JPH10112391A - 有機薄膜el表示装置及びその駆動方法 - Google Patents

有機薄膜el表示装置及びその駆動方法

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JPH10112391A
JPH10112391A JP8264441A JP26444196A JPH10112391A JP H10112391 A JPH10112391 A JP H10112391A JP 8264441 A JP8264441 A JP 8264441A JP 26444196 A JP26444196 A JP 26444196A JP H10112391 A JPH10112391 A JP H10112391A
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正樹 山川
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秀樹 吉井
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浩行 寺本
Yoshiko Fujima
美子 藤間
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高解像度化された表示装置においても、駆動
電圧を低く抑えることが可能で、画素の位置による輝度
ばらつきが発生せず、輝度階調制御が可能な有機薄膜E
L表示装置とその駆動方法を得る。 【解決手段】 X−Yマトリックス型有機EL表示装置
の配線電極の抵抗値と当該配線電極に流れる電流に注目
し、データ電極を低抵抗側配線に、走査電極を高抵抗側
配線に配設するようにするとともに、駆動電圧VCCの
電圧源に接続された電流源で駆動する駆動方法とし、こ
の時の駆動電圧VCCを画素の位置による配線抵抗のば
らつきがあっても電流源が必ず定電流動作する条件を満
足する特定の電圧以上とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、有機エレクトロ
ルミネッセンス(以下、ELという)発光素子を用いた
有機薄膜EL表示装置及びその駆動方法に関する。
【0002】
【従来の技術】有機薄膜EL素子は、ほとんど絶縁体薄
膜である有機化合物に電極から半ば無理矢理に正負の電
荷を注入し、それを再結合させることにより励起し、発
光させる電流制御型の発光素子である。
【0003】近年、有機薄膜のEL現象を用いた有機薄
膜EL素子が各社により開発されている。
【0004】従来のこの種の有機薄膜EL素子として
は、例えば特開昭59−194393号、特開昭63−
264692号、特開昭63−295695号の各公報
に開示されたものがある。
【0005】このような有機薄膜EL素子は、直流低電
圧で駆動可能な自己発光型の発光素子であり、これを用
いた表示装置は視野角が広く、表示面が明るく、かつ本
体が薄くて軽いなど、液晶ディスプレイを凌ぐ利点を有
している。このため、高信頼性が要求されるディスプレ
イや壁掛けテレビなどの大容量の表示装置として大きく
期待され、実用化が試みられているところである。
【0006】図19は有機薄膜EL素子の構成を示す断
面図である。
【0007】図において、有機薄膜EL素子は、ガラス
基板1上に設けられた陽極2に有機薄膜3、陰極4が順
に積層されている。
【0008】陽極2は、発光の透過率を高める透明電極
であり、例えばITO(indium tinoxide)、酸化第2
スズ及び酸化インジウムなどの各種の透明電極材料が使
用可能である。
【0009】有機薄膜3は、少なくとも有機化合物から
なる発光材料を含有する発光層を有し、構成形態として
は、発光層のみからなるもの、発光層と正孔注入層とか
らなるもの、電子輸送層と発光層とからなるもの、電子
輸送層と発光層と正孔注入層とからなるもの、これらの
機能を有する材料を混合したもの、あるいは高分子に分
散したものなどがあり、真空蒸着法などの方法で形成さ
れる。
【0010】陰極4は、例えばMg、In、Ag、L
i、Alなどの各種の金属及びこれらの合金が単層でま
たは積層して使用可能で、真空蒸着法などで形成されて
いる。
【0011】図20は、このような有機薄膜EL素子の
陽極2と陰極4とがストライプ状に形成され、かつ互い
に交差するように配置したX−Yマトリックス有機薄膜
EL表示装置の構造を示す図である。
【0012】図において、上記有機薄膜EL表示装置
は、陽極2と陰極4の交点に画素が形成され、陽極2、
陰極4を適宜選択し該当する交点に位置する画素に電流
または電圧を印加し励起することにより選択発光させる
ことができる。
【0013】このような、X−Yマトリックス型の表示
装置の駆動方法として、陰極2及び陽極4に駆動電圧印
加用のスイッチング素子を接続しその制御回路を設け
て、線順次走査を行う方法が、特開平6−301355
号公報、及び『有機EL素子の開発戦略』(69頁、サ
イエンスフォーラム社、1992年刊)などに開示され
ている。
【0014】図21は、このような有機薄膜EL表示装
置におけるマトリックス駆動の等価回路を示す図であ
る。
【0015】図において、有機物からなる発光層として
複数の有機薄膜EL素子EL(Xi,Yl)が各々対応す
る複数の単位電極からなるストライプ状のデータ電極Y
1〜Ym及び走査電極X1〜Xn(第1及び第2のストライ
プ電極)によりマトリックス状に挟持されている。各デ
ータ電極Y1〜Ym(第1の単位電極)は、各データ電極
Y1〜Ym毎に電極切替部を有する行選択切替部5を介し
て駆動電圧VBを持つ駆動電源系に接続されている。ま
た、各走査電極X1〜Xn(第2の単位電極)は、各走査
電極X1〜Xn毎にノーマリオフのMOSFET6(1)〜
6(n)を有する列選択切替部7に接続されている。な
お、行及び列選択切替部5,7は、表示対象の表示デー
タが記憶された半導体メモリに基づいて制御部(図示せ
ず)に制御される。
【0016】ここで、各電極切替部は、電極切替回路8
(1)〜8(m)、NPN型バイポーラトランジスタ9(1)〜
9(m)及びノーマリオン(通常、ON状態にある。)の
MOSFET10(1)〜10(m)からなり、バイポーラト
ランジスタ9(1)〜9(m)のコレクタ端子が駆動電源系に
接続され、かつ、バイポーラトランジスタ9(1)〜9(m)
のエミッタ端子及びMOSFET10(1)〜10(m)のソ
ース端子が対応するデータ電極Y1〜Ymに接続されてい
る。また、このMOSFET10(1)〜10(m)のドレイ
ン端子はアースに接続され、かつ、バイポーラトランジ
スタ9(1)〜9(m)のベース端子及びMOSFET10
(1)〜10(m)のゲート端子は電極切替回路8(1)〜8(m)
の第1及び第2の出力部に接続されている。
【0017】列選択切替部7のMOSFET6(1)〜6
(n)は、対応する走査電極X1〜Xnがソース端子に接続
され、ゲート端子への信号入力により該走査電極をドレ
イン端子を介してアースに接続可能としている。
【0018】したがって、データ電極Y1〜Ymは励起状
態(発光)では順バイアス、非励起状態ではアースに接
続され、走査電極X1〜Xnは選択時にアース、非選択時
にはフロート状態になる。
【0019】次に、このようなX−Yマトリックス型有
機薄膜EL表示装置のマトリックス駆動について述べ
る。
【0020】まず、制御部では、表示対象の各位置に対
する画素(Xi,Yl)を示す電極切替信号を行及び列選
択切替部5,7に送出する。この電極切替信号により、
走査電極Xiに対応するMOSFET6(i)のゲートと、
データ電極Ylに対応するバイポーラトランジスタ9(l)
のベース及びMOSFET10(l)のゲートとに、各々
同期してハイレベルのパルスが入力されると、走査電極
Xiがアースされ、データ電極Ylが順バイアス電圧VB
にラッチされる。
【0021】このとき、順バイアスの駆動電圧VBが発
光のしきい値以上の十分な電圧であれば、画素(Xi,
Yl)に対応する有機薄膜EL素子に電流が流入し、有
機薄膜が励起されて発光する。一方、非選択のデータ電
極Yk(k≠l)はアースされているので、Yk電極上の有
機薄膜EL素子には電圧が印加されず、発光しない。ま
た、非選択の走査電極Xj(j≠i)はフロート状態にラ
ッチされ、定常状態では電流は流れない。
【0022】以上のようにして走査電極Xi上に発光、
非発光状態が形成され、この発光、非発光状態を走査電
極Xiを順次シフト選択しながら繰り返し表示すること
により、所望の画像を表示している。
【0023】また、輝度階調のある画像の表示は、選択
している走査電極Xi上の各画素(Xi,Y1〜Ym)の輝
度階調に応じたパルス幅の順バイアス電圧を各データ電
極Y1〜Ymに印加することで各有機薄膜EL素子の発光
状態の時間を制御することにより、時間平均された輝度
(平均輝度)を調整している。
【0024】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の有機薄膜EL表示装置は以上のように構成さ
れているので、有機薄膜EL表示装置の高解像度化を図
るためには、データ電極Y1〜Ym及び、または走査電極
X1〜Xnの電極数を増やし画素数を増加させる必要があ
る。電極数が増加すると、電極幅が狭くなるため電極抵
抗が増加する。
【0025】また、表示する画像の繰り返し時間(フレ
ーム表示時間)が一定の場合、1本の走査電極を選択す
る時間が走査電極数に反比例して短くなり有機薄膜EL
素子の発光時間が短くなるため、図22に示すように時
間平均された発光輝度が低くなるので、発光輝度を一定
に保つためには有機薄膜EL素子に印加する電圧を大き
くして電流を増加させて発光輝度を大きくする必要があ
る。
【0026】したがって、有機薄膜EL表示装置の表示
輝度を保ちながら高解像度化を図ると、画素までの配線
電極による配線抵抗が大きくなり、また輝度を保つため
画素に流れる電流も大きくなるので、配線抵抗による電
圧降下(配線抵抗と電流の積)が大きくなり、配線抵抗
による電圧降下に対応して表示装置の駆動電圧である順
バイアス電圧VBを高く設定する必要がある。
【0027】また、表示装置の高解像度化により配線抵
抗が大きくなると表示装置内の画素の位置による配線抵
抗の違いが無視できなくなる。すなわち、配線抵抗によ
る各画素までの電圧降下が異なることになる。順バイア
ス電圧VBによる定電圧駆動では、各画素の有機薄膜E
L素子に印加される電圧は、順バイアス電圧VBから配
線抵抗による電圧降下を差し引いた電圧であるので、画
素の位置により有機薄膜EL素子に印加される電圧が異
なり、その結果、発光輝度のばらつきが発生するという
問題がある。
【0028】一方、表示装置内の画素の輝度階調に対応
するパルス幅の順バイアス電圧VBを有機薄膜EL素子
に印加制御して輝度階調を制御する場合、前述のように
表示装置の高解像度化により有機薄膜EL素子の発光時
間が短くなり、制御できる階調数を多くするためにはさ
らに短いパルス幅での制御が必要にある。しかし、実際
の表示装置では、パルス状の順バイアス電圧VBは配線
抵抗と有機薄膜EL素子との時定数により、図23に示
すように波形なまりが発生し、印加する順バイアス電圧
VBのパルス幅と時間平均された発光輝度との比例関係
が成立しなくなる。また、画素の位置により配線抵抗が
異なってくるため、各画素での印加する順バイアス電圧
VBのパルス幅と時間平均された発光輝度の関係も異な
ってくる。
【0029】このような輝度制御ずれは、制御する階調
数が多くなり印加する順バイアス電圧VBのパルス幅が
短いほど顕著になるので、有機薄膜EL素子の応答速度
によらず正確な階調表示及び高階調表示ができない。
【0030】また、特開平2−148667号公報に
は、有機薄膜EL表示装置内の各有機薄膜EL素子(画
素)に対応する複数の2値化ビットデータを記憶するこ
とができるメモリセルとその出力信号で出力の有無が制
御される複数の電流供給源とを備えて、各画素に供給さ
れる電流を制御して輝度階調を変化させる方法が開示さ
れている。この方法によれば高解像度化されても1画素
が発光状態の時間が短くなることがなく、また各画素毎
の電流源を当該画素の近傍に配置することが可能である
ので画素の位置による配線抵抗の違いが生じることがな
い。しかし、この方法の回路構成は、有機薄膜EL表示
装置内に各画素毎に複数のメモリセルと電流供給源など
を構成する必要があり、非常に複雑になり表示装置のコ
ストが高くなるなど実用的でない。
【0031】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、各画素毎に複数のメモリセルや
電流源などを構成することのない構造が簡易なX−Yマ
トリックス型で、高解像度化された表示装置において
も、駆動電圧を低く抑えることが可能で、画面上の画素
の位置による輝度ばらつきが発生せず、輝度階調制御が
可能な有機薄膜EL表示装置とその駆動方法を得ること
を目的とする。
【0032】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の有機薄
膜EL表示装置は、少なくとも有機物からなる発光層を
有するX−Yマトリックス型有機薄膜EL表示装置にお
いて、高抵抗側電極をデータ電極用配線に、低抵抗側電
極を走査電極用配線に配設して、配線抵抗による電圧降
下を低く抑えたことを特徴とするものである。
【0033】請求項2に記載の有機薄膜EL表示装置
は、少なくとも有機物からなる発光層を有するX−Yマ
トリックス型有機薄膜EL表示装置において、駆動電圧
VCCの電圧源に接続された電流源で駆動するととも
に、駆動電圧VCCを、画素の位置による配線抵抗のば
らつきがあっても電流源が必ず定電流動作する条件を満
たす特定の電圧以上としたことを特徴とするものであ
る。
【0034】請求項3に記載の有機薄膜EL表示装置
は、少なくとも有機物からなる発光層を有するX−Yマ
トリックス型有機薄膜EL表示装置において、駆動電圧
VCCの電圧源に接続された電流源で駆動するととも
に、駆動電圧VCCを、画素の位置による表示輝度のば
らつきが抑制可能な特定の電圧以上としたことを特徴と
するものである。
【0035】請求項4に記載の有機薄膜EL表示装置
は、少なくとも有機物からなる発光層を有するX−Yマ
トリックス型有機薄膜EL表示装置において、駆動電圧
VCCの電圧源に接続された電流源で駆動するととも
に、電流源の定電流出力を画素の階調に対応したパルス
幅で制御して、画素の階調制御を行うことを特徴とする
ものである。
【0036】請求項5に記載の有機薄膜EL表示装置
は、少なくとも有機物からなる発光層を有するX−Yマ
トリックス型有機薄膜EL表示装置において、駆動電圧
VCCの電圧源に接続された電流源で駆動するととも
に、電流源の定電流出力を画素の階調に対応した電流値
で制御して、画素の階調制御を行うものである。
【0037】請求項6に記載の有機薄膜EL表示装置
は、少なくとも有機物からなる発光層を有するX−Yマ
トリックス型有機薄膜EL表示装置において、駆動電圧
VCCの電圧源に接続された電流源で駆動するととも
に、駆動電圧VCCを調整する調整手段を備え、調整手
段により走査電極毎に駆動電圧VCCを調整し、画素の
位置による配線抵抗のばらつきを補正した異なる電圧値
として駆動回路における電力損失を抑えたことを特徴と
するものである。
【0038】請求項7に記載の有機薄膜EL表示装置
は、発光素子の電圧−電流特性をモニタする手段を備
え、モニタ手段からの情報を基に電流源の定電流値を制
御し、該発光素子の発光特性の変化を補正することを特
徴とするものである。
【0039】請求項8に記載の有機薄膜EL表示装置
は、発光素子の電圧−電流特性をモニタする手段を備
え、モニタ手段からの情報を基に電流源の電流値を制御
する電流値制御を変え、該変更後の電流値制御により該
発光素子の発光特性の変化を補正することを特徴とする
ものである。
【0040】請求項9に記載の有機薄膜EL表示装置
は、発光素子の発光特性の変化を補正する補正手段を備
え、補正手段により輝度特性や色バランスなどの表示特
性の変化を調整することを特徴とするものである。
【0041】請求項10に記載の有機薄膜EL表示装置
は、発光素子の発光特性の変化を補正する補正手段を備
え、補正手段により輝度特性や色バランスなどの表示特
性の変化を調整して駆動回路における電力損失を抑えた
ことを特徴とするものである。
【0042】請求項11に記載の有機薄膜EL表示装置
の駆動方法は、少なくとも有機物からなる発光層を有す
るX−Yマトリックス型有機薄膜EL表示装置を駆動電
圧VCCの電圧源に接続された電流源で駆動する有機薄
膜EL表示装置の駆動方法において、駆動電圧VCC
を、画素の位置による配線抵抗のばらつきがあっても電
流源が必ず定電流動作する条件を満足する特定の電圧以
上としたことを特徴とする。
【0043】請求項12に記載の有機薄膜EL表示装置
の駆動方法は、少なくとも有機物からなる発光層を有す
るX−Yマトリックス型有機薄膜EL表示装置を駆動電
圧VCCの電圧源に接続された電流源で駆動する有機薄
膜EL表示装置の駆動方法において、駆動電圧VCC
を、画素の位置による表示輝度のばらつきが抑制可能な
特定の電圧以上としたことを特徴とする。
【0044】請求項13に記載の有機薄膜EL表示装置
の駆動方法は、少なくとも有機物からなる発光層を有す
るX−Yマトリックス型有機薄膜EL表示装置を駆動電
圧VCCの電圧源に接続された電流源で駆動する有機薄
膜EL表示装置の駆動方法において、電流源の定電流出
力を画素の階調に対応したパルス幅で制御して、画素の
階調制御を行うことを特徴とする。
【0045】請求項14に記載の有機薄膜EL表示装置
の駆動方法は、少なくとも有機物からなる発光層を有す
るX−Yマトリックス型有機薄膜EL表示装置を駆動電
圧VCCの電圧源に接続された電流源で駆動する有機薄
膜EL表示装置の駆動方法において、電流源の定電流出
力を画素の階調に対応した電流値で制御して、画素の階
調制御を行うことを特徴とする。
【0046】請求項15に記載の有機薄膜EL表示装置
の駆動方法は、少なくとも有機物からなる発光層を有す
るX−Yマトリックス型有機薄膜EL表示装置を駆動電
圧VCCの電圧源に接続された電流源で駆動する有機薄
膜EL表示装置の駆動方法において、駆動電圧VCCを
調整する調整手段を備え、調整手段により走査電極毎に
駆動電圧VCCを調整し、画素の位置による配線抵抗の
ばらつきを補正した異なる電圧値として駆動回路におけ
る電力損失を抑えたことを特徴とする。
【0047】請求項16に記載の有機薄膜EL表示装置
の駆動方法は、発光素子の電圧−電流特性をモニタする
手段を備え、モニタ手段からの情報を基に電流源の定電
流値を制御し、該発光素子の発光特性の変化を補正する
ことを特徴とする。
【0048】請求項17に記載の有機薄膜EL表示装置
の駆動方法は、発光素子の電圧−電流特性をモニタする
手段を備え、モニタ手段からの情報を基に電流源の電流
値を制御する電流値制御を変え、該変更後の電流値制御
により該発光素子の発光特性の変化を補正することを特
徴とする。
【0049】請求項18に記載の有機薄膜EL表示装置
の駆動方法は、発光素子の発光特性の変化を補正する補
正手段を備え、補正手段により輝度特性や色バランスな
どの表示特性の変化を調整することを特徴とする。
【0050】請求項19に記載の有機薄膜EL表示装置
の駆動方法は、発光素子の発光特性の変化を補正する補
正手段を備え、補正手段により輝度特性や色バランスな
どの表示特性の変化を調整して駆動回路における電力損
失を抑えたことを特徴とする。
【0051】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して、
この発明を具体的に説明する。
【0052】実施の形態1.図1はこの発明の実施の形
態1に係る有機薄膜EL表示装置におけるマトリックス
駆動の等価回路を示す図である。
【0053】図において、有機薄膜EL素子EL(X
i,Yl)は、前記図20に示す従来例と同様に複数の単
位電極からなるストライプ状の走査電極Y1〜Ym及びデ
ータ電極X1〜Xn(第1及び第2のストライプ電極)に
よりマトリックス状に挟持されている発光素子である。
【0054】各走査電極Y1〜Ym(第1の単位電極)
は、有機薄膜EL素子の陰極と各走査電極Y1〜Ym毎に
走査線選択信号を水平同期信号毎に順次シフトしていく
シフトレジスタ11(1)〜11(m)とノーマリオフのMO
SFET12(1)〜12(m)を有する走査電極選択切替部
13に接続する。
【0055】ADコンバータ(ADC)14は、入力さ
れた映像信号をaビットのディジタルデータに変換す
る。aビットシフトレジスタ15(1)〜15(n)は、aビ
ットラインメモリ16を構成し、ADC14の出力デー
タをその動作クロックCLK(DOT)毎に順次シフトし、
走査線1本分のディジタルデータを保持する。
【0056】PWM(pulse width modulation)変換器
17(1)〜17(n)は、aビットシフトレジスタ15(1)
〜15(n)の出力データに対応したパルス幅を出力す
る。
【0057】電流源18(1)〜18(n)は、PWM変換器
17(1)〜17(n)の出力パルスで制御され、一定の電流
を出力する。PWM変換器17の構成については図3で
後述する。
【0058】各データ電極X1〜Xn(第2の単位電極)
は、有機薄膜EL素子の陽極と駆動電圧VCCの電圧源
19に接続された上記電流源18(1)〜(n)に接続する。
【0059】図2は上記有機薄膜EL表示装置の走査電
極Ylを選択して走査電極Yl上の有機薄膜EL素子EL
(X1〜Xn)全てに電流値Iが流れている場合の配線抵
抗による電圧降下を示した図である。
【0060】図2に示すように、データ電極X1〜Xnに
流れる電流は、有機薄膜EL素子1画素分の電流(電流
値I)で、データ電極の配線抵抗Rx(=△Rx*l)に
よる電圧降下VRxは、図2に示すとおりVRx=△Rx
*l*Iとなり、その最大値はVRxmax=△Rx*m*
Iである。
【0061】一方、走査電極Ylに流れる電流は、走査
電極上で順に加算されるので、画素間の配線抵抗△Ry
に対して流れる電流が図2の左から順に電流値Iずつ増
えていく。
【0062】したがって、走査電極Yl上の有機薄膜E
L素子EL(X1〜Xn,Yl)を同時に駆動した場合、
走査電極Ylの配線抵抗により発生する電圧VRyは、画
素間の配線抵抗△Ryと各画素間を流れる電流の積の総
和となり、その最大値は図2に示すとおりVRymax=△
Ry*(n−1)*n/2*Iとなる。
【0063】以上のように、走査電極には各有機薄膜E
L素子の電流が共通に流れるが、データ電極には1画素
分の有機薄膜EL素子の電流しか流れない。配線抵抗に
よる電圧降下(VRxmax+VRymax)は、表示装置のア
スペクト比(縦の画素数:横の画素数)をα(=m/
n)とすると、配線抵抗による電圧降下(VRxmax+V
Rymax)は、式(1)で示される。
【0064】 (VRxmax+VRymax)=(△Rx*m*I)+ {△Ry*(n−1)*n/2*I} ={α*△Rx+(n−1)/2*△Ry}*n*I …(1) 一般的にアスペクト比αは9/16、3/4、1/1の
値であり、映像表示装置の場合、横の画素数nは最低で
も200以上必要であるから、上記式(1)において走
査電極の配線抵抗△Ryの係数(n−1)/2の方がデ
ータ電極の配線抵抗△Rxの係数αより大きな値とな
る。
【0065】このように、X−Yマトリックス型有機E
L表示装置の配線電極の抵抗値と当該配線電極に流れる
電流に注目し、配線抵抗による電圧降下が低くなるよう
にデータ電極と走査電極を配設する。
【0066】すなわち、有機薄膜EL表示装置におい
て、配線抵抗による電圧降下を低く抑えるためには、高
抵抗側電極をデータ電極用配線に低抵抗側電極を走査電
極用配線に配設する必要があり、上述のように本実施の
形態では、高抵抗側電極である透明電極をデータ電極用
配線に、低抵抗側電極である金属電極を走査電極用配線
に配設して、配線抵抗による電圧降下を低く抑えること
が可能である。
【0067】図3上記PWM変換器17の構成を示す回
路図である。
【0068】図において、101〜103はフリップフ
ロップ、104はラッチ、105はカウンタ、106,
107はANDゲート、108はインバータである。
【0069】上記フリップフロップ101,102及び
ANDゲート106は、水平同期信号HDの立ち下がり
のタイミングを検出する回路であり、またカウンタ10
5はaビットシフトレジスタ15(i)の出力データを保
持するものである。
【0070】以下、上述のように構成された有機薄膜E
L表示装置の駆動方法について説明する。
【0071】図4は、前記図1の走査線選択切替部13
のシフトレジスタ11(1)〜(n)の動作波形を示した波形
図である。
【0072】本実施の形態では、全ての走査電極Y1〜
Ymから1本の走査電極を選択する場合の例であるの
で、走査線選択信号は0番目の水平同期区間のみHレベ
ルとなる信号である。走査線選択信号は、シフトレジス
タ11(1)に入力され、その出力信号は1番目の水平同
期信号HDの立ち上がりのタイミングでHレベルに変化
し、2番目の水平同期信号の立ち上がりのタイミングで
Lレベルに変化する。すなわち、シフトレジスタ11
(1)の出力信号は、1番目の水平同期信号区間のみHレ
ベルとなり、走査線選択信号を1水平同期時間だけシフ
トし、次のシフトレジスタ11(2)に入力する。シフト
レジスタ11(2)〜(n)においても同様にして、走査線選
択信号を1水平同期時間だけ順次シフトするので、l番
目の水平同期区間の時だけl番目のシフトレジスタ11
(l)の出力がHレベルになる。
【0073】各シフトレジスタ11(1)〜11(n)の出力
は、MOSFET12(1)〜12(m)のゲート端子に接続
されているので、シフトレジスタの出力信号がHレベル
の時、走査電極はアースに接続される。すなわち、走査
線選択切替部13により走査電極Y1〜Ymが順次選択切
替され、アースに接続される。
【0074】また、前記図1に示すように、映像信号は
ADC14に入力され、ADC14によりaビットのデ
ィジタルデータに変換され、その出力ディジタルデータ
を、aビットシフトレジスタ15(n)に入力する。
【0075】図5は上記aビットシフトレジスタ15
(1)〜(n)の動作を示すタイミングチャートである。
【0076】図に示すように、aビットシフトレジスタ
15(n)は、ADC14の出力データを動作クロックC
LK(DOT)の1周期時間分遅延させ、動作クロックCL
K(DOT)の1周期時間前のADC14の出力データを出
力する。また、その出力データを次のaビットシフトレ
ジスタ15(n-1)とPWM変換器17(n)に入力する。
【0077】次のaビットシフトレジスタ15(n-1)
は、aビットシフトレジスタ15(n)の出力データを動
作クロックCLK(DOT)の1周期時間分さらに遅延さ
せ、動作クロックCLK(DOT)の2周期時間前のADC
14の出力データを出力し、その出力データは次のaビ
ットシフトレジスタ15(n-2)とPWM変換器16(n-1)
に入力する。
【0078】このようにして、aビットシフトレジスタ
15(n)〜(1)は、ADC14の出力データを動作クロッ
クCLK(DOT)の1周期時間分ずつ順次遅延させ、最後
のaビットシフトレジスタ15(1)は、動作クロックC
LK(DOT)のn周期時間前のADC14の出力データを
出力し、その出力データをPWM変換器16(1)に入力
する。
【0079】図6は上記PWM変換器17(1)〜(n)の動
作を示すタイミングチャートである。
【0080】図3及び図6において、PWM変換器17
(i)は、水平同期信号HDの立ち上がりのタイミングで
aビットシフトレジスタ15(i)の出力データ、すなわ
ち水平同期信号のHDの立ち下がりのタイミングから動
作クロックCLK(DOT)の(n+1)周期時間前のAD
C14の出力データiを内部で保持する。PWM変換器
(i)は、PWM変換用クロックCLK(PWM)の1周期と保
持データの積である時間のパルス幅を出力する。
【0081】前記図1に戻って、電流源18(1)〜(n)
は、一方の端子を駆動電圧VCCの電圧源19に、他方
の端子をデータ電極X1〜Xnを介して有機薄膜EL素子
に接続し、PWM変換器17(1)〜(n)の出力信号により
その信号のパルス幅の時間だけ一定の電流(電流値I)
が出力されるように制御される。
【0082】以下この動作をより詳細に説明するが、説
明の簡略化のために、まず、電流源18(1)〜(n)のうち
1つの電流源18(i)が動作している場合について述べ
る。
【0083】図7は、電流源18(i)から供給された電
流が、データ電極Xiを介して有機薄膜EL素子EL
(Xi,Yl)に流れ、走査線選択切替部13により選
択切替された走査電極Ylを介してアースに流れる電流
の経路を示した図である。
【0084】有機薄膜EL素子EL(Xi,Yl)の発光
量は、この電流値Iで制御することができる。この時、
電流源18(i)が正しく電流値Iを出力するために必要
な動作電圧は、電流源18(i)が理想電流源であれば0
であるが、実際には図8に示すようなカレントミラー回
路によって電流源が構成されるため、トランジスタのエ
ミッタ−コレクタ間電圧Vceとエミッタ抵抗による電圧
VEの和以上の動作電圧VICC(≧Vce+VE)が必要と
される。
【0085】また、電流値Iの電流が、データ電極X
i、有機薄膜EL素子EL(Xi,Yl)、走査電極Yl、
走査線選択切替部13のMOSFET12(i)に流れる
ことで発生する電圧をそれぞれ次の電圧とする。すなわ
ち、有機薄膜EL素子EL(Xi,Yl)の陽極2と陰
極4間に発生する電圧をVEL、データ電極Xiの配線抵
抗Rxによる電圧をVRx(=△Rx*I)、走査電極Yl
の配線抵抗による電圧をVRy(=△Ry*I)、走査線
選択切替部13のMOSFET12(i)のドレイン端子
−ソース端子間の飽和電圧をVswとする。
【0086】ここで、有機薄膜EL素子の電圧VELは、
例えば図9〜図11に示すような有機薄膜EL素子の電
流−発光輝度特性及び電流−電圧特性から決まる電圧で
ある。なお、図9〜図11は、月刊ディスプレイ 96
年7月号 44頁の図8、図9に示されている特性図を
定性的に表したものである。
【0087】図12は、有機薄膜EL素子の電圧を図9
〜図11のような特性から決定される過程を説明するた
めに、さらに上記電流経路のうち駆動電圧VCCの電圧
源19、電流源18(i)、有機薄膜EL素子EL(Xi,
Yl)部分だけを抜き出し簡略化した図である。
【0088】図において、電流源18(i)は説明の簡略
化のため理想電流源とする。図9のように、駆動電圧V
CCが電流−電圧特性から求められる電流値Iの時のE
L電圧VEL(I)より高い場合、すなわちVCC≧VEL
(I)の時、有機薄膜EL素子は電流源18(i)による定
電流駆動状態となる。このとき、有機薄膜EL素子の電
圧は、VEL(I)で、電流源18(i)の電圧VICCは駆動電
圧との差、すなわちVICC=VCC−VEL(I)である。
【0089】一方、図10のように、駆動電圧VCCが
電流−電圧特性から求められる電流値Iの時のEL電圧
VEL(I)より低い場合、すなわちVCC≦VEL(I)の
時、有機薄膜EL素子は電圧源19による定電圧駆動状
態となる。このとき、電流は電流源18(i)の電流値I
より低い、駆動電圧VCC時の電流I(VCC)(<I)
しか流れない。
【0090】以上のように、有機薄膜EL素子の発光輝
度を制御するために定電流駆動するためには、電流値I
の時のEL電圧VEL(I)以上の電圧で駆動することが必
要である。また、実際の電流経路を考えた場合、駆動電
圧VCCからデータ電極Xi、走査電極Ylの配線抵抗に
よる電圧VRx、VRyと、電流源18(i)が動作するた
めに必要な電圧VICC及び走査線選択切替部13のMO
SFET12(i)のドレイン端子−ソース端子間の飽和
電圧Vswを考慮する必要がある。
【0091】したがって、有機薄膜EL素子の発光輝度
を制御するために定電流駆動する場合には、駆動電圧V
CCから上記の電流経路での電圧降下の和を差し引いた
電圧が電流値I時のEL電圧VEL(I)以上、すなわち
(VCC−VRx−VRy−Vsw)≧VEL(I)であること
が必要である。
【0092】データ電極Xi、走査電極Ylの配線抵抗に
よる電圧VRx、VRyは、配線長が最も長くなる有機薄
膜EL素子EL(X1、Ym)を選択した場合が最大で、
その電圧はそれぞれ、VRxmax=△Rx*m、VRymax=
△Ry*nである。
【0093】以上、電流源18(1)〜(n)のうち1つの電
流源18(i)が動作している場合について説明したが、
実際には、前記図2のように全ての電流源18(1)〜(n)
が同時に動作している場合について考える必要がある。
【0094】前述のとおり、電流源18(1)〜(n)からの
電流は走査電極Yl上で順に加算されていくので、画素
間の配線抵抗△Ryに対して流れる電流が図2の左から
順に電流値Iずつ増えていく。したがって、走査電極Y
l上の有機薄膜EL素子EL(X1〜Xn,Yl)を同時に
駆動した場合、走査電極Ylの配線抵抗により発生する
電圧の最大値VRymaxは、画素間の配線抵抗△Ryと各
画素間を流れる電流の積の総和となるので、図2に示す
ようにVRymax=△Ry*(n−1)*n/2*Iであ
る。
【0095】ここで、電圧源19の駆動電圧VCCが、
上記電圧(VRx、VRyについては最大値)の総和以下
の場合、すなわちVCC≦(VICC+VRxmax+VEL
(I)+VRymax+Vsw)となる場合は、画素の位置によ
っては配線抵抗値の違いにより電流源18(i)が定電流
動作するために必要な駆動電圧に達せず、電圧源19に
よる定電圧駆動状態となる画素が発生する。その結果、
画面の位置により有機薄膜EL素子EL(Xi、Yl)に
流れる電流値がバラつくことになるので、その発光輝度
がばらつき、有機薄膜EL表示装置の画面内の輝度ばら
つきが発生する。
【0096】しかし、本実施の形態では、電圧源19の
駆動電圧VCCを上記電圧(VRx、VRyについては最
大値)の総和以上、すなわちVCC≧(VICC+VRxma
x+VEL(I)+VRymax+Vsw)となる特定の電圧に設
定するようにしているので、画素の位置により配線抵抗
値に違いがあっても常に電流源18(i)により定電流駆
動され、有機薄膜EL素子EL(Xi、Yl)の発光輝度
を電流源(i)の電流値で制御することが可能である。し
たがって、画面の位置によらず有機薄膜EL素子EL
(Xi、Yl)の発光輝度のばらつきが発生することな
く、有機薄膜EL表示装置の画面内で輝度ばらつきを生
じることがない。
【0097】さらに、上記の条件下で定電流動作してい
る電流源18(i)の出力を、PWM変換器17(i)の出力
パルスで制御すると、その出力電流は図7に示すように
電流値が一定でPWM変換器17(i)の出力パルス幅と
同じパルス幅のパルス電流となる。電流源18(i)から
出力されたパルス電流は、図7に示すようにデータ電極
の配線抵抗Rx、有機薄膜EL素子EL(Xi、Yl)、
走査電極の配線抵抗Ry、MOSFET12(l)と一本の
電流経路で流れている。
【0098】従来例では、表示輝度をパルス幅で制御す
るためのパルス電圧波形が配線抵抗と有機薄膜EL素子
の時定数により波形なまりが発生していたが、本実施の
形態では配線抵抗があっても電流源18(i)が定電流動
作しているので有機薄膜EL素子(Xi、Yl)に流れる
電流は電流源18(i)から出力されるパルス電流と同じ
波形になる。つまり、電流源18(i)の出力は図7に示
すように一本の電流経路で流れ、さらに電流源18(i)
が定電流動作をしており、出力波形はなまることがない
ので、有機薄膜EL素子の発光輝度階調をPWM変換器
17(i)の出力パルス幅で制御することが可能となる。
【0099】以上のように、一方の端子を駆動電圧VC
Cの電圧源に19に接続された電流源18(1)〜(n)をX
−Yマトリックス型有機薄膜EL表示装置のデータ電極
X1〜Xnに接続し、その出力電流を選択している走査電
極上の画素の輝度階調に対応したパルス幅のパルス電流
として、さらに駆動電圧VCCが電流源18(1)〜(n)が
必ず定電流動作するような特定の電圧以上になるように
X−Yマトリックス型有機薄膜EL表示装置を駆動する
と、画素の位置によるばらつきなく表示画像の輝度階調
を表示することができる。
【0100】以上説明したように、実施の形態1に係る
有機薄膜EL表示装置は、X−Yマトリックス型有機E
L表示装置の配線電極の抵抗値と当該配線電極に流れる
電流に注目し、データ電極を低抵抗側配線に、走査電極
を高抵抗側配線に配設するように構成したので、配線抵
抗による電圧降下を低く抑えることができる。また、X
−Yマトリックス型有機EL表示装置を、駆動電圧VC
Cの電圧源に接続された電流源で駆動する駆動方法と
し、この時の駆動電圧VCCを画素の位置による配線抵
抗のばらつきがあっても電流源が必ず定電流動作する条
件を満足する特定の電圧以上としたため、画素の位置に
よる表示輝度がばらつくことを抑制することができる。
【0101】実施の形態2.図13はこの発明の実施の
形態2に係る有機薄膜EL表示装置におけるマトリック
ス駆動の等価回路を示す図である。第2の実施の形態で
は、図1に示す第1の実施の形態のPWM変換器17
(1)〜(n)がDA変換器20(1)〜(n)に変更され、DA変
換器20(1)〜(n)はaビットシフトレジスタ15(1)〜
(n)の出力データに相当する電圧を出力し、電流源18
(1)〜(n)はDA変換器20(1)〜(n)の出力電圧に比例し
た一定値の電流を出力する。それ以外の各部の構成及び
動作は、第1の実施の形態と同じであり重複部分の説明
を省略する。
【0102】以上の構成において、電流源18(1)〜(n)
が定電流動作をするための条件は、第1の実施の形態と
同じく電圧源19の駆動電圧VCCをVCC≧(VICC
+VRxmax+VEL(I)+VRymax+Vsw)となる特定の
電圧に設定することである。この条件下では第1の実施
の形態と同じく画素の位置により配線抵抗値に違いがあ
っても常に電流源18(1)〜(n)により定電流駆動される
ので、有機薄膜EL素子EL(X1〜Xn、Yl)の発光
輝度を電流源18(1)〜(n)の各電流値で制御することが
可能である。
【0103】したがって、第2の実施の形態の方法によ
ってX−Yマトリックス型の有機薄膜EL表示装置を駆
動しても、画素の位置によるばらつきなく表示画像の輝
度階調を表示することができる。
【0104】以上説明したように、実施の形態2に係る
有機薄膜EL表示装置は、X−Yマトリックス型有機E
L表示装置を、駆動電圧VCCの電圧源に接続された電
流源で駆動する駆動方法とし、この時の駆動電圧VCC
を画素の位置による配線抵抗のばらつきがあっても電流
源が必ず定電流動作する条件を満足する特定の電圧以上
として、この定電流動作する電流源の動作をパルス幅で
動作を制御する、あるいは定電流動作の電流値を変化さ
せて輝度階調を制御するように駆動したため、正確な階
調表示及び高階調化が可能となる。
【0105】上述した実施の形態1及び実施の形態2で
は、電流源18(1)〜(n)の駆動電圧VCCを電流源18
(1)〜(n)が定電流動作する特定の一定電圧としている
が、電圧源19は電圧値を可変できる可変電圧源を用い
てもよくこの例を実施の形態3で説明する。
【0106】実施の形態3.図14はこの発明の実施の
形態3に係る有機薄膜EL表示装置におけるマトリック
ス駆動の等価回路を示す図である。なお、実施の形態3
である有機薄膜EL表示装置の説明にあたり前記図1に
示す有機薄膜EL表示装置と同一構成部分には同一符号
を付して重複部分の説明を省略する。
【0107】図において、電流源18(1)〜(n)に駆動電
圧VCCを供給する電圧源を、電圧値を可変できる可変
電圧源19’に変更し、さらにこの可変電圧源19’を
制御する必要駆動電圧計算手段21が設置された構成と
なっている。
【0108】上記可変電圧源19’及び必要駆動電圧計
算手段21は、全体として走査電極毎に駆動電圧VCC
を調整する調整手段を構成する。
【0109】電流源18(1)〜(n)が定電流動作するため
の駆動電圧VCCの条件は、前述のとおり選択している
走査電極までのデータ電極の配線抵抗や、表示している
画像の最大輝度すなわち電流源18(1)〜(n)の電流値で
決定され、第1及び第2の実施の形態では、駆動電圧V
CCをその最大値以上の特定の電圧としていたので、配
線抵抗による電圧降下が低い場合は配線抵抗による電圧
降下の最大値との電圧差が電流源18(1)〜(n)の電圧と
なり、電流源18(1)〜(n)でその電力を損失していた。
【0110】しかし、図14に示すように、電圧源1
9’を可変電圧源として、走査電極毎に選択している走
査電極までのデータ電極による配線抵抗や、電流源18
(1)〜(n)の電流値から必要駆動電圧計算手段21により
可変電圧源19’を制御して、電流源18(1)〜(n)が定
電流動作するために必要な駆動電圧VCCとなるように
すれば、電流源18(1)〜(n)での電力損失を低く抑える
ことが可能となる。
【0111】ところで、各走査電極の駆動電圧VCC
は、VICC+VRx+VEL+VRy+Vsw<VCCとなれ
ばよい。ここで、VRx=△Rx*l*Iとなり、選択さ
れる走査電極の位置によりlが変化し、さらに選択され
た走査電極上にあるそれぞれの画素の輝度により走査電
極を流れる電流の合計も変化するので、これらの変化に
合わせて各走査電極ごとに適した駆動電圧VCCを求め
ることができる。
【0112】なお、図14では、実施の形態1の電圧源
19を可変電圧源19’に変更した例を示しているが、
実施の形態2において電圧源19を可変電圧源19’に
変更しても同様な効果を得ることができるのは明らかで
ある。
【0113】以上説明したように、実施の形態3に係る
有機薄膜EL表示装置は、X−Yマトリックス型有機E
L表示装置を、駆動電圧VCCの電圧源に接続された電
流源で駆動する駆動方法とし、この時の駆動電圧VCC
を画素の位置による配線抵抗のばらつきがあっても電流
源が必ず定電流動作する条件を満足する特定の電圧以上
とするとともに、駆動電圧VCCの電圧を調整する調整
手段を設けて、走査電極毎に駆動電圧VCCを画素の位
置による配線抵抗のばらつきを補正した異なる電圧値と
したため、配線抵抗による電圧降下が小さい画素を駆動
するときに発生する電流源などの駆動回路で発生する損
失を低く抑えることができる。
【0114】実施の形態4.図15はこの発明の実施の
形態4に係る有機薄膜EL表示装置におけるマトリック
ス駆動の等価回路を示す図である。なお、実施の形態4
である有機薄膜EL表示装置の説明にあたり前記図14
に示す有機薄膜EL表示装置と同一構成部分には同一符
号を付して重複部分の説明を省略する。
【0115】図において、可変電流源18’(1)〜(n)、
可変電流源18’(1)〜(n)の両端の電圧を測定する電圧
測定手段22(モニタ手段)、測定済みの有機薄膜EL
素子の特性変化データ(後述する図16及び図17に示
すようなデータ)を格納する特性テーブル23、特性テ
ーブル23に格納された特性変化データに基づいて駆動
電流を補正する駆動電流補正手段24、及び特性テーブ
ル23に格納された特性変化データに基づいて駆動電圧
を補正する駆動電圧補正手段25が設置された構成とな
っている。
【0116】上記特性テーブル23、駆動電流補正手段
24及び駆動電圧補正手段25は、全体として輝度特性
や色バランスなどの表示特性の変化を調整する補正手段
を構成する。
【0117】すなわち、実施の形態4では、電圧測定手
段22で可変電流源18’(1)〜(n)の両端の電圧を測定
し、その電圧の経時変化から電圧−電流(V−I)特性
の経時変化を測定する電圧測定手段22を設け、すでに
測定済みの有機薄膜EL素子の特性テーブル23から特
性変化データを読み出して、読み出した特性変化データ
を駆動電流補正手段24及び駆動電圧補正手段25によ
り補正し、この補正信号で、それぞれ可変電流源19’
(1)〜(n)と可変電圧源19’を制御して、有機薄膜EL
素子の発光輝度を補正することが可能である。
【0118】上記補正信号の算出方法は、以下のような
ものである。
【0119】図16及び図17は、『有機EL素子の開
発戦略』(サイエンスフォーラム社1992年刊)の8
5頁、86頁に示されている有機薄膜EL素子の特性変
化を定性的に表した図であり、図16はその電流−電圧
特性の経時変化を示す図、図17はその電流−輝度特性
の経時変化を示す図である。
【0120】図16及び図17に示すように、有機薄膜
EL素子は通電時間経過に伴い、駆動電流が一定電流I
の時有機薄膜EL素子の電圧VEL(I)が高くなり、また
発光輝度L(I)が低くなる傾向がある。
【0121】図15に戻って、第1の実施の形態と同じ
く、一定電流値を出力している可変電流源18’(1)〜
(n)が定電流動作するような駆動電圧VCCで有機薄膜
EL表示装置を駆動している場合、有機薄膜EL素子の
電圧変化△VELは、電流源動作であるから図16に示す
ように可変電流源18’(i)の両端の電圧変化△VICCで
測定することができる。
【0122】この有機薄膜EL素子の電圧変化△VELと
すでに測定済みの有機薄膜EL素子の経時変化特性テー
ブル23から、例えば図18に示す有機薄膜EL素子の
経時変化補正フローチャートに従い、駆動電流補正24
で可変電流源18’(1)〜(n)の電流値が大きくなるよう
に制御して、有機薄膜EL素子の発光輝度の低下を補正
することが可能となる。
【0123】図18は有機薄膜EL素子の経時変化補正
フローチャートであり、図18の左辺はフローの各ステ
ップSTを示し、図18の右辺は該当ステップSTの詳
細処理を示す。
【0124】まず、ステップST1で初期駆動電流Iと
初期輝度Lを設定し、電圧−電流特性の経時変化データ
テーブル(ステップST3)及び電圧−輝度流特性の経
時変化データテーブル(ステップST4)に出力する。
また、ステップST2では、有機薄膜EL素子の電圧変
化△VEL(可変電流源18’(i)の両端の電圧変化△VI
CC)を測定し、電圧−電流特性の経時変化データテーブ
ル(ステップST3)に出力する。
【0125】ステップST3で、通電経過時間による電
圧−電流特性を示す電圧−電流特性の経時変化データテ
ーブルを用いて、電圧−電流特性の経時変化データと有
機薄膜EL素子の初期駆動電流と電圧変化△VELから通
電経過時間tを求め、ステップST4で、電流−輝度特
性の経時変化データと通電経過時間tから輝度変化△L
を求め、輝度変化を補正するための必要補正電流△Iを
算出する。
【0126】ステップST5で、電圧−電流特性の経時
変化データ、輝度変化を補正するための必要補正電流△
I及び通電経過時間tから有機薄膜EL素子の電圧VE
L’を算出し、ステップST6で駆動電流補正制御を行
う。この駆動電流補正制御は、可変電流源18’(i)の
補正出力電流I’が初期電流Iと輝度変化を補正するた
めの必要補正電流△Iの和I+△Iとなるように可変電
流源18’(i)を制御する(ステップST8)。
【0127】ステップST7で、輝度補正後の有機薄膜
EL素子の電圧VEL’と駆動電流補正制御出力から可変
電流源18’(i)が電流源動作するために必要な駆動電
圧VCC’を算出し、可変電圧源18’を制御する(ス
テップST9)。
【0128】上述したように、可変電流源18’(1)〜
(n)の電流値補正及び有機薄膜EL素子の電圧変化すな
わち電流値増加に対しても、常に電流源動作するように
駆動電圧VCCについても補正する必要があり、同様に
して測定済みの有機薄膜EL素子の経時変化特性テーブ
ル23から、駆動電圧補正25で可変電圧源19’を制
御する。
【0129】また、実施の形態4に対して実施の形態3
のように走査電極毎に、駆動電圧VCCを最適値とする
ことで、有機薄膜EL表示装置の通電経時変化に対して
補正を行いかつ電力損失を抑えることが可能となる。
【0130】また、経時変化に伴って、補正を行うが、
この補正は、装置のON,OFFの回数によって行った
り、装置の使用時間(トータルの使用時間)に応じて行
う、あるいは常に行うようにすることができる。
【0131】以上説明したように、実施の形態4に係る
有機薄膜EL表示装置は、X−Yマトリックス型有機E
L表示装置を、駆動電圧VCCの電圧源に接続された電
流源で駆動する駆動方法とし、この時の駆動電圧VCC
を画素の位置による配線抵抗のばらつきがあっても電流
源が必ず定電流動作する条件を満足する特定の電圧以上
とするとともに、表示装置内の発光素子の電圧−電流
(V−I)特性をモニタするモニタ手段を設け、該モニ
タ手段からの情報を基に定電流動作の電流源の電流値を
制御するようにしたので、発光素子の発光特性の変化を
補正することができる。
【0132】なお、上記各実施の形態は、駆動電圧VC
Cの電圧源に接続された電流源で駆動するX−Yマトリ
ックス型有機薄膜EL表示装置及び駆動方法に適用して
いるが、有機薄膜EL表示素子を備えた装置及びその駆
動方法であれば、どのような電極構造や駆動方法のもの
にも適用可能であることは言うまでもない。
【0133】また、上記有機薄膜EL表示装置を構成す
る例えば有機物からなる発光層や、発光層を有する表示
装置の種類、電極の接続状態などは前述した実施の形態
に限られないことは勿論である。
【0134】
【発明の効果】請求項1記載の有機薄膜EL表示装置に
よれば、高抵抗側電極をデータ電極用配線に、低抵抗側
電極を走査電極用配線に配設して、配線抵抗による電圧
降下を低く抑えるように構成したので、配線抵抗による
電圧降下を低く抑えることができる。
【0135】請求項2に記載の有機薄膜EL表示装置に
よれば、駆動電圧VCCの電圧源に接続された電流源で
駆動するとともに、駆動電圧VCCを、画素の位置によ
る配線抵抗のばらつきがあっても電流源が必ず定電流動
作する条件を満たす特定の電圧以上として構成したの
で、画素の位置により表示輝度のばらつきを抑制するこ
とができる。
【0136】請求項3に記載の有機薄膜EL表示装置に
よれば、駆動電圧VCCの電圧源に接続された電流源で
駆動するとともに、駆動電圧VCCを、画素の位置によ
る表示輝度のばらつきが抑制可能な特定の電圧以上とし
て構成したので、画素の位置により表示輝度のばらつき
を抑制することができる。
【0137】請求項4に記載の有機薄膜EL表示装置に
よれば、駆動電圧VCCの電圧源に接続された電流源で
駆動するとともに、電流源の定電流出力を画素の階調に
対応したパルス幅で制御して、画素の階調制御を行うよ
うに構成したので、正確な階調表示ができ、高階調化が
可能となる効果を得ることができる。
【0138】請求項5に記載の有機薄膜EL表示装置に
よれば、駆動電圧VCCの電圧源に接続された電流源で
駆動するとともに、電流源の定電流出力を画素の階調に
対応した電流値で制御して、画素の階調制御を行うよう
に構成したので、正確な階調表示ができ、高階調化が可
能となる効果を得ることができる。
【0139】請求項6に記載の有機薄膜EL表示装置に
よれば、駆動電圧VCCの電圧源に接続された電流源で
駆動するとともに、駆動電圧VCCを調整する調整手段
を備え、調整手段により走査電極毎に駆動電圧VCCを
調整し、画素の位置による配線抵抗のばらつきを補正し
た異なる電圧値として駆動回路における電力損失を抑え
るように構成したので、配線抵抗による電圧降下が小さ
い画素を駆動するときに発生する電流源などの駆動回路
で発生する損失を低く抑えることができる。
【0140】請求項7に記載の有機薄膜EL表示装置に
よれば、発光素子の電圧−電流特性をモニタする手段を
備え、モニタ手段からの情報を基に電流源の定電流値を
制御し、該発光素子の発光特性の変化を補正するように
構成したので、発光素子の発光特性の変化を補正するこ
とができる。
【0141】請求項8に記載の有機薄膜EL表示装置に
よれば、発光素子の電圧−電流特性をモニタする手段を
備え、モニタ手段からの情報を基に電流源の電流値を制
御する電流値制御を変え、該変更後の電流値制御により
該発光素子の発光特性の変化を補正するように構成した
ので、発光素子の発光特性の変化を補正することができ
る。
【0142】請求項9に記載の有機薄膜EL表示装置に
よれば、発光素子の発光特性の変化を補正する補正手段
を備え、補正手段により輝度特性や色バランスなどの表
示特性の変化を調整するように構成したので、発光素子
の発光特性の変化を補正することができる。
【0143】請求項10に記載の有機薄膜EL表示装置
によれば、発光素子の発光特性の変化を補正する補正手
段を備え、補正手段により輝度特性や色バランスなどの
表示特性の変化を調整して駆動回路における電力損失を
抑えるように構成したので、発光素子の発光特性の変化
を補正することができ、駆動回路における電力損失を抑
えることができる。
【0144】請求項11に記載の有機薄膜EL表示装置
の駆動方法によれば、駆動電圧VCCを、画素の位置に
よる配線抵抗のばらつきがあっても電流源が必ず定電流
動作する条件を満足する特定の電圧以上としているの
で、画素の位置により表示輝度のばらつきを抑制するこ
とができる。
【0145】請求項12に記載の有機薄膜EL表示装置
の駆動方法によれば、駆動電圧VCCを、画素の位置に
よる表示輝度のばらつきが抑制可能な特定の電圧以上と
したので、画素の位置によって表示輝度がばらつくこと
を抑制することができる。
【0146】請求項13に記載の有機薄膜EL表示装置
の駆動方法によれば、電流源の定電流出力を画素の階調
に対応したパルス幅で制御して、画素の階調制御を行う
ようにしたので、正確な階調表示ができ、高階調化が可
能となる。
【0147】請求項14に記載の有機薄膜EL表示装置
の駆動方法によれば、電流源の定電流出力を画素の階調
に対応した電流値で制御して、画素の階調制御を行うよ
うにしたので、正確な階調表示ができ、高階調化が可能
となる。
【0148】請求項15に記載の有機薄膜EL表示装置
の駆動方法によれば、駆動電圧VCCを調整する調整手
段を備え、調整手段により走査電極毎に駆動電圧VCC
を調整し、画素の位置による配線抵抗のばらつきを補正
した異なる電圧値として駆動回路における電力損失を抑
えるようにしたので、配線抵抗による電圧降下が小さい
画素を駆動するときに発生する電流源などの駆動回路で
発生する損失を低く抑えることができる。
【0149】請求項16に記載の有機薄膜EL表示装置
の駆動方法によれば、発光素子の電圧−電流特性をモニ
タする手段を備え、モニタ手段からの情報を基に電流源
の定電流値を制御し、該発光素子の発光特性の変化を補
正するようにしたので、発光素子の発光特性の変化を補
正することができる。
【0150】請求項17に記載の有機薄膜EL表示装置
の駆動方法によれば、発光素子の電圧−電流特性をモニ
タする手段を備え、モニタ手段からの情報を基に電流源
の電流値を制御する電流値制御を変え、該変更後の電流
値制御により該発光素子の発光特性の変化を補正するよ
うにしたので、発光素子の発光特性の変化を補正するこ
とができる。
【0151】請求項18に記載の有機薄膜EL表示装置
の駆動方法によれば、発光素子の発光特性の変化を補正
する補正手段を備え、補正手段により輝度特性や色バラ
ンスなどの表示特性の変化を調整するようにしたので、
発光素子の発光特性の変化を補正することができる。
【0152】請求項19に記載の有機薄膜EL表示装置
の駆動方法によれば、発光素子の発光特性の変化を補正
する補正手段を備え、補正手段により輝度特性や色バラ
ンスなどの表示特性の変化を調整して駆動回路における
電力損失を抑えるようにしたので、発光素子の発光特性
の変化を補正することができ、駆動回路における電力損
失を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1による有機薄膜EL
表示装置におけるマトリックス駆動の等価回路を示す図
である。
【図2】 この発明の実施の形態1による有機薄膜EL
表示装置の走査電極を選択して走査電極上の有機薄膜E
L素子EL全てに電流値が流れている場合の配線抵抗に
よる電圧降下を示した図である。
【図3】 この発明の実施の形態1による有機薄膜EL
表示装置のPWM変換器の構成を示す回路図である。
【図4】 この発明の実施の形態1による有機薄膜EL
表示装置の走査線選択切替部のシフトレジスタの動作波
形を示す波形図である。
【図5】 この発明の実施の形態1による有機薄膜EL
表示装置のaビットシフトレジスタの動作を説明するた
めのタイミングチャートである。
【図6】 この発明の実施の形態1による有機薄膜EL
表示装置のPWM変換器の動作を説明するためのタイミ
ングチャートである。
【図7】 この発明の実施の形態1による有機薄膜EL
表示装置の有機薄膜EL素子ELに流れる電流の経路を
説明するための図である。
【図8】 この発明の実施の形態1による有機薄膜EL
表示装置の電流源をカレントミラー回路で構成した場合
の例を示す図である。
【図9】 この発明の実施の形態1による有機薄膜EL
表示装置の有機薄膜EL素子の電流−電圧特性を定性的
に示す図である。
【図10】 この発明の実施の形態1による有機薄膜E
L表示装置の有機薄膜EL素子の電流−電圧特性を定性
的に示す図である。
【図11】 この発明の実施の形態1による有機薄膜E
L表示装置の有機薄膜EL素子の電流−発光輝度特性を
定性的に示す図である。
【図12】 この発明の実施の形態1による有機薄膜E
L表示装置の有機薄膜EL素子ELの要部を抽出し簡略
化して示す図である。
【図13】 この発明の実施の形態2による有機薄膜E
L表示装置におけるマトリックス駆動の等価回路を示す
図である。
【図14】 この発明の実施の形態3による有機薄膜E
L表示装置におけるマトリックス駆動の等価回路を示す
図である。
【図15】 この発明の実施の形態4による有機薄膜E
L表示装置におけるマトリックス駆動の等価回路を示す
図である。
【図16】 この発明の実施の形態4による有機薄膜E
L表示装置の有機薄膜EL素子の経時変化特性を定性的
に示す図である。
【図17】 この発明の実施の形態4による有機薄膜E
L表示装置の有機薄膜EL素子の経時変化特性を定性的
に示す図である。
【図18】 この発明の実施の形態4による有機薄膜E
L表示装置の経時変化補正のフローチャートである。
【図19】 従来の有機薄膜EL素子の構成を示す断面
図である。
【図20】 従来の有機薄膜EL素子の陽極と陰極とが
ストライプ状に形成され、かつ互いに交差するように配
置したX−Yマトリックス有機薄膜EL表示装置の構造
を示す図である。
【図21】 従来の有機薄膜EL表示装置におけるマト
リックス駆動の等価回路を示す図である。
【図22】 従来の有機薄膜EL素子の発光時間と輝度
の関係を示す図である。
【図23】 従来の有機薄膜EL表示装置におけるマト
リックス駆動回路の電圧波形を示した図である。
【符号の説明】
11(1)〜11(m) シフトレジスタ、 12(1)〜12
(m) MOSFET、13 走査電極選択切替部、 1
4 ADコンバータ(ADC)、 15(1)〜15(n)
aビットシフトレジスタ15(1)〜15(n)、 16 a
ビットラインメモリ、 17(1)〜17(n) PWM変換
器、 18(1)〜18(n) 電流源、18’ 可変電流
源、 19 電圧源、 19’ 可変電圧源、 20
(1)〜(n)DA変換器、 21 必要駆動電圧計算手段、
22 電圧測定手段、 23特性テーブル、 24
駆動電流補正手段、 25 駆動電圧補正手段、 EL
(Xi,Yl) 有機薄膜EL素子、 Y1〜Ym 走査電
極、 X1〜Xn データ電極、VCC 駆動電圧。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤間 美子 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 中村 芳知 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも有機物からなる発光層を有す
    るX−Yマトリックス型有機薄膜EL表示装置におい
    て、 高抵抗側電極をデータ電極用配線に、低抵抗側電極を走
    査電極用配線に配設して、配線抵抗による電圧降下を低
    く抑えたことを特徴とする有機薄膜EL表示装置。
  2. 【請求項2】 少なくとも有機物からなる発光層を有す
    るX−Yマトリックス型有機薄膜EL表示装置におい
    て、 駆動電圧VCCの電圧源に接続された電流源で駆動する
    とともに、 前記駆動電圧VCCを、画素の位置による配線抵抗のば
    らつきがあっても電流源が必ず定電流動作する条件を満
    たす特定の電圧以上としたことを特徴とする有機薄膜E
    L表示装置。
  3. 【請求項3】 少なくとも有機物からなる発光層を有す
    るX−Yマトリックス型有機薄膜EL表示装置におい
    て、 駆動電圧VCCの電圧源に接続された電流源で駆動する
    とともに、 前記駆動電圧VCCを、画素の位置による表示輝度のば
    らつきが抑制可能な特定の電圧以上としたことを特徴と
    する有機薄膜EL表示装置。
  4. 【請求項4】 少なくとも有機物からなる発光層を有す
    るX−Yマトリックス型有機薄膜EL表示装置におい
    て、 駆動電圧VCCの電圧源に接続された電流源で駆動する
    とともに、 前記電流源の定電流出力を画素の階調に対応したパルス
    幅で制御して、画素の階調制御を行うことを特徴とする
    有機薄膜EL表示装置。
  5. 【請求項5】 少なくとも有機物からなる発光層を有す
    るX−Yマトリックス型有機薄膜EL表示装置におい
    て、 駆動電圧VCCの電圧源に接続された電流源で駆動する
    とともに、 前記電流源の定電流出力を画素の階調に対応した電流値
    で制御して、画素の階調制御を行うことを特徴とする有
    機薄膜EL表示装置。
  6. 【請求項6】 少なくとも有機物からなる発光層を有す
    るX−Yマトリックス型有機薄膜EL表示装置におい
    て、 駆動電圧VCCの電圧源に接続された電流源で駆動する
    とともに、 前記駆動電圧VCCを調整する調整手段を備え、 前記調整手段により走査電極毎に駆動電圧VCCを調整
    し、画素の位置による配線抵抗のばらつきを補正した異
    なる電圧値として駆動回路における電力損失を抑えたこ
    とを特徴とする有機薄膜EL表示装置。
  7. 【請求項7】 発光素子の電圧−電流特性をモニタする
    手段を備え、 前記モニタ手段からの情報を基に電流源の定電流値を制
    御し、該発光素子の発光特性の変化を補正することを特
    徴とした請求項4又は6の何れかに記載の有機薄膜EL
    表示装置。
  8. 【請求項8】 発光素子の電圧−電流特性をモニタする
    手段を備え、 前記モニタ手段からの情報を基に電流源の電流値を制御
    する電流値制御を変え、該変更後の電流値制御により該
    発光素子の発光特性の変化を補正することを特徴とした
    請求項5記載の有機薄膜EL表示装置。
  9. 【請求項9】 前記発光素子の発光特性の変化を補正す
    る補正手段を備え、 前記補正手段により輝度特性や色バランスなどの表示特
    性の変化を調整することを特徴とした請求項7又は8の
    何れかに記載の有機薄膜EL表示装置。
  10. 【請求項10】 前記発光素子の発光特性の変化を補正
    する補正手段を備え、 前記補正手段により輝度特性や色バランスなどの表示特
    性の変化を調整して駆動回路における電力損失を抑えた
    ことを特徴とする請求項7、8又は9の何れかに記載の
    有機薄膜EL表示装置。
  11. 【請求項11】 少なくとも有機物からなる発光層を有
    するX−Yマトリックス型有機薄膜EL表示装置を駆動
    電圧VCCの電圧源に接続された電流源で駆動する有機
    薄膜EL表示装置の駆動方法において、 前記駆動電圧VCCを、画素の位置による配線抵抗のば
    らつきがあっても電流源が必ず定電流動作する条件を満
    足する特定の電圧以上としたことを特徴とする有機薄膜
    EL表示装置の駆動方法。
  12. 【請求項12】 少なくとも有機物からなる発光層を有
    するX−Yマトリックス型有機薄膜EL表示装置を駆動
    電圧VCCの電圧源に接続された電流源で駆動する有機
    薄膜EL表示装置の駆動方法において、 前記駆動電圧VCCを、画素の位置による表示輝度のば
    らつきが抑制可能な特定の電圧以上としたことを特徴と
    する有機薄膜EL表示装置の駆動方法。
  13. 【請求項13】 少なくとも有機物からなる発光層を有
    するX−Yマトリックス型有機薄膜EL表示装置を駆動
    電圧VCCの電圧源に接続された電流源で駆動する有機
    薄膜EL表示装置の駆動方法において、 前記電流源の定電流出力を画素の階調に対応したパルス
    幅で制御して、画素の階調制御を行うことを特徴とする
    有機薄膜EL表示装置の駆動方法。
  14. 【請求項14】 少なくとも有機物からなる発光層を有
    するX−Yマトリックス型有機薄膜EL表示装置を駆動
    電圧VCCの電圧源に接続された電流源で駆動する有機
    薄膜EL表示装置の駆動方法において、 前記電流源の定電流出力を画素の階調に対応した電流値
    で制御して、画素の階調制御を行うことを特徴とする有
    機薄膜EL表示装置の駆動方法。
  15. 【請求項15】 少なくとも有機物からなる発光層を有
    するX−Yマトリックス型有機薄膜EL表示装置を駆動
    電圧VCCの電圧源に接続された電流源で駆動する有機
    薄膜EL表示装置の駆動方法において、 前記駆動電圧VCCを調整する調整手段を備え、 前記調整手段により走査電極毎に駆動電圧VCCを調整
    し、画素の位置による配線抵抗のばらつきを補正した異
    なる電圧値として駆動回路における電力損失を抑えたこ
    とを特徴とする有機薄膜EL表示装置の駆動方法。
  16. 【請求項16】 発光素子の電圧−電流特性をモニタす
    る手段を備え、 前記モニタ手段からの情報を基に電流源の定電流値を制
    御し、該発光素子の発光特性の変化を補正することを特
    徴とした請求項13又は15の何れかに記載の有機薄膜
    EL表示装置の駆動方法。
  17. 【請求項17】 発光素子の電圧−電流特性をモニタす
    る手段を備え、 前記モニタ手段からの情報を基に電流源の電流値を制御
    する電流値制御を変え、該変更後の電流値制御により該
    発光素子の発光特性の変化を補正することを特徴とした
    請求項14記載の有機薄膜EL表示装置の駆動方法。
  18. 【請求項18】 前記発光素子の発光特性の変化を補正
    する補正手段を備え、 前記補正手段により輝度特性や色バランスなどの表示特
    性の変化を調整することを特徴とした請求項16又は1
    7の何れかに記載の有機薄膜EL表示装置の駆動方法。
  19. 【請求項19】 前記発光素子の発光特性の変化を補正
    する補正手段を備え、 前記補正手段により輝度特性や色バランスなどの表示特
    性の変化を調整して駆動回路における電力損失を抑えた
    ことを特徴とする請求項16、17又は18の何れかに
    記載の有機薄膜EL表示装置の駆動方法。
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Cited By (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000122608A (ja) * 1998-10-13 2000-04-28 Seiko Epson Corp 表示装置及び電子機器
JP2000242232A (ja) * 1999-02-19 2000-09-08 Tdk Corp 表示装置
JP2001056670A (ja) * 1999-08-17 2001-02-27 Seiko Instruments Inc 自発光表示素子駆動装置
JP2002062845A (ja) * 2000-06-06 2002-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2002091378A (ja) * 2000-09-19 2002-03-27 Tohoku Pioneer Corp 容量性発光表示パネルの駆動方法ならびに装置
KR100354640B1 (ko) * 1999-10-01 2002-09-30 산요 덴키 가부시키가이샤 El 표시 장치
JP2002297098A (ja) * 2001-03-30 2002-10-09 Pioneer Electronic Corp 発光パネルの駆動装置
JP2003503747A (ja) * 1999-06-25 2003-01-28 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 能動マトリクス・エレクトロルミネセンス表示デバイス
JP2003503748A (ja) * 1999-06-25 2003-01-28 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 能動マトリクス・エレクトロルミネセンス表示デバイス
WO2003027999A1 (fr) * 2001-09-26 2003-04-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Afficheur plat
US6545652B1 (en) 1999-07-08 2003-04-08 Nichia Corporation Image display apparatus and its method of operation
EP1310939A2 (en) 2001-09-28 2003-05-14 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. A light emitting device and electronic apparatus using the same
EP1310938A2 (en) 2001-09-28 2003-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. A light emitting device and electronic apparatus using the same
JP2003173162A (ja) * 2001-09-28 2003-06-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の駆動方法
JP2003173164A (ja) * 2001-09-28 2003-06-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の駆動方法
JP2003177714A (ja) * 2001-09-28 2003-06-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
JP2003177713A (ja) * 2001-09-28 2003-06-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
US6586888B2 (en) 2001-03-26 2003-07-01 Rohm Co., Ltd. Organic EL drive circuit and organic EL display device using the same
US6633270B2 (en) 2000-07-28 2003-10-14 Nec Electronics Corporation Display device
JP2004004848A (ja) * 1999-07-08 2004-01-08 Nichia Chem Ind Ltd 表示装置の駆動方法
US6747617B1 (en) 1999-11-18 2004-06-08 Nec Corporation Drive circuit for an organic EL apparatus
US6747417B2 (en) 2002-03-27 2004-06-08 Rohm Co., Ltd. Organic EL element drive circuit and organic EL display device
US6756738B2 (en) 2002-02-12 2004-06-29 Rohm Co., Ltd. Organic EL drive circuit and organic EL display device using the same
JP2004221083A (ja) * 2003-01-14 2004-08-05 Eastman Kodak Co Oledデバイスのエージングを補償する方法
JP2004317531A (ja) * 2003-04-10 2004-11-11 Oki Electric Ind Co Ltd パネル表示装置の駆動方法
JP2005062464A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Sony Corp マトリクス型表示装置およびその駆動方法
KR100512833B1 (ko) * 2001-09-28 2005-09-07 가부시끼가이샤 도시바 자기 발광형 표시 장치
US6946801B2 (en) 2002-04-23 2005-09-20 Rohm Co. Ltd. Organic EL element drive circuit and organic EL display device
JP2005530203A (ja) * 2002-06-18 2005-10-06 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド 定電流源を使用した、エレクトロルミネセントディスプレイ用のディスプレイドライバ回路
WO2005106835A1 (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. 色度調整可能な有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2005536772A (ja) * 2002-08-21 2005-12-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 表示装置
US6972526B2 (en) 2002-05-28 2005-12-06 Rohm Co., Ltd. Organic EL display device and driving circuits
US6995516B2 (en) 2001-06-15 2006-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Drive circuit, display device, and driving method
JP2006039577A (ja) * 2004-07-29 2006-02-09 Magnachip Semiconductor Ltd パッシブマトリクス有機発光ダイオード用出力ドライバ
US7079123B2 (en) 2002-06-26 2006-07-18 Canon Kabushiki Kaisha Driving apparatus, driver circuit, and image display apparatus
US7098905B2 (en) 2002-08-02 2006-08-29 Rohm Co., Ltd. Active matrix type organic EL panel drive circuit and organic EL display device
US7109966B2 (en) 2002-07-12 2006-09-19 Rohm Co., Ltd. Display element drive circuit and display device
US7109953B2 (en) 2002-06-20 2006-09-19 Rohm Co., Ltd. Drive circuit of active matrix type organic EL panel and organic EL display device using the same drive circuit
US7119769B2 (en) 2002-08-13 2006-10-10 Rohm Co., Ltd. Active matrix type organic EL panel drive circuit and organic EL display device
US7126597B2 (en) 2001-07-31 2006-10-24 Canon Kabushiki Kaisha Scanning circuit and image display device
JP2006343763A (ja) * 2001-09-28 2006-12-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置および電子機器
JP2006343762A (ja) * 2001-09-28 2006-12-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
JP3887826B2 (ja) * 1997-03-12 2007-02-28 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
US7187008B2 (en) 2002-05-07 2007-03-06 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Semiconductor driver circuit, display device and method of adjusting brightness balance for display device
JP2007509358A (ja) * 2002-03-14 2007-04-12 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド ディスプレイ・ドライバ回路
CN1311559C (zh) * 2002-06-07 2007-04-18 精工爱普生株式会社 电光装置和电子仪器
CN100351884C (zh) * 2003-07-28 2007-11-28 罗姆股份有限公司 有机电致发光板驱动电路及有机电致发光显示设备
KR100816595B1 (ko) 2005-10-13 2008-03-24 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 표시 장치 및 표시 패널
KR100836542B1 (ko) * 2006-11-28 2008-06-10 후지필름 가부시키가이샤 색도 조정 가능한 유기 일렉트로루미네선스 장치
JP2008165246A (ja) * 2002-04-26 2008-07-17 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd El表示装置の駆動方法
CN100418221C (zh) * 2002-06-07 2008-09-10 精工爱普生株式会社 电光装置和电子仪器
WO2011138914A1 (ja) * 2010-05-07 2011-11-10 コニカミノルタホールディングス株式会社 発光デバイス検査装置、および発光デバイス検査方法
US8289241B2 (en) 2000-06-06 2012-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2013097169A (ja) * 2011-11-01 2013-05-20 Mitsubishi Electric Corp 表示ユニットの駆動装置

Cited By (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3887826B2 (ja) * 1997-03-12 2007-02-28 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
JP2000122608A (ja) * 1998-10-13 2000-04-28 Seiko Epson Corp 表示装置及び電子機器
JP2000242232A (ja) * 1999-02-19 2000-09-08 Tdk Corp 表示装置
JP2003503747A (ja) * 1999-06-25 2003-01-28 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 能動マトリクス・エレクトロルミネセンス表示デバイス
JP2003503748A (ja) * 1999-06-25 2003-01-28 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 能動マトリクス・エレクトロルミネセンス表示デバイス
JP2004004848A (ja) * 1999-07-08 2004-01-08 Nichia Chem Ind Ltd 表示装置の駆動方法
US6847342B2 (en) 1999-07-08 2005-01-25 Nichia Corporation Image display apparatus
US6545652B1 (en) 1999-07-08 2003-04-08 Nichia Corporation Image display apparatus and its method of operation
JP2001056670A (ja) * 1999-08-17 2001-02-27 Seiko Instruments Inc 自発光表示素子駆動装置
KR100354640B1 (ko) * 1999-10-01 2002-09-30 산요 덴키 가부시키가이샤 El 표시 장치
US6747617B1 (en) 1999-11-18 2004-06-08 Nec Corporation Drive circuit for an organic EL apparatus
US8659516B2 (en) 2000-06-06 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8289241B2 (en) 2000-06-06 2012-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2002062845A (ja) * 2000-06-06 2002-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US6633270B2 (en) 2000-07-28 2003-10-14 Nec Electronics Corporation Display device
JP2002091378A (ja) * 2000-09-19 2002-03-27 Tohoku Pioneer Corp 容量性発光表示パネルの駆動方法ならびに装置
KR100507549B1 (ko) * 2001-03-26 2005-08-26 로무 가부시키가이샤 유기 el 구동회로 및 이를 이용한 유기 el 표시장치
US6586888B2 (en) 2001-03-26 2003-07-01 Rohm Co., Ltd. Organic EL drive circuit and organic EL display device using the same
JP2002297098A (ja) * 2001-03-30 2002-10-09 Pioneer Electronic Corp 発光パネルの駆動装置
US6995516B2 (en) 2001-06-15 2006-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Drive circuit, display device, and driving method
US7573472B2 (en) 2001-06-15 2009-08-11 Canon Kabushiki Kaisha Drive circuit, display device, and driving method
US7746338B2 (en) 2001-07-31 2010-06-29 Canon Kabushiki Kaisha Scanning circuit and image display device
US7126597B2 (en) 2001-07-31 2006-10-24 Canon Kabushiki Kaisha Scanning circuit and image display device
US7071635B2 (en) 2001-09-26 2006-07-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Planar display apparatus
WO2003027999A1 (fr) * 2001-09-26 2003-04-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Afficheur plat
JP2003173164A (ja) * 2001-09-28 2003-06-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の駆動方法
EP1310939A2 (en) 2001-09-28 2003-05-14 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. A light emitting device and electronic apparatus using the same
KR100910376B1 (ko) * 2001-09-28 2009-08-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 그 발광장치를 사용한 전자 기기
KR100512833B1 (ko) * 2001-09-28 2005-09-07 가부시끼가이샤 도시바 자기 발광형 표시 장치
CN100350444C (zh) * 2001-09-28 2007-11-21 株式会社半导体能源研究所 发光器件和采用该器件的电子设备
US7199771B2 (en) 2001-09-28 2007-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus using the same
EP1310938A3 (en) * 2001-09-28 2010-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. A light emitting device and electronic apparatus using the same
EP1310939A3 (en) * 2001-09-28 2010-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. A light emitting device and electronic apparatus using the same
US7158157B2 (en) 2001-09-28 2007-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus using the same
JP2003177713A (ja) * 2001-09-28 2003-06-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
US7688291B2 (en) 2001-09-28 2010-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus using the same
JP2006343762A (ja) * 2001-09-28 2006-12-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
JP2003177714A (ja) * 2001-09-28 2003-06-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
JP2006343763A (ja) * 2001-09-28 2006-12-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置および電子機器
KR100918986B1 (ko) * 2001-09-28 2009-09-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 이를 사용한 전자기기
US7586505B2 (en) 2001-09-28 2009-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus using the same
EP1310938A2 (en) 2001-09-28 2003-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. A light emitting device and electronic apparatus using the same
JP2003173162A (ja) * 2001-09-28 2003-06-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の駆動方法
US6756738B2 (en) 2002-02-12 2004-06-29 Rohm Co., Ltd. Organic EL drive circuit and organic EL display device using the same
JP2007509358A (ja) * 2002-03-14 2007-04-12 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド ディスプレイ・ドライバ回路
US7026766B2 (en) 2002-03-27 2006-04-11 Rohm Co., Ltd. Organic EL element drive circuit and organic EL display device
US6747417B2 (en) 2002-03-27 2004-06-08 Rohm Co., Ltd. Organic EL element drive circuit and organic EL display device
US6946801B2 (en) 2002-04-23 2005-09-20 Rohm Co. Ltd. Organic EL element drive circuit and organic EL display device
JP2008165246A (ja) * 2002-04-26 2008-07-17 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd El表示装置の駆動方法
CN1316308C (zh) * 2002-05-07 2007-05-16 株式会社丰田自动织机 半导体驱动器电路、显示器件和调节显示器件亮度平衡的方法
US7187008B2 (en) 2002-05-07 2007-03-06 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Semiconductor driver circuit, display device and method of adjusting brightness balance for display device
US6972526B2 (en) 2002-05-28 2005-12-06 Rohm Co., Ltd. Organic EL display device and driving circuits
CN1311559C (zh) * 2002-06-07 2007-04-18 精工爱普生株式会社 电光装置和电子仪器
CN100418221C (zh) * 2002-06-07 2008-09-10 精工爱普生株式会社 电光装置和电子仪器
JP2005530203A (ja) * 2002-06-18 2005-10-06 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド 定電流源を使用した、エレクトロルミネセントディスプレイ用のディスプレイドライバ回路
US7109953B2 (en) 2002-06-20 2006-09-19 Rohm Co., Ltd. Drive circuit of active matrix type organic EL panel and organic EL display device using the same drive circuit
US7079123B2 (en) 2002-06-26 2006-07-18 Canon Kabushiki Kaisha Driving apparatus, driver circuit, and image display apparatus
US7463254B2 (en) 2002-06-26 2008-12-09 Canon Kabushiki Kaisha Driving apparatus, driver circuit, and image display apparatus
US7109966B2 (en) 2002-07-12 2006-09-19 Rohm Co., Ltd. Display element drive circuit and display device
US7098905B2 (en) 2002-08-02 2006-08-29 Rohm Co., Ltd. Active matrix type organic EL panel drive circuit and organic EL display device
US7119769B2 (en) 2002-08-13 2006-10-10 Rohm Co., Ltd. Active matrix type organic EL panel drive circuit and organic EL display device
JP2005536772A (ja) * 2002-08-21 2005-12-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 表示装置
JP4727930B2 (ja) * 2003-01-14 2011-07-20 グローバル オーエルイーディー テクノロジー リミティド ライアビリティ カンパニー Oledデバイスのエージングを補償する方法
JP2004221083A (ja) * 2003-01-14 2004-08-05 Eastman Kodak Co Oledデバイスのエージングを補償する方法
JP2004317531A (ja) * 2003-04-10 2004-11-11 Oki Electric Ind Co Ltd パネル表示装置の駆動方法
JP4530622B2 (ja) * 2003-04-10 2010-08-25 Okiセミコンダクタ株式会社 表示パネルの駆動装置
US7420529B2 (en) 2003-07-28 2008-09-02 Rohm Co., Ltd. Organic EL panel drive circuit and organic EL display device
CN100351884C (zh) * 2003-07-28 2007-11-28 罗姆股份有限公司 有机电致发光板驱动电路及有机电致发光显示设备
JP2005062464A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Sony Corp マトリクス型表示装置およびその駆動方法
JP4617645B2 (ja) * 2003-08-12 2011-01-26 ソニー株式会社 マトリクス型表示装置およびその駆動方法
JPWO2005106835A1 (ja) * 2004-04-30 2008-03-21 富士フイルム株式会社 色度調整可能な有機エレクトロルミネッセンス装置
WO2005106835A1 (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. 色度調整可能な有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2006039577A (ja) * 2004-07-29 2006-02-09 Magnachip Semiconductor Ltd パッシブマトリクス有機発光ダイオード用出力ドライバ
KR100816595B1 (ko) 2005-10-13 2008-03-24 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 표시 장치 및 표시 패널
KR100836542B1 (ko) * 2006-11-28 2008-06-10 후지필름 가부시키가이샤 색도 조정 가능한 유기 일렉트로루미네선스 장치
WO2011138914A1 (ja) * 2010-05-07 2011-11-10 コニカミノルタホールディングス株式会社 発光デバイス検査装置、および発光デバイス検査方法
JP5626341B2 (ja) * 2010-05-07 2014-11-19 コニカミノルタ株式会社 発光デバイス検査装置、および発光デバイス検査方法
JP2013097169A (ja) * 2011-11-01 2013-05-20 Mitsubishi Electric Corp 表示ユニットの駆動装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4059537B2 (ja) 2008-03-12

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