JPH10120927A - フタロシアニン化合物、その製造方法およびそれを用いた光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ６００〜１０００ｎｍの近赤外域において吸
収を有し、溶解性に優れたフタロシアニン化合物、その
製造方法これらを用いた光記録媒体を提供する。 【解決手段】 フタロシアニン骨格のベンゼン核の１６
個の置換可能な位置のうちの１〜８個がフェノキシ基で
置換されており、かつ該フェノキシ基の少なくとも一つ
が置換基を有していてもよいアリール基および臭素原子
を有する置換基で置換されているフタロシアニン化合
物。該化合物は、置換基を有していてもよいアリール基
および臭素原子を有する置換基で置換されたフェノキシ
基で置換されたフタロニトリル化合物と金属化合物とを
反応させることにより製造される。また、該化合物を基
板上に設けられた記録層に含有してなる光記録媒体であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規フタロシアニ
ン化合物、その製造方法およびそれらを用いた光記録媒
体に関するものである。本発明にかかる新規フタロシア
ニン化合物は、６００〜１０００ｎｍの近赤外域に吸収
を有し溶解性に優れているので、半導体レーザーを使う
光記録媒体、液晶表示装置、光学文字読取機等における
書き込みあるいは読み取りのための近赤外吸収色素、近
赤外増感剤、感熱転写、感熱紙・感熱孔版などの光熱変
換剤、近赤外線吸収フィルター、眼性疲労防止剤、光導
電材料などとして用いる近赤外線吸収材料として、ある
いは、撮像管に用いる色分解フィルター、液晶表示素
子、カラーブラウン管選択吸収フィルター、カラートナ
ー、インクジェット用インク、改ざん偽造防止用バーコ
ード用インク、さらに微生物不活性化剤、腫瘍治療用感
光性色素等に用いる際に優れた効果を発揮する。特にコ
ンパクトディスク対応の追記型光記録媒体に用いるため
の近赤外吸収色素として非常に優れた効果を発揮するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体レーザーを光源として用い
るコンパクトディスク、レーザーディスク、光メモリー
ディスク、光カード等の光記録媒体の開発が活発であ
る。特に、ＣＤ、ＰＨＯＴＯ−ＣＤあるいはＣＤ−ＲＯ
Ｍは、大容量、高速アクセスのデジタル記録媒体として
音声、画像、コードデータ等の保存再生に、大量に利用
されている。これらのシステムはいずれも半導体レーザ
ーに感受するいわゆる近赤外吸収色素を必要とし、それ
らの色素に関して特性の良好なものが求められている。

【０００３】なかでも光、熱、温度等に対して安定であ
り堅牢性に優れているフタロシアニン系化合物について
は、数多く検討されている。

【０００４】コンパクトディスク対応の追記型光記録媒
体に用いる際に要求される特性としては、（１）薄膜で
の極大吸収波長が７００〜７３０ｎｍに制御されている
こと（会合によるピークが少なく、そのことにより吸光
度が高く、ピークがシャープであることによって、反射
率などの光学特性に対する主要な構成要因となる）、
（２）スピンコート等の簡便でかつ生産性に優れた方法
で基板上に塗布でき、かつ基板を侵さない溶媒に対して
の溶解性に優れていること、（３）耐熱性、耐光性が良
好であること、（４）熱分解特性が良好であること（感
度に対する主要な構成要因となる）、（５）製造方法な
どにおいて経済性に優れた化合物であること、等が挙げ
られる。

【０００５】例えば、特開昭５８−５６８９２号には、
ペルフルオロフタロシアニン化合物を用いる方法が提案
されている。しかしながら、これらの化合物は、有機溶
媒に対しての溶解性に乏しく、また満足できる吸収波長
に制御できない。

【０００６】特開昭６１−１９２７８０号、特開昭６１
−２４６０９１号、特開昭６３−３７９９１号、特開昭
６４−４２２８３号、特開平２−２７６６７７号、特開
平２−９１３６０号、特開平２−２６５７８８号、特開
平３−２１５４６６号、特開平４−２２６３９０号など
には、フタロシアニン骨格のベンゼン環に酸素を介して
置換基を導入したものが提案されている。しかしなが
ら、これらの化合物は、色素の置換基の種類、数および
位置によっては耐光性が悪かったり、反射率が小さかっ
たり、通常よく用いられているポリカーボネートなどの
基板に直接塗布できる溶剤に溶解しなかったり、あるい
は吸収波長の制御において難点があったりするなどの問
題点を有している。

【０００７】それらの欠点が比較的解決されたものとし
て特開平５−１２７２号などにはフタロシアニンのα位
にアルコキシ基を４個導入し、残基にハロゲン化合物な
どを一部導入したものが提案されている。しかしなが
ら、α位に置換基を導入したものは、原料とするフタロ
ニトリルからの生産性が悪いなど、経済性の点で問題点
を有している。またこのようなフタロシアニン化合物
も、必ずしもすべての特性を満足するものでなく、よっ
て更なる良好な特性が望まれている。

【０００８】また、本発明者らは、これまでに嵩高い置
換基をもつフェノキシ基がβ位に置換されたフタロシア
ニン化合物を提案してきた（特開平５−３４５８６１、
特開平６−１０７６６３、特開平６−３２８８５６、特
開平８−２２５７５１号）。しかしながら、これらの化
合物も光記録媒体において反射率、感度等に問題点を有
しており、これまでに提案されているフタロシアニン化
合物は、上記特性をすべて満足するものではない。それ
らの上記特性を改善するために本発明者らは、特願平７
−３０１６０９号で改良したフタロシアニンを提案し
た。しかしながら、これらの化合物は、高速記録におい
て感度等の問題点を有していた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術の
有する前記事情に考慮してなされたものである。すなわ
ち、本発明の目的は、６００〜１０００ｎｍの吸収波長
域において目的に応じた吸収制御が可能であり、また用
途に応じた溶媒、例えばアルコール系溶媒等に対して溶
解性に優れ、かつ耐熱性、耐光性の高い新規なフタロシ
アニン化合物を提供することにある。

【００１０】また、本発明の他の目的は、フタロシアニ
ン化合物を、効率よく、しかも高純度で製造する方法を
提供することにある。

【００１１】さらに本発明の他の目的は、光記録媒体、
特にコンパクトディスク対応の光記録媒体として用いる
にあたって、それらに必要な特性である溶解度、吸収波
長、感度、反射率、耐光性、熱分解特性において優れた
効果を発揮するフタロシアニン化合物を提供することに
ある。

【００１２】また、本発明の他の目的は、高速記録にお
いて優れた効果を発揮するフタロシアニン化合物を提供
することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記諸目的は、下記
（１）〜（４）により達成される。

【００１４】（１） フタロシアニン骨格のベンゼン核
の１６個の置換可能な位置のうちの１〜８個がフェノキ
シ基で置換されており、かつ該フェノキシ基の少なくと
も一つが置換基を有していてもよいアリール基および臭
素原子を有する置換基で置換されているフタロシアニン
化合物。

【００１５】（２） 一般式（１）

【００１６】

【化３】

【００１７】［ただし、式中、ａ、ｂ、ｃ、およびｄは
０〜３の整数でかつ置換された臭素原子数の総和は２〜
１２の整数であり、またｎは０〜３の整数であり、Ｗは
置換してもよいアリール基を表わし、Ｖは、ａ、ｂ、ｃ
およびｄが１〜３の整数の場合には、下記に規定した
（１）〜（３）群の置換基

【００１８】

【化４】

【００１９】（式中、Ｒ^l 、Ｒ² およびＲ³ は各々独立
に炭素原子数１〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状のア
ルキル基を表わし、ｅは１〜５の整数であり、ｆは０〜
６の整数である。）の臭素置換残基から選ばれる少なく
とも１種の置換基を表わし、ａ、ｂ、ｃおよびｄが０の
場合には、上記（１）〜（３）群の置換基から選ばれる
少なくとも１種の置換基を表わし、Ｍは金属、酸化金属
またはハロゲン化金属を表わす。］で示される前記
（１）に記載のフタロシアニン化合物。

【００２０】（３） フェノキシ基で置換されてなり、
該フェノキシ基が置換基を有していてもよいアリール基
および臭素原子を有する置換基で置換されているフタロ
ニトリル化合物単独あるいは該フェノキシ基で置換され
ていないフタロニトリルとの混合物と金属化合物とを反
応させることを特徴とする前記（１）または（２）に記
載のフタロシアニン化合物の製造方法。

【００２１】（４） 前記（１）または（２）に記載の
フタロシアニン化合物を基板上に設けられた記録層に含
有してなる光記録媒体。

【００２２】

【発明の実施の形態】本発明に係るフタロシアニン化合
物は、フタロシアニン骨格のベンゼン核の１６個の置換
可能な位置のうちの１〜８個がフェノキシ基で置換され
ており、かつ該フェノキシ基の少なくとも一つが置換基
を有していてもよいアリール基および臭素原子を有する
置換基で置換されているフタロシアニン化合物である。
フェノキシ基の少なくとも一つを置換する、置換基を有
していてもよいアリール基のアリール基とはフェニル
基、ナフチル基等を挙げることができる。好ましくはフ
ェニル基である。アリール基に場合によっては存在する
置換基は、例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキ
シ基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコ
キシカルボニル基等である。

【００２３】本発明のフタロシアニン化合物に含まれる
置換基を有していてもよいアリール基は、フェノキシ基
のオルソ位にあることが好ましい。置換基を有していて
もよいアリール基がフェノキシ基のオルソ位にあること
によって、フタロシアニン化合物の薄膜の吸収スペクト
ルにおける会合体由来の吸収ピーク（以下、会合体ピー
クという。）が大きく抑制され、単量体由来の吸収ピー
ク（以下、単量体ピークという。）がシャープになるの
で好ましい。

【００２４】また、フェノキシ基の少なくとも一つを置
換する他の置換基は、臭素原子を有する置換基であり、
炭素原子数１〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状のアル
キル鎖を有する置換基の水素の一部または全部が臭素原
子で置換された置換基であり、該アルキル鎖としては、
好ましくは炭素原子数１〜８個のアルキル鎖である。具
体的には、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピ
ル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ
−ヘキシル、シクロヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチ
ルヘキシル、ｎ−デシル、ラウリル、ステアリル、メト
キシエチル、エトキシエチル、３′，６′−オキサヘプ
チル、３′，６′−オキサオクチル、３′，６′，９′
−オキサデシル、３′，６′，９′，１２′−オキサト
リデシル等のアルキル鎖が例示される。

【００２５】本発明では、臭素原子を有する置換基は、
フェノキシ基のオルソ位にあることが好ましい。臭素原
子を有する置換基がフェノキシ基のオルソ位にあること
によって、フタロシアニン化合物の薄膜の吸収スペクト
ルにおける会合体由来の吸収ピーク（以下、会合体ピー
クという。）が大きく制御され、単量体由来の吸収ピー
ク（以下、単量体ピークという。）がシャープになるの
で好ましい。

【００２６】本発明では、臭素原子を有する置換基に含
まれる臭素原子数が１〜３個であることが好ましい。ま
た、本発明のフタロシアニン化合物中の臭素原子の総数
は１〜１６個であることが好ましい。

【００２７】上記のアルキル鎖を有する置換基として
は、下記に規定した（１）〜（３）群

【００２８】

【化５】

【００２９】（式中、Ｒ^l 、Ｒ² およびＲ³ は各々独立
に炭素原子数１〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状のア
ルキル基を表わし、ｅは１〜５の整数であり、ｆは０〜
６の整数である。）から選ばれる置換基が好ましい。よ
って本発明の臭素原子を有する置換基の好ましい例とし
ては、上記（１）〜（３）群の置換基の水素原子の一部
または全部が臭素原子で置換された置換基が挙げられ
る。

【００３０】この新規フタロシアニン化合物のうち好ま
しいものが上記一般式（１）で表わされるものであり、
以下これにつき詳述する。

【００３１】一般式（１）において、Ｍは、金属、酸化
金属あるいはハロゲン化金属である。Ｍで示されるフタ
ロシアニン化合物の中心金属の具体例としては塩化鉄、
マグネシウム、ニッケル、コバルト、銅、パラジウム、
亜鉛、塩化アルミニウム、塩化インジウム、塩化ゲルマ
ニウム、塩化錫、塩化珪素、チタニル、バナジル等が挙
げられ、耐光性が良好である点で、コバルト、銅、亜
鉛、塩化錫もしくはバナジルが好ましく、特にバナジル
が好ましい。

【００３２】Ｗで表わされるフェノキシ基上の置換基
は、置換基を有していてもよいアリール基を表わす。ア
リール基の例としては、フェニル基、ナフチル基、トル
イル基等を挙げることができる。特に好ましくはフェニ
ル基である。アリール基に場合によっては存在する置換
基は、例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコシキ
基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコシ
キカルボニル基等である。

【００３３】ここで、ハロゲン原子とは、フッ素、塩
素、臭素およびヨウ素であり、この中で好ましくはフッ
素もしくは塩素であり、特に好ましくはフッ素である。

【００３４】アルキル基は炭素数１〜２０の直鎖、分岐
鎖または環状のアルキル基であり、好ましくは炭素数１
〜８のアルキル基である。具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシ
ル基、シクロヘキシル基、ｎ−オクチル基、２−エチル
ヘキシル基、ｎ−デシル基、ラウリル基、ステアリル基
等を示す。

【００３５】アルコキシ基とは、炭素数１〜２０の直
鎖、分岐鎖または環状のアルコキシ基であり、好ましく
は炭素数１〜８のアルコキシ基である。具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプ
ロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ
基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シ
クロヘキシルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エ
チルヘキシルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基などを示
す。

【００３６】アルキルアミノ基とは、炭素数１〜２０の
直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基を含むものであ
り、好ましくは炭素数１〜８のアルキルアミノ基であ
る。具体的には、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ
−プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ｎ−ブチ
ルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ｎ−ペンチル
アミノ基、ｎ−ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミ
ノ基、ｎ−オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミ
ノ基、およびｎ−デシルアミノ基などが挙げられる。

【００３７】アルコキシカルボニル基とは、アルコキシ
基のアルキル基部分にヘテロ原子を含んでもよい炭素数
１〜８、好ましくは１〜５のアルコキシカルボニル、ま
たはヘテロ原子を含んでもよい炭素数３〜８、好ましく
は５〜８の環状アルコキシカルボニルを示す。具体的に
は、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ
−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシル
オキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボ
ニル基、メトキシエトキシカルボニル基、エトキシエト
キシカルボニル基、ブトキシエトキシカルボニル基、ジ
エチルアミノエトキシカルボニル基、メチルチオエトキ
シカルボニル基、メトキシプロピルオキシカルボニル
基、（３，６，９−オキサ）デシルオキシカルボニル
基、テトラヒドロフルフリルオキシカルボニル基、ピラ
ンオキシカルボニル基、ピペリジノオキシカルボニル
基、ピペリジノエトキシカルボニル基、テトラヒドロピ
ロールオキシカルボニル基、テトラヒドロピランメトキ
シカルボニル基、テトラヒドロチオフェンオキシカルボ
ニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基等を示す。

【００３８】Ｖ−（Ｂｒ）_{ａ（ｂ，ｃ，ｄ）}で表わされ
るフェノキシ基上の置換基は、ａ、ｂ、ｃおよびｄが１
〜３の整数の場合には臭素原子を有する置換基を表わ
し、その際、Ｖは下記（１）〜（３）群のアルキル鎖を
有する置換基

【００３９】

【化６】

【００４０】（式中、Ｒ^l 、Ｒ² およびＲ³ は各々独立
に炭素原子数１〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状のア
ルキル基を表わし、ｅは１〜５の整数であり、ｆは０〜
６の整数である。）の臭素置換残基から選ばれる少なく
とも１種である。このような臭素原子を有する置換基の
具体例としては、例えば、下記の（４）〜（６）群の置
換基群が例示される。

【００４１】（４）群：ブロモメチル、ジブロモメチ
ル、トリブロモメチル、１−ブロモエチル、２−ブロモ
エチル、１，２−ジブロモエチル、１，１−ジブロモエ
チル、２，２−ジブロモエチル、１，１，２−トリブロ
モエチル、１，２，２−トリブロモエチル、１−ブロモ
プロピル、２−ブロモ−１−プロピル、３−ブロモ−１
−プロピル、１−ブロモ−２−プロピル、２，３−ジブ
ロモ−１プロピル、１，３−ジブロモ−２−プロピル、
４−ブロモ−１−ブチル、１−ブロモ−１−ブチル、１
−ブロモ−２−ブチル、２−ブロモ−１−ブチル、１，
４−ジブロモ−２−ブチル、５−ブロモ−１−ペンチ
ル、１−ブロモ−１−ペンチル、６−ブロモ−１−ヘキ
シル、１−ブロモ−１−ヘキシル、７−ブロモ−１−ヘ
プチル、１−ブロモ−１−ヘプチル、８−ブロモ−１−
オクチル、１−ブロモ−１−オクチル、９−ブロモ−１
−ノニル、１−ブロモ−１−ノニル、１０−ブロモ−１
−デシル、１−ブロモ−１−デシル、１１−ブロモ−１
−ウンデシル、１−ブロモ−１−ウンデシル、１２−ブ
ロモ−１−ドデシル、１−ブロモ−１−ドデシル。

【００４２】（５）群：ブロモメトキシカルボニル、２
−ブロモエトキシカルボニル、３−ブロモ−１−プロポ
キシカルボニル、２−ブロモ−１−プロポキシカルボニ
ル、１−ブロモ−２−プロポキシカルボニル、２，３，
ジブロモ−１−プロポキシカルボニル、１，３−ジブロ
モ−２−プロポキシカルボニル、１−ブロモ−２−ブト
キシカルボニル、２−ブロモ−１−ブトキシカルボニ
ル、４−ブロモ−１−ブトキシカルボニル、１，４−ジ
ブロモ−２−ブトキシカルボニル、５−ブロモ−１−ペ
ンチルオキシカルボニル、６−ブロモ−１−ヘキシルオ
キシカルボニル、７−ブロモ−１−ヘプチルオキシカル
ボニル、８−ブロモ−１−オクチルオキシカルボニル、
９−ブロモ−１−ノニルオキシカルボニル、１０−ブロ
モ−１−デシルオキシカルボニル、１１−ブロモ−１−
ウンデシルオキシカルボニル、１２−ブロモ−１−ドデ
シルオキシカルボニル。

【００４３】（６）群：ブロモメトキシ、ジブロモメト
キシ、トリブロモメトキシ、１−ブロモエトキシ、２−
ブロモエトキシ、１，２−ジブロモエトキシ、１，１−
ジブロモエトキシ、２，２−ジブロモエトキシ、１，
１，２−トリブロモエトキシ、１，２，２−トリブロモ
エトキシ、１−ブロモプロポキシ、２−ブロモ−１−プ
ロポキシ、３−ブロモ−１−プロポキシ、１−ブロモ−
２−プロポキシ、２，３−ジブロモ−１−プロポキシ、
１，３−ジブロモ−２−プロポキシ、４−ブロモ−１−
ブトキシ、１−ブロモ−１−ブトキシ、１−ブロモ−２
−ブトキシ、２−ブロモ−１−ブトキシ、１，４−ジブ
ロモ−２−ブトキシ、５−ブロモ−１−ペンチルオキ
シ、１−ブロモ−１−ペンチルオキシ、６−ブロモ−１
−ヘキシルオキシ、１−ブロモ−１−ヘキシルオキシ、
７−ブロモ−１−ヘプチルオキシ、１−ブロモ−１−ヘ
プチルオキシ、８−ブロモ−１−オクチルオキシ、１−
ブロモ−１−オクチルオキシ、９−ブロモ−１−ノニル
オキシ、１−ブロモ−１−ノニルオキシ、１０−ブロモ
−１−デシルオキシ、１−ブロモ−１−デシルオキシ、
１１−ブロモ−１−ウンデシルオキシ、１−ブロモ−１
−ウンデシルオキシ、１２−ブロモ−１−ドデシルオキ
シ、１−ブロモ−１−ドデシルオキシ、ブロモメトキシ
エトキシ、１−ブロモエトキシエトキシ、１−ブロモ−
３′，６′−オキサヘプチルオキシ、１−ブロモ−
３′，６′−オキサオクチルオキシ、１−ブロモ−
３′，６′，９′−オキサデシルオキシ、１−ブロモ−
３′，６′，９′，１２′−オキサトリデシルオキシ、
ブロモメトキシプロポキシ、１−ブロモエトキシプロポ
キシ、１−ブロモ−４′，８′−オキサノニルオキシ、
１−ブロモ−４′，８′−オキサデシルオキシ。

【００４４】本発明では、上記（４）〜（６）群の置換
基のうちで、特に（５）群であることが好ましい。特に
１−ブロモ−２−プロポキシカルボニル、１，３−ジブ
ロモ−２−プロポキシカルボニル等の臭素化された２級
以上のアルキル基を持つアルコキシカルボニル基が好ま
しい。臭素化された２級以上のアルキル基を持つアルコ
キシカルボニル基が置換基であるフタロシアニン化合物
を用いることによって、このフタロシアニン化合物を光
記録媒体に用いたときの反射率および記録感度などの光
学特性、特に記録感度に優れている点から好ましい。

【００４５】本発明では、フェノキシ基のオルソ位およ
び場合によってはメタ位やパラ位にも臭素原子を有する
置換基が置換可能であるが、このとき上記一般式（１）
におけるＶは、フタロシアニン骨格上で必ずしも全て同
一である必要はなく、それぞれが上記（１）〜（３）群
のアルキル鎖を有する置換基の臭素置換残基から選ばれ
る１種であればよい。

【００４６】また、Ｖ−（Ｂｒ）_{ａ（ｂ，ｃ，ｄ）}で表
わされるフェノキシ基上の置換基において、ａ、ｂ、ｃ
およびｄが０の場合には、Ｖが上記（１）〜（３）群の
アルキル鎖を有する置換基から選ばれる少なくとも１種
である。このような置換基Ｖの具体例としては、例えば
下記の群が挙げられる。

【００４７】（１）群：メチル、エチル、プロピル、イ
ソプロピル、シクロプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ
ｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、直鎖あるいは分岐し
たペンチル、直鎖あるいは分岐したヘキシル、シクロヘ
キシル、直鎖あるいは分岐したヘプチル、直鎖あるいは
分岐したオクチル、直鎖あるいは分岐したノニル、直鎖
あるいは分岐したデシル、直鎖あるいは分岐したウンデ
シル、直鎖あるいは分岐したドデシル。

【００４８】（２）群：メトキシカルボニル、エトキシ
カルボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポキシカ
ルボニル、ブトキシカルボニル、イソブトキシカルボニ
ル、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル、ｔｅｒｔ−ブトキシ
カルボニル、直鎖あるいは分岐したペンチルオキシカル
ボニル、直鎖あるいは分岐したヘキシルオキシカルボニ
ル、シクロヘキシルオキシカルボニル、直鎖あるいは分
岐したヘプチルオキシカルボニル、直鎖あるいは分岐し
たオクチルオキシカルボニル、直鎖あるいは分岐したノ
ニルオキシカルボニル、直鎖あるいは分岐したデシルオ
キシカルボニル、直鎖あるいは分岐したウンデシルオキ
シカルボニル、直鎖あるいは分岐したドデシルオキシカ
ルボニル、シクロヘキサンメトキシカルボニル、シクロ
ヘキサンエトキシカルボニル、３−シクロヘキシル−１
−プロポキシカルボニル、ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキ
シルオキシカルボニル。

【００４９】（３）群：メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ
−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、直鎖あるいは分岐し
たペンチルオキシ、直鎖あるいは分岐したヘキシルオキ
シ、シクロヘキシルオキシ、直鎖あるいは分岐したヘプ
チルオキシ、直鎖あるいは分岐したオクチルオキシ、直
鎖あるいは分岐したノニルオキシ、直鎖あるいは分岐し
たデシルオキシ、直鎖あるいは分岐したウンデシルオキ
シ、直鎖あるいは分岐したドデシルオキシ、メトキシエ
トキシ、エトキシエトキシ、３′，６′−オキサヘプチ
ルオキシ、３′，６′−オキサオクチルオキシ、３′，
６′，９′−オキサデシルオキシ、３′６′，９′，１
２′−オキサトリデシルオキシ、メトキシプロピルオキ
シ、エトキシプロピルオキシ、４′，８′−オキサノニ
ルオキシ、４′，８′−オキサデシルオキシ。

【００５０】前記フェノキシ基に上記（１）〜（６）群
の置換基、置換基を有していてもよいアリール基を導入
した残りの位置には、さらに溶解性を向上させたり、吸
収波長の制御のために新たな置換基を導入してもよい。
これらの置換基としては、ハロゲン原子、アルコキシ基
が置換されていてもよい炭素数１〜２０個の直鎖または
分岐鎖のアルコキシからなるアルコキシカルボニル、置
換されていてもよいアリールオキシカルボニル基、直鎖
または分岐している置換されていてもよい炭素数１〜１
２個のアルキル基、直鎖または分岐している炭素数１〜
１２個のアルコキシル基、直鎖または分岐している炭素
数１〜２０個のモノアルキルアミノ基、直鎖または分岐
している炭素数１〜２０個のジアルキルアミノ基、シク
ロヘキシル基、置換されていてもよいフェノキシ基、置
換されていてもよいアニリノ基またはニトロ基などが挙
げられる。

【００５１】さらに、上記（１）〜（６）群の置換基が
カルボニル基に２級以上のアルキル基が直接結合したア
ルコキシカルボニル基およびこれの一部を臭素化したも
のであることによって、溶解性に優れているため造膜性
に優れている。また、このフタロシアニン化合物を光記
録媒体に用いたときの反射率、記録感度などの光学特性
が特に優れている。このため高速記録タイプのコンパク
トディスクに対応する性能を有しているため特に好まし
い。

【００５２】本発明に用いるフタロシアニン化合物とし
て、具体的に例えば下記の化合物が挙げられる。

【００５３】化合物１：テトラキス（４−（２−ブロモ
エトキシカルボニル）−２−フェニルフェノキシ）ドデ
カフルオロバナジルフタロシアニン。構造的には、一般
式（２）

【００５４】

【化７】

【００５５】において、Ｍがバナジル（ＶＯ）であり、
Ａが下記式で表わされる置換基である。

【００５６】

【化８】

【００５７】化合物２：ビス（２−（２−ブロモエトキ
シカルボニル）−６−フェニルフェノキシ）ビス（２−
エトキシカルボニル−６−フェニルフェノキシ）ドデカ
フルオロチタニルフタロシアニン。構造的には、上記一
般式（２）において、Ｍがチタニル（ＴｉＯ）であり、
Ａのうちの２個が下記式の(i) で表わされる置換基であ
り、Ａのうちの別の２個が下記式の(ii)で表わされる置
換基である。

【００５８】

【化９】

【００５９】化合物３：テトラキス（２−（１，３−ジ
ブロモ−２−プロポキシカルボニル）−６−フェニルフ
ェノキシ）ドデカフルオロバナジルフタロシアニン。構
造的には、上記一般式（２）において、Ｍがバナジル
（ＶＯ）であり、Ａが下記式で表わされる置換基であ
る。

【００６０】

【化１０】

【００６１】化合物４：テトラキス（２，４−ジ（６−
ブロモヘキシルオキシカルボニル）−６−フェニルフェ
ノキシ）ドデカフルオロ銅フタロシアニン。構造的に
は、上記一般式（２）において、Ｍが銅（Ｃｕ）であ
り、Ａが下記式で表わされる置換基である。

【００６２】

【化１１】

【００６３】化合物５：テトラキス（２−（２−ブロモ
エチル）−６−フェニルフェノキシ）ドデカフルオロバ
ナジルフタロシアニン。構造的には、上記一般式（２）
において、Ｍがバナジル（ＶＯ）であり、Ａが下記式で
表わされる置換基である。

【００６４】

【化１２】

【００６５】化合物６：テトラキス（４−（２−ブロモ
エトキシ）−２−イソプロポキシカルボニル−６−フェ
ニルフェノキシ）ドデカフルオロ鉄フタロシアニン。構
造的には、上記一般式（２）において、Ｍが鉄（Ｆｅ）
であり、Ａが下記式で表わされる置換基である。

【００６６】

【化１３】

【００６７】化合物７：テトラキス（２−（２−ブロモ
エトキシ）−６−フェニルフェノキシ）ドデカフルオロ
バナジルフタロシアニン。構造的には、上記一般式
（２）において、Ｍがバナジル（ＶＯ）であり、Ａが下
記式で表わされる置換基である。

【００６８】

【化１４】

【００６９】化合物８：テトラキス（２−（２−ブロモ
エトキシ）カルボニル−６−フェニルフェノキシ）ドデ
カフルオロバナジルフタロシアニン。構造的には、上記
一般式（２）において、Ｍがバナジル（ＶＯ）であり、
Ａが下記式で表わされる置換基である。

【００７０】

【化１５】

【００７１】化合物９：テトラキス（２−（１−ブロモ
−２−プロポキシカルボニル−６−フェニルフェノキ
シ）ドデカフルオロバナジルフタロシアニン。構造的に
は、上記一般式（２）において、Ｍがバナジル（ＶＯ）
であり、Ａが下記式で表わされる置換基である。

【００７２】

【化１６】

【００７３】化合物１０：ビス（２−（２−ブロモエチ
ル）−６−フェニルフェノキシ）テトラデカフルオロ
（ジクロロ錫）フタロシアニン。構造的には、下記に示
す一般式（３）

【００７４】

【化１７】

【００７５】において、Ｍがジクロロ錫（ＳｎＣｌ₂ ）
であり、Ｙ¹ 〜Ｙ⁴ のうち二つがフッ素原子であり、残
りの二つが下記式で表わされる置換基である。

【００７６】

【化１８】

【００７７】化合物１１：オクタキス（４−（６−ブロ
モヘキシル）−２−フェニルフェノキシ）オクタフルオ
ロパラジウムフタロシアニン。構造的には、下記に示す
一般式（４）

【００７８】

【化１９】

【００７９】において、Ｍがパラジウム（Ｐｄ）であ
り、Ｚが下記式で表わされる置換基である。

【００８０】

【化２０】

【００８１】化合物１２：テトラキス（２−（２−ブロ
モエトキシカルボニル）−６−フェニルフェノキシ）テ
トラキス（２−エトキシカルボニル−６−フェニルフェ
ノキシ）オクタフルオロ（ジクロロ錫）フタロシアニ
ン。構造的には、上記一般式（４）において、Ｍがジク
ロロ錫（ＳｎＣｌ₂ ）であり、Ｚのうちの４個が下記式
の(i) で表わされる置換基であり、Ｚのうちの別の４個
が下記式の(ii)で表わされる置換基である。

【００８２】

【化２１】

【００８３】化合物１３：テトラキス（２−（２，３−
ジブロモ−１−プロポキシ）カルボニル−６−フェニル
フェノキシ）オクタフルオロバナジルフタロシアニン。
構造的には、上記一般式（４）において、Ｍがバナジル
（ＶＯ）であり、Ｚが下記式で表わされる置換基であ
る。

【００８４】

【化２２】

【００８５】以下に、本発明の新規フタロシアニン化合
物の製造方法について詳細に明記する。

【００８６】まず、本発明の新規フタロシアニン化合物
は、フェノキシ基で置換されてなり、該フェノキシ基が
置換基を有していてもよいアリール基および臭素原子を
有する置換基で置換されているフタロニトリル化合物単
独あるいは該フェノキシ基で置換されていないフタロニ
トリルとの混合物と金属化合物とを反応させることによ
り製造することができる。

【００８７】上記フェノキシ基で置換されたフタロニト
リル化合物は、さらにフェノキシ基以外の置換基で、そ
の残基の一部または全部が置換されていてもよい。すな
わち、上記フェノキシ基で置換されたフタロニトリル化
合物単独という場合、フェノキシ基のみで置換されたフ
タロニトリル化合物の１種に限定されるのでなく、この
ほかにも、上述のフェノキシ基で置換され、さらにフェ
ノキシ基以外の置換基で、その残基の一部または全部が
置換されたフタロニトリル化合物、さらにこれら両者を
組合わせたフタロニトリル化合物であればよい。また、
上記フェノキシ基で置換されていないフタロニトリル
も、さらにフェノキシ基以外の置換基でベンゼン核の置
換可能な位置の一部または全部が置換されていてもよ
い。すなわち、上記フェノキシ基で置換されていないフ
タロニトリルという場合、フェノキシ基で置換されてい
ないフタロニトリルのみに限定されるのではなく、この
ほかにも、上述のフェノキシ基で置換されておらず、さ
らにフェノキシ基以外の置換基でベンゼン核の置換可能
な位置の一部または全部がフェノキシ基以外の置換基で
置換されたフタロニトリル化合物、さらにこれら両者を
組合わせたフタロニトリル化合物であってもよい。した
がって、フェノキシ基で置換されたフタロニトリル化合
物と該フェノキシ基で置換されていないフタロニトリル
との混合物という場合には、上述したフェノキシ基で置
換されたフタロニトリル化合物の中の１種または２種以
上と該フェノキシ基で置換されていないフタロニトリル
の中の１種または２種以上とからなる混合物をいうもの
である。

【００８８】このようなフェノキシ基で置換されたフタ
ロニトリル化合物単独あるいは該フェノキシ基で置換さ
れていないフタロニトリルにおける上記フェノキシ基以
外の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル
基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシ
基、ニトロ基、アミノ基（置換アミノ基を含む）、アル
コキシ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ
基、スルファモイルアミノ基、アルキルチオ基、アリー
ルチオ基、アルコシキカルボニルアミノ基、スルホニル
アミノ基、カルバモイル基、スルファモイル基、スルホ
ニル基、アルコキシカルボニル基、ヘテロ環オキシ基、
アゾ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、シリ
ルオキシ基、アリールオキシカルボニル基、イミド基、
ヘテロ環チオ基、スルフィニル基、ホスホリル基、アシ
ル基等が挙げられる。置換基の種類は１種類でも２種類
以上でも構わない。好ましい置換基としてはハロゲン原
子、特に塩素原子、フッ素原子であり、特にフッ素原子
である。

【００８９】本発明のフタロシアニン化合物の製造に用
いるフタロニトリルは、上記のフェノキシ基で置換され
ており、かつ該フェノキシ基の少なくとも一つが置換基
を有していてもよいアリール基および臭素原子を有する
置換基で置換されているフタロニトリル化合物単独であ
っても該フェノキシ基で置換されていないフタロニトリ
ルとの混合物であってもよいが、フェノキシ基で置換さ
れており、かつ該フェノキシ基の少なくとも一つが置換
基を有していてもよいアリール基および臭素原子を有す
る置換基で置換されているフタロニトリル化合物単独で
あることが好ましい。

【００９０】本発明の新規フタロシアニン化合物のうち
好ましいものである一般式（１）で表わされるものの製
造方法について以下に詳述する。

【００９１】前記一般式（１）で示される好適な新規フ
タロシアニン化合物は、例えば、下記一般式（５）

【００９２】

【化２３】

【００９３】［ただし、式中、ａ（あるいはｂ、ｃ、
ｄ）は０〜３の整数でかつ置換された臭素原子数の総和
は２〜１２の整数であり、またｎは０〜３の整数であ
り、Ｗは置換してもよいアリール基を表わし、Ｖは、
ａ、ｂ、ｃおよびｄが１〜３の整数の場合には、下記に
規定した（１）〜（３）群の置換基

【００９４】

【化２４】

【００９５】（式中、Ｒ^l 、Ｒ² およびＲ³ は各々独立
に炭素原子数１〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状のア
ルキル基を表わし、ｅは１〜５の整数であり、ｆは０〜
６の整数である。）の臭素置換残基から選ばれる少なく
とも１種の置換基を表わし、ａ、ｂ、ｃおよびｄが０の
場合には、上記（１）〜（３）群の置換基から選ばれる
少なくとも１種の置換基を表わす。］で示されるフタロ
ニトリル化合物と金属化合物とを反応させることにより
製造することができる。

【００９６】本発明の新規フタロシアニン化合物の製造
方法において、上記フタロニトリル化合物単独あるいは
該フェノキシ基で置換されていないフタロニトリルとの
混合物と金属化合物との反応は無溶媒中でも行なえる
が、有機溶媒を使用して行なうのが好ましい。有機溶媒
は出発原料と反応性のない不活性な溶媒であればいずれ
もよく、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、ニトロ
ベンゼン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ト
リクロロベンゼン、１−クロロナフタレン、１−メチル
ナフタレン、エチレングリコール、ベンゾニトリル等の
不活性溶媒あるいはピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアセトフェノン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブ
チルアミン、ジメチルスルホキシド、スルホラン等の非
プロトン性極性溶媒等を用いることができ、好ましく
は、１−クロロナフタレン、１−メチルナフタレン、ベ
ンゾニトリルである。

【００９７】本発明では、有機溶媒１００部（以下、重
量部を表わす。）に対して、フタロニトリル化合物ある
いは該フェノキシ基で置換されていないフタロニトリル
との混合物を２〜４０部、好ましくは２０〜３５部の範
囲、金属化合物を該フタロニトリル化合物あるいは該フ
ェノキシ基に置換されていないフタロニトリルとの混合
物４モルに対して１〜２モル、好ましくは１．１〜１．
５モルの範囲で仕込んで、反応温度３０〜２５０℃、好
ましくは８０〜２００℃の範囲で反応させる。金属化合
物としては、塩化物、臭化物、ヨウ化物等のハロゲン化
合物、金属酸化物、酢酸塩等の有機酸金属塩、アセチル
アセトナート等の錯体化合物、金属カルボニル化合物、
金属粉等がある。

【００９８】本発明において、出発原料であるフタロニ
トリル合物は、例えば一般式（５）に示すフタロニトリ
ル化合物を例にとれば、下記スキームのステップＡにし
たがって合成できる。そして、本発明の一般式（１）で
示される新規フタロシアニン化合物の合成は、それらフ
タロニトリル化合物の単独の原料を用いてステップＢに
したがい目的物を得ることができる。

【００９９】

【化２５】

【０１００】また、一般式（３）および（４）で示され
る新規フタロシアニン化合物は、例えば上記一般式
（１）で示される新規フタロシアニン化合物の合成方法
と同様の方法で合成できる。すなわち、一般式（３）で
示される新規フタロシアニン化合物は、上記合成スキー
ムのステップＢにおいて、原料として３，４，５，６−
テトラフルオロフタロニトリルと一般式（５）で示され
るフタロニトリル化合物の１：１（モル比）混合物を用
いることにより合成できる。また、一般式（４）で示さ
れる新規フタロシアニン化合物は、上記合成スキームの
ステップＡの原料のフェノールを２倍量用いることによ
って、下記一般式（６）

【０１０１】

【化２６】

【０１０２】に示すフタロニトリル化合物を製造し、次
いでステップＢにおいて原料として一般式（６）に示す
フタロニトリル化合物を用いることによって合成でき
る。

【０１０３】本発明では、臭素原子を有する置換基を持
つフェノキシ基で置換されたフタロニトリル化合物から
本発明のフタロシアニン化合物を合成するのが好ましい
が、臭素原子を持たないフェノキシ基で置換されたフタ
ロニトリル化合物から一旦臭素原子を持たないフタロシ
アニン化合物を合成した後、臭素化することにより、本
発明のフタロシアニン化合物を合成してもよい。

【０１０４】本発明のフタロシアニン化合物は、溶解性
が高く、薄膜の吸収スペクトルにおける会合ピークが小
さく、単量体ピークがシャープであり、耐光性に優れて
いる。また、本発明のフタロシアニン化合物を光記録媒
体に用いたときの反射率、感度に優れているほか、高速
記録において優れた効果を発揮するので、特にそれらの
特性を必要としている、透明な樹脂製基板、該基板上に
設けられた記録層と金属の反射層からなるコンパクトデ
ィスク対応の追記型光記録媒体として、例えばオーディ
オ等の音楽再生用のＣＤ、写真保存用のＰＨＯＴＯ−Ｃ
Ｄまたはコンピューター用のＣＤ−ＲＯＭのプレーヤー
に対して互換性、共用性を有する追記型光記録媒体とし
て効果を発揮できる。

【０１０５】フタロシアニン化合物を基板上に設けられ
た記録層に含有してなる光記録媒体として、一般式
（１）において示すフタロシアニン化合物の薄膜を用い
た場合、当該薄膜の吸収スペクトルにおける会合ピーク
が大きく抑制され、単量体ピークがシャープになる。し
たがって、該フタロシアニン化合物を光記録媒体に用い
たときの反射率、記録感度の点から好ましい。さらに、
上記光記録媒体に適したフタロシアニン化合物は、一般
式（１）において、ｎは０〜３の整数、好ましくは０〜
１の整数である。

【０１０６】本発明の新規フタロシアニン化合物は、耐
光性を維持しながら吸収波長の制御、薄膜における光学
特性（会合ピークが抑制され、単量体ピークがシャープ
になる）、有機溶媒に対する溶解性において優れた特性
が得られ、コンパクトディスク対応の光記録媒体に優れ
た効果が発揮できる。

【０１０７】この際に用いるディスク基板としては、信
号の記録、または読みだしを行なうための光が透過する
ものが好ましい。光の透過率としては８５％以上であっ
てかつ光学異方性の小さいものが望ましい。例えば、ガ
ラス、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエス
テル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリスチ
レン樹脂、エポキシ樹脂などからなる基板が挙げられ
る。これらの中で光学特性、成形のしやすさあるいは機
械的強度などからポリカーボネート樹脂が好ましい。

【０１０８】この基板上に前記した色素がまず形成され
て、その上に金属の反射膜層が形成される。反射膜層と
して使用する金属はアルミニウム、銀、金、銅、白金な
どが挙げられ、この反射膜層は通常、真空蒸着、スパッ
ター法などの方法により形成される。

【０１０９】本発明の光記録媒体において前記色素を含
む記録層を基板上に成膜させるためには、通常塗布法を
用いるのがよい。方法としてはスピンコート法、ディッ
プ法あるいはロールコート法によって可能であり、特に
スピンコート法が好ましい。その際使用する有機溶剤
は、基板を侵さないものを用いる。例えば、ヘキサン、
オクタン、シクロヘキサンなどの脂肪族、脂環式炭化水
素系の溶媒あるいはメチルアルコール、エチルアルコー
ル、イソプロピルアルコール、アリルアルコール、２−
メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、ジアセ
トンアルコールなどのアルコール系の溶媒が好ましい。
本発明の前記色素はアルコール系溶媒に特に良く溶解す
るのでこれらの溶媒を用いるのがよい。

【０１１０】本発明の光記録媒体の１種であるＣＤは、
プレーヤーに対しての互換性の観点から基板を通しての
読み出しレーザー光に対する反射率は６０％以上である
ことが必要とされている。

【０１１１】これらはそれぞれの色素に合わせて膜厚を
最適化することによって可能であり、通常５０ｎｍ〜３
００ｎｍ、特に８０ｎｍ〜２００ｎｍがよい。

【０１１２】

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。

【０１１３】実施例１ 化合物３の製造 １００ｍｌの四つ口フラスコ中に下記構造式（７）で示
されるフタロニトリル化合物５．９４ｇ（０．０１モ
ル）、三塩化バナジウム０．４７ｇ（３ミリモル）およ
びベンゾニトリル１５ｍｌを仕込み、１７５℃で４時間
反応させた。反応終了後溶媒を留去し、得られた固形分
をメチルアルコール２００ｍｌで洗浄することにより目
的物の緑色ケーキ（テトラキス（２−（１，３−ジブロ
モ−２−プロポキシカルボニル）−６−フェニルフェノ
キシ）ドデカフルオロバナジルフタロシアニン（化合物
３））２．４４ｇを得た。（収率、フタロニトリルに対
して４０．０％）。

【０１１４】

【化２７】

【０１１５】

【表１】

【０１１６】実施例２ 深さ８０ｎｍ、ピッチ１．６μｍの螺旋上の案内溝を有
する厚さ１．２ｎｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍの
ポリカーボネート樹脂基板上に実施例１のフタロシアニ
ン化合物を２−メトキシエタノールに５重量％の濃度で
溶解した塗液をスピンコーターを用いて１２０ｎｍに成
膜した。次に、このようにして得られた塗布膜の上に金
を膜厚７５ｎｍで真空蒸着により成膜した。さらに、こ
の上に紫外線硬化型の樹脂からなる保護コート膜を設け
て、光記録媒体を作成した。このようにして得られた光
記録媒体の反射率を測定したところ、７７０ｎｍ〜８０
０ｎｍの波長域で８５％であり安定した光学特性が得ら
れた。

【０１１７】この光記録媒体を用いて波長７８０ｎｍの
半導体レーザーを使用し、５．７ｍＷの出力で線速２．
８ｍ／ｓ（２倍速）でＥＭＦ信号を記録したところ、記
録が可能であり、エラーレートは０．２％未満であっ
た。得られた信号を解析した結果市販のＣＤプレーヤー
で再生できるレベルであった。

【０１１８】また、実施例１で得られたフタロシアニン
化合物について、耐光性、会合性および熱分解性につい
て測定した。

【０１１９】なお、耐光性の評価は、以下の方法により
行なった。

【０１２０】色素１ｇをメチルエチルケトン２０ｇに溶
解させ、ガラス基盤上にスピンコート法により色素薄膜
を作成し試料とした。この試料をキセノン耐光性試験機
（照射光量１２万Ｌｕｘ）にセットし、経時での吸光度
の減少を測定した。その結果、１００時間経過後の吸光
度の残存率は８２％であり、耐光性が優れていた。

【０１２１】また、会合性の評価は、単量体ピークの吸
収スペクトルの吸光度を１００％としたときの会合ピー
クの吸光度の割合を算出して行った。その結果、会合ピ
ークの割合は３０％であり、優れた結果が得られた。

【０１２２】さらに、熱分解性は、示差熱熱重量分析装
置で測定して評価した。その結果、分解開始後の重量減
少度が大きく、シャープメルト性が高いことが分かっ
た。

【０１２３】

【発明の効果】以上述べたごとく、本発明の新規化合物
は、従来知られているフタロシアニン化合物に比べ吸収
特性、溶解性、耐光性、熱分解特性および経済性に優れ
ており、また６５０〜９００ｎｍの近赤外域に吸収を有
するので、近赤外吸収色素として実用的に使用できる。
特にＣＤ、ＰＨＯＴＯ−ＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭのプレ
ーヤーにたいして互換性、共有性を有する追記型光記録
媒体に用いる際に優れた効果を発揮できる。

【０１２４】本発明の製造方法によれば、フタロシアニ
ン骨格に位置選択的に置換基を導入することが可能であ
る。すなわち、本発明の製造方法によれば、用途に応じ
た近赤外線の吸収波長域または溶解性を変えた化合物の
分子設計が可能となり、その際、複雑な製造工程を経る
必要もなく工業的に有利である。本発明の新規フタロシ
アニン化合物中のフッ素原子はむしろ溶解性を高める効
果を有している。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フタロシアニン骨格のベンゼン核の１６
   個の置換可能な位置のうちの１〜８個がフェノキシ基で
   置換されており、かつ該フェノキシ基の少なくとも一つ
   が置換基を有していてもよいアリール基および臭素原子
   を有する置換基で置換されているフタロシアニン化合
   物。
2. 【請求項２】 一般式（１） 【化１】 ［ただし、式中、ａ、ｂ、ｃ、およびｄは０〜３の整数
   でかつ置換された臭素原子数の総和は２〜１２の整数で
   あり、またｎは０〜３の整数であり、Ｗは置換してもよ
   いアリール基を表わし、Ｖは、ａ、ｂ、ｃおよびｄが１
   〜３の整数の場合には、下記に規定した（１）〜（３）
   群の置換基 【化２】 （式中、Ｒ^l 、Ｒ² およびＲ³ は各々独立に炭素原子数
   １〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基を表
   わし、ｅは１〜５の整数であり、ｆは０〜６の整数であ
   る。）の臭素置換残基から選ばれる少なくとも１種の置
   換基を表わし、ａ、ｂ、ｃおよびｄが０の場合には、上
   記（１）〜（３）群の置換基から選ばれる少なくとも１
   種の置換基を表わし、Ｍは金属、酸化金属またはハロゲ
   ン化金属を表わす。］で示される請求項１に記載のフタ
   ロシアニン化合物。
3. 【請求項３】 フェノキシ基で置換されてなり、該フェ
   ノキシ基が置換基を有していてもよいアリール基および
   臭素原子を有する置換基で置換されているフタロニトリ
   ル化合物単独あるいは該フェノキシ基で置換されていな
   いフタロニトリルとの混合物と金属化合物とを反応させ
   ることを特徴とする請求項１または２に記載のフタロシ
   アニン化合物の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１または２に記載のフタロシアニ
   ン化合物を基板上に設けられた記録層に含有してなる光
   記録媒体。