JP2007108672A - 発光素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】ピクセル間の輝度差を減少できる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、アノード電極層300、カソード電極層302、ピクセル304及びカソードライン310A、310Bを含む。アノード電極層300は第１方向に配列され、カソード電極層302は第１方向と異なる第２方向に配列される。ピクセル304はアノード電極層とカソード電極層とが交差する発光領域に形成され、カソードライン310A、310Bはカソード電極層302に連結される。ここで、１つのカソードラインに隣接する第１ピクセルを除いた残りのピクセルに対応する部分間の抵抗の少なくとも１つは、第１ピクセルに対応する部分と第１ピクセルに隣接する１つのピクセルに対応する部分間の抵抗より小さい。発光素子はカソード電極層の幅を変化させてカソード電極層に対応するピクセルの輝度差を減少できる。
【選択図】図３

Description

本発明は、発光素子に関する。特に、同じデータ電流に対してピクセル間の輝度差を減少することができる発光素子に関するものである。
発光素子は、所定電流または電圧が印加されたとき、所定の波長を有する光を発光する。
図１は、従来の発光素子を図示した平面図である。
図１を参照すれば、従来の発光素子は、アノード電極層１００、カソード電極層１０２、ピクセル１０４、隔壁１０６、アノードライン１０８、カソードライン１１０Ａ、１１０Ｂ及びドライバー１１２を含む。
アノード電極層１００は、第１方向に配列される。カソード電極層１０２は、第１方向と異なる第２方向に配列される。ピクセル１０４はアノード電極層１００とカソード電極層１０２とが交差する発光領域に形成される。
隔壁１０６は、絶縁物質からなり、カソード電極層１０２間に位置してカソード電極層１０２を電気的に分離する。
アノードライン１０８は、アノード電極層１００に連結され、カソードライン１１０Ａ、１１０Ｂは、カソード電極層１０２に連結される。
ドライバー１１２は、図１に示されるように、ライン１０８、１１０Ａ、１１０Ｂの終端と結合し、駆動回路部１１４を含む。駆動回路部１１４は、ピクセル１０４を駆動させる。
図２（ａ）は、図１の発光素子を図示した回路図であり、図２（ｂ）及び図２（ｃ）は、図２（ａ）の発光素子を駆動させる過程を図示した回路図である。
図２（ａ）を参照すれば、従来の発光素子は、ピクセルＥ１１〜Ｅ６４及びドライバー１１２を含む。
ドライバー１１２は、制御部２００、第１スキャン駆動部２０２、第２スキャン駆動部２０４及びデータ駆動部２０６を含む。ここで、データラインＤ１〜Ｄ６は、アノード電極層１００及びアノードライン１０８に対応し、スキャンラインＳ１〜Ｓ４は、カソード電極層１０２及びカソードライン１１０Ａ、１１０Ｂに対応する。
制御部２００は、外部装置（未図示）から入力される表示データを利用してスキャン駆動部２０２、２０４及びデータ駆動部２０６の動作を制御する。
第１スキャン駆動部２０２は、スキャンラインＳ１〜Ｓ４中の一部（例えば、Ｓ１、Ｓ３）に第１スキャン信号を伝送し、第２スキャン駆動部２０４は、残りのスキャンラインＳ２、Ｓ４に第２スキャン信号を伝送する。その結果、スキャンラインＳ１〜Ｓ４が、後述するように、順次にアースに接続される。
データ駆動部２０６は、複数の電流源ＣＳ１〜ＣＳ６を含み、制御部２００の制御下に表示データに対応して、電流源ＣＳ１〜ＣＳ６から出力されたデータ電流をデータラインＤ１〜Ｄ６に供給する。その結果、ピクセルＥ１１〜Ｅ６４が発光する。
以下、発光素子の発光過程を図２（ａ）〜図２（ｃ）を参照して詳述する。
まず、図２（ｂ）に示されるように、スキャンラインＳ１〜Ｓ４中の第１スキャンラインＳ１がアースに接続され、残りのスキャンラインＳ２〜Ｓ４は、発光素子の駆動電圧Ｖｃと同じ大きさの電圧Ｖ１を有する非発光源に連結される。
次いで、第１表示データに対応するデータ電流Ｉ１１〜Ｉ６１が、データラインＤ１〜Ｄ６に供給される。この場合、データ電流Ｉ１１〜Ｉ６１は、データラインＤ１〜Ｄ６、ピクセルＥ１１〜Ｅ６１及び第１スキャンラインＳ１を介してアースに流れる。その結果、第１スキャンラインＳ１に対応するピクセルＥ１１〜Ｅ６１が発光する。
続いて、図２（ｃ）に示されるように、第２スキャンラインＳ２がアースに接続され、残りのスキャンラインＳ１、Ｓ３、Ｓ４は非発光源に連結される。
次いで、第１表示データ以降に制御部２００に入力される第２表示データに対応するデータ電流Ｉ１２〜Ｉ６２が、データラインＤ１〜Ｄ６に供給される。この場合、データ電流Ｉ１２〜Ｉ６２は、データラインＤ１〜Ｄ６、ピクセルＥ１２〜Ｅ６２及び第２スキャンラインＳ２を介してアースに流れる。その結果、第２スキャンラインＳ２に対応するピクセルＥ１２〜Ｅ６２が発光する。
同様に、第３スキャンラインＳ３に対応するピクセルＥ１３〜Ｅ６３が発光し、その後、第４スキャンラインＳ４に対応するピクセルＥ１４〜Ｅ６４が発光する。次いで、ピクセルＥ１１〜Ｅ６４が、スキャンラインＳ１〜Ｓ４単位での発光動作を繰り返す。
以下、ピクセルＥ１１、Ｅ１２間の輝度差に関して、ピクセルＥ１１〜Ｅ６４の発光動作を詳述する。
まず、ピクセルＥ１１〜Ｅ６４とアース間の抵抗を詳しく説明する。
この場合、各カソード電極層１０２の幅が、図１に示されるように、全領域にわたって一定しているので、ピクセルＥ１１〜Ｅ６４間の抵抗は全て同一である。
従って、図２（ｂ）に示すように、ピクセルＥ１１とアースと間の抵抗は、スキャン抵抗ＲSであり、ピクセルＥ２１とアースと間の抵抗は、ＲS＋ＲPであり、ピクセルＥ３１とアースと間の抵抗は、ＲS＋２ＲPである。また、ピクセルＥ４１とアースと間の抵抗は、ＲS＋３ＲPであり、ピクセルＥ５１とアースと間の抵抗は、ＲS＋４ＲPであり、ピクセルＥ６１とアースと間の抵抗は、ＲS＋５ＲPである。
以下、ピクセルＥ１１〜Ｅ６１を同じ輝度で発光するように同じ大きさのデータ電流Ｉ１１〜Ｉ６１がデータラインＤ１〜Ｄ６に供給されると仮定する。
データ電流Ｉ１１〜Ｉ６１は、対応するピクセルＥ１１〜Ｅ６１及び第１スキャンラインＳ１を通過した後、アースに流れる。この場合、ピクセルＥ１１〜Ｅ６１のカソード電圧ＶＣ１１〜ＶＣ６１は、データ電流Ｉ１１〜Ｉ６１の大きさが同一なので、対応する抵抗、即ち、ピクセルＥ１１〜Ｅ６１とアースと間の抵抗に比例する大きさを有する。従って、第６１カソード電圧ＶＣ６１、第５１カソード電圧ＶＣ５１、第４１カソード電圧ＶＣ４１、第３１カソード電圧ＶＣ３１、第２１カソード電圧ＶＣ２１及び第１１カソード電圧ＶＣ１１の順にその大きさが大きい。
ここで、ピクセルＥ１１〜Ｅ６１の輝度は、ピクセルＥ１１〜Ｅ６１のカソード電圧ＶＣ１１〜ＶＣ６１に影響され、一般には、同じ大きさのデータ電流がピクセルＥ１１〜Ｅ６１に供給されるとき、カソード電圧ＶＣ１１〜ＶＣ６１が大きくなればなるほどより小さい輝度値を有する。
従って、同じ大きさのデータ電流がピクセルＥ１１〜Ｅ６１に供給される場合、ピクセルＥ１１〜Ｅ６１に対応する抵抗の最も小さい抵抗に関係したピクセルＥ１１が最も明るく発光し、対応する抵抗が最も大きいピクセルＥ６１が最も暗く発光する。
要するに、同じ大きさのデータ電流がピクセルＥ１１〜Ｅ６１に供給される場合、ピクセルＥ１１〜Ｅ６１の輝度は、ピクセルＥ１１〜Ｅ６１とアースと間の抵抗の抵抗値に左右される。
図２（ｃ）を参照すれば、上のような方式で計算するとき、ピクセルＥ１２とアースと間の抵抗は、ＲS＋５ＲPである。従って、第２スキャンラインＳ２に対応するピクセルＥ１２〜Ｅ６２のうち、ピクセルＥ１２が最も暗く発光する。
以下、ピクセルＥ１１、Ｅ１２を比較する。
ピクセルＥ１１とアースと間の抵抗は、ＲSであるのに対して、ピクセルＥ１２とアースと間の抵抗は、ＲS＋５ＲPである。従って、ピクセルＥ１１、Ｅ１２が同じ輝度で発光する場合、即ち、同じ大きさのデータ電流Ｉ１１、Ｉ１２がピクセルＥ１１〜Ｅ６１に
供給される場合、ピクセルＥ１１は、ピクセルＥ１２より遥かに明るく発光する。この場合、ピクセルＥ１１、Ｅ１２が隣接しているので、ピクセルＥ１１、Ｅ１２の輝度差は、発光素子を使用する使用者に視覚的に認知された。
従来の発光素子では、ピクセルが同じ輝度で発光するように予め設定されていたにもかかわらず、ピクセル間に輝度差が生じ、この輝度差が使用者に視覚的に認知されていた。
このような事情に鑑みて、本発明は、ピクセル間の輝度差を減少させることを可能にした発光素子を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、本発明の好ましい一実施形態に係る発光素子は、アノード電極層、カソード電極層、ピクセル及びカソードラインを含む。アノード電極層は、第１方向に配列され、カソード電極層は、前記第１方向と異なる第２方向に配列される。ピクセルは前記アノード電極層と前記カソード電極層とが交差する発光領域に形成される。カソードラインは、前記カソード電極層に連結される。ここで、一つのカソード電極層において、このカソード電極層に対応するカソードラインに隣接する第１ピクセルを除いた残りのピクセルに対応する部分間の抵抗の少なくとも一つは、前記第１ピクセルに対応する部分と前記第１ピクセルと隣接するピクセルに対応する部分間の抵抗より小さい抵抗値を有することを特徴とする。
本発明の好ましい他の実施形態に係る発光素子は、アノード電極層、カソード電極層及び複数のピクセルを含む。前記アノード電極層は、第１方向に配列され、前記カソード電極層は、前記第１方向と異なる第２方向に配列される。前記ピクセルは、前記アノード電極層中の一つのアノード電極層と前記カソード電極層が交差する第１領域と異なるアノード電極層と前記カソード電極層とが交差する第２領域に形成される。ここで、前記第２領域中の少なくとも一つの領域は、前記第１領域より広い幅を有する。
さらに、他の構成によれば、発光素子は、さらに、前記アノード電極層に連結されたアノードラインと、前記カソードライン中の一部を介して該当カソード電極層に第１スキャン信号を伝送する第１スキャン駆動部と、残りのカソードラインを介して該当カソード電極層に第２スキャン信号を伝送する第２スキャン駆動部と、前記アノードライン及び前記アノード電極層を介して前記ピクセルにデータ電流を供給するデータ駆動部と、を含んでいる。
本発明に係る発光素子は、カソード電極層の幅を変えて前記カソード電極層に対応するピクセルの輝度差を減少しているので、前記ピクセルの輝度差が、使用者に視覚的に認知されない。
以上のように、本発明に係る発光素子は、カソード電極層の幅を変化させて、カソード電極層に対応するピクセルの輝度差を減少しているので、ピクセルの輝度差が使用者に視覚的に認知されない長所がある。
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。
図３は、本発明の好ましい第１の実施形態に係る発光素子を図示した平面図である。
図３を参照すれば、本発明の発光素子はアノード電極層３００、カソード電極層３０２、ピクセル３０４、隔壁３０６、アノードライン３０８、カソードライン３１０Ａ、３１０Ｂ及びドライバー３１２を含む。
本発明の好ましい一実施形態に係る発光素子は、有機電界発光素子、ＰＤＰ（Plasma Display Panel）、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）などを含む。但し、以下では、説明の便宜のために有機電界発光素子を例えて説明する。
アノード電極層３００は、第１方向に配列され、透明電極としてインジウムスズ酸化物（Indium Tin Oxide）などで構成される。
カソード電極層３０２は、第１方向と異なる第２方向に配列され、アルミニウム（Ａｌ）などの金属からなる。また、カソード電極層３０２は、図３に示されるように、所定方向に行くほどその幅が大きくなる構造を有する。
ピクセル３０４は、アノード電極層３００とカソード電極層３０２が交差する発光領域に形成される。
発光素子が有機電界発光素子のとき、各ピクセル３０４は、基板上に順次に形成されたアノード電極層、有機物層及びカソード電極層からなる。従って、アノード電極層に正の電圧が供給され、カソード電極層に負の電圧が供給される場合、有機物層は、所定波長を有する光を発光する。
隔壁３０６は、絶縁物質からなり、カソード電極層３０２間に位置してカソード電極層３０２を電気的に分離する。
アノードライン３０８は、アノード電極層３００に連結される。
第１カソードライン３１０Ａは、カソード電極層３０２中の一部に連結され、第２カソードライン３１０Ｂは、残りのカソード電極層に連結される。
ドライバー３１２は、図３に示されるように、ライン３０８、３１０Ａ、３１０Ｂの終端と結合し、駆動回路部３１４を含む。駆動回路部３１４は、後述するように、ピクセル３０４を駆動する。
要するに、本発明の発光素子において、カソード電極層３０２の幅は、関連するカソードラインに結合する第一端部から第二端部の方向に向けて広がっている。従って、一つのカソード電極層において、ピクセルに対応する抵抗の抵抗値は、第一端部から第二端部の方向に減少する。これに対する詳細な説明は、以下の添付図面を参照して詳述する。
図４（ａ）は、本発明の一実施形態に係る図３のI-I'線に沿って切り取った発光素子を図示した断面図である。
図４（ａ）を参照すれば、アノード電極層３００は、基板４００上に一定のパターンを有して形成されて、有機物層４０４は、アノード電極層３００上に形成される。
また、アノード電極層３００間には、絶縁膜４０２が形成され、アノード電極層３００が電気的に分離される。
金属物質からなる金属物質層４０６が、有機物層４０４及び絶縁膜４０２上に形成される。ここで、金属物質層４０６中のアノード電極層３００及び有機物層４０４に対応する部分がカソード電極層３０２である。
図４（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る図３のII-II'線に沿って切り取った発光素子を図示した断面図である。
図４（ｂ）を参照すれば、基板４００上にアノード電極層３００、有機物層４０４及びカソード電極層３０２が順次に形成される。
ここで、アノード電極層３００に正の電圧が供給されてカソード電極層３０２に負の電圧が供給される場合、有機物層４０４は、所定の波長を有する光を発生させる。
隔壁３０６は、絶縁膜４０２上に形成され、カソード電極層３０２を電気的に分離する。
図５（ａ）は、本発明の好ましい一実施形態に係る図３の発光素子を図示した回路図である。
図５（ａ）を参照すれば、本発明の発光素子は、ピクセルＥ１１〜Ｅ６４及びドライバー３１２を含む。
ドライバー３１２は、制御部５００、第１スキャン駆動部５０２、第２スキャン駆動部５０４及びデータ駆動部５０６を含む。ここで、データラインＤ１〜Ｄ６は、アノード電極層３００及びアノードライン３０８に対応し、スキャンラインＳ１〜Ｓ４は、カソード電極層３０２及びカソードライン３１０Ａ、３１０Ｂに対応する。
制御部５００は、外部装置（未図示）から入力された表示データを利用してスキャン駆動部ら５０２、５０４及びデータ駆動部５０６の動作を制御する。
第１スキャン駆動部５０２は、第１スキャン信号をスキャンラインＳ１〜Ｓ４の一部（例えば、Ｓ１、Ｓ３）に供給し、第２スキャン駆動部５０４は、第２スキャン信号を残りのスキャンラインＳ２、Ｓ４に供給する。その結果、スキャンラインＳ１〜Ｓ４が発光源に順次に連結される。
データ駆動部５０６は、複数の電流源ＣＳ１〜ＣＳ６を含み、制御部５００の制御下に表示データに対応して電流源ＣＳ１〜ＣＳ６から出力されたデータ電流をデータラインＤ１〜Ｄ６に供給する。その結果、ピクセルＥ１１〜Ｅ６４が発光する。
以下、発光素子の発光過程を、図５（ｂ）及び図５（ｃ）を参照して詳述する。
図５（ｂ）及び図５（ｃ）は、本発明の好ましい一実施形態に係る発光素子を駆動する過程を図示した回路図である。
まず、図５（ｂ）に示されるように、スキャンラインＳ１〜Ｓ４中の第１スキャンラインＳ１が、発光源、好ましくはアースに接続され、残りのスキャンラインＳ２〜Ｓ４は、発光素子の駆動電圧Ｖｃと同じ大きさの電圧Ｖ１を有する非発光源に連結される。以下、発光源をアースとして仮定する。
次いで、第１表示データに対応するデータ電流Ｉ１１〜Ｉ６１がデータラインＤ１〜Ｄ６に供給される。この場合、データ電流Ｉ１１〜Ｉ６１は、データラインＤ１〜Ｄ６、ピクセルＥ１１〜Ｅ６１及び第１スキャンラインＳ１を介してアースに流れる。その結果、第１スキャンラインＳ１に対応するピクセルＥ１１〜Ｅ６１が発光する。
続いて、図５（ｃ）に示されるように、第２スキャンラインＳ２がアースに接続され、残りのスキャンラインＳ１、Ｓ３、Ｓ４は非発光源に連結される。
次いで、第１表示データ以降、制御部５００に入力される第２表示データに対応するデータ電流Ｉ１２〜Ｉ６２が、図５（ｃ）に示されるように、データラインＤ１〜Ｄ６に供給される。この場合、データ電流Ｉ１２〜Ｉ６２は、データラインＤ１〜Ｄ６、ピクセルＥ１２〜Ｅ６２及び第２スキャンラインＳ２を介してアースに流れる。その結果、第２スキャンラインＳ２に対応するピクセルＥ１２〜Ｅ６２が発光する。
同様に、第３スキャンラインＳ３に対応するピクセルＥ１３〜Ｅ６３が発光し、その後、第４スキャンラインＳ４に対応するピクセルＥ１４〜Ｅ６４が発光する。次いで、ピクセルＥ１１〜Ｅ６４がスキャンラインＳ１〜Ｓ４単位で発光動作を繰り返す。
以下、ピクセルＥ１１、Ｅ１２間の輝度差について、ピクセルＥ１１〜Ｅ６４の発光動作を詳述する。
まず、ピクセルＥ１１〜Ｅ６４とアース間の抵抗を詳しく説明する。
各カソード電極層３０２の幅が、図３に示されるように、対応するカソードラインに結合した第一端部から第二端部に向けて広がっている。
従って、一つのカソード電極層において、カソード電極層と関連したピクセルＥ１１〜Ｅ６４に対応する部分間の抵抗値は、図５（ｂ）に示されるように、対応するカソードラインに対応する第一端部から第二端部に向かって小さくなる。
例えば、図５（ｂ）に示されるように、ピクセルＥ１１とアースと間の抵抗は、スキャン抵抗ＲSであり、ピクセルＥ２１とアースと間の抵抗は、ＲS＋ＲPであり、ピクセルＥ３１とアースと間の抵抗は、ＲS＋１．８ＲPである。また、ピクセルＥ４１とアースと間の抵抗は、ＲS＋２．４ＲPであり、ピクセルＥ５１とアースと間の抵抗は、ＲS＋２．８ＲPであり、ピクセルＥ６１とアースと間の抵抗は、ＲS＋３ＲPである。
図５（ｃ）を参照すれば、上のような方式で計算する場合、ピクセルＥ１２とアースと間の抵抗は、ＲS＋３ＲPである。
以下、ピクセルＥ１１、Ｅ６１の輝度を比較する。
本発明の発光素子で、ピクセルＥ１１とアースと間の抵抗はＲSであり、ピクセルＥ６１とアースと間の抵抗は、ＲS＋３ＲPである。ここで、ピクセルＥ１１、Ｅ６１の輝度は、そのカソード電圧ＶＣ１１、ＶＣ６１に影響され、カソード電圧ＶＣ１１、ＶＣ６１は、データ電流Ｉ１１、Ｉ６１の大きさが同じである場合、ピクセルＥ１１、Ｅ６１とアースと間の抵抗値に比例する。結果的に、ピクセルＥ１１、Ｅ６１の輝度は、データ電流Ｉ１１、Ｉ６１の大きさが同じである場合、ピクセルＥ１１、Ｅ６１とアースと間の抵抗値に左右される。
上記の場合、データ電流Ｉ１１、Ｉ６１の大きさが同じであるとき、ピクセルＥ６１とアースと間の第１抵抗がピクセルＥ１１とアースと間の第２抵抗より大きいため、ピクセルＥ６１がピクセルＥ１１より暗く発光する。但し、第１抵抗と第２抵抗の差が３ＲPで、従来の発光素子での抵抗の差（５ＲP）より小さいため、ピクセルＥ１１、Ｅ６１の輝度差は使用者に認知されない。特に、発光素子のサイズが増加される場合、即ち、ピクセルの数が増加される場合、本発明の発光素子でピクセルの輝度差は、従来の発光素子でのピクセルの輝度差より遥かに小さくなる。
以下、ピクセルＥ１１、Ｅ１２の輝度を比較する。
ピクセルＥ１１とアース間の抵抗はＲSであり、ピクセルＥ１２とアースと間の抵抗は、ＲS＋３ＲPである。従って、ピクセルＥ１２は、ピクセルＥ１１より暗く発光するが、抵抗の差が小さくてデータ電流Ｉ１１、Ｉ１２の大きさが同じである場合、ピクセルＥ１１、Ｅ１２の輝度差は、使用者に視覚的に認知されない。
要するに、本発明の発光素子は、ピクセルＥ１１〜Ｅ６４の輝度差が使用者に視覚的に認知されないように、カソード電極層３０２の幅を特定の方向に向けて広くなるようにする。このようなカソード電極層３０２の幅の変化程度は、実験によって決定され得る。
本発明の他の実施形態に係る発光素子では、隔壁３０６の幅が一定でなく、位置に応じて異なる幅を有していてもよい。
図６（ａ）は、本発明の好ましい第２の実施形態に係る発光素子を図示した平面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）の発光素子を図示した回路図である。
図６（ａ）を参照すれば、本発明の発光素子は、アノード電極層６００、カソード電極層６０２、ピクセル６０４、隔壁６０６、アノードライン６０８、カソードライン６１０Ａ、６１０Ｂ及びドライバー６１２を含む。
カソード電極層６０２を除いた残りの構成要素は、第１の実施形態の構成要素と同一なので、以下説明を省略する。
カソード電極層６０２は、第１の実施形態のカソード電極層３０２と違って、対応するカソードラインに結合した第一端部から第二端部に向けてＮ（２つ以上の整数）個のアノード電極層を単位にしてその幅が広くなる。例えば、カソード電極層６０２は、図６（ａ）に示されるように、２個のアノード電極層単位において、その幅が広くなる。その結果、発光素子は、図６（ｂ）に図示するような抵抗を有する。
図６（ｂ）を参照すれば、ピクセルＥ１１とアースと間の第１抵抗とピクセルＥ６１とアースと間の第２抵抗は、３ＲPの差を有する。また、第１抵抗とピクセルＥ１２とアースと間の第３抵抗は、３ＲPの差を有する。従って、データ電流Ｉ１１、Ｉ６１、Ｉ１２
の大きさが同じである場合、ピクセルＥ１１、Ｅ６１、Ｅ１２の輝度差は、使用者に視覚的に認知されない。即ち、最も大きい輝度差を有するピクセルＥ１１、Ｅ６１、Ｅ１２間の輝度差が使用者に視覚的に認知されなく、それで、残りのピクセル間の輝度差は、使用者に視覚的に認知されない。
要するに、本発明の発光素子は、ピクセルＥ１１〜Ｅ６４の輝度差が使用者に視覚的に認知されないように、カソード電極層６０２の幅を一定単位で増加させる。
図７（ａ）は、本発明の好ましい第３の実施形態に係る発光素子を図示した平面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）の発光素子を図示した回路図である。
図７（ａ）を参照すれば、本発明の発光素子は、アノード電極層７００、カソード電極層７０２、ピクセル７０４、隔壁７０６、アノードライン７０８、カソードライン７１０Ａ、７１０Ｂ及びドライバー７１２を含む。
カソード電極層７０２を除いた残りの構成要素は、第１の実施形態の構成要素と同一なので、以下説明を省略する。
各カソード電極層７０２において、その終端の幅は小さいが、終端を除いた残りの部分の幅は、終端の幅より広い。その結果、発光素子は、図７（ｂ）に図示するような抵抗を有する。
図７（ｂ）を参照すれば、ピクセルＥ１１とアースとの間の第１抵抗とピクセルＥ６１とアースと間の第２抵抗は、３ＲPの差を有する。また、第１抵抗とピクセルＥ１２とアースと間の第３抵抗は、３ＲPの差を有する。従って、データ電流Ｉ１１、Ｉ６１、Ｉ１２の大きさが同じである場合、ピクセルＥ１１、Ｅ６１、Ｅ１２の輝度差は、使用者に視覚的に認知されない。
要するに、本発明の発光素子は、カソード電極層７０２の幅を第１、第２の実施形態と違って、一定に増加していないが、中間部分の幅を広く形成してピクセルＥ１１〜Ｅ６４に対応する抵抗の差を小さく形成する。結果的に、ピクセルＥ１１〜Ｅ６４の輝度差が使用者に視覚的に認知されない。
第１〜第３実施形態から分かるように、本発明の発光素子は、カソード電極層３０２、６０２、７０２の幅を変化させてピクセルＥ１１〜Ｅ６４間の輝度差を減少する。好ましくは、各カソード電極層３０２、６０２、７０２は、その終端部分より広い他の部分を有する。言い換えると、一つのカソード電極層において、同一面積を基準にするとき、終端に対応する抵抗より小さい抵抗値を有する他の部分が存在する。
また、第１〜第３実施形態において、隔壁３０６、６０６、７０６は一定の幅を有するが、隔壁３０６、６０６、７０６は、カソード電極層３０２、６０２、７０２を電気的に分離する限り、その幅が変化され得る。
図８は、本発明の好ましい第４の実施形態に係る発光素子を図示した平面図である。図９（ａ）は、本発明の好ましい一実施形態に係る図８の発光素子を図示した回路図であり、図９（ｂ）は、本発明の好ましい一実施形態に係る発光素子を駆動させる過程を図示した回路図である。
図８を参照すれば、本発明の発光素子は、アノード電極層８００、カソード電極層８０２、ピクセル８０４、隔壁８０６、アノードライン８０８、カソードライン８１０及びドライバー８１２を含む。
カソード電極層８０２、隔壁８０６及びカソードライン８１０を除いた残りの構成要素は、第１の実施形態の構成要素と類似の機能を達成するので、以下説明を省略する。
カソードライン８１０は、第１の実施形態のカソードライン３１０Ａ、３１０Ｂと違って、一方向においてカソード電極層８０２に連結される。
一つのカソード電極層は、対応するカソードラインに結合した第一端部から第二端部に向けて広がっている。その結果、発光素子は、図９（ｂ）に図示されるような抵抗を有する。
隔壁８０６は、カソード電極層８０２間に位置してカソード電極層８０２を電気的に分離する。但し、隔壁８０６の幅は、カソード電極層８０２の配列に対応して変わる。もちろん、隔壁８０６は、カソード電極層８０２の配列に関係なく一定の幅を有することができる。
以下、第４の実施形態の発光素子の回路構成について詳述する。
図９（ａ）を参照すれば、本発明の発光素子は、ピクセルＥ１１〜Ｅ６４及びドライバー８１２を含む。
ドライバー８１２は、制御部９００、スキャン駆動部９０２及びデータ駆動部９０４を含む。ここで、データラインＤ１〜Ｄ６は、アノード電極層８００及びアノードライン８０８に対応し、スキャンラインＳ１〜Ｓ４は、カソード電極層８０２及びカソードライン８１０に対応する。
スキャン駆動部９０２を除いた残りの構成要素は、第１の実施形態の構成要素と類似の機能を有するので、以下説明を省略する。
スキャン駆動部９０２は、一方向においてスキャンラインＳ１〜Ｓ４に連結され、スキャン信号をスキャンラインＳ１〜Ｓ４に供給する。
図１０（ａ）は、本発明の好ましい第５の実施形態に係る発光素子を図示した平面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の発光素子を図示した回路図である。
図１０（ａ）を参照すれば、本発明の発光素子は、アノード電極層１０００、カソード電極層１００２、ピクセル１００４、隔壁１００６、アノードライン１００８、カソードライン１０１０及びドライバー１０１２を含む。
カソード電極層１００２を除いた残りの構成要素は、第４の実施形態の構成要素と同一なので、以下説明を省略する。
カソード電極層１００２は、第４の実施形態のカソード電極層８０２と違って、対応するカソードラインに結合した第一端部から第二端部に向けてＮ（２つ以上の整数）個のアノード電極層を単位にしてその幅が広くなる。例えば、カソード電極層１００２は、図１０（ａ）に示されるように、２個のアノード電極層単位でその幅が広くなる。その結果、発光素子は、図１０（ｂ）に図示するような抵抗を有する。
図１１（ａ）は、本発明の好ましい第６実施形態に係る発光素子を図示した平面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）の発光素子を図示した回路図である。
図１１（ａ）を参照すれば、本発明の発光素子は、アノード電極層１１００、カソード電極層１１０２、ピクセル１１０４、隔壁１１０６、アノードライン１１０８、カソードライン１１１０及びドライバー１１１２を含む。
カソード電極層１１０２を除いた残りの構成要素は、第４の実施形態の構成要素と同一なので、以下説明を省略する。
各カソード電極層１１０２で、その終端の幅は小さいが、終端を除いた残りの部分の幅は終端の幅より広い幅を有する。その結果、発光素子は、図１１（ｂ）に図示する抵抗を有する。
以上説明した本発明は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明に対する通常の知識を有した当業者であれば、本発明の技術的思想と特許請求の範囲内で様々な修正、変更、付加が可能である。従って、このような修正、変更及び付加は本発明の特許請求の範囲に属するものである。
従来の発光素子を図示した平面図である。 図１の発光素子を図示した回路図である。 図２(a)の発光素子を駆動させる過程を図示した回路図である。 図２(a)の発光素子を駆動させる過程を図示した回路図である。 本発明の好ましい第１の実施形態に係る発光素子を図示した平面図である。 ４(a)は、本発明の一実施形態に係る図３のＩ−Ｉ'線に沿って切り取った発光素子を図示した断面図であり、４(b)は、本発明の一実施形態に係る図３のＩＩ−ＩＩ'線に沿って切り取った発光素子を図示した断面図である。 本発明の好ましい一実施形態に係る図３の発光素子を図示した回路図である。 本発明の好ましい一実施形態に係る発光素子を駆動させる過程を図示した回路図である。 本発明の好ましい一実施形態に係る発光素子を駆動させる過程を図示した回路図である。 本発明の好ましい第２の実施形態に係る発光素子を図示した平面図である。 図６(a)の発光素子を図示した回路図である。 本発明の好ましい第３の実施形態に係る発光素子を図示した平面図であ る。 図７(a)の発光素子を図示した回路図である。 本発明の好ましい第４の実施形態に係る発光素子を図示した平面図である。 本発明の好ましい一実施形態に係る図８の発光素子を図示した回路図である。 本発明の好ましい一実施形態に係る発光素子を駆動する過程を図示した回路図である。 本発明の好ましい第５の実施形態に係る発光素子を図示した平面図である。 図１０(a)の発光素子を図示した回路図である。 本発明の好ましい第６実施形態に係る発光素子を図示した平面図であ る。 図１１(a)の発光素子を図示した回路図である。
符号の説明
３００ アノード電極層
３０２ カソード電極層
３０４ ピクセル
３０６ 隔壁
３０８ アノードライン
３１０Ａ カソードライン
３１０Ｂ カソードライン
３１２ ドライバー
３１４ 駆動回路部

Claims (20)

  1. 第１方向に配列された複数のアノード電極層と、
    前記第１方向と異なる第２方向に配列された複数のカソード電極層と、
    前記アノード電極層と前記カソード電極層が交差する領域に形成される複数のピクセルと、
    前記カソード電極層に連結された各カソードラインとを含み、
    １つのカソード電極層において、このカソード電極層に対応する１つのカソードラインに隣接する第１ピクセルを除いた残りのピクセルに対応する部分間の抵抗の少なくとも１つは、前記第１ピクセルに対応する部分と前記第１ピクセルに隣接する１つのピクセルに対応する部分間の抵抗より小さい抵抗値を有することを特徴とする発光素子。
  2. 前記カソード電極層中の一部領域の幅は、前記カソード電極層と前記第１ピクセルに対応するアノード電極層とが交差する領域の幅より広いことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  3. 少なくとも１つのカソード電極層は、このカソード電極に対応するカソードラインに結合した第１端部から第２端部の方向に向けて、前記カソード電極層の幅が広くなることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  4. 前記カソード電極層の幅は、Ｎ（２つ以上の整数）個のアノード電極層を単位にして前記第１端部から前記第２端部の方向に向かって広がることを特徴とする請求項３に記載の発光素子。
  5. 前記発光素子は、さらに、前記カソード電極層間に配置され、前記カソード電極層を分離する隔壁を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  6. 少なくとも１つの隔壁の幅が、変化していることを特徴とする請求項５に記載の発光素子。
  7. 前記各隔壁の幅は、全領域にわたって同一であることを特徴とする請求項５に記載の発光素子。
  8. 前記各カソードラインは、
    前記カソード電極層中のいくつかに連結された第１カソードラインと、
    残りのカソード電極層に連結された第２カソードラインとを含むことを請求項１に記載の特徴とする発光素子。
  9. 前記発光素子は、さらに、
    前記複数のアノード電極層に連結された各アノードラインと、
    前記各カソードラインを介してスキャン信号を前記カソード電極層に伝送するスキャン駆動部と、
    前記アノードライン及び前記アノード電極層を介して前記ピクセルにデータ電流を供給するデータ駆動部とを含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  10. 前記発光素子は、さらに、
    前記複数のアノード電極層に連結された各アノードラインと、
    前記カソードラインを介して、前記カソード電極層のいくつかに第１スキャン信号を伝送する第１スキャン駆動部と、
    残りのカソードラインを介して他の前記カソード電極層に第２スキャン信号を伝送する第２スキャン駆動部と、
    前記アノードライン及び前記アノード電極層を介して、前記ピクセルにデータ電流を供給するデータ駆動部とを含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  11. 前記発光素子は、有機電界発光素子であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  12. 第１方向に配列された複数のアノード電極層と、
    前記第１方向と異なる第２方向に配列された複数のカソード電極層と、
    １つのアノード電極層と1つのカソード電極層が交差する第１領域と、他のアノード電極層と前記１つのカソード電極層が交差する第２領域に形成される複数のピクセルとを含み、
    前記第２領域の少なくとも１つの領域は、前記第１領域より広いことを特徴とする発光素子。
  13. 前記発光素子は、さらに、前記カソード電極層にそれぞれ連結されるカソードラインを含み、前記第１領域は、前記カソード電極層に結合したカソードラインに隣接して配置されることを特徴とする請求項１２に記載の発光素子。
  14. 前記第２領域は、順次広がる幅を有し、前記第１領域に隣接した第２領域は、前記第２領域の中で最も小さい幅を有することを特徴とする請求項１３に記載の発光素子。
  15. 前記ピクセル中の少なくとも１つは、有機物からなる発光層を含むことを特徴とする請求項１２に記載の発光素子。
  16. 前記発光素子は、さらに、前記カソード電極層間に配置されて前記カソード電極層を分離する隔壁を含むことを特徴とする請求項１２に記載の発光素子。
  17. 少なくとも１つの隔壁の幅が変化することを特徴とする請求項１６に記載の発光素子。
  18. 前記各隔壁の幅は、全領域にわたって同一であることを特徴とする請求項１６に記載の発光素子。
  19. 前記発光素子は、さらに、
    前記アノード電極層に連結された各アノードラインと、
    前記各カソードラインを介してスキャン信号を前記カソード電極層に伝送するスキャン駆動部と、
    前記アノードラインと前記アノード電極層を介して、複数の前記ピクセルにデータ電流を供給するデータ駆動部とを含むことを特徴とする請求項１２に記載の発光素子。
  20. 前記発光素子は、さらに、
    前記アノード電極層に連結された各アノードラインと、
    いくつかのカソードラインを介して、対応するカソード電極層に第１スキャン信号を伝送する第１スキャン駆動部と、
    残りのカソードラインを介して、対応するカソード電極層に第２スキャン信号を伝送する第２スキャン駆動部と、
    前記アノードライン及び前記アノード電極層を介して、複数の前記ピクセルにデータ電流を供給するデータ駆動部と、を含むことを特徴とする請求項１２に記載の発光素子。
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