JP2002063850A

JP2002063850A - プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法

Info

Publication number: JP2002063850A
Application number: JP2000250654A
Authority: JP
Inventors: Masaki Aoki; 正樹青木; Hiroyuki Yonehara; 浩幸米原; Hiroshi Watanabe; 拓渡邉
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-08-22
Filing date: 2000-08-22
Publication date: 2002-02-28

Abstract

(57)【要約】【課題】精細なセル構造の場合にも高輝度で信頼性の
高いプラズマディスプレイパネルを得る。【解決手段】平均粒径が０．８μｍ〜２．５μｍで最
大粒径７．５μｍ、最小粒径０．３μｍの範囲のガラス
粉末を用いて誘電体ガラス層を形成する。これにより気
泡、ピンホール、欠陥の発生を抑え絶縁耐圧に優れた高
輝度のパネルが得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示デバイスなど
に用いるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関す
るものであって、特に、高品位のディスプレイに適した
プラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハイビジョンをはじめとする高品
位で大画面のテレビに対する期待が高まっている中で、
ＣＲＴ、液晶ディスプレイ（以下、ＬＣＤと記載す
る）、プラズマディスプレイパネル（ＰｌａｓｍａＤ
ｉｓｐｌａｙＰａｎｅｌ、以下ＰＤＰと記載する）と
いった各ディスプレイの分野において、これに適したデ
ィスプレイの開発が進められている。

【０００３】従来からテレビのディスプレイとして広く
用いられているＣＲＴは、解像度・画質の点で優れてい
るが、画面の大きさに伴って奥行き及び重量が大きくな
る点で４０インチ以上の大画面には不向きである。ま
た、ＬＣＤは、消費電力が少なく、駆動電圧も低いとい
う優れた性能を有しているが、大画面を作製するのに技
術上の困難性があり、視野角にも限界がある。

【０００４】これに対して、ＰＤＰは、小さい奥行きで
も大画面を実現することが可能であって、既に４０イン
チクラスの製品も開発されている。

【０００５】ＰＤＰは、大別して直流型（ＤＣ型）と交
流型（ＡＣ型）とに分けられるが、現在では大型化に適
したＡＣ型が主流となっている。

【０００６】図６は、従来の交流面放電型ＰＤＰの一例
を示す要部斜視図である。

【０００７】図６において、１０１は前面ガラス基板、
１０５は背面ガラス基板であり、ソーダライムガラスか
らなる基板である。

【０００８】前面ガラス基板１０１の表面上には、放電
電極（表示電極）１０２が配設され、その上から、コン
デンサの働きをする誘電体ガラス層１０３で覆われ、更
に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる誘電体保護層１
０４で被覆されている。

【０００９】一方、背面ガラス基板１０５上にアドレス
電極１０６が配設され、その上を誘電体ガラス層１０７
が覆い、その上に隔壁１０８や蛍光体層１０９が設けら
れており、隔壁１０８の間隙には放電ガスが封入されて
放電空間１１０となっている。

【００１０】放電電極１０２やアドレス電極１０６とし
ては、銀電極やＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ電極などが広く用いら
れており、銀電極はフォリソグラフィー法や印刷法で容
易に形成することができる。

【００１１】ディスプレイの高品位化に対する要求が高
まる中で、ＰＤＰにおいても微細なセル構造のものが望
まれている。特に微細なセル構造では、電極の抵抗値を
下げる目的でＡｇが主に用いられている。

【００１２】例えば、従来のＮＴＳＣではセル数が６４
０×４８０で、４０インチクラスではセルピッチが０．
４３ｍｍ×１．２９ｍｍ、１セル面積が約０．５５ｍｍ
²であったが、フルスペックのハイビジョンテレビの画
素レベルでは、画素数が１９２０×１１２５となり、４
２インチクラスでのセルピッチは０．１５ｍｍ×０．４
６ｍｍ、１セルの面積は０．０７２ｍｍ²の細かさとな
る。

【００１３】セル構造が微細になると、放電電極（表示
電極）やアドレス電極の本数が３倍近く増大しなく、放
電空間も狭くなる。したがって、誘電体層の欠陥（ピン
ホールや気泡）を従来の１／３以下にする必要がある。
又放電電圧の均一化を図るためには、誘電体ガラス層の
膜厚を従来よりも薄く、均一にすることが必要となる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】先ず誘電体ガラス層を
形成するのに３つの方法があり、第１の方法は、平均粒
径が２μｍ〜５μｍで、その粒径分布が０．１μｍ〜１
５μｍのガラスを用いガラスの軟化点近くの温度でガラ
スを焼結させて、１種類のガラス材料で短時間に誘電体
層を形成する方法である。

【００１５】この方法は最も工程が少なく簡単でコスト
も低い。ところがこの方法では、ガラスが完全に溶解
（溶融）しない温度（ガラスの軟化点付近の温度）で誘
電体ガラス層を形成するためガラス粉末の粒径や粒度分
布粉体の形状および誘電体ガラスペースト（ガラスと、
有機バインダー溶剤の混合物）の中のガラスの充填量や
分散の度合によって、誘電体ペーストを電極上にコート
後乾燥、焼成する工程で誘電体ガラス層に微少なピンホ
ールやクラック気泡が入り誘電体層の絶縁耐圧に影響を
与える。特にパネルを放電維持電極間で放電を行なっ
て、パネルをエージングする工程において、誘電体が絶
縁破壊することがあった。

【００１６】また、電極に使用されている金属材料との
濡れ性が悪いので、これらの電極上の誘電体ガラス層に
ピンホールが入るため誘電体層を薄く且つ均一的にコー
トすることは困難で、絶縁耐圧が問題となる。特に、銀
電極の場合は、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒ電極などと比べて、電
極表面の凹凸が大きいので、電極上に誘電体ガラス層を
薄く均一にコートすることが難しく、絶縁耐圧の問題の
ほかにパネルの輝度むらも顕著である。

【００１７】第２の誘電体層の形成方法は、誘電体ガラ
ス材料を焼成する温度を出来るだけガラスの軟化点より
も高く（ガラスの軟化点より１００℃以上）して、ガラ
スの流動性を良くして（ガラスの軟化点の定義はガラス
の粘度が４５０００Ｐａｓと高く、流動性にとぼしい。
ピンホールや欠陥、気泡がなくなる粘度は、少なくとも
１０Ｐａｓ以下と考えられるため、ガラスの軟化点より
１００℃以上の高温での焼成が必要となる）、ピンホー
ルや気泡あるいは、欠陥を少なくすることは可能とな
る。

【００１８】しかし、この方法では、誘電体ガラスと、
電極が反応をおこし、電極近傍の変色（特にＡｇの場合
は、黄変、銅の場合は、緑変）したり、ＩＴＯが断線し
たりする課題がある。

【００１９】第３の誘電体層の形成方法は、２種類の誘
電体ガラスを使用する方法である。すなわち又、第３の
方法は、第１の方法と第２の方法を組み合わせる方法で
ある（例えば特開平７−１０５８５５号公報、特開平９
−５０７６９号公報）。すなわち電極上にはガラスの平
均粒径が２μｍ〜５μｍ（粒径の分布は０．１μｍ〜２
０μｍ）でガラスの軟化点が５５０℃〜６００℃のガラ
ス粉体を用いて、これを同じくペースト化した後、スク
リーン印刷法にて印刷、乾燥を行い軟化点付近で焼成
後、この誘電体層上に同じく平均粒径が２μｍ〜５μｍ
でガラスの軟化点が４５０℃〜５００℃のガラス粉末を
用いて同じくペースト化した後、スクリーン印刷法にて
印刷、乾燥を行い、軟化点より１００℃高い５５０℃〜
６００℃で焼成して、誘電体層を形成する方法である。

【００２０】この方法の特長はこのような２層構造の構
成にすることで、電極とガラスの反応をおさえ、あわせ
てガラス表面を平坦化し、可視光の透過率と絶縁耐圧性
の向上を計ることが出来る。

【００２１】しかしこのような２層構成では、誘電体ガ
ラスを作成工程が繁雑になるばかりか１５μｍ以下の薄
い誘電体膜を形成するのが困難になるし、一層目の誘電
体に気泡が存在し透過率があまり向上しない。又誘電体
が薄い場合は、表示電極およびアドレス電極それぞれが
前面・背面ガラス基板上に作製されていた従来のプラズ
マディスプレイパネルにおいては、通常、誘電体ガラス
層側には電極がその厚み相当突入しているので、誘電体
ガラス層の電極周辺で電界が局所的に大きくなりやす
く、例えば、表示電極と電極間に電圧を印加し、放電さ
せる時（維持放電をおこす時）などに、やはり下層のピ
ンホール、欠陥、気泡などが原因で絶縁破壊を惹起され
やすいという絶縁耐圧の点で課題があった。

【００２２】そこで、本発明は、このような問題に鑑み
てなされたものであって、一層構成の軟化点焼成タイプ
の誘電体であってもパネルエージング中のガラスの流動
性不足による耐圧不良の原因となるピンホールや気泡欠
陥のない信頼性の高いプラズマディスプレイパネルを得
ることができるプラズマディスプレイパネルの製造方法
を提供することを目的としてなされたものである。

【００２３】

【課題を解決するための手段】上記の目的を実現するた
めに、第１の電極が表面に配されている第１プレートに
対して、当該第１のプレート表面にガラス材料を焼成す
ることによって第１の誘電体層を形成する第１ステップ
と、第１プレートと第２の電極が表面に配された第２の
プレートとを第１及び第２の電極を対向させた状態で平
行に配置すると共に、両プレート間に放電空間を形成す
る第２ステップとを備えるプラズマディスプレイパネル
の製造方法であって、第１ステップで第１の誘電体層の
形成に用いるガラス材料の平均粒子径が０．８μｍ〜
２．５μｍでその最大粒径が７．５μｍ以下でかつ最小
粒径が０．３μｍ以上であるガラス粉末、好ましくは平
均粒径が１．０μｍ〜２．０μｍでその最大粒径が５μ
ｍ以下で最小粒径が０．５μｍ以上のガラス粉末を用い
ることである。又、好ましいガラスペースト組成は平均
粒径０．８μｍ〜２．５μｍでその最大粒径が７．５μ
ｍ以下で最小粒径が０．３μｍ以上のガラス粉末成分が
６５重量％以上で樹脂を含む溶剤、可塑剤、分散剤（界
面活性剤）から成るバインダー成分が３５重量％以下で
ある。

【００２４】最も好ましいガラスの形状は、球状でその
粒径分布は、平均粒径が０．８μｍ〜２．５μｍでその
最大粒径が７．５μｍ以下でかつ最小粒径が０．３μｍ
以上のガラス粉体成分が７０重量％以上でバインダー成
分が３０％以下のペーストを用いることである。

【００２５】このように用いるガラス材料の平均粒径
と、最大粒径、最小粒径を規定し（粒径分布を従来より
シャープにして）、ペースト中のガラス成分を多くし、
しかもガラスの粒形状を球に近づけることによって、一
層構成の軟化点焼成タイプの誘電体を形成することによ
って誘電体層内部のピンホールや欠陥を抑えパネルエー
ジング時の絶縁破壊をなくすことが出来ると同時に従来
の一層構成の誘電体の着色を抑えしかも透過率を向上さ
せることが出来る効果が得られる。

【００２６】前記ガラス材料の具体例としては、例えば
ＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−ＣａＯ系ガラス又はＺｎＯ
−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ｋ₂Ｏ−Ｃｕ₂Ｏ系ガラスを挙げる
ことができる。

【００２７】また、前記ガラス材料として、酸化チタン
を配合したものを用いれば、誘電率が向上するので望ま
しい。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態に係るＰ
ＤＰについて図面を参照しながら具体的に説明する。

【００２９】図１は、本実施の形態に係る交流面放電型
ＰＤＰ１の要部斜視図、図２は、図１のＸ−Ｘ線矢視断
面図、図３は、図１のＹ−Ｙ線矢視断面図である。

【００３０】なお、これらの図では便宜上セルが３つだ
け示されているが、実際には赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）の各色を発光するセルが多数配列されてＰＤＰが
構成されている。

【００３１】各図に示すように、このＰＤＰは、前面ガ
ラス基板１１の上に、銀からなる放電電極（表示電極）
１２、誘電体ガラス層１３及び保護層１４が配されてな
る前面パネル１０と、背面ガラス基板２１の表面にアド
レス電極２２、誘電体ガラス層２３、隔壁２４、Ｒ、
Ｇ、Ｂ各色の蛍光体層２５が配されてなる背面パネル２
０とを張り合わせ、前面パネル１０と背面パネル２０と
の間に形成される放電空間３０内に放電ガスが封入され
た構成であって、以下に示すように作製される。

【００３２】（前面パネル１０の作製）前面パネル１０
は、前面ガラス基板１１の表面上に、公知のフォトレジ
スト法により放電電極（表示電極）１２をストライプ状
に形成し、その上にガラス材料を用いて誘電体ガラス層
１３を形成し（これについて詳細は後述する）、更に誘
電体ガラス層１３の表面上に酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ）からなる保護層１４を形成することによって作製す
る。

【００３３】（保護層の形成について）図４を参照とし
ながら、ＣＶＤによって保護層を形成する方法について
説明する。

【００３４】図４は、保護層１４を形成する際に用いる
ＣＶＤ装置４０の概略図である。

【００３５】このＣＶＤ装置４０は、熱ＣＶＤ及びプラ
ズマＣＶＤのいずれも行うことができるものであって、
ＣＶＤ装置本体４５の中には、ガラス基板４７（図１に
おける放電電極１２や誘電体ガラス層１３を形成した前
面ガラス基板１１）を加熱するヒータ部４６が設けら
れ、ＣＶＤ装置本体４５内は排気装置４９で減圧にする
ことができるようになっている。また、ＣＶＤ装置本体
４５の中にプラズマを発生させるための高周波電源４８
が設置されている。

【００３６】Ａｒガスボンベ４１ａ、４１ｂは、キャリ
アであるアルゴン（Ａｒ）ガスを、気化器（バブラー）
４２、４３を経由してＣＶＤ装置本体４５に供給するも
のである。

【００３７】気化器４２及び気化器４３には、保護層を
形成するための原料であるマグネシウム化合物が貯えら
れている。その具体例としては、アセチルアセトンマグ
ネシウム（Ｍｇ（Ｃ₅Ｈ₇Ｏ₂）₂）、シクロペンタジエニ
ルマグネシウム（Ｍｇ（Ｃ₅Ｈ₅）₂）を挙げることがで
きる。

【００３８】酸素ボンベ４４は、反応ガスである酸素
（Ｏ₂）をＣＶＤ装置本体４５に供給するものである。

【００３９】上記のＣＶＤ装置を用いて熱ＣＶＤ法で保
護層１４の形成を行なう場合は、ヒータ部４６の上に、
電極が形成された面を上にしてガラス基板４７を置き、
所定の温度（３００℃前後）に加熱すると共に、反応容
器内を排気装置４９で減圧し数十Ｔｏｒｒ（数ｋＰａ）
程度にする。

【００４０】そして、気化器４２又４３において、ソー
スとなる金属キレートまたはアルコキシド化合物を、所
定の気化温度に加熱しながら、Ａｒガスボンベ４１ａ又
は４１ｂからＡｒガスを送り込む。また、これと同時
に、酸素ボンベ４４から酸素を供給する。

【００４１】これによって、ＣＶＤ装置本体４５内に送
り込まれるキレート又はアルコキシド化合物と酸素とが
反応し、ガラス基板４７の電極を配した表面上に、酸化
マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層１４が形成され
る。

【００４２】一方、上記のＣＶＤ装置を用いてプラズマ
ＣＶＤ法で保護層１４の形成を行なう場合、上記の熱Ｃ
ＶＤの場合とほぼ同様の操作を行なうが、更に高周波電
源４８を駆動して高周波電解（１３．５６ＭＨｚ）を印
加することにより、ＣＶＤ装置本体４５内にプラズマを
発生させながら、保護層１４の形成を行なう。

【００４３】（背面パネル２０の作製）まず、背面ガラ
ス基板２１の表面に、上述した放電電極１２の形成と同
様のフォトレジスト法により、アドレス電極２２を形成
する。

【００４４】そして、その上に前面パネル１０の場合と
同様に、誘電体ガラス層１３と同じガラス材料をスクリ
ーン印刷で塗布し焼成することによって誘電体ガラス層
２３を形成する（これについては後述する）。

【００４５】次に、誘電体ガラス層２３の上に、ガラス
製の隔壁２４を所定のピッチで設置する。

【００４６】そして、隔壁２４に挟まれた各空間内に、
赤色（Ｒ）蛍光体、緑色（Ｇ）蛍光体、青色（Ｂ）蛍光
体の中の１つを配設することによって、蛍光体層２５を
形成する。各色Ｒ、Ｇ、Ｂの蛍光体としては、一般的に
ＰＤＰに用いられている蛍光体を用いることができる
が、ここでは次の蛍光体を用いる。

【００４７】赤色蛍光体：（Ｙ_XＧｄ_1-X）ＢＯ₃：Ｅｕ³⁺ 緑色蛍光体：Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ青色蛍光体：ＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ²⁺或はＢａＭｇ
Ａｌ₁₄Ｏ₂₃：Ｅｕ²⁺ （前面パネル１０及び背面パネル２０の貼り合わせによ
るＰＤＰの作製）前述のようにして作製した前面パネル
１０と背面パネル２０とを、封着用ガラスを用いて貼り
合わせると共に、隔壁２４で仕切られた放電空間３０内
を高真空（８×１０^-7Ｔｏｒｒ）に排気した後、所定の
組成の放電ガスを所定の圧力で封入することによってＰ
ＤＰが作製される。

【００４８】なお、本実施の形態では、ＰＤＰのセルサ
イズは、４０インチクラスのハイビジョンテレビに適合
するよう、隔壁２４のピッチを０．２ｍｍ以下、放電電
極１２の電極間距離を０．１ｍｍ以下に設定する。

【００４９】また、封入する放電ガスの組成は、従来か
ら用いられているＨｅ−Ｘｅ系であるが、セルの発光輝
度の向上を図るために、Ｘｅの含有量を５体積％以上と
し、封入圧力を５００〜７６０Ｔｏｒｒ（６６．５〜１
０１ｋＰａ）に設定する。

【００５０】（誘電体ガラス層の形成について）まず、
市販のガラス材料をボールミルやジェットミルなどの粉
砕装置および分級機を用いて平均粒子径が０．８μｍ〜
２．５μｍで最大粒径が７．５μｍ、最小粒径が０．３
μｍとなるように粉砕する。

【００５１】特に球状のガラス粉末を得るにはジェット
ミル粉砕装置が好ましい。ジェットミル粉砕は、ガラス
粗粉を高速度のジェット気流やジェット水流を用いて、
ガラス粉体同士を衝突させる方法であるため、ボールミ
ル粉砕と比較して、ガラス粉末のエッジ（かど）部分が
粉砕されやすく球状に近い粉体が得られやすい。又、ガ
ラス粉末同士をぶつけて粉砕するためボールミル粉砕
（Ａｌ₂Ｏ₃やＺｒＯ₂のボールを用いて粉砕する）より
も不純物の混入が少なく、耐電圧や透過率の良好なガラ
ス粉末が得られる。

【００５２】又、特に真球に近いガラス粉末を得るのに
はゾルゲル法が最も適している。ゾルゲル法は例えば、
ガラスの材料である各種金属酸化物（ＰｂＯ、Ｂ₂Ｏ₃、
ＳｉＯ₂、ＺｎＯ、ＣａＯ、Ｋ₂Ｏ、Ｃｕ₂Ｏ等）のアル
コキシドＭ（Ｏ・Ｒ）_nの混合物をアルコール溶液に溶
解させ加水分解、重縮合を行なって作成される（ここで
Ｍは金属、Ｒはアルキル基、ｎは金属の酸化数）。

【００５３】このゾルゲル法で得られたガラス粉末がほ
ぼ球状に近く、これを用いて作成された誘電体ガラス層
は膜密度の向上と合いまって最も耐圧と透過率が高い。

【００５４】誘電体層に用いられるガラス材料として
は、酸化鉛系ガラスや酸化亜鉛系ガラスなどを用いるこ
とができる。酸化鉛系ガラスの組成として、例えば、酸
化鉛（ＰｂＯ）、酸化硼素（Ｂ₂Ｏ₃）、酸化硅素（Ｓｉ
Ｏ₂）及び酸化カルシウム（ＣａＯ）の混合物を挙げる
ことができ、酸化亜鉛系ガラスの組成として例えば、酸
化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化硼素（Ｂ₂Ｏ₃）、酸化硅素（Ｓ
ｉＯ₂）、酸化カリウム（Ｋ₂Ｏ）、酸化銅（Ｃｕ₂Ｏ）
の混合物を挙げることができる。

【００５５】ガラス材料の粉砕分級後の平均粒子径は、
０．８μｍ〜２．５μｍでその粒度分布は、０．３μｍ
〜７．５μｍの大きさが、ピンホールや欠陥の形成を抑
える上では望ましく、平均粒径が１．０μｍ〜２．０μ
ｍでその粒度分布が０．５μｍ〜５μｍであることがよ
り望ましい。

【００５６】また、最も好ましいのがガラス形状が球形
に近く、上記の粒度分布のものである。

【００５７】平均粒子径は、コールターカウンタ粒度分
析計（コールター株式会社製の粒度測定装置）を用いて
測定した（以下の実施例でも同様）。なお、このコール
ターカウンタ粒度分析計は、個数平均方法によって平均
粒子径を算出するものである。又ガラスの形状は電子顕
微鏡で観察する。

【００５８】そして、このようにして調整したガラス材
料の粉体を適量のバインダ成分と混合して、この混合物
を例えば３本ロールやビースミルで良く混練することに
よりダイコート用や印刷用ペーストを作製する。バイン
ダ成分としては、エチルセルロース又はアクリル樹脂を
ターピネオール又はブチルブチルカルビトールアセテー
トで溶解させたものが挙げられる。ダイコート用や印刷
用ペーストとし、好ましい組成はガラス材料成分が６５
重量％、以上でエチルセルロース又はアクリル樹脂を１
重量％〜２０重量％含むバインダ成分３５重量％以下の
配合比率に調整したものである。これは、ガラス成分が
多い方がガラス膜の充填密度が上り、ガラス膜にピンホ
ールや欠陥が入りにくいためである。

【００５９】背面ガラス基板側の誘電体ガラス層２３に
おいては、ＴｉＯ₂の含有量が多ければ多い方が誘電率
を高くできると共に可視光反射率を高められるので望ま
しい。

【００６０】なお、このように添加材を用いる場合に
は、その配合量にも依るが、当該添加材の平均粒子径も
後述するようにピンホールや欠陥の発生を抑制するとい
う観点では０．８μｍ〜２．５μｍ以下に、より好まし
くは１．０μｍ〜２．０μｍに設定すべきである。

【００６１】そしてダイコート用や印刷用ペーストをダ
イコート法やスクリーン印刷法により前面ガラス基板１
１、放電電極１２上及び背面ガラス基板２１、アドレス
電極２２に配設する。そして、このように誘電体ガラス
ペーストが配設された前面ガラス基板１１及び背面ガラ
ス基板２１をペースト中のガラス材料の所定の温度で焼
成することにより誘電体ガラス層を作製する。この焼成
温度は、ガラス材料の組成によっても多少変動するが、
上記した組成のガラス成分にあっては、ガラスの軟化点
近くで５００℃〜６００℃の範囲で焼成するのが好まし
い。

【００６２】このように用いるガラス材料の平均粒子径
と分布範囲を規定して誘電体ガラス層を作製することに
より、当該層形成時に前面ガラス基板１１又は背面ガラ
ス基板２１との境界面、放電電極１２又はアドレス電極
２２との境界面或は誘電体ガラス層１３又は２３内部に
ピンホールや欠陥が発生する現象を抑えることができ
る。

【００６３】なおピンホールや欠陥の発生を抑える観点
からガラス材料を焼成する温度は、更にガラス材料の所
定の粘度を基準にして測定した軟化点（本実施の形態で
は、粘度が４．５×１０⁷ポアズ以下になる温度を軟化
点とする）、近傍の温度であることがより好ましい。こ
のように焼成温度を規定することにより、電極とガラス
材料との化学的反応が防止できるからである。上記した
ガラス材料の焼成温度である５００℃〜６００℃は、こ
のような温度範囲でもある。

【００６４】ちなみに、このように低温で焼成しても、
平均粒子径が、０．８μｍ〜２．５μｍであるので、成
膜後の誘電体ガラス層の表面の表面粗さは小さい。

【００６５】また、同様の観点から、焼成時間は、焼成
可能な範囲であまり長くない時間であることが望まし
い。ガラス材料の組成にもよるが、上記ガラス材料の場
合には、１５分前後で行うことが望ましい。

【００６６】（用いるガラス材料の平均粒子径を０．８
μｍ〜２．５μｍにし、その分布範囲を０．３μｍ〜
７．５μｍと小さくするとピンホールや欠陥および気泡
の発生が抑えられる理由について）以下に、ピンホール
や欠陥気泡の発生が誘電体ガラス層の形成に用いるガラ
ス材料の平均粒子径や粒度分布に依存する原因について
考えてみる。つまり、相対的に粒子径の小さいガラス粒
子が相対的に粒子径が大きなガラス粒子よりも早く溶融
するため、焼成処理が終了するまでにはこのように先に
溶融したガラス成分がその流動性ゆえに凝集する。従っ
て、このようなガラス粒子の溶融速度の違いに起因し
て、いまだ、完全に溶融しない相対的に粒子径の大きな
ガラス粒子の間隙は気泡となって焼成後に残ることにな
るのである。この気泡が連続した場合ピンホールや欠陥
となる。このように平均粒子径やその分布が気泡生成や
欠陥の度合を決定する要因、即ち、ガラス材料の平均粒
子径と生成する気泡の径との間には強い相関関係があ
る。

【００６７】一方、本実施の形態の場合のように平均粒
子径と粒度分布を規定することによっても（粒度分布を
シャープにする）、上記したように相対的に粒子径の小
さいガラス粒子が相対的に粒子径が大きなガラス粒子よ
りも早く溶融し、焼成処理が終了するときまでにはこの
ように先に溶融したガラス成分がその流動性ゆえに凝集
することになるが、溶融速度の差が小さくなるので、上
記したような気泡の発生は抑制されるのである。このこ
とは、後述する詳細な実験からも裏付けられるところで
ある。

【００６８】このように平均粒子径を０．８μｍ〜２．
５μｍにし、その分布範囲を０．３μｍ〜７．５μｍで
あるガラス材料を用いれば、それを超える範囲のガラス
材料を用いる場合に比べて気泡の発生は抑制できるのだ
が、実質上は、発生する気泡の平均径が小さくなると共
に、その数が少なくなるのでピンホールや欠陥が少なく
なる。

【００６９】本実施の形態で、ガラス材料の平均粒子径
を０．８μｍ〜２．５μｍに規定するのは、２．５μｍ
を超えると気泡の形成が顕著である。又０．３μｍ〜
７．５μｍの分布にしたのは、０．３μｍ以下のガラス
粉体では、ガラスが凝集しやすく良好なペーストが得ら
れにくいし、０．３μｍ以下の粒子では、より早く溶融
するために、均一にガラスが溶融する場合と比較して、
誘電体ガラス層に欠陥が入りやすい。

【００７０】又７．５μｍ以上のガラスが存在すると巨
大気泡の発生がより顕著になるのに加えて、溶融速度が
７．５μｍ以下のガラスと比較して遅くなるため誘電体
ガラス層に欠陥が入りやすくなる。

【００７１】（用いるガラスペーストのガラス成分の量
を多くするとピンホールや欠陥、気泡の発生が抑えられ
る理由について）誘電体ガラスペーストは、ガラス材料
と有機バインダーあるいは、ガラス材料とＴｉＯ₂を主
体とするフィラーと有機バインダーからなる。特に有機
バインダーは、樹脂溶剤、可塑剤、界面活性剤から成
る。

【００７２】これらのガラス材料と有機バインダーの比
率は、従来は３５重量％〜６５重量％が主に用いられて
きたが、ガラスの粒径と粒度分布をシャープにすること
や、ジェットミル法による粉砕で得られる球状に近いガ
ラス粉末やゾルゲル法で得られる球状粉体を用いること
によりガラス成分の比率が６５重量％以上に上げること
が可能になる。ペーストにガラス成分がより多くなるこ
とで焼成後の欠陥（気泡やピンホール）が少なくなる
（ち密なガラス膜が形成できる）。

【００７３】また、放電電極１２及びアドレス電極２２
形成後の表面はＡｇを用いているためどうしても凹凸が
残るが、このように平均粒分布が従来よりも小さくせま
いガラス材料を用いるので、それだけ径の小さいガラス
粒子が増す。そして、それが当該凹凸に入り込み凹部も
高い頻度で解消できることになる。

【００７４】上記した粒子径の違うガラス材料の溶融速
度について以下に具体的なデータをもとに解説する。

【００７５】図５は、ガラス材料の溶融速度とガラス材
料の平均粒子径との関係を示す図表であり、平均粒子径
が０．８５μｍ又は平均粒子径が３．１７μｍのガラス
材料を所定の大きさの円柱形状に加圧成形し、これを昇
温速度１０℃／ｍｉｎで加熱しながら高温加熱顕微鏡で
４００℃〜８８０℃の温度範囲で２０℃ごとに、写真撮
影した結果で試料の形状の変化を表している。黒塗りの
図形が円柱状の試料の側面形状を示す。この図表に示す
とおり、同じ温度であっても、用いるガラス材料の平均
粒子径が小さい方が溶融速度が大きいことがはっきりわ
かる。なお、この内容については、電気化学Ｖｏｌ
５６，Ｎｏ１，１９８８，２３頁〜２４頁に詳しく記載
されている。

【００７６】このように誘電体ガラス層における気泡の
発生を抑えられるので、本実施の形態では、誘電体ガラ
ス層１３及び２３厚さを、従来の一般的な厚さよりも薄
く輝度の向上を図るに望ましい２０μｍ以下に設定して
も、薄くすることによる当該層における絶縁耐圧の低下
を抑えることができる。つまり、このように絶縁耐圧を
ある程度確保して誘電体ガラス層１３の厚みを薄くで
き、同時にパネル輝度を向上する効果と放電電圧を低減
する効果が得られる。

【００７７】また、誘電体ガラス層１３及び２３の厚さ
を薄くした場合にも、絶縁耐圧は十分に確保されるの
で、繰り返しの使用に対しても、高いパネル輝度や低い
放電電圧といった優れた初期性能を長期にわたって維持
することができ、ＰＤＰを信頼性の優れたものとするこ
とができる。

【００７８】なお、本実施の形態においては、前面パネ
ル１０側及び背面パネル２０側の双方において上記のよ
うにして気泡やピンホール、欠陥の発生を抑えた誘電体
ガラス層を形成する例を示したが、前面パネル１０側或
は側面パネル２０側だけにこれを適用することもでき
る。また、背面パネル２０側に誘電体ガラス層が形成さ
れていないＰＤＰにおいては、前面パネル１０側だけに
これを適用することができる。

【００７９】また、もともと銀電極の上に誘電体ガラス
層を薄く形成することが難しいことを考慮すれば、各電
極がＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ電極などの場合においても同様に
実施することは可能である。

【００８０】

【実施例】

【００８１】

【表１】

【００８２】

【表２】

【００８３】

【表３】

【００８４】

【表４】

【００８５】上記実施の形態に基づいて、表１〜表４に
示すＰＤＰを作製した。

【００８６】Ｎｏ．１〜５およびＮｏ．９〜Ｎｏ．１３
は、実施の形態に基づく実施例であって、双方の誘電体
ガラス層１３及び２３を平均粒子径０．８μｍ〜２．５
μｍで最大粒径７．５μｍ，最小粒径０．３μｍのガラ
ス材料を用いて作製したものである。又Ｎｏ．２〜Ｎ
ｏ．５は、ガラスペースト中のガラス成分が７０重量％
以上のペーストを用いて作成したものである。又Ｎｏ．
２、１０は、ガラス粉末をゾルゲル法で作成したもの
で、Ｎｏ．３、４、１１、１２は、ジェットミル粉砕を
行なったものである。その他のＮｏ．１、５、６、７、
８、９、１３、１４、１５、１６は、ボールミルにて粉
砕したものである。

【００８７】ＰＤＰのセルサイズは、４２インチのハイ
ビジョンテレビ用のディスプレイに合わせて、隔壁２４
の高さ０．１５ｍｍ、隔壁の間隔（セルピッチ）は０．
１５ｍｍ放電電極の間隔は０．０５ｍｍに設定した。

【００８８】放電ガスは、Ｘｅの含有量が５体積％のＨ
ｅ−Ｘｅ系の混合ガスであって、６００Ｔｏｒｒ（７
９．８ｋＰａ）の封入圧で封入した。

【００８９】Ｎｏ．１〜８のＰＤＰでは、誘電体ガラス
層１３の形成に、ＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−ＣａＯ系
ガラスを使用し、又Ｎｏ．９〜１６では、誘電体ガラス
層１３形成に、ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ｋ₂Ｏ−Ｃｕ
₂Ｏ系ガラスを使用した。また、誘電体ガラス層２３に
は、背面パネル側の誘電体ガラス層の形成にあたっては
上記ガラスにＴｉＯ₂を添加しガラス材料を用いた。

【００９０】Ｎｏ．６、７、８、１４、１５、１６は比
較例であって、双方の誘電体ガラス層を従来と同様に平
均粒子径が２．５μｍを超える３μｍのものあるいは最
大粒径が７．５μｍをこえるものを用いて作製したもの
である以外は、実施例に係るＰＤＰと同じ条件で作製し
てある。Ｎｏ．１〜７、Ｎｏ．９〜１５は、ペースト中
のガラス成分が６５重量％以下のもの以外は、実施例に
係るＰＤＰと同じ条件で作製してある。また、背面パネ
ル側の誘電体ガラス層の形成にあたっては各試料Ｎｏ．
と同じガラスにＴｉＯ₂を添加しガラス材料を用いた。

【００９１】なお、作製する条件の詳細については、上
記表１に表記してある。

【００９２】（実験１；誘電体ガラス層におけるピンホ
ール、欠陥、気泡の観察）以上のようにして作製したＮ
ｏ．１〜１６のＰＤＰについて、誘電体ガラス層に関し
て放電電極及びアドレス電極上に位置する部分を電子顕
微鏡で倍率２５０〜１０万倍にて観察し、誘電体層のピ
ンホールや欠陥、気泡の測定を行なった。

【００９３】この結果測定については、表５、６に示し
た。

【００９４】

【表５】

【００９５】

【表６】

【００９６】（実験２；誘電体ガラス層の透過率の検
証）透過率は、分光計での透過率を測定した（波長５５
０ｎｍでの透過率）。ただしガラス基板の透過率をさし
引いた誘電体のみ（厚み３０μｍ）の透過率である。

【００９７】この結果は、表５、６に記載してある。

【００９８】（実験３；ＰＤＰのエージング方法での絶
縁耐圧の検証）この実験では、Ｎｏ．１〜１６のＰＤＰ
と同じものを２０枚づつ作製し、パネルのエージングテ
ストに供した。

【００９９】エージングテスト（加速寿命テスト）は、
通常の作動条件よりもかなり過酷な条件、放電維持電圧
３５０Ｖ、周波数５０ＫＨｚで１５秒間連続的に放電さ
せるという条件で行った。そして、２０枚中何枚のＰＤ
Ｐが絶縁破壊を生じているかを調べた。この結果も表
５、６に記載した。

【０１００】（実験４；ＰＤＰ輝度の測定）各ＰＤＰに
ついてパネルの輝度を以下の放電条件下で測定した。表
５、６に結果を併記する。

【０１０１】放電維持電圧：１５０Ｖ周波数：３０ＫＨｚ（実験１の考察）表５、６に示したように、実施例に係
るＰＤＰにあっては、ピンホール、欠陥、気泡のない均
一なガラス層であった。これに対して、比較例に係るＰ
ＤＰにあっては、ピンホール、欠陥、気泡が存在し、そ
の結果後述するようにエージング中の耐圧不良の増加や
透過率の低下をきたしていることがわかった。

【０１０２】後述するように耐電圧特性において十分と
は言えない。

【０１０３】（実験２の考察）表５、６に示したよう
に、誘電体ガラス層の透過率について、実施例に係るＰ
ＤＰは比較例に係るＰＤＰよりも、膜厚を略同等（３０
μｍ）に設定しているにも関らず高かった。

【０１０４】この結果は、実施例に係るＰＤＰにおいて
は比較例に係るＰＤＰに比べて、誘電体ガラス層に透過
率を低下させる主要因であるピンホール、欠陥、気泡の
形成が抑えられていることを間接的に示すものである。

【０１０５】また、実施例のＰＤＰの中でも用いるガラ
ス材料の粒度分布のより小さく球状に近いゾルゲル法や
ジェットミル粉砕法で得られたガラスの方が透過率は高
かった。つまり、用いるガラス材料の平均粒子径がより
小さく粒度分布がそろっておりしかもガラスの充填密度
の高い誘電体膜の方がピンホール、欠陥、気泡の形成が
抑えられ、より緻密に成膜されるということである。

【０１０６】（実験３の考察）表５、６に示したよう
に、実施例に係るＰＤＰにおいては、エージング中にお
ける絶縁破壊が生じたＰＤＰは皆無であった。これに対
して、比較例に係るＰＤＰにおいては、最悪の場合には
４５％が破壊されていた。

【０１０７】

【発明の効果】以上説明してきたように本発明にＰＤＰ
は、第１の誘電体層の形成に用いるガラス材料の平均粒
子径が０．８μｍ〜２．５μｍでありその最大粒径は、
７．５μｍであり最小粒径は．０３μｍである。そのた
め第１のプレートとの境界面、放電電極との境界面或は
第１の誘電体層内部にピンホール、欠陥、気泡が発生す
る現象を抑えることができる。

【０１０８】これにより、第１の誘電体層の厚さを３０
μｍに設定しても高い透過率と向上を図るエージング中
における絶縁耐圧の低下を抑えることができる。つま
り、このようにエージングによる絶縁耐圧を確保して第
１の誘電体層の透過率を向上させたため、パネル輝度を
向上する効果が得られる。

【０１０９】また、第２の誘電体層の形成に用いるガラ
ス材料の平均粒子径が０．８μｍ〜２．５μｍで最大粒
径７．５μｍ、最小粒径０．３μｍである。これによ
り、第２の誘電体層を設ける場合において、第１の誘電
体層だけを上記したように形成した場合よりもパネルの
信頼性が高まる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態に係る交流面放電型の要部斜視図

【図２】図１のＸ―Ｘ線矢視断面図

【図３】図１のＹ―Ｙ線矢視断面図

【図４】保護層を形成する際に用いるＣＶＤ装置の概略
図

【図５】ガラス材料の溶融速度とガラス材料の平均粒子
径との関係を示す図

【図６】従来の交流面放電型ＰＤＰの一例を示す要部斜
視図

【符号の説明】

１０前面パネル１１前面ガラス基板１２銀電極（放電電極）１３誘電体ガラス層１４ＭｇＯ保護膜２０背面パネル２１背面ガラス基板２２アドレス電極２３誘電体ガラス層２４隔壁２５蛍光体層３０放電空間４０ＣＶＤ装置４１ａ，４１ｂＡｒガスボンベ４２，４３気化器４４酸素ガスボンベ４５ＣＶＤ装置本体４６基板加熱ヒータ４７放電電極及び誘電体ガラス層が形成されたガラス
基板４８高周波電源４９排気装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者渡邉拓大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 5C027 AA05 5C040 FA01 GB03 GB14 GD01 GD07 KB09 MA03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の電極及び第１の誘電体ガラス層が
形成されたフロントカバープレートと、第２の電極及び
蛍光体層が形成されたバックプレートとを有し、前記第
１の電極と前記第２の電極とが所定の距離離間して対向
するよう前記フロントカバープレートと前記バックプレ
ートとを配置するとともに、前記フロントカバープレー
トと前記バックプレートとの間に隔壁を設置し、前記フ
ロントカバープレート、前記バックプレート及び前記隔
壁により形成された空間に放電可能なガス媒体を封入し
て成るプラズマディスプレイパネルであって、前記第１
電極上の誘電体ガラス層が平均粒径０．８μｍ〜２．５
μｍでその粒径分布が最大７．５μｍでかつその最小
０．３μｍであるガラス紛体成分と樹脂を含む溶剤、可
塑剤、分散剤から成るバインダー成分で構成されたペー
ストをダイコート法、ブレードコート法にて第１電極上
に塗布し、乾燥後５６０℃〜５９０℃で焼成して得られ
ることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】第１の電極及び誘電体ガラス層が形成さ
れたフロントカバープレートと、第２電極及び誘電体
層、蛍光体層が形成されたバックプレートとを有し、前
記第１の電極と前記第２の電極とが所定の距離離間して
対向するよう前記フロントカバープレートと前記バック
プレートとを配置するとともに、前記フロントカバープ
レートと前記バックプレートとの間に隔壁を設置し、前
記フロントカバープレート、前記バックプレート及び前
記隔壁により形成された空間に放電可能なガス媒体を封
入して成るプラズマディスプレイパネルであって、前記第２電極上の誘電体層が平均粒径０．８μｍ〜２．
５μｍでその粒径分布が最大７．５μｍでかつその最小
０．３μｍであるガラス紛体および平均粒径が０．１μ
ｍ〜０．５μｍから成る酸化チタン（ＴｉＯ₂）紛体と
を含む固形成分と樹脂成分を含む溶剤、可塑剤、分散剤
から成る成分で構成されたペーストを、ダイコート法に
て第２電極上に塗布し、乾燥後５５０℃〜５９０℃で焼
成して得られることを特徴とするプラズマディスプレイ
パネル。
【請求項３】第１の電極及び誘電体ガラス層が形成さ
れたフロントカバープレートと、第２の電極及び誘電体
層、蛍光体層が形成されたバックプレートとを有し、前
記第１の電極と前記第２の電極とが所定の距離離間して
対向するよう前記フロントカバープレートと前記バック
プレートとを配置するとともに、前記フロントカバープ
レートと前記バックプレートとの間に隔壁を設置し、前
記フロントカバープレート、前記バックプレート及び前
記隔壁により形成された空間に放電可能なガス媒体を封
入して成るプラズマディスプレイパネルであって、前記第１、第２電極上の誘電体層が、ジェットミル粉砕
法で作成された略球状ガラス粉の焼成で得られることを
特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】第１の電極及び誘電体ガラス層が形成さ
れたフロントカバープレートと、第２電極及び蛍光体層
が形成されたバックプレートとを有し、前記第１の電極
と前記第２の電極とが所定の距離離間して対向するよう
前記フロントカバープレートと前記バックプレートとを
配置するとともに、前記フロントカバープレートと前記
バックプレートとの間に隔壁を設置し、前記フロントカ
バープレート、前記バックプレート及び前記隔壁により
形成された空間に放電可能なガス媒体を封入して成るプ
ラズマディスプレイパネルであって、前記第１電極上の誘電体ガラス層が略球状紛体でその粒
径分布が０．３μｍ〜７．０μｍの範囲にある、ガラス粉体成分と樹脂を含む溶剤、可塑剤、分散剤（界
面活性剤）から成るバインダー成分で構成されたペース
トをダイコート法にて第１電極上に塗布し、乾燥後５５
０℃〜５９０℃で焼成して得られることを特徴とするプ
ラズマディスプレイパネル。
【請求項５】第１の電極及び誘電体ガラス層が形成さ
れたフロントカバープレートと、第２の電極及び蛍光体
層が形成されたバックプレートとを有し、前記第１の電
極と前記第２の電極とが所定の距離離間して対向するよ
う前記フロントカバープレートと前記バックプレートと
を配置するとともに、前記フロントカバープレートと前
記バックプレートとの間に隔壁を設置し、前記フロント
カバープレート、前記バックプレート及び前記隔壁によ
り形成された空間に放電可能なガス媒体を封入して成る
プラズマディスプレイパネルであって、前記第１、第２電極上の誘電体ガラス層が、ゾルゲル法
で作成された球状ガラス粉の焼成で得られることを特徴
とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】第１の電極及び誘電体ガラス層が形成さ
れたフロントカバープレートと、第２の電極及び誘電体
層、蛍光体層が形成されたバックプレートとを有し、前
記第１の電極と前記第２の電極とが所定の距離離間して
対向するよう前記フロントカバープレートと前記バック
プレートとを配置するとともに、前記フロントカバープ
レートと前記バックプレートとの間に隔壁を設置し、前
記フロントカバープレート、前記バックプレート及び前
記隔壁により形成された空間に放電可能なガス媒体を封
入して成るプラズマディスプレイパネルであって、前記第１電極上の誘電体層が、ゾルゲル法で調整されそ
の粒径分布が０．３μｍ〜７μｍの範囲にあるガラス紛
体成分と樹脂成分を含む溶剤、可塑剤、分散剤（界面活
性剤）から成る成分で構成されたペーストを、ダイコー
ト法、スプレー法、スピンコート法または、ブレードコ
ート法にて第２電極上に塗布し、乾燥後５５０℃〜５９
０℃で焼成して得られることを特徴とするプラズマディ
スプレイパネル。
【請求項７】第１の電極及び誘電体ガラス層が形成さ
れたフロントカバープレートと、第２の電極及び蛍光体
層が形成されたバックプレートとを有し、前記第１の電
極と前記第２の電極とが所定の距離離間して対向するよ
う前記フロントカバープレートと前記バックプレートと
を配置するとともに、前記フロントカバープレートと前
記バックプレートとの間に隔壁を設置し、前記フロント
カバープレート、前記バックプレート及び前記隔壁によ
り形成された空間に放電可能なガス媒体を封入して成る
プラズマディスプレイパネルであって、前記第１電極上
の誘電体ガラス層がジェットミルで粉砕調整されて、そ
の粒径分布が０．３μｍ〜７．０μｍの範囲にあるガラ
ス紛末と、樹脂を含む溶剤、可塑剤、分散剤から成るバ
インダー成分で構成されたペーストをダイコート法にて
塗布し、乾燥後焼成して得られることを特徴とするプラ
ズマディスプレイパネル。
【請求項８】第１の電極が表面に配されている第１の
プレートに対して、当該第１のプレート表面にガラス材
料を焼成することによって第１の誘電体層を形成する第
１ステップと、第１のプレートと第２の電極が表面に配された第２のプ
レートとを第１及び第２の電極を対向させた状態で平行
に配置すると共に、両プレート間に放電空間を形成する
第２ステップとを備えるプラズマディスプレイパネルの
製造方法であって、前記誘電体層が平均粒径が０．８μ
ｍ〜２．５μｍで、その最大粒径が７．５μｍ以下で、
かつその最小粒径が０．３μｍ以上であるガラス粉体成
分７０重量％以上と樹脂を含む溶剤、可塑剤、分散剤か
ら成るバインダー成分３０重量％以下で構成された材料
をサンドミルで分散させその粘度が１０Ｐａｓ〜５０Ｐ
ａｓのペーストを作成し、次にこれをダイコート法で第
１電極上に塗布後乾燥し、次にこれを５５０℃〜６００
℃で焼成することを特徴とするプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法。
【請求項９】第１の電極が表面に配されている第１の
プレートに対して、当該第１のプレート表面にガラス材
料を焼成することによって第１の誘電体層を形成する第
１ステップと第１のプレートと第２の電極が表面に配さ
れた第２のプレートとを第１及び第２の電極を対向させ
た状態で平行に配置すると共に、両プレート間に放電空
間を形成する第２ステップとを備えるプラズマディスプ
レイパネルの製造方法であって、前記第１、第２の電極
が銀（Ａｇ）から成り、同じく前記第１、第２の誘電体
層が平均粒径０．８μｍ〜２．５μｍで、その最大粒径
が７．５μｍ以下で、かつその最小粒径が０．３μｍ以
上であるガラス粉体成分６５重量％以上と樹脂を含む溶
剤、可塑剤、分散剤から成るバインダー成分で３５重量
以下で構成された材料をサンドミルで分散させその粘度
が１０Ｐａ・ｓ〜５０Ｐａ・ｓのペーストを作成し、次に
これをダイコート法で第１電極上に塗布後乾燥し、次に
これを５５０℃〜６００℃で焼成することを特徴とする
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】金属酸化物のアルコキシド（Ｍ（Ｏ・
Ｒ）_n、ただし、ＭはＰｂ、Ｂ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｃａ、
Ｋ、Ｃａのうちのいづれか１種類以上、Ｒは、アルキル
基、ｎは金属の酸化数）の混合物をアルコール溶液に溶
解させ加水分解、重縮合を行なって作成するプラズマデ
ィスプレイ用誘電体ガラス粉末。