JPH10114747A - ビフェニルメチルアルキルアミドピリジン誘導体の製 造法 - Google Patents

ビフェニルメチルアルキルアミドピリジン誘導体の製 造法

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JPH10114747A
JPH10114747A JP9240436A JP24043697A JPH10114747A JP H10114747 A JPH10114747 A JP H10114747A JP 9240436 A JP9240436 A JP 9240436A JP 24043697 A JP24043697 A JP 24043697A JP H10114747 A JPH10114747 A JP H10114747A
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JP
Japan
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methyl
nitropyridine
biphenyl
benzoate
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JP9240436A
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English (en)
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Hideki Kageyama
秀樹 蔭山
Yoshio Urawa
世志雄 浦和
Mutsumi Nagaoka
睦 長岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eisai Chemical Co Ltd
Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Eisai Chemical Co Ltd
Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd
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Publication date
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  • Catalysts (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 2−[N−(ビフェニル−4−イル)メチ
ル]アルキルアミド−3−ニトロピリジンを、効率良
く、高収率で製造できる方法を提供すること。 【解決手段】 第4級アンモニウム塩、第4級ホスホニ
ウム塩またはピリジミウム塩とアルカリの存在下、溶媒
中で2−アルキルアミド−3−ニトロピリジン誘導体を
活性ビフェニル誘導体と反応させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は2−[N−(ビフェ
ニル−4−イル)メチル]アルキルアミド−3−ニトロ
ピリジンの製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】2−[N−(ビフェニル−4−イル)メ
チル]アルキルアミド−3−ニトロピリジンなどのアミ
ノピリジン誘導体はアンギオテンシンII受容体拮抗剤等
の医薬中間体として重要であり、その効率的製造法が望
まれている。例えば、カリウム・t−ブトキシドのテト
ラヒドロフラン溶液に、2−シクロプロパンカルボキサ
ミド−5−ブロモ−4−メチル−3−ニトロピリジンを
加えて加熱し、還流下活性ビフェニル誘導体である2−
(4’−クロロメチルフェニル)安息香酸メチルを加え
て反応させる方法が提案されている(特開平7−619
84号公報)。又活性ビフェニル誘導体として2−
(4’−ブロモメチルフェニル)ベンゾニトリルを用い
た例も提案されている(特開平6−234765号公
報)。更に同様な反応として、水素化ナトリウムのジメ
チルスルホキシド懸濁液に、2−シクロプロパンカルボ
キサミド−5−ブロモ−4−メチル−3−ニトロピリジ
ンを加えて加熱し、還流下活性ビフェニル誘導体である
4’−ブロモメチル−2−シアノビフェニルを加えて反
応させる方法が提案されている(特開平3−18807
6号公報)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら特開平7
−61984号公報、特開平6−234765号公報、
特開平3−188076号公報開示技術では、反応の
際、強い塩基を用い、又反応温度が高いため活性ビフェ
ニル誘導体の分解が起こり、低収率となる傾向があっ
た。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、かかる課
題を解決するため鋭意研究を重ねた結果、第4級アンモ
ニウム塩、第4級ホスホニウム塩またはピリジミウム塩
とアルカリの存在下、溶媒中で下記一般式(I)で表さ
れる2−アルキルアミド−3−ニトロピリジン誘導体を
【化5】 [式中R1は水素原子またはハロゲン原子を意味し、さ
らにハロゲン原子とは臭素原子または塩素原子を意味す
る。R2は水素原子またはメチル基を、R3はシクロアル
キル基、低級アルキル基または低級アルコキシ基を意味
する。]下記一般式(II)で表される活性ビフェニル誘
導体
【化6】 [式中Yは水酸基、ハロゲン原子、低級アルキルスルホ
ニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を意味
し、R4はシアノ基又は−COOR5(式中R5は低級ア
ルキル基、シクロアルキル基、アルコキシアルキル基、
チオアルコキシアルキル基、シクロエーテル基、アリー
ル基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ト
リアルキルシリル基のいずれかを意味する。)または下
記一般式で表される基を意味する。]
【化7】 と反応させると反応温度が低くても反応が進行するた
め、活性ビフェニル誘導体の分解が少なく、それゆえ収
率が良くなるという事実を見出し、本発明を完成した。
【0005】
【発明の実施の形態】以下本発明を詳細に説明する。本
発明で原料となる2−アルキルアミド−3−ニトロピリ
ジン誘導体は下記一般式(I)で表される。
【化8】 式中R1は水素原子又はハロゲン原子を意味し、更にハ
ロゲン原子とは臭素原子または塩素原子を意味する。R
2は水素原子又はメチル基を、R3はシクロアルキル基、
低級アルキル基又は低級アルコキシル基を意味する。さ
らに具体的には、例えば下記化合物を挙げることができ
るが、本発明にかかる2−アルキルアミド−3−ニトロ
ピリジン誘導体(I)はこれらに限定されない。
【0006】(1)2−シクロプロパンカルボキサミド
−4−メチル−3−ニトロピリジン (2)2−シクロプロパンカルボキサミド−4,6−ジ
メチル−3−ニトロピリジン (3)2−シクロプロパンカルボキサミド−5−ブロモ
−4−メチル−3−ニトロピリジン (4)2−シクロプロパンカルボキサミド−5−クロロ
−4−メチル−3−ニトロピリジン (5)2−シクロプロパンカルボキサミド−5−ブロモ
−4,6−ジメチル−3−ニトロピリジン (6)2−シクロプロパンカルボキサミド−5−クロロ
−4,6−ジメチル−3−ニトロピリジン (7)2−ブチリルアミノ−4−メチル−3−ニトロピ
リジン (8)2−ブチリルアミノ−4,6−ジメチル−3−ニ
トロピリジン (9)2−ブチリルアミノ−5−ブロモ−4−メチル−
3−ニトロピリジン (10)2−ブチリルアミノ−5−ブロモ−4,6−ジメ
チル−3−ニトロピリジン (11)2−バレリルアミノ−4−メチル−3−ニトロピ
リジン (12)2−バレリルアミノ−4,6−ジメチル−3−ニ
トロピリジン (13)2−バレリルアミノ−5−ブロモ−4−メチル−
3−ニトロピリジン (14)2−バレリルアミノ−5−ブロモ−4,6−ジメ
チル−3−ニトロピリジン (15)2−ブチリルアミノ−5−クロロ−4−メチル−
3−ニトロピリジン (16)2−n−ブチリルアミノ−5−クロロ−4,6−
ジメチル−3−ニトロピリジン
【0007】本発明でN−アルキル化剤として用いられ
る活性ビフェニル誘導体は下記一般式(II)で表され、
【化9】 式中Yは水酸基、ハロゲン原子、低級アルキルスルホニ
ルオキシ基、またはアリールスルホニルオキシ基を意味
し、更に、ハロゲン原子としては塩素原子、臭素原子、
ヨウ素原子、フッ素原子を、低級アルキルスルホニルオ
キシ基としてはメタンスルホニルオキシ基、エタンスル
ホニルオキシ基等の炭素数1〜6の低級アルキル基を分
子内に有する基を、アリールスルホニルオキシ基として
はベンゼンスルホニルオキシ基、p−トルエンスルホニ
ルオキシ基等を挙げることができ、R4はシアノ基又は
−COOR5(式中R5は低級アルキル基、シクロアルキ
ル基、アルコキシアルキル基、チオアルコキシアルキル
基、シクロエーテル基、アリール基、アラルキル基、ア
ルケニル基、アルキニル基、トリアルキルシリル基のい
ずれかを意味する。)または下記一般式で表される基を
意味する。
【化10】
【0008】ここで具体的には、例えば下記化合物を挙
げることができる。 (1)2−(4’−ヒドロキシメチルフェニル)安息香
酸メチル (2)3−(4’−ヒドロキシメチルフェニル)安息香
酸メチル (3)4−(4’−ヒドロキシメチルフェニル)安息香
酸メチル (4)2−(4’−ヒドロキシメチルフェニル)安息香
酸エチル (5)3−(4’−ヒドロキシメチルフェニル)安息香
酸エチル (6)4−(4’−ヒドロキシメチルフェニル)安息香
酸エチル (7)2−(4’−ヒドロキシメチルフェニル)安息香
酸プロピル (8)2−(4’−ヒドロキシメチルフェニル)安息香
酸ブチル (9)2−(4’−ヒドロキシメチルフェニル)安息香
酸フェニル (10)2−(4’−ヒドロキシメチルフェニル)安息香
酸ベンジル (11)2−(4’−ヒドロキシメチルフェニル)安息香
酸テトラヒドロピラニル (12)2−(4’−ヒドロキシメチルフェニル)安息香
酸テトラヒドロフラニル (13)2−(4’−ヒドロキシメチルフェニル)安息香
酸トリメチルシリル (14)2−(4’−ヒドロキシメチルフェニル)安息香
酸メトキシメチル (15)2−(4’−ヒドロキシメチルフェニル)安息香
酸チオメトキシメチル (16)2−(4’−ブロモメチルフェニル)安息香酸メ
チル (17)3−(4’−ブロモメチルフェニル)安息香酸メ
チル (18)4−(4’−ブロモメチルフェニル)安息香酸メ
チル (19)2−(4’−クロロメチルフェニル)安息香酸メ
チル (20)3−(4’−クロロメチルフェニル)安息香酸メ
チル (21)4−(4’−クロロメチルフェニル)安息香酸メ
チル (22)2−(4’−メタンスルホニルオキシメチルフェ
ニル)安息香酸メチル (23)3−(4’−メタンスルホニルオキシメチルフェ
ニル)安息香酸メチル (24)4−(4’−メタンスルホニルオキシメチルフェ
ニル)安息香酸メチル (25)2−(4’−メタンスルホニルオキシメチルフェ
ニル)安息香酸エチル (26)3−(4’−メタンスルホニルオキシメチルフェ
ニル)安息香酸エチル (27)4−(4’−メタンスルホニルオキシメチルフェ
ニル)安息香酸エチル (28)2−(4’−エタンスルホニルオキシメチルフェ
ニル)安息香酸メチル (29)3−(4’−エタンスルホニルオキシメチルフェ
ニル)安息香酸メチル (30)4−(4’−エタンスルホニルオキシメチルフェ
ニル)安息香酸メチル (31)2−(4’−エタンスルホニルオキシメチルフェ
ニル)安息香酸エチル (32)3−(4’−エタンスルホニルオキシメチルフェ
ニル)安息香酸エチル (33)4−(4’−エタンスルホニルオキシメチルフェ
ニル)安息香酸エチル (34)2−(4’−p−トルエンスルホニルオキシメチ
ルフェニル)安息香酸メチル (35)3−(4’−p−トルエンスルホニルオキシメチ
ルフェニル)安息香酸メチル (36)4−(4’−p−トルエンスルホニルオキシメチ
ルフェニル)安息香酸メチル (37)2−(4’−p−トルエンスルホニルオキシメチ
ルフェニル)安息香酸エチル (38)3−(4’−p−トルエンスルホニルオキシメチ
ルフェニル)安息香酸エチル (39)4−(4’−p−トルエンスルホニルオキシメチ
ルフェニル)安息香酸エチル (40)2−(4’−ベンゼンスルホニルオキシメチルフ
ェニル)安息香酸メチル (41)3−(4’−ベンゼンスルホニルオキシメチルフ
ェニル)安息香酸メチル (42)4−(4’−ベンゼンスルホニルオキシメチルフ
ェニル)安息香酸メチル (43)2−(4’−ベンゼンスルホニルオキシメチルフ
ェニル)安息香酸エチル (44)3−(4’−ベンゼンスルホニルオキシメチルフ
ェニル)安息香酸エチル (45)4−(4’−ベンゼンスルホニルオキシメチルフ
ェニル)安息香酸エチル (46)4,4−ジメチル−2−(4’−ヒドロキシメチ
ルビフェニル−2−イル)オキサゾリン (47)4,4−ジメチル−2−(4’−ブロモメチルビ
フェニル−2−イル)オキサゾリン (48)4,4−ジメチル−2−(4’−クロロメチルビ
フェニル−2−イル)オキサゾリン (49)4,4−ジメチル−2−(4’−メタンスルホニ
ルオキシメチルビフェニル−2−イル)オキサゾリン (50)4,4−ジメチル−2−(4’−エタンスルホニ
ルオキシメチルビフェニル−2−イル)オキサゾリン (51)4,4−ジメチル−2−(4’−ベンゼンスルホ
ニルオキシメチルビフェニル−2−イル)オキサゾリン (52)4,4−ジメチル−2−[4’−(p−トルエン
スルホニルオキシメチル)ビフェニル−2−イル)オキ
サゾリン
【0009】活性ビフェニル誘導体の使用量として好ま
しくは2−アルキルアミド−3−ニトロピリジン誘導体
1モルに対して0.5〜3モル、更に好ましくは1.0
〜1.2モルである。0.5モル未満では原料の2−ア
ルキルアミド−3−ニトロピリジン誘導体が残存し、3
モルを越えても、収率は上がらず、活性ビフェニル誘導
体が無駄になるので好ましくない。
【0010】本発明で製造される2−[N−(ビフェニ
ル−4−イル)メチル]アルキルアミド−3−ニトロピ
リジン誘導体は下記一般式(III)で表される。
【化11】
【0011】式中R1は水素原子またはハロゲン原子を
意味し、さらにハロゲン原子とは臭素原子または塩素原
子を意味する。R2は水素原子またはメチル基を、R3
シクロアルキル基、低級アルキル基または低級アルコキ
シ基を意味し、更にはシクロアルキル基としてシクロプ
ロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基等を低級アルキル基としてメチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、ア
ミル基、ヘキシル基等の炭素数1〜6のアルキル基を、
低級アルコキシ基としてメトキシ基、エトキシ基、n−
プロポキシ基、i−プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチ
ルオキシ基、ヘキシルオキシ基等の炭素数1〜6の低級
アルコキシ基を挙げることができる。R5として具体的
には、例えば低級アルキル基としてメチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、
i−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、i−ペ
ンチル基、t−ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、
デシル基等の炭素数1〜10のアルキル基を、シクロア
ルキル基としてシクロプロピル基、シクロブチル基、シ
クロペンチル基、シクロヘキシル基等を、アルコキシア
ルキル基としてメトキシメチル基、エトキシメチル基、
メトキシエチル基、エトキシエチル基、メトキシエトキ
シメチル基、フェノキシメチル基、ベンジルオキシメチ
ル基等を、チオアルコキシアルキル基としてメチルチオ
メチル基、メチルチオエチル基、エチルチオメチル基、
フェニルチオメチル基、ベンジルチオメチル基等を、シ
クロエーテル基としてテトラヒドロピラニル基、テトラ
ヒドロフラニル基等を、アリール基としてフェニル基、
トルイル基、キシリル基等をアラルキル基としてベンジ
ル基、フェネチル基、メチルベンジル基、トリメチルベ
ンジル基、ニトロベンジル基、フェナシル基等を、アル
ケニル基としてアリル基、プロペニル基、シンナミル基
等を、アルキニル基としてプロパルギル基等を、トリア
ルキルシリル基としてトリメチルシリル基、トリエチル
シリル基、t−ブチルジメチルシリル基、i−プロピル
ジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基等を挙げ
ることができる。これらの中でも好ましい基として、低
級アルキル基、シクロアルキル基、メトキシメチル基、
テトラヒドロピラニル基、フェニル基、ベンジル基、ト
リメチルシリル基を挙げることができる。R4はシアノ
基または−COOR5(式中R5は低級アルキル基、シク
ロアルキル基、アルコキシアルキル基、チオアルコキシ
アルキル基、シクロエーテル基、アリール基、アラルキ
ル基、アルケニル基、アルキニル基、トリアルキルシリ
ル基のいずれかを意味する。)または下記一般式で表さ
れる基を意味する。
【化12】
【0012】さらに具体的には、例えば下記化合物を挙
げることができるが、本発明にかかる2−[N−(ビフ
ェニル−4−イル)メチル]アルキルアミド−3−ニト
ロピリジン誘導体(III)はこれらに限定されない。
【0013】(1)2−[N−(2’−メトキシカルボ
ニルビフェニル−4−イル)メチル]シクロプロパンカ
ルボキサミド−4−メチル−3−ニトロピリジン (2)2−[N−(2’−メトキシカルボニルビフェニ
ル−4−イル)メチル]シクロプロパンカルボキサミド
−4,6−ジメチル−3−ニトロピリジン (3)2−[N−(2’−メトキシカルボニルビフェニ
ル−4−イル)メチル]シクロプロパンカルボキサミド
−5−ブロモ−4−メチル−3−ニトロピリジン (4)2−[N−(2’−メトキシカルボニルビフェニ
ル−4−イル)メチル]シクロプロパンカルボキサミド
−5−クロロ−4−メチル−3−ニトロピリジン (5)2−[N−(2’−メトキシカルボニルビフェニ
ル−4−イル)メチル]シクロプロパンカルボキサミド
−5−ブロモ−4,6−ジメチル−3−ニトロピリジン (6)2−[N−(2’−メトキシカルボニルビフェニ
ル−4−イル)メチル]シクロプロパンカルボキサミド
−5−クロロ−4,6−ジメチル−3−ニトロピリジン (7)2−[N−(2’−メトキシカルボニルビフェニ
ル−4−イル)メチル]ブチリルアミノ−4−メチル−
3−ニトロピリジン (8)2−[N−(2’−メトキシカルボニルビフェニ
ル−4−イル)メチル]ブチリルアミノ−4,6−ジメ
チル−3−ニトロピリジン (9)2−[N−(2’−メトキシカルボニルビフェニ
ル−4−イル)メチル]ブチリルアミノ−5−ブロモ−
4−メチル−3−ニトロピリジン (10)2−[N−(2’−メトキシカルボニルビフェニ
ル−4−イル)メチル]ブチリルアミノ−5−ブロモ−
4,6−ジメチル−3−ニトロピリジン (11)2−[N−(2’−メトキシカルボニルビフェニ
ル−4−イル)メチル]バレリルアミノ−4−メチル−
3−ニトロピリジン (12)2−[N−(2’−メトキシカルボニルビフェニ
ル−4−イル)メチル]バレリルアミノ−4,6−ジメ
チル−3−ニトロピリジン (13)2−[N−(2’−メトキシカルボニルビフェニ
ル−4−イル)メチル]バレリルアミノ−5−ブロモ−
4−メチル−3−ニトロピリジン (14)2−[N−(2’−メトキシカルボニルビフェニ
ル−4−イル)メチル]バレリルアミノ−5−ブロモ−
4,6−ジメチル−3−ニトロピリジン (15)2−[N−{2’−(4",4"−ジメチルオキサ
ゾリン−2”−イル)ビフェニル−4−イル}メチル]
シクロプロパンカルボキサミド−4−メチル−3−ニト
ロピリジン (16)2−[N−{2’−(4",4"−ジメチルオキサ
ゾリン−2”−イル)ビフェニル−4−イル}メチル]
シクロプロパンカルボキサミド−4,6−ジメチル−3
−ニトロピリジン (17)2−[N−{2’−(4",4"−ジメチルオキサ
ゾリン−2”−イル)ビフェニル−4−イル}メチル]
シクロプロパンカルボキサミド−5−ブロモ−4−メチ
ル−3−ニトロピリジン (18)2−[N−{2’−(4",4"−ジメチルオキサ
ゾリン−2”−イル)ビフェニル−4−イル}メチル]
シクロプロパンカルボキサミド−5−クロロ−4−メチ
ル−3−ニトロピリジン (19)2−[N−{2’−(4",4"−ジメチルオキサ
ゾリン−2”−イル)ビフェニル−4−イル}メチル]
シクロプロパンカルボキサミド−5−ブロモ−4,6−
ジメチル−3−ニトロピリジン (20)2−[N−{2’−(4",4"−ジメチルオキサ
ゾリン−2”−イル)ビフェニル−4−イル}メチル]
シクロプロパンカルボキサミド−5−クロロ−4,6−
ジメチル−3−ニトロピリジン (21)2−[N−{2’−(4",4"−ジメチルオキサ
ゾリン−2”−イル)ビフェニル−4−イル}メチル]
ブチリルアミノ−4−メチル−3−ニトロピリジン (22)2−[N−{2’−(4",4"−ジメチルオキサ
ゾリン−2”−イル)ビフェニル−4−イル}メチル]
ブチリルアミノ−4,6−ジメチル−3−ニトロピリジ
ン (23)2−[N−{2’−(4",4"−ジメチルオキサ
ゾリン−2”−イル)ビフェニル−4−イル}メチル]
ブチリルアミノ−5−ブロモ−4−メチル−3−ニトロ
ピリジン (24)2−[N−{2’−(4",4"−ジメチルオキサ
ゾリン−2”−イル)ビフェニル−4−イル}メチル]
ブチリルアミノ−5−ブロモ−4,6−ジメチル−3−
ニトロピリジン (25)2−[N−{2’−(4",4"−ジメチルオキサ
ゾリン−2”−イル)ビフェニル−4−イル}メチル]
バレリルアミノ−4−メチル−3−ニトロピリジン (26)2−[N−{2’−(4",4"−ジメチルオキサ
ゾリン−2”−イル)ビフェニル−4−イル}メチル]
バレリルアミノ−4,6−ジメチル−3−ニトロピリジ
ン (27)2−[N−{2’−(4",4"−ジメチルオキサ
ゾリン−2”−イル)ビフェニル−4−イル}メチル]
バレリルアミノ−5−ブロモ−4−メチル−3−ニトロ
ピリジン (28)2−[N−{2’−(4",4"−ジメチルオキサ
ゾリン−2”−イル)ビフェニル−4−イル}メチル]
バレリルアミノ−5−ブロモ−4,6−ジメチル−3−
ニトロピリジン
【0014】反応の触媒として用いられるものとして
は、第4級アンモニウム塩、第4級ホスホニウム塩また
はピリジミウム塩の中から少なくとも1種の化合物が用
いられ、特に第4級アンモニウム塩が重要である。第4
級アンモニウム塩としては、ベンジルトリエチルアンモ
ニウム塩、テトラブチルアンモニウム塩、トリオクチル
メチルアンモニウム塩等が挙げられ、第4級ホスホニウ
ム塩としてはテトラフェニルホスホニウム塩、メチルト
リフェニルホスホニウム塩またはピリジミウム塩として
は、セチルピリジニウム塩などである。上記において、
塩としてはCl塩、Br塩、I塩、硫酸水素塩、ハイド
ロキシ塩などが挙げられる。
【0015】第4級アンモニウム塩、第4級ホスホニウ
ム塩またはピリジニウム塩の使用量として好ましくは2
−アルキルアミド−3−ニトロピリジン誘導体(I)1
モルに対して0.001〜1.0モル、更に好ましくは
0.005〜0.5モルである。0.001モル未満、
あるいは無添加では反応速度が遅くなる若しくは徐々に
活性ビフェニル誘導体の分解が起こり、又1.0モルを
越えると第4級アンモニウム塩、第4級ホスホニウム塩
またはピリジニウム塩の分離が難しくなり、また第4級
アンモニウム塩、第4級ホスホニウム塩またはピリジニ
ウム塩が高価なため好ましくない。
【0016】反応の際にはアルカリを併用することも必
要で、用いられるアルカリとしては、炭酸カリウム、炭
酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム
などの弱塩基、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水
酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、カリウムハイド
ライド、ナトリウムハイドライド等が挙げられるが、好
ましくは炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリ
ウム、炭酸水素ナトリウムなどの弱塩基が用いられる。
アルカリの使用量として好ましくは2−アルキルアミド
−3−ニトロピリジン誘導体1モルに対して0.5〜1
0モル、更に好ましくは0.9〜3.0モルである。
【0017】反応は溶媒中で行うことが必要で、用いら
れる溶媒としては、N,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホル
アミド、アセトニトリル、アセトン、メチルエチルケト
ン等が、挙げられるが、好ましくはN,N−ジメチルホ
ルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドである。溶
媒の使用量として好ましくは2−アルキルアミド−3−
ニトロピリジン誘導体(I)1重量部に対して1〜20
0重量部、更に好ましくは5〜50重量部である。
【0018】本発明で使用されるすべての薬剤の仕込み
手段は任意であり、一括仕込み、分割仕込み、連続仕込
み、滴下仕込み等いずれも実施可能であるが、2−アル
キルアミド−3−ニトロピリジン誘導体(I)と第4級
アンモニウム塩及びアルカリを溶媒中に懸濁させた物に
活性ビフェニル誘導体(II)を添加して反応させるのが
好ましく、以下かかる方法について具体的に説明する。
【0019】まず2−アルキルアミド−3−ニトロピリ
ジン誘導体(I)を反応缶に仕込んでから、2−アルキ
ルアミド−3−ニトロピリジン誘導体(I)1モルに対
して0.001〜1.0モルの第4級アンモニウム塩と
0.5〜10モルのアルカリを溶媒中で−30〜80
℃、好ましくは10〜40℃で混合し、スラリー状とし
た後、熟成させる。該混合物に2−アルキルアミド−3
−ニトロピリジン誘導体(I)0.5〜3モル%の活性
ビフェニル誘導体(II)を反応温度0〜70℃、好まし
くは10〜40℃で、1分〜10時間、好ましくは5分
〜5時間で滴下仕込みする。反応終了後は水及び溶媒を
加え、溶媒で抽出、分離し、蒸留により溶媒を留去する
ことで目的物を得る。目的物の収率は、2−アルキルア
ミド−3−ニトロピリジン誘導体(I)に対して50〜
95%である。
【0020】かくして得られた2−[N−(ビフェニル
−4−イル)メチル]アルキルアミド−3−ニトロピリ
ジン誘導体(III)は、医薬、例えばアンギオテンシンI
I拮抗薬、心臓病薬等の中間体として大変有用である。
【0021】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。 実施例1 2−シクロプロパンカルボキサミド−5−ブロモ−4−
メチル−3−ニトロピリジン10g(33.3ミリモ
ル)、テトラ−n−ブチルアンモニウムブロマイド(T
BAB)1.07g(3.3ミリモル)及び炭酸カリウ
ム12.0g(86.9ミリモル)とジメチルホルムア
ミド45gを混合し懸濁させた後、2−(4’−ブロモ
メチルフェニル)安息香酸メチル12.2g(40.0
モル)をジメチルホルムアミド12gに溶解したものを
25℃で2時間かけて滴下した。更に25℃で3時間撹
拌後、酢酸エチル120gと水150gを加え、分液ロ
ートで分液し、有機層を水を80gで洗浄し、ロータリ
ーエバポレータで酢酸エチルを減圧留去(55℃、50
torr)し、2−[N−(2’−メトキシカルボニルビフ
ェニル−4−イル)メチル]シクロプロパンカルボキサ
ミド−5−ブロモ−4−メチル−3−ニトロピリジン2
0.7gを褐色オイルとして得た。高速液体クロマトグ
ラフィーによる分析で純度は81%となり、収率は96
%であった。
【0022】実施例2 実施例1においてテトラ−n−ブチルアンモニウムブロ
マイドの替わりにベンジルトリエチルアンモニウムクロ
リド(BTEAC)0.752g(3.3ミリモル)を
用い、2−(4’−ブロモメチルフェニル)安息香酸メ
チルの替わりに、2−(4’−クロロメチルフェニル)
安息香酸メチル10.4g(40.0モル)を用いた以
外は実施例1と同様に行い2−[N−(2’−メトキシ
カルボニルビフェニル−4−イル)メチル]シクロプロ
パンカルボキサミド−5−ブロモ−4−メチル−3−ニ
トロピリジン20.5gを褐色オイルとして得た。高速
液体クロマトグラフィーによる分析で純度は78%とな
り、収率は92%であった。
【0023】比較例1 実施例1においてテトラ−n−ブチルアンモニウムブロ
マイドを用いない以外は同様に実施し、2−[N−
(2’−メトキシカルボニルビフェニル−4−イル)メ
チル]シクロプロパンカルボキサミド−5−ブロモ−4
−メチル−3−ニトロピリジン19.5gを褐色オイル
として得た。高速液体クロマトグラフィーによる分析で
純度は27%となり、収率は30%であった。
【0024】比較例2 実施例1において炭酸カリウムを用いない以外は同様に
実施し、2−[N−(2’−メトキシカルボニルビフェ
ニル−4−イル)メチル]シクロプロパンカルボキサミ
ド−5−ブロモ−4−メチル−3−ニトロピリジン2
0.9gを褐色オイルとして得た。高速液体クロマトグ
ラフィーによる分析で純度は8.0%となり、収率は1
0%であった。
【0025】比較例3 実施例1においてジメチルホルムアミドを用いない以外
は同様に実施した。反応は全く進まず、2−[N−
(2’−メトキシカルボニルビフェニル−4−イル)メ
チル]シクロプロパンカルボキサミド−5−ブロモ−4
−メチル−3−ニトロピリジンは得られなかった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長岡 睦 茨城県鹿島郡神栖町知手中央6−16−27 エーザイ化学株式会社神の池桜花寮内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第4級アンモニウム塩、第4級ホスホニ
    ウム塩またはピリジニウム塩とアルカリの存在下、溶媒
    中で、下記一般式(I)で表される2−アルキルアミド
    −3−ニトロピリジン誘導体を 【化1】 [式中R1は水素原子またはハロゲン原子を意味し、さ
    らにハロゲン原子とは臭素原子または塩素原子を意味す
    る。R2は水素原子またはメチル基を、R3はシクロアル
    キル基、低級アルキル基または低級アルコキシ基を意味
    する。]下記一般式(II)で表される活性ビフェニル誘
    導体 【化2】 [式中Yは水酸基、ハロゲン原子、低級アルキルスルホ
    ニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を意味
    し、R4はシアノ基又は−COOR5(式中R5は低級ア
    ルキル基、シクロアルキル基、アルコキシアルキル基、
    チオアルコキシアルキル基、シクロエーテル基、アリー
    ル基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ト
    リアルキルシリル基のいずれかを意味する。)または下
    記一般式で表される基を意味する。] 【化3】 と反応させることを特徴とする下記一般式(III)で表
    される2−[N−(ビフェニル−4−イル)メチル]ア
    ルキルアミド−3−ニトロピリジン誘導体の製造法。 【化4】 [式中R1、R2、R3、R4は前記と同様の意味を有す
    る。]
  2. 【請求項2】 0〜70℃で反応させることを特徴とす
    る請求項1記載の2−[N−(ビフェニル−4−イル)
    メチル]アルキルアミド−3−ニトロピリジン誘導体
    (III)の製造法。
  3. 【請求項3】 10〜40℃で反応させることを特徴と
    する請求項1ないし2記載の2−[N−(ビフェニル−
    4−イル)メチル]アルキルアミド−3−ニトロピリジ
    ン誘導体(III)の製造法。
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