JP2003216069A

JP2003216069A - 表示装置

Info

Publication number: JP2003216069A
Application number: JP2002015062A
Authority: JP
Inventors: Ryoji Kusuki; 良二楠木
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2002-01-24
Filing date: 2002-01-24
Publication date: 2003-07-30

Abstract

(57)【要約】【課題】Ｘ−Ｙマトリックス状に配列した発光素子の
配列位置による発光輝度のバラツキををなくし、均一な
輝度を有する表示装置を提供する。【解決手段】配線抵抗を Ry11：Ry21：Ry31＝１：
２：２²のように級数的な比率で配置し、DAC110〜112よ
り順次（Rx11＋R11＋７＊Ry31／４）：（Rx21＋R21＋３
＊Ry31／２）：（Rx31＋R31＋Ry31）となる電圧をデー
タ電極電圧生成部130〜132に供給する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ−Ｙマトリック
ス状に配列した表示装置に関し、特に電流駆動型の発光
素子、とりわけ有機エレクトロルミネッセンス（以下Ｅ
Ｌという）発光素子に好適なＥＬ表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】昨今のフラットパネル表示装置（ＰＰ
Ｄ）の急速な発展は、高品質，大画面，フルカラーおよ
び高解像度な表示装置の提供をもたらしている。また、
これらの表示装置はコンピュータのような情報機器等の
表示装置として大いに期待されている。また近年表示装
置の中に、有機薄膜ＥＬを用いたものが商品化されてき
ている。こうした有機薄膜ＥＬは数V〜１０Vの低電圧に
よる駆動が可能で、有機薄膜ＥＬの発光の立上り、立下
り時間が非常に速く、表示応答速度に優れており動画表
示に適している。かつ自己発光素子のため、これを用い
た表示装置は表示も明るくて視野角が広く、また有機薄
膜ＥＬを用いた表示装置の本体の構成が薄くなり、小
型，軽量化が可能でありかつ、信頼性が高く今後の表示
装置として非常に有望視されている。

【０００３】図６は有機薄膜ＥＬ素子の断面を示す図で
ある。図６に示すように、ガラス基板２１上に、陽極層
２２，輸送層２３，有機薄膜層２４および陰極層２５を
この順序に積層した構成となっている。陽極層２２はＩ
ＴＯ（indium tin oxide）、酸化第２スズあるいは酸化
インジウムなどの透明な電極で構成する。輸送層２３は
正孔注入層あるいは電子輸送層からなるもので構成す
る。有機薄膜層２４は、有機化合物からなる発光材料を
含む。陰極層２５はたとえばマンガンを含む金属電極で
ある。陽極層２２に正の電圧、陰極層２５に負の電圧を
電圧源２６から印加してやると有機薄膜層２４が発光す
る。

【０００４】図７はＸ−Ｙマトリックスの交点に有機薄
膜ＥＬ素子を配した有機薄膜ＥＬ表示装置の等価回路を
示す。この等価回路は、有機薄膜ＥＬ素子Ｅ（ｎ，
ｍ），データ電極電圧生成部510〜513および走査電極駆
動電圧生成部520〜526で構成する。データ電極Ｘ１，Ｘ
２，Ｘ３・・・Ｘｎは、データ電極電圧生成部510〜513
に接続する。また、各走査電極Ｙ１〜Ｙｍは、走査電極
駆動電圧生成部520〜526に接続する。

【０００５】データ電極電圧生成部510〜513は、P-MOS
トランジスタとN-MOSトランジスタで構成し、P-MOSトラ
ンジスタのソース端子（Ｓ）は電圧源VDDに接続し、N-M
OSトランジスタのソース端子はグランド（ＧＮＤ）に接
続する。P-MOSおよびN-MOSトランジスタのドレイン端子
（Ｄ）は共通接続し、また、ゲート端子（Ｇ）も互いに
共通接続する。ゲート端子には有機薄膜ＥＬ素子を発光
させるときには、図示しないローレベルの入力信号を、
発光させないときには、ハイレベルの入力信号をそれぞ
れ入力する。

【０００６】走査電極駆動電圧生成部520〜526は、N-MO
Sトランジスタで構成し、N-MOSトランジスタのソース端
子（Ｓ）はグランド（ＧＮＤ）に接続し、発光時にはゲ
ート端子（Ｇ）に図示しないハイレベルの入力信号を、
非発光時にはローレベルの入力信号をそれぞれ入力す
る。

【０００７】図７は有機薄膜ＥＬ素子Ｅ（ｎ，ｍ）をマ
トリックス状にデータ電極Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３・・・Ｘｎ
と走査電極Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４・・・Ｙｍ−２，Ｙ
ｍ−１，Ｙｍの交点の位置に配置した状態を表す。

【０００８】データ電極Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３・・・Ｘｎに
は駆動電圧Vを生成するためのデータ電極電圧生成部510
〜513のP-MOSトランジスタとN-MOSトランジスタの共通
接続されたドレイン端子（Ｄ）を接続する。有機薄膜Ｅ
Ｌ素子の非発光時（非選択時）には、P-MOSトランジス
タがオフ、N-MOSトランジスタがオンとなる。有機薄膜
ＥＬ素子が発光時（選択時）には、P-MOSトランジスタ
がオン、N-MOSトランジスタがオフとなる。

【０００９】また、走査電極Ｙ１〜Ｙｍには非発光時
（非走査時）にオフとなる走査電極駆動電圧生成部520
〜526のN-MOSトランジスタのドレイン端子（Ｄ）を接続
する。データ電極Ｘ１〜Ｘｎは有機薄膜ＥＬ素子Ｅ
（ｎ，ｍ）が発光時には駆動電圧Vに、非発光時には、
グランド（ＧＮＤ）に接続する。走査電極Ｙ１〜Ｙｍは
有機薄膜ＥＬ素子Ｅ（ｎ，ｍ）が発光時にはグランド
（ＧＮＤ）に接続し、非発光時にはフローティング状態
に置かれる。

【００１０】次に、有機薄膜ＥＬ表示装置の駆動原理に
ついて説明する。有機薄膜ＥＬ素子Ｅ（ｎ，ｍ）に対
し、走査電極に接続された走査電極駆動電圧生成部520
〜526のN-MOSトランジスタは520から526において、この
順序でオンし、グランド（ＧＮＤ）に接続する。

【００１１】ここで、今走査電極駆動電圧生成部523のN
-MOSトランジスタがオンしているとする。オンしている
時間は、データ電極Ｘ１〜Ｘｎに接続されたデータ電極
電圧生成部510〜513は、同時に発光すべき有機薄膜ＥＬ
素子例えばＥ（１，４）、Ｅ（２，４）に対しては、デ
ータ電極電圧生成部510，511よりそれぞれデータ電極Ｘ
１，Ｘ２に電圧Vを供給し、非発光となる有機薄膜ＥＬ
素子例えばＥ（３，４）、Ｅ（ｎ，４）に対しては、デ
ータ電極電圧生成部512，513はそれぞれデータ電極Ｘ
３，Ｘｎに電圧０Vを供給する。

【００１２】この結果、発光すべく選択された有機薄膜
ＥＬ素子Ｅ（１，４）、Ｅ（２，４）に対し、駆動電圧
Vが印加されることにより、電流が流入し、有機薄膜Ｅ
Ｌ素子E（１，４）、Ｅ（２，４）が励起され発光す
る。それ以外の非発光となる非選択の有機薄膜ＥＬ素子
Ｅ（３，４）、Ｅ（ｎ，４）には、駆動電圧Vが印加さ
れず、電流の供給が行われないため発光しない。こうし
た発光の制御により、Ｘ−Ｙマトリックス状に配設され
た有機薄膜ＥＬ素子Ｅ（１，１）〜Ｅ（ｎ，ｍ）の発
光、非発光状態が形成されることにより、所望の表示画
像を得る。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】従来のＸ−Ｙマトリッ
クス状に配置された有機薄膜ＥＬ表示装置は以上の様な
回路構成が主流であった。しかしながら、近年の表示装
置に対して、大規模化、高解像度化の要望がでてきた。
こうした要望に応えるためには有機薄膜ＥＬ表示装置に
おいて、データ電極Ｘ１〜Ｘｎと走査電極Ｙ１〜Ｙｍの
電極数ｎ、ｍを増やし、有機薄膜ＥＬ素子数を増加させ
る必要がでてきた。しかし反面、電極数を増加すればす
る程、電極配線の距離が長くなるため配線抵抗が増加す
る。また、走査電極駆動電圧生成部のN-MOSトランジス
タから物理的に遠く離れた位置にある有機薄膜ＥＬ素子
の配線抵抗は近くにある有機薄膜ＥＬ素子の配線抵抗よ
り大きくなる。すなわち、走査電極駆動電圧生成部のN-
MOSトランジスタから離れている有機薄膜ＥＬ素子に対
しては、配線抵抗が大きくなるため、全ての有機薄膜Ｅ
Ｌ素子に対する一律な駆動電圧Vの供給では、有機薄膜
ＥＬ素子の配置位置により、必要な輝度が得られない。
従って従来、有機薄膜ＥＬ表示装置を用いた場合には輝
度の均一性と、大画面，高解像度を両立させることがき
わめて困難であった。

【００１４】本発明は、走査電極駆動電圧生成部のN-MO
Sトランジスタから遠く離れた位置にある有機薄膜ＥＬ
素子までの配線抵抗の増大を抑制し、かつ有機薄膜ＥＬ
素子までの配線抵抗が大きくなる部位に対しては、駆動
電圧の電圧を高くなるよう設定をする。また、データ電
極電圧生成部のP-MOSトランジスタがオンする時間、す
なわち駆動する時間を長く設定することにより均一な輝
度を有する表示装置を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は上記
の目的を達成するために、データ電極駆動部に接続した
データ電極用配線と走査電極駆動部に接続した走査電極
用配線をＸ−Ｙマトリックス状に配列し、前記データ電
極用配線と前記走査電極用配線の交点に発光素子配置し
た表示装置において、前記データ電極用配線および前記
走査電極用配線の少なくとも一方の配線抵抗を前記デー
タ電極駆動部の近いところから順次遠くなるにしたがっ
て級数的な比率で減少させる構造を備える表示装置であ
る。

【００１６】上記構成により、発光素子の配置位置によ
る配線抵抗の増大を抑制し、配線抵抗による電圧降下を
抑制することにより表示装置内の輝度のバラツキを抑制
することができる。

【００１７】また本発明の表示装置は、前記データ電極
駆動部は発光素子の位置に対応して駆動電圧を設定する
電圧設定手段と、前記電圧設定手段により設定されたデ
ジタル値をアナログ電圧値に変換するデジタル／アナロ
グ変換手段と前記デジタル／アナログ変換手段からの出
力電圧を発光素子の発光時に前記データ電極用配線に供
給するデータ電極電圧生成手段とを備える。

【００１８】上記構成により、電極駆動部から離れた位
置にある発光素子の配線抵抗の増大を抑制すると共に、
配線抵抗による電圧の降下をデータ電極電圧生成手段に
印加する駆動電圧を昇圧することにより、発光素子に流
れる電流を一定にすることができ、均一な輝度を有する
表示装置を提供することができる。

【００１９】また本発明の表示装置は、前記データ電極
駆動部は発光素子の位置に対応して発光時間を設定する
時間設定手段と、前記時間設定手段により設定されたデ
ジタル値を発光周期と発光時間を制御するパルス幅に変
換するパルス幅変調手段と前記パルス変調手段からの信
号に対応して前記データ電極用配線に駆動電圧を供給す
るデータ電極電圧生成手段とを備える。

【００２０】上記構成により、電極駆動部から離れた位
置にある発光素子の配線抵抗の増加による輝度の低下
を、駆動電圧を印加する時間（デューティ）を調整する
ことにより打ち消し、均一な輝度を有する表示装置を提
供する。

【００２１】さらに本発明の表示装置は、前記発光素子
が有機薄膜エレクトロルミネッセンス発光素子を用いた
構成である。

【００２２】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、本発明の
実施の形態１について、図面を参照しながら説明する。

【００２３】図１は３−３マトリックス型有機薄膜ＥＬ
表示装置の駆動に関する等価回路を代表例として示す。
図１において110は第１のデジタル／アナログ変換手段
（以下DACと称する）で２値のディジタルデータから、
アナログ電圧を生成する。ディジタルデータは後述する
Ry11，Ry21，Ry31の配線抵抗比に基づき電圧設定部160
により決定し、DAC110によって設定する。DAC110で生成
されたアナログ電圧はデータ電極電圧生成部130のP-MOS
トランジスタのソース端子（Ｓ）に接続する。

【００２４】111は第２のDACであり、DAC111で生成した
アナログ電圧をデータ電極電圧生成部131のP-MOSトラン
ジスタのソース端子（Ｓ）に供給する。112は第３のDAC
であり、DAC112で生成したアナログ電圧をデータ電極電
圧生成部132のP-MOSトランジスタのソース（Ｓ）端子に
供給する。

【００２５】ゲート端子150（Ｇ）〜152（Ｇ）にローレ
ベル入力信号が入力される期間、DAC110〜112で生成さ
れる電圧がそれぞれデータ電極Ｘ１〜Ｘ３に供給され
る。

【００２６】140は第１の走査電極駆動電圧生成部、141
は第２の走査電極駆動電圧生成部、142は第３の走査電
極駆動電圧生成部であり、第１の走査電極駆動電圧生成
部140と同様の構成からなる。

【００２７】Rx11、Rx12、Rx13はデータ電極Ｘ１上の配
線抵抗である。同様にRx21、Rx22、Rx23はデータ電極Ｘ
２上の配線抵抗である。同様にRx31、Rx32、Rx33はデー
タ電極Ｘ３上の配線抵抗である。Ry11、Ry21、Ry31は走
査電極Ｙ１上の配線抵抗である。同様にRy12、Ry22、Ry
32は走査電極Ｙ２上の配線抵抗である。同様にRy13、Ry
23、Ry33は走査電極Ｙ３上の配線抵抗である。R11〜R33
は有機薄膜ＥＬ素子自体の抵抗である。

【００２８】図２は図１の走査電極Ｙ１部を抜粋したも
のである。図２にて具体的に有機薄膜ＥＬ素子に流れる
電流値を駆動電圧をVとして求める。

【００２９】有機薄膜ＥＬ素子Ｅ（１，１）に流れる電
流値ｉＥ（１，１）は、“／”を除算、“＊”を積算と
して表すと、ｉＥ（１，１）＝V／（Rx11＋R11＋Ry11＋Ry21＋Ry31）＝V／（Rx11＋R11＋３＊Ry31）有機薄膜ＥＬ素子Ｅ（２，１）に流れる電流値ｉＥ
（２，１）は、有機薄膜ＥＬ素子Ｅ（３，１）に流れる電流値ｉＥ
（３，１）は、としてそれぞれ求める。ここで、データ電極電圧生成部
130〜132、走査電極駆動電圧生成部140〜142のトランジ
スタのオン抵抗は無視し、Rx11＝Rx21＝Rx31、Ry11＝Ry
21＝Ry31、R11＝R21＝R31としている。

【００３０】すなわち、有機薄膜ＥＬ素子Ｅ（１，１）
〜Ｅ（３，１）に流れる電流値ｉは、ｉＥ（１，１）＜ｉＥ（２，１）＜ｉＥ（３，１）となり、走査電極駆動電圧生成部140のN-MOSトランジス
タから一番離れたＥ（１，１）に流れる電流値が最小と
なる。このとき、最大値との比は１＜（V／（Rx11＋R11＋Ry31））／（V／（Rx11＋R11＋
３＊Ry31））＜３となり、３倍以下である。

【００３１】ここで有機薄膜ＥＬ素子に流れる電流値の
最小と最大の比率を減少させるために、走査電極上に配
置する配線抵抗を配線幅、配線長あるいは配線厚等を製
造工程にて調整して、配線抵抗Ry11、Ry21、Ry31を級数
的な以下の比率になるように設定する。

【００３２】Ry11：Ry21：Ry31＝Ry31／2²：Ry31／2¹：
Ry31＝１／2²：１／2：１＝１：２：４配線抵抗Ry11、Ry21、Ry31の比率を上記に設定すること
により、有機薄膜ＥＬ素子に流れる電流値を求めると、
有機薄膜ＥＬ素子Ｅ（１，１）に流れる電流値ｉＥ
（１，１）は、ｉＥ（１，１）＝V／（Rx11＋R11＋７＊Ry31／４）有機薄膜ＥＬ素子Ｅ（２，１）に流れる電流値ｉＥ
（２，１）は、ｉＥ（２，１）＝V／（Rx11＋R11＋３＊Ry31／２）有機薄膜ＥＬ素子Ｅ（３，１）に流れる電流値ｉＥ
（３，１）は、ｉＥ（３，１）＝V／（Rx11＋R11＋Ry31）有機薄膜ＥＬ素子Ｅ（１，１）と有機薄膜ＥＬ素子Ｅ
（３，１）に流れる電流比は、１＜ｉＥ（１，１）／ｉＥ（３，１）＜２となり、有機薄膜ＥＬ素子を流れる電流値の最小と最大
の比は２倍以下と減少させることができる。すなわち、
有機薄膜ＥＬ素子の配置位置に依存する輝度の差異を減
少し、より均一な輝度を有する有機薄膜ＥＬ素子を用い
た表示装置を得ることができる。

【００３３】更に有機薄膜ＥＬ素子に流れる電流値の均
一化を図るため、図１のDAC110、DAC111、DAC112に設定
するディジタルデータを（Rx11＋R11＋７＊Ry31／
４）：（Rx11＋R11＋３＊Ry31／2）：（Rx11＋R11＋Ry3
1）になるように電圧設定部160により設定し、DAC110〜
112により生成されるアナログ電圧値を（Rx11＋R11＋７
＊Ry31／４）：（Rx11＋R11＋３＊Ry31／2）：（Rx11＋
R11＋Ry31）の比になるように昇圧する。

【００３４】このことにより、有機薄膜ＥＬ素子に流れ
る電流値は均一化され、有機薄膜ＥＬ素子の配置位置に
依存する輝度の差異がなくなり、均一な輝度を有する有
機薄膜ＥＬ素子を用いた表示装置を得ることができる。

【００３５】なお、本実施の形態では、発光素子が３素
子の場合について説明したが、図３に示すように、ｎ個
の発光素子とｎ個の配線抵抗Ry11，Ry21，・・・Ryn1の
場合、これらの抵抗比を次ぎの通りに設定する。

【００３６】 Ry11：Ry21：・・・：Ryn1＝１／2^n-1：１／2^n-2：・・・：１このとき、電流値の最小と最大の比すなわち、ｉＥ
（１，１）とｉＥ（ｎ，１）に流れる電流値の比は次ぎ
の通りとなる。

【００３７】１＜ｉＥ（１，１）／ｉＥ（ｎ，１）＜２すなわち、発光素子に流れる電流値の最小と最大の比率
は２倍以下に抑制されている。このことにより、均一な
輝度を有する表示装置を得るために、DAC１１０〜１１
ｎの出力電圧値は２倍以下に設定すればよい。

【００３８】また、本実施の形態では、配線抵抗は１：
２：２²…と２の等比級数となる例を示したが、発光素
子間の電流をより均一にする級数であれば、２の等比級
数に限定されない。

【００３９】また、発光素子として、本実施の形態で
は、有機薄膜ＥＬ素子を例に説明したが、電流駆動の発
光素子、たとえば、半導体基板上に形成された発光ダイ
オードを用いた表示装置にも好適である。

【００４０】また、本実施の形態では走査電極上の配線
抵抗について説明したが、データ電極上の配線抵抗につ
いても、本発明は適用できる。

【００４１】（実施の形態２）図４は、本実施の形態２
の３−３マトリックス型有機薄膜ＥＬ表示装置の駆動に
関する等価回路を示す。図１と同じ回路は同じ番号を付
与し、説明を省略する。

【００４２】120は第１のパルス幅変調器（以下PWMと称
する）であり、パルスの周期と、パルスのハイレベル期
間とローレベル期間の比率即ちデューティ比を設定する
カウンタにより構成されている。設定すべき周期及びデ
ューティ比は後述するRy11，Ry21，Ry31の配線抵抗比に
基づき時間設定部170で決定し、PWM120に設定する。

【００４３】PWM120の出力信号はデータ電極電圧生成部
130のゲート端子150に供給する。ゲート端子150にロー
レベル入力信号が入力される時間、駆動電圧Vがデータ
電極Ｘ１に供給される。PWM121は第２のPWMであり、PWM
121の出力信号はデータ電極電圧生成部131のゲート端子
151に供給する。ゲート端子151にローレベル入力信号が
入力される時間、駆動電圧Vがデータ電極Ｘ２に供給さ
れる。PWM122は第３のPWMであり、PWM122の出力信号は
データ電極電圧生成部132のゲート端子152に供給する。
ゲート端子152にローレベル入力信号が入力される時
間、駆動電圧Vがデータ電極Ｘ３に供給される。

【００４４】図２は図４の走査電極Ｙ１部を抜粋したも
のである。実施の形態１と同様に、図２を用いて有機薄
膜ＥＬ素子に流れる電流値を駆動電圧をVとして求め
る。

【００４５】有機薄膜ＥＬ素子Ｅ（１，１）に流れる電
流値ｉＥ（１，１）はｉＥ（１，１）＝V／（Rx11＋R11＋Ry11＋Ry21＋Ry31）＝V／（Rx11＋R11＋３＊Ry31）有機薄膜ＥＬ素子Ｅ（２，１）に流れる電流値ｉＥ
（２，１）は有機薄膜ＥＬ素子Ｅ（３，１）に流れる電流値ｉＥ
（３，１）はとして求める。ここでデータ電極電圧生成部130〜132、
走査電極駆動電圧生成部140〜142のトランジスタのオン
抵抗は無視し、Rx11＝Rx21＝Rx31、Ry11＝Ry21＝Ry31、
R11＝R21＝R31としている。

【００４６】本実施の形態では、実施の形態１と同様
に、ここで有機薄膜ＥＬ素子に流れる電流値の最小と最
大の比率を減少するため、走査電極上に配置する配線抵
抗を配線幅、配線長あるいは配線厚等を製造工程にて調
整して、配線抵抗Ry11、Ry21、Ry31を級数的な次ぎの比
率になるようにする。

【００４７】配線抵抗Ry11，Ry21，Ry31の比率を上記の設定にするこ
とにより、有機薄膜ＥＬ素子に流れる電流値を求める
と、有機薄膜ＥＬ素子Ｅ（１，１）に流れる電流値ｉＥ
（１，１）はｉＥ（１，１）＝V／（Rx11＋R11＋７＊Ry31／４）有機薄膜ＥＬ素子Ｅ（２，１）に流れる電流値ｉＥ
（２，１）はｉＥ（２，１）＝V／（Rx11＋R11＋３＊Ry31／２）有機薄膜ＥＬ素子Ｅ（３，１）に流れる電流値ｉＥ
（３，１）はｉＥ（３，１）＝V／（Rx11＋R11＋Ry31）有機薄膜ＥＬ素子に流れる電流値の最小と最大のｉＥ
（１，１）とｉＥ（３，１）の電流比は１＜ｉＥ（１，１）／ｉＥ（３，１）＜２となり、有機薄膜ＥＬ素子を流れる電流値の最小と最大
の比は２倍以下と減少させることができた。すなわち、
有機薄膜ＥＬ素子の配置位置に依存する輝度の差異を減
少し、より均一な輝度を有する有機薄膜ＥＬ素子を用い
た表示装置を得ることができる。

【００４８】更に、有機薄膜ＥＬ素子の発光輝度を均一
化するため、図４のPWM120〜122のデューティ比を設定
するカウンタの設定値を輝度が所望の値になるようなパ
ルス幅の値に設定する（周期を設定するバイナリカウン
タの設定値はPWM120，PWM121およびPWM122とも同一とす
る）ことにより、配線抵抗により輝度の低下した有機薄
膜ＥＬ素子の発光時間を長くして発光輝度の均一化を図
ることができる。

【００４９】また、本実施の形態は３−３マトリックス
型有機薄膜ＥＬ表示装置に限らず、図５に示すようにｍ
行，ｎ列のＸ−Ｙマトリックス型有機薄膜ＥＬ表示装置
の等価回路でも同様に適用することができる。

【００５０】この場合には、Ry11，Ry21、・・・Ryn1の
抵抗比を以下の通り設定する。

【００５１】 Ry11：Ry21：・・・：Ryn1＝１／2^n-1：１／2^n-2：・・・：１また、有機薄膜ＥＬ素子に流れる電流の最小値と最大値
であるｉＥ（１，１）とｉＥ（ｎ，１）の比は、１＜ｉＥ（１，１）／ｉＥ（ｎ，１）＜２となる。こうした条件をPWMに設定する。デューティ比
の最小と最大の比率はｍ行、ｎ列のＸ−Ｙマトリックス
配列の場合においても、２倍以下にすることができる。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、有
機薄膜ＥＬ素子の走査電極上の配線抵抗の分布を級数的
な比率で配置することにより、配線抵抗による電圧降下
を抑制することができ、配線抵抗による輝度の低下を抑
制した表示装置を得ることができる。また、走査電極上
の配線抵抗を考慮して、駆動電圧源の電圧を昇圧するこ
とにより、有機薄膜ＥＬ素子の配置位置による輝度のバ
ラツキをなくした表示装置を得ることができる。また走
査電極の配線抵抗を考慮して、駆動電圧源の電圧を印加
する時間を制御するPWMにより有機薄膜ＥＬ素子の発光
時間を制御することにより、有機薄膜ＥＬ素子の配置位
置による表示輝度のバラツキをなくした表示装置を得る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１に係る有機薄膜ＥＬ表示
装置の３−３マトリックス駆動の等価回路を示す図

【図２】有機薄膜ＥＬ表示装置の１走査電極上の有機薄
膜ＥＬ素子に電流が流れている経路を示す図

【図３】本発明の実施の形態１に係る有機薄膜ＥＬ表示
装置のＸ−Ｙマトリックス駆動の等価回路を示す図

【図４】本発明の実施の形態２に係る有機薄膜ＥＬ表示
装置の３−３マトリックス駆動の等価回路を示す図

【図５】本発明の実施の形態２に係る有機薄膜ＥＬ表示
装置のＸ−Ｙマトリックス駆動の等価回路を示す図

【図６】有機薄膜ＥＬ表示の構成を示す断面図

【図７】従来の有機薄膜ＥＬ表示装置のＸ−Ｙマトリッ
クス駆動の等価回路を示す図

【符号の説明】

110〜112 デジタル／アナログ変換手段（DAC） 120〜122 パルス幅変調器（PWM） 130〜132，510〜513 データ電極電圧生成部 140〜142，520〜526 走査電極駆動電圧生成部 150〜152 ゲート端子 160 電圧設定部 170 時間設定部 21 ガラス基板 22 陽極層 23 輸送層 24 有機薄膜層 25 陰極層 26 電圧源Ｘ１〜Ｘｎデータ電極Ｙ１〜Ｙｎ走査電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４１Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４１Ａ６４１Ｃ６４２６４２Ａ 3/30 3/30 ＫＨ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】データ電極駆動部に接続したデータ電極
用配線と走査電極駆動部に接続した走査電極用配線をＸ
−Ｙマトリックス状に配列し、前記データ電極用配線と
前記走査電極用配線の交点に発光素子を配置した表示装
置において、前記データ電極用配線および前記走査電極
用配線の少なくとも一方の配線抵抗を前記データ電極駆
動部の近いところから順次遠くなるにしたがって級数的
な比率で減少させることを特徴とする表示装置。
【請求項２】前記データ電極駆動部は発光素子の位置
に対応して駆動電圧を設定する電圧設定手段と、前記電
圧設定手段により設定されたデジタル値をアナログ電圧
値に変換するデジタル／アナログ変換手段と前記デジタ
ル／アナログ変換手段からの出力電圧を発光素子の発光
時に前記データ電極用配線に供給するデータ電極電圧生
成手段とを備えることを特徴とする請求項１記載の表示
装置。
【請求項３】前記データ電極駆動部は発光素子の位置
に対応して発光時間を設定する時間設定手段と、前記時
間設定手段により設定されたデジタル値を発光周期と発
光時間を制御するパルス幅に変換するパルス幅変調手段
と前記パルス変調手段からの信号に対応して前記データ
電極用配線に駆動電圧を供給するデータ電極電圧生成手
段とを備えることを特徴とする請求項１記載の表示装
置。
【請求項４】前記発光素子が有機薄膜エレクトロルミ
ネッセンス発光素子であることを特徴とする請求項１、
２または３のいずれかに記載の表示装置。