JPH10130346A - 重合体イオン伝導膜及びその製造方法 - Google Patents
重合体イオン伝導膜及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 機械的特性が優れて接着力の強い、常温で高
いイオン伝導度を有する重合体イオン伝導膜及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 アルカリ塩、不飽和官能基を有するポリ
エチレングリコールアルキルエーテルのアクリレートま
たはメタクリレート、ポリアルキレングリコールジメタ
クリレートまたはポリアルキレングリコールトリメタク
リレート、ビニル系単量体および紫外線硬化開始剤を含
有する組成物より製造される重合体イオン伝導膜および
その製造方法。
いイオン伝導度を有する重合体イオン伝導膜及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 アルカリ塩、不飽和官能基を有するポリ
エチレングリコールアルキルエーテルのアクリレートま
たはメタクリレート、ポリアルキレングリコールジメタ
クリレートまたはポリアルキレングリコールトリメタク
リレート、ビニル系単量体および紫外線硬化開始剤を含
有する組成物より製造される重合体イオン伝導膜および
その製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、機械的特性の優れ
た且つ接着力の強い、常温で高いイオン伝導度を有する
重合体イオン伝導膜及びその製造方法に関する。詳しく
は、本発明はアルカリ塩、不飽和官能基を有するポリエ
チレングリコールアルキルエーテルのアクリレートまた
はメタクリレート、ポリアルキレングリコールジメタク
リレートまたはポリアルキレングリコールトリメタクリ
レート、ビニル系単量体および紫外線硬化開始剤を含有
する組成物より製造される重合体イオン伝導膜およびそ
の製造方法に関する。
た且つ接着力の強い、常温で高いイオン伝導度を有する
重合体イオン伝導膜及びその製造方法に関する。詳しく
は、本発明はアルカリ塩、不飽和官能基を有するポリエ
チレングリコールアルキルエーテルのアクリレートまた
はメタクリレート、ポリアルキレングリコールジメタク
リレートまたはポリアルキレングリコールトリメタクリ
レート、ビニル系単量体および紫外線硬化開始剤を含有
する組成物より製造される重合体イオン伝導膜およびそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体電解質を利用した電気化学素子は従
来の液体電解質を利用した電気化学装置に比し、溶液の
漏れる虞れがなく薄膜形態に製造することができ、また
小型に製造できるので携帯用電子製品や自動車等に容易
に利用できる長所がある。特に固体重合体電解質薄膜は
高い充放電効率を奏する化学電池を提供することができ
様々な形の電池形態が可能であって、軽いために従来集
中的研究ならびに開発の対象とされて来た。
来の液体電解質を利用した電気化学装置に比し、溶液の
漏れる虞れがなく薄膜形態に製造することができ、また
小型に製造できるので携帯用電子製品や自動車等に容易
に利用できる長所がある。特に固体重合体電解質薄膜は
高い充放電効率を奏する化学電池を提供することができ
様々な形の電池形態が可能であって、軽いために従来集
中的研究ならびに開発の対象とされて来た。
【０００３】さような長所を有する固体化学電池の製造
において、最近電解質に重合体化合物を使用する方法が
開発されつつあるが、これは、重合体が薄膜形態で製造
され得るし、塩を溶解し、イオン透過性を有するので電
解質として利用できるためである。また固体電解質の場
合電池抵抗が低くて小さい電流密度下においても電流の
流れの大きい長所があるからである。
において、最近電解質に重合体化合物を使用する方法が
開発されつつあるが、これは、重合体が薄膜形態で製造
され得るし、塩を溶解し、イオン透過性を有するので電
解質として利用できるためである。また固体電解質の場
合電池抵抗が低くて小さい電流密度下においても電流の
流れの大きい長所があるからである。
【０００４】上記とおりの重合体を利用した固体化学電
池はイオン伝導性と機械的物性とが良好すべきであるも
のの、重合体マトリックスの分子量またはガラス転移温
度のような物理的性質のみを変化させることによっては
両者を共に向上せしめ難い故にイオン伝導性と機械的性
質とをみな向上させるための新たな重合体電解質の開発
が要望されている。
池はイオン伝導性と機械的物性とが良好すべきであるも
のの、重合体マトリックスの分子量またはガラス転移温
度のような物理的性質のみを変化させることによっては
両者を共に向上せしめ難い故にイオン伝導性と機械的性
質とをみな向上させるための新たな重合体電解質の開発
が要望されている。
【０００５】バウア（Ｂａｕｅｒ）等は、米国特許第
４，６５４，２７９号にて、固体電解質の機械的物性を
向上させるために交差結合された重合体の連続したネッ
トワークで成る機械的支持相とメトリックスを通じてイ
オンの伝達通路を提供するイオン伝導相で成る２種の連
続相とを有する伝導性液体重合体の二重ネットワークを
利用した電池を発表した。
４，６５４，２７９号にて、固体電解質の機械的物性を
向上させるために交差結合された重合体の連続したネッ
トワークで成る機械的支持相とメトリックスを通じてイ
オンの伝達通路を提供するイオン伝導相で成る２種の連
続相とを有する伝導性液体重合体の二重ネットワークを
利用した電池を発表した。
【０００６】ルメアウテ（Ｌｅ Ｍｅｈａｕｔｅ）等
は、米国特許第４，５５６，６１４号にて、錯体形成用
重合体１種以上と上記重合体より錯体化されたイオン化
可能なアルカリ塩１種以上とを含む電気化学素子用固体
電解質と上記錯体形成用重合体とが架橋結合工程中に無
定形状態で混合されることを特徴とする上記固体電解質
の製造方法を開示した。シア（Ｘｉｅ）等は、オリゴ−
オキシメチルメタクリレートを重合し製造される重合体
イオン電解質の熱およびイオン伝導性に関し発表した
（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｉｏｎｉｃｓ、１９８４、
１４、２２１〜２２４）。
は、米国特許第４，５５６，６１４号にて、錯体形成用
重合体１種以上と上記重合体より錯体化されたイオン化
可能なアルカリ塩１種以上とを含む電気化学素子用固体
電解質と上記錯体形成用重合体とが架橋結合工程中に無
定形状態で混合されることを特徴とする上記固体電解質
の製造方法を開示した。シア（Ｘｉｅ）等は、オリゴ−
オキシメチルメタクリレートを重合し製造される重合体
イオン電解質の熱およびイオン伝導性に関し発表した
（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｉｏｎｉｃｓ、１９８４、
１４、２２１〜２２４）。
【０００７】なお、リュグァンギョン等は、韓国公開特
許公報第９５−８６０４号にて、紫外線硬化形リチウ
ム、１以上の不飽和官能基を有するポリエチレングリコ
ールのアクリレートおよびメタクリレート、紫外線硬化
開始剤および硬化促進剤で成る紫外線硬化形リチウムイ
オン重合体固体電解質組成物およびその製造方法を開示
した。しかしながら上記発明で製造される重合体電解質
は、重合体薄膜製造の際完全非結晶性（無定形）の薄膜
を製造し難いので、製造された重合体膜のイオン伝導度
は温度によって大きく変化し、常温でのイオン伝導度は
時間の経過によって差異が現れ、実際素子に適用する場
合問題が起こる。なお重合体の主鎖がオキシメチルメタ
クリレート単位のみで成っているので、重合された重合
体膜の硬度が大きすぎるためにイオンの伝導が難しく、
なお薄膜の機械的特性がよくないので電解質膜がこわれ
やすい故に電池や固体電気化学素子に応用するには困難
が伴った。従って上記方法で製造される重合体電解質は
常温におけるイオン伝導度が低くて（１×１０-5Ｓ／ｃ
ｍ以下）、電極に対する接着力が悪い故に固体電気化学
装置に応用する場合、電解質膜に亀裂が生じ、寿命が縮
まる等の問題が起こり、電気化学装置の寿命を短縮する
要因となってきた。
許公報第９５−８６０４号にて、紫外線硬化形リチウ
ム、１以上の不飽和官能基を有するポリエチレングリコ
ールのアクリレートおよびメタクリレート、紫外線硬化
開始剤および硬化促進剤で成る紫外線硬化形リチウムイ
オン重合体固体電解質組成物およびその製造方法を開示
した。しかしながら上記発明で製造される重合体電解質
は、重合体薄膜製造の際完全非結晶性（無定形）の薄膜
を製造し難いので、製造された重合体膜のイオン伝導度
は温度によって大きく変化し、常温でのイオン伝導度は
時間の経過によって差異が現れ、実際素子に適用する場
合問題が起こる。なお重合体の主鎖がオキシメチルメタ
クリレート単位のみで成っているので、重合された重合
体膜の硬度が大きすぎるためにイオンの伝導が難しく、
なお薄膜の機械的特性がよくないので電解質膜がこわれ
やすい故に電池や固体電気化学素子に応用するには困難
が伴った。従って上記方法で製造される重合体電解質は
常温におけるイオン伝導度が低くて（１×１０-5Ｓ／ｃ
ｍ以下）、電極に対する接着力が悪い故に固体電気化学
装置に応用する場合、電解質膜に亀裂が生じ、寿命が縮
まる等の問題が起こり、電気化学装置の寿命を短縮する
要因となってきた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の問題
点を解決するために、本発明者等は、オキシエチルメタ
クリレートと架橋剤および可塑剤を共重合し製造する重
合体イオン電解質につき研究するようになり、適当な架
橋剤と可塑剤とが重合体鎖に導入される時常温での伝導
度が１０-4Ｓ／ｃｍ以上に向上されながら、機械的特性
も向上し、フィルム状態においても接着力の強い固体電
解質膜を形成することを知見した。なおこのような重合
体電解質膜は製造後、フリースタンディングフィルム
（ｆｒｅｅｓｔａｎｄｉｎｇ ｆｉｌｍ）に分離でき、
再び接着する際、接着性が優れて−３Ｖ〜＋３Ｖの電圧
を繰り返し加えた場合、３，０００回以上の実験をした
後でも電解質薄膜の亀裂や気孔が生じなく、界面との接
着性が優れ、固体電気化学素子に応用できることがわか
った。上記とおりの研究事実を基にして、本発明は常温
において、高い伝導特性を有する重合体イオン伝導膜及
びその製造方法を提供することを目的とする。
点を解決するために、本発明者等は、オキシエチルメタ
クリレートと架橋剤および可塑剤を共重合し製造する重
合体イオン電解質につき研究するようになり、適当な架
橋剤と可塑剤とが重合体鎖に導入される時常温での伝導
度が１０-4Ｓ／ｃｍ以上に向上されながら、機械的特性
も向上し、フィルム状態においても接着力の強い固体電
解質膜を形成することを知見した。なおこのような重合
体電解質膜は製造後、フリースタンディングフィルム
（ｆｒｅｅｓｔａｎｄｉｎｇ ｆｉｌｍ）に分離でき、
再び接着する際、接着性が優れて−３Ｖ〜＋３Ｖの電圧
を繰り返し加えた場合、３，０００回以上の実験をした
後でも電解質薄膜の亀裂や気孔が生じなく、界面との接
着性が優れ、固体電気化学素子に応用できることがわか
った。上記とおりの研究事実を基にして、本発明は常温
において、高い伝導特性を有する重合体イオン伝導膜及
びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、組成物総重量に対し１〜５０重量％の一
般式（Ｉ）
に、本発明は、組成物総重量に対し１〜５０重量％の一
般式（Ｉ）
【００１０】
【化７】Ａ+ Ｂ- （Ｉ） 〔式中Ａ+ はリチウム、ナトリウム等のアルカリ陽イオ
ンを示し、Ｂ- はＣ１-、Ｂｒ- 、Ｉ- 、ＳＣＮ- 、Ｃ
ｌＯ4 - 、ＣＦ3 ＳＯ3 - 、Ｎ（ＣＦ3 ＳＯ3 ） 2 - 、
ＢＦ4 - 、ＰＦ6 - 、ＡｓＦ6 - 等の陰イオンを示
す。〕で表されるアルカリ塩、０．１〜２０重量％の光
硬化開始剤、１〜６０重量％の一般式（II）
ンを示し、Ｂ- はＣ１-、Ｂｒ- 、Ｉ- 、ＳＣＮ- 、Ｃ
ｌＯ4 - 、ＣＦ3 ＳＯ3 - 、Ｎ（ＣＦ3 ＳＯ3 ） 2 - 、
ＢＦ4 - 、ＰＦ6 - 、ＡｓＦ6 - 等の陰イオンを示
す。〕で表されるアルカリ塩、０．１〜２０重量％の光
硬化開始剤、１〜６０重量％の一般式（II）
【００１１】
【化８】 〔式中、Ｒ1 は水素原子または炭素原子数１〜２０の直
鎖または側鎖の低級アルキル基を示し、ｍは２００〜１
０００の整数である。〕で表されるポリエチレングリコ
ールアルキルエーテルのアクリレート及び／又はメタク
リレートおよび上記一般式（II）の化合物の重量に対し
１〜６０重量％の一般式（III)
鎖または側鎖の低級アルキル基を示し、ｍは２００〜１
０００の整数である。〕で表されるポリエチレングリコ
ールアルキルエーテルのアクリレート及び／又はメタク
リレートおよび上記一般式（II）の化合物の重量に対し
１〜６０重量％の一般式（III)
【００１２】
【化９】 〔式中、Ｒ1 は前記で定義した通りであり、Ｒ2 はＲ1
または下記一般式（Ｖ）の基を示し、ｎは１〜１０の整
数である。〕で表される架橋剤および１〜５０重量％の
一般式（IV）
または下記一般式（Ｖ）の基を示し、ｎは１〜１０の整
数である。〕で表される架橋剤および１〜５０重量％の
一般式（IV）
【００１３】
【化１０】 〔式中、Ｒ1 は前記で定義した通りであり、Ｒ3 はフェ
ニル基または下記一般式（VI）の基を示す。〕で表され
るビニル系単量体を含むことを特徴とするイオン伝導性
薄膜製造用組成物を提供する。
ニル基または下記一般式（VI）の基を示す。〕で表され
るビニル系単量体を含むことを特徴とするイオン伝導性
薄膜製造用組成物を提供する。
【００１４】
【化１１】 〔式中、Ｒ1 は前記で定義した通りである。〕
【００１５】
【化１２】 〔式中、Ｒ1 は前記で定義した通りである。〕
【００１６】本発明の組成物において、光硬化開始剤、
即ち紫外線硬化開始剤としては、例えばジメトキシフェ
ニルアセトフェノン（ＤＭＰＡ）、２−メチル−１−
（４−メチルチオフェニル）−モルフォリノプロパンノ
ン−１（ＭＭＭＰ）、２−ベンジル−２−ジメチルアミ
ノ−１−（４−モノフォリノフェニル）−ブタノン−１
（ＢＤＭＢ）、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニル
ケトン（１−ＨＣＨＰＫ）、ベンゾフェノン、２，４−
ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メ
トキシベンゾフェノン、ベンジルジスルフィド、アセト
フェノン、ブタンジオン、カルバゾル、フルオレノン、
ベンゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル（ＢＩＢ
Ｅ）、２−クロロチオザントン、チオザントン、ベンジ
ル等が挙げられる。
即ち紫外線硬化開始剤としては、例えばジメトキシフェ
ニルアセトフェノン（ＤＭＰＡ）、２−メチル−１−
（４−メチルチオフェニル）−モルフォリノプロパンノ
ン−１（ＭＭＭＰ）、２−ベンジル−２−ジメチルアミ
ノ−１−（４−モノフォリノフェニル）−ブタノン−１
（ＢＤＭＢ）、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニル
ケトン（１−ＨＣＨＰＫ）、ベンゾフェノン、２，４−
ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メ
トキシベンゾフェノン、ベンジルジスルフィド、アセト
フェノン、ブタンジオン、カルバゾル、フルオレノン、
ベンゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル（ＢＩＢ
Ｅ）、２−クロロチオザントン、チオザントン、ベンジ
ル等が挙げられる。
【００１７】更に、本発明は、プロピレンカーボネート
を一定量更に含むことを特徴とするイオン伝導性薄膜製
造用組成物を提供する。更に、本発明は、上記組成物を
用いるイオン伝導性重合体薄膜の製造方法を提供する。
上記組成物に紫外線を照射し重合体を硬化するかまたは
紫外線照射の後熱処理し重合体薄膜を製造する重合体イ
オン伝導膜の製造方法を提供する。更に、本発明は、上
記製造方法において、紫外線照射の後熱処理方法で重合
体薄膜を製造する方法を提供する。更に、本発明は、上
記製造方法において、リチウム箔、アルミニウム箔また
はリチウム−銅箔上に組成物を被覆し重合体薄膜を製造
する方法を提供する。
を一定量更に含むことを特徴とするイオン伝導性薄膜製
造用組成物を提供する。更に、本発明は、上記組成物を
用いるイオン伝導性重合体薄膜の製造方法を提供する。
上記組成物に紫外線を照射し重合体を硬化するかまたは
紫外線照射の後熱処理し重合体薄膜を製造する重合体イ
オン伝導膜の製造方法を提供する。更に、本発明は、上
記製造方法において、紫外線照射の後熱処理方法で重合
体薄膜を製造する方法を提供する。更に、本発明は、上
記製造方法において、リチウム箔、アルミニウム箔また
はリチウム−銅箔上に組成物を被覆し重合体薄膜を製造
する方法を提供する。
【００１８】以下、本発明を詳しく説明する。本発明の
上記イオン伝導性薄膜製造用組成物において、一般式
（III)の架橋剤および一般式（IV）のビニル系単量体は
重合体ネットワークを形成し、得られるイオン伝導性薄
膜の機械的特性とイオン伝導の特性とを与える役割をす
る低分子量の化合物である。これら低分子量の化合物
は、一般式（II）のポリエチレングリコールアルキルエ
ーテルのアクリレート及び／又はメタクリレートに対
し、一般式（III)の架橋剤の場合、１〜６０重量％、好
ましくは１０〜３０重量％、一般式（IV) のビニル系単
量体の場合、１〜５０重量％、好ましくは５〜１５重量
％の量を使用する。上記一般式（III)の架橋剤の量が上
記範囲より大きいとゴム弾性度が小さくなり薄膜はこわ
れやすく、逆に上記範囲より小さいと薄膜の形成がよく
進まない。一方、一般式（IV) のビニル系単量体の量が
上記範囲より大きいと重合体ネットワーク形成がよく進
まないのでイオン伝導度が低下し、上記範囲より小さい
と薄膜の柔軟性が落ちて機械的な特性が劣化する。又、
一般式（III)の架橋剤において、ｎは好ましくは２〜４
の整数である。
上記イオン伝導性薄膜製造用組成物において、一般式
（III)の架橋剤および一般式（IV）のビニル系単量体は
重合体ネットワークを形成し、得られるイオン伝導性薄
膜の機械的特性とイオン伝導の特性とを与える役割をす
る低分子量の化合物である。これら低分子量の化合物
は、一般式（II）のポリエチレングリコールアルキルエ
ーテルのアクリレート及び／又はメタクリレートに対
し、一般式（III)の架橋剤の場合、１〜６０重量％、好
ましくは１０〜３０重量％、一般式（IV) のビニル系単
量体の場合、１〜５０重量％、好ましくは５〜１５重量
％の量を使用する。上記一般式（III)の架橋剤の量が上
記範囲より大きいとゴム弾性度が小さくなり薄膜はこわ
れやすく、逆に上記範囲より小さいと薄膜の形成がよく
進まない。一方、一般式（IV) のビニル系単量体の量が
上記範囲より大きいと重合体ネットワーク形成がよく進
まないのでイオン伝導度が低下し、上記範囲より小さい
と薄膜の柔軟性が落ちて機械的な特性が劣化する。又、
一般式（III)の架橋剤において、ｎは好ましくは２〜４
の整数である。
【００１９】本発明の組成物のまた別の成分である一般
式（II）のポリエチレングリコールアルキルエーテルの
アクリレート及び／又はメタクリレートは組成物総重量
の１〜６０重量％、アルカリ塩は組成物総重量の１〜５
０重量％、好ましくは１０〜３０重量％、光硬化開始剤
は組成物総重量の０．１〜２０重量％、好ましくは１〜
１０重量％の量で各々含まれる。アルカリ塩の含量が上
記範囲より大きい場合はこれらが結晶化されイオン伝導
度が低下し、その含量が上記範囲より小さい場合もイオ
ン伝導度が低下する問題点がある。又、一般式（II）の
ポリエチレングリコールアルキルエーテルのアクリレー
ト及び／又はメタクリレートにおいて、ｍは好ましくは
３００〜５００の整数である。本発明の組成物には、耐
熱特性、機械的特性または加工特性等を改善するため
に、当業界で通常の知識を有する者に広く公知されてい
る通常の酸化防止剤、染料および顔料、潤滑剤、増粘剤
等のような各種添加剤および／または充填剤を添加でき
る。
式（II）のポリエチレングリコールアルキルエーテルの
アクリレート及び／又はメタクリレートは組成物総重量
の１〜６０重量％、アルカリ塩は組成物総重量の１〜５
０重量％、好ましくは１０〜３０重量％、光硬化開始剤
は組成物総重量の０．１〜２０重量％、好ましくは１〜
１０重量％の量で各々含まれる。アルカリ塩の含量が上
記範囲より大きい場合はこれらが結晶化されイオン伝導
度が低下し、その含量が上記範囲より小さい場合もイオ
ン伝導度が低下する問題点がある。又、一般式（II）の
ポリエチレングリコールアルキルエーテルのアクリレー
ト及び／又はメタクリレートにおいて、ｍは好ましくは
３００〜５００の整数である。本発明の組成物には、耐
熱特性、機械的特性または加工特性等を改善するため
に、当業界で通常の知識を有する者に広く公知されてい
る通常の酸化防止剤、染料および顔料、潤滑剤、増粘剤
等のような各種添加剤および／または充填剤を添加でき
る。
【００２０】なお、本発明の組成物に可塑剤として、上
記一般式（IV）のビニル系単量体とともに高沸点溶媒
（例えば、プロピレンカーボネート）を一般式（II）の
化合物に対し１〜６０重量％を添加し、硬化させるとイ
オン伝導度が１×１０-4Ｓ／ｃｍ以上である重合体電解
質膜が得られる。重合体イオン伝導膜は、上記のとおり
本発明の組成物に２００〜４００ｎｍの紫外線を照射
し、重合体を硬化させることによって重合体ネットワー
クを形成するイオン伝導性重合体薄膜を製造する方法で
製造することができる。また重合体イオン伝導膜は上記
のような紫外線照射工程を経て、熱処理する方法によっ
ても製造できる。なお本発明の組成物をリチウム箔、ア
ルミニウム箔またはリチウム−銅箔上に被覆しイオン伝
導性重合体薄膜を製造することもできる。本発明の組成
物を光硬化によって無溶媒状態で硬化させると、透明で
機械的特性の優れた且つ常温で完全無定形であり、常温
でのイオン伝導度が１×１０-4Ｓ／ｃｍ以上である固体
電解質薄膜が得られる。
記一般式（IV）のビニル系単量体とともに高沸点溶媒
（例えば、プロピレンカーボネート）を一般式（II）の
化合物に対し１〜６０重量％を添加し、硬化させるとイ
オン伝導度が１×１０-4Ｓ／ｃｍ以上である重合体電解
質膜が得られる。重合体イオン伝導膜は、上記のとおり
本発明の組成物に２００〜４００ｎｍの紫外線を照射
し、重合体を硬化させることによって重合体ネットワー
クを形成するイオン伝導性重合体薄膜を製造する方法で
製造することができる。また重合体イオン伝導膜は上記
のような紫外線照射工程を経て、熱処理する方法によっ
ても製造できる。なお本発明の組成物をリチウム箔、ア
ルミニウム箔またはリチウム−銅箔上に被覆しイオン伝
導性重合体薄膜を製造することもできる。本発明の組成
物を光硬化によって無溶媒状態で硬化させると、透明で
機械的特性の優れた且つ常温で完全無定形であり、常温
でのイオン伝導度が１×１０-4Ｓ／ｃｍ以上である固体
電解質薄膜が得られる。
【００２１】なお、光重合の後、１００〜１５０℃で熱
処理すると、薄膜の常温におけるイオン伝導度は５．０
〜１０-5Ｓ／ｃｍとなり、これは上記組成物が光重合後
再び熱処理されても常温においてイオン伝導性の優れた
重合体薄膜を製造できることを示す。本発明により得ら
れる薄膜の厚さは固体電気化学素子の製造等、種々用途
に従い調節することができ、特別の制限はない。本発明
によって得られる電解質組成物より紫外線硬化で製造す
る重合体薄膜は、製造する上で溶媒を使わず、すべての
反応物が重合体膜のネットワークに加わるので薄膜を製
造した後、乾燥や洗浄等の工程が不要で、反応時間がか
なり短いためにインラインプロセス（ｉｎ ｌｉｎｅ
ｐｒｏｃｅｓｓ）が可能であるので薄膜製造工程の単純
化をもたらすことができる。さらに機械的特性が優れて
接着力の強い、且つ常温にて高イオン伝導特性を有する
固体薄膜の形態が得られるので電池、センサー、電気変
色装置等すべての固体形電気化学素子に応用される可能
性が非常に高い。
処理すると、薄膜の常温におけるイオン伝導度は５．０
〜１０-5Ｓ／ｃｍとなり、これは上記組成物が光重合後
再び熱処理されても常温においてイオン伝導性の優れた
重合体薄膜を製造できることを示す。本発明により得ら
れる薄膜の厚さは固体電気化学素子の製造等、種々用途
に従い調節することができ、特別の制限はない。本発明
によって得られる電解質組成物より紫外線硬化で製造す
る重合体薄膜は、製造する上で溶媒を使わず、すべての
反応物が重合体膜のネットワークに加わるので薄膜を製
造した後、乾燥や洗浄等の工程が不要で、反応時間がか
なり短いためにインラインプロセス（ｉｎ ｌｉｎｅ
ｐｒｏｃｅｓｓ）が可能であるので薄膜製造工程の単純
化をもたらすことができる。さらに機械的特性が優れて
接着力の強い、且つ常温にて高イオン伝導特性を有する
固体薄膜の形態が得られるので電池、センサー、電気変
色装置等すべての固体形電気化学素子に応用される可能
性が非常に高い。
【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて本発明をさ
らに詳しく説明するが、本発明の範囲が下記実施例に限
定されるものではない。
らに詳しく説明するが、本発明の範囲が下記実施例に限
定されるものではない。
【００２２】実施例１ ５ｇポリ（エチレングリコール）モノメタクリレートモ
ノメチルエーテル（分子量：４００、製造：Ｐｏｌｙｓ
ｃｉｅｎｃｅ社）に１ｇのトリプロピレングリコールジ
メタクリレート（製造：Ｐｏｌｙｓｃｉｅｎｃｅ社）、
１ｇのブチルメタクリレートおよび０．５ｇのジメトキ
シフェニルアセトフェノン（ＤＭＰＡ）を混合する。こ
の混合物に１．４８ｇのリチウムトリフルオルメタンス
ルホネートを加え、得られた混合物をリチウム−銅箔上
に被覆（ｃｏａｔｉｎｇ）する。窒素気流下で２００〜
４００ｎｍ波長の紫外線を上記被覆物に約２分間放射す
る。このような紫外線放射によって透明で接着力の優れ
た重合体薄膜を得た。このように製造された重合体膜に
対するＸ−線回折分析結果を図２に示したところ、これ
は本発明の重合体薄膜が常温で完全無定形であることを
表す。イオン伝導度試験 重合体薄膜組成物をバンド形の伝導性ガラス基板上に被
覆した後、光硬化によって重合し、充分乾燥して、窒素
雰囲気下で電極間のＡＣインピーダンスを測定し、測定
値を周波数応答分析器により分析し、複素インピーダン
スを解釈する方法でイオン伝導度を求める。このような
方法で測定された実施例１の重合体薄膜固体電解質の常
温におけるイオン伝導度は１×１０-4Ｓ／ｃｍであっ
た。
ノメチルエーテル（分子量：４００、製造：Ｐｏｌｙｓ
ｃｉｅｎｃｅ社）に１ｇのトリプロピレングリコールジ
メタクリレート（製造：Ｐｏｌｙｓｃｉｅｎｃｅ社）、
１ｇのブチルメタクリレートおよび０．５ｇのジメトキ
シフェニルアセトフェノン（ＤＭＰＡ）を混合する。こ
の混合物に１．４８ｇのリチウムトリフルオルメタンス
ルホネートを加え、得られた混合物をリチウム−銅箔上
に被覆（ｃｏａｔｉｎｇ）する。窒素気流下で２００〜
４００ｎｍ波長の紫外線を上記被覆物に約２分間放射す
る。このような紫外線放射によって透明で接着力の優れ
た重合体薄膜を得た。このように製造された重合体膜に
対するＸ−線回折分析結果を図２に示したところ、これ
は本発明の重合体薄膜が常温で完全無定形であることを
表す。イオン伝導度試験 重合体薄膜組成物をバンド形の伝導性ガラス基板上に被
覆した後、光硬化によって重合し、充分乾燥して、窒素
雰囲気下で電極間のＡＣインピーダンスを測定し、測定
値を周波数応答分析器により分析し、複素インピーダン
スを解釈する方法でイオン伝導度を求める。このような
方法で測定された実施例１の重合体薄膜固体電解質の常
温におけるイオン伝導度は１×１０-4Ｓ／ｃｍであっ
た。
【００２３】実施例２（比較例） 実施例１で使用したとおりのポリ（エチレングリコー
ル）モノメタクリレートモノメチルエーテル５ｇに、１
ｇのトリプロピレングリコールジメタクリレート、およ
び０．５ｇのリチウム過塩素酸塩を混合する。この混合
物に０．５ｇのＤＭＰＡを加え、得られた混合物をアル
ミニウム箔（この強度は産業的に用いられる程度であ
る。）上に被覆する。窒素気流下、２００〜４００ｎｍ
波長の紫外線を被覆物に約５分間放射する。このような
紫外線放射によって、得られた重合体フィルムは、透明
ではあるが接着力が落ちて、機械的強度も落ちる。この
化合物のイオン伝導度は常温で１×１０-8Ｓ／ｃｍであ
った。
ル）モノメタクリレートモノメチルエーテル５ｇに、１
ｇのトリプロピレングリコールジメタクリレート、およ
び０．５ｇのリチウム過塩素酸塩を混合する。この混合
物に０．５ｇのＤＭＰＡを加え、得られた混合物をアル
ミニウム箔（この強度は産業的に用いられる程度であ
る。）上に被覆する。窒素気流下、２００〜４００ｎｍ
波長の紫外線を被覆物に約５分間放射する。このような
紫外線放射によって、得られた重合体フィルムは、透明
ではあるが接着力が落ちて、機械的強度も落ちる。この
化合物のイオン伝導度は常温で１×１０-8Ｓ／ｃｍであ
った。
【００２４】実施例３ 実施例１で使用したとおりのポリ（エチレングリコー
ル）モノメタクリレートモノメチルエーテル５ｇに、１
ｇのトリプロピレングリコールジメタクリレート、１ｇ
のスチレンおよび０．５ｇのリチウム過塩素酸塩を混合
する。この混合物に０．５ｇのＤＭＰＡを加え、得られ
た混合物をアルミニウム箔上に被覆する。窒素気流下で
２００〜４００ｎｍ波長の紫外線を被覆物に数分間放射
する。このような紫外線放射によって、透明で接着力の
優れた重合体薄膜が得られた。イオン伝導度は常温にて
１×１０-6Ｓ／ｃｍであった。
ル）モノメタクリレートモノメチルエーテル５ｇに、１
ｇのトリプロピレングリコールジメタクリレート、１ｇ
のスチレンおよび０．５ｇのリチウム過塩素酸塩を混合
する。この混合物に０．５ｇのＤＭＰＡを加え、得られ
た混合物をアルミニウム箔上に被覆する。窒素気流下で
２００〜４００ｎｍ波長の紫外線を被覆物に数分間放射
する。このような紫外線放射によって、透明で接着力の
優れた重合体薄膜が得られた。イオン伝導度は常温にて
１×１０-6Ｓ／ｃｍであった。
【００２５】実施例４ スチレンをブチルメタクリレートに代替することを除い
ては、実施例３と同様に実施して重合体薄膜を製造し
た。得られた重合体薄膜は透明で接着力が優れていた。
イオン伝導度は常温で５×１０-6Ｓ／ｃｍであった。
ては、実施例３と同様に実施して重合体薄膜を製造し
た。得られた重合体薄膜は透明で接着力が優れていた。
イオン伝導度は常温で５×１０-6Ｓ／ｃｍであった。
【００２６】実施例５〜実施例１３ 各成分組成を下記表１のとおり変えることを除いては、
実施例１と同様に実施して重合体薄膜を製造した。得ら
れた重合体薄膜の常温におけるイオン伝導度を測定し、
その結果を表１に示す。
実施例１と同様に実施して重合体薄膜を製造した。得ら
れた重合体薄膜の常温におけるイオン伝導度を測定し、
その結果を表１に示す。
【表１】 ＭＰＥＧＭ：ポリエチレングリコールモノメタクリレー
トモノメチルエーテル ＴＰＧＤＡ：トリプロピレングリコールジメタクリレー
ト ＢＭＡ：ブチルメタクリレート ＤＭＰＡ：ジメトキシフェニルアセトフェノン
トモノメチルエーテル ＴＰＧＤＡ：トリプロピレングリコールジメタクリレー
ト ＢＭＡ：ブチルメタクリレート ＤＭＰＡ：ジメトキシフェニルアセトフェノン
【００２７】実施例１４ 実施例１で使用したとおりのポリ（エチレングリコー
ル）モノメタクリレートモノメチルエーテル５ｇに、１
ｇのトリプロピレングリコールジメタクリレート、１ｇ
のブチルメタクリレート、１．４８ｇのリチウムトリフ
ルオロメタンスルホネートおよび０．５ｇのＤＭＰＡを
加え混合する。この混合物にプロピレンカーボネート４
０重量％を混合し、この混合物をアルミニウム箔上に被
覆する。窒素気流下で２００〜４００ｎｍ波長の紫外線
を上記被覆物に約５分間放射する。このような紫外線放
射によって透明で接着力の優れた重合体薄膜を得た。得
られた重合体薄膜の固体電解質のイオン伝導度は常温で
３×１０-4Ｓ／ｃｍであった。
ル）モノメタクリレートモノメチルエーテル５ｇに、１
ｇのトリプロピレングリコールジメタクリレート、１ｇ
のブチルメタクリレート、１．４８ｇのリチウムトリフ
ルオロメタンスルホネートおよび０．５ｇのＤＭＰＡを
加え混合する。この混合物にプロピレンカーボネート４
０重量％を混合し、この混合物をアルミニウム箔上に被
覆する。窒素気流下で２００〜４００ｎｍ波長の紫外線
を上記被覆物に約５分間放射する。このような紫外線放
射によって透明で接着力の優れた重合体薄膜を得た。得
られた重合体薄膜の固体電解質のイオン伝導度は常温で
３×１０-4Ｓ／ｃｍであった。
【００２８】実施例１５〜実施例１８ 各成分の組成を下記表２のとおり変えることを除いて
は、実施例１４と同様に実施して重合体薄膜を製造し
た。得られた重合体薄膜の常温におけるイオン伝導度を
測定し、その結果を表２に示す。
は、実施例１４と同様に実施して重合体薄膜を製造し
た。得られた重合体薄膜の常温におけるイオン伝導度を
測定し、その結果を表２に示す。
【表２】 ＭＰＥＧＭ、ＴＰＧＤＡ、ＢＭＡおよびＤＭＰＡは、表
１において定義したとおりであって、ＰＣはプロピレン
カーボネートを示す。
１において定義したとおりであって、ＰＣはプロピレン
カーボネートを示す。
【００２９】実施例１９ 実施例１で使用したとおりのポリ（エチレングリコー
ル）モノメタクリレートモノメチルエーテル５ｇに、１
ｇのトリプロピレングリコールジメタクリレート、１ｇ
のスチレンおよび０．５ｇのリチウム過塩素酸塩を混合
する。この混合物に０．５ｇのＤＭＰＡを加え、得られ
た混合物をリチウム箔上に被覆する。窒素気流下、２０
０〜４００ｎｍ波長の紫外線を被覆物に数分間放射す
る。このような紫外線放射によって、透明で接着力の優
れた重合体薄膜が得られた。生成した重合体薄膜の固体
電解質をさらに１１０〜１５０℃、好ましくは１３０℃
の温度で約一分間加熱し、二次熱硬化させた。二次熱硬
化後、得られた重合体薄膜の固体電解質のイオン伝導度
は５×１０-5Ｓ／ｃｍであった。
ル）モノメタクリレートモノメチルエーテル５ｇに、１
ｇのトリプロピレングリコールジメタクリレート、１ｇ
のスチレンおよび０．５ｇのリチウム過塩素酸塩を混合
する。この混合物に０．５ｇのＤＭＰＡを加え、得られ
た混合物をリチウム箔上に被覆する。窒素気流下、２０
０〜４００ｎｍ波長の紫外線を被覆物に数分間放射す
る。このような紫外線放射によって、透明で接着力の優
れた重合体薄膜が得られた。生成した重合体薄膜の固体
電解質をさらに１１０〜１５０℃、好ましくは１３０℃
の温度で約一分間加熱し、二次熱硬化させた。二次熱硬
化後、得られた重合体薄膜の固体電解質のイオン伝導度
は５×１０-5Ｓ／ｃｍであった。
【００３０】実施例２０ スチレンをブチルメタクリレートで代替することを除い
ては、実施例１９と同様に実施し、透明で接着力の優れ
た重合体伝導膜を製造した。
ては、実施例１９と同様に実施し、透明で接着力の優れ
た重合体伝導膜を製造した。
【００３１】実施例２１ 実施例１で使用したとおりのポリ（エチレングリコー
ル）モノメタクリレートモノメチルエーテル５ｇに、１
ｇのトリプロピレングリコールジメタクリレート、１ｇ
のブチルメタクリレートおよび０．５ｇのＤＭＰＡを混
合する。この混合物に１．４８ｇのリチウムトリフルオ
ロメタンスルホネートを加え、得られた混合物を伝導性
ガラス電極上に被覆する。窒素気流下、２５４ｎｍ波長
の紫外線を被覆物に数分間放射する。このような紫外線
放射によって、透明で接着力の優れた重合体薄膜が得ら
れた。生成した重合体薄膜の固体電解質を１００〜１５
０℃、好ましくは１３０℃の温度で約１分間加熱し、二
次熱硬化させた。二次熱硬化後、得られた重合体薄膜の
固体電解質のイオン伝導度は２×１０-5Ｓ／ｃｍであっ
た。
ル）モノメタクリレートモノメチルエーテル５ｇに、１
ｇのトリプロピレングリコールジメタクリレート、１ｇ
のブチルメタクリレートおよび０．５ｇのＤＭＰＡを混
合する。この混合物に１．４８ｇのリチウムトリフルオ
ロメタンスルホネートを加え、得られた混合物を伝導性
ガラス電極上に被覆する。窒素気流下、２５４ｎｍ波長
の紫外線を被覆物に数分間放射する。このような紫外線
放射によって、透明で接着力の優れた重合体薄膜が得ら
れた。生成した重合体薄膜の固体電解質を１００〜１５
０℃、好ましくは１３０℃の温度で約１分間加熱し、二
次熱硬化させた。二次熱硬化後、得られた重合体薄膜の
固体電解質のイオン伝導度は２×１０-5Ｓ／ｃｍであっ
た。
【００３２】実施例２２〜実施例３０ 各成分の組成を下記表３のとおり変えることを除いて
は、実施例２１と同様に実施して重合体薄膜を製造し
た。得られた重合体薄膜の常温におけるイオン伝導度を
測定し、その結果を表３に示す。
は、実施例２１と同様に実施して重合体薄膜を製造し
た。得られた重合体薄膜の常温におけるイオン伝導度を
測定し、その結果を表３に示す。
【表３】 ＭＰＥＧＭ、ＴＰＧＤＡおよびＢＭＡは表１で定義され
たとおりであって、１−ＨＣＨＰＫは１−ヒドロキシシ
クロヘキシルペニルケトンを示す。
たとおりであって、１−ＨＣＨＰＫは１−ヒドロキシシ
クロヘキシルペニルケトンを示す。
【００３３】実施例３１ 実施例１で使用したとおりのポリ（エチレングリコー
ル）モノメタクリレートモノメチルエーテル５ｇに、１
ｇのトリプロピレングリコールジメタクリレート、１．
４８ｇのリチウムトリフルオロメタンスルホネートおよ
び０．５ｇのＤＭＰＡを加え混合する。この混合物にプ
ロピレンカーボネート４０重量％を混合し、この混合物
を伝導性ガラス電極上に被覆する。窒素気流下、２００
〜４００ｎｍ波長の紫外線を被覆物に数分間放射する。
このような紫外線放射によって、透明で接着力の優れた
重合体薄膜が得られた。生成した重合体薄膜の固体電解
質を１００〜１５０℃、好ましくは１３０℃の温度で約
一分間加熱し、二次熱硬化させて重合体薄膜を製造し
た。
ル）モノメタクリレートモノメチルエーテル５ｇに、１
ｇのトリプロピレングリコールジメタクリレート、１．
４８ｇのリチウムトリフルオロメタンスルホネートおよ
び０．５ｇのＤＭＰＡを加え混合する。この混合物にプ
ロピレンカーボネート４０重量％を混合し、この混合物
を伝導性ガラス電極上に被覆する。窒素気流下、２００
〜４００ｎｍ波長の紫外線を被覆物に数分間放射する。
このような紫外線放射によって、透明で接着力の優れた
重合体薄膜が得られた。生成した重合体薄膜の固体電解
質を１００〜１５０℃、好ましくは１３０℃の温度で約
一分間加熱し、二次熱硬化させて重合体薄膜を製造し
た。
【００３４】実施例３２〜実施例３５（光架橋剤反応後
の熱処理による製造方法） 固体電解質の組成を下記表４のとおり変えることを除い
ては、実施例３１と同様に実施して重合体薄膜を製造し
た。得られた薄膜の組成およびイオン伝導度を表４に示
した。
の熱処理による製造方法） 固体電解質の組成を下記表４のとおり変えることを除い
ては、実施例３１と同様に実施して重合体薄膜を製造し
た。得られた薄膜の組成およびイオン伝導度を表４に示
した。
【表４】 ＭＰＥＧＭ、ＴＰＧＤＡ、ＢＭＡおよびＤＭＰＭは表１
で定義されたとおりであって、ＰＣはプロピレンカーボ
ネートを示す。
で定義されたとおりであって、ＰＣはプロピレンカーボ
ネートを示す。
【００３５】実施例３６ 実施例１で使用したとおりのポリ（エチレングリコー
ル）モノメタクリレートモノメチルエーテル５ｇ、１ｇ
のトリプロピレングリコールジメタクリレート、１ｇの
ブチルメタクリレート、０．５ｇのＤＭＰＡおよび１．
５ｇのリチウムトリフルオロメタンスルホネートで構成
された組成物を産業的強度の銅箔上にワイアバーを用い
て被覆する。アルゴン大気下、被覆物に紫外線を照射す
る。５分後光源を除去し、透明なイオン伝導膜を得た。
ル）モノメタクリレートモノメチルエーテル５ｇ、１ｇ
のトリプロピレングリコールジメタクリレート、１ｇの
ブチルメタクリレート、０．５ｇのＤＭＰＡおよび１．
５ｇのリチウムトリフルオロメタンスルホネートで構成
された組成物を産業的強度の銅箔上にワイアバーを用い
て被覆する。アルゴン大気下、被覆物に紫外線を照射す
る。５分後光源を除去し、透明なイオン伝導膜を得た。
【００３６】実施例３７（正極の製造） 銅箔を通常のリチウムコバルトオキシドで塗布されたア
ルミニウム箔で代替することを除いては、実施例３６と
同様に実施し、透明なイオン伝導膜を製造した。
ルミニウム箔で代替することを除いては、実施例３６と
同様に実施し、透明なイオン伝導膜を製造した。
【００３７】
【発明の効果】上記のとおり、本発明によると溶媒のな
い状態においてもアルカリ塩と錯体を形成し、常温にて
高いイオン伝導度を有する固体電解質薄膜を製造するこ
とができる。特に本発明によって、光重合後素子の加工
時必要な熱処理過程において熱硬化が完成され、機械的
特性が優れて電極と界面との接着力が強い重合体電解質
薄膜を製造できるようになった。
い状態においてもアルカリ塩と錯体を形成し、常温にて
高いイオン伝導度を有する固体電解質薄膜を製造するこ
とができる。特に本発明によって、光重合後素子の加工
時必要な熱処理過程において熱硬化が完成され、機械的
特性が優れて電極と界面との接着力が強い重合体電解質
薄膜を製造できるようになった。
【００３８】
【図１】本発明の実施例４、５、１０〜１３において、
光硬化によって製造されたポリアルキレンオキシ−アク
リル系重合体イオン伝導膜の熱分析図である。（１）は
実施例５で、（２）は実施例４で、（３）は実施例１０
で、（４）は実施例１１で、（５）は実施例１２で、
（６）は実施例１３で各々製造されたイオン伝導膜の熱
分析図を表わす。
光硬化によって製造されたポリアルキレンオキシ−アク
リル系重合体イオン伝導膜の熱分析図である。（１）は
実施例５で、（２）は実施例４で、（３）は実施例１０
で、（４）は実施例１１で、（５）は実施例１２で、
（６）は実施例１３で各々製造されたイオン伝導膜の熱
分析図を表わす。
【図２】本発明の実施例１、３、４および５において、
製造された重合体膜のＸ線回折分析図である。（１）は
実施例１で、（２）は実施例３で〔（１）と（２）はピ
ークが重なっている。〕、（３）は実施例４で、（４）
は実施例５で各々製造された重合体電解質薄膜のＸ−線
回折分析図を表わす。
製造された重合体膜のＸ線回折分析図である。（１）は
実施例１で、（２）は実施例３で〔（１）と（２）はピ
ークが重なっている。〕、（３）は実施例４で、（４）
は実施例５で各々製造された重合体電解質薄膜のＸ−線
回折分析図を表わす。
Claims (7)
- 【請求項１】 組成物総重量に対し１〜５０重量％の一
般式（Ｉ） 【化１】 Ａ+ Ｂ- （Ｉ） 〔式中Ａ+ はリチウム、ナトリウム等のアルカリ陽イオ
ンを示し、Ｂ- はＣｌ-、Ｂｒ- 、Ｉ- 、ＳＣＮ- 、Ｃ
ｌＯ4 - 、ＣＦ3 ＳＯ3 - 、Ｎ（ＣＦ3 ＳＯ3 ） 2 - 、
ＢＦ4 - 、ＰＦ6 - 、ＡｓＦ6 - 等の陰イオンを示
す。〕で表されるアルカリ塩、０．１〜２０重量％の光
硬化開始剤、１〜６０重量％の一般式（II） 【化２】 〔式中、Ｒ1 は水素原子または炭素原子数１〜２０の直
鎖または側鎖の低級アルキル基を示し、ｍは２００〜１
０００の整数である。〕で表されるポリエチレングリコ
ールアルキルエーテルのアクリレート及び／又はメタク
リレートおよび上記一般式（II）の化合物の重量に対し
１〜６０重量％の一般式（III) 【化３】 〔式中、Ｒ1 は前記で定義した通りであり、Ｒ2 はＲ1
または下記一般式（Ｖ）の基を示し、ｎは１〜１０の整
数である。〕で表される架橋剤および１〜５０重量％の
一般式（IV） 【化４】 〔式中、Ｒ1 は前記で定義した通りであり、Ｒ3 はフェ
ニル基または下記一般式（VI）の基を示す。〕で表され
るビニル系単量体を含むイオン伝導性薄膜製造用組成
物。 【化５】 〔式中、Ｒ1 は前記で定義した通りである。〕 【化６】 〔式中、Ｒ1 は前記で定義した通りである。〕 - 【請求項２】 プロピレンカーボネートを一般式（II）
の化合物に対し１〜６０重量％の量で更に含むことを特
徴とする請求項１記載の組成物。 - 【請求項３】 ｍが３００〜５００の整数である、請求
項１または２に記載の組成物。 - 【請求項４】 ｎが２〜４の整数である、請求項１〜３
のいずれか１項に記載の組成物。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載の組
成物に２００〜４００ｎｍの紫外線を照射し硬化せしめ
ることによって、重合体ネットワーク（ｎｅｔｗｏｒ
ｋ）を形成することを特徴とするイオン伝導性重合体薄
膜の製造方法。 - 【請求項６】 紫外線照射後、熱処理方法で重合体薄膜
を製造することを特徴とする請求項５に記載のイオン伝
導性重合体薄膜の製造方法。 - 【請求項７】 組成物をリチウム箔、アルミニウム箔ま
たはリチウム−銅箔上に被覆することを特徴とする請求
項５記載のイオン伝導性重合体薄膜の製造方法。
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