示すよ
うに、１０μｍ幅のストライプ状のメサ１９（第１のメ
サ）を形成したＩｎＰ基板２０（半導体基板）の上に、
図２（ｂ）に示すように、ｎ型クラッド層３５として
１．５μｍ厚さのｎ型ＩｎＧａＡｓＰクラッド層（バン
ドギャップ：１．１８ｅＶ）、下部ＳＣＨ層３６として
１１５０ÅのＩｎＧａＡｓＰ層（バンドギャップ：１．
０８ｅＶ）、活性層３７として１００ÅのＩｎ 0.53Ｇａ
0.47Ａｓ井戸層と１００ÅのＩｎ0.52Ａｌ0.16Ｇａ0.31
Ａｓ障壁層、上部ＳＣＨ層３８として２０５０ÅのＩｎ
0.52Ａｌ0.16Ｇａ0.31Ａｓ層を成長し、その後、上部ｐ
型クラッド層３９として０．３μｍ厚さのＡｌＡｓ0.56
Ｓｂ0.44層、キャップ層４０として１０００Åのｉ−Ｉ
ｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ層を順に形成する。以上を、例えばＭ
ＯＣＶＤなどの結晶成長装置を用いて成長する。この種
の膜を成長させると表面が平坦化するように成長するた
め、その結果、メサ１９の上面ではＡｌＡｓ0.56Ｓｂ
0.44層３９は薄く、メサ１９の外側の底部では厚くな
る。
【００１９】その後、図２（ｃ）に示すように、初めに
ＩｎＰ基板２０に形成したメサ１９よりも幅が広い、幅
５０μｍのストライプメサ４１（第２のメサ）にメサエ
ッチングしてメサ側面にＡｌＡｓ0.56Ｓｂ0.44層３９を
露出させ、酸化用基板４２を作製する。その後、３４０
℃に保ったまま、Ｎ2 ガスでバブリングさせた水蒸気１
０を導入し、ＡｌＡｓ0.56Ｓｂ0.44層３９の側面から酸
化による高抵抗領域層（絶縁領域）１１を形成し、電流
注入領域１２の幅を１０μｍにする。
ＩｎＰ基板２０に形成したメサ１９よりも幅が広い、幅
５０μｍのストライプメサ４１（第２のメサ）にメサエ
ッチングしてメサ側面にＡｌＡｓ0.56Ｓｂ0.44層３９を
露出させ、酸化用基板４２を作製する。その後、３４０
℃に保ったまま、Ｎ2 ガスでバブリングさせた水蒸気１
０を導入し、ＡｌＡｓ0.56Ｓｂ0.44層３９の側面から酸
化による高抵抗領域層（絶縁領域）１１を形成し、電流
注入領域１２の幅を１０μｍにする。
【００２０】酸化工程の図を図３に示す。酸化用基板４
２はホットプレート１６の上に載せ、カバー２１で覆
う。カバー２１には蒸気導入ロ２２と排気口２３を設け
ておく。バブラ２４には水２５を入れて、別のホットプ
レート２６により８５℃に保っておき、ガス導入ロ２７
より窒素ガス３１を導入して排気口３２より水蒸気１０
を取り出す。水蒸気１０はチューブ３３を通してカパー
２１の蒸気導入口２２から酸化用基板４２の周辺に導入
する。
２はホットプレート１６の上に載せ、カバー２１で覆
う。カバー２１には蒸気導入ロ２２と排気口２３を設け
ておく。バブラ２４には水２５を入れて、別のホットプ
レート２６により８５℃に保っておき、ガス導入ロ２７
より窒素ガス３１を導入して排気口３２より水蒸気１０
を取り出す。水蒸気１０はチューブ３３を通してカパー
２１の蒸気導入口２２から酸化用基板４２の周辺に導入
する。
【００２１】ここで、ストライプメサ４１側面は各層の
側面が露出しているが、酸化速度はＡｌ含有量と層厚に
大きく依存するため、主として酸化されるのはＡｌ含有
量が大きく、膜厚の厚いＡｌＡｓ0.56Ｓｂ0.44層３９で
ある。また、酸化速度は、ＡｌやＳｂの組成比の他に、
酸化される層の膜厚にも依存するため、メサ１９外側の
膜厚の厚い部分は酸化速度が速く、メサ１９上部の電流
注入層で酸化速度が非常に遅くなるため、実質的に酸化
がメサ１９の外側のみで生じ、メサ４１の側面から始ま
ってメサ１９の側部でセルフアライン的に停止する。
側面が露出しているが、酸化速度はＡｌ含有量と層厚に
大きく依存するため、主として酸化されるのはＡｌ含有
量が大きく、膜厚の厚いＡｌＡｓ0.56Ｓｂ0.44層３９で
ある。また、酸化速度は、ＡｌやＳｂの組成比の他に、
酸化される層の膜厚にも依存するため、メサ１９外側の
膜厚の厚い部分は酸化速度が速く、メサ１９上部の電流
注入層で酸化速度が非常に遅くなるため、実質的に酸化
がメサ１９の外側のみで生じ、メサ４１の側面から始ま
ってメサ１９の側部でセルフアライン的に停止する。
【００２２】その後、図１に示すように、基板の上面と
裏面に電極１３、１４を形成し、適当な長さに劈開して
半導体レーザ４７が完成する。
裏面に電極１３、１４を形成し、適当な長さに劈開して
半導体レーザ４７が完成する。
【００２３】以下、本発明の第２の実施の形態について
図面を参照して詳細に説明する。図４は本素子の構造
図、図５は本素子のプロセスフロー図である。以下に製
法に従って構造を説明する。図５（ａ）に示すように、
ＩｎＰ基板１の上に、ｎ型クラッド層３５として１．５
μｍ厚さのｎ型ＩｎＧａＡｓＰクラッド層（バンドギャ
ップ：１．１８ｅＶ）、下部ＳＣＨ層３６として１１５
０ÅのＩｎＧａＡｓＰ層（バンドギャップ：１．０８ｅ
Ｖ）、活性層３７として１００ÅのＩｎ0.53Ｇａ0.47Ａ
ｓ井戸層と１００ÅのＩｎ0.52Ａｌ0.16Ｇａ0.31Ａｓ障
壁層、上部ＳＣＨ層３８として２０５０ÅのＩｎ0.52Ａ
ｌ0.16Ｇａ0.31Ａｓ層を成長し、一旦結晶成長装置から
取り出す。
図面を参照して詳細に説明する。図４は本素子の構造
図、図５は本素子のプロセスフロー図である。以下に製
法に従って構造を説明する。図５（ａ）に示すように、
ＩｎＰ基板１の上に、ｎ型クラッド層３５として１．５
μｍ厚さのｎ型ＩｎＧａＡｓＰクラッド層（バンドギャ
ップ：１．１８ｅＶ）、下部ＳＣＨ層３６として１１５
０ÅのＩｎＧａＡｓＰ層（バンドギャップ：１．０８ｅ
Ｖ）、活性層３７として１００ÅのＩｎ0.53Ｇａ0.47Ａ
ｓ井戸層と１００ÅのＩｎ0.52Ａｌ0.16Ｇａ0.31Ａｓ障
壁層、上部ＳＣＨ層３８として２０５０ÅのＩｎ0.52Ａ
ｌ0.16Ｇａ0.31Ａｓ層を成長し、一旦結晶成長装置から
取り出す。
【００２４】その後、図５（ｂ）に示すように、１０μ
ｍ幅のストライプメサ４８を形成し、再び、結晶成長装
置を用いて、図５（ｃ）に示すように、上部ｐ型クラッ
ド層４９として０．３μｍ厚さのＡｌＡｓ0.56Ｓｂ0.44
層、キャップ層５０として１０００Åのｉ−Ｉｎ0.2Ｇ
ａ0.8Ａｓ層を順に形成する。以上を、例えばＭＯＣＶ
Ｄなどの結晶成長装置を用いて成長する。この種の膜を
成長させると表面が平坦化するように成長するため、そ
の結果、メサ４８の上面ではＡｌＡｓ0.56Ｓｂ0. 44層４
９は薄く、メサ４８の外側の底部では厚くなる。
ｍ幅のストライプメサ４８を形成し、再び、結晶成長装
置を用いて、図５（ｃ）に示すように、上部ｐ型クラッ
ド層４９として０．３μｍ厚さのＡｌＡｓ0.56Ｓｂ0.44
層、キャップ層５０として１０００Åのｉ−Ｉｎ0.2Ｇ
ａ0.8Ａｓ層を順に形成する。以上を、例えばＭＯＣＶ
Ｄなどの結晶成長装置を用いて成長する。この種の膜を
成長させると表面が平坦化するように成長するため、そ
の結果、メサ４８の上面ではＡｌＡｓ0.56Ｓｂ0. 44層４
９は薄く、メサ４８の外側の底部では厚くなる。
【００２５】その後、図４に示すように、幅５０μｍの
ストライプ２７にメサエッチングして、メサ側面にＡｌ
Ａｓ0.56Ｓｂ0.44層４９を露出させ、３４０℃に保った
まま、Ｎ2 ガスでバプリングさせた水蒸気１９を導入
し、ＡｌＡｓ0.56Ｓｂ0.44層４９の側面から酸化による
絶縁領域４５を形成し、電流注入領域４６の幅を１０μ
ｍにする。
ストライプ２７にメサエッチングして、メサ側面にＡｌ
Ａｓ0.56Ｓｂ0.44層４９を露出させ、３４０℃に保った
まま、Ｎ2 ガスでバプリングさせた水蒸気１９を導入
し、ＡｌＡｓ0.56Ｓｂ0.44層４９の側面から酸化による
絶縁領域４５を形成し、電流注入領域４６の幅を１０μ
ｍにする。
【００２６】酸化工程に関しては、図３に示す第１の実
施の形態と同様である。酸化用基板４２はホットプレー
ト１６の上に載せ、カバー２１で覆う。カバー２１には
蒸気導入ロ２２と排気口２３を設けておく。バブラ２４
には水２５を入れて、別のホットプレート２６により８
５℃に保っておき、ガス導入ロ２７より窒素ガス３１を
導入して排気口３２より水蒸気１０を取り出す。水蒸気
１０はチューブ３３を通してカパー２１の蒸気導入口２
２から酸化用基板４２の周辺に導入する。
施の形態と同様である。酸化用基板４２はホットプレー
ト１６の上に載せ、カバー２１で覆う。カバー２１には
蒸気導入ロ２２と排気口２３を設けておく。バブラ２４
には水２５を入れて、別のホットプレート２６により８
５℃に保っておき、ガス導入ロ２７より窒素ガス３１を
導入して排気口３２より水蒸気１０を取り出す。水蒸気
１０はチューブ３３を通してカパー２１の蒸気導入口２
２から酸化用基板４２の周辺に導入する。
【００２７】ここで、ストライプメサ２７側面は各層の
側面が露出しているが、酸化速度はＡｌ含有量と層厚に
大きく依存するため、Ａｌ含有量が大きく、膜厚の厚い
ＡｌＡｓ0.56Ｓｂ0.44層４９が主として酸化される。そ
の際、酸化速度は、ＡｌやＳｂの組成比の他に、酸化さ
れる層の膜厚にも依存するため、メサ４８外側の膜厚の
厚い部分は酸化速度が速く、メサ４８上部の電流注入層
で酸化速度が非常に遅くなるため、実質的に酸化がメサ
４８の外側のみで生じ、ストライプメサ２７の側面から
始まってメサ４８の部分でセルフアライン的に停止す
る。
側面が露出しているが、酸化速度はＡｌ含有量と層厚に
大きく依存するため、Ａｌ含有量が大きく、膜厚の厚い
ＡｌＡｓ0.56Ｓｂ0.44層４９が主として酸化される。そ
の際、酸化速度は、ＡｌやＳｂの組成比の他に、酸化さ
れる層の膜厚にも依存するため、メサ４８外側の膜厚の
厚い部分は酸化速度が速く、メサ４８上部の電流注入層
で酸化速度が非常に遅くなるため、実質的に酸化がメサ
４８の外側のみで生じ、ストライプメサ２７の側面から
始まってメサ４８の部分でセルフアライン的に停止す
る。
【００２８】その後、図４に示すように、基板の上面と
裏面に電極１３、１４を形成し、適当な長さに劈開して
半導体レーザ４７が完成する。
裏面に電極１３、１４を形成し、適当な長さに劈開して
半導体レーザ４７が完成する。
【００２９】以下、本発明の第３の実施の形態について
図面を参照して詳細に説明する。図６は本実施の形態の
製造方法のプロセスフロー図である。以下に製法に従っ
て構造を説明する。図６（ａ）に示すように、ＩｎＰ基
板１の上に、ｎ型クラッド層５２として５００ｎｍ厚さ
のｎ型Ｉｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓクラッド層、下部ＳＣＨ層
５３として５０ｎｍのｉ−Ｉｎ0.53（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）
0.47Ａｓ、活性層５４として６０ÅのＩｎＡｓ0.45Ｐ
0.55井戸層と１００Åのｉ−Ｉｎ0.375（Ａｌ0.6Ｇａ
0.4）0.6 25Ａｓ障壁層、上部ＳＣＨ層５５として５００
Åのｉ−Ｉｎ0.53（Ａｌ0.6Ｇａ0 .4）0.47Ａｓを成長
し、その後、ｐ型クラッド層５６として２μｍ厚さのｐ
型Ｉｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓ層、キャップ層５７として５０
０Åのｉ−Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ層を順に形成する。以
上を、例えばＭＯＣＶＤなどの結晶成長装置を用いて成
長する。その後、図６（ｂ）に示すように、幅５０μｍ
のストライプメサ５８にメサエッチングして、酸化用基
板５９を作製する。本実施の形態ではその酸化用基板５
９をＨ2Ｏ2蒸気６０により酸化する。
図面を参照して詳細に説明する。図６は本実施の形態の
製造方法のプロセスフロー図である。以下に製法に従っ
て構造を説明する。図６（ａ）に示すように、ＩｎＰ基
板１の上に、ｎ型クラッド層５２として５００ｎｍ厚さ
のｎ型Ｉｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓクラッド層、下部ＳＣＨ層
５３として５０ｎｍのｉ−Ｉｎ0.53（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）
0.47Ａｓ、活性層５４として６０ÅのＩｎＡｓ0.45Ｐ
0.55井戸層と１００Åのｉ−Ｉｎ0.375（Ａｌ0.6Ｇａ
0.4）0.6 25Ａｓ障壁層、上部ＳＣＨ層５５として５００
Åのｉ−Ｉｎ0.53（Ａｌ0.6Ｇａ0 .4）0.47Ａｓを成長
し、その後、ｐ型クラッド層５６として２μｍ厚さのｐ
型Ｉｎ0.52Ａｌ0.48Ａｓ層、キャップ層５７として５０
０Åのｉ−Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓ層を順に形成する。以
上を、例えばＭＯＣＶＤなどの結晶成長装置を用いて成
長する。その後、図６（ｂ）に示すように、幅５０μｍ
のストライプメサ５８にメサエッチングして、酸化用基
板５９を作製する。本実施の形態ではその酸化用基板５
９をＨ2Ｏ2蒸気６０により酸化する。
【００３０】酸化工程の装置構成に関しては、図３に示
す第１の実施の形態と同様である。酸化用基板５９はホ
ットプレート１６の上に載せ、カバー２１で覆う。カバ
ー２１には蒸気導入ロ２２と排気口２３を設けておく。
本実施の形態の場合、バブラ２４にはＨ2Ｏ2水溶液６１
を入れて、別のホットプレート２６により８５℃に保っ
ておき、ガス導入ロ２７から窒素ガス３１を導入して排
気口３２からＨ2Ｏ2蒸気６０を取り出す。Ｈ2Ｏ2蒸気６
０はチューブ３３を通してカバー２１の蒸気導入口２２
から酸化用基板５９の周辺に導入する。
す第１の実施の形態と同様である。酸化用基板５９はホ
ットプレート１６の上に載せ、カバー２１で覆う。カバ
ー２１には蒸気導入ロ２２と排気口２３を設けておく。
本実施の形態の場合、バブラ２４にはＨ2Ｏ2水溶液６１
を入れて、別のホットプレート２６により８５℃に保っ
ておき、ガス導入ロ２７から窒素ガス３１を導入して排
気口３２からＨ2Ｏ2蒸気６０を取り出す。Ｈ2Ｏ2蒸気６
０はチューブ３３を通してカバー２１の蒸気導入口２２
から酸化用基板５９の周辺に導入する。
【００３１】ここで、ストライプメサ５８側面は各層の
側面が露出しているが、酸化速度はＡｌ含有量と層厚に
大きく依存するため、Ａｌ含有量が大きく、膜厚の厚い
Ｉｎ 0.52Ａｌ0.48Ａｓ層５６が主として酸化される。一
般に、Ｉｎなどの酸化されにくい材料を含有する場合は
単なる水蒸気では酸化が進行しないが、Ｈ2Ｏ2蒸気６０
を用いた場合には酸化力が強いために酸化が進行する。
そこで、１２０分間の酸化により、Ｉｎ0.52Ａｌ0.48Ａ
ｓ層５６はストライプメサ５８の外側から２０μｍ程度
酸化されて絶縁領域１１となり、メサ５８の中央部には
約１０μｍ幅の電流注入領域１２が形成される。
側面が露出しているが、酸化速度はＡｌ含有量と層厚に
大きく依存するため、Ａｌ含有量が大きく、膜厚の厚い
Ｉｎ 0.52Ａｌ0.48Ａｓ層５６が主として酸化される。一
般に、Ｉｎなどの酸化されにくい材料を含有する場合は
単なる水蒸気では酸化が進行しないが、Ｈ2Ｏ2蒸気６０
を用いた場合には酸化力が強いために酸化が進行する。
そこで、１２０分間の酸化により、Ｉｎ0.52Ａｌ0.48Ａ
ｓ層５６はストライプメサ５８の外側から２０μｍ程度
酸化されて絶縁領域１１となり、メサ５８の中央部には
約１０μｍ幅の電流注入領域１２が形成される。
【００３２】その後、図６（ｄ）に示すように、メサ上
面と基板裏面に電極１３、１４を形成し、適当な長さに
劈開して半導体レーザ４７が完成する。
面と基板裏面に電極１３、１４を形成し、適当な長さに
劈開して半導体レーザ４７が完成する。
【００３３】本実施の形態の方法により作製された半導
体レーザは電流注入領域１２を形成する層がＩｎを含ん
だ層であるにも関わらず、Ｈ2Ｏ2蒸気を用いたことによ
り酸化が進行し、近視野像等の評価において、電流が注
入領域の大きさである１０μｍの幅に狭窄されているこ
とが確認され、周辺部の絶縁領域への電流の漏れは観察
されなかった。
体レーザは電流注入領域１２を形成する層がＩｎを含ん
だ層であるにも関わらず、Ｈ2Ｏ2蒸気を用いたことによ
り酸化が進行し、近視野像等の評価において、電流が注
入領域の大きさである１０μｍの幅に狭窄されているこ
とが確認され、周辺部の絶縁領域への電流の漏れは観察
されなかった。
【００３４】なお、上記各実施の形態においては、Ｉｎ
Ｐ系のストライプレーザとしたが、酸化層として他の層
よりも酸化速度の大きい層を含んでいれば、材料系が異
なっても本発明を適用できる。また、最初の基板のメサ
を正方形あるいは円形などの適当な大きさの孤立したメ
サを用いることにより、面発光レーザにも適用可能であ
る。また、実施の形態では酸化に水蒸気、またはＨ2Ｏ2
蒸気を用いたが、酸化作用のある蒸気であれぱ、この他
のものでも代用できる。また、キャリヤガスの種類も窒
素に限らない。
Ｐ系のストライプレーザとしたが、酸化層として他の層
よりも酸化速度の大きい層を含んでいれば、材料系が異
なっても本発明を適用できる。また、最初の基板のメサ
を正方形あるいは円形などの適当な大きさの孤立したメ
サを用いることにより、面発光レーザにも適用可能であ
る。また、実施の形態では酸化に水蒸気、またはＨ2Ｏ2
蒸気を用いたが、酸化作用のある蒸気であれぱ、この他
のものでも代用できる。また、キャリヤガスの種類も窒
素に限らない。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
酸化による絶縁領域をセルフアライン的に形成すること
ができるので、プロセスの制御性が格段に向上し、スト
ライプ幅の均一性が高まるため、素子の歩留まり向上、
導波損失の低減による光学特性の向上が可能になる。ま
た、通常の水蒸気で酸化が不可能な材料系においても酸
化が進行するため、材料系の選択範囲の広い絶縁領域が
形成可能となり、例えば、長波系の低コストな半導体レ
ーザが実現可能になる。
酸化による絶縁領域をセルフアライン的に形成すること
ができるので、プロセスの制御性が格段に向上し、スト
ライプ幅の均一性が高まるため、素子の歩留まり向上、
導波損失の低減による光学特性の向上が可能になる。ま
た、通常の水蒸気で酸化が不可能な材料系においても酸
化が進行するため、材料系の選択範囲の広い絶縁領域が
形成可能となり、例えば、長波系の低コストな半導体レ
ーザが実現可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施の形態である半導体レー
ザの断面図である。
ザの断面図である。
【図２】 同半導体レーザのプロセスフロー図である。
【図３】 同プロセスフローにおける酸化工程を説明す
るための図である。
るための図である。
【図４】 本発明の第２の実施の形態である半導体レー
ザの断面図である。
ザの断面図である。
【図５】 同半導体レーザのプロセスフロー図である。
【図６】 本発明の第３の実施の形態である半導体レー
ザのプロセスフロー図である。
ザのプロセスフロー図である。
【図７】 従来例の半導体レーザの断面図である。
【図８】 同半導体レーザのプロセスフロー図である。
【符号の説明】 １，２０ ＩｎＰ基板（半導体基板） １０ 水蒸気 １３，１４ 電極 １９ メサ（第１のメサ） ３５，５２ 下部クラッド層 ３６，５３ 下部ＳＣＨ層 ３７，５４ 活性層 ３８，５５ 上部ＳＣＨ層 ３９，４９，５６ 上部クラッド層 ４０，５０，５７ キャップ層 ４１ メサ（第２のメサ） ４７ 半導体レーザ ６０ Ｈ2Ｏ2蒸気
Claims (6)
- 【請求項１】 ストライプ状の第１のメサを形成した半
導体基板上に、下部クラッド層、下部ＳＣＨ層、活性
層、上部ＳＣＨ層、他の層よりも酸化速度が大きい材料
からなる上部クラッド層、キャップ層を、少なくとも上
部クラッド層が前記第１のメサによる段差を有するよう
に順次積層する工程と、 前記各層の一部をエッチングして前記第１のメサの幅よ
り広い幅の第２のメサを形成し、その第２のメサの側面
に前記上部クラッド層を露出させる工程と、 酸化作用を持つ蒸気を用いて前記上部クラッド層を酸化
させる工程と、 前記キャップ層の上面と前記半導体基板の裏面に電極を
形成する工程と、を有することを特徴とする半導体レー
ザの製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板上に、下部クラッド層、下部
ＳＣＨ層、活性層、上部ＳＣＨ層を積層する工程と、 前記各層の一部をエッチングして第１のメサを形成する
工程と、 該第１のメサを覆うように前記半導体基板上に他の層よ
りも酸化速度が大きい材料からなる上部クラッド層、キ
ャップ層を順次積層する工程と、 前記上部クラッド層およびキャップ層の一部をエッチン
グして前記第１のメサの幅より広い幅の第２のメサを形
成し、その第２のメサの側面に前記上部クラッド層を露
出させる工程と、 酸化作用を持つ蒸気を用いて前記上部クラッド層を酸化
させる工程と、 前記キャップ層の上面と前記半導体基板の裏面に電極を
形成する工程と、を有することを特徴とする半導体レー
ザの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の半導体レーザ
の製造方法において、前記上部クラッド層の材料が少な
くともＡｌ、Ｓｂのいずれかを含むことを特徴とする半
導体レーザの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の半
導体レーザの製造方法において、 前記上部クラッド層の材料がＩｎを含み、前記蒸気とし
てＨ2Ｏ2蒸気を用いることを特徴とする半導体レーザの
製造方法。 - 【請求項５】 ストライプ状の第１のメサが形成された
半導体基板上に、下部クラッド層、下部ＳＣＨ層、活性
層、上部ＳＣＨ層、上部クラッド層、キャップ層が前記
第１のメサによる段差を有するように積層され、前記各
層からなり前記第１のメサの幅より広い幅の第２のメサ
が設けられ、前記上部クラッド層の前記第１のメサより
外方の領域が酸化されて絶縁領域とされ、前記キャップ
層の上面と前記半導体基板の裏面に電極が形成されたこ
とを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項６】 半導体基板上に、下部クラッド層、下部
ＳＣＨ層、活性層、上部ＳＣＨ層からなる第１のメサが
形成され、該第１のメサを覆うように上部クラッド層、
キャップ層が積層され、これら上部クラッド層およびキ
ャップ層からなり前記第１のメサの幅より広い幅の第２
のメサが設けられ、前記上部クラッド層の前記第１のメ
サより外方の領域が酸化されて絶縁領域とされ、前記キ
ャップ層の上面と前記半導体基板の裏面に電極が形成さ
れたことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35164397A JP2953450B2 (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | 半導体レーザの製造方法および半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35164397A JP2953450B2 (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | 半導体レーザの製造方法および半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186652A true JPH11186652A (ja) | 1999-07-09 |
| JP2953450B2 JP2953450B2 (ja) | 1999-09-27 |
Family
ID=18418648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35164397A Expired - Fee Related JP2953450B2 (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | 半導体レーザの製造方法および半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2953450B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001102687A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-04-13 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子 |
| JP2006216816A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
| KR100710048B1 (ko) | 2004-12-14 | 2007-04-23 | 한국전자통신연구원 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
| KR101013422B1 (ko) | 2003-05-12 | 2011-02-14 | 소니 주식회사 | 면발광형 반도체 레이저소자 및 그 제조방법 |
-
1997
- 1997-12-19 JP JP35164397A patent/JP2953450B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001102687A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-04-13 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子 |
| JP4550189B2 (ja) * | 1999-09-30 | 2010-09-22 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| KR101013422B1 (ko) | 2003-05-12 | 2011-02-14 | 소니 주식회사 | 면발광형 반도체 레이저소자 및 그 제조방법 |
| KR100710048B1 (ko) | 2004-12-14 | 2007-04-23 | 한국전자통신연구원 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
| JP2006216816A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2953450B2 (ja) | 1999-09-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0750448A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP2953450B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法および半導体レーザ | |
| JP2002289976A (ja) | 半導体構造およびその製造方法および半導体レーザ素子および半導体レーザアレイおよび光インターコネクションシステムおよび光ｌａｎシステム | |
| JP4124017B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP3459003B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2005354038A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2564813B2 (ja) | Ａ▲ｌ▼ＧａＩｎＰ半導体発光素子 | |
| US4783425A (en) | Fabrication process of semiconductor lasers | |
| JPH11112086A (ja) | 埋め込み型面発光レーザ及びその作製方法 | |
| JPH01192184A (ja) | 埋込み型半導体レーザの製造方法 | |
| JPH01186688A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0745902A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP2973215B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2001102691A (ja) | 半導体レーザ及び半導体層の酸化方法 | |
| JP3307600B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JP4212393B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPS6237835B2 (ja) | ||
| JP2001077466A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2000124553A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH02240988A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0138390B2 (ja) | ||
| JP2000101189A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH0334485A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH0125238B2 (ja) | ||
| JPH01309393A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990615 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070716 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080716 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090716 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100716 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110716 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110716 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120716 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120716 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130716 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |