JPH0758136A - トランスファモールド方法 - Google Patents

トランスファモールド方法

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JPH0758136A
JPH0758136A JP19818593A JP19818593A JPH0758136A JP H0758136 A JPH0758136 A JP H0758136A JP 19818593 A JP19818593 A JP 19818593A JP 19818593 A JP19818593 A JP 19818593A JP H0758136 A JPH0758136 A JP H0758136A
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JP
Japan
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lead
cavity
die
groove
resin
Prior art date
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Pending
Application number
JP19818593A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Hatakeyama
幸一 畠山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Akita Electronics Systems Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Akita Electronics Co Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Akita Electronics Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPH0758136A publication Critical patent/JPH0758136A/ja
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 成形金型1のリード溝3内にアウターリード
5Bを配置する作業性を高めると共に、アウターリード
5Bの側面上に樹脂が成形されるのを防止する。 【構成】 トランスファモールド方法において、キャビ
ティ2にリード溝3の一端が連結され、リード溝3上の
領域に、突起部4が設けられた成形金型1を準備する段
階と、上型1Aと下型1Bとの間にリードフレーム5を
配置し、インナーリード5Aをキャビティ2内に配置す
ると共に、アウターリード5Bをリード溝3内に配置す
る段階と、前記アウターリード5Bを前記上型1Aと下
型1Bとで挾み込むと共に、前記突起部4でアウターリ
ード5Bに塑性変形を施し、このアウターリード5Bの
側面5B1を前記リード溝3の側面3Bに密着する段階
と、前記キャビティ2内に樹脂を充填し、このキャビテ
ィ2内に配置されたインナーリード5Aを封止する段階
とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、トランスファモールド
技術(移送成形技術)に関し、特に、半導体製造技術にお
けるトランスファモールド技術に適用して有効な技術に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】回路システムが塔載された半導体ペレッ
トを樹脂封止体で封止する樹脂封止型半導体装置とし
て、例えば樹脂封止体の裏面(実装面側)からタブの裏面
(半導体ペレットを塔載するペレット塔載面と対向する
裏面側)を露出したフラットパッケージ構造の樹脂封止
型半導体装置がある。この種の樹脂封止型半導体装置
は、組立プロセスにおいて、インナーリードとアウター
リードとの間に設けられるダムバー(タイバー)を廃止し
た所謂ダムレスリードフレームが使用される。
【0003】前記樹脂封止型半導体装置は、組立プロセ
ス中の封止工程において、トランスファモールド技術が
使用される。このトランスファモールド技術は、リード
フレームに支持された半導体ペレット、リードフレーム
のインナーリード等を樹脂封止体で封止する技術であ
る。
【0004】前記トランスファモールド技術にはトラン
スファモールド装置が使用され、その成形部には成形金
型が装着される。成形金型は、上型と下型とで形成され
るキャビティにリード溝が連結された構造で構成され
る。キャビティ内には、リードフレームに支持された半
導体ペレット、リードフレームのインナーリード等が配
置される。リード溝内にはリードフレームのアウターリ
ードが配置される。
【0005】前記成形金型を使用し、樹脂封止型半導体
装置の樹脂封止体を成形するトランスファモールド技術
は、まず、前記成形金型をトランスファモールド装置に
装着する。次に、半導体ペレットがボンディングワイヤ
を介して電気的に接続され、かつ支持されたリードフレ
ームを前記成形金型の上型と下型との間に配置し、リー
ドフレームに支持された半導体ペレット、リードフレー
ムのインナーリード等を前記成形金型のキャビティ内に
配置すると共に、リードフレームのアウターリードを前
記成形金型のリード溝内に配置する。次に、成形金型の
上型と下型との合わせ面を重ね合わせ、リード溝内に配
置されたアウターリードを上型と下型とで挾み込む。次
に、前記成形金型のキャビティ内に樹脂を充填し、この
キャビティ内に配置された半導体ペレット、インナーリ
ード等を封止する。これにより、半導体ペレット、イン
ナーリード等を封止した樹脂封止型半導体装置の樹脂封
止体が成形される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述の樹脂
封止型半導体装置の樹脂封止体を成形するトランスファ
モールド技術について以下の問題点を見出した。
【0007】前記トランスファモールド技術において、
成形金型は、リードフレームに支持された半導体ペレッ
ト、このリードフレームのインナーリード等が配置され
るキャビティに、前記リードフレームのアウターリード
が配置されるリード溝を連結した構造で構成される。リ
ード溝の幅は、アウターリードの配置(装着)を容易に行
うため、アウターリードの幅寸法にクリアランス寸法を
加味した寸法で形成される。つまり、リード溝の幅はア
ウターリードの幅に比べて若干広めに形成される。しか
しながら、リード溝のクリアランス寸法が大きい場合、
キャビティ内に充填された樹脂がアウターリードの側面
とリード溝の側面との間の隙間に流れ込み、アウターリ
ードの側面上に樹脂が成形されてしまう。そこで、リー
ド溝のクリアランス寸法を小さくすれば、アウターリー
ドの側面上に樹脂が成形されるのを防止することができ
るが、リード溝内にアウターリードを容易に配置するこ
とができなくなる。つまり、アウターリードの側面上に
樹脂が成形されるのを防止すればリード溝にアウターリ
ードを配置する作業性が低下し、リード溝にアウターリ
ードを配置する作業性を高めればアウターリードの側面
上に樹脂が成形される。
【0008】本発明の目的は、トランスファモールド技
術において、成形金型のリード溝内にリードフレームの
アウターリードを配置する作業性を高めると共に、アウ
ターリードの側面上に樹脂が成形されるのを防止するこ
とが可能な技術を提供することにある。
【0009】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【0010】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【0011】トランスファモールド方法において、(1)
上型と下型とで形成されるキャビティに、前記上型若し
くは下型の合わせ面からその深さ方向に向って形成され
たリード溝の一端が連結され、前記下型若しくは上型の
合わせ面のリード溝上の領域に、この合わせ面からリー
ド溝の底面に向って突出する突起部が設けられた成形金
型を準備する段階と、(2)前記上型と下型との間にリー
ドフレームを配置し、このリードフレームにアウターリ
ードを介して支持されたインナーリードを前記キャビテ
ィ内に配置すると共に、前記リードフレームに支持され
たアウターリードを前記リード溝内に配置する段階と、
(3)前記上型、下型の夫々の合わせ面を重ね合わせ、前
記リード溝に配置されたアウターリードを前記上型と下
型とで挾み込むと共に、前記突起部でアウターリードに
塑性変形を施し、このアウターリードの互いに対向する
夫々の側面を前記リード溝の互いに対向する夫々の側面
に夫々毎に密着する段階と、(4)前記キャビティ内に樹
脂を充填し、このキャビティ内に配置されたインナーリ
ードを封止する段階とを備える。
【0012】
【作用】上述した手段によれば、成形金型のリード溝内
にリードフレームのアウターリードを配置した後、アウ
ターリードの塑性変形でリード溝の側面にアウターリー
ドの側面を密着させるので、アウターリードの幅寸法に
比べてリード溝の幅寸法を大きく設定することができ
る。
【0013】また、アウターリードの塑性変形でリード
溝の側面にアウターリードの側面を密着させ、リード溝
の側面とアウターリードの側面との間の隙間(クリアラ
ンス)を除去できるので、キャビティ内に充填された樹
脂がリード溝の側面とアウターリードの側面との間に流
れ込むのを防止できる。
【0014】この結果、トランスファモール技術におい
て、成形金型のリード溝内にリードフレームのアウター
リードを配置する作業性を高めることができると共に、
アウターリードの側面上に樹脂が成形されるのを防止で
きる。
【0015】
【実施例】以下、本発明の構成について、一実施例とと
もに説明する。なお、実施例を説明するための全図にお
いて、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰
り返しの説明は省略する。
【0016】本発明の一実施例であるトランスファモー
ルド技術に使用される成形金型の概略構成を図1(下型
の合わせ面を示す要部平面図)、図2(上型の合わせ面
を示す要部平面図)、図3(図1及び図2に示すA−A
切断線の位置で切断した状態を示す上型及び下型の要部
断面図)及び図4(図1及び図2に示すB−B切断線の
位置で切断した状態を示す上型及び下型の要部断面図)
に示す。
【0017】図1乃至図4に示すように、トランスファ
モールド技術に使用される成形金型1は、上型1A及び
下型1Bを主体に構成される。この成形金型1には、上
型1Aと下型1Bとで形成されるキャビティ2が構成さ
れる。
【0018】前記下型1Bには、この下型1Bの合わせ
面1B1からその深さ方向に向って形成されたリード溝
3が構成される。このリード溝3は一端がキャビティ2
に連結される。
【0019】前記上型1Aには、この上型1Aの合わせ
面1A1から突出した突起部4が設けられる。突起部4
は、下型1Bに形成されたリード溝3と対向する上型1
Aの合わせ面1A1に形成され、キャビティ2とリード
溝3との連結領域の近傍(リード溝3の一端側)に配置
される。つまり、突起部4は、上型1Aの合わせ面1A
1のリード溝3上の領域に、この合わせ面1A1からリ
ード溝3の底面3Aに向って突出した構造で構成され
る。
【0020】前記成形金型1の上型1Aと下型1Bとの
間にはリードフレーム5が配置される。リードフレーム
5は、インナーリード5Aとアウターリード5Bとの間
に設けられるダムバー(タイバー)が廃止された所謂ダム
バーレス構造で構成される。
【0021】前記キャビティ2内には、リードフレーム
5にアウターリード5Bを介して支持されたインナーリ
ード5A、インナーリード5Aに支持されたタブ5C、
タブ5Cに接着固定された半導体ペレット6等が配置さ
れる。半導体ペレット6はボンディングワイヤ7を介し
てインナーリード5Aに電気的に接続される。
【0022】前記リード溝3内にはリードフレーム5に
支持されたアウターリード5Bが配置される。このリー
ド溝3の幅は、アウターリード5Bの幅寸法にクリアラ
ンス寸法を加味した寸法で形成される。つまり、リード
溝3の幅はアウターリード5Bの幅に比べて若干広めに
形成される。
【0023】なお、図示していないが、前記キャビティ
2には、流入ゲート(レジンゲート)、ランナーの夫々を
通してポットが連結される。また、図2に示す一点鎖線
で囲まれた領域は、下型1Bの合わせ面1B1が当接す
る領域である。
【0024】次に、前記成形金型1を使用し、樹脂封止
型半導体装置の樹脂封止体を成形するトランスファモー
ルド技術について簡単に説明する。
【0025】まず、前記成形金型1を準備し、トランス
ファモールド装置の成形部に装着する。
【0026】次に、前記成形金型1の上型1Aと下型1
Bとの間にリードフレーム5を配置し、このリードフレ
ーム5にアウターリード5Bを介して支持されたインナ
ーリード5A、インナーリード5Aに支持されたタブ5
C、タブ5Cに接着固定された半導体ペレット5の夫々
をキャビティ2内に配置すると共に、リードフレーム5
に支持されたアウターリード5Bをリード溝3内に配置
する。この時、リード溝3の幅はアウターリード5Bの
幅に比べて広めに形成されているので、図4に示すよう
に、リード溝3の側面3Bとアウターリード5Bの側面
5B1との間に隙間ができる。また、リード溝3の幅を
アウターリード5Bの幅に比べて広めに形成することに
より、リード溝3内にアウターリード5Bを容易に配置
でき、作業性を高めることができる。
【0027】次に、前記上型1Aの合わせ面1A1と下
型1Bの合わせ面1B1とを重ね合わせ、図5(上型と
下型とを重ね合わせた状態を示す要部部面図)に示すよ
うに、前記リード溝3内に配置されたアウターリード5
Bを上型1Aと下型1Bとで挾み込むと共に、突起部4
でアウターリード5Bに塑性変形を施し、アウターリー
ド5Bの互いに対向する夫々の側面5B1をリード溝3
の互いに対向する夫々の側面3Aに夫々毎に密着させ
る。この時、リード溝3の側面3Aとアウターリード5
Bの側面5B1との間の除去は廃止される。
【0028】次に、前記キャビティ2内に樹脂を充填
し、このキャビティ2内に配置されたインナーリード5
A、タブ5C、半導体ペレット6等を封止する。この
時、リード溝3の側面3Aとアウターリード5Bの側面
5B1との間の隙間(クリアランス)は除去されている
ので、キャビティ2内に充填された樹脂がリード溝3の
側面3Aとアウターリード5Bの側面5B1との間に流
れ込むのを防止できる。これにより、インナーリード5
A、タブ5C、半導体ペレット6等を封止した樹脂封止
型半導体装置の樹脂封体がほぼ完成する。
【0029】このように、トランスファモールド技術に
おいて、上型1Aと下型1Bとで形成されるキャビティ
2に、前記下型1Bの合わせ面1B1からその深さ方向
に向って形成されたリード溝3の一端が連結され、前記
上型1Aの合わせ面1A1のリード溝3上の領域に、こ
の合わせ面1A1からリード溝3の底面3Aに向って突
出する突起部4が設けられた成形金型1を準備する段階
と、前記上型1Aと下型1Bとの間にリードフレーム5
を配置し、このリードフレーム5にアウターリード5B
を介して支持されたインナーリード5Aを前記キャビテ
ィ2内に配置すると共に、前記リードフレーム5に支持
されたアウターリード5Bを前記リード溝3内に配置す
る段階と、前記上型1Aの合わせ面1A1と下型1Bの
合わせ面1B1とを重ね合わせ、前記リード溝3に配置
されたアウターリード5Bを前記上型1Aと下型1Bと
で挾み込むと共に、前記突起部4でアウターリード5B
に塑性変形を施し、このアウターリード5Bの互いに対
向する夫々の側面5B1を前記リード溝3の互いに対向
する夫々の側面3Bに夫々毎に密着する段階と、前記キ
ャビティ2内に樹脂を充填し、このキャビティ2内に配
置されたインナーリード5A、タブ5C、半導体ペレッ
ト6等を封止する段階とを備える。これにより、成形金
型1のリード溝3内にリードフレーム5のアウターリー
ド5Bを配置した後、アウターリード5Bの塑性変形で
リード溝3の側面3Bにアウターリード5Bの側面5B
1を密着させるので、アウターリード5Bの幅寸法に比
べてリード溝3の幅寸法を大きく設定することができ
る。
【0030】また、アウターリード5Bの塑性変形でリ
ード溝3の側面3Bにアウターリード5Bの側面5B1
を密着させ、リード溝3の側面3Bとアウターリード5
Bの側面5B1との間の隙間(クリアランス)を除去でき
るので、キャビティ2内に充填された樹脂がリード溝3
の側面3Bとアウターリード5Bの側面5B1との間に
流れ込むのを防止できる。
【0031】この結果、トランスファモール技術におい
て、成形金型1のリード溝3内にリードフレーム5のア
ウターリード5Bを配置する作業性を高めることができ
ると共に、アウターリード5Bの側面5B1上に樹脂が
成形されるのを防止できる。
【0032】なお、前記突起部4は下型1Bに設けても
よい。また、前記リード溝3は上型に設けてもよい。ま
た、前記突起部4は、アウターリード5Bの延在方向に
沿って帯び状に形成してもよい。
【0033】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【0034】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【0035】トランスファモールド技術において、成形
金型のリード溝内にリードフレームのアウターリードを
配置する作業性を高めることができると共に、アウター
リードの側面上に樹脂が成形されるのを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例であるトランスファモールド
技術に使用される成形金型の下型の合わせ面を示す要部
平面図。
【図2】前記成形金型の上型の合わせ面を示す要部平面
図。
【図3】図1及び図2に示すA−A切断線の位置で切断
した状態を示す成形金型の要部断面図。
【図4】図1及び図2に示すB−B切断線の位置で切断
した状態を示す成形金型の要部断面図。
【図5】前記成形金型の上型と下型とを重ね合わせた状
態を示す要部断面図。
【符号の説明】 1…成形金型、1A…上型、1B…下型、2…キャビテ
ィ、3…リード溝、4…突起部、5…リードフレーム、
5A…インナーリード、5B…アウターリード、5C…
タブ、6…半導体ペレット、7…ボンディングワイヤ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記の段階を備えたことを特徴とするト
    ランスファモールド方法。 (1)上型と下型とで形成されるキャビティに、前記上
    型若しくは下型の合わせ面からその深さ方向に向って形
    成されたリード溝の一端が連結され、前記下型若しくは
    上型の合わせ面のリード溝上の領域に、この合わせ面か
    らリード溝の底面に向って突出する突起部が設けられた
    成形金型を準備する段階、 (2)前記上型と下型との間にリードフレームを配置
    し、このリードフレームにアウターリードを介して支持
    されたインナーリードを前記キャビティ内に配置すると
    共に、前記リードフレームに支持されたアウターリード
    を前記リード溝内に配置する段階、 (3)前記上型、下型の夫々の合わせ面を重ね合わせ、
    前記リード溝に配置されたアウターリードを前記上型と
    下型とで挾み込むと共に、前記突起部でアウターリード
    に塑性変形を施し、このアウターリードの互いに対向す
    る夫々の側面を前記リード溝の互いに対向する夫々の側
    面に夫々毎に密着する段階、 (4)前記キャビティ内に樹脂を充填し、このキャビテ
    ィ内に配置されたインナーリードを封止する段階。
JP19818593A 1993-08-10 1993-08-10 トランスファモールド方法 Pending JPH0758136A (ja)

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