JPH10125853A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH10125853A JPH10125853A JP29585396A JP29585396A JPH10125853A JP H10125853 A JPH10125853 A JP H10125853A JP 29585396 A JP29585396 A JP 29585396A JP 29585396 A JP29585396 A JP 29585396A JP H10125853 A JPH10125853 A JP H10125853A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner lead
- semiconductor chip
- insulating tape
- interval
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁テープ端部及びインナーリード間隔の広
い箇所にも接着時の圧力を確実に加えることができる樹
脂封止型半導体装置を提供すること。 【解決手段】 リードフレーム１のインナーリード部２
群が４分割形成された絶縁テープ５により半導体チップ
３の上面に接合されている。そして、この絶縁テープ５
はインナーリード部２群の先端部とバスバー６に囲まれ
た平面内に収まるように形成されている。さらに、イン
ナーリード部２の間隔の広いところには、バスバー６か
らインナーリード方向に突片４が形成されており、実質
的にはインナーリード部２の間隔が狭まったのと同様の
効果を得ている。これにより、絶縁テープ５と半導体チ
ップ３を接合する際の絶縁テープ５と半導体チップ３と
の間の未接着部７がなくなり、インナーリード部２群と
半導体チップ３は強固に接合され、この後のワイヤボン
ディング工程でのボンディング加圧力による半導体チッ
プ３のインナーリード部２群からの剥離や半導体チップ
の破損及び、半導体チップ３の信頼性低下を防止するこ
とができる。
い箇所にも接着時の圧力を確実に加えることができる樹
脂封止型半導体装置を提供すること。 【解決手段】 リードフレーム１のインナーリード部２
群が４分割形成された絶縁テープ５により半導体チップ
３の上面に接合されている。そして、この絶縁テープ５
はインナーリード部２群の先端部とバスバー６に囲まれ
た平面内に収まるように形成されている。さらに、イン
ナーリード部２の間隔の広いところには、バスバー６か
らインナーリード方向に突片４が形成されており、実質
的にはインナーリード部２の間隔が狭まったのと同様の
効果を得ている。これにより、絶縁テープ５と半導体チ
ップ３を接合する際の絶縁テープ５と半導体チップ３と
の間の未接着部７がなくなり、インナーリード部２群と
半導体チップ３は強固に接合され、この後のワイヤボン
ディング工程でのボンディング加圧力による半導体チッ
プ３のインナーリード部２群からの剥離や半導体チップ
の破損及び、半導体チップ３の信頼性低下を防止するこ
とができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラスチック等の
モールド樹脂で封止された樹脂封止型半導体装置の構造
に関するものである。
モールド樹脂で封止された樹脂封止型半導体装置の構造
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来は、この樹脂封止型半導体装置とし
て、例えば特開昭６１−２４１９５９号公報に開示され
ているものがある。図２にかかる従来の樹脂封止型半導
体装置の内部平面図を示したものである。図２に示す半
導体装置は、リードフレーム１のインナーリード部２群
が４分割形成された絶縁テープ５により半導体チップ３
の上面に圧着接合されているものである。
て、例えば特開昭６１−２４１９５９号公報に開示され
ているものがある。図２にかかる従来の樹脂封止型半導
体装置の内部平面図を示したものである。図２に示す半
導体装置は、リードフレーム１のインナーリード部２群
が４分割形成された絶縁テープ５により半導体チップ３
の上面に圧着接合されているものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術に
おいては、この絶縁テープの端面がインナーリード部群
２及びバスバー６の端面からはみ出しており、図２のＢ
−Ｂ線一部拡大断面図である図４に示すように、絶縁テ
ープ端面では接合時の圧力が十分に伝わらずに未接着部
７が発生する。
おいては、この絶縁テープの端面がインナーリード部群
２及びバスバー６の端面からはみ出しており、図２のＢ
−Ｂ線一部拡大断面図である図４に示すように、絶縁テ
ープ端面では接合時の圧力が十分に伝わらずに未接着部
７が発生する。
【０００４】さらに、インナーリード部２の間隔の広い
ところでは、図２のＡ−Ａ線の一部拡大断面図である図
３に示すように、同様に接合時の圧力が十分に伝わら
ず、未接着部７が発生する。このため、この後のワイヤ
ボンディング工程でのボンディングの加圧力により半導
体チップ３のインナーリード部２群からの剥離や、半導
体チップ３の破損及び、半導体チップ３の信頼性低下を
招いていた。
ところでは、図２のＡ−Ａ線の一部拡大断面図である図
３に示すように、同様に接合時の圧力が十分に伝わら
ず、未接着部７が発生する。このため、この後のワイヤ
ボンディング工程でのボンディングの加圧力により半導
体チップ３のインナーリード部２群からの剥離や、半導
体チップ３の破損及び、半導体チップ３の信頼性低下を
招いていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は従来技術の課題
を有利に解決するものであって、絶縁テープをインナー
リード先端部とバスバーに囲まれた平面内に収まるよう
に形成し、さらに、バスバーからチップ長辺方向に突片
を設けることによって、テープ端部及びインナーリード
間隔の広い箇所にも接着時の圧力を確実に加えることが
できる。
を有利に解決するものであって、絶縁テープをインナー
リード先端部とバスバーに囲まれた平面内に収まるよう
に形成し、さらに、バスバーからチップ長辺方向に突片
を設けることによって、テープ端部及びインナーリード
間隔の広い箇所にも接着時の圧力を確実に加えることが
できる。
【０００６】上記の構成を有することにより、本発明の
半導体装置においては、絶縁テープに付加された接着剤
によって、半導体チップとインナーリードを圧着させる
が、接着圧力はインナーリードを介して伝わるため絶縁
テープはインナーリード部群の先端部とバスバーに囲ま
れた平面内に収まるように形成し、絶縁テープ端部に接
着時の圧力が確実に加わるようにし、未接着部のない強
固な接合状態を得ることができる。さらに、チップ長辺
方向については、インナーリード間隔を可能な限り狭く
するため、インナーリード間隔の広い箇所にはバスバー
からインナーリード方向に突片を設けることにより、実
質的にはインナーリード間隔が狭くなったのと同様の効
果を得ることができ、チップ長辺方向にも未接着部のな
い強固な接合状態を得ることができる。
半導体装置においては、絶縁テープに付加された接着剤
によって、半導体チップとインナーリードを圧着させる
が、接着圧力はインナーリードを介して伝わるため絶縁
テープはインナーリード部群の先端部とバスバーに囲ま
れた平面内に収まるように形成し、絶縁テープ端部に接
着時の圧力が確実に加わるようにし、未接着部のない強
固な接合状態を得ることができる。さらに、チップ長辺
方向については、インナーリード間隔を可能な限り狭く
するため、インナーリード間隔の広い箇所にはバスバー
からインナーリード方向に突片を設けることにより、実
質的にはインナーリード間隔が狭くなったのと同様の効
果を得ることができ、チップ長辺方向にも未接着部のな
い強固な接合状態を得ることができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照しながら説明する。
いて図面を参照しながら説明する。
【０００８】図１は、本発明の一実施の形態を示したも
のである。図１に示す実施の形態にかかる半導体装置は
半導体チップに対してリードフレーム１のインナーリー
ド部２群が４分割形成された絶縁テープ５により半導体
チップ３の上面に接合されている。そして、この絶縁テ
ープ５は前記インナーリード部２群の先端部とバスバー
６に囲まれた平面内に収まるように形成されている。
のである。図１に示す実施の形態にかかる半導体装置は
半導体チップに対してリードフレーム１のインナーリー
ド部２群が４分割形成された絶縁テープ５により半導体
チップ３の上面に接合されている。そして、この絶縁テ
ープ５は前記インナーリード部２群の先端部とバスバー
６に囲まれた平面内に収まるように形成されている。
【０００９】さらに、インナーリード部２の間隔の広い
ところには、バスバー６からインナーリード方向に突片
４が形成されており、実質的にはインナーリード部２の
間隔が狭まったのと同様の効果を得ている。これによ
り、絶縁テープ５と半導体チップ３を接合する際の絶縁
テープ５と半導体チップ３との間の未接着部７がなくな
り、インナーリード部２群と半導体チップ３は強固に接
合され、この後のワイヤボンディング工程でのボンディ
ング加圧力による半導体チップ３のインナーリード部２
群からの剥離や半導体チップの破損及び、半導体チップ
３の信頼性低下を防止することができる。
ところには、バスバー６からインナーリード方向に突片
４が形成されており、実質的にはインナーリード部２の
間隔が狭まったのと同様の効果を得ている。これによ
り、絶縁テープ５と半導体チップ３を接合する際の絶縁
テープ５と半導体チップ３との間の未接着部７がなくな
り、インナーリード部２群と半導体チップ３は強固に接
合され、この後のワイヤボンディング工程でのボンディ
ング加圧力による半導体チップ３のインナーリード部２
群からの剥離や半導体チップの破損及び、半導体チップ
３の信頼性低下を防止することができる。
【００１０】また、図５は、インナーリード部２の間の
距離と、絶縁テープ５の未接着の割合の関係をグラフに
示したものであり、横軸にインナーリード部２の間の距
離、縦軸にその時の絶縁テープ５の未接着が発生した割
合を示している。インナーリード間隔が略１ｍｍ未満の
領域では絶縁テープの未接着は１０％未満であるが、イ
ンナーリード間隔が１．６ｍｍを超えたところで未接着
割合が５０％に達し、２ｍｍではほとんど全ての絶縁テ
ープに未接着が発生する。このことから、インナーリー
ド間隔は略１ｍｍ未満とする必要があることがわかる。
また、インナーリードの端部よりはみ出した絶縁テープ
は、図５でのリード間隔が無限大となるため、ほとんど
が剥離すると考えてよい。
距離と、絶縁テープ５の未接着の割合の関係をグラフに
示したものであり、横軸にインナーリード部２の間の距
離、縦軸にその時の絶縁テープ５の未接着が発生した割
合を示している。インナーリード間隔が略１ｍｍ未満の
領域では絶縁テープの未接着は１０％未満であるが、イ
ンナーリード間隔が１．６ｍｍを超えたところで未接着
割合が５０％に達し、２ｍｍではほとんど全ての絶縁テ
ープに未接着が発生する。このことから、インナーリー
ド間隔は略１ｍｍ未満とする必要があることがわかる。
また、インナーリードの端部よりはみ出した絶縁テープ
は、図５でのリード間隔が無限大となるため、ほとんど
が剥離すると考えてよい。
【００１１】よって、本発明による絶縁テープの形成方
法は極めて有効であることがわかる。
法は極めて有効であることがわかる。
【００１２】
【発明の効果】本発明の各請求項記載の発明は、インナ
ーリード間隔の広い部分にはバスバーからインナーリー
ド方向に突片を設けることにより、実質的にインナーリ
ード間隔が狭まったことになり、チップの長辺方向にも
未接着部のない強固な接合状態を得ることができる。
ーリード間隔の広い部分にはバスバーからインナーリー
ド方向に突片を設けることにより、実質的にインナーリ
ード間隔が狭まったことになり、チップの長辺方向にも
未接着部のない強固な接合状態を得ることができる。
【図１】本発明の一実施の形態を示す平面図である。
【図２】従来の樹脂封止型半導体装置の内部平面図であ
る。
る。
【図３】図２のＡ−Ａ線の一部拡大断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ線の一部拡大断面図である。
【図５】インナーリード部間の距離と絶縁テープの未接
着の割合の関係を示した図である。
着の割合の関係を示した図である。
１ リードフレーム ２ インナーリード部 ３ 半導体チップ ４ 突片 ５ 絶縁テープ ６ バスバー ７ 未接着部
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップ上に形成された絶縁テープ
と、この絶縁テープ上に接着されるインナーリード部群
とバスバーとを有するリードフレームと、前記半導体チ
ップが封止されるモールド樹脂とを具備した樹脂封止型
半導体装置において、 前記絶縁テープは、複数個に分割され、かつ各々の絶縁
テープは、前記インナーリード部群とバスバーに囲まれ
た平面内に収まるように形成され、さらにインナーリー
ド部の間隔が所定の長さ以上の部分には、前記バスバー
からインナーリード方向に突片を形成して前記所定の長
さ以上の部分の間隔を埋めるように構成することを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の樹脂封止型半導体装置に
おいて、インナーリード部の間隔が所定の長さとは、略
１ｍｍ未満であることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29585396A JPH10125853A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29585396A JPH10125853A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125853A true JPH10125853A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17826044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29585396A Pending JPH10125853A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10125853A (ja) |
-
1996
- 1996-10-18 JP JP29585396A patent/JPH10125853A/ja active Pending
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