JPH10114427A - 半導体ウェーハ取り扱い装置 - Google Patents

半導体ウェーハ取り扱い装置

Info

Publication number
JPH10114427A
JPH10114427A JP9269676A JP26967697A JPH10114427A JP H10114427 A JPH10114427 A JP H10114427A JP 9269676 A JP9269676 A JP 9269676A JP 26967697 A JP26967697 A JP 26967697A JP H10114427 A JPH10114427 A JP H10114427A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
finger
frame
passage
front surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP9269676A
Other languages
English (en)
Inventor
Eric Lee Gaylord
エリック・リー・ゲイロード
James Stuart Taylor
ジェイムズ・スチュアート・テイラー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SunEdison Inc
Original Assignee
SunEdison Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SunEdison Inc filed Critical SunEdison Inc
Publication of JPH10114427A publication Critical patent/JPH10114427A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/141—Associated with semiconductor wafer handling includes means for gripping wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Manipulator (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェーハを傷つけることなく、サスセプタに
又サスセプタから半導体ウェーハを搬送するための装置
を提供する。 【解決手段】 半導体ウェーハの前面から該半導体ウェ
ーハを取り扱う際に使用する装置である。ウェーハ前面
は、半導体ウェーハの処理により仕上げ面が形成され、
外周縁部を有する。この装置は、ウェーハを保持するの
に使用するためにウェーハに係合する先端部分を備えた
複数のフィンガ部と、これらのフィンガ部を有すると共
にウェーハの外周縁部だけでウェーハと同時に係合する
ようにフィンガ部を配置するフレームとを有する。装置
はまた、フィンガ部先端部分を介してウェーハに真空圧
力を加えて該ウェーハを保持するために、フィンガ部の
先端部分で終了する真空圧力通路を有する。フィンガ部
は予め決められた一方向にウェーハを保持するように配
置される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハを
汚染、損傷することなく取り扱う装置、特に半導体ウェ
ーハをサスセプタに又サスセプタから搬送する装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】高品質
の半導体ウェーハを製造するには、傷のないウェーハ表
面を維持することが必要である。ウェーハを取り扱えば
損傷や汚染の機会が生じる。例えば、損傷や汚染は、ウ
ェーハ前面にエピタキシャル層を蒸着するために使用す
るサスセプタにウェーハを移動する間に発生する。サス
セプタは、一般に、グラファイトで被覆されたシリコン
カーバイトからなる多角形の垂直方向に向けられたチュ
ーブである。このチューブの壁の外側表面は複数の円形
凹部を有し、各凹部はウェーハをその前面をサスセプタ
から外側に向けて保持する大きさとしてある。サスセプ
タは、エピタキシャル層の蒸着プロセス中、多数のウェ
ーハを反応室内に保持する。ウェーハの背面は通常凹部
の後部に係合し、少ないながらも材料がウェーハ背面に
付着する。
【０００３】一般に、ウェーハは、特別のピンセット
（ハサミ）又は真空棒により、貯蔵用カセットからサス
セプタの凹部に搬送される。このハサミは、前面と背面
の周縁部に沿って、これら前面と背面の両方でウェーハ
に係合する。真空棒は、ウェーハ背面の中央部に係合す
る。この棒は、周縁部の内側でウェーハの前面と係合で
きず、さもなければ汚染を生じ得る。前面の周縁部と係
合するために、上記棒はウェーハを持ち上げるのに十分
安全な程度にウェーハをしっかりと掴むことができな
い。
【０００４】ハサミや真空棒を使用するためには、凹部
の後壁とウェーハの背面に係合するハサミ又は棒との間
に空間を形成するために、オペレータは、サスセプタに
対して非平行状態でウェーハ凹部にウェーハを挿入する
必要がある。いずれの場合でも、ウェーハは、このウェ
ーハ上部を凹部から上方に角度を付けて、まず凹部底部
でサスセプタと接触する。次に、ウェーハの上部は、こ
のウェーハを凹部に据え付けるために、別の先端の尖っ
た工具又はハサミで凹部に押し込まれる。これは、工具
又はハサミによって、しばしばウェーハに損傷を生じ
る。この装填及びその後の据え付けプロセスはまた、ウ
ェーハを凹部に入れる際に、凹部の側部でウェーハを擦
る可能性を増し、それはウェーハの損傷を生じる。反応
器やウェーハ自身の微粒子汚染は、僅かな擦れによって
も生じ得る。これらの技術は、サスセプタに対して固定
的に設けられていないウェーハにおいて時々発生し、そ
れにより熱的に誘導された位置ずれや処理中にサスセプ
タからウェーハが落下するという事態を生じる。
【０００５】ハサミや真空棒を使用すると、サスセプタ
凹部の中に一貫した状態でウェーハを方向付けることが
難しく、そのために前回の反応器の運転により得られた
蒸着されたシリコンがの下に行ってしまい、これにより
ウェーハの背面と凹部の後壁との接触を防止する。ま
た、ウェーハを搬送するために使用するハサミは、ウェ
ーハの表面との摩擦係合だけで、ウェーハを把持する。
したがって、ハサミからウェーハが滑り落ちて損傷する
ということが大いにあり得る。また、ハサミ又は真空棒
の使用は、ウェーハを落とすことなく又は凹部の側部に
対してそれを擦ることなくサスセプタ凹部にウェーハを
取り付けるのに、オペレータは高度な手の器用さが要求
される。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、ウェー
ハを傷つけることなく、サスセプタに又サスセプタから
半導体ウェーハを搬送するための装置を提供すること、
確実にウェーハを保持するそのような装置を提供するこ
と、ウェーハの片面だけと係合しながら、サスセプタ内
にウェーハを垂直に配置できるそのような装置を提供す
ること、サスセプタ上で半導体ウェーハを一定の方向に
配置するそのような装置を提供すること、装置との係合
によりウェーハが汚染される可能性を最小限に止めるよ
うにウェーハを保持するそのような装置を提供するこ
と、使用するのが便利なそのような装置を提供すること
である。
【０００７】本発明の装置は、半導体ウェーハの処理に
より形成される仕上げ面上に、ウェーハの前面から、半
導体ウェーハを取り扱うのに使用するものである。上記
前面は外周縁部を有する。概略、上記装置は、ウェーハ
を保持する際に使用するための、ウェーハと係合する先
端部分を備えた複数のフィンガ部と、ウェーハの背面と
係合することなく、ウェーハ前面の外周縁部に上記複数
のフィンガ部を載せると共に該複数のフィンガ部をそこ
に確実に位置させてウェーハと同時に係合するフレーム
と有する。真空圧力通路手段は複数のフィンガ部の先端
部で終わりをなし、上記フィンガ部の先端部を介してウ
ェーハに真空圧力を加えて該ウェーハを保持する。
【０００８】本発明の他の目的及び特徴の一部は明らか
であり、一部は以下で指摘する。
【０００９】
【発明の実施の形態】図面、まず図１を参照すると、半
導体ウェーハＷを取り扱う際に使用する本発明の装置は
符号１０で全体が示してある。符号Ｗで全体を示した半
導体ウェーハは、半導体ウェーハの処理により仕上げ面
が形成される前面ＦＦと、仕上げを施されることが有る
場合もあれば無い場合もある背面ＲＦとを有する。ウェ
ーハの前面ＦＦは外周縁部Ｍを有し、これは仕上げされ
たウェーハの中で使用されることはない。縁部は、例え
ば１５０ｍｍの径のウェーハ上で約３ｍｍの幅を有す
る。したがって、外周縁部Ｍは、ウェーハＷの取り扱い
中に欠陥の無い状態である必要はない。ウェーハＷは略
円形をしており、外周縁部の一部に沿って形成された平
坦部Ｆを有する。
【００１０】米国特許Ｎｏ．５，５１８，５４９号に記
載されている好適な方法でエピタキシャル反応室におい
て処理するために、サスセプタ（図示せず）のウェーハ
凹部にウェーハＷを垂直に配置するように操作できる。
本発明は特にエピタキシャル層の蒸着に関連して半導体
ウェーハＷの取り扱いに特に適用されているが、その他
の適用において別の品物を取り扱うことにも使用でき、
それも本発明の範囲に属するものと理解すべきである。
ウェーハ凹部は、概略円形をしており、サスセプタの直
立壁に設けてあり、そこではウェーハＷが凹部の薄いリ
ップ部に支持される。具体的に、ウェーハＷはこのウェ
ーハの縁に沿ってリップ部に係合する。ウェーハ凹部に
配置されたときに、ウェーハＷの前面ＦＦは凹部の外側
に向けられる。エピタキシャル層は、反応室を介してサ
スセプタ上で循環される化学蒸気より半導体材料が蒸着
されることにより、前面ＦＦに形成される。
【００１１】装置１０は、複数のフィンガ部２２と、こ
れらのフィンガ部を有するフレーム（概略符号２４で示
されている。）と、フィンガ部の先端部２５を介してウ
ェーハＷに真空圧力を加えて該ウェーハを把持するため
の真空圧力通路手段（概略符号２３で示されている。）
とを有する。フレーム２４は、装置１０に保持された半
導体ウェーハＷの前面ＦＦから垂直に伸びるハンドル２
６と、フレーム通路を形成するマニホールド部２８とを
有する。フレーム通路は、各フィンガ部２２のフィンガ
通路３０と流体的に接続している。ハンドル２６とフレ
ーム通路は、マニホールド部２８に設けたフィンガ部２
２に送られる真空圧力の流体通路を提供する。マニホー
ルド部２８は複数の管状部材からなる。６つの管状部材
３２は五角形の形をした構造体を形成している（図２参
照）。この構造体は、装置１０に保持された半導体ウェ
ーハＷの前面ＦＦに略平行な平面に配置されている。
【００１２】図２に示すように、フレーム２４は、装置
に保持された半導体ウェーハＷの中心と略同軸の中心Ｃ
を有する。フィンガ部２２は、外周縁部Ｍにおいてのみ
ウェーハＷを把持するように構成されて配置されてお
り、これにより処理後に使用されるウェーハ部分にフィ
ンガ部が接触するのを防止している。マニホールド部２
８は、五角形（図２参照）の下部コーナー部から伸びる
２つのフィンガ部２２がフレームの中心Ｃから距離ｒの
場所に配置され、五角形の最も上のコーナー部から伸び
る第３のフィンガ部が中心Ｃから距離ｒよりも短い距離
の場所に配置されるように設けてある。一般に、距離ｒ
はウェーハＷの半径に相当する（しかし、ウェーハＷの
半径よりも僅かに小さい。）。フレーム２４の中心Ｃか
ら第３のフィンガ部２２までの距離は、ウェーハの中心
と平坦部Ｆとの間の最短距離に相当する。このように配
置することにより、ウェーハは、第３のフィンガ部２２
を外周縁部Ｍの平坦部Ｆに係合して、一部分だけで装置
１０により安全に保持される。そのため、ウェーハＷ
は、前後のウェーハと同様に（例えば、凹部の上部
に）、ウェーハ平坦部Ｆをサセプタのポケットに向けて
サセプタに配置できる。フレーム２４は、フレームのコ
ーナー部から伸びるフィンガ部２２が、ウェーハＷの前
面ＦＦの外周縁部２２だけに係合するように間隔をあけ
て形成されている。異なる大きさの装置が異なる径のウ
ェーハに要求される。本発明の範囲から逸脱することな
く、種々のその他のフレーム形状を使用してもよいし、
異なる数のフィンガ部をフレームに接続してもよい。
【００１３】フレーム２４は第６の管状部材４４を有
し、これはマニホールド部２８に接続され、マニホール
ド部と同一の平面に位置している。第６の管状部材４４
はマニホールド部２８の底部からフレームの略中心Ｃに
伸びている。ハンドル２６は第６の管状部材４４に接続
され、マニホールド部２８から垂直に伸びている。図示
する実施形態では、ハンドル２６は、カリフォルニア州
サニーベールのＨ−スクエア・カンパニーから販売され
ているもの（型式番号ＮＯＰ１９１又はＮＣＰ１９１）
のような真空棒が用いられる。例えば、図１に示すハン
ドルの寸法は、直径０．６２インチ、長さ６．２インチ
である。ハンドル２６は、フレーム２４に取り付けられ
た先端部４５と、真空圧力源（図示せず）に取り付けで
きる掛の付いた接続部４６とを有する。ハンドル２６は
高分子材料又はその他な適当な材料で形成することがで
きる。ハンドル２６はまた、ハンドルの通路を選択的に
開閉して、フィンガ部先端部２５を介して真空圧力の適
用を制御する弁４８を有する。したがって、遠くに離れ
て配置された真空圧力源に代えて、装置１０で圧力が調
節できる。弁はゲート又はボール型の弁体を位置決めす
るために、ボタン４９とステム５１、又はその他の適当
な型式の遮断装置をハンドル内に備えている。
【００１４】管状部材３２は、０．２５インチのステン
レス鋼からなる管から形成されている。管状部材３２
は、ステンレス鋼のエルボ５８とティー６０に接続され
ている。プラスチック等の他の適当な材料を使用しても
よいし、異なる管サイズを使用してもよい。フレーム
（図示せず）は、図１と図２に示すフレームに類似の形
に形成された中身の詰まった棒と、この中身の詰まった
棒の外で流体通路を提供するために棒に沿って伸びるフ
レキシブルな管とで作ることもできる。
【００１５】各フィンガ部先端部２５は、図３のフィン
ガ部２２について示すように、ウェーハを把持するため
に、ウェーハＷの外側縁部Ｍを受けるように構成された
ノッチ５０を有する。ノッチ５０は、略軸方向の対向面
５２と、この軸方向の対向面から軸方向外側に伸びる突
出部材５４とを形成している。下の２つのフィンガ部２
２の突出部材５４はウェーハの下にあってこのウェーハ
を支持し、真空圧力と共にウェーハを保持するのを補助
する。一般に、距離ｒは、フレームの中心から突出部材
の半径方向内側対向部までを測られる。フィンガ部通路
開口部３１は軸方向対向面５２に配置されている。先端
部はまた、軸方向対向面５２から傾斜した軸方向後方傾
斜面５６を有する。フィンガ部先端部分は、ネムール・
アンド・カンパニーのイー・アイ・デュポンにより「Ｖ
ＥＳＰＥＬ」の商標名で販売されているプラスチックの
ような耐熱プラスチックで作るのが好ましい。
【００１６】動作を説明すると、ウェーハ取り扱い装置
１０はハンドル２６を片手で握られ、オペレータがボタ
ン４９を押して弁４８を開く。これにより、真空圧力が
先端部分２５に流れる。次に、装置１０が、ウェーハの
外周縁部近傍に突出部材５４を設け、ウェーハＷを接触
して配置される。マニホールド部２８の上部コーナーか
ら伸びるフィンガ部２２がウェーハＷの平坦部Ｆに配置
される。真空圧力が突出部材５４と共に、ウェーハ取り
扱い装置上の所定の場所にウェーハを保持する。次に、
ウェーハＷは垂直状態でサスセプタに搬送され、適正に
凹部に配列されると共に凹部にしっかりと設けられる。
続いて、オペレータは、弁４８のボタン４９を離してフ
ィンガ部先端部２５への真空圧力の流れを遮断してウェ
ーハを離す。上記装置１０はウェーハをその他の処理装
置に又はその他の処理装置から送るために使用してもよ
い。真空棒（図示せず）を使用して、ウェーハをカセッ
トからウェーハ取り扱い装置に搬送してもよい。
【００１７】以上のことから、本発明のウェーハ取り扱
い装置は数々の利点を有することが理解できる。図示す
る形態により、半導体ウェーハはその外周縁部だけに接
触して、真空圧力により持ち上げて保持することがで
き、そのためにウェーハの前面が損傷する可能性が少な
くなる。この装置により、当該装置に対して垂直な方向
からエピタキシャル反応サスセプタ上にウェーハを配置
でき、そのために凹部に所定の角度でウェーハを配置す
ることにより達成される以上に、サスセプタ上により良
く配置することができると共にウェーハの損傷が防止さ
れる。さらに、上記装置により、ウェーハは選択された
方向に向けてポケット内に一定して配置され、これによ
り仕上げられたウェーハの品質が改善される。
【００１８】以上のことから、本発明の目的が達成さ
れ、その他の有利な結果が得られることが明らかであ
る。
【００１９】本発明の範囲から逸脱することなく上記構
成及び方法に種々の変更を加えることができ、上記説明
に含まれるか添付図面に示されたすべての事項は説明だ
けのものであり、限定的な意味に解釈してはならない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 半導体ウェーハを取り扱うために使用する装
置の側面図で、半導体ウェーハを保持した状態が示して
ある。
【図２】 半導体ウェーハを保持した図１の装置の正面
図である。
【図３】 図１の装置の拡大された破断図で、装置のフ
ィンガ部先端部の半導体ウェーハとの係合を示してい
る。
【符号の説明】
Ｗ…半導体ウェーハ、ＦＦ…ウェーハ前面、ＲＦ…ウェ
ーハ背面、Ｍ…外周縁部、Ｆ…ウェーハ平坦部、１０…
半導体ウェーハ取り扱い装置、２２…フィンガ部、２３
…真空圧力通路手段、２４…フレーム、２６…ハンド
ル、２８…マニホールド。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェイムズ・スチュアート・テイラー アメリカ合衆国63367ミズーリ州レイク・ セント・ルイス、レイシン・コート23番

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ウェーハを処理することにより仕
    上げ面が形成される上記半導体ウェーハの前面から該半
    導体ウェーハを取り扱う装置で、 上記前面は外周縁部を有し、 上記装置は、 上記ウェーハを保持する際に使用され、上記ウェーハと
    係合する先端部分を有する複数のフィンガ部と、 上記ウェーハの背面と係合することなく、上記ウェーハ
    前面の上記外周縁部に、上記複数のフィンガ部を載せる
    と共に上記フィンガ部を位置させて、同時上記ウェーハ
    に係合するフレームと、 上記フィンガ部の先端部分で終わり、上記フィンガ部の
    先端部分を介して上記ウェーハに真空圧力を加えて上記
    ウェーハを把持する真空圧力通路手段とを有し、 上記先端部分は上記前面の外周縁部に沿って上記ウェー
    ハに係合するように構成されている、半導体ウェーハの
    取り扱い装置。
  2. 【請求項２】 上記通路手段は、各フィンガ部の中に、
    各フィンガ部の先端部分にある開口部で終了するフィン
    ガ通路を有する、請求項１に記載のウェーハ取り扱い装
    置。
  3. 【請求項３】 上記通路手段はさらに上記フレーム中に
    フレーム通路を有し、上記フレーム通路は各フィンガ部
    の上記フィンガ通路に流体的に接続している、請求項２
    に記載のウェーハ取り扱い装置。
  4. 【請求項４】 上記フレームは上記フレーム通路を形成
    すると共に上記フィンガ部が載せられるマニホールド部
    と、上記フレームに接続されたハンドルとを有し、上記
    フレーム通路は上記マニホールド部から上記ハンドルを
    介して伸びている、請求項３に記載のウェーハ取り扱い
    装置。
  5. 【請求項５】 上記通路手段を選択的に開閉して上記フ
    ィンガ部先端部分を通じて真空圧力を制御するための弁
    を上記ハンドルに備えている、請求項４に記載のウェー
    ハ取り扱い装置。
  6. 【請求項６】 上記各フィンガ部の上記フィンガ部先端
    部分は、ほぼ軸方向に対向する面を形成するノッチと、
    上記軸方向対向面から軸方向外側に伸びる突出部材とを
    有し、上記フィンガ部通路開口が上記軸方向対向面にあ
    る、請求項２から５のいずれかに記載のウェーハ取り扱
    い装置。
  7. 【請求項７】 上記フィンガ部先端部分の上記突出部材
    は、上記突出部材の半径方向内側にある上記半導体ウェ
    ーハの半径方向外側に向けた薄い縁部を収容し、上記前
    面の外周縁部を上記フィンガ部先端部分の軸方向対向面
    に係合するように構成されて配置され、上記突出部材は
    上記外周縁部と係合して、上記ウェーハをその前面がそ
    の反対側にある上記ウェーハの背面に係合することなく
    保持するように構成されている、請求項６に記載のウェ
    ーハ取り扱い装置。
  8. 【請求項８】 上記突出部材は上記ウェーハを予め決め
    られた一方向に向けて収容するように構成されて配置さ
    れており、上記フレームは上記装置によって保持された
    ときに上記半導体ウェーハの中心とほぼ同軸上の中心を
    有し、上記第１と第２の突出部材は上記フレームの中心
    から所定距離ｒに配置され、第３の突出部材は上記中心
    から距離ｒ未満の所定距離に配置されている、請求項６
    又は７に記載のウェーハ取り扱い装置。
  9. 【請求項９】 上記フィンガ部先端部分はまた、上記軸
    方向対向面から軸方向に関して後方に傾斜した表面を有
    する、請求項６から８のいずれかに記載のウェーハ取り
    扱い装置。
  10. 【請求項１０】 上記フィンガ部は、上記半導体ウェー
    ハを、該ウェーハの平坦部を上記フレームの上部に位置
    させて、予め決められた一方向に保持するように配置さ
    れている、請求項１から９のいずれかに記載のウェーハ
    取り扱い装置。
JP9269676A 1996-10-03 1997-10-02 半導体ウェーハ取り扱い装置 Withdrawn JPH10114427A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/724908 1996-10-03
US08/724,908 US5765890A (en) 1996-10-03 1996-10-03 Device for transferring a semiconductor wafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10114427A true JPH10114427A (ja) 1998-05-06

Family

ID=24912403

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9269676A Withdrawn JPH10114427A (ja) 1996-10-03 1997-10-02 半導体ウェーハ取り扱い装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5765890A (ja)
EP (1) EP0834906A3 (ja)
JP (1) JPH10114427A (ja)
KR (1) KR19980032525A (ja)
CN (1) CN1072389C (ja)
SG (1) SG66399A1 (ja)
TW (1) TW383442B (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6015174A (en) * 1998-06-04 2000-01-18 Eastman Kodak Company Universal end effector for robotic applications
US6401008B1 (en) 1998-11-18 2002-06-04 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor wafer review system and method
US6156580A (en) * 1998-11-18 2000-12-05 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor wafer analysis system and method
US6454332B1 (en) * 1998-12-04 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for handling a substrate
EP1105257A1 (en) * 1999-03-16 2001-06-13 Ade Corporation Wafer gripping fingers
US6322116B1 (en) * 1999-07-23 2001-11-27 Asm America, Inc. Non-contact end effector
US6343905B1 (en) 1999-12-17 2002-02-05 Nanometrics Incorporated Edge gripped substrate lift mechanism
US7175214B2 (en) * 2000-03-16 2007-02-13 Ade Corporation Wafer gripping fingers to minimize distortion
US6578893B2 (en) 2000-10-02 2003-06-17 Ajs Automation, Inc. Apparatus and methods for handling semiconductor wafers
US20030031538A1 (en) * 2001-06-30 2003-02-13 Applied Materials, Inc. Datum plate for use in installations of substrate handling systems
US6893069B1 (en) * 2001-07-16 2005-05-17 Raytheon Company Die edge-picking vacuum tool
US20030209326A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-13 Mattson Technology, Inc. Process and system for heating semiconductor substrates in a processing chamber containing a susceptor
US20040145199A1 (en) * 2002-12-20 2004-07-29 International Business Machines Corporation Apparatus, system, and method for gripping and holding disk-shaped objects
JP4671724B2 (ja) * 2005-03-16 2011-04-20 信越半導体株式会社 半導体ウェーハの保持用グリッパー及び保持方法並びに形状測定装置
JP5043021B2 (ja) * 2005-10-04 2012-10-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板を乾燥するための方法及び装置
JP4746003B2 (ja) * 2007-05-07 2011-08-10 リンテック株式会社 移載装置及び移載方法
CN102019578B (zh) * 2009-09-22 2012-03-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于将晶片移出化学机械抛光设备研磨头的方法
US9312107B1 (en) 2011-03-31 2016-04-12 WD Media, LLC Disk handling apparatus and method for supporting a disk during material deposition at a deposition station
CN103569672B (zh) * 2012-07-20 2016-03-09 上海微电子装备有限公司 一种兼容硅片和玻璃基板的传输装置
US10184193B2 (en) 2015-05-18 2019-01-22 Globalwafers Co., Ltd. Epitaxy reactor and susceptor system for improved epitaxial wafer flatness

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3523706A (en) * 1967-10-27 1970-08-11 Ibm Apparatus for supporting articles without structural contact and for positioning the supported articles
US4557514A (en) * 1984-07-18 1985-12-10 At&T Technologies, Inc. Vacuum pick and place robotic hand
JPS61208234A (ja) * 1985-03-13 1986-09-16 Matsushita Electronics Corp 真空チヤツク
JPS6387831U (ja) * 1986-11-26 1988-06-08
US4773687A (en) * 1987-05-22 1988-09-27 American Telephone And Telegraph Company, At&T Technologies, Inc. Wafer handler
US4787662A (en) * 1987-08-28 1988-11-29 Hewlett-Packard Company Vacuum driven gripping tool
US5127692A (en) * 1987-10-20 1992-07-07 Canon Kabushiki Kaisha Article gripping apparatus
JP2508540B2 (ja) * 1987-11-02 1996-06-19 三菱マテリアル株式会社 ウェ―ハの位置検出装置
JPH0329117Y2 (ja) * 1987-11-06 1991-06-21
US5022695A (en) * 1989-01-30 1991-06-11 Texas Instruments Incorporated Semiconductor slice holder
DE3919611A1 (de) * 1989-06-15 1990-12-20 Wacker Chemitronic Haltevorrichtung zur aufnahme von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere halbleiterscheiben, und verfahren zu deren behandlung
US4969676A (en) * 1989-06-23 1990-11-13 At&T Bell Laboratories Air pressure pick-up tool
US5110167A (en) * 1990-06-07 1992-05-05 Friend Robert N Disc handling device, method of use and package
JPH0770504B2 (ja) * 1990-12-26 1995-07-31 信越半導体株式会社 ウエーハのハンドリング方法及び装置
US5169196A (en) * 1991-06-17 1992-12-08 Safabakhsh Ali R Non-contact pick-up head
JPH05121543A (ja) * 1991-08-09 1993-05-18 Teikoku Seiki Kk ウエハーマウンタのウエハー支持方法、その装置及びその装置を備えるウエハーマウンタ
JPH0547899A (ja) * 1991-08-20 1993-02-26 Sharp Corp ウエハー搬送用アーム
US5268067A (en) * 1992-07-30 1993-12-07 Texas Instruments Incorporated Wafer clamping method
JP2694248B2 (ja) * 1993-02-22 1997-12-24 セイコーインスツルメンツ株式会社 試料搬送装置
US5350427A (en) * 1993-06-14 1994-09-27 Varian Associates, Inc. Wafer retaining platen having peripheral clamp and wafer lifting means
US5423716A (en) * 1994-01-05 1995-06-13 Strasbaugh; Alan Wafer-handling apparatus having a resilient membrane which holds wafer when a vacuum is applied
US5439523A (en) * 1994-02-14 1995-08-08 Memc Electronic Materials, Inc. Device for suppressing particle splash onto a semiconductor wafer

Also Published As

Publication number Publication date
EP0834906A2 (en) 1998-04-08
EP0834906A3 (en) 2002-04-03
CN1182703A (zh) 1998-05-27
TW383442B (en) 2000-03-01
SG66399A1 (en) 1999-07-20
CN1072389C (zh) 2001-10-03
KR19980032525A (ko) 1998-07-25
US5765890A (en) 1998-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10114427A (ja) 半導体ウェーハ取り扱い装置
US5647626A (en) Wafer pickup system
US6109677A (en) Apparatus for handling and transporting plate like substrates
EP1362363B1 (en) Apparatus for manipulating semiconductor wafers
US4002254A (en) Method and a pick-up device for lifting and moving semiconductor wafers
US5749469A (en) Wafer carrier
US5669316A (en) Turntable for rotating a wafer carrier
KR20010110435A (ko) 셀프-레벨링 진공 시스템에 의해 에픽택셜 유도 반응기내에서 기판을 핸들링하는 장치 및 방법
JPS62250654A (ja) 傾斜した締付けピンを使用したウエ−ハ処理チヤツク
WO2007129558A1 (ja) 基板搬送装置及び縦型熱処理装置
WO2008016748A1 (en) Bernoulli wand
US20030114016A1 (en) Wafer carrier for semiconductor process tool
US4496180A (en) Vacuum handling apparatus
WO2015191366A1 (en) Wafer loading and unloading
US6669253B2 (en) Wafer boat and boat holder
US20040013503A1 (en) Robotic hand with multi-wafer end effector
US20030234548A1 (en) Wafer handler
JP2002033378A (ja) ウェーハハンドリング装置
JP2003077988A (ja) 半導体ウエハのマウント方法およびこれに用いるカセット
JPH01261843A (ja) ウェハースハンドリング用チャック
KR20040037094A (ko) 웨이퍼 취급용 공구 및 에피택셜 성막 스테이션
CN115083972A (zh) 处理治具
WO2024079116A1 (en) Device for conveying a wafer-shaped article
JPH01194317A (ja) 半導体ウエハの保持治具
JPS6311727Y2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20041207