JPH10112265A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents
プラズマディスプレイパネルInfo
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- JPH10112265A JPH10112265A JP26428196A JP26428196A JPH10112265A JP H10112265 A JPH10112265 A JP H10112265A JP 26428196 A JP26428196 A JP 26428196A JP 26428196 A JP26428196 A JP 26428196A JP H10112265 A JPH10112265 A JP H10112265A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマディスプレイパネルの誘電体ガラス
層およびＭｇＯ保護層の高耐圧化、高信頼性化を計るこ
とを目的とする。 【解決手段】 従来用いられてきた、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−
ＳｉＯ2系、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ系、およ
びＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3系の誘電体ガラ
ス層に、ガラスの粘性を低下させしかも気泡消滅が容易
な金属酸化物を加えることにより欠陥のない誘電体ガラ
ス層１３を形成することができる。また好ましくは、Ｍ
ｇＯ層１４をＣＶＤ法で製膜することにより欠陥のない
層を形成することができる。従って、信頼性が高く、高
歩留りのプラズマディスプレイパネルを得ることができ
る。
層およびＭｇＯ保護層の高耐圧化、高信頼性化を計るこ
とを目的とする。 【解決手段】 従来用いられてきた、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−
ＳｉＯ2系、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ系、およ
びＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3系の誘電体ガラ
ス層に、ガラスの粘性を低下させしかも気泡消滅が容易
な金属酸化物を加えることにより欠陥のない誘電体ガラ
ス層１３を形成することができる。また好ましくは、Ｍ
ｇＯ層１４をＣＶＤ法で製膜することにより欠陥のない
層を形成することができる。従って、信頼性が高く、高
歩留りのプラズマディスプレイパネルを得ることができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示デバイスなど
に用いるプラズマディスプレイパネルに関するもので、
特にプラズマディスプレイパネルの誘電体ガラス層およ
びＭｇＯ層に関するものである。
に用いるプラズマディスプレイパネルに関するもので、
特にプラズマディスプレイパネルの誘電体ガラス層およ
びＭｇＯ層に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の交流型（ＡＣ型）のプラ
ズマディスプレイパネルの概略断面図を示したものであ
る。図３において３１は、フロート法による硼硅酸ナト
リウム系ガラスより成るフロントカバープレート（前面
ガラス基板）であり、この前面ガラス基板３１上にイン
ジウム−スズ系の透明電極３２、またその上のバス電極
としての銀電極３３から成る表示電極３４が存在し、こ
の上をコンデンサの働きをする誘電体ガラス層３５と結
晶配向面が（１１１）面に配向した酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）誘電体保護層３６がおおっている。従来この
誘電体ガラス層３５には、主に酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化
硼素（Ｂ2Ｏ3）、酸化硅素（ＳｉＯ2）、酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）から成る比較的
低融点（融点５００〜６００℃）の酸化鉛系のガラスが
用いられてきた（例えば、特開平７−１０５８５５公
報）。
ズマディスプレイパネルの概略断面図を示したものであ
る。図３において３１は、フロート法による硼硅酸ナト
リウム系ガラスより成るフロントカバープレート（前面
ガラス基板）であり、この前面ガラス基板３１上にイン
ジウム−スズ系の透明電極３２、またその上のバス電極
としての銀電極３３から成る表示電極３４が存在し、こ
の上をコンデンサの働きをする誘電体ガラス層３５と結
晶配向面が（１１１）面に配向した酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）誘電体保護層３６がおおっている。従来この
誘電体ガラス層３５には、主に酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化
硼素（Ｂ2Ｏ3）、酸化硅素（ＳｉＯ2）、酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）から成る比較的
低融点（融点５００〜６００℃）の酸化鉛系のガラスが
用いられてきた（例えば、特開平７−１０５８５５公
報）。
【０００３】また、上記のＭｇＯ誘電体層３６は主にＭ
ｇＯを原料に用いた電子ビーム加熱による真空蒸着法に
より形成されてきた（例えば、特開平５−３４２９９１
号公報）。
ｇＯを原料に用いた電子ビーム加熱による真空蒸着法に
より形成されてきた（例えば、特開平５−３４２９９１
号公報）。
【０００４】尚、３７は背面ガラス基板（バックプレー
ト）であり、この背面ガラス基板３７上にアドレス電極
（銀電極）３８および隔壁３９蛍光体層４０が設けられ
ており、４１が放電ガスを封入する放電空間となってい
る。
ト）であり、この背面ガラス基板３７上にアドレス電極
（銀電極）３８および隔壁３９蛍光体層４０が設けられ
ており、４１が放電ガスを封入する放電空間となってい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年ハイビジョンをは
じめとする高品位、大画面テレビへの期待が高まってい
る。ＣＲＴは解像度・画質の点でプラズマディスプレイ
や液晶に対して優れているが、奥行きと重量の点で４０
インチ以上の大画面には向いていない。一方液晶は、消
費電力が少なく、駆動電圧も低いという優れた性能を有
しているが、画面の大きさや視野角に限界がある。これ
に対して、プラズマディスプレイは、大画面の実現が可
能であり、すでに４０インチクラスの製品が開発されて
いる（例えば、機能材料１９９６年２月号Ｖｏｌ．１
６、Ｎｏ．２ ７ページ）。
じめとする高品位、大画面テレビへの期待が高まってい
る。ＣＲＴは解像度・画質の点でプラズマディスプレイ
や液晶に対して優れているが、奥行きと重量の点で４０
インチ以上の大画面には向いていない。一方液晶は、消
費電力が少なく、駆動電圧も低いという優れた性能を有
しているが、画面の大きさや視野角に限界がある。これ
に対して、プラズマディスプレイは、大画面の実現が可
能であり、すでに４０インチクラスの製品が開発されて
いる（例えば、機能材料１９９６年２月号Ｖｏｌ．１
６、Ｎｏ．２ ７ページ）。
【０００６】しかしながら現行４０〜４２インチクラス
のプラズマディスプレイの画素レベルは、ＮＴＳＣレベ
ル（画素数６４０×４８０個、セルピッチ０．４３ｍｍ
×１．２９ｍｍ、１セルの面積０．５５ｍｍ2）である
（例えば、機能材料１９９６年２月号Ｖｏｌ．１６、Ｎ
ｏ．２ ７ページ）。
のプラズマディスプレイの画素レベルは、ＮＴＳＣレベ
ル（画素数６４０×４８０個、セルピッチ０．４３ｍｍ
×１．２９ｍｍ、１セルの面積０．５５ｍｍ2）である
（例えば、機能材料１９９６年２月号Ｖｏｌ．１６、Ｎ
ｏ．２ ７ページ）。
【０００７】近年期待されているフルスペックのハイビ
ジョンテレビの画素レベルは、画素数が１９２０×１１
２５となり、セルピッチも４２インチクラスで、０．１
５ｍｍ×０．４８ｍｍで１セルの面積は０．０７２ｍｍ
2の細かさになる。同じ４２インチの大きさでハイビジ
ョンテレビを作成した時、１画素の面積でＮＴＳＣと比
較すると、１／７〜１／８の細かさとなる。したがっ
て、放電電極（表示電極）間距離が短かくなるばかりで
なく放電空間もせまくなるため、従来のＮＴＳＣと同じ
放電電圧でパネルを駆動させ、輝度と信頼性を確保する
ためには誘電体ガラス層およびＭｇＯ保護層の高耐圧
化、高信頼の確保、および高容量化が必要となる。
ジョンテレビの画素レベルは、画素数が１９２０×１１
２５となり、セルピッチも４２インチクラスで、０．１
５ｍｍ×０．４８ｍｍで１セルの面積は０．０７２ｍｍ
2の細かさになる。同じ４２インチの大きさでハイビジ
ョンテレビを作成した時、１画素の面積でＮＴＳＣと比
較すると、１／７〜１／８の細かさとなる。したがっ
て、放電電極（表示電極）間距離が短かくなるばかりで
なく放電空間もせまくなるため、従来のＮＴＳＣと同じ
放電電圧でパネルを駆動させ、輝度と信頼性を確保する
ためには誘電体ガラス層およびＭｇＯ保護層の高耐圧
化、高信頼の確保、および高容量化が必要となる。
【０００８】特に誘電体ガラス層およびＭｇＯ保護層の
高耐圧化、高信頼性化に対しては、これら層中の気泡や
欠陥の抑制が必要であり、また、高容量化（セル面積が
減少するため、コンデンサとしての同一容量を保障する
ためには、誘電体ガラスＭｇＯ膜厚を薄くする必要があ
る）に対しては、誘電体ガラス層およびＭｇＯ層の膜厚
を薄くする必要がある。
高耐圧化、高信頼性化に対しては、これら層中の気泡や
欠陥の抑制が必要であり、また、高容量化（セル面積が
減少するため、コンデンサとしての同一容量を保障する
ためには、誘電体ガラスＭｇＯ膜厚を薄くする必要があ
る）に対しては、誘電体ガラス層およびＭｇＯ層の膜厚
を薄くする必要がある。
【０００９】従来のＰｂＯ系誘電体ガラスや真空蒸着法
によるＭｇＯ膜を用いて誘電体ガラス層やＭｇＯ膜を従
来より薄く形成し、ハイビジョン用のプラズマディスプ
レイパネルに適応すると、膜中の気泡や欠陥のためにパ
ネルをエージングする工程での不良率が高くなるという
課題があった。
によるＭｇＯ膜を用いて誘電体ガラス層やＭｇＯ膜を従
来より薄く形成し、ハイビジョン用のプラズマディスプ
レイパネルに適応すると、膜中の気泡や欠陥のためにパ
ネルをエージングする工程での不良率が高くなるという
課題があった。
【００１０】また、フロントパネル上の銀電極中の銀が
誘電体ガラス焼成時に、ガラス基板側に拡散し、ガラス
中のスズイオン（Ｓｎイオン）に還元されて、銀のコロ
イドを発生し、黄色に変色するという課題があったが、
特にハイビジョンのような電極ピッチがせまくなると、
パネルに黄色のフィルターがかかった状態となり画質上
の大きな課題となる。
誘電体ガラス焼成時に、ガラス基板側に拡散し、ガラス
中のスズイオン（Ｓｎイオン）に還元されて、銀のコロ
イドを発生し、黄色に変色するという課題があったが、
特にハイビジョンのような電極ピッチがせまくなると、
パネルに黄色のフィルターがかかった状態となり画質上
の大きな課題となる。
【００１１】そこで本発明は、誘電体ガラス層やＭｇＯ
膜の信頼性が高く、画質上の問題もないプラズマディス
プレイパネルを提供することを目的とする。
膜の信頼性が高く、画質上の問題もないプラズマディス
プレイパネルを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するため従来用いられてきた、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ
2系、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ系またはＰｂＯ
−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3系の誘電体ガラスにガラ
スの粘性を低下させ、しかも気泡消滅が容易な金属酸化
物を加えることにより誘電体ガラス層が薄くてもピンホ
ールや欠陥が少ないガラス層が形成できるため高耐圧化
と高容量化が可能である。またＭｇＯ層を従来の真空蒸
着法からＣＶＤ法に変えることによってＭｇＯ層も欠陥
が少なくち密な膜が形成されるため、同じく高耐圧化が
可能である。上記の手段を取ることによってハイビジョ
ンのようにセルピッチやセル面積が小さいパネルにおい
ても信頼性の高いパネルが得られる。
するため従来用いられてきた、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ
2系、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ系またはＰｂＯ
−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3系の誘電体ガラスにガラ
スの粘性を低下させ、しかも気泡消滅が容易な金属酸化
物を加えることにより誘電体ガラス層が薄くてもピンホ
ールや欠陥が少ないガラス層が形成できるため高耐圧化
と高容量化が可能である。またＭｇＯ層を従来の真空蒸
着法からＣＶＤ法に変えることによってＭｇＯ層も欠陥
が少なくち密な膜が形成されるため、同じく高耐圧化が
可能である。上記の手段を取ることによってハイビジョ
ンのようにセルピッチやセル面積が小さいパネルにおい
ても信頼性の高いパネルが得られる。
【００１３】また、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス
に遷移金属の酸化物であるＣｕ2Ｏ、ＣｏＯ、Ｃｒ
2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ等を小量ガラスに添加すること
でガラスの粘度を低下させると同時にガラスを青あるい
は緑色に着色させＡｇコロイドの黄色を画質上キャンセ
ルさせることが出来画質の向上が計れる。
に遷移金属の酸化物であるＣｕ2Ｏ、ＣｏＯ、Ｃｒ
2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ等を小量ガラスに添加すること
でガラスの粘度を低下させると同時にガラスを青あるい
は緑色に着色させＡｇコロイドの黄色を画質上キャンセ
ルさせることが出来画質の向上が計れる。
【００１４】
（実施の形態１）以下本発明の実施の形態１におけるプ
ラズマディスプレイパネルについて、図面を参照しなが
ら説明する。図１は、本発明の一実施の形態における交
流面放電型プラズマディスプレイパネルの概略断面図を
示したものである。図１において、前面ガラス基板１１
上にスクリーン印刷後焼成することによって得られた第
１の電極としての銀電極１２を形成し、この上に８０重
量％の酸化鉛（ＰｂＯ）、１０重量％の酸化硼素（Ｂ2
Ｏ3）、８重量％の酸化硅素（ＳｉＯ2）、１重量％の酸
化亜鉛（ＺｎＯ）、１重量％の酸化カリウム（Ｋ2Ｏ）
から成る誘電体ガラス層１３をスクリーン印刷後焼成し
て、約１５μｍの膜厚に形成した。
ラズマディスプレイパネルについて、図面を参照しなが
ら説明する。図１は、本発明の一実施の形態における交
流面放電型プラズマディスプレイパネルの概略断面図を
示したものである。図１において、前面ガラス基板１１
上にスクリーン印刷後焼成することによって得られた第
１の電極としての銀電極１２を形成し、この上に８０重
量％の酸化鉛（ＰｂＯ）、１０重量％の酸化硼素（Ｂ2
Ｏ3）、８重量％の酸化硅素（ＳｉＯ2）、１重量％の酸
化亜鉛（ＺｎＯ）、１重量％の酸化カリウム（Ｋ2Ｏ）
から成る誘電体ガラス層１３をスクリーン印刷後焼成し
て、約１５μｍの膜厚に形成した。
【００１５】次に上記の誘電体ガラス層１３上に酸化マ
グネシウム（ＭｇＯ）をＣＶＤ法（化学蒸着法）にて成
膜する方法を図２を参照しながら説明する。尚、誘電体
ガラス層１３上の保護膜に使用される酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）から成る保護層を、ＣＶＤ法（化学蒸着法）
を用いることによって酸化マグネシウムの（１００）面
に配向させた（１００）配向面誘電体保護層１４とする
ことができる。
グネシウム（ＭｇＯ）をＣＶＤ法（化学蒸着法）にて成
膜する方法を図２を参照しながら説明する。尚、誘電体
ガラス層１３上の保護膜に使用される酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）から成る保護層を、ＣＶＤ法（化学蒸着法）
を用いることによって酸化マグネシウムの（１００）面
に配向させた（１００）配向面誘電体保護層１４とする
ことができる。
【００１６】図２は、プラズマディスプレイパネルの保
護層を形成する際に用いるＣＶＤ装置（本実施の形態で
は特に熱ＣＶＤ法を用いる）の概略図を示したものであ
る。
護層を形成する際に用いるＣＶＤ装置（本実施の形態で
は特に熱ＣＶＤ法を用いる）の概略図を示したものであ
る。
【００１７】図２において、２１はアルカリ土類の金属
キレートあるいは、シクロペンタジエニル化合物をＣＶ
Ｄ装置内に輸送するためのアルゴン（Ａｒ）ガスボン
ベ、２２はアルカリ土類の酸化物（ＭｇＯ）の原料とな
る金属キレートを加熱して蒸発させる気化器（バブラ
ー）、２３はアルカリ土類の酸化物（ＭｇＯ）の原料と
なるシクロペンタジエニル化合物を加熱して蒸発させる
気化器（バブラー）、２４は反応ガスである酸素ボン
ベ、２５はＣＶＤ装置本体、２６は基板を加熱するヒー
タ、２７は誘電体ガラス層が形成されたガラス基板、２
８はプラズマＣＶＤを行う時に使う高周波電源、２９は
排気装置である。
キレートあるいは、シクロペンタジエニル化合物をＣＶ
Ｄ装置内に輸送するためのアルゴン（Ａｒ）ガスボン
ベ、２２はアルカリ土類の酸化物（ＭｇＯ）の原料とな
る金属キレートを加熱して蒸発させる気化器（バブラ
ー）、２３はアルカリ土類の酸化物（ＭｇＯ）の原料と
なるシクロペンタジエニル化合物を加熱して蒸発させる
気化器（バブラー）、２４は反応ガスである酸素ボン
ベ、２５はＣＶＤ装置本体、２６は基板を加熱するヒー
タ、２７は誘電体ガラス層が形成されたガラス基板、２
８はプラズマＣＶＤを行う時に使う高周波電源、２９は
排気装置である。
【００１８】先ず、スクリーン印刷後焼成することによ
って作成された、銀電極上に有機バインダー（１０％の
エチルセルローズを含むメーターピネオール）を含む、
８０重量％のＰｂＯ、１０重量％のＢ2Ｏ3、８重量％の
ＳｉＯ2、１重量％のＺｎＯ、１重量％のＫ2Ｏからなる
鉛系の誘電体ガラス層をスクリーン印刷法で形成後５５
０℃で１０分間焼成して得られたガラス基板２７をＣＶ
Ｄ装置２５の３５０℃に加熱されたヒーター部２６上に
置き、次にＡｒボンベ２１から毎分１ｌのＡｒガスを１
２５℃に加熱された、アルカリ土類の金属キレートであ
るマグネシウムジピバブロイルメタン［Ｍｇ（Ｃ11Ｈ19
Ｏ2）2］が入った気化器２２を通してガラス基板２７上
に１分間流し同時にボンベ２４から反応ガスである酸素
（Ｏ2）を毎分２ｌの割合で同じく２０秒間ガラス基板
２７上に流して熱ＣＶＤを行い、０．３μｍの酸化マグ
ネシウム（ＭｇＯ）の保護層を形成した（膜形成速度
１．０μｍ／分）。
って作成された、銀電極上に有機バインダー（１０％の
エチルセルローズを含むメーターピネオール）を含む、
８０重量％のＰｂＯ、１０重量％のＢ2Ｏ3、８重量％の
ＳｉＯ2、１重量％のＺｎＯ、１重量％のＫ2Ｏからなる
鉛系の誘電体ガラス層をスクリーン印刷法で形成後５５
０℃で１０分間焼成して得られたガラス基板２７をＣＶ
Ｄ装置２５の３５０℃に加熱されたヒーター部２６上に
置き、次にＡｒボンベ２１から毎分１ｌのＡｒガスを１
２５℃に加熱された、アルカリ土類の金属キレートであ
るマグネシウムジピバブロイルメタン［Ｍｇ（Ｃ11Ｈ19
Ｏ2）2］が入った気化器２２を通してガラス基板２７上
に１分間流し同時にボンベ２４から反応ガスである酸素
（Ｏ2）を毎分２ｌの割合で同じく２０秒間ガラス基板
２７上に流して熱ＣＶＤを行い、０．３μｍの酸化マグ
ネシウム（ＭｇＯ）の保護層を形成した（膜形成速度
１．０μｍ／分）。
【００１９】このＭｇＯ膜のＸ線解析を行なった結果、
この膜は、（１００）面に配向していることがわかっ
た。次に図１を用いて、保護層付き前面パネルと背パネ
ルを張り合せて、プラズマディスプレイパネルを作成す
る方法を述べる。
この膜は、（１００）面に配向していることがわかっ
た。次に図１を用いて、保護層付き前面パネルと背パネ
ルを張り合せて、プラズマディスプレイパネルを作成す
る方法を述べる。
【００２０】図１において、スクリーン印刷後焼成する
ことによって得られた第２の電極としての銀電極（アド
レス電極）１６と高さ０．１５ｍｍのガラス製の隔壁１
７（隔壁の間隔０．１５ｍｍ）およびその隔壁内に蛍光
体層１８［蛍光体は、赤色；（ＹXＧｄ1-X）ＢＯ3：Ｅ
ｕ3+、緑色；Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、青色；ＢａＭｇＡｌ
10Ｏ17：Ｅｕ2+がそれぞれ隔壁で分離されているが、図
１には、一色のみを図示している］が設けられた背ガラ
ス基板１５を封着用ガラスを用いて前記前面パネルと張
り合せ、放電ガス封入の前に、放電空間部１９を８×１
０-7Ｔｏｒｒ真空度に排気し、放電空間部内に１０％キ
セノン（Ｘｅ）ガスを含むヘリウム（Ｈｅ）ガスを放電
ガスとして５００Ｔｏｒｒ封入し、交流面放電型プラズ
マディスプレイとした。
ことによって得られた第２の電極としての銀電極（アド
レス電極）１６と高さ０．１５ｍｍのガラス製の隔壁１
７（隔壁の間隔０．１５ｍｍ）およびその隔壁内に蛍光
体層１８［蛍光体は、赤色；（ＹXＧｄ1-X）ＢＯ3：Ｅ
ｕ3+、緑色；Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、青色；ＢａＭｇＡｌ
10Ｏ17：Ｅｕ2+がそれぞれ隔壁で分離されているが、図
１には、一色のみを図示している］が設けられた背ガラ
ス基板１５を封着用ガラスを用いて前記前面パネルと張
り合せ、放電ガス封入の前に、放電空間部１９を８×１
０-7Ｔｏｒｒ真空度に排気し、放電空間部内に１０％キ
セノン（Ｘｅ）ガスを含むヘリウム（Ｈｅ）ガスを放電
ガスとして５００Ｔｏｒｒ封入し、交流面放電型プラズ
マディスプレイとした。
【００２１】次にこれと同じ製造方法でパネルを２０枚
作成し、パネルのエージングのため放電維持電圧２５０
Ｖ、周波数５０ＫＨｚで４時間放電させた後、パネルの
欠陥（エージング中の誘電体のブレイクダウンによる欠
陥）を調べた結果、２１枚のパネルで、３枚のパネルで
欠陥があった。この結果を下記の表の試料番号１に示
す。
作成し、パネルのエージングのため放電維持電圧２５０
Ｖ、周波数５０ＫＨｚで４時間放電させた後、パネルの
欠陥（エージング中の誘電体のブレイクダウンによる欠
陥）を調べた結果、２１枚のパネルで、３枚のパネルで
欠陥があった。この結果を下記の表の試料番号１に示
す。
【００２２】
【表１】
【００２３】（実施の形態２）次に以下では、本発明の
実施の形態２におけるプラズマディスプレイパネルにつ
いて、図面を参照しながら説明する。本実施の形態は、
熱ＣＶＤ法の代わりにプラズマＣＶＤ法によってパネル
を形成している点が上記の実施の形態１とは異なる。
実施の形態２におけるプラズマディスプレイパネルにつ
いて、図面を参照しながら説明する。本実施の形態は、
熱ＣＶＤ法の代わりにプラズマＣＶＤ法によってパネル
を形成している点が上記の実施の形態１とは異なる。
【００２４】図１は、本実施の形態を説明するために用
いた交流面放電型プラズマディスプレイパネルの概略断
面図である。前面ガラス基板１１上にスクリーン印刷後
焼成することによって得られた銀電極１２を形成し、こ
の上に７０重量％の酸化鉛（ＰｂＯ）、１３重量％の酸
化硼素（Ｂ2Ｏ3）、１０重量％の酸化硅素（Ｓｉ
Ｏ2）、５重量％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）、２重量％の酸
化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）から成る鉛系の誘電体ガラス層
１３をスクリーン印刷後焼却して、約２０μｍの膜厚に
形成した。
いた交流面放電型プラズマディスプレイパネルの概略断
面図である。前面ガラス基板１１上にスクリーン印刷後
焼成することによって得られた銀電極１２を形成し、こ
の上に７０重量％の酸化鉛（ＰｂＯ）、１３重量％の酸
化硼素（Ｂ2Ｏ3）、１０重量％の酸化硅素（Ｓｉ
Ｏ2）、５重量％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）、２重量％の酸
化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）から成る鉛系の誘電体ガラス層
１３をスクリーン印刷後焼却して、約２０μｍの膜厚に
形成した。
【００２５】次にこの誘電体ガラス層上にＭｇＯをプラ
ズマＣＶＤ法（プラズマ化学蒸着法）にて成膜する方法
を図２を用いて述べる。
ズマＣＶＤ法（プラズマ化学蒸着法）にて成膜する方法
を図２を用いて述べる。
【００２６】図２は、プラズマディスプレイパネルの保
護層を形成する際に用いるＣＶＤ装置の概略図である。
図２において、２１は、アルカリ土類の金属キレートあ
るいは、シクロペンタジエニル化合物をＣＶＤ装置内に
輸送するためのアルゴン（Ａｒ）ガスボンベ、２２は、
アルカリ土類の酸化物（ＭｇＯ）の原料となる金属キレ
ートを加熱して蒸発させる気化器（バブラー）、２３
は、アルカリ土類の酸化物（ＭｇＯ）の原料となるシク
ロペンタジエニル化合物を加熱して蒸発させる気化器
（バブラー）、２４は、反応ガスである酸素ボンベ、２
５は、ＣＶＤ装置本体、２６は、基板を加熱するヒー
タ、２７は、誘電体ガラス層が形成されたガラス基板、
２８は、プラズマＣＶＤを行う時に使う高周波電源、２
９は、排気装置である。
護層を形成する際に用いるＣＶＤ装置の概略図である。
図２において、２１は、アルカリ土類の金属キレートあ
るいは、シクロペンタジエニル化合物をＣＶＤ装置内に
輸送するためのアルゴン（Ａｒ）ガスボンベ、２２は、
アルカリ土類の酸化物（ＭｇＯ）の原料となる金属キレ
ートを加熱して蒸発させる気化器（バブラー）、２３
は、アルカリ土類の酸化物（ＭｇＯ）の原料となるシク
ロペンタジエニル化合物を加熱して蒸発させる気化器
（バブラー）、２４は、反応ガスである酸素ボンベ、２
５は、ＣＶＤ装置本体、２６は、基板を加熱するヒー
タ、２７は、誘電体ガラス層が形成されたガラス基板、
２８は、プラズマＣＶＤを行う時に使う高周波電源、２
９は、排気装置である。
【００２７】先ず、スクリーン印刷後焼成によって得ら
れた銀電極上に、有機バインダー（１０％のエチルセル
ローズを含むメーターピネオール）を含む、７０重量％
のＰｂＯ、１３重量％のＢ2Ｏ3、１０重量％のＳｉ
Ｏ2、５重量％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）、２重量％の酸化
リチウム（Ｌｉ2Ｏ）から成る鉛系の誘電体ガラス層を
スクリーン印刷法で形成後５５０℃で１０分間焼成して
得られたガラス基板２７をＣＶＤ装置２５の２５０℃に
加熱されたヒーター部２６上に置き、次にＡｒボンベ２
１から毎分１リットル（ｌ）のＡｒガスを１２５℃に加
熱された、マグネシウムのシクロペンタジエニル化合物
であるＭｇ（Ｃ5Ｈ5）2が入った気化器２１を通してガ
ラス基板２７上に１分間流し同時にボンベ２４から反応
ガスである酸素（Ｏ2）を毎分２リットルの割合で同じ
く１分間ガラス基板２７上に流し、次にプラズマを発生
させるために反応容器内を排気装置２９を使用して、１
０Ｔｏｒｒに減圧し、高周波電源２８から１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波電界を３００ワット（３００Ｗ）で２０秒
間印加し、プラズマＣＶＤを行い０．３μｍの酸化マグ
ネシウム（ＭｇＯ）の保護層を形成した（膜形成速度
０．９μｍ／分）。
れた銀電極上に、有機バインダー（１０％のエチルセル
ローズを含むメーターピネオール）を含む、７０重量％
のＰｂＯ、１３重量％のＢ2Ｏ3、１０重量％のＳｉ
Ｏ2、５重量％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）、２重量％の酸化
リチウム（Ｌｉ2Ｏ）から成る鉛系の誘電体ガラス層を
スクリーン印刷法で形成後５５０℃で１０分間焼成して
得られたガラス基板２７をＣＶＤ装置２５の２５０℃に
加熱されたヒーター部２６上に置き、次にＡｒボンベ２
１から毎分１リットル（ｌ）のＡｒガスを１２５℃に加
熱された、マグネシウムのシクロペンタジエニル化合物
であるＭｇ（Ｃ5Ｈ5）2が入った気化器２１を通してガ
ラス基板２７上に１分間流し同時にボンベ２４から反応
ガスである酸素（Ｏ2）を毎分２リットルの割合で同じ
く１分間ガラス基板２７上に流し、次にプラズマを発生
させるために反応容器内を排気装置２９を使用して、１
０Ｔｏｒｒに減圧し、高周波電源２８から１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波電界を３００ワット（３００Ｗ）で２０秒
間印加し、プラズマＣＶＤを行い０．３μｍの酸化マグ
ネシウム（ＭｇＯ）の保護層を形成した（膜形成速度
０．９μｍ／分）。
【００２８】このＭｇＯ膜のＸ線解析を行なった結果、
この膜は、（１００）面に配向していることがわかっ
た。次に図１を用いて保護層付き前面パネルと背パネル
を張り合せて、プラズマディスプレイパネルを作成する
方法を述べる。
この膜は、（１００）面に配向していることがわかっ
た。次に図１を用いて保護層付き前面パネルと背パネル
を張り合せて、プラズマディスプレイパネルを作成する
方法を述べる。
【００２９】図１においてスクリーン印刷後焼成するこ
とによって得られた銀電極１６と高さ０．１５ｍｍのガ
ラス製の隔壁１７（隔壁の間隔０．１５ｍｍ）およびそ
の隔壁内に蛍光体層１８［蛍光体は、赤色；（ＹXＧｄ
1-X）ＢＯ3：Ｅｕ3+、緑色；Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、青
色；ＢａＭｇＡｌ14Ｏ23：Ｅｕ2+がそれぞれ隔壁で分離
されているが、図１には、一色のみを図示している］が
設けられた背ガラス基板１５を封着用ガラスを用いて前
記前面パネルと張り合せ、放電ガス封入の前に、放電空
間部１９を８×１０-7Ｔｏｒｒの真空度に排気し、放電
空間部内に２０％キセノン（Ｘｅ）ガスを含むヘリウム
（Ｈｅ）ガスを放電ガスとして６００Ｔｏｒｒ封入し、
交流面放電型プラズマディスプレイパネルとした。
とによって得られた銀電極１６と高さ０．１５ｍｍのガ
ラス製の隔壁１７（隔壁の間隔０．１５ｍｍ）およびそ
の隔壁内に蛍光体層１８［蛍光体は、赤色；（ＹXＧｄ
1-X）ＢＯ3：Ｅｕ3+、緑色；Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、青
色；ＢａＭｇＡｌ14Ｏ23：Ｅｕ2+がそれぞれ隔壁で分離
されているが、図１には、一色のみを図示している］が
設けられた背ガラス基板１５を封着用ガラスを用いて前
記前面パネルと張り合せ、放電ガス封入の前に、放電空
間部１９を８×１０-7Ｔｏｒｒの真空度に排気し、放電
空間部内に２０％キセノン（Ｘｅ）ガスを含むヘリウム
（Ｈｅ）ガスを放電ガスとして６００Ｔｏｒｒ封入し、
交流面放電型プラズマディスプレイパネルとした。
【００３０】次にこれと同じ製造方法でパネルを２０枚
作成し、パネルのエージングのため放電維持電圧２５０
Ｖ、周波数５０ＫＨｚで４時間放電させた後、パネルの
欠陥（エージング中の誘電体のブレイクダウンによる欠
陥）を調べた結果、２１枚のパネルで、２枚のパネルで
欠陥が発生していた。この結果を（表１）の試料番号２
に示す。
作成し、パネルのエージングのため放電維持電圧２５０
Ｖ、周波数５０ＫＨｚで４時間放電させた後、パネルの
欠陥（エージング中の誘電体のブレイクダウンによる欠
陥）を調べた結果、２１枚のパネルで、２枚のパネルで
欠陥が発生していた。この結果を（表１）の試料番号２
に示す。
【００３１】以下同様にして、誘電体ガラスの組成、Ｍ
ｇＯの成膜条件等を変えて、前面ガラスパネル（フロン
トパネル）を作成し、背面パネル（バックパネル）を張
り合せて、プラズマディスプレイパネルを２１枚作成
し、維持電圧２５０Ｖ、周波数５０ＫＨｚで４時間エー
ジングした後の欠陥パネルの枚数を（表１）及び下記の
表の試料番号３〜２７に示す。だだし、試料番号２４〜
２７は本願発明外の比較例の試料である。
ｇＯの成膜条件等を変えて、前面ガラスパネル（フロン
トパネル）を作成し、背面パネル（バックパネル）を張
り合せて、プラズマディスプレイパネルを２１枚作成
し、維持電圧２５０Ｖ、周波数５０ＫＨｚで４時間エー
ジングした後の欠陥パネルの枚数を（表１）及び下記の
表の試料番号３〜２７に示す。だだし、試料番号２４〜
２７は本願発明外の比較例の試料である。
【００３２】
【表２】
【００３３】上記した（表１）及び（表２）の結果から
も明らかなように、誘電体ガラス層の組成を制御するこ
とにより、欠陥のない誘電体ガラス層を形成することが
できる。また、好ましくはＭｇＯ層の形成を熱ＣＶＤ法
またはプラズマＣＶＤ法とすることにより、欠陥のない
ＭｇＯ膜を形成することができる。そして結果的にはプ
ラズマディスプレイパネルそのものの信頼性を著しく高
めることが可能となる。
も明らかなように、誘電体ガラス層の組成を制御するこ
とにより、欠陥のない誘電体ガラス層を形成することが
できる。また、好ましくはＭｇＯ層の形成を熱ＣＶＤ法
またはプラズマＣＶＤ法とすることにより、欠陥のない
ＭｇＯ膜を形成することができる。そして結果的にはプ
ラズマディスプレイパネルそのものの信頼性を著しく高
めることが可能となる。
【００３４】具体的には、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系
の誘電体ガラス層に対しては、金属酸化物１重量％〜１
０重量％（ただし、金属酸化物は、酸化カリウム（Ｋ2
Ｏ）、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化ナトリウム（Ｎ
ａ2Ｏ）、酸化銅（Ｃｕ2Ｏ）、酸化銀（Ａｇ2Ｏ）、酸
化タリウム（Ｔｌ2Ｏ3）、酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5）の
うちのいずれか一種）を添加する、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−Ｓ
ｉＯ2−ＺｎＯ系またはＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ
2Ｏ3系の誘電体ガラスに対しては、金属酸化物１重量％
〜１０重量％（ただし、金属酸化物は、酸化カリウム
（Ｋ2Ｏ）、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化ナトリウム
（Ｎａ2Ｏ）、酸化銅（Ｃｕ2Ｏ）、酸化銀（Ａｇ
2Ｏ）、酸化タリウム（Ｔｌ2Ｏ3）、酸化バナジウム
（Ｖ2Ｏ5）のうちのいずれか一種）を添加することによ
りガラスの粘性を低下させ、しかも気泡消滅が容易とな
り、結果として誘電体ガラス層が薄くてもピンホールや
欠陥が少ないガラス層が形成できるため高耐圧化と高容
量化が可能となる。またＭｇＯ層を従来の真空蒸着法か
らＣＶＤ法に変えることによってＭｇＯ層も欠陥が少な
くち密な膜が形成されるため、同じく高耐圧化が可能で
ある。そして上記の手段を取ることによってハイビジョ
ンのようにセルピッチやセル面積が小さいパネルにおい
ても信頼性の高いパネルが得られる。
の誘電体ガラス層に対しては、金属酸化物１重量％〜１
０重量％（ただし、金属酸化物は、酸化カリウム（Ｋ2
Ｏ）、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化ナトリウム（Ｎ
ａ2Ｏ）、酸化銅（Ｃｕ2Ｏ）、酸化銀（Ａｇ2Ｏ）、酸
化タリウム（Ｔｌ2Ｏ3）、酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5）の
うちのいずれか一種）を添加する、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−Ｓ
ｉＯ2−ＺｎＯ系またはＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ
2Ｏ3系の誘電体ガラスに対しては、金属酸化物１重量％
〜１０重量％（ただし、金属酸化物は、酸化カリウム
（Ｋ2Ｏ）、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化ナトリウム
（Ｎａ2Ｏ）、酸化銅（Ｃｕ2Ｏ）、酸化銀（Ａｇ
2Ｏ）、酸化タリウム（Ｔｌ2Ｏ3）、酸化バナジウム
（Ｖ2Ｏ5）のうちのいずれか一種）を添加することによ
りガラスの粘性を低下させ、しかも気泡消滅が容易とな
り、結果として誘電体ガラス層が薄くてもピンホールや
欠陥が少ないガラス層が形成できるため高耐圧化と高容
量化が可能となる。またＭｇＯ層を従来の真空蒸着法か
らＣＶＤ法に変えることによってＭｇＯ層も欠陥が少な
くち密な膜が形成されるため、同じく高耐圧化が可能で
ある。そして上記の手段を取ることによってハイビジョ
ンのようにセルピッチやセル面積が小さいパネルにおい
ても信頼性の高いパネルが得られる。
【００３５】また、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラス
に遷移金属の酸化物であるＣｕ2Ｏ、ＣｏＯ、Ｃｒ
2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ等を小量ガラスに添加すること
でガラスの粘度を低下させると同時にガラスを青あるい
は緑色に着色させＡｇコロイドの黄色を画質上キャンセ
ルさせることが出来画質の向上を計ることができる。
に遷移金属の酸化物であるＣｕ2Ｏ、ＣｏＯ、Ｃｒ
2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ等を小量ガラスに添加すること
でガラスの粘度を低下させると同時にガラスを青あるい
は緑色に着色させＡｇコロイドの黄色を画質上キャンセ
ルさせることが出来画質の向上を計ることができる。
【００３６】なお、誘電体ガラス組成においてＰｂＯの
範囲を６０重量％〜８０重量％に限定したのは６０重量
％以下では、ガラスの融点が高くなり、気泡や欠陥をな
くすためには、基板ガラス（フロートガラス）の軟化点
以上の温度で誘電体ガラスを焼成しなくてはならず、基
板ガラスが変形してしまうため好ましくないためであ
り、また８０重量％以上になると、融点は下るが、誘電
体ガラスの熱膨張係数が１００×１０-7／℃以上になる
ため、焼成後の冷却時に基板ガラス（熱膨張係数８３〜
９０×１０-7／℃）が割れるという問題が発生するため
好ましくないためである。
範囲を６０重量％〜８０重量％に限定したのは６０重量
％以下では、ガラスの融点が高くなり、気泡や欠陥をな
くすためには、基板ガラス（フロートガラス）の軟化点
以上の温度で誘電体ガラスを焼成しなくてはならず、基
板ガラスが変形してしまうため好ましくないためであ
り、また８０重量％以上になると、融点は下るが、誘電
体ガラスの熱膨張係数が１００×１０-7／℃以上になる
ため、焼成後の冷却時に基板ガラス（熱膨張係数８３〜
９０×１０-7／℃）が割れるという問題が発生するため
好ましくないためである。
【００３７】また酸化硼素（Ｂ2Ｏ3）の範囲を１０重量
％〜３０重量％に限定したのは、１０重量％以下ではガ
ラスの流動性が悪く結晶化しやすくなるため好ましくな
いためであり、また３０重量％以上になると融点が高く
なり、ガラスの流動温度（気泡がぬける温度）が基板ガ
ラスの軟化点付近になるため好ましくないためである。
％〜３０重量％に限定したのは、１０重量％以下ではガ
ラスの流動性が悪く結晶化しやすくなるため好ましくな
いためであり、また３０重量％以上になると融点が高く
なり、ガラスの流動温度（気泡がぬける温度）が基板ガ
ラスの軟化点付近になるため好ましくないためである。
【００３８】さらに酸化硅素（ＳｉＯ2）の範囲を５重
量％〜２０重量％に限定したのは、５重量％以下では、
誘電体ガラスの耐圧が低下するため好ましくなく、２０
重量％以上では、ガラスの融点が高くなりすぎて好まし
くないためである。
量％〜２０重量％に限定したのは、５重量％以下では、
誘電体ガラスの耐圧が低下するため好ましくなく、２０
重量％以上では、ガラスの融点が高くなりすぎて好まし
くないためである。
【００３９】また酸化亜鉛（ＺｎＯ）または酸化アルミ
ニウム（Ａｌ2Ｏ3）は、ガラスを安定化させるための添
加物で１〜１０重量％が適しており、１％以下あるいは
１０％以上では効果が発揮されない。
ニウム（Ａｌ2Ｏ3）は、ガラスを安定化させるための添
加物で１〜１０重量％が適しており、１％以下あるいは
１０％以上では効果が発揮されない。
【００４０】さらに金属酸化物は、ガラスの流動性を良
くし、気泡や欠陥をなくすための添加物であり、１〜１
０重量％が適している。１％以下では、その効果が発揮
されず、１０％以上になると耐圧が悪化したり、着色が
激しくなったりして好ましくないためである。
くし、気泡や欠陥をなくすための添加物であり、１〜１
０重量％が適している。１％以下では、その効果が発揮
されず、１０％以上になると耐圧が悪化したり、着色が
激しくなったりして好ましくないためである。
【００４１】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明によるＰ
ｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＭＯ（金属酸化物）系、Ｐｂ
Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＭＯ（金属酸化物）
系、およびＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ
（金属酸化物）系の誘電体ガラス層、および、ＣＶＤ法
によるＭｇＯ層を使用した誘電体保護層を用いることに
より、信頼性が高く、不良率の少ないプラズマディスプ
レイパネルが得られる。
ｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＭＯ（金属酸化物）系、Ｐｂ
Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＭＯ（金属酸化物）
系、およびＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ
（金属酸化物）系の誘電体ガラス層、および、ＣＶＤ法
によるＭｇＯ層を使用した誘電体保護層を用いることに
より、信頼性が高く、不良率の少ないプラズマディスプ
レイパネルが得られる。
【図１】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルの断面図
レイパネルの断面図
【図２】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルを製造する際に用いるＣＶＤ装置の概略図
レイパネルを製造する際に用いるＣＶＤ装置の概略図
【図３】従来の交流型のプラズマディスプレイパネルの
断面図
断面図
【符号の説明】 １１ 前面ガラス基板（フロントカバープレート） １２ 銀電極（表示電極） １３ 誘電体ガラス層 １４ （１００）配向面誘電体保護層 １５ 背面ガラス基板（バックプレート） １６ アドレス電極 １７ 隔壁 １８ 蛍光体 １９ 放電空間 ２１ アルゴンガスボンベ ２２ アルカリ土類（ＭｇＯ）の金属キレートの気化器 ２３ アルカリ土類（ＭｇＯ）のシクロペンタジエニル
化合物の気化器 ２４ 酸素ガスボンベ ２５ ＣＶＤ装置 ２６ 基板加熱ヒータ ２７ 誘電体ガラス層が形成されたガラス基板 ２８ プラズマを発生させるための高周波電源 ２９ 排気装置 ３１ 前面ガラス基板（フロントカバープレート） ３２ 透明電極 ３３ 銀電極 ３４ 表示電極 ３５ 誘電体ガラス層 ３６ （１１１）配向面誘電体保護層（ＭｇＯ層） ３７ 背面ガラス基板（バックプレート） ３８ アドレス電極（銀電極） ３９ 隔壁 ４０ 蛍光体層 ４１ 放電空間
化合物の気化器 ２４ 酸素ガスボンベ ２５ ＣＶＤ装置 ２６ 基板加熱ヒータ ２７ 誘電体ガラス層が形成されたガラス基板 ２８ プラズマを発生させるための高周波電源 ２９ 排気装置 ３１ 前面ガラス基板（フロントカバープレート） ３２ 透明電極 ３３ 銀電極 ３４ 表示電極 ３５ 誘電体ガラス層 ３６ （１１１）配向面誘電体保護層（ＭｇＯ層） ３７ 背面ガラス基板（バックプレート） ３８ アドレス電極（銀電極） ３９ 隔壁 ４０ 蛍光体層 ４１ 放電空間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石倉 靖久 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】第１の電極及び誘電体ガラス層が形成され
たフロントカバープレートと、第２の電極及び蛍光体層
が形成されたバックプレートとを有し、前記第１の電極
と前記第２の電極とが所定の距離離間して対向するよう
前記フロントカバープレートと前記バックプレートとを
配置するとともに、前記フロントカバープレートと前記
バックプレートとの間に隔壁を設置し、前記フロントカ
バープレート、前記バックプレート及び前記隔壁により
形成された空間に放電可能なガス媒体を封入して成るプ
ラズマディスプレイパネルであって、前記誘電体ガラス
層の組成が、酸化鉛（ＰｂＯ）６０重量％〜８０重量
％、酸化硼素（Ｂ2Ｏ3）１０重量％〜３０重量％、酸化
硅素（ＳｉＯ2）５重量％〜２０重量％、酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）１重量％〜５重量％、金属酸化物１重量％〜１０
重量％（ただし、金属酸化物は、酸化カリウム（Ｋ
2Ｏ）、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化ナトリウム（Ｎ
ａ2Ｏ）、酸化銅（Ｃｕ2Ｏ）、酸化銀（Ａｇ2Ｏ）、酸
化タリウム（Ｔｌ2Ｏ 3）、酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5）の
うちのいずれか一種）であることを特徴とするプラズマ
ディスプレイパネル。 - 【請求項２】第１の電極及び誘電体ガラス層が形成され
たフロントカバープレートと、第２の電極及び蛍光体層
が形成されたバックプレートとを有し、前記第１の電極
と前記第２の電極とが所定の距離離間して対向するよう
前記フロントカバープレートと前記バックプレートとを
配置するとともに、前記フロントカバープレートと前記
バックプレートとの間に隔壁を設置し、前記フロントカ
バープレート、前記バックプレート及び前記隔壁により
形成された空間に放電可能なガス媒体を封入して成るプ
ラズマディスプレイパネルであって、前記誘電体ガラス
層の組成が、酸化鉛（ＰｂＯ）６０重量％〜８０重量
％、酸化硼素（Ｂ2Ｏ3）１０重量％〜３０重量％、酸化
硅素（ＳｉＯ2）５重量％〜２０重量％、酸化アルミニ
ウム（Ａｌ2Ｏ3）１重量％〜１０重量％、金属酸化物１
重量％〜１０重量％（ただし、金属酸化物は、酸化カリ
ウム（Ｋ2Ｏ）、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化ナトリ
ウム（Ｎａ2Ｏ）、酸化銅（Ｃｕ2Ｏ）、酸化銀（Ａｇ2
Ｏ）、酸化タリウム（Ｔｌ2Ｏ3）、酸化バナジウム（Ｖ
2Ｏ5）のうちのいずれか一種）であることを特徴とする
プラズマディスプレイパネル。 - 【請求項３】第１の電極及び誘電体ガラス層が形成され
たフロントカバープレートと、第２の電極及び蛍光体層
が形成されたバックプレートとを有し、前記第１の電極
と前記第２の電極とが所定の距離離間して対向するよう
前記フロントカバープレートと前記バックプレートとを
配置するとともに、前記フロントカバープレートと前記
バックプレートとの間に隔壁を設置し、前記フロントカ
バープレート、前記バックプレート及び前記隔壁により
形成された空間に放電可能なガス媒体を封入して成るプ
ラズマディスプレイパネルであって、前記誘電体ガラス
層の組成が、酸化鉛（ＰｂＯ）６０重量％〜８０重量
％、酸化硼素（Ｂ2Ｏ3）１０重量％〜３０重量％、酸化
硅素（ＳｉＯ2）５重量％〜２０重量％、金属酸化物１
重量％〜１０重量％（ただし、金属酸化物は、酸化銅
（Ｃｕ2Ｏ）、酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5）、酸化クロム
（Ｃｒ2Ｏ3）、酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3）、酸化鉄（Ｆ
ｅ2Ｏ3）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）のうちのいずれか一
種）であることを特徴とするプラズマディスプレイパネ
ル。 - 【請求項４】誘電体ガラス上に形成されたＭｇＯ層がマ
グネシウムの金属レート化合物と酸素とを有する混合ガ
スによる熱化学蒸着法あるいはプラズマ化学蒸着法によ
って形成された（１００）面配向したＭｇＯ層であるこ
とを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載のプラズマ
ディスプレイパネル。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26428196A JP3317161B2 (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | プラズマディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26428196A JP3317161B2 (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | プラズマディスプレイパネル |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002098377A Division JP3818201B2 (ja) | 2002-04-01 | 2002-04-01 | プラズマディスプレイパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10112265A true JPH10112265A (ja) | 1998-04-28 |
| JP3317161B2 JP3317161B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=17400995
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26428196A Expired - Fee Related JP3317161B2 (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | プラズマディスプレイパネル |
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|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2780550A1 (fr) * | 1998-06-25 | 1999-12-31 | Fujitsu Ltd | Panneau d'affichage a plasma, structure de substrat d'un tel panneau, et son procede de fabrication |
| US6184163B1 (en) * | 1998-03-26 | 2001-02-06 | Lg Electronics Inc. | Dielectric composition for plasma display panel |
| US6271161B1 (en) * | 1998-09-01 | 2001-08-07 | Lg Electronics Inc. | Composition for barrier ribs of plasma display panel and method of fabricating such barrier ribs using the composition |
| US6376400B1 (en) | 1999-02-25 | 2002-04-23 | Asahi Glass Company, Limited | Low melting point glass for covering electrodes, and glass ceramic composition for covering electrodes |
| JP2007042554A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| USRE42216E1 (en) * | 2001-11-30 | 2011-03-15 | Lg Electronics Inc. | Formation of a dielectric layer incorporating green, blue and red colorants on an upper substrate of a plasma display panel |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101765919B1 (ko) | 2011-01-25 | 2017-08-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 유리 프릿, 페이스트 조성물 및 태양 전지 |
-
1996
- 1996-10-04 JP JP26428196A patent/JP3317161B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184163B1 (en) * | 1998-03-26 | 2001-02-06 | Lg Electronics Inc. | Dielectric composition for plasma display panel |
| FR2780550A1 (fr) * | 1998-06-25 | 1999-12-31 | Fujitsu Ltd | Panneau d'affichage a plasma, structure de substrat d'un tel panneau, et son procede de fabrication |
| KR100394372B1 (ko) * | 1998-06-25 | 2003-08-09 | 센트럴가라스 가부시기가이샤 | 유전체층 형성용 저융점 유리 페이스트 및 저융점 유리 |
| US6271161B1 (en) * | 1998-09-01 | 2001-08-07 | Lg Electronics Inc. | Composition for barrier ribs of plasma display panel and method of fabricating such barrier ribs using the composition |
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